CN107164801B - 纳米材料制备装置及纳米材料制备方法 - Google Patents

纳米材料制备装置及纳米材料制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107164801B
CN107164801B CN201710323662.6A CN201710323662A CN107164801B CN 107164801 B CN107164801 B CN 107164801B CN 201710323662 A CN201710323662 A CN 201710323662A CN 107164801 B CN107164801 B CN 107164801B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
module
unit
sintered
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710323662.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107164801A (zh
Inventor
曾和平
江梦慈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Huapu Environmental Protection Technology Co ltd
Original Assignee
East China Normal University
Shanghai Langyan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by East China Normal University, Shanghai Langyan Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical East China Normal University
Priority to CN201710323662.6A priority Critical patent/CN107164801B/zh
Publication of CN107164801A publication Critical patent/CN107164801A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107164801B publication Critical patent/CN107164801B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/10Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7704Halogenides
    • C09K11/7705Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08Etching
    • C30B33/10Etching in solutions or melts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

本发明提供了一种纳米材料制备装置及纳米材料制备方法,该装置包括依次设置的原料配比混合模块、压片模块、激光烧结模块、激光消融模块和纳米材料收集模块,其中,所述原料配比混合模块包括原料输送单元和混合搅拌单元;所述压片模块包括原料称量单元和机械压制单元;所述激光烧结模块包括红外传感定时单元和激光烧结单元。该方法包括:将原料进行研磨和压片后,通过激光烧结模块进行烧结处理,得到烧结晶体;将所述烧结晶体通过激光消融模块进行消融处理,得到纳米颗粒溶胶。本发明基于研究绿色、简单纳米材料的合成工艺的思路,装置简单,容易加工获取,且能够高效率合成和生产纳米材料,整个生产过程原料利用率高,无废料产生,安全无污染。

