CN107109653A - 用于化学镀钯的镀浴组合物和方法 - Google Patents

用于化学镀钯的镀浴组合物和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107109653A
CN107109653A CN201580068788.2A CN201580068788A CN107109653A CN 107109653 A CN107109653 A CN 107109653A CN 201580068788 A CN201580068788 A CN 201580068788A CN 107109653 A CN107109653 A CN 107109653A
Authority
CN
China
Prior art keywords
palladium
plating bath
chemical
diamines
bath composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580068788.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107109653B (zh
Inventor
托马斯·贝克
格哈德·施泰因贝格尔
安德烈亚斯·韦尔特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atotech Deutschland GmbH and Co KG filed Critical Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Publication of CN107109653A publication Critical patent/CN107109653A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107109653B publication Critical patent/CN107109653B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明涉及用于通过化学镀将钯层沉积在衬底上的水性镀浴组合物和方法。根据本发明的水性镀浴组合物包含钯离子源、用于钯离子的还原剂和醛化合物。所述水性镀浴组合物对钯具有高的沉积速率，并同时维持镀浴稳定性。所述水性镀浴组合物还具有延长的寿命。本发明的醛化合物使得能够在镀浴寿命内将沉积速率调节到恒定范围，并使得能够在较低温度下化学沉积钯层。本发明的醛化合物活化沉积速率低的化学钯镀浴并再活化老化的化学钯镀浴。

Description

用于化学镀钯的镀浴组合物和方法
技术领域
本发明涉及在印刷电路板、IC衬底的制造和半导体晶片的金属化中用于化学镀钯的水性镀浴组合物和方法。
背景技术
在印刷电路板、IC衬底等的制造以及半导体晶片的金属化中，钯的化学沉积是已建立的技术。所述钯层被例如用作阻挡层和/或可丝焊和可软焊的罩面层。
包含钯离子源、含氮络合剂和选自甲酸及其衍生物的还原剂的化学钯镀浴组合物公开在US 5,882,736中。与含有次磷酸盐作为还原剂的产生钯-磷合金层的镀浴组合物形成对照，这些化学钯镀浴组合物适合于沉积纯钯。
美国专利4,424,241描述了一种包含钯、有机配体和还原剂即甲醛和甲酸的化学镀溶液。所述还原剂以高浓度使用。根据美国专利4,424,241，过低的浓度减缓沉积速率。
尽管许多现有技术文献教示了钯镀浴组合物，但使用它们获得的镀敷速率不能满足当前为实现经济性制造而要求的稳步增长的镀敷速率的需求。
此外，在镀浴寿命期间沉积速率不断降低，并且过低的沉积速率最终终结化学钯镀浴的寿命。这是由已经沉积的钯的催化效果和自催化沉积机制造成的。通常，改变化学钯镀浴的温度被用于调节沉积速率和镀浴寿命的持续时间。提高镀浴温度也提高沉积速率。但在较高温度下操作镀浴同时也增加了使镀浴不稳定的风险。
这种镀浴的稳定性意味着所述镀浴稳定地对抗分解，即金属钯在镀浴本身中的不期望的沉淀。因此，使化学钯镀浴不稳定进而缩短了镀浴寿命。由于钯的价格高，出于经济原因，过早丢弃化学钯镀浴也是不合乎期望的。
发明目的
本发明的目的是提供一种用于化学镀钯的镀浴组合物和方法，其中沉积速率被进一步提高。本发明的另一个目的是提供一种用于化学镀钯的镀浴组合物和方法，其使得能够将沉积速率调节到所需的高值。本发明的另一个目的是提供一种用于化学镀钯的镀浴组合物和方法，其中沉积速率被进一步提高同时镀浴仍保持稳定。本发明的特别目的是提供一种用于化学镀钯的镀浴组合物和方法，其使得能够在镀浴的寿命期间维持恒定的高沉积速率。本发明的另一个目的是提供一种用于化学镀钯的镀浴组合物和方法，其使得能够增加镀浴的寿命。
发明内容
这些目的通过一种用于钯的化学沉积的水性镀浴组合物得以解决，所述组合物包含：
(i)至少一种钯离子源，
(ii)至少一种用于钯离子的还原剂，以及
(iii)至少一种根据式(I)的醛化合物
其中R选自–H、包含1至10个碳原子的取代或未取代的直链烷基、包含3至10个碳原子的取代或未取代的支链烷基以及取代或未取代的芳基；并且
其中所述至少一种根据式(I)的醛化合物具有0.01至25mg/l范围内的浓度。
这些目的通过一种用于化学镀钯的方法得以进一步解决，所述方法包括下列步骤：
(a)提供衬底，
(b)使所述衬底与如上所述的水性镀浴组合物相接触，由此在所述衬底的至少一部分上沉积钯层。
根据本发明的水性镀浴组合物在本文中被称为组合物或根据本发明的组合物。术语“镀敷”和“沉积”在本文中可互换使用。
