CN107180767A - 一种射频芯片链带及其制取工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了芯片安装技术领域中的一种射频芯片链带及其制取工艺，该链带包括若干芯片链带单元，每节芯片链带单元包括背膜和射频芯片，射频芯片与背膜连接，相邻两个射频芯片之间设有缝隙，射频芯片上设有电气桩脚；该制取工艺包括固定晶圆架、切割形成链带单元、传输带传送链带单元、前后两个链带单元尾端重合并连接、收卷盘收卷等过程。本发明大大减少设备投资与折旧费，提高芯片安装绑定的效率，有利于射频技术的推广应用，同时便于后期的安装绑定过程顺利进行。
Description
技术领域
本发明涉及射频芯片安装技术领域，具体的说，是涉及一种射频芯片链带及其制取工艺。
背景技术
随着技术的发展，射频芯片的尺寸越来越小，现有常见的小尺寸射频芯片的尺寸为0.45*0.45*0.1mm，此时，在8时晶圆上芯片数量达12万个，12时晶圆上的芯片达25万个以上。
从晶圆上取下芯片，再将芯片安装在射频天线上，是目前芯片安装绑定的主流工艺，每从晶圆上取下一颗芯片，都需要对晶圆实施复杂的X、Y向位置伺服定位，而且每次操作只能使用一个晶圆，每个工作流程只能安装绑定一颗芯片，因而设备复杂造价高，芯片安装绑定设备的投资及折旧费成为制约射频技术应用的成本瓶颈。
市面上曾出现过贴片元件编带式射频芯片链，但是由于射频芯片太小，要从晶圆上一颗一颗的取下芯片，再一颗一颗的放入贴片器件编带的孔中，然后在芯片孔之上复合盖层，其工艺也很复杂，因此很难得到推广应用。
上述缺陷，值得解决。
发明内容
为了克服现有的技术的不足，本发明提供一种射频芯片链带及其制取工艺。
本发明技术方案如下所述：
一种射频芯片链带，其特征在于，包括若干芯片链带单元，相邻两节所述芯片链带单 元固定连接，每节所述芯片链带单元包括背膜和若干射频芯片，所述射频芯片纵向或横向排列成一排，并且所述射频芯片与所述背膜连接，相邻两个所述射频芯片之间设有缝隙，所述射频芯片上设有电气桩脚。
根据上述方案的本发明，其特征在于，芯片之间的所述缝隙的宽度为18-20微米。
根据上述方案的本发明，其特征在于，所述背膜为UV膜或蓝膜或强力膜。
根据上述方案的本发明，其特征在于，所述背膜上设有一层连接层，所述射频芯片通过连接层与所述背膜连接。
进一步的，所述连接层为芯片固定胶。
根据上述方案的本发明，其特征在于，所述背膜的背膜首端超出最前端所述射频芯片的前沿，所述背膜的背膜尾端与最末端所述芯片的边缘对齐。
进一步的，所述背膜首端超出最前端所述射频芯片的前沿10mm。
进一步的，位于最前端的所述芯片链带单元中，所述背膜首端与收卷盘的收卷引带热压合粘结在一起。
进一步的，后一个所述芯片链带单元中的所述背膜首端与前一个所述芯片链带单元中的所述背膜尾端热压合粘结在一起。
进一步的，位于最末端的所述芯片链带单元中，所述背膜尾端与收卷盘的放卷引带热压合粘结在一起。
一种射频芯片链带的制取工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、将晶圆架固定好，使晶圆的背膜朝向上；
步骤2、将收卷盘内圈固定的收卷引带拉出前端停在热压合装置上；
步骤3、切割刀从所述晶圆上切割下芯片链带单元；
步骤4、将切割下的第一个所述芯片链带单元落在传输带的末端，所述传输带带动所述芯片链带单元向前传送；
步骤5、所述传输带的前方设有托板，所述传输带将所述芯片链带单元输送到所述传输带的前端，使得所述芯片链带单元的背膜首端与所述托板上的所述收卷引带重合，所述热压合装置将所述背膜首端与所述收卷引带热压合在一起；
步骤6、收卷盘动力轮转动，带动所述收卷盘收卷，第一个所述芯片链带单元前行，当第一个所述芯片链带单元的背膜尾端位于所述热压合装置时，停止收卷；