Description

纳米材料制备装置及纳米材料制备方法
技术领域
本发明涉及上转换荧光纳米材料的制备领域,尤其涉及一种上转换荧光纳米材料的制备装置。
背景技术
近年来,上转换荧光纳米材料以其特殊的性能和广泛的用途成为研究的焦点,在固体激光、太阳能电池、光动力治疗,特别是作为生物标记探针,荧光防伪方面有很大的潜在应用价值。与传统的有机染料和半导体量子点相比,上转换荧光纳米材料作为生物标记的纳米探针有许多优点,如窄带发射,高的信噪比,抗光漂白,低毒性。过去十几年中,科学工作者们对上转换荧光纳米材料的尺寸、相纯、化学成分以及性质的操控进行了大量研究。
目前纳米材料的制备,在没有取得新的技术突破之前,主要采用化学方法生产。化学方法制备纳米材料的规律不可回避的要使用酸、碱、盐等物质,而且反应条件苛刻,会造成一定程度的环境污染,而且产物容易团聚。其过程如共沉淀法,制得的纳米颗粒须通过高温锻烧来提高发光效率,而锻烧步骤容易导致纳米颗粒的团聚,使颗粒的粒径增大;其过程如水/溶剂热法,虽然反应条件温和、反应活性高、合成的颗粒结晶度高,但是,实验过程中需要较高反应温度和较长反应时间,而且化学试剂残渣不能重复使用,污染环境,而在此条件下,很容易导致纳米颗粒的各向异性生长形成纳米棒或者纳米线,使纳米颗粒的粒径增大。
中国发明专利(201510357795.6:一种上转换荧光材料及其制备方法)公开了一种上转换纳米材料的制备方法,其特征在于,将含有稀土元素的化合物与含有碲元素的化合物混合研磨,得到混合物,然后进行煅烧,得到上转换荧光材料。在进行混合物煅烧之前,先将所述混合物进行预烧结。其中所述预烧结的温度为300~850℃,所述预烧结的时间为1~10h,所述预烧结的次数为1~3次;所述煅烧的温度为750~1050℃,所述煅烧的时间为1~20h。
上述发明公开的纳米材料的制备设备加工成本高,反应条件苛刻,生产效率低,制备的纳米材料种类有限。
发明内容
本发明涉及上转换荧光纳米材料的制备领域,尤其涉及一种上转换荧光纳米材料的制备装置。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种纳米材料制备装置,包括依次设置的原料配比混合模块、压片模块、激光烧结模块、激光消融模块和纳米材料收集模块,其中,所述原料配比混合模块包括原料输送单元和混合搅拌单元;所述压片模块包括原料称量单元和机械压制单元;所述激光烧结模块包括红外传感定时单元和激光烧结单元。
作为优选方案,所述激光消融模块包括脉冲激光器、振镜、透镜、支架、高度调节杆、光纤、电脑和控制线,所述高度调节杆设置于支架的表面,所述激光器和电脑设置于支架内,所述振镜和透镜设置于高度调节杆上,所述透镜设置于振镜的底部,所述光纤连接在脉冲激光器和振镜之间光路连接,所述控制线在电脑和振镜之间电连接。
作为优选方案,所述激光烧结模块包括激光烧结单元、红外传感定时单元和支架,所述激光烧结单元包括连续激光器、高度调节杆、透镜组、耐高温容器,所述高度调节杆设置于支架的表面,所述透镜组设置于高度调节杆端面,所述耐高温容器设置于透镜组底部,所述连续激光器设置于支架内,且连续激光器与透镜组通过光纤相连接,所述红外传感定时单元包括红外测温仪,所述红外测温仪与连续激光器电连接。
作为优选方案,所述原料配比混合模块包括置粉容器、搅拌机、送粉导管、送粉喷嘴,支架,所述置粉容器设置于支架的表面,所述搅拌机设置于置粉容器的内部,所述送粉导管设置于置粉容器的侧边,且靠近置粉容器底部,所述送粉喷嘴设置于送粉导管外端。
作为优选方案,所述压片模块包括分析天平和机械压片机,粉末经过分析天平称量后,通过机械压片机压制成片型。
作为优选方案,所述脉冲激光器选自纳秒激光器、皮秒激光器、飞秒激光器中的一种或者两种及两种以上的组合。
一种基于前述纳米材料制备装置的纳米材料制备方法,其包括如下步骤:
将原料进行研磨和压片后,通过激光烧结模块进行烧结处理,得到烧结晶体;
将所述烧结晶体通过激光消融模块进行消融处理,得到纳米颗粒溶胶。
作为优选方案,所述烧结处理的步骤具体包括如下操作:
将压片放置于耐高温陶瓷容器中,并将输出激光光斑覆盖整个压片表面;
调整激光器输出功率,压片表面会从中心处出现一个圆形光斑,并以环形从中心向外扩散直至压片边缘;
监测压片表面温度,达到设定温度之后,停止激光照射。
作为优选方案,所述消融处理的步骤具体包括如下操作:
将烧结晶体置于烧杯中,加入液体溶剂和表面活性剂,使所述液体溶剂的液面略盖过烧结晶体表面;
脉冲激光从脉冲激光器中出射后,通过反射镜反射入振镜系统中,再通过聚焦透镜聚焦到放置于烧杯中的压片表面,将烧杯中的烧结晶体消融成纳米颗粒溶胶。
本方法普适性强,不但能合成上转换荧光材料,还能合成实用半导体材料、钙钛矿等材料。将粉末混合激光烧结诱导化学反应,实现将难融,反应条件苛刻的化学合成反应简易化。整个过程,无外加材料污染,是干净的反应和制作方法;整套实验装置,设备简单,加工成本低,操作安全有效。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