根据式(I)的醛化合物为根据本发明的水性镀浴组合物提供了提高的钯沉积速率、特别是对于纯钯来说，并提供了延长的寿命。尽管提高了沉积速率，但根据式(I)的醛化合物不损害根据本发明的水性镀浴组合物对抗不期望的分解的稳定性。向化学钯镀浴添加根据式(I)的醛化合物，使得能够在镀浴寿命期间将沉积速率调节到恒定范围。本发明的根据式(I)的醛化合物活化沉积速率低的化学钯镀浴，即使是在其新鲜制备时沉积速率也低的化学钯镀浴，并再活化老化的化学钯镀浴。本发明的根据式(I)的醛化合物允许在较低温度下化学沉积钯层。
附图说明
图1示出了含有甲醛的水性镀浴组合物的沉积速率。
图2示出了含有正丙醛的水性镀浴组合物的沉积速率。
图3示出了含有浓度范围为0.25至1.25mg/l的正戊醛的水性镀浴组合物的沉积速率。
图4示出了含有浓度范围为1至10mg/l的正戊醛的水性镀浴组合物的沉积速率。
发明详述
所述水性镀浴组合物包含(iii)至少一种根据式(I)的醛化合物：
其中R选自–H、包含1至10个碳原子的取代或未取代的直链烷基、包含3至10个碳原子的取代或未取代的支链烷基以及取代或未取代的芳基；并且
其中所述至少一种根据式(I)的醛化合物具有0.01至25mg/l范围内的浓度。
在一个实施方式中，R可以是–H。在另一个实施方式中，R优选不是–H。
在优选实施方式中，R选自–H、包含1至10个碳原子的取代或未取代的直链烷基和包含3至10个碳原子的取代或未取代的支链烷基。
在另一个优选实施方式中，R选自包含1至10个碳原子的取代或未取代的直链烷基和包含3至10个碳原子的取代或未取代的支链烷基。
在另一个优选实施方式中，所述取代或未取代的直链烷基优选地选自包含1至8个碳原子、更优选地1至5个碳原子、甚至更优选地2至5个碳原子的取代或未取代的直链烷基。此外，优选地，所述取代或未取代的直链烷基选自正戊基、正丁基、正丙基、乙基和甲基，更优选地选自正丁基、正丙基、乙基和甲基，最优选地选自正丁基、正丙基和乙基。
在另一个实施方式中，所述取代或未取代的支链烷基优选地选自包含3至8个碳原子、更优选地3至5个碳原子的取代或未取代的支链烷基。甚至更优选地，所述取代或未取代的支链烷基选自2-戊基(仲戊基)、3-戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基(异戊基)、3-甲基丁-2-基、2-甲基丁-2-基、2,2-二甲基丙基(新戊基)、异丁基、仲丁基、叔丁基和异丙基，最优选地选自异丁基、仲丁基和异丙基。
在另一个实施方式中，所述取代或未取代的芳基优选地选自包含6至10个碳原子的取代或未取代的芳基，更优选地选自取代或未取代的苯基和取代或未取代的萘基，最优选地选自取代或未取代的苯基。
在其他实施方式中，所述直链烷基、支链烷基或芳基优选是取代的。优选地，取代基彼此独立地选自氨基、羧基、酯、巯基、羟基、甲氧基、乙氧基、甲基、乙基、卤素如氟、氯、溴、碘、烯丙基、乙烯基和芳基，优选地选自氨基、羧基、酯、羟基、甲氧基、乙氧基、甲基、乙基、卤素如氟、氯、溴、碘和芳基，甚至更优选地选自羧基、酯、羟基、甲氧基、乙氧基、甲基、乙基、卤素如氟、氯、溴、碘和芳基。
在更优选实施方式中，所述至少一种根据式(I)的醛化合物选自己醛、戊醛、丁醛、丙醛、乙醛、甲醛、苯甲醛和2-苯乙醛，优选地选自正己醛、正戊醛、正丁醛、正丙醛和乙醛，更优选地选自正戊醛、正丁醛、正丙醛和乙醛，甚至更优选地选自正己醛、正戊醛、正丁醛和正丙醛。
对于在本说明书和权利要求书中使用的术语“烷基”来说，它是指具有通用化学式CnH2n+1的烃基，n是1至10的整数。根据本发明的烷基残基可以是直链和/或支链的，并且它们优选是饱和的。例如，包含1至10个碳原子的直链烷基是指总C原子数分别在1至10范围内的直链烷基。包含3至10个碳原子的支链烷基是指其中主链中的C原子加上支链中的C原子之和导致总C原子数分别在3至10范围内的支链烷基。包含1至8个碳原子的直链烷基或包含3至8个碳原子的支链烷基包括例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或辛基。包含1至5个碳原子的直链烷基或包含3至5个碳原子的支链烷基包括例如甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。
对于在本说明书和权利要求书中使用的术语“芳基”来说，它是指环形芳族烃基，例如苯基或萘基。
此外，烷基和/或芳基可以通过在每种情况下用上面为直链烷基、支链烷基和/或芳基所概述的取代基替换H-原子来取代。
在根据本发明的水性镀浴组合物中，所述至少一种根据式(I)的醛化合物具有0.01至25mg/l、优选地0.01至10mg/l、更优选地0.1至10mg/l范围内的浓度。
令人惊讶地并且与现有技术形成对照，发现了醛化合物当以低于所用醛还原剂浓度的浓度包含在化学钯镀浴中时，提高化学钯镀浴的沉积速率。
根据本发明的水性镀浴组合物包含至少一种钯离子源。优选地，所述至少一种钯离子源是水溶性钯化合物。更优选地，所述至少一种钯离子源选自氯化钯、乙酸钯、硫酸钯和高氯酸钯。任选地，可以向所述镀浴添加包含钯离子和用于钯离子的络合剂、优选为含氮络合剂的络合化合物，来代替通过向所述镀浴作为分开的成分添加钯盐和所述用于钯离子的络合剂以在镀浴中形成这种络合化合物。作为钯离子源的适合的络合化合物是例如包含钯离子和络合剂、优选为含氮络合剂、更优选为乙烷-1,2-二胺和/或烷基取代的乙烷-1,2-二胺的络合化合物。适合的络合化合物还可以包含针对钯离子的平衡离子，优选为氯、乙酸根、硫酸根或高氯酸根离子。适合的含氮络合剂和烷基取代的乙烷-1,2-二胺在下文中被定义为络合剂。优选地，适合作为钯离子源的络合化合物是例如二氯乙烷-1,2-二胺钯、二乙酸根合乙烷-1,2-二胺钯、二氯N1-甲基乙烷-1,2-二胺钯、二乙酸根合N1-甲基乙烷-1,2-二胺、二氯N1,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺、二乙酸根合N1,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺、二氯N1-乙基乙烷-1,2-二胺、二乙酸根合N1-乙基乙烷-1,2-二胺、二氯N1,N2-二乙基乙烷-1,2-二胺和二乙酸根合N1,N2-二乙基乙烷-1,2-二胺。
