CN107146770A - 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents

一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，其中制备方法包括：提供一基板，该基板包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和包含漏极过孔的钝化层，在钝化层上形成一碳膜层并在碳膜层上形成一光刻胶层，对光刻胶层进行图案化处理，以形成暴露出碳膜层的部分对应区域的完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，以光刻胶层为掩膜，对第一区域暴露出的碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层，最后去除光刻胶层，该制备方法可用于同时制备像素界定层与像素电极，无需再次成膜和图案化处理工艺制作像素界定层覆盖像素电极边缘，简化了阵列基板的制备工艺，节约了成本。

Description

一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
随着显示面板朝着轻薄、低能耗、便携带的趋势发展，以OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)为代表的新一代显示技术受到了广泛的关注。相比于LCD显示技术，OLED具有轻薄、低功耗、低驱动电压、良好的视角和对比度、以及响应速度快等优点。
OLED显示器的重要组成部分是TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板，目前TFT-OLED显示器件的制备过程通常为：在TFT阵列制备完成后，通过一次图案化处理工艺在TFT阵列的S/D电极上端的绝缘层上挖一个孔露出S/D电极，然后在绝缘层上沉积一层ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)，随后再次通过图案化处理工艺将ITO图案化形成与TFT阵列的S/D电极相连的像素电极，由于此时的ITO在TFT阵列的绝缘层上形成了一层凸起，为了防止在像素电极的边缘制备OLED器件的过程中发生短路，因此通过再次成膜、图案化处理工艺制作出一层像素界定层(像素bank)，覆盖像素电极ITO的边缘部分，这使得制备工艺复杂，增大了制备成本。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，以解决现有的阵列基板制备工艺复杂，增大制备成本的问题。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔；
在所述钝化层上形成一碳膜层；
在所述碳膜层上形成一光刻胶层；
对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域；
以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层；
去除所述光刻胶层。
优选地，所述碳膜层为氧化石墨烯层，所述在所述钝化层上形成一碳膜层的步骤包括：
将氧化石墨烯分散在溶剂中形成悬浮液；
将所述悬浮液涂布在所述钝化层上，以及填充暴露所述漏极的漏极过孔；
对所述钝化层上的悬浮液加热，蒸发所述悬浮液中的溶剂，得到氧化石墨烯层。
优选地，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域的步骤包括：
对像素电极区域对应的光刻胶层进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域；
对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素电极区域对应的氧化石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素界定层区域对应的氧化石墨烯层的完全保留的第二区域。
优选地，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层的步骤包括：
以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理，得到材质为石墨烯的像素电极，未被还原处理的第二区域覆盖的氧化石墨烯层为像素界定层。
优选地，所述对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理具体为：
使用氢、氩等离子处理所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层，使氧化石墨烯还原为石墨烯层。
优选地，所述碳膜层为石墨烯层，所述在所述钝化层上形成一碳膜层的步骤包括：
通过溅射、热蒸发、旋涂、喷涂或者狭缝涂布方式在所述钝化层上形成石墨烯层，以及填充至暴露所述漏极的漏极过孔。
优选地，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域的步骤包括：
对像素界定层区域对应的光刻胶层区域进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域；