本发明基于研究绿色、简单纳米材料的合成工艺的思路,装置简单,容易加工获取,且能够高效率合成和生产纳米材料,整个生产过程原料利用率高,无废料产生,安全无污染。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明制备纳米材料装置激光消融模块简图;
图2为本发明制备纳米材料装置激光烧结模块简图;
图3为本发明制备纳米材料装置原料配比混合模块简图;
图中:1、支架;2、高度调节杆;3、光纤;4、控制线;5、脉冲激光器;6、电脑;7、振镜;8、透镜;9、连续激光器;10、透镜组;11、耐高温容器;12、搅拌机;13、置粉容器;14、送粉导管;15、送粉喷嘴。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
本发明提供的一种纳米材料制备装置,包括依次设置的原料配比混合模块、压片模块、激光烧结模块、激光消融模块和纳米材料收集模块,其中,所述原料配比混合模块包括原料输送单元和混合搅拌单元;所述压片模块包括原料称量单元和机械压制单元;所述激光烧结模块包括红外传感定时单元和激光烧结单元。
如图1所示,激光消融模块包括脉冲激光器5、振镜7、透镜8、支架1、高度调节杆2、光纤3、电脑6和控制线4,高度调节杆2设置于支架1的表面,脉冲激光器5和电脑6设置于支架1内,振镜7和透镜8设置于高度调节杆2上,透镜8设置于振镜7的底部,光纤3连接在脉冲激光器5和振镜7之间光路连接,控制线4在电脑6和振镜7之间电连接。
如图2所示,激光烧结模块包括激光烧结单元、红外传感定时单元和支架1,所述激光烧结单元包括连续激光器9、高度调节杆2、透镜组10、耐高温容器11,高度调节杆2设置于支架1的表面,透镜组10设置于高度调节杆2端面,耐高温容器11设置于透镜组10底部,连续激光器9设置于支架1内,且连续激光器9与透镜组10通过光纤3相连接,红外传感定时单元包括红外测温仪,所述红外测温仪(图中未示)与连续激光器电连接。
作为优选方案,原料配比混合模块包括置粉容器13、搅拌机12、送粉导管14、送粉喷嘴15,支架,置粉容器13设置于支架的表面,搅拌机12设置于置粉容器13的内部,送粉导管14设置于置粉容器13的侧边,且靠近置粉容器13底部,送粉喷嘴15设置于送粉导管14外端。
作为优选方案,所述压片模块包括分析天平和机械压片机,粉末经过分析天平称量后,通过机械压片机压制成片型。
作为优选方案,所述脉冲激光器选自纳秒激光器、皮秒激光器、飞秒激光器中的一种或者两种及两种以上的组合。
一种基于前述纳米材料制备装置的纳米材料制备方法,其包括如下步骤:
将原料进行研磨和压片后,通过激光烧结模块进行烧结处理,得到烧结晶体;
将所述烧结晶体通过激光消融模块进行消融处理,得到纳米颗粒溶胶。
作为优选方案,所述烧结处理的步骤具体包括如下操作:
将压片放置于耐高温陶瓷容器中,并将输出激光光斑覆盖整个压片表面;
调整激光器输出功率,压片表面会从中心处出现一个圆形光斑,并以环形从中心向外扩散直至压片边缘;
监测压片表面温度,达到设定温度之后,停止激光照射。
作为优选方案,所述消融处理的步骤具体包括如下操作:
将烧结晶体置于烧杯中,加入液体溶剂和表面活性剂,使所述液体溶剂的液面略盖过烧结晶体表面;
脉冲激光从脉冲激光器中出射后,通过反射镜反射入振镜系统中,再通过聚焦透镜聚焦到放置于烧杯中的压片表面,将烧杯中的烧结晶体消融成纳米颗粒溶胶。
实施例1
以四氟化钆钠(化学式为NaGdF4)为基质的上转换荧光纳米材料的制备。
按照摩尔比氟化钠:氟化钆:氧化铒:氧化镱为1:1:0.01:0.1称取该四种化合物粉末共5克,其中氟化钠为0.7012g,氟化钆为3.5771g,氧化铒为0.0639g,氧化镱为0.6578g。将混合粉末放置于置粉容器中充分搅拌研磨,使得各化合物粉末混合均匀,通过送粉导管及送粉喷嘴输送粉末然后称量出2g混合粉末,用18mm直径的钢制模具压片处理,压力为6MPa,持续时间为6s。结束后即可得到成型的,拥有一定密度的压片,其中直径为18mm,厚度为1mm。
将得到的压片放置在耐高温容器中。激光器为连续光固体激光器,波长为980nm,输出功率调至28W,激光照射在压片表面,其中光斑大小与压片大小一致。烧结持续25s,红外测温仪监测压片表面温度,当温度达到设定值(1200℃)时,关闭激光器,此时压片呈晶体状。
再将压片进行激光消融处理。将压片置于50mL烧杯底部,加入5mL超纯水。皮秒激光器输出激光通过反射镜后,输入振镜系统并聚焦在压片表面上。持续40mins。其中皮秒激光器为光纤激光器,输出波长为1064nm,单脉冲能量为6μJ,重复频率为200KHz,一个周期内单脉冲数量为8。实验结束后,将烧杯内容物通过过滤漏斗,滤除未消融完全的压片和较大颗粒,得到的液体即为上转换荧光纳米颗粒溶胶。
将过滤得到的未消融完全的压片和较大颗粒烘干,再次研磨成粉末。该粉末成分没有发生改变,仍然可以再次利用,重复上述试验。
本发明中,原料可以重复循环利用,不会产生浪费,所以说原料利用率高。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。