所述组合物中钯离子的浓度在0.5至500mmol/l、优选地1至100mmol/l的范围内。
根据本发明的水性镀浴组合物还包含至少一种用于钯离子的还原剂。所述还原剂使所述镀浴自催化，即成为化学镀浴。钯离子在所述还原剂存在下被还原成金属钯。这种镀敷机制使根据本发明的镀浴有别于1)不含用于钯离子的还原剂的浸渍型钯镀浴和2)需要外部电流以便沉积钯层的用于钯电镀的镀浴。
所述至少一种还原剂优选为化学还原剂。还原剂提供将金属离子还原成它们的金属形式所必需的电子，由此在衬底上形成金属沉积物。
更优选地，所述至少一种还原剂是用于沉积纯钯沉积物的还原剂。纯钯沉积物是含有的钯的量在98.0至99.99重量％或更高、优选地99.0至99.99重量％或更高的范围内的沉积物。
甚至更优选地，所述至少一种用于钯离子的还原剂选自肼、甲酸、上述物质的衍生物及其盐。
还甚至更优选地，所述至少一种用于钯离子的还原剂选自甲酸、甲酸的衍生物和上述物质的盐。还甚至更优选地，所述甲酸衍生物选自甲酸的酯。还甚至更优选地，甲酸的酯选自甲酸甲酯、甲酸乙酯和甲酸丙酯。适合用于甲酸的盐的平衡离子例如选自氢、锂、钠、钾和铵。根据本发明的水性镀浴组合物特别适用于在作为还原剂的甲酸、衍生物、上述物质的盐存在下沉积钯层。
优选地，所述至少一种还原剂不是甲醛。
优选地，根据本发明的水性镀浴组合物中所述至少一种还原剂的浓度在10至1000mmol/l的范围内。
优选地，在根据本发明的组合物中所述用于钯离子的还原剂与所述钯离子的摩尔比在1:10至10:1、更优选地1:5至5:1、甚至更优选地1:3至3:1的范围内。
本发明的水性镀浴组合物特别适合于沉积纯钯层。纯钯层特别适合于高温应用例如在马达控制单元中，因为纯钯层使得粘合或软焊连接具有充分的热稳定性。
次磷酸根离子和/或胺硼烷化合物和/或硼氢化钠不适合作为还原剂，因为从这些镀浴组合物沉积出钯合金层。
根据本发明的水性镀浴组合物还可以包含至少一种用于钯离子的络合剂。络合剂(有时也被称为螯合剂)保持金属离子溶解并防止它们从溶液不期望地沉淀出来。
优选地，所述至少一种络合剂是用于钯离子的含氮络合剂。更优选地，所述至少一种含氮络合剂选自伯胺、仲胺和叔胺。甚至更优选地，所述至少一种含氮络合剂选自二胺、三胺、四胺及其更高级的同系物。
适合的胺类是例如乙烷-1,2-二胺(NH2-CH2-CH2-NH2，乙二胺)、烷基取代的乙烷-1,2-二胺、1,3-二氨基-丙烷、1,2-双(3-氨基-丙基-氨基)-乙烷、二亚乙基三胺、二亚乙基三胺五乙酸、N-(2-羟基乙基)-乙二胺、乙二胺-N,N-二乙酸、1,2-二氨基-丙胺、1,3-二氨基-丙胺、3-(甲基-氨基)-丙胺、3-(二甲基-氨基)-丙胺、3-(二乙基-氨基)-丙胺、双(3-氨基-丙基)胺、1,2-双-(3-氨基-丙基)-烷基胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺及其混合物。
适合的烷基取代的乙烷-1,2-二胺是例如N1-甲基乙烷-1,2-二胺(CH3-NH-CH2-CH2-NH2)、N1,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺(CH3-NH-CH2-CH2-NH-CH3)、N1,N1-二甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)2-N-CH2-CH2-NH2)、N1,N1,N2-三甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)2-N-CH2-CH2-NH-CH3)、N1,N1,N2,N2-四甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)2-N-CH2-CH2-N-(CH3)2)、N1-乙基乙烷-1,2-二胺(C2H5-NH-CH2-CH2-NH2)、N1,N2-二乙基乙烷-1,2-二胺(C2H5-NH-CH2-CH2-NH-C2H5)、N1-乙基-N2-甲基乙烷-1,2-二胺(C2H5-NH-CH2-CH2-NH-CH3)、N1-乙基-N1-甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)(C2H5)-N-CH2-CH2-NH2)、N1,N1-二乙基乙烷-1,2-二胺((C2H5)2-N-CH2-CH2-NH2)、N1-乙基-N1,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)(C2H5)-N-CH2-CH2-NH-CH3)、N1,N2-二乙基-N1-甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)(C2H5)-N-CH2-CH2-NH-(C2H5))、N1,N1-二乙基-N2-甲基乙烷-1,2-二胺((C2H5)2-N-CH2-CH2-NH-CH3)、N1,N1,N2-三乙基乙烷-1,2-二胺((C2H5)2-N-CH2-CH2-NH-C2H5)、N1-乙基-N1,N2,N2-三甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)(C2H5)-N-CH2-CH2-N-(CH3)2)、N1,N2-二乙基-N1,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺((CH3)(C2H5)-N-CH2-CH2-N-(CH3)(C2H5))、N1,N1-二乙基-N2,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺((C2H5)2-N-CH2-CH2-N-(CH3)2)、N1,N1,N2-三乙基-N2-甲基乙烷-1,2-二胺((C2H5)2-N-CH2-CH2-N-(CH3)(C2H5))、N1,N1,N2,N2-四乙基乙烷-1,2-二胺((C2H5)2-N-CH2-CH2-N-(C2H5)2)及其混合物。