步骤7、所述切割刀沿着晶圆的缝隙切割下第二个所述芯片链带单元，落在所述传输带的末端，所述传输带带动第二个所述芯片链带单元向前传送，第二个所述芯片链带单元的背膜首端到达热压合装置时停止前进，使得第二个所述芯片链带单元的所述背膜首端叠压在第一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端上；
步骤8、所述热压合装置将第二个所述芯片链带单元的所述背膜首端与第一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端热压合在一起；
步骤9、所述收卷盘动力轮带动收卷盘转动，进而所述收卷盘带动绕在其上的所述链带单元收卷，当第二个所述芯片链带单元的所述背膜尾端位于所述所述热压合装置时，停止收卷；
步骤10、重复步骤7-9，直至最后一个所述芯片链带单元完成切割、连接；
步骤11、安装放卷引带，当最后一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端停在所述所述热压合装置上，将预先裁切好的放卷引带的前端放置在所述所述热压合装置处，叠压在最后一个所述芯片链带单元的背膜尾端之上，将所述放卷引带和最后一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端热压合在一起；
步骤12、然后启动所述收卷盘动力轮，所述收卷盘收卷起最后一个所述芯片链带单元，一个晶圆转换成了一盘芯片链带。
根据上述方案的本发明，其特征在于，在所述步骤2中，用切割刀沿着所述晶圆上的横向切割缝隙或纵向切割缝隙进行切割，将所述背膜切割开裂。
进一步的，所述切割刀为激光刀或钢刀。
根据上述方案的本发明，其特征在于，所述传输带的前端设有光电传感器，所述传输带将所述芯片链带单元的所述背膜首端传送到所述光电传感器后，再向前行进10mm距离。
进一步的，在所述步骤6中，所述收卷盘收卷后，使得压合完成后的所述芯片链带单元的所述背膜末端位于所述光电传感器处后，再收卷3-5mm。
根据上述方案的本发明，其特征在于，所述热压合装置包括热压合底座和热压合头，所述热压合头位于所述热压合底座的正上方，所述热压合头向下压，将所述芯片链带单元的所述背膜手段与所述收卷引带压合在一起，或者是将所述芯片链带单元的所述背膜手段与前一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端压合在一起，或者是将所述放卷引带与最后一个所述芯片链带单元压合在一起。
根据上述方案的本发明，其有益效果在于，本发明省去了传统芯片绑定芯片晶圆X、Y双向伺服定位的设备与工艺，大大减少设备投资与折旧费，提高芯片安装绑定的效率，有利于射频技术的推广应用；同时通过将若干个使用链带单元实施芯片绑定封装的设备并装在一起，使得并装的多列芯片的安装绑定设备使用同一个伺服系统，从而大大提升工作效率，促进新一代的射频芯片安装绑定机的发展。
附图说明
图1为本发明固定晶圆时的结构示意图。
图2为本发明中链带单元的结构侧视图。
图3为本发明收卷引带安装的示意图。
图4为本发明放卷引带安装的示意图。
图5为本发明收卷盘收卷后的侧面剖视图。
图6为本发明制取过程的示意图。
在图中，1、射频芯片；101、横向切割缝隙；102、纵向切割缝隙；2、电气桩脚；3、背膜；301、背膜首端；302、背膜尾端；4、芯片固定胶；5、晶圆架；6、芯片链带单元；7、收卷盘；8、收卷引带；9、放卷引带；10、切割刀；11、传输带；12、光电传感器；1301、热压合底座；1302、热压合头；14、托板；15、收卷盘动力轮。
具体实施方式
下面结合附图以及实施方式对本发明进行进一步的描述：
如图1-2所示，一种射频芯片链带，包括若干链带单元5，每节链带单元5包括背膜3(UV膜或蓝膜或强力膜)和若干射频芯片1，背膜3上设有一层连接层，射频芯片1通过连接层与背膜3连接。
优选的，连接层为芯片固定胶4。
射频芯片1纵向或横向排列成一排，并且射频芯片1与背膜3连接，相邻两个射频芯片1之间设有缝隙，缝隙的宽度为18-20微米，用于射频芯片1安装绑定时识别射频芯片1间隔缝隙，省去了传统芯片绑定时芯片晶圆X、Y双向伺服定位的设备与工艺，大大减少设备投资与折旧费。