Claims (2)

1.一种纳米材料制备装置,包括依次设置的原料配比混合模块、压片模块、激光烧结模块、激光消融模块和纳米材料收集模块,其特征在于,所述原料配比混合模块包括原料输送单元和混合搅拌单元;所述压片模块包括原料称量单元和机械压制单元;所述激光烧结模块包括红外传感定时单元和激光烧结单元;
所述激光消融模块包括脉冲激光器、振镜、透镜、支架、高度调节杆、光纤、电脑和控制线,所述高度调节杆设置于支架的表面,所述激光器和电脑设置于支架内,所述振镜和透镜设置于高度调节杆上,所述透镜设置于振镜的底部,所述光纤连接在脉冲激光器和振镜之间光路连接,所述控制线在电脑和振镜之间电连接;
所述激光烧结模块包括激光烧结单元、红外传感定时单元和支架,所述激光烧结单元包括连续激光器、高度调节杆、透镜组、耐高温容器,所述高度调节杆设置于支架的表面,所述透镜组设置于高度调节杆端面,所述耐高温容器设置于透镜组底部,所述连续激光器设置于支架内,且连续激光器与透镜组通过光纤相连接,所述红外传感定时单元包括红外测温仪,所述红外测温仪与连续激光器电连接;
所述原料配比混合模块包括置粉容器、搅拌机、送粉导管、送粉喷嘴,支架,所述置粉容器设置于支架的表面,所述搅拌机设置于置粉容器的内部,所述送粉导管设置于置粉容器的侧边,且靠近置粉容器底部,所述送粉喷嘴设置于送粉导管外端;
所述压片模块包括分析天平和机械压片机,粉末经过分析天平称量后,通过机械压片机压制成片型;
所述脉冲激光器选自纳秒激光器、皮秒激光器、飞秒激光器中的一种或者两种及两种以上的组合。
2.一种基于权利要求1所述纳米材料制备装置的纳米材料制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将原料进行研磨和压片后,通过激光烧结模块进行烧结处理,得到烧结晶体;
将所述烧结晶体通过激光消融模块进行消融处理,得到纳米颗粒溶胶;
所述烧结处理的步骤具体包括如下操作:
将压片放置于耐高温陶瓷容器中,并将输出激光光斑覆盖整个压片表面;
调整激光器输出功率,压片表面会从中心处出现一个圆形光斑,并以环形从中心向外扩散直至压片边缘;
监测压片表面温度,达到设定温度之后,停止激光照射;
所述消融处理的步骤具体包括如下操作:
将烧结晶体置于烧杯中,加入液体溶剂和表面活性剂,使所述液体溶剂的液面略盖过烧结晶体表面;
脉冲激光从脉冲激光器中出射后,通过反射镜反射入振镜系统中,再通过聚焦透镜聚焦到放置于烧杯中的压片表面,将烧杯中的烧结晶体消融成纳米颗粒溶胶。
CN201710323662.6A 2017-05-10 2017-05-10 纳米材料制备装置及纳米材料制备方法 Active CN107164801B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710323662.6A CN107164801B (zh) 2017-05-10 2017-05-10 纳米材料制备装置及纳米材料制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710323662.6A CN107164801B (zh) 2017-05-10 2017-05-10 纳米材料制备装置及纳米材料制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107164801A CN107164801A (zh) 2017-09-15
CN107164801B true CN107164801B (zh) 2019-05-24