优选地，在根据本发明的组合物中，所述用于钯离子的络合剂与钯离子的摩尔比在1:1至50:1的范围内。
根据本发明的水性镀浴组合物还可以包含至少一种稳定剂。稳定剂也称为稳定化剂，是使化学金属镀敷溶液稳定使本体溶液免于不期望的镀出和自发分解的化合物。术语“镀出”是指金属在衬底表面之外的表面上不期望和/或不受控制的沉积。
所述至少一种稳定剂可以选自元素硒、碲、铜、镍和铁的化合物和/或巯基-苯并噻唑，硒氰酸盐，硫脲，糖精，亚铁氰酸盐；4-硝基苯甲酸，3,5-二硝基苯甲酸，2,4-二硝基苯甲酸，2-羟基-3,5-二硝基苯甲酸，2-乙酰基苯甲酸，4-硝基苯酚，以及它们对应的铵、钠和钾盐。
优选地，根据本发明的组合物中这些其他稳定剂的浓度在0.01至500mg/l、更优选地0.1至200mg/l、甚至更优选地1至200mg/l、最优选地10至100mg/l的范围内。
优选地，根据本发明的水性镀浴组合物是酸性镀浴。所述水性镀浴组合物的pH值更优选地在4至7的范围内，因为所述组合物在低于4的pH值下不稳定。甚至更优选地，所述组合物的pH值在5至6的范围内。在高于7的pH值下，所述组合物倾向于通过浸渍型镀敷将钯沉积在衬底上，在钯层与下方的衬底之间产生弱粘附。此外，具有高于7的pH值的镀浴组合物将侵蚀有机抗蚀材料例如焊接掩模材料，其也可能是衬底的一部分。
本发明还涉及一种用于化学镀钯的方法，所述方法包括下列步骤：
(a)提供衬底，
(b)使所述衬底与根据本发明的水性镀浴组合物相接触，由此在所述衬底的至少一部分上沉积钯层。
优选地，所述方法的步骤以上面描述的顺序执行。优选地，所述衬底具有金属表面。
镀钯或钯沉积优选地通过使具有金属表面的衬底与根据本发明的组合物相接触，由此在所述衬底的金属表面的至少一部分上沉积钯层来进行。优选地，待用钯涂布的金属表面或其一部分选自铜、铜合金、镍、镍合金、钴、钴合金、铂、铂合金、金、金合金和砷化镓。待涂布的金属表面或其部分是例如印刷电路板、IC衬底或半导体晶片的一部分。钯层在例如半导体晶片上被用作半导体芯片、发光二极管(LED)或太阳能电池的贵金属、可丝焊和可软焊的罩面层。
用于使所述衬底与所述水性镀浴组合物相接触的适合的方法是例如将所述衬底浸入所述组合物中或将所述组合物喷涂在所述衬底上。
优选地，使所述衬底与所述水性镀浴组合物按照步骤b)在30至95℃、更优选地30至85℃、甚至更优选地50至85℃、甚至更优选地30至65℃的温度下相接触。优选地，使所述衬底与所述组合物接触1至60min，更优选地10至20min。优选地，使所述衬底与所述水性镀浴组合物相接触，以给出厚度在0.01至5.0μm、更优选地0.02至2.0μm、甚至更优选地0.05至0.5μm范围内的钯镀层。
钯层的厚度通过本领域技术人员公知的x-射线荧光法(XRF)来测量。所述XRF测量利用了被x-射线激发而从样品(衬底、沉积物)发射的特征性荧光辐射。通过评估波长和强度并假设样品是层状结构，可以计算层厚度。
在本发明的一个实施方式中，首先通过浸渍型镀敷方法(交换反应)将薄的钯活化层沉积在衬底、优选为具有金属表面的衬底上，然后从根据本发明的水性镀浴组合物进行钯沉积。
在化学钯沉积之前对金属表面活化的方法在本领域中是公知的，并且可以应用于本发明中的工作。适合的水性活化镀浴可以包含钯盐例如乙酸钯、硫酸钯和硝酸钯，用于钯离子的络合剂例如伯胺、仲胺、叔胺和乙醇胺，以及酸例如硝酸、硫酸和甲磺酸。任选地，这种活化镀浴还含有氧化剂例如硝酸根离子、高氯酸根离子、氯酸根离子、过硼酸根离子、过碘酸根离子、过硫酸根离子和过氧根离子。
所述水性活化镀浴中钯盐的浓度在0.005至20g/l、优选地0.05至2.0g/l的范围内。用于钯离子的络合剂的浓度在0.01至80g/l、优选地0.1至8g/l的范围内。
所述水性活化镀浴的pH值优选地在0至5、更优选地1至4的范围内。
通常，在25至30℃下，将所述衬底在所述水性活化镀浴中浸渍1至4分钟。在将所述衬底浸渍在水性活化镀浴中之前，清洁所述衬底的金属表面。为此目的，通常在氧化性酸性溶液例如硫酸和过氧化氢的溶液中进行蚀刻清洁。优选地，在此之后在酸性溶液例如硫酸溶液中进行另一次清洁。
本发明的根据式(I)的醛化合物提高了水性镀浴组合物对于钯的化学沉积、特别是对于纯钯的化学沉积的沉积速率。因此，所述水性镀浴组合物被活化并且沉积过程被加速。这有助于制造过程的加速。
已知的化学钯沉积浴的沉积速率通常在镀浴寿命期间不断降低。因此，与新鲜制备的钯沉积浴相比，当使用老化的钯沉积浴镀敷时，为获得相同厚度和质量的钯层需要更长的镀敷时间。向化学钯镀浴添加根据式(I)的醛化合物使得能够在镀浴寿命内将所述沉积速率调节到恒定范围，特别是在镀浴寿命内调节到恒定的高的沉积速率范围。这确保了在化学钯镀浴的整个寿命中沉积恒定厚度的钯层，并便于制造过程的过程控制。
如果已知化学钯沉积浴的沉积速率变得过低，则所述沉积浴不再适合于沉积钯并且必须丢弃。在镀浴寿命内将所述沉积速率调节到恒定范围、特别是高的恒定范围，也延长了化学钯镀浴的寿命。
此外，本发明的根据式(I)的醛化合物活化沉积速率低的化学钯镀浴，即使是在新鲜制备时沉积速率也低的化学钯镀浴。此外，本发明的根据式(I)的醛化合物再活化老化的化学钯镀浴。在本文中，老化的化学钯镀浴是指已用于镀敷并且其沉积速率在这种使用期间已经下降的化学钯镀浴。在本文中，再活化是指所述根据式(I)的醛化合物也提高老化的化学钯镀浴的沉积速率。