射频芯片1上设有电气桩脚2。
相邻两节链带单元5之间通过背膜3固定连接，位于连接处的背膜3之间热压合粘结连接。
如图3-6所示，一种射频芯片链带的制取工艺，包括以下步骤：
1、将晶圆架5固定好，使晶圆的背膜3朝向上。
2、将收卷盘内圈固定的收卷引带8拉出前端停在热压合装置上。热压合装置包括热压合底座1301和热压合头1302，热压合头1302位于热压合底座1301的正上方。
3、从晶圆上切割下芯片链带单元6。
用切割刀10沿着晶圆上的横向切割缝隙101或纵向切割缝隙102进行切割，将背膜3切割开裂。优选的，切割刀10为激光刀或钢刀。
在本实施例中，通过切割刀10沿着晶圆纵向切割缝隙102切割。
4、将切割下的第一芯片链带单元6落在传输带11的末端，传输带11带动芯片链带单元6向前传送。
5、传输带11的前方设有托板14，传输带11与托板14之间设有光电传感器12。
传输带11将芯片链带单元6输送到传输带11前端的光电传感器12后，再向前行进10mm距离，使得芯片链带单元6的前端背膜3与停在热压合底座1301的收卷引带8重合，然后热压头1032下压收卷引带8与第一个芯片链带单元6热压粘结在一起。
6、收卷盘动力轮15转动，带动收卷盘7收卷，芯片链带单元6前行，当第一芯片链带单元6的背膜尾端302前行到热压合底座1301时，收卷盘7停止收卷。
收卷盘7收卷后，使得压合完成后的芯片链带单元6的背膜尾端302位于光电传感器12处后，再收卷3-5mm。
7、切刀10沿着晶圆纵向割缝102切割下第二个芯片链带单元6，落在传输带11的末端，传输带11带动芯片链带单元6向前传送，芯片链带单元6的背膜首端301到达热压合底座1301时停止前进。芯片链带单元6的背膜首端301叠压在第一个芯片链带单元6的背膜尾端302上。
8、位于前后两个链带单元6首尾重合处的热压合装置运作，将两个链带单元6压合在一起。
热压合头1302向下压，通过热压合头1302与热压合底座1301相互挤压，将第二个芯片链带单元6的背膜首端301与第一个芯片链带单元6的背膜尾端302热压合在一起，即将前后两条链带单元6稳定的连接起来。
9、动力轮15带动收卷盘7转动，进而收卷盘7带动绕在其上的芯片链带单元6收卷，当第二个芯片链带单元6的背膜尾端302位于热压合底座1301位置时停止收卷。
10、重复步骤7-9，实施切割晶圆背膜得到的芯片链带单元6向前输送到热压合底座1301位置与前一个芯片链带单元6热压合在一起，直至最后一个芯片链带单元6完成切割、连接。
11、安装放卷引带9：当最后一个芯片链带单元6的背膜尾端302停在热压合底座1301位置上，将预先裁切好的放卷引带9的前端放置在热压合底座1301处，叠压在最后一个芯片链带单元6的背膜尾端302之上，然后热压头1302下压，将放卷引带9和最后一个芯片链带6的背膜尾端302热压合在一起。
然后启动收卷盘动力轮15，收卷盘7收卷起最后一个芯片链带单元6，一个晶圆转换成了一盘芯片链带。
将若干个使用射频芯片1链带安装绑定的设备并装在一起，成为多排射频芯片1安装绑定设备，多列芯片绑定机用同一个伺服系统，从而大大提升工作效率，促进新一代的射频芯片安装绑定机的发展。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
上面结合附图对本发明专利进行了示例性的描述，显然本发明专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种射频芯片链带，其特征在于，包括若干芯片链带单元，相邻两节所述芯片链带单元固定连接，每节所述芯片链带单元包括背膜和若干射频芯片，所述射频芯片纵向或横向排列成一排，并且所述射频芯片与所述背膜连接，相邻两个所述射频芯片之间设有缝隙，所述射频芯片上设有电气桩脚。
2.根据权利要求1所述的射频芯片链带，其特征在于，所述背膜上设有一层连接层，所述射频芯片通过连接层与所述背膜连接。