Family

ID=59813017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710323662.6A Active CN107164801B (zh) 2017-05-10 2017-05-10 纳米材料制备装置及纳米材料制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107164801B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110253027A (zh) * 2019-06-24 2019-09-20 北京莱泽光电技术有限公司 纳米粉末合金制备方法以及装置
CN114346235B (zh) * 2022-01-17 2024-01-26 华东师范大学重庆研究院 一种自组装球形-六边形金纳米颗粒组合体及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101962724B (zh) * 2010-10-26 2011-12-21 中国科学院青海盐湖研究所 一种Mg-RE-Ni合金储氢材料的制备方法
WO2015118533A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd Methods for fabricating 3-dimentional scintillators
CN105602566B (zh) * 2016-02-29 2017-12-29 武汉理工大学 一种稀土掺杂NaGdF4上转换纳米晶及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107164801A (zh) 2017-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101717116B (zh) 一种制备花状BiVO4的表面活性剂辅助醇-水热法
CN107164801B (zh) 纳米材料制备装置及纳米材料制备方法
CN108070375A (zh) 上转换荧光纳米材料的制备方法
CN100490967C (zh) 一种硅酸铋粉体光催化剂的制备方法
CN107308957B (zh) 一种球状Bi2S3/Bi2WO6异质结光催化材料的制备方法
CN104477978B (zh) 一种制备钙钛矿纳米粉体的方法
CN105110377B (zh) 一种固相反应烧结法制备负膨胀材料钨酸锆的方法
CN103601202A (zh) 水热技术制备SrCuSi4O10和BaCuSi4O10蓝色颜料的方法
CN109093124A (zh) 一种高能球磨还原法制备金属纳米材料的方法
CN104069848A (zh) 一种醇热法制备纯相钛酸铋与氧化钛复合材料的方法
CN104496398B (zh) 一种钙钛锆石型人造岩石的制备方法
CN106588012A (zh) 低价态离子掺杂的多组分复合闪烁陶瓷及其制备方法
CN106365194A (zh) 一种钛酸镧纳米材料的制备方法
CN101224903A (zh) 一种二氧化铈纳米立方块的制备方法
CN104232091B (zh) 上转换纳米材料NaYbF4:Tm及其制备方法
CN104176716A (zh) 一种氮化锆的制备方法
CN103570031B (zh) 水热技术制备BaCuSi2O6和BaCu2Si2O7颜料的方法
CN102321476A (zh) 一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法
CN102126858A (zh) 一种铒离子掺杂氟化钙激光透明陶瓷材料的制备方法
JP2016163028A (ja) 熱電材料の製造方法
CN107352521A (zh) 一种线状磷化锡化合物及其制备方法
CN206308311U (zh) 一种新型上转换荧光材料的制备装置
CN104291790A (zh) 一种ZnO/Bi2O3复合粉体的制备方法
CN115433007B (zh) 一种太阳能光谱宽频吸收材料及其制备方法
CN101844751B (zh) 一种硒化铅纳米晶体的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180502

Address after: 200237 District 2319, room 69, Lane 1985, Chunshen Road, Minhang District, Shanghai 1 district.

Applicant after: Shanghai Langyan Optoelectronics Technology Co.,Ltd.

Applicant after: East China Normal University

Address before: 200237 District 2319, room 69, Lane 1985, Chunshen Road, Minhang District, Shanghai 1 district.

Applicant before: Shanghai Langyan Optoelectronics Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211018

Address after: Room 4001, building 21, No. 123, Lane 1165, Jindu Road, Minhang District, Shanghai 201100

Patentee after: SHANGHAI LANGYAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee after: Chongqing Research Institute of East China Normal University

Address before: 200237 District 2319, room 69, Lane 1985, Chunshen Road, Minhang District, Shanghai 1 district.

Patentee before: SHANGHAI LANGYAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee before: EAST CHINA NORMAL University

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230519

Address after: 401120 No. 2, Floor 2, Building 1, No. 2, Huizhu Road, Yubei District, Chongqing

Patentee after: Chongqing Huapu Environmental Protection Technology Co.,Ltd.

Address before: Room 4001, building 21, No. 123, Lane 1165, Jindu Road, Minhang District, Shanghai 201100

Patentee before: SHANGHAI LANGYAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee before: Chongqing Research Institute of East China Normal University

TR01 Transfer of patent right