对于已知的化学钯镀浴和沉积方法来说，调节沉积速率和镀浴寿命的持续时间通过在沉积期间将镀浴温度提高到55℃至95℃之间来实现。但是升高的化学钯镀浴温度具有几个缺点。在较高温度下操作镀浴增加了使所述镀浴不稳定的风险。它需要更高的能量消耗。它对于也存在于待镀敷衬底上的一些金属层来说是不利的。例如，当存在于在较高温度下从沉积浴镀钯的衬底上时，铝或铜层遭受腐蚀。本发明的根据式(I)的醛化合物使得能够在30至65℃范围内的较低温度下化学沉积钯层。因此，本发明的水性镀浴组合物的稳定性得以维持，并且阻止了在从所述组合物沉积钯期间也存在于所述衬底上的金属层的腐蚀。
本发明还涉及一种用于在任何化学钯沉积浴的寿命内将沉积速率调节到恒定范围的方法，所述方法包括下列步骤：
c)提供任何化学钯沉积浴，以及
d)向所述化学钯沉积浴添加至少一种如上所定义的根据式(I)的醛化合物。
所述化学钯沉积浴可以是任何化学钯沉积浴例如任何水性化学钯沉积浴。在一个实施方式中，所述化学钯沉积浴是根据本发明的水性镀浴组合物。
在本发明的一个实施方式中，所述化学钯沉积浴可以是新鲜制备的化学钯沉积浴。
在另一个实施方式中，所述化学钯沉积浴可能已用于镀敷一段时间。
此外，在优选实施方式中，所述化学钯沉积浴是用于纯钯的化学沉积的镀浴。
所述至少一种根据式(I)的醛化合物的沉积速率或浓度可以在镀敷或储存期间确定。如果所述至少一种根据式(I)的醛化合物的沉积速率或浓度低于阈值，则补充所述至少一种根据式(I)的醛化合物。补充通过向所述化学钯沉积浴添加所述至少一种根据式(I)的醛化合物来进行。
所述至少一种根据式(I)的醛化合物可以作为固体或粉末添加，或者可以溶解在溶剂中然后将其添加到所述化学钯沉积浴。适合的溶剂的实例是水，酸例如硫酸、盐酸、磷酸，碱溶液例如氢氧化钠或氢氧化钾的溶液，以及有机溶剂例如丙醇、乙醇、甲醇。
在另一个优选实施方式中，所述化学钯沉积浴可能已用于镀敷一段时间并且沉积速率相对于初始沉积速率已经下降。在这个实施方式中，本发明涉及一种用于再活化水性化学钯沉积浴的方法，所述方法包括下列步骤：
e)提供已用过的水性化学钯沉积浴，其中它的沉积速率相对于它的初始沉积速率已经下降，以及
f)添加如上所定义的至少一种根据式(I)的醛化合物，由此提高它的沉积速率。
本发明还涉及所述根据式(I)的醛化合物的用途，其用于：
加速从任何化学钯沉积浴进行的钯沉积，和/或
在任何化学钯沉积浴的寿命内将沉积速率调节到恒定范围，和/或
再活化已用于镀敷的化学钯沉积浴，其中它的沉积速率相对于它的初始沉积速率已经下降。
实施例
通过下面的非限制性实例进一步解释本发明。
通用程序
衬底和预处理：
将由覆盖有SiO2层的硅制成并各自具有四个管芯(die)的试验芯片用作衬底。每个管芯在其表面上具有若干个铝铜合金的分开的垫。所述垫具有直径在10μm至1000μm范围内的不同尺寸，并且垫之间的距离在20μm至1000μm范围内。
所述试验芯片已经通过二次浸锌进行预处理。随后，使用含有镍(II)盐、用于镍离子的还原剂、用于镍离子的络合剂和稳定剂的化学镍镀浴(Xenolyte Ni MP，AtotechDeutschland公司的产品)，对所述试验芯片镀镍。所述镍镀浴具有4.5的pH值，并在镀敷期间保持在87℃下。将试验芯片在镍镀浴中浸渍10分钟，厚度为3μm的镍层被镀在所述试验芯片上。随后，将试验芯片在去离子水中漂洗，并进行钯镀浴。
钯镀浴基质和镀钯：
在所有实施例中，使用pH值为5.5并包含水、钯离子、作为用于钯离子的还原剂的甲酸钠和作为用于钯离子的络合剂的乙二胺的镀浴基质(Xenolyte Pd LL，AtotechDeutschland公司的产品)。在实施例中使用了具有不同纯度的不同制造批次的甲酸钠。
在实施例1至4中，向2l各钯镀浴基质添加不同量的本发明的根据式(I)的醛化合物。在镀敷期间将所述水性镀浴组合物保持在55℃下。将衬底在所述水性镀浴组合物中浸渍6分钟。随后，将衬底用去离子水漂洗1分钟并用空气压力干燥。
确定沉积速率：
使用X-射线荧光方法(XRF；Fischer,X-Ray)测定在所试验的各种水性镀浴组合物中沉积的钯层的厚度。在每个衬底的4个钯垫上测量所述厚度。每种水性镀浴组合物的沉积速率通过用沉积的钯层的实测厚度除以6分钟的镀敷时间来计算。每个衬底的沉积速率的平均值呈现在下面的实施例1至4中。
实施例1
实施例1使用含有不同批次的甲酸钠、即具有高纯度的批次2和具有较低纯度的批次3的镀浴基质来进行。向镀浴基质添加0至10mg/l甲醛。所述水性镀浴组合物和镀敷结果概述在表1中并示出在图1中。
表1：含有甲醛的水性镀浴组合物的沉积速率
实施例2
实施例2使用含有不同批次的甲酸钠、即具有高纯度的批次2和具有较低纯度的批次3的镀浴基质来进行。向镀浴基质添加0至10mg/l正丙醛。所述水性镀浴组合物和镀敷结果概述在表2中并示出在图2中。
表2：含有正丙醛的水性镀浴组合物的沉积速率
实施例3
向镀浴基质添加0至1.25mg/l的正戊醛。所述镀浴基质含有制造批次1的具有最高纯度的甲酸钠。所述水性镀浴组合物和镀敷结果概述在表3中并示出在图3中。
表3：含有正戊醛的水性镀浴组合物的沉积速率
实施例4
向镀浴基质添加0至10mg/l的正戊醛。所述镀浴基质含有制造批次2的具有高纯度的甲酸钠。所述水性镀浴组合物和镀敷结果概述在表4中并示出在图4中。
表4：含有正戊醛的水性镀浴组合物的沉积速率
实施例1至4的结果概述
实施例1至4显示，含有根据式(I)的醛化合物的水性镀浴组合物的沉积速率与缺少所述醛化合物的组合物相比更高。沉积速率随着所述醛化合物浓度的增加而提高。其中不含醛化合物的组合物(实施例1至4中的比较性组合物)的沉积速率彼此不同，这是由其中使用的不同批次的甲酸钠造成的。