3.根据权利要求2所述的射频芯片链带，其特征在于，所述连接层为芯片固定胶。
4.根据权利要求1所述的射频芯片链带，其特征在于，所述背膜的背膜首端超出最前端所述射频芯片的前沿，所述背膜的背膜尾端与最末端所述芯片的边缘对齐。
5.一种射频芯片链带的制取工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、将晶圆架固定好，使晶圆的背膜朝向上；
步骤2、将收卷盘内圈固定的收卷引带拉出前端停在热压合装置上；
步骤3、切割刀从所述晶圆上切割下芯片链带单元；
步骤4、将切割下的第一个所述芯片链带单元落在传输带的末端，所述传输带带动所述芯片链带单元向前传送；
步骤5、所述传输带的前方设有托板，所述传输带将所述芯片链带单元输送到所述传输带的前端，使得所述芯片链带单元的背膜首端与所述托板上的所述收卷引带重合，所述热压合装置将所述背膜首端与所述收卷引带热压合在一起；
步骤6、收卷盘动力轮转动，带动所述收卷盘收卷，第一个所述芯片链带单元前行，当第一个所述芯片链带单元的背膜尾端位于所述热压合装置时，停止收卷；
步骤7、所述切割刀沿着晶圆的缝隙切割下第二个所述芯片链带单元，落在所述传输带的末端，所述传输带带动第二个所述芯片链带单元向前传送，第二个所述芯片链带单元的背膜首端到达热压合装置时停止前进，使得第二个所述芯片链带单元的所述背膜首端叠压在第一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端上；
步骤8、所述热压合装置将第二个所述芯片链带单元的所述背膜首端与第一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端热压合在一起；
步骤9、所述收卷盘动力轮带动收卷盘转动，进而所述收卷盘带动绕在其上的所述链带单元收卷，当第二个所述芯片链带单元的所述背膜尾端位于所述所述热压合装置时，停止收卷；
步骤10、重复步骤7-9，直至最后一个所述芯片链带单元完成切割、连接；
步骤11、安装放卷引带，当最后一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端停在所述所述热压合装置上，将预先裁切好的放卷引带的前端放置在所述所述热压合装置处，叠压在最后一个所述芯片链带单元的背膜尾端之上，将所述放卷引带和最后一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端热压合在一起；
步骤12、然后启动所述收卷盘动力轮，所述收卷盘收卷起最后一个所述芯片链带单元，一个晶圆转换成了一盘芯片链带。
6.根据权利要求5所述的射频芯片链带的制取工艺，其特征在于，在所述步骤2中，用切割刀沿着所述晶圆上的横向切割缝隙或纵向切割缝隙进行切割，将所述背膜切割开裂。
7.根据权利要求6所述的射频芯片链带的制取工艺，其特征在于，所述切割刀为激光刀或钢刀。
8.根据权利要求5所述的射频芯片链带的制取工艺，其特征在于，所述传输带的前端设有光电传感器，所述传输带将所述芯片链带单元的所述背膜首端传送到所述光电传感器后，再向前行进10mm距离。
9.根据权利要求8所述的射频芯片链带的制取工艺，其特征在于，在所述步骤6中，所述收卷盘收卷后，使得压合完成后的所述芯片链带单元的所述背膜末端位于所述光电传感器处后，再收卷3-5mm。
10.根据权利要求5所述的射频芯片链带的制取工艺，其特征在于，所述热压合装置包括热压合底座和热压合头，所述热压合头位于所述热压合底座的正上方，所述热压合头向下压，将所述芯片链带单元的所述背膜手段与所述收卷引带压合在一起，或者是将所述芯片链带单元的所述背膜手段与前一个所述芯片链带单元的所述背膜尾端压合在一起，或者是将所述放卷引带与最后一个所述芯片链带单元压合在一起。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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