JPH1161425A - パラジウム−スズ被膜の導電性向上方法 - Google Patents
パラジウム−スズ被膜の導電性向上方法Info
- Publication number
- JPH1161425A JPH1161425A JP24482097A JP24482097A JPH1161425A JP H1161425 A JPH1161425 A JP H1161425A JP 24482097 A JP24482097 A JP 24482097A JP 24482097 A JP24482097 A JP 24482097A JP H1161425 A JPH1161425 A JP H1161425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- conductivity
- reducing agent
- accelerator
- improving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N palladium tin Chemical compound [Pd].[Sn] ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- 230000006872 improvement Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 22
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 12
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims abstract description 6
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 6
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims abstract description 3
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 3
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims abstract description 3
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims abstract description 3
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 claims abstract 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 229910002677 Pd–Sn Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 3
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IEORSVTYLWZQJQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-nonylphenoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1OCCO IEORSVTYLWZQJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VBIIFPGSPJYLRR-UHFFFAOYSA-M Stearyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C VBIIFPGSPJYLRR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920000847 nonoxynol Polymers 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/188—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント配線板に設けられるスルーホール、
ブラインドビアホール等の内部において、ダイレクトプ
レイティング法で得られるＰｄ−Ｓｎ被膜を活性化し、
導電性を高める方法を提供すること。 【解決手段】 パラジウム−スズコロイド触媒を用いる
ことにより形成されるパラジウム−スズ被膜を、還元剤
を含むアルカリアクセラレーター浴に浸漬することを特
徴とするパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法。
ブラインドビアホール等の内部において、ダイレクトプ
レイティング法で得られるＰｄ−Ｓｎ被膜を活性化し、
