CN107208297A - 镀银材料及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
在包含80~110g/L的银、70~160g/L的氰化钾和55~70mg/L的硒的镀银液中,液温为10~35℃、电流密度为3~15A/dm2,将镀银液中的氰化钾的浓度和电流密度的乘积记作y(g·A/L·dm2),将液温记作x(℃),通过以满足(32.6x‑300)≤y≤(32.6x+200)的条件进行电镀,在原材料上形成由银构成的表层,从而制造镀银材料。
Description
技术领域
本发明涉及镀银材料及其制造方法,特别涉及作为在车载用或民生用电器布线中使用的连接器、开关、继电器等接触点或端子部件的材料而使用的镀银材料及其制造方法。
背景技术
迄今,作为连接器或开关等的接触点或端子部件等的材料,采用在铜或铜合金或不锈钢等相对廉价且耐腐蚀性或机械特性等优异的原材料上根据电特性或焊接性等所需特性实施了锡、银、金等的镀敷而得到的镀敷材料。
对铜或铜合金或不锈钢等原材料实施镀锡而得到的镀锡材料价格低廉,但是其在高温环境下的耐腐蚀性差。另外,对这些原材料实施镀金而得到的镀金材料虽然耐腐蚀性优异、可靠性高,但是其成本会变高。另一方面,对这些原材料实施镀银而得到的镀银材料与镀金材料相比价格低廉,与镀锡材料相比耐腐蚀性优异。
另外,还要求连接器或开关等的接触点或端子部件等的材料具有伴随连接器的插拔或开关的滑动的耐磨耗性。
然而,镀银材料存在由于重结晶而使得银镀层的晶粒容易增大、由于该晶粒的增大导致硬度降低而耐磨耗性下降的问题(例如,参照专利文献1)。
为了提高这样的镀银材料的耐磨耗性,已知通过使银镀层中含有锑等元素来提高镀银材料的硬度的方法(例如,参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开第2008-169408号公报(段落编号0006)
专利文献2:日本专利特开第2009-79250号公报(段落编号0003~0004)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,如果使镀银层中含有锑等元素,则存在虽然银发生合金化而硬度提高、但是由于银的纯度降低而接触电阻增加的问题。
所以,本发明鉴于这样的以往的问题,其目的在于提供能够维持高硬度并防止接触电阻增加的镀银材料及其制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明人为了解决上述技术问题而进行了认真研究,结果发现通过下述镀银材料的制造方法,能够制造能维持高硬度并防止接触电阻的增加的镀银材料,从而完成了本发明,上述镀银材料的制造方法为:在包含80~110g/L的银、70~160g/L的氰化钾和55~70mg/L的硒的镀银液中,将镀银液中的氰化钾的浓度和电流密度的乘积记作y(g·A/L·dm2),将液温记作x(℃),通过以满足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)的条件进行电镀,在原材料上形成由银构成的表层。
即,本发明的镀银材料的制造方法的特征是,在包含80~110g/L的银、70~160g/L的氰化钾和55~70mg/L的硒的镀银液中,将镀银液中的氰化钾的浓度和电流密度的乘积记作y(g·A/L·dm2),将液温记作x(℃),通过以满足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)的条件进行电镀,在原材料上形成由银构成的表层。
在该镀银材料的制造方法中,电镀优选在10~35℃的液温下进行,且优选以3~15A/dm2的电流密度进行。此外,镀银液优选由包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的水溶液形成。另外,原材料优选由铜或铜合金形成,且优选在原材料和表层之间形成由镍构成的基底层。
此外,本发明的镀银材料是在原材料上形成有由银构成的表层的镀银材料,其特征是,反射密度为0.3以上,表层的Ag纯度为99.9质量%以上,在大气中进行以50℃加热168小时的耐热试验后的维氏硬度Hv为110以上。在该镀银材料中,原材料优选由铜或铜合金形成,且优选在原材料和表层之间形成有由镍构成的基底层。
另外,本发明的接触点或端子部件的特征在于,将上述镀银材料作为材料使用。
发明效果
通过本发明,可提供能够维持高硬度并防止接触电阻增加的镀银材料及其制造方法。
附图的简要说明
图1是表示在制造实施例1~21和比较例1~3及6~9的镀银材料时的镀银液中的氰化钾的浓度和电流密度的乘积与液温的关系的图。
具体实施方式
在本发明的镀银材料的制造方法的实施方式中,在包含80~110g/L的银、70~160g/L的氰化钾和55~70mg/L的硒的镀银液中,将镀银液中的氰化钾的浓度和电流密度的乘积记为y(g·A/L·dm2),将液温记为x(℃),通过以满足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)、优选(32.6x-280)≤y≤(32.6x+180)、更优选(32.6x-260)≤y≤(32.6x+150)、最优选(32.6x-240)≤y≤(32.6x+100)的条件进行电镀,在原材料上形成由银构成的表层。通过由此制造镀银材料,能维持镀银材料的高硬度并防止接触电阻的增加。
在该镀银材料的制造方法的实施方式中,电镀优选以液温10~35℃进行(更优选以液温12~33℃进行),优选以电流密度3~15A/dm2进行。此外,镀银液优选由包含氰化银钾(KAg(CN)2)、氰化钾(KCN)和硒氰酸钾(KSeCN)的水溶液形成。
此外,镀银材料的维氏硬度Hv优选为110以上,更优选为120以上。此外,作为耐热试验将镀银材料以50℃加热168小时后的维氏硬度Hv优选为110以上,更优选为120以上。如果像这样使维氏硬度Hv在110以上,则不易产生瑕疵和划痕,形成耐磨耗性优异的镀银材料。另外,耐热试验前后的维氏硬度Hv也可以在160左右以下。
另外,原材料优选由铜或铜合金构成。另外,由于如果表层的厚度过厚,则不但成本升高,而且会变得容易破裂而使镀银材料的加工性降低,而如果厚度过薄,则镀银材料的耐磨耗性降低,因此,表层的厚度优选为2~10μm,进一步优选为3~7μm,最优选为4~6μm。
另外,为了提高原材料与由银构成的表层之间的密合性,优选在原材料与表层之间形成由镍构成的基底层。如果该基底层的厚度过薄,则无法充分提高原材料与由银构成的表层之间的密合性,而如果厚度过厚,则镀银材料的加工性降低,因此该基底层的厚度优选为0.3~2.0μm,更优选为0.5~1.5μm。为了提高该基底层与由银构成的表层之间的密合性,也可以在基底层与表层之间形成由银触击电镀形成的中间层。另外,为了防止镀银材料的接触电阻的增加,表层的Ag纯度优选在99质量%以上,进一步优选在99.5质量%以上。
通过上述的镀银材料的制造方法的实施方式,可制造下述镀银材料,该镀银材料在原材料上形成有由银构成的表层,其中,反射密度为0.3以上(优选1.0以上)、表层的Ag纯度为99.9质量%以上,在大气中进行以50℃加热168小时的耐热试验后的维氏硬度Hv为110以上。另外,若反射密度不足0.3,则镀银材料的外观(由镜面变为白色)变得无光泽,在冲压加工等情况下容易在表面产生瑕疵。
实施例
下面,对本发明的镀银材料及其制造方法的实施例进行详细说明。
[实施例1]
首先,准备作为原材料(被镀敷材料)的67mm×50mm×0.3mm的由纯铜构成的轧板,将该被镀敷材料与SUS板放入碱脱脂液中,以被镀敷材料作为阴极,SUS板作为阳极,在5V的电压下进行30秒的电解脱脂,用水清洗15秒后,在3%硫酸中进行15秒的酸洗,再用水清洗15秒。
然后,在由含有25g/L的氯化镍、35g/L的硼酸和540g/L的四水合氨基磺酸镍的水溶液形成的无光泽镀镍液中,以被镀敷材料作为阴极,镍电极板作为阳极,一边利用搅拌器以500rpm进行搅拌,一边以5A/dm2的电流密度进行85秒的电镀(无光泽镀镍),形成厚度为1μm的无光泽镀镍皮膜后,用水清洗15秒。
接着,在由含有3g/L的氰化银钾和90g/L的氰化钾的水溶液形成的银触击电镀液中,以被镀敷材料作为阴极,被铂被覆的钛电极板作为阳极,一边利用搅拌器以500rpm进行搅拌,一边以2A/dm2的电流密度进行10秒的电镀(银触击电镀)后,用水清洗15秒。
然后,在由含有148g/L的氰化银钾(KAg(CN)2)、70g/L的氰化钾(KCN)和109mg/L的硒氰酸钾(KSeCN)的水溶液形成的镀银液中,以被镀敷材料作为阴极,银电极板作为阳极,一边利用搅拌器以500rpm进行搅拌,一边在18℃的液温下、以5A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)直至银镀膜的厚度达到5μm为止,之后用水清洗15秒,利用风枪通过风压来进行干燥。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为350g·A/L·dm2。
测定这样制得的镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。
使用显微硬度试验机(三丰株式会社(株式会社ミツトヨ)生产的HM-221),施加10秒10gf的测定负荷,按照JIS Z2244来测定镀银材料的维氏硬度Hv。其结果是,维氏硬度Hv为132。
为了评价镀银材料的银镀膜的结晶取向,利用X射线衍射(XRD)分析装置(理学电器株式会社(理学電気株式会社)生产的全自动多功能水平型X射线衍射装置Smart Lab),使用Cu管球、Kβ滤波法,在2θ/θ的扫描范围内进行扫描,从所得到的X射线衍射图案中,通过用银镀膜的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面各自的X射线衍射峰强度(X射线衍射峰的强度)除以记载于JCPDS卡号40783上的各相对强度比(粉末测定时的相对强度比)({111}:{200}:{220}:{311}=100:40:25:26)来进行修正,对这样修正得到的值(修正强度)以最强的X射线衍射峰的面方位作为银镀膜的结晶取向的方向(优先取向面)进行了评价。其结果是,银镀膜的结晶向{111}面取向(以{111}面朝向镀银材料的表面(板面)方向的方式取向),即,银镀膜的优先取向面为{111}面。
另外,算出优先取向面的X射线衍射峰强度相对于镀银材料的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的X射线衍射峰强度的修正强度之和的修正强度百分率(优先取向面的X射线衍射峰强度比),结果为55.0%。
另外,由所得到的X射线衍射图案算出{111}面的X射线衍射峰的半值宽度,结果为0.259°。
另外,利用干燥机(亚速旺公司(アズワン社)生产的OF450),在大气中于50℃下对所得到的镀银材料进行168小时(一周)的加热以进行耐热试验后,按照与上述方法相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为140,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为55.8%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.217°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度的比值为0.84。
另外,利用电接触点模拟器(山崎精密机械研究所(山崎精機研究所)生产的CRS-1),一边将锯齿切割(indent)加工成R=1的半球形的镀银材料以300gf的负荷按压在镀银材料的板面上,一边以100mm/分钟的滑动速度、5mm的滑动距离进行滑动,测定滑动一次时的接触电阻,接触电阻为0.24mΩ的低值。
另外,作为镀银材料的光泽度,使用光密度计(日本电色株式会社(日本電色株式会社)生产的光密度计(デントシメーター)ND-1),相对于原材料的轧制方向平行地测定镀银材料的反射密度,结果为1.69,光泽度良好。
另外,利用电接触点模拟器(山崎精密机械研究所生产的CRS-1),一边将锯齿切割(indent)加工成R=1的半球形的镀银材料以300gf的负荷按压在镀银材料的板面上,一边以100mm/分钟的滑动速度、5mm的滑动距离进行滑动,连续进行50次往返滑动动作以进行滑动试验后,利用激光显微镜(KEYENCE株式会社(株式会社キーエンス)生产的VK-9710)对(经滑动而被刨削的)银镀膜上的滑动痕迹的断面形貌进行分析,以由滑动痕迹的宽度和深度算出的滑动痕迹的截面积作为银镀膜的磨耗量。其结果是,银镀膜的磨耗量为260μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。
另外,将镀银材料的银镀膜溶解于硝酸中形成液体后,调整溶液的浓度,使用ICP发光光谱分析(ICP-OES)装置(台精精密株式会社(セイコーインスツル株式会社)生产的SPS5100),利用等离子体光谱分析求得Ag的纯度,结果在99.9质量%以上。
[实施例2]
除了在由含有148g/L的氰化银钾、130g/L的氰化钾和109mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,以3A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为130g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为390g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为126,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为60.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.260°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为132,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为60.7%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.217°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.83。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.05mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.54,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为309μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例3]
除了在由含有148g/L的氰化银钾、160g/L的氰化钾和109mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,以3A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为160g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为480g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为129,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为59.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.284°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为129,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为61.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.231°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.81。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.18mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.36,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为250μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例4]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、80g/L的氰化钾和109mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为80g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为400g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为131,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为63.7%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.269°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为134,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为63.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.232°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.86。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.19mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.36,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为309μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例5]
除了在由含有203g/L的氰化银钾、80g/L的氰化钾和109mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为110g/L,KCN的浓度为80g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为400g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为130,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为43.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.231°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为135,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为40.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.203°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.88。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.06mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.56,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为251μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例6]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在12℃的液温下以4A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为280g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为138,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为61.7%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.264°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为145,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.236°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.90。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.51mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.45,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为166μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例7]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在12℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为420g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为141,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为65.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.293°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为144,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为60.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.160°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.54。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.25mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.68,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为169μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例8]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在15℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为420g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为146,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为61.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.257°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为148,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为65.0%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.234°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.91。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.55mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.57,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为318μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例9]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在15℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为570g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为141,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.273°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为145,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为65.8%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.141°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.52。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.39mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.57,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为254μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例10]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在18℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为570g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为141,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.239°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为145,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为65.8%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.219°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.92。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.28mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.47,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为254μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例11]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在18℃的液温下以7A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为490g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为143,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为56.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.244°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为145,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.8%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.231°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.95。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.34mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.52,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为306μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例12]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在18℃的液温下以7A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为665g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为144,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.265°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为143,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为65.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.154°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度对耐热试验前的半值宽度的比值为0.58。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.17mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.65,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为285μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例13]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在21℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为570g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为155,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为41.0%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.219°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为146,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为61.8%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.214°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度对耐热试验前的半值宽度的比值为0.98。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.18mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.37,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为247μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例14]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在21℃的液温下以8A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为760g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为142,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为63.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.255°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为143,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为66.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.191°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度对耐热试验前的半值宽度的比值为0.75。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.16mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.56,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为234μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例15]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、120g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在24℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为120g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为720g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为141,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为57.0%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.223°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为139,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为65.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.197°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.88。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.38mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.44,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为350μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例16]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、120g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在24℃的液温下以7A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为120g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为840g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为142,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.1%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.234°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为141,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为66.