从含有或不含根据式(I)的醛化合物的水性镀浴组合物获得的沉积物具有98至99.99重量％之间的纯度，是延展性的，具有灰色至白色的颜色，并非常好地附着至衬底。
实施例5
向镀浴基质添加0至50mg/l的正戊醛。所述镀浴基质含有制造批次2的具有高纯度的甲酸钠。所述水性镀浴组合物和镀敷结果概述在表5中。
表5：含有正戊醛的水性镀浴组合物的沉积速率
实施例6
向镀浴基质添加0至1.25mg/l的正己醛。所述镀浴基质含有制造批次1的具有最高纯度的甲酸钠。所述水性镀浴组合物和镀敷结果概述在表6中。
表6：含有正戊醛的水性镀浴组合物的沉积速率

Claims (15)

1.一种用于钯的化学沉积的水性镀浴组合物，其包含
(i)至少一种钯离子源，
(ii)至少一种用于钯离子的还原剂，以及
(iii)至少一种根据(I)的醛化合物
其中R选自–H、包含1至10个碳原子的取代或未取代的直链烷基、包含3至10个碳原子的取代或未取代的支链烷基以及取代或未取代的芳基；并且
其中所述至少一种根据式(I)的醛化合物具有0.01至25mg/l范围内的浓度。
2.根据权利要求1所述的水性镀浴组合物，其中所述取代或未取代的直链烷基选自正戊基、正丁基、正丙基、乙基和甲基。
3.根据权利要求1所述的水性镀浴组合物，其中所述取代或未取代的支链烷基选自2-戊基、3-戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、3-甲基丁-2-基、2-甲基丁-2-基、2,2-二甲基丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基和异丙基。
4.根据权利要求1所述的水性镀浴组合物，其中所述取代或未取代的芳基选自取代或未取代的苯基和取代或未取代的萘基。
5.根据前述权利要求中任一项所述的水性镀浴组合物，其中所述直链烷基、所述支链烷基或所述芳基是取代的，并且取代基彼此独立地选自氨基、羧基、酯、巯基、羟基、甲氧基、乙氧基、甲基、乙基、卤素、烯丙基、乙烯基和芳基。
6.根据前述权利要求中任一项所述的水性镀浴组合物，其中所述至少一种根据式(I)的醛化合物选自己醛、戊醛、丁醛、丙醛、乙醛、甲醛、苯甲醛和2-苯乙醛。
7.根据前述权利要求中任一项所述的水性镀浴组合物，其中所述至少一种钯离子源选自氯化钯、乙酸钯、硫酸钯、高氯酸钯、二氯乙烷-1,2-二胺钯、二乙酸根合乙烷-1,2-二胺钯、二氯N1-甲基乙烷-1,2-二胺钯、二乙酸根合N1-甲基乙烷-1,2-二胺、二氯N1,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺、二乙酸根合N1,N2-二甲基乙烷-1,2-二胺、二氯N1-乙基乙烷-1,2-二胺、二乙酸根合N1-乙基乙烷-1,2-二胺、二氯N1,N2-二乙基乙烷-1,2-二胺和二乙酸根合N1,N2-二乙基乙烷-1,2-二胺。
8.根据前述权利要求中任一项所述的水性镀浴组合物，其还包含至少一种用于钯离子的络合剂，所述络合剂选自伯胺、仲胺和叔胺。
9.根据前述权利要求中任一项所述的水性镀浴组合物，其中所述至少一种用于钯离子的还原剂选自肼、甲酸、上述物质的衍生物及其盐。
10.根据权利要求9所述的水性镀浴组合物，其中所述甲酸衍生物选自甲酸的酯。
11.根据前述权利要求中任一项所述的水性镀浴组合物，其中所述至少一种还原剂的浓度在10至1000mmol/l的范围内。
12.一种用于化学镀钯的方法，所述方法包括下列步骤：
(a)提供衬底，
(b)使所述衬底与根据权利要求1至12中任一项的水性镀浴组合物相接触，由此在所述衬底的至少一部分上沉积钯层。
13.根据权利要求12所述的用于化学镀钯的方法，其中在步骤(b)中使所述衬底与所述水性镀浴组合物在30至65℃的温度下相接触。
14.一种用于在任何化学钯沉积浴的寿命内将沉积速率调节到恒定范围的方法，所述方法包括下列步骤：
c)提供任何化学钯沉积浴，以及
d)向所述化学钯沉积浴添加至少一种由权利要求1所定义的根据式(I)的醛化合物。
15.一种用于再活化水性化学钯沉积浴的方法，所述方法包括下列步骤：
e)提供已用过的水性化学钯沉积浴，其中它的沉积速率相对于它的初始沉积速率已经降低，以及
f)添加至少一种由权利要求1所定义的根据式(I)的醛化合物，由此提高它的沉积速率。
CN201580068788.2A 2014-12-17 2015-12-17 用于化学镀钯的镀浴组合物和方法 Active CN107109653B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14198656.2 2014-12-17
EP14198656 2014-12-17
PCT/EP2015/080138 WO2016097084A1 (en) 2014-12-17 2015-12-17 Plating bath composition and method for electroless plating of palladium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107109653A true CN107109653A (zh) 2017-08-29
CN107109653B CN107109653B (zh) 2020-02-07

Family

ID=52133927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580068788.2A Active CN107109653B (zh) 2014-12-17 2015-12-17 用于化学镀钯的镀浴组合物和方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20170321327A1 (zh)