对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素界定层区域对应的石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素电极对应的石墨烯层的完全保留的第二区域。
优选地，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层的步骤包括：
以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的石墨烯层进行氧化处理得到材质为氧化石墨烯的像素界定层，未被氧化处理的第二区域覆盖的石墨烯层为像素电极。
优选地，所述氧化处理具体为：
通过离子注入工艺将氟离子注入到所述第一区域暴露出的石墨烯层中，使得石墨烯层转换为氧化石墨烯具有绝缘性。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
形成在所述衬底上的栅极；
覆盖所述栅极的栅极绝缘层；
形成在所述栅极绝缘层上的有源层；
形成在所述有源层上的源极和漏极；
覆盖所述栅极绝缘层、源极和漏极的钝化层；
形成于所述钝化层上的像素界定层和像素电极，所述像素电极通过所述钝化层的漏极过孔与所述漏极电连接，其中，
所述像素界定层的材质为氧化石墨烯，所述像素电极的材质为石墨烯，所述像素界定层和所述像素电极通过一次成膜和图案化处理后，进行改性处理形成于所述钝化层。
优选地，所述像素界定层与所述像素电极的远离所述衬底的表面与所述衬底平行且位于同一个连续的平面内。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括本发明实施例提供的阵列基板。
本发明实施例的一种阵列基板的制备方法，先在基板的钝化层上形成一碳膜层，然后在碳膜层上形成光刻胶层并对光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，第一区域暴露出碳膜层的部分对应区域，以光刻胶层为掩膜，对第一区域暴露出的碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层，去除光刻胶层，可见，在基板上形成碳膜层后只需要通过一次成膜和图案化处理工艺后，以光刻胶层为掩膜，对第一区域暴露出的碳膜层的部分对应区域进行改性处理，同时得到包括改性处理后的区域的碳膜层，可用于同时制备像素界定层与像素电极，不需要再通过成膜和图案化处理工艺来制作额外的像素界定层覆盖像素电极边缘，简化了阵列基板的制备工艺，节约了成本。
本发明实施例的阵列基板，像素界定层材质为氧化石墨烯，像素电极为石墨烯，并且像素界定层与像素电极的远离衬底的表面与衬底平行且位于同一个连续的平面内，可以通过一次成膜和图案化处理工艺后，对氧化石墨烯或者石墨烯进行改性处理同时制备得到像素界定层和像素电极，简化了制备工艺，降低了制备成本。
本发明实施例的显示装置，阵列基板的像素界定层材质为氧化石墨烯，像素电极为石墨烯，氧化石墨烯具有良好的绝缘性，可以有效防止短路，并且石墨烯与ITO相比，价格便宜，电子迁移率较高，进一步降低了成本，同时有利于超薄柔性显示装置的发展。
附图说明
图1本发明的一种阵列基板的制备方法的实施例一的步骤流程图；
图2是本发明的一种阵列基板的制备方法制备像素界定层和像素电极前的基板结构示意图；
图3是本发明的一种阵列基板的制备方法的实施例二的步骤流程图；
图4是本发明实施例二的阵列基板的制备方法中形成碳膜层的结构示意图；
图5是本发明实施例二的阵列基板的制备方法中图案化处理后的光刻胶层的结构示意图；
图6是本发明实施例二的阵列基板的制备方法中对碳膜层进行改性处理后的结构示意图；
图7是本发明实施例二的阵列基板的制备方法中去除光刻胶层后的结构示意图；
图8是本发明的一种阵列基板的制备方法的实施例三的步骤流程图；
图9是本发明实施例三的阵列基板的制备方法中形成碳膜层的结构示意图；
图10是本发明实施例三的阵列基板的制备方法中图案化处理后的光刻胶层的结构示意图；
图11是本发明实施例三的阵列基板的制备方法中对碳膜层进行改性处理后的结构示意图；
图12是本发明实施例三的阵列基板的制备方法制备中去除光刻胶层后的结构示意图；
图13是本发明实施例四的一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
图1是本发明的一种阵列基板的制备方法的实施例一的流程图。
如图1所示，本发明实施例的一种阵列基板的制备方法，包括：
步骤101，提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔。
如图2所示，为本发明实施例制备像素界定层和像素电极前的基板，该基板已经在衬底1上形成栅极2、栅极绝缘层3、有源层4、源极51、漏极52、钝化层6，并且钝化层6上通过图案化处理工艺制作出了漏极过孔，以便制作像素电极时，像素电极通过漏极过孔与漏极52电连接。
步骤102，在所述钝化层上形成一碳膜层。
本发明实施例在基板上制备像素界定层和像素电极，碳膜层的材质可以为石墨烯或者氧化石墨烯，可以根据碳膜层的材质确定在钝化层上形成碳膜层的工艺。
步骤103，在所述碳膜层上形成一光刻胶层。
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形复制到碳膜层上。
光刻胶可以是正胶或者负胶，正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶经过曝光后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显影后，留下光照部分形成图形。
在碳膜层形成光刻胶层可以包括清洗碳膜层、烘干去除水分、涂布增强光刻胶层附着的化合物、涂布光刻胶层及烘干光刻胶层等。
步骤104，对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域。
本发明实施例的碳膜层可以是石墨烯或者氧化石墨烯，根据碳膜层的材质不同，对光刻胶层进行图案化处理使用的光刻掩膜版也不同，即完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域也不相同。对光刻胶层进行图案化处理是通过光照使得光刻胶层曝光，将光刻掩膜版的图案复制到光刻胶层上，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，第一区域暴露出光刻胶层下的碳膜层。
步骤105，以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层。
在得到图案化处理的光刻胶层后，根据碳膜层的材质不同，以光刻胶层为掩膜，对光刻胶层的第一区域暴露出的碳膜层进行相应的改性处理，使得碳膜层包括改性处理后的区域的碳膜层。
步骤106，去除所述光刻胶层。
对碳膜层进行改性处理后，不再需要光刻胶层，可以将光刻胶层去除，以便阵列基板进入下一制程。去除光刻胶层可以采用湿法去胶和干法去胶，其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。有机溶剂去胶，主要是使光刻胶层溶于有机溶剂而除去；无机溶剂去胶则是利用光刻胶层本身也是有机物的特点，通过一些无机溶剂，将光刻胶层中的碳元素氧化为二氧化碳而将其去除；干法去胶，则是用等离子体将光刻胶层剥除。
本发明实施例的阵列基板的制备方法，在基板上形成碳膜层后只需要通过一次成膜和图案化处理工艺，然后以光刻胶层为掩膜，对第一区域暴露出的碳膜层的部分对应区域进行改性处理，同时得到包括改性处理后的区域的碳膜层，可用于同时制备像素界定层与像素电极，不需要再通过成膜和图案化处理工艺来制作额外的像素界定层覆盖像素电极边缘，简化了阵列基板的制备工艺，节约了成本。
实施例二
图3是本发明的一种阵列基板的制备方法的实施例二的流程图。
如图3所示，本发明实施例的一种阵列基板的制备方法，包括：
步骤201，提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔。
步骤202，将氧化石墨烯分散在溶剂中形成悬浮液。
步骤203，将所述悬浮液涂布在所述钝化层上，以及填充至暴露所述漏极的漏极过孔。
步骤204，对所述钝化层上的悬浮液加热，蒸发所述悬浮液中的溶剂，得到氧化石墨烯层。
具体而言，氧化石墨烯可以为粉剂，在制作氧化石墨烯层时，先将氧化石墨烯粉剂与溶剂进行混合，溶剂可以选择挥发性较强的乙醇等，同时还可以加入固化剂，例如聚甲基丙烯酸甲酯，加入固化剂的比例以能够方便涂布、成膜为优选，最终混合后得到氧化石墨烯悬浮液。
如图4所示，可以通过印刷、喷墨打印或涂布的方式，在钝化层6上形成均匀的一层氧化石墨烯悬浮液，以及将氧化石墨烯悬浮液填满漏极过孔，随后进行加热，蒸发氧化石墨烯悬浮液中的溶剂，在固化剂的作用下，在钝化层6上形成氧化石墨烯层71。
步骤205，在所述碳膜层上形成一光刻胶层。
步骤206，对像素电极区域对应的光刻胶层进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域。
步骤207，对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素电极区域对应的氧化石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素界定层区域对应的氧化石墨烯层的完全保留的第二区域。
本发明实施例中，像素界定层区域和像素电极区域可以在光刻掩膜版上形成图案，图案化处理工艺的作用是将光刻掩膜版上的图案复制到光刻胶层上，形成暴露出像素电极区域对应的氧化石墨烯层的完全不保留的第一区域和覆盖像素界定层区域对应的氧化石墨烯层的完全保留的第二区域，以便后续可以以光刻胶层为掩膜，对第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行处理。
如图5所示，可以先在氧化石墨烯层71上形成一层光刻胶层，光刻胶层初始时全面覆盖氧化石墨烯层71，之后通过包含图案的光刻掩膜版对光刻胶层进行曝光，光刻胶层由于自身性质，曝光后被光照部分由非可溶性物质变为可溶性物质，如图5所示，光刻胶层的完全不保留的第一区域(图中缺口部分)由非可溶性物质变为可溶性物质，在进行显影处理时，由于第一区域为可溶性物质，被清洗完全去除，形成了图5中暴露出像素电极区域对应的氧化石墨烯层的光刻胶层8，光刻胶层8的完全保留的第二区域覆盖的氧化石墨烯层为像素界定层区域。
当然，光刻胶层也可以是负胶，即被光照部分变成不可溶物质，未被光照部分变为可溶性物质，本发明实施例对光刻胶层是正胶还是负胶不做限制。
步骤208，以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理，得到材质为石墨烯的像素电极，未被还原处理的第二区域覆盖的氧化石墨烯层为像素界定层。
如图6所示，对于光刻胶层8的第一区域暴露的氧化石墨烯层，可以使用氢、氩等等离子体处理，使氧化石墨烯还原为石墨烯，从而具有良好的导电性，可以作为像素电极9，而光刻胶层8的第二区域覆盖的氧化石墨烯，未被还原处理仍然为氧化石墨烯，可以作为像素界定层7。
步骤209，去除所述光刻胶层。
如图7所示，去除光刻胶层8后，氧化石墨烯还原为石墨烯的部分即为像素电极9，而氧化石墨烯层未被还原部分则为像素界定层7。
在得到像素电极9和像素界定层7之后，在像素电极9上制备OLED发光器件后，进行封装，即可得到阵列基板。
可见，本发明实施例的阵列基板的制备方法，在形成碳膜层后只通过一次成膜和图案化处理工艺同时制备得到像素界定层和像素电极，不需要再通过成膜和图案化处理工艺来制作额外的像素界定层覆盖像素电极边缘，以防止制备OLED发光器件时发生短路，简化了阵列基板的制作工艺，节约了成本，提高了品质。
本发明实施例的像素电极与像素界定层远离衬底的表面与衬底平行且位于同一个连续的平面内，解决了在制备阴极时，像素电极和像素界定层段差明显、阴极过薄，造成阴极断裂的问题，提高了产品的良率。
实施例三
图8是发明的一种阵列基板的制备方法的实施例三的流程图。
如图8所示，本发明实施例的一种阵列基板的制备方法，包括：
步骤301，提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔。
步骤302，通过溅射、热蒸发、旋涂、喷涂或者狭缝涂布方式在所述钝化层上形成石墨烯层，以及填充至暴露所述漏极的漏极过孔。
本发明实施例中，碳膜层为石墨烯层。
如图9所示，可以通过溅射、热蒸发、旋涂、喷涂或者狭缝涂布方式在钝化层6上形成石墨烯层70，以及填充至漏极过孔。
步骤303，在所述碳膜层上形成一光刻胶层。
步骤304，对像素界定层区域对应的光刻胶层区域进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域。
步骤305，对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素界定层区域对应的石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素电极对应的石墨烯层的完全保留的第二区域。
本发明实施例中，像素界定层区域和像素电极区域可以在光刻掩膜版上形成图案，图案化处理工艺的作用是将光刻掩膜版上的图案复制到光刻胶层上，以便后续可以以光刻胶层为掩膜，对光刻胶层暴露出的石墨烯层进行处理。
如图10所示，可以先在石墨烯层70上形成一层光刻胶层，光刻胶层初始时全面覆盖石墨烯层70，之后通过包含图案的光刻掩膜版对光刻胶层进行曝光，光刻胶层由于自身性质，曝光后被光照部分由非可溶性物质变为可溶性物质，如图10所示，光刻胶层上的第一区域(暴露石墨烯70的区域)由非可溶性物质变为可溶性物质，在进行显影处理时，可溶性物质部分被清洗完全去除，形成了图10中暴露像素界定层区域的第一区域和覆盖像素电极的第二区域的光刻胶层80。
当然，光刻胶层也可以是负胶，即被光照部分变成不可溶物质，未被光照部分变为可溶性物质，本发明实施例对光刻胶层是正胶还是负胶不做限制。
步骤306，以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的石墨烯层进行氧化处理得到材质为氧化石墨烯的像素界定层，未被氧化处理的第二区域覆盖的石墨烯层为像素电极。
如图11所示，对于光刻胶层80的第一区域暴露的石墨烯层70，可以通过离子注入工艺，将氟离子注入到石墨烯层70中，使得第一区域暴露的石墨烯层70转换为氧化石墨烯7，完成氧化处理，被光刻胶层80的第二区域覆盖的石墨烯层，由于没有氟离子注入，仍然为石墨烯，作为像素电极9。
步骤307，去除所述光刻胶层。
如图12所示，在得到像素电极9和像素界定层7之后，去除像素界定层上的光刻胶层80后，在像素电极9上制备OLED发光器件后，进行封装，即可得到阵列基板。
可见，本发明实施例的阵列基板的制备方法，形成碳膜层后只通过一次成膜和图案化处理工艺同时制备得到像素界定层和像素电极，不需要再通过成膜和图案化处理工艺来制作额外的像素界定层覆盖像素电极边缘，以防止制备OLED发光器件时发生短路，简化了阵列基板的制作工艺，节约了成本，提高了品质。
本发明实施例的像素电极与像素界定层远离衬底的表面与衬底平行且位于同一个连续的平面内，解决了在制备阴极时，像素电极和像素界定层段差明显、阴极过薄，造成阴极断裂的问题，提高了产品的良率。
实施例四
图13是本发明实施例四的一种阵列基板的结构示意图。
如图13所示，本发明实施例的阵列基板包括：衬底1，形成在衬底1上的栅极2，覆盖栅极2的栅极绝缘层3，形成在栅极绝缘层3上的有源层4，形成在有源层4上的源极51和漏极52，覆盖栅极绝缘层3、源极51和漏极52的钝化层6，形成于钝化层6上的像素界定层7和像素电极9，像素电极9通过钝化层6的漏极过孔与漏极52电连接，其中，像素界定层7的材质为氧化石墨烯，像素电极9的材质为石墨烯。
优选地，像素界定层7与像素电极9的远离衬底1的表面与衬底1平行且位于同一个连续的平面内。
优选地，像素界定层7和像素电极9通过一次成膜和图案化处理工艺后，进行改性处理形成于钝化层6上。
石墨烯常温下电子迁移率超过15000cm2/V·s，电阻率则在106Ω/m量级，是作为像素电极的良好材料，而氧化石墨烯则可由石墨烯氧化得到，也可以还原为石墨烯，氧化石墨烯具有很高的电阻率，是作为绝缘层的良好材料，可以作为像素界定层，具有良好的隔绝效果。
石墨烯的制备方法简单，可用来制作OLED阳极，成本较ITO低，此外，与ITO相比，石墨烯的电子迁移率较高，可以将电极做得更薄、更透明，导电性也更好，有利于超薄柔性OLED显示器发展趋势。
可见，本发明实施例的阵列基板形成碳膜层后，可以通过一次成膜、图案化处理工艺形成光刻胶层，以光刻胶层为掩膜进行改性处理同时得到像素界定层和像素电极，简化了制备工艺，降低了制备成本。
本发明实施例的阵列基板的像素电极与像素界定层远离衬底的表面与衬底平行且位于同一个连续的平面内，解决了在制备阴极时，像素电极和像素界定层段差明显、阴极过薄，造成阴极断裂的问题，提高了产品的良率。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (12)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔；
在所述钝化层上形成一碳膜层；
在所述碳膜层上形成一光刻胶层；
对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域；
以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层；
去除所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳膜层为氧化石墨烯层，所述在所述钝化层上形成一碳膜层的步骤包括：
将氧化石墨烯分散在溶剂中形成悬浮液；
将所述悬浮液涂布在所述钝化层上，以及填充暴露所述漏极的漏极过孔；
对所述钝化层上的悬浮液加热，蒸发所述悬浮液中的溶剂，得到氧化石墨烯层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域的步骤包括：
对像素电极区域对应的光刻胶层进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域；
对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素电极区域对应的氧化石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素界定层区域对应的氧化石墨烯层的完全保留的第二区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层的步骤包括：
以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理，得到材质为石墨烯的像素电极，未被还原处理的第二区域覆盖的氧化石墨烯层为像素界定层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理具体为：
使用氢、氩等离子处理所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层，使氧化石墨烯还原为石墨烯层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳膜层为石墨烯层，所述在所述钝化层上形成一碳膜层的步骤包括：
通过溅射、热蒸发、旋涂、喷涂或者狭缝涂布方式在所述钝化层上形成石墨烯层，以及填充至暴露所述漏极的漏极过孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域的步骤包括：
对像素界定层区域对应的光刻胶层区域进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域；
对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素界定层区域对应的石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素电极对应的石墨烯层的完全保留的第二区域。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层的步骤包括：
以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的石墨烯层进行氧化处理得到材质为氧化石墨烯的像素界定层，未被氧化处理的第二区域覆盖的石墨烯层为像素电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氧化处理具体为：
通过离子注入工艺将氟离子注入到所述第一区域暴露出的石墨烯层中，使得石墨烯层转换为氧化石墨烯具有绝缘性。
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底；
形成在所述衬底上的栅极；
覆盖所述栅极的栅极绝缘层；
形成在所述栅极绝缘层上的有源层；
形成在所述有源层上的源极和漏极；
覆盖所述栅极绝缘层、源极和漏极的钝化层；
形成于所述钝化层上的像素界定层和像素电极，所述像素电极通过所述钝化层的漏极过孔与所述漏极电连接，其中，
所述像素界定层的材质为氧化石墨烯，所述像素电极的材质为石墨烯，所述像素界定层和所述像素电极通过一次成膜和图案化处理后，进行改性处理形成于所述钝化层。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层与所述像素电极的远离所述衬底的表面与所述衬底平行且位于同一个连续的平面内。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求10或11所述的阵列基板。
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