導電性を高める方法を提供すること。 【解決手段】 パラジウム−スズコロイド触媒を用いる
ことにより形成されるパラジウム−スズ被膜を、還元剤
を含むアルカリアクセラレーター浴に浸漬することを特
徴とするパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パラジウム（Ｐ
ｄ）−スズ（Ｓｎ）被膜の導電性向上方法に関し、更に
詳細には、Ｐｄ−Ｓｎコロイド触媒から形成されるＰｄ
−Ｓｎ導電化被膜の抵抗値を低下させ、次工程である電
気銅めっきで被膜するまでの時間を短縮させることがで
きるＰｄ−Ｓｎ被膜の導電性向上方法に関する。
ｄ）−スズ（Ｓｎ）被膜の導電性向上方法に関し、更に
詳細には、Ｐｄ−Ｓｎコロイド触媒から形成されるＰｄ
−Ｓｎ導電化被膜の抵抗値を低下させ、次工程である電
気銅めっきで被膜するまでの時間を短縮させることがで
きるＰｄ−Ｓｎ被膜の導電性向上方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近のプリント配線板では、複数のプリ
ント基板を組み合わせ、多層化することが通常であり、
これらの基板間にスルーホールやブラインドビアホール
を設け、これらのホール内に析出した金属を介して各基
板を導電させている。
ント基板を組み合わせ、多層化することが通常であり、
これらの基板間にスルーホールやブラインドビアホール
を設け、これらのホール内に析出した金属を介して各基
板を導電させている。
【０００３】プリント配線板のスルホールもしくはブラ
インドビアホールに金属を析出せしめ、伝導性を付与す
る方法としては、無電解銅めっきと、無電解銅めっき浴
を使用しないダイレクトプレイティング法（以下、「Ｄ
ＰＳ法」という）が知られている。
インドビアホールに金属を析出せしめ、伝導性を付与す
る方法としては、無電解銅めっきと、無電解銅めっき浴
を使用しないダイレクトプレイティング法（以下、「Ｄ
ＰＳ法」という）が知られている。
【０００４】このＤＰＳ法については、現在何種類か行
われているがその代表的なものは、Ｐｄ−Ｓｎコロイド
触媒を用いてＰｄ−Ｓｎ被膜を析出させ、この被膜上に
直接電気銅めっきにより金属銅皮膜を析出させる方法で
ある。
われているがその代表的なものは、Ｐｄ−Ｓｎコロイド
触媒を用いてＰｄ−Ｓｎ被膜を析出させ、この被膜上に
直接電気銅めっきにより金属銅皮膜を析出させる方法で
ある。
【０００５】このＰｄ−Ｓｎ被膜を利用する方法は、無
電解銅めっきを利用する方法に比べ、廃液処理が容易で
ある、処理槽、濾過器、配管等に銅の析出が起こらない
等の利点があるが、Ｐｄ−Ｓｎ被膜の活性化が十分でな
いと被膜の抵抗値が高くなり、スルーホールやブライン
ドビアホール内に十分な電流が行きわたらないため、電
気銅めっきの析出が不十分になるという問題があった。
電解銅めっきを利用する方法に比べ、廃液処理が容易で
ある、処理槽、濾過器、配管等に銅の析出が起こらない
等の利点があるが、Ｐｄ−Ｓｎ被膜の活性化が十分でな
いと被膜の抵抗値が高くなり、スルーホールやブライン
ドビアホール内に十分な電流が行きわたらないため、電
気銅めっきの析出が不十分になるという問題があった。
【０００６】Ｐｄ−Ｓｎ被膜を活性化し、導電性を高め
る方法に関してはすでにいくつかの方法が知られている
が、いずれも十分といえるものではなかった。
る方法に関してはすでにいくつかの方法が知られている
が、いずれも十分といえるものではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、スルーホー
ル、ブラインドビアホール等の内部において、Ｐｄ−Ｓ
ｎ被膜を活性化し、導電性を高めるための新しい方法の
提供が求められていた。
ル、ブラインドビアホール等の内部において、Ｐｄ−Ｓ
ｎ被膜を活性化し、導電性を高めるための新しい方法の
提供が求められていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ｐｄ−Ｓ
ｎ被膜の活性化について、種々検討を行っていたとこ
ろ、後処理工程であるアルカリアクセラレーター浴に少
量の還元剤を入れることにより、Ｐｄ−Ｓｎ被膜が活性
化され、導電性が飛躍的に向上することを見出し、本発
明を完成した。
ｎ被膜の活性化について、種々検討を行っていたとこ
ろ、後処理工程であるアルカリアクセラレーター浴に少
量の還元剤を入れることにより、Ｐｄ−Ｓｎ被膜が活性
化され、導電性が飛躍的に向上することを見出し、本発
明を完成した。
【０００９】すなわち本発明は、パラジウム−スズコロ
イド触媒を用いることにより形成されるパラジウム−ス
ズ被膜を、還元剤を含むアルカリアクセラレーター浴に
浸漬することを特徴とするパラジウム−スズ被膜の導電
性向上方法である。
イド触媒を用いることにより形成されるパラジウム−ス
ズ被膜を、還元剤を含むアルカリアクセラレーター浴に
浸漬することを特徴とするパラジウム−スズ被膜の導電