EP (1) EP3234219B1 (zh)
JP (1) JP6664400B2 (zh)
KR (1) KR102459744B1 (zh)
CN (1) CN107109653B (zh)
MY (1) MY181601A (zh)
TW (1) TWI680207B (zh)
WO (1) WO2016097084A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016097083A2 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Atotech Deutschland Gmbh Plating bath composition and method for electroless plating of palladium
CN108027976B (zh) * 2015-09-11 2021-10-29 富士胶片株式会社 行驶支援装置以及基于行驶支援装置的行驶支援方法
TWI707061B (zh) * 2015-11-27 2020-10-11 德商德國艾托特克公司 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法
KR102274349B1 (ko) * 2016-08-23 2021-07-07 아토테크더치랜드게엠베하 갈륨 니트라이드 반도체의 비-활성화 표면 상에 팔라듐을 직접 침착하는 방법
JP6569026B1 (ja) * 2018-02-20 2019-08-28 上村工業株式会社 無電解パラジウムめっき液、およびパラジウム皮膜

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4424241A (en) * 1982-09-27 1984-01-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electroless palladium process
US5882736A (en) * 1993-05-13 1999-03-16 Atotech Deutschland Gmbh palladium layers deposition process
US6207128B1 (en) * 1997-05-05 2001-03-27 Akzo Nobel N.V. Method of producing a catalyst
US20030113576A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Intel Corporation Electroless plating bath composition and method of using
US20120118196A1 (en) * 2009-05-08 2012-05-17 Kojima Chemicals Co., Ltd. Electroless palladium plating solution
US20120157297A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Nguyen Thien Duyen Thi Catalysts and methods of preparation of catalyst
CN102906306A (zh) * 2010-03-19 2013-01-30 恩索恩公司 用于不导电基底的直接金属化的方法
US20140072706A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-13 Ernest Long Direct Electroless Palladium Plating on Copper
CN103857826A (zh) * 2011-10-12 2014-06-11 安美特德国有限公司 无电钯镀浴组合物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA968908A (en) * 1971-07-29 1975-06-10 Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation Sensitized substrates for chemical metallization
JPH02205388A (ja) * 1989-02-03 1990-08-15 Hitachi Chem Co Ltd 半導体光触媒を用いた無電解めっきによるプリント回路の製造法
JP2538461B2 (ja) * 1991-02-22 1996-09-25 奥野製薬工業株式会社 無電解金めっき方法
DE4415211A1 (de) * 1993-05-13 1994-12-08 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Abscheidung von Palladiumschichten
JPH1161425A (ja) * 1997-08-27 1999-03-05 Ebara Yuujiraito Kk パラジウム−スズ被膜の導電性向上方法
JP3972158B2 (ja) * 1998-03-24 2007-09-05 石原薬品株式会社 無電解パラジウムメッキ液
JP3437980B2 (ja) * 2000-04-10 2003-08-18 有限会社関東学院大学表面工学研究所 無電解パラジウム−ニッケルめっき浴およびこれを用いるめっき方法ならびにこの方法により得られるめっき製品