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.184°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度对耐热试验前的半值宽度的比值为0.79。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.31mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.58,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为346μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例17]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在12℃的液温下以3A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为210g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为124,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为63.0%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.182°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为140,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为53.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.174°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.95。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.43mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.41,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为753μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例18]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在24℃的液温下以8A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为560g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为131,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为85.8%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.196°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为134,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为86.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.192°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.98。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.27mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.38,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为843μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例19]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在18℃的液温下以8A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为760g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为142,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.287°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为144,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.099°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.35。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.24mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.61,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为498μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例20]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在24℃的液温下以10A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为950g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为131,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为66.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.203°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为125,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为62.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.092°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.46。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.17mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.47,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为536μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例21]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在12℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为570g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为143,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为62.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.318°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为132,优先取向面为{200}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为86.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.091°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.29。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.35mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.71,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为521μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例22]
除了在由含有147g/L的氰化银钾、120g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在30℃的液温下以9A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为120g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为1080g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为130,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为50.1%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.238°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为131,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为48.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.195°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.82。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.32mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.58,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为183μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例23]
除了在由含有203g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在30℃的液温下以14A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为110g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为980g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为133,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为49.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.249°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为139,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为49.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.210°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.84。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.28mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.66,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为285μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例24]
除了在由含有147g/L的氰化银钾、120g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在33℃的液温下以10A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为120g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为1200g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为130,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为43.1%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.235°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为129,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为45.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.196°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.84。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.27mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.40,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为258μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[实施例25]
除了在由含有203g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在33℃的液温下以15A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为110g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为1050g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为123,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为56.8%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.239°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为127,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为59.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.227°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.95。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.28mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.66,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为298μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例1]
除了在由含有148g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和109mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,以3A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为210g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为112,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为32.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.133°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为108,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为36.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.131°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.98。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.14mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.07,光泽度不佳。另外,银镀膜的磨耗量为969μm2,镀银材料的耐磨耗性不佳。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例2]
除了在由含有148g/L的氰化银钾、160g/L的氰化钾和109mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为160g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为800g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为124,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为56.0%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.345°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为95,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为75.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.091°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.26。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.44mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.58,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为524μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例3]
除了在由含有148g/L的氰化银钾、160g/L的氰化钾和109mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,以7A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为160g/L,Se的浓度为60mg/L,KCN浓度×电流密度为1120g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为120,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为55.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.365°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为104,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为84.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.090°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.25。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.19mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.65,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为393μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例4]
除了在由含有138g/L的氰化银钾、140g/L的氰化钾和11mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为75g/L,KCN的浓度为140g/L,Se的浓度为6mg/L,KCN浓度×电流密度为700g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为131,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为82.7%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.265°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为84,优先取向面为{200}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为77.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.081°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.31。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.12mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.63,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为602μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例5]
除了在由含有55g/L的氰化银钾、150g/L的氰化钾、3mg/L的二氧化硒和1794mg/L的三氧化锑的水溶液形成的镀银液中,在15℃的液温下以3A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为30g/L,KCN的浓度为150g/L,Se的浓度为2mg/L,Sb的浓度为750mg/L,且KCN浓度×电流密度为450g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为161,优先取向面为{200}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为66.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.375°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为166,优先取向面为{200}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为68.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.350°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度对耐热试验前的半值宽度的比值为0.93。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为10.56mΩ的高值。另外,镀银材料的反射密度为1.81,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为165μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度为98.4质量%。
[比较例6]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在12℃的液温下以1A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为70g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为121,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为36.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.128°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为117,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为32.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.122°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.95。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.19mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.07,光泽度不佳。另外,银镀膜的磨耗量为898μm2,镀银材料的耐磨耗性不佳。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例7]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在12℃的液温下以8A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为760g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为138,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为50.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.342°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为95,优先取向面为{200}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.3%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.092°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.27。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.25mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.6,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为527μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例8]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在24℃的液温下以6A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为420g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为120,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为32.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.131°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为109,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为33.1%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.126°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.96。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.25mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.09,光泽度不佳。另外,银镀膜的磨耗量为970μm2,镀银材料的耐磨耗性不佳。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例9]
除了在由含有175g/L的氰化银钾、95g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在24℃的液温下以12A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为95g/L,KCN的浓度为95g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为1140g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为135,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为65.0%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.294°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为106,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为64.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.090°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度对耐热试验前的半值宽度的比值为0.31。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.45mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.58,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为446μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例10]
除了在由含有147g/L的氰化银钾、120g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在30℃的液温下以15A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为120g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为1800g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为127,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为60.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.308°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为95,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为63.5%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.086°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.28。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.21mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.80,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为450μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例11]
除了在由含有203g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在30℃的液温下以9A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为110g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为630g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为118,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为63.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.157°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为113,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为55.9%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.140°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.89。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.31mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.23,光泽度不佳。另外,银镀膜的磨耗量为845μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例12]
除了在由含有147g/L的氰化银钾、120g/L的氰化钾和100mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在33℃的液温下以18A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为80g/L,KCN的浓度为120g/L,Se的浓度为55mg/L,KCN浓度×电流密度为2160g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为131,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为54.6%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.336°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为107,优先取向面为{111}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为48.4%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.089°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.27。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.30mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为1.82,光泽度良好。另外,银镀膜的磨耗量为550μm2,镀银材料的耐磨耗性良好。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
[比较例13]
除了在由含有203g/L的氰化银钾、70g/L的氰化钾和128mg/L的硒氰酸钾的水溶液形成的镀银液中,在33℃的液温下以10A/dm2的电流密度进行电镀(镀银)以外,按照与实施例1相同的方法来制作镀银材料。另外,所使用的镀银液中,Ag的浓度为110g/L,KCN的浓度为70g/L,Se的浓度为70mg/L,KCN浓度×电流密度为700g·A/L·dm2。
对于这样制得的镀银材料,利用与实施例1相同的方法,测定维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为110,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为37.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.139°。
另外,利用与实施例1相同的方法,在进行了耐热试验后,测定镀银材料的维氏硬度Hv,并且对银镀膜的结晶取向进行评价。其结果是,维氏硬度Hv为110,优先取向面为{220}面,优先取向面的X射线衍射峰强度比为37.2%,{111}面的X射线衍射峰的半值宽度为0.125°,且耐热试验后的{111}面的X射线衍射峰的半值宽度相对于耐热试验前的半值宽度的比值为0.90。
另外,利用与实施例1相同的方法,测定镀银材料的接触电阻和反射密度、以及银镀膜的磨耗量,并且求出Ag的纯度。其结果是,镀银材料的接触电阻为0.27mΩ的低值。另外,镀银材料的反射密度为0.11,光泽度不佳。另外,银镀膜的磨耗量为975μm2,镀银材料的耐磨耗性不佳。另外,Ag的纯度在99.9质量%以上。
这些实施例和比较例的镀银材料的制造条件和特性示于表1~表6。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
由表1~表6可知,实施例1~25中制造的镀银材料能维持高硬度并防止接触电阻的增加。
另外,制造实施例1~25和比较例1~3及6~13的镀银材料(由包含80~110g/L的银、70~160g/L的氰化钾和55~70mg/L的硒的镀银液制造的镀银材料)时的镀银液中的氰化钾的浓度和电流密度的乘积与液温的关系示于图1。如图1所示,在实施例1~25中,当将(KCN浓度×电流密度)记作y(g·A/L·dm2)、将液温记作x(℃),以最小二乘法计算y和x的关系时,结果为y=32.6x-45,如果使(KCN浓度×电流密度)y和液温x的关系在y=32.6x-300和y=32.6x+200之间,即满足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200),则可制造能维持高硬度并防止接触电阻的增加的镀银材料。
Claims (10)
1.一种镀银材料的制造方法,其特征在于,在包含80~110g/L的银、70~160g/L的氰化钾和55~70mg/L的硒的镀银液中,将镀银液中的氰化钾的浓度和电流密度的乘积记作y(g·A/L·dm2),将液温记作x(℃),通过以满足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)的条件进行电镀,在原材料上形成由银构成的表层。
2.如权利要求1所述的镀银材料的制造方法,其特征在于,所述电镀在10~35℃的液温下进行。
3.如权利要求1所述的镀银材料的制造方法,其特征在于,所述电镀以3~15A/dm2的电流密度进行。
4.如权利要求1所述的镀银材料的制造方法,其特征在于,所述镀银液由包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的水溶液形成。
5.如权利要求1所述的镀银材料的制造方法,其特征在于,所述原材料由铜或铜合金形成。
6.如权利要求1所述的镀银材料的制造方法,其特征在于,在所述原材料和所述表层之间形成由镍构成的基底层。
7.一种镀银材料,它是在原材料上形成有由银构成的表层的镀银材料,其特征在于,反射密度为0.3以上,表层的Ag纯度为99.9质量%以上,在大气中进行以50℃加热168小时的耐热试验后的维氏硬度Hv为110以上。
8.如权利要求7所述的镀银材料,其特征在于,所述原材料由铜或铜合金形成。
9.如权利要求7所述的镀银材料,其特征在于,在所述原材料和所述表层之间形成有由镍构成的基底层。
10.一种接触点或端子部件,其特征在于,使用权利要求7~9中任一项所述的镀银材料作为材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910116597.9A CN109881222B (zh) | 2015-01-30 | 2016-01-15 | 镀银材料及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-016458 | 2015-01-30 | ||
JP2015016458 | 2015-01-30 | ||
JP2015-254654 | 2015-12-25 | ||
JP2015254654A JP6611602B2 (ja) | 2015-01-30 | 2015-12-25 | 銀めっき材およびその製造方法 |
PCT/JP2016/000176 WO2016121312A1 (ja) | 2015-01-30 | 2016-01-15 | 銀めっき材およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910116597.9A Division CN109881222B (zh) | 2015-01-30 | 2016-01-15 | 镀银材料及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107208297A true CN107208297A (zh) | 2017-09-26 |
CN107208297B CN107208297B (zh) | 2019-03-12 |
Family
ID=56685430
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910116597.9A Active CN109881222B (zh) | 2015-01-30 | 2016-01-15 | 镀银材料及其制造方法 |
CN201680006393.4A Active CN107208297B (zh) | 2015-01-30 | 2016-01-15 | 镀银材料及其制造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910116597.9A Active CN109881222B (zh) | 2015-01-30 | 2016-01-15 | 镀银材料及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10501858B2 (zh) |
EP (1) | EP3252188B1 (zh) |
JP (2) | JP6611602B2 (zh) |
CN (2) | CN109881222B (zh) |
MX (1) | MX2017009746A (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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MX2022010476A (es) | 2020-02-25 | 2022-09-19 | Dowa Metaltech Co Ltd | Producto plateado y metodo para producir el mismo. |
JP7395389B2 (ja) | 2020-03-09 | 2023-12-11 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
JP7455634B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-03-26 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法、並びに、端子部品 |
JP6916971B1 (ja) | 2020-09-15 | 2021-08-11 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
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JP7213390B1 (ja) | 2022-10-24 | 2023-01-26 | 松田産業株式会社 | 銀めっき皮膜及び該銀めっき皮膜を備えた電気接点 |
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-
2015
- 2015-12-25 JP JP2015254654A patent/JP6611602B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-15 US US15/542,946 patent/US10501858B2/en active Active
- 2016-01-15 CN CN201910116597.9A patent/CN109881222B/zh active Active
- 2016-01-15 EP EP16742917.4A patent/EP3252188B1/en active Active
- 2016-01-15 MX MX2017009746A patent/MX2017009746A/es unknown
- 2016-01-15 CN CN201680006393.4A patent/CN107208297B/zh active Active
-
2019
- 2019-10-22 US US16/659,818 patent/US11142839B2/en active Active
- 2019-10-29 JP JP2019195841A patent/JP6810229B2/ja active Active
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EP3252188A4 (en) | 2018-10-24 |
JP6611602B2 (ja) | 2019-11-27 |
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EP3252188A1 (en) | 2017-12-06 |
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CN109881222A (zh) | 2019-06-14 |
US11142839B2 (en) | 2021-10-12 |
CN109881222B (zh) | 2021-02-05 |
US20200048785A1 (en) | 2020-02-13 |
JP6810229B2 (ja) | 2021-01-06 |
JP2020012202A (ja) | 2020-01-23 |
MX2017009746A (es) | 2017-10-27 |
JP2016145413A (ja) | 2016-08-12 |
CN107208297B (zh) | 2019-03-12 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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