性向上方法である。
【００１０】
【発明の実施の態様】本発明方法の対象となるＰｄ−Ｓ
ｎ被膜は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いること
により得られる被膜である。 この被膜は、一般にはい
わゆるＤＰＳ法の中で製造されるものである。
ｎ被膜は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いること
により得られる被膜である。 この被膜は、一般にはい
わゆるＤＰＳ法の中で製造されるものである。
【００１１】具体的なＤＰＳ法は、次のようにして実施
される。まず、モノエタノールアミン、ノニオン系界面
活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、プリント配
線板基板を脱脂、コンデショニングし、次いで過硫酸ソ
ーダを用いてソフトエッチング後、塩化ナトリウム、塩
酸等にプレディップする。 これらの工程の後、パラジ
ウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベーティング
工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成させ、最後に炭酸ソーダ、
炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレータ
ー浴および硫酸を含む酸性アクセラレーター浴で活性化
するというものである。
される。まず、モノエタノールアミン、ノニオン系界面
活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、プリント配
線板基板を脱脂、コンデショニングし、次いで過硫酸ソ
ーダを用いてソフトエッチング後、塩化ナトリウム、塩
酸等にプレディップする。 これらの工程の後、パラジ
ウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベーティング
工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成させ、最後に炭酸ソーダ、
炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレータ
ー浴および硫酸を含む酸性アクセラレーター浴で活性化
するというものである。
【００１２】本発明方法を実施するには、上記の工程の
うち活性化に用いるアルカリ性アクセラレーター浴に還
元剤を添加すれば良く、それ以外の工程は従来通り行え
ばよい。
うち活性化に用いるアルカリ性アクセラレーター浴に還
元剤を添加すれば良く、それ以外の工程は従来通り行え
ばよい。
【００１３】添加することのできる還元剤の例として
は、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド
類、カテコール、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げ
られる。
は、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド
類、カテコール、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げ
られる。
【００１４】添加される還元剤の量は、使用する還元剤
の種類によっても相違するが、−般にはアルカリ性アク
セラレーター浴中の濃度が５〜５０ｐｐｍとなる程度の
量で良い。
の種類によっても相違するが、−般にはアルカリ性アク
セラレーター浴中の濃度が５〜５０ｐｐｍとなる程度の
量で良い。
【００１５】また、還元剤を添加するアルカリ性アクセ
ラレーター浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
および銅イオンを含むものが好ましく、特に、炭酸ナト
リウムを０〜２００ｇ／ｌ、炭酸カリウムを０〜２００
ｇ／ｌ、銅イオンを０〜１ｇ／ｌ含み、かつ炭酸ナトリ
ウムと炭酸カリウムの総量が３０〜３００ｇ／ｌである
ものが好ましい。また、基板の材質がエポキシ樹脂であ
るときなどは更に水酸化ナトリウムを１０〜２０ｇ／ｌ
程度加えることが望ましい。
ラレーター浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
および銅イオンを含むものが好ましく、特に、炭酸ナト
リウムを０〜２００ｇ／ｌ、炭酸カリウムを０〜２００
ｇ／ｌ、銅イオンを０〜１ｇ／ｌ含み、かつ炭酸ナトリ
ウムと炭酸カリウムの総量が３０〜３００ｇ／ｌである
ものが好ましい。また、基板の材質がエポキシ樹脂であ
るときなどは更に水酸化ナトリウムを１０〜２０ｇ／ｌ
程度加えることが望ましい。
【００１６】本発明方法によれば、従来のＤＰＳ法によ
るＰｄ−Ｓｎ被膜より抵抗値の低い被膜を得ることがで
き、次工程での電気銅めっきによる被覆時間を短縮する
ことが可能となる。
るＰｄ−Ｓｎ被膜より抵抗値の低い被膜を得ることがで
き、次工程での電気銅めっきによる被覆時間を短縮する
ことが可能となる。
【００１７】例えば、後記実施例で示すように、全く還
元剤を含まないアルカリ性アクセラレーター浴を用いた
場合に比べ、抵抗値が数分の一から百分の一程度まで下
げることができ、スルーホールやビアホールの内壁を完
全に電気銅めっきで被覆する時間も短縮することが可能
となる。
元剤を含まないアルカリ性アクセラレーター浴を用いた
場合に比べ、抵抗値が数分の一から百分の一程度まで下
げることができ、スルーホールやビアホールの内壁を完
全に電気銅めっきで被覆する時間も短縮することが可能
となる。
【００１８】本発明のこの作用の説明としては、還元剤
によるＰｄ−Ｓｎ被膜の還元がまず考えられるが、添加
する還元剤の濃度、浴のアルカリ度等を考慮すると、還
元剤自体がパラジウム、スズ、もしくは銅を直接金属に
還元しているとは考えにくい。現在の一応の推測として
は、還元剤がアルカリ性アクセラレーター浴中において
基板表面に吸着されたコロイドを分解し、金属に近い状
態にする反応を促進する等何らかの触媒作用をすること
が考えられる。
によるＰｄ−Ｓｎ被膜の還元がまず考えられるが、添加
する還元剤の濃度、浴のアルカリ度等を考慮すると、還
元剤自体がパラジウム、スズ、もしくは銅を直接金属に
還元しているとは考えにくい。現在の一応の推測として
は、還元剤がアルカリ性アクセラレーター浴中において
基板表面に吸着されたコロイドを分解し、金属に近い状
態にする反応を促進する等何らかの触媒作用をすること
が考えられる。
【００１９】
【実施例】次に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれら実施例等に何ら制約されるもの
ではない。
するが、本発明はこれら実施例等に何ら制約されるもの
ではない。
【００２０】実施例 １ 少量の還元剤を加えたアルカリアクセラレーターを用
い、後記のＤＰＳ処理工程により、プリント配線基板
（松下ＦＲ４両面基板、１．６ｍｍ厚、２５０×２５０
ｍｍ、スルホール直径０．３〜１．０ｍｍφ、２４００
穴）を処理し、処理後のプリント配線基板の表裏間の電
気抵抗値を測定した。 この結果を、アルカリ性アクセ
ラレーターに添加した還元剤およびその濃度と共に表１
に示す。
い、後記のＤＰＳ処理工程により、プリント配線基板
（松下ＦＲ４両面基板、１．６ｍｍ厚、２５０×２５０
ｍｍ、スルホール直径０．３〜１．０ｍｍφ、２４００
穴）を処理し、処理後のプリント配線基板の表裏間の電
気抵抗値を測定した。 この結果を、アルカリ性アクセ
ラレーターに添加した還元剤およびその濃度と共に表１
に示す。
【００２１】 （ＤＰＳ処理工程） ───────────────────────────────── 工 程 温 度 時 間 攪 拌 等 ───────────────────────────────── 脱脂、コンディショニング ７０℃ ５分 ポンプ撹拌 工程（ 注 1 ） 揺動撹拌* ソフトエッチング工程（ 注 2 ） ２５℃ １分 揺動撹拌* プレディプ工程（ 注 3 ） ２５℃ １分 揺動撹拌* アクチベーティング ３５℃ ５分 ポンプ撹拌 工程（ 注 4 ） 揺動撹拌* アルカリ性アクセラレーテ ６０℃ ５分 ポンプ撹拌 ィング工程（ 注 6 ） 揺動撹拌* 酸性アクセラレーティング ２５℃ ３分 ポンプ撹拌 工程（ 注 5 ） 揺動撹拌* ─────────────────────────────────
【００２２】*揺動撹拌：孔に液が通過する方向で、振
巾１〜５ｃｍ程度、速さ２〜１０ｃｍ／秒程度で行う。 なお、上記各工程で用いる薬剤は、次の通りである。 （注１）モノエタノールアミン（１０ｇ／ｌ）、ノニル
フェノールエトキシレート（５ｇ／ｌ）、トリメチルス
テアリルアンモニウムクロライド（２ｇ／ｌ） （注２）過硫酸ナトリウム（１００ｇ／ｌ） （注３）塩化ナトリウム（２００ｇ／ｌ）、塩酸（２０
ｍｌ／ｌ） （注４）パラジウム−スズコロイド（荏原ユージライト
（株）製ＤＰ−３５０で調製したもの；Ｐｄ含量３００
ｍｇ／ｌ、Ｓｎ含量１５ｇ／ｌ）、塩化ナトリウム（２
００ｇ／ｌ、塩酸（２０ｍｌ／ｌ） （注５）炭酸ナトリウム（１００ｇ／ｌ）、炭酸カリウ
ム（１００ｇ／ｌ）、銅イオン（１００ｐｐｍ）；還元
剤およびその量は表１の通り。 （注６）硫酸（１５０ｇ／ｌ）
巾１〜５ｃｍ程度、速さ２〜１０ｃｍ／秒程度で行う。 なお、上記各工程で用いる薬剤は、次の通りである。 （注１）モノエタノールアミン（１０ｇ／ｌ）、ノニル
フェノールエトキシレート（５ｇ／ｌ）、トリメチルス
テアリルアンモニウムクロライド（２ｇ／ｌ） （注２）過硫酸ナトリウム（１００ｇ／ｌ） （注３）塩化ナトリウム（２００ｇ／ｌ）、塩酸（２０
ｍｌ／ｌ） （注４）パラジウム−スズコロイド（荏原ユージライト
（株）製ＤＰ−３５０で調製したもの；Ｐｄ含量３００
ｍｇ／ｌ、Ｓｎ含量１５ｇ／ｌ）、塩化ナトリウム（２
００ｇ／ｌ、塩酸（２０ｍｌ／ｌ） （注５）炭酸ナトリウム（１００ｇ／ｌ）、炭酸カリウ
ム（１００ｇ／ｌ）、銅イオン（１００ｐｐｍ）；還元
剤およびその量は表１の通り。 （注６）硫酸（１５０ｇ／ｌ）
【００２３】（結 果）
【表１】
【００２４】この結果から明らかなように、アルカリ性
アクセラレーター中に還元剤を添加することにより、プ
リント配線基板間の抵抗値は低下した。この抵抗値と還
元剤無添加のアルカリ性アクセラレーターを用いた場合
（対照）と比べた時の抵抗値の差がＰｄ−Ｓｎ被膜の伝
導性の向上を示すものであるが、最高で１００倍向上し
た。
アクセラレーター中に還元剤を添加することにより、プ
リント配線基板間の抵抗値は低下した。この抵抗値と還
元剤無添加のアルカリ性アクセラレーターを用いた場合
（対照）と比べた時の抵抗値の差がＰｄ−Ｓｎ被膜の伝
導性の向上を示すものであるが、最高で１００倍向上し
た。
【００２５】実施例 ２ 実施例１にてＰｄ−Ｓｎ被膜を形成し、これを活性化さ
せたプリント配線基板に硫酸銅めっきを行なった。１分
間、２分間および５分間めっきした後、０．３ｍｍφの
スルホール内壁を観察し、析出する電気銅めっきで被覆
された割合を調べた。硫酸銅めっきは、硫酸銅７５ｇ／
ｌ、硫酸１８０ｇ／ｌ、塩素イオン６０ｍｇ／ｌの浴組
成に光沢剤としてキューブライトＴＨＭＩ（荏原ユージ
ライト（株）製）を添加したものを用い、陰極電流密度
３Ａ／ｄｍ2の条件で行った。この結果を、アルカリ性
アクセラレーターに添加した還元剤およびその濃度と共
に表２に示す。
せたプリント配線基板に硫酸銅めっきを行なった。１分
間、２分間および５分間めっきした後、０．３ｍｍφの
スルホール内壁を観察し、析出する電気銅めっきで被覆
された割合を調べた。硫酸銅めっきは、硫酸銅７５ｇ／
ｌ、硫酸１８０ｇ／ｌ、塩素イオン６０ｍｇ／ｌの浴組
成に光沢剤としてキューブライトＴＨＭＩ（荏原ユージ
ライト（株）製）を添加したものを用い、陰極電流密度
３Ａ／ｄｍ2の条件で行った。この結果を、アルカリ性
アクセラレーターに添加した還元剤およびその濃度と共
に表２に示す。
【００２６】（結 果）
【表２】
【００２７】この結果から、本発明方法で導電性を向上
させたプリント配線基板は、スルーホール内の被覆が対
照に比べ短時間で行われることが明らかとなった。
させたプリント配線基板は、スルーホール内の被覆が対
照に比べ短時間で行われることが明らかとなった。
【００２８】実施例 ３ ブラインドビアホール（穴径８０μｍ、深さ７０μｍ）
を有するポリイミド基板について、実施例１と同様にＰ
ｄ−Ｓｎ被膜を形成し、活性化させた後、実施例２と同
様にして硫酸銅めっきを行った。 このポリイミド基板
のブラインドビアホール内壁を観察し、析出する電気銅
めっきで被覆された割合を調べた。 この結果を、アル
カリ性アクセラレーターに添加した還元剤およびその濃
度と共に表３に示す。
を有するポリイミド基板について、実施例１と同様にＰ
ｄ−Ｓｎ被膜を形成し、活性化させた後、実施例２と同
様にして硫酸銅めっきを行った。 このポリイミド基板
のブラインドビアホール内壁を観察し、析出する電気銅
めっきで被覆された割合を調べた。 この結果を、アル
カリ性アクセラレーターに添加した還元剤およびその濃
度と共に表３に示す。
【００２９】（結 果）
【表３】
【００３０】この結果から、本発明方法で導電性を向上
させることによりブラインドビアホール内の被覆も対照
に比べ短時間で行われることが明らかとなった。
させることによりブラインドビアホール内の被覆も対照
に比べ短時間で行われることが明らかとなった。
【００３１】実施例 ４ アルカリアクセラレーターの浴組成を下記のものに代え
る以外は、実施例１と同一のＤＰＳ処理工程により、同
一のプリント配線基板を処理し、処理後のプリント配線
基板の表裏間の電気抵抗値を測定した。 この結果を、
アルカリ性アクセラレーターに添加した還元剤およびそ
の濃度と共に表４に示す。
る以外は、実施例１と同一のＤＰＳ処理工程により、同
一のプリント配線基板を処理し、処理後のプリント配線
基板の表裏間の電気抵抗値を測定した。 この結果を、
アルカリ性アクセラレーターに添加した還元剤およびそ
の濃度と共に表４に示す。
【００３２】［アルカリアクセラレーター浴］ 炭酸ナトリウム １００ｇ／ｌ 炭酸カリウム １００ｇ／ｌ 水酸化ナトリウム ２０ｇ／ｌ 銅イオン １００ｐｐｍ 還元剤 （表 ４）
【００３３】（結 果）
【表４】 以 上
Claims (7)
- 【請求項１】 パラジウム−スズコロイド触媒を用いる
ことにより形成されるパラジウム−スズ被膜を、還元剤
を含むアルカリアクセラレーター浴に浸漬することを特
徴とするパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法。 - 【請求項２】 還元剤が、アルデヒド類、カテコール、
レゾルシンまたはアスコルビン酸から選ばれたものであ
る請求項第１項記載のパラジウム−スズ被膜の導電性向
上方法。 - 【請求項３】 アルデヒド類が、ホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒドまたはベンズア
ルデヒドから選ばれたものである請求項第２項記載のパ
ラジウム−スズ被膜の導電性向上方法。 - 【請求項４】 アルカリアクセラレーター浴中の還元剤
濃度が、２〜５０ｐｐｍである請求項第１項または第２
項記載のパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法。 - 【請求項５】 アルカリ性アクセラレーターが、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものであ
る請求項第１項ないし第３項のいずれかの項記載のパラ
ジウム−スズ被膜の導電性向上方法。 - 【請求項６】 アルカリ性アクセラレーターが、炭酸ナ
トリウムを０〜２００ｇ／ｌ、炭酸カリウムを０〜２０
０ｇ／ｌ、銅イオンを０〜１ｇ／ｌ含み、かつ炭酸ナト
リウムと炭酸カリウムの総量が３０〜３００ｇ／ｌであ
るパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法。 - 【請求項７】 アルカリ性アクセラレーターが、更に水
酸化ナトリウムを１０〜１００ｇ／ｌ含むものである請
求項第５項または第６項記載のパラジウム−スズ被膜の
導電性向上方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24482097A JPH1161425A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | パラジウム−スズ被膜の導電性向上方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24482097A JPH1161425A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | パラジウム−スズ被膜の導電性向上方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1161425A true JPH1161425A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=17124446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24482097A Pending JPH1161425A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | パラジウム−スズ被膜の導電性向上方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1161425A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007063732A1 (ja) | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Techno Polymer Co., Ltd. | ダイレクト鍍金用樹脂組成物、成形品及び鍍金成形品 |
| JP2017538867A (ja) * | 2014-12-17 | 2017-12-28 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | パラジウム無電解めっき用のめっき浴組成物およびパラジウムの無電解めっき方法 |
| US12098229B2 (en) | 2016-07-08 | 2024-09-24 | Nippon A&L Inc. | Resin composition for plating, and plated molded article |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP24482097A patent/JPH1161425A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007063732A1 (ja) | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Techno Polymer Co., Ltd. | ダイレクト鍍金用樹脂組成物、成形品及び鍍金成形品 |
| US9315662B2 (en) | 2005-11-30 | 2016-04-19 | Techno Polymer Co., Ltd. | Resin composition for direct metal plating, molded article, and metal-plated molded article |
| JP2017538867A (ja) * | 2014-12-17 | 2017-12-28 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | パラジウム無電解めっき用のめっき浴組成物およびパラジウムの無電解めっき方法 |
| US12098229B2 (en) | 2016-07-08 | 2024-09-24 | Nippon A&L Inc. | Resin composition for plating, and plated molded article |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101089616B1 (ko) | 구리-수지 복합 물질의 제조방법 | |
| EP0502120B1 (en) | Method for directly electroplating a dielectric substrate | |
| TWI629374B (zh) | 無電極電鍍的方法 | |
| KR102035497B1 (ko) | 안정화된 은 촉매 및 방법 | |
| US5342501A (en) | Method for electroplating metal onto a non-conductive substrate treated with basic accelerating solutions for metal plating | |
| CN110468394B (zh) | 一种化学镀镍钯金的银基线路板及其制备方法 | |
| JP3337802B2 (ja) | 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 | |
| JP2015078431A (ja) | アルカリに安定なピラジン誘導体含有触媒による誘電体の無電解メタライゼーション | |
| US20040132300A1 (en) | Procedure for activation of substrates for plastic galvanizing | |
| US5268088A (en) | Simplified method for direct electroplating of acrylic or epoxy containing dielectric substrates | |
| US4762560A (en) | Copper colloid and method of activating insulating surfaces for subsequent electroplating | |
| JP4646376B2 (ja) | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 | |
| US4681630A (en) | Method of making copper colloid for activating insulating surfaces | |
| JPH1161425A (ja) | パラジウム−スズ被膜の導電性向上方法 | |
| JP4740711B2 (ja) | Ｐｄ／Ｓｎコロイド触媒吸着促進剤 | |
| JP4191881B2 (ja) | 銅酸化物還元用の処理液および処理方法 | |
| US5262042A (en) | Simplified method for direct electroplating of dielectric substrates | |
| JPH11256349A (ja) | 樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液 | |
| KR100295144B1 (ko) | 비전도성기재의표면에전도성금속을도금하는방법및이를위한촉진용액 | |
| US20140171296A1 (en) | Stabilized silver catalysts and methods | |
| EP0079975B1 (en) | Copper colloid and method of activating insulating surfaces for subsequent electroplating | |
| JP3325236B2 (ja) | 無電解銅めっき方法 | |
| KR100535977B1 (ko) | 전기 도금용 첨가제를 이용한 무전해 도금 방법 | |
| EP0109402A1 (en) | CATALYST SOLUTION FOR ACTIVATING NON-CONDUCTIVE SUBSTRATES AND ELECTRICALLY DEPOSITING A METAL. | |
| JP3827827B2 (ja) | ペースト状析出防止剤およびペースト状析出防止法 |