JP2006083446A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Okuno Chem Ind Co Ltd 無電解パラジウム−銀合金めっき液
JP4351736B2 (ja) * 2008-02-04 2009-10-28 積水化学工業株式会社 メッキ構造体
JP5253369B2 (ja) * 2009-12-18 2013-07-31 公益財団法人地球環境産業技術研究機構 複合体の製造方法
KR101469683B1 (ko) * 2013-05-31 2014-12-05 주식회사 불스원신소재 무전해 및 전해 연속 공정에 의해 제조된 구리 및 니켈 도금 탄소 섬유를 이용한 전자파 차폐 복합재의 제조 방법 및 전자파 차폐 복합재

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4424241A (en) * 1982-09-27 1984-01-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electroless palladium process
US5882736A (en) * 1993-05-13 1999-03-16 Atotech Deutschland Gmbh palladium layers deposition process
US6207128B1 (en) * 1997-05-05 2001-03-27 Akzo Nobel N.V. Method of producing a catalyst
US20030113576A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Intel Corporation Electroless plating bath composition and method of using
US20120118196A1 (en) * 2009-05-08 2012-05-17 Kojima Chemicals Co., Ltd. Electroless palladium plating solution
CN102906306A (zh) * 2010-03-19 2013-01-30 恩索恩公司 用于不导电基底的直接金属化的方法
US20120157297A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Nguyen Thien Duyen Thi Catalysts and methods of preparation of catalyst
CN103857826A (zh) * 2011-10-12 2014-06-11 安美特德国有限公司 无电钯镀浴组合物
US20140072706A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-13 Ernest Long Direct Electroless Palladium Plating on Copper

Also Published As

Publication number Publication date
US20170321327A1 (en) 2017-11-09
EP3234219B1 (en) 2019-03-27
EP3234219A1 (en) 2017-10-25
JP2017538867A (ja) 2017-12-28
KR20170093845A (ko) 2017-08-16
MY181601A (en) 2020-12-29
CN107109653B (zh) 2020-02-07
TWI680207B (zh) 2019-12-21
TW201627531A (zh) 2016-08-01
WO2016097084A1 (en) 2016-06-23
JP6664400B2 (ja) 2020-03-13
KR102459744B1 (ko) 2022-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107109653A (zh) 用于化学镀钯的镀浴组合物和方法
CN101709462B (zh) 一种化学镀钯液
JP6980017B2 (ja) 錫めっき浴および錫もしくは錫合金を基材の表面に析出させる方法
TW200902758A (en) Electroless gold plating bath, electroless gold plating method and electronic parts
TWI709663B (zh) 用於金之無電電鍍之鍍浴組合物、沉積金層之方法及乙二胺衍生物之用途
JP6991139B2 (ja) パラジウムめっき浴組成物および無電解パラジウムめっき方法
CN107002242A (zh) 用于化学镀钯的镀浴组合物和方法
KR101821852B1 (ko) 코발트 합금의 무전해 석출을 위한 알칼리성 도금조
JP6899823B2 (ja) パラジウムめっき浴組成物および無電解パラジウムめっき方法
JP3748846B2 (ja) 電気・電子回路部品の接続端子として用いられる複合合金金属球及びその製造方法
US7534289B1 (en) Electroless gold plating solution
EP3705601B1 (en) Electroless gold plating bath

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant