CN107107551A - 电子设备及其制造方法 - Google Patents

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佐佐木良一
森原靖
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Abstract

本发明涉及电子设备,其是包含量子点荧光体的电子设备,上述电子设备具备保护片,上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W),上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D),上述反应产物(D)的平均粒径在5~50nm的范围内。

Description

电子设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及电子设备及其制造方法。更详细而言,本发明涉及包含保护片和量子点荧光体的电子设备及其制造方法,所述保护片具备包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体。
背景技术
以往,作为用于显示装置内的液晶等的电子设备的、具有含铝的阻气层的复合结构体,例如提出了复合结构体,该复合结构体具有由氧化铝粒子和磷化合物的反应产物构成的透明阻气层(参照专利文献1)。
作为形成该阻气层的方法之一,在专利文献1中公开了在塑料膜上施涂包含氧化铝粒子和磷化合物的涂布液,接着进行干燥和热处理的方法。
但是,上述以往的阻气层在高温高湿度条件下存在阻气性能降低的情况,存在经过长时间阻气性变得不充分的情况。
另外,近年来,在发光二极管(LED)等的电子设备中,作为改变入射光的波长而发射的荧光体,使用量子点。量子点(QD)是发光性的半导体纳米粒子,直径的范围通常相当于1~20nm。并且,在轮廓明晰、3维且纳米规模大的半导体结晶中以量子态封闭电子。这种量子点荧光体容易发生凝聚,由氧等导致劣化,因此通常分散于树脂等中来使用。
专利文献2中公开了大量的量子点分散在由溶胶或凝胶、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、UV固化树脂和环氧树脂等的热固性树脂构成的基体材料中分散而得的闪存(フラッシュ)・模组。
但是,即使是在树脂中分散的量子点荧光体,仍然存在由于大气中所含的氧、水等而导致劣化的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-251732号公报
专利文献2:日本特开2006-114909号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于提供一种包含量子点荧光体的电子设备,其在湿热试验前后都具有高阻挡性能、且光学特性也优异。另外,本发明的目的在于提供一种包含量子点荧光体的电子设备,其在长期使用中,大气中所含的氧、水等导致的劣化得以抑制。本说明书中,“阻气性”只要没有特别说明,意指阻挡除水蒸气以外的气体的性能。另外,本说明书中,简称为“阻挡性”的情况意指阻气性和水蒸气阻挡性的两种阻挡性。进而,本说明书中,“光学特性”意指总光线透过率和雾度。
用于解决课题的技术手段
经过深入地研究,结果本发明人等发现,通过包含量子点荧光体的电子设备可以实现上述目的,所述量子点荧光体被包括包含特定层的多层结构体的保护片被覆,从而完成了本发明。
本发明提供一种包含量子点荧光体的电子设备,其是包含量子点荧光体的电子设备,
上述电子设备具备保护片,
上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W),
上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D),
上述反应产物(D)的平均粒径在5~50nm的范围内。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备中,可以在包含量子点荧光体的层的一侧或两侧配置上述保护片。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备的保护片中,上述磷化合物(B)可以为无机磷化合物(BI)。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备的保护片中,上述含有铝的化合物(A)可以是含有铝的金属氧化物(Aa)。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备的保护片中,上述反应产物(D)的平均粒径可以在20~40nm的范围内。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备的保护片在40℃、90%RH的条件下的透湿度可以为1.0g/(m2・day)以下。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备的保护片中,上述基材(X)可以包含热塑性树脂膜。
上述层(Y)可以包含含有选自羰基、羟基、羧基、酸酐基和羧基的盐中的至少1种的官能团的聚合物(F)。
本发明的电子设备中,上述多层结构体(W)可以进一步包含与上述层(Y)相邻而配置的层(Z)。上述层(Z)可以包含具有含磷原子的官能团的聚合物(BOa)。
上述层(Z)的聚合物(BOa)可以是聚(乙烯基膦酸)或聚(2-膦酰基氧基乙基甲基丙烯酸酯)。
另外,本发明提供上述包含量子点荧光体的电子设备的制造方法,其中,电子设备具备保护片,上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W),上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D),所述方法包括:
将包含含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和溶剂的涂布液(S)在上述基材(X)上施涂,形成包含反应产物(D)前体的层(Y)前体的步骤(I),和
将上述层(Y)前体在140℃以上的温度下进行热处理,由此形成上述层(Y)的步骤(II),
上述步骤(I)中的层(Y)的前体层的溶剂含有率为0.4wt%以下,且反应产物(D)前体的平均粒径低于5nm。
本发明的电子设备的制造方法中,上述磷化合物(B)可以是无机磷化合物(BI)。
本发明的电子设备的制造方法中,上述含有铝的化合物(A)可以是含有铝的金属氧化物(Aa)。
本发明的电子设备的制造方法中,上述步骤(I)中,具有将涂布液(S)在上述基材(X)上施涂之后,除去上述涂布液(S)中的溶剂的干燥步骤,上述干燥步骤中的干燥温度可以低于140℃。
本发明的电子设备的制造方法中,上述层(Y)前体的红外线吸收光谱中,1080~1130cm-1的范围中的吸光度的极大值AR和850~950cm-1的范围中的吸光度的极大值AP之比AR/AP可以为2.0以下。
发明效果
根据本发明,可以得到在湿热试验前后都具有高阻挡性能、且光学特性也优异的包含量子点荧光体的电子设备。另外,根据本发明,可以得到在长期使用中,大气中所含有的氧或水等导致的劣化受到抑制的包含量子点荧光体的电子设备。进一步地,可以得到即使在大气下长期使用(例如2000小时连续发光),劣化也少的、性能保持率优异的包含量子点荧光体的电子设备。
附图说明
图1 是本发明的实施方式涉及的电子设备的一部分的截面图。
图2 表示在包封材料的至少一部分使用本发明的实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物的发光装置的例子的截面图。
图3 表示使用本发明的实施方式1涉及的量子点荧光体分散树脂成型体而得的发光装置的例子的截面图。
图4 表示使用本发明的实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物和量子点荧光体分散树脂成型体而得的发光装置的例子的截面图。
图5 是本发明的实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的一个例子的截面图。
图6 是应用本发明的实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物而得的发光装置的一个例子的截面图。
图7 是应用本发明的实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物而得的发光装置的其他例子的截面图。
图8 实施例1-1中得到的多层结构体(W)的层(Y-1)前体的SEM照片。
图9 实施例1-1中得到的多层结构体(W)的层(Y-1)的SEM照片。
图10实施例1-1中得到的多层结构体(W)的层(Y-1)前体和层(Y-1)的红外线吸收光谱。
具体是实施方式
对于本发明,以下列举例子进行说明。应予说明,以下的说明中,存在示例物质、条件、方法、数值范围等的情况,但本发明不受这种示例的限定。另外,所示例的物质只要没有特别注明,可以单独使用1种,也可以将2种以上并用。
只要没有特别注明,本说明书中,“在特定的构件(基材、层等)上层叠特定的层”这样的记载的意思中,除了以与该构件接触的方式层叠该特定的层的情况之外,还包括夹着其他的层在该构件的上方层叠该特定的层的情况。“在特定的构件(基材、层等)上形成特定的层”、“在特定的构件(基材、层等)上配置特定的层”这样的记载也是同样的。另外,只要没有特别注明,“在特定的构件(基材、层等)上施涂液体(涂布液等)”这样的记载的意思中,除了在该构件上直接施涂该液体的情况之外,还包括在该构件上形成的其他的层上施涂该液体的情况。
[电子设备]
本发明的使用多层结构体(W)而得的包含量子点荧光体的电子设备具备电子设备本体和被覆电子设备本体的表面的保护片。用于本发明的电子设备的保护片具备包括基材(X)和基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W)。对于多层结构体(W)的详细情况,如后所述。保护片可以仅由多层结构体(W)构成,也可以含有其他构件或其他的层。以下,只要没有特别注明,对于保护片具备多层结构体(W)的情况进行说明。
本发明的电子设备的一个例子的一部分截面图如图1所示。图1的电子设备11具备:电子设备本体1、用于包封电子设备本体1的包封材料2和用于保护电子设备本体1的表面的保护片3。包封材料2覆盖电子设备本体1的整个表面。保护片3以可保护电子设备本体1的表面的方式来配置即可,可以在电子设备本体1的表面上直接配置 (未图示),也可以如图1所示经由包封材料2等的其他构件在电子设备本体1的表面上配置。如图1所示,在配置有第1保护片的表面的相反侧的表面,可以配置第2保护片。这种情况下,在相反侧的表面配置的第2保护片可以与第1保护片相同,也可以不同。
合适的保护片保护量子点荧光体材料免受高温、氧和湿气等的环境条件的影响。作为合适的保护片,可以列举疏水性、与量子点荧光体材料在化学和机械上有适应性、表现出光稳定性和化学稳定性、具有高温耐热性、不黄变的透明的光学材料。合适的是,1个以上的保护片整合了量子点荧光体材料和折射率。优选的实施方式中,量子点荧光体材料的基材和1个以上的相邻的保护片以具有类似的折射率的方式整合折射率,结果,通过保护片向着量子点荧光体材料传递的光的大半从保护片传递到荧光体材料内。通过折射率整合,保护片和基体材料之间的界面中的光学损失减少。
作为本发明的量子点荧光体材料的基体材料,可以列举聚合物、有机和无机的氧化物等。合适的实施方式中,聚合物基本上是半透明的或基本上是透明的。作为合适的基体材料,除后述的分散用树脂之外,例如可以列举环氧树脂、丙烯酸酯、降冰片烯、聚乙烯、聚(乙烯醇缩丁醛):聚(乙酸乙烯酯)、聚脲、聚氨酯;氨基硅酮(AMS)、聚苯基甲基硅氧烷、聚苯基烷基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚二烷基硅氧烷、倍半硅氧烷、氟化硅酮以及乙烯基和氢化物取代硅酮等的硅酮和硅酮衍生物;由甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯和甲基丙烯酸月桂基酯等的单体形成的丙烯酸聚合物和共聚物;聚苯乙烯、氨基聚苯乙烯(APS)、和聚(丙烯腈乙烯苯乙烯)(AES)等的苯乙烯系聚合物;二乙烯基苯等、与二官能性单体交联而得的聚合物;适合于与配体材料交联的交联剂、与配体胺(例如APS或PEI配体胺)结合形成环氧基的环氧化物等。
本发明的保护片合适的是固体材料。作为固体材料,例如可以列举固化的液体、凝胶或者聚合物等。保护片根据特定的用途,可以包含挠性或非挠性材料。保护片优选为平面层,根据特定的照明用途,可以含有任意的合适的形状和表面积结构。合适的保护片材料中,除后述的多层结构体(W)的材料以外,还可以使用本技术领域中已知的任意的合适的保护片材料。作为除多层结构体(W)以外的保护片,作为合适的阻挡材料,例如可以列举玻璃、聚合物和氧化物。作为聚合物,可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。作为氧化物,可以列举SiO2、Si2O3、TiO2、Al2O3等。它们可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。优选的是,本发明的保护片包括包含不同材料或组合物的至少2层(例如基材(X)和层(Y)),结果,对于多层状的保护片,使得保护片内的针孔缺陷配列排除或减少,对于氧和湿气向着量子点荧光体材料内的入侵,提供有效的阻挡。保护片的材料、厚度和数目取决于具体的用途,合适的是,以使包含量子点荧光体的电子设备的厚度最小化、同时使量子点荧光体的阻挡保护和亮度最大化的方式进行选择。优选的实施方式中,各保护片包含层叠体(层叠膜),优选包含双重层叠体(双重层叠膜),各保护片的厚度对于辊对辊或层叠制造工艺时排除褶皱是足够厚的。进一步地,保护片的数目或厚度为,在量子点荧光体材料包含重金属或其他毒性材料的实施方式中,取决于法定的毒性指标,该指标有时需要更多或者更厚的保护片。阻挡的进一步的讨论事项可以列举费用、入手可能性和机械强度。
在优选的实施方式中,包含量子点荧光体的电子设备包含2个以上具备多层结构体(W)的保护片,这些保护片与量子点荧光体材料的各侧面相邻。另外,各侧面上可以具备1个以上除具备多层结构体(W)的保护片以外的其他的保护片。即,在上述各侧面上可以包含2个或3个层(保护片)。更优选的实施方式中,对于包含量子点荧光体的电子设备,在量子点荧光体材料的各侧面上包含2个保护片,其中至少一个包含具备多层结构体(W)的保护片。
本发明的包含量子点荧光体的层可以是任意期望的尺寸、形状、结构和厚度。量子点荧光体可以以适合于所期望的机能的任意的填充率包埋在基体材料内。包含量子点荧光体的层的厚度和宽度可以通过湿式涂布、涂装、旋转涂布、丝网印刷等本技术领域中已知的任意的方法来控制。在特定的量子点荧光体膜的实施方式中,量子点荧光体材料可以具有500μm以下、优选250μm以下、更优选200μm以下、进一步优选50~150μm、最优选50~100μm的厚度。
优选的实施方式中,将本发明的包含量子点荧光体的电子设备的上部和底部保护片层进行机械上的密封。如图1表示的实施方式所示,上部保护片层和/或底部保护片层被一起夹压,将量子点荧光体密封。合适的是,为了使量子点荧光体材料对环境内的氧和湿气的暴露最小化,端部在量子点荧光体和保护片层贴付之后被立即夹压。阻挡端部可以通过夹压、冲压、熔融、辊压、加压等进行密封。
优选的实施方式中,将本发明的包含量子点荧光体的电子设备的上部和底部保护片层进行机械上的密封时,可以使用任意的粘接剂,从端部粘接的容易性、保持量子点的高光学特性这种观点考虑,优选使用环氧树脂等的合适的光学粘接材料。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备本体例如可以应用在用于液晶显示器(LCD)、电视机、电脑、便携电话、智能电话、便携信息终端(PDA)、游戏机、电子读书装置、数码相机等的显示器装置的背光单元(BLU)、室内或室外的照明(例如舞台照明、装饰照明、重点照明、博物馆照明等)的照明用途。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备本体适合用于光生伏打用途,也可以用作量子点降频转换层或膜。本发明的包含量子点荧光体的电子设备本体可以将太阳光的一部分通过太阳能电池的活性层吸收,可以转换为更低能量的光。该被转换的光的波长通过利用本发明的包含量子点荧光体的电子设备本体的这种降频转换,可以通过活性层吸收并转化为电力。因此,采用本发明的包含量子点荧光体的电子设备本体的太阳能电池可以具有增加的太阳光转换效率。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备本体包含作为光源、光过滤器和/或一次光的降频转换器的应用。在某一特定的实施方式中,本发明的包含量子点荧光体的电子设备本体是一次光源,包含量子点荧光体的电子设备是包含在电刺激时释放光子的电子发光性量子点荧光体的电子发光性设备。在某一特定的实施方式中,包含量子点荧光体的电子设备是光过滤器,量子点荧光体吸收具有某一特定波长或波长范围的光。对于包含量子点荧光体的电子设备,可以使特定的波长或波长范围通过、同时使其他被吸收或过滤除去。在某一特定的实施方式中,包含量子点荧光体的电子设备是降频转换器,由此,来自一次光源的一次光的至少一部分在包含量子点荧光体的电子设备内被量子点荧光体吸收,作为具有比一次光更低能量或更长波长的二次光被再次放出。在优选的实施方式中,包含量子点荧光体的电子设备是滤光器和一次光降频转换器两者,由此,一次光的第1部分不会被包含量子点荧光体的电子设备内的量子点荧光体吸收,而可以通过包含量子点荧光体的电子设备,一次光的至少第2部分被量子点荧光体吸收,降频转换为具有比一次光更低能量或更长波长的二次光。
包封材料2是根据电子设备本体1的种类和用途等而适当附加的任意的构件。作为包封材料,可以列举乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛树脂、硅酮树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯丁二烯共聚物等。
本发明的包含量子点荧光体的电子设备的保护片可以具有挠性。在本说明书中,挠性意指可以卷绕于直径50cm的辊上。例如意指即使卷绕在直径50cm的辊上、也未发现目视确认到的破损。可以卷绕在直径比50cm要小的辊上的情况下,电子设备或保护片的柔软性更高,因此是优选的。
包含多层结构体(W)的保护片的阻气性和水蒸气阻挡性优异,即使在高温高湿度条件下,阻气性和水蒸气阻挡性也优异。因此,通过使用该保护片,可以保护量子点荧光体免受氧和水等的影响,可以得到即使在严苛的环境下劣化也少的电子设备。
多层结构体(W)也可以用作LCD用基板膜、有机EL用基板膜、电子纸用基板膜等称为基板膜的膜。这种情况下,多层结构体可以兼作基板和保护膜。另外,作为保护片的保护对象的电子设备不限于上述示例,例如可以是IC标签、光通信用设备、燃料电池等。
保护片可以包括在多层结构体(W)的一个表面或两个表面配置的表面保护层。作为表面保护层,优选为由难以划伤的树脂制成的层。另外,如太阳能电池这样,有时在室外使用的设备的表面保护层优选由耐候性(例如耐光性)高的树脂制成。另外,在保护必须透光的面的情况下,优选为透光性高的表面保护层。作为表面保护层(表面保护膜)的材料,例如可以列举丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚四氟乙烯、4-氟乙烯-全氯烷氧基共聚物、4-氟乙烯-6-氟丙烯共聚物、2-乙烯-4-氟乙烯共聚物、聚3-氟氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯等。保护片的一个例子包括在一个表面配置的丙烯酸树脂层。
为了提高表面保护层的耐久性,可以在表面保护层中添加各种添加剂(例如紫外线吸收剂)。耐候性高的表面保护层的优选的一个例子为,添加了紫外线吸收剂的丙烯酸树脂层。作为紫外线吸收剂,例如可以列举苯并三唑系、二苯甲酮系、水杨酸酯系、氰基丙烯酸酯系、镍系、三嗪系的紫外线吸收剂,但不限于它们。另外,也可以并用其他稳定剂、光稳定剂、抗氧化剂等。
将保护片接合于包封包含量子点荧光体的电子设备本体的包封材料的情况下,保护片优选包含与包封材料的粘接性高的接合用树脂层。包封材料由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物形成的情况下,作为接合用树脂层,例如可以列举与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的粘接性得以提高的聚对苯二甲酸乙二醇酯。构成保护片的各层可以使用公知的粘接剂或上述粘接层进行粘接。
[实施方式1]
本发明的实施方式1涉及的包含量子点荧光体的电子设备中,使用量子点荧光体分散树脂成型体。量子点荧光体分散树脂成型体是,在树脂中分散量子点荧光体得到分散液(组合物),使用该分散液进行成型,由此而得到。成型方法没有特别限定,可以使用公知的方法。作为分散用树脂,优选为环烯烃(共)聚合物。作为环烯烃(共)聚合物,例如可以列举下述式[Q-1]所示的环烯烃聚合物(COP)或下述式[Q-2]所示的环烯烃共聚物(COC)。作为这种环烯烃(共)聚合物,可以使用市售品。作为市售品,例如可以列举,作为COP型的ZEONEX(注册商标)系列(日本ゼオン株式会社制)、作为COC型的APL5014DP(三井化学株式会社制、化学结构;―(C2H4)x(C12H16)y―;下标x、y是大于0小于1的实数,表示共聚比)等。
[化1]
[化2]
式[Q-1]中,R1、R2各自独立地,相同或不同,表示选自氢原子;碳原子数1~6的直链状或支链状的饱和烃基(合适的是烷基);氯或氟的卤素原子;和卤素原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。另外,R1、R2的烷基在相邻的取代部位可以彼此键合,形成至少1个5~7元环的饱和烃的环状结构。r为正整数。
式[Q-2]中,R3表示选自氢原子;碳原子数1~6的直链状或支链状的饱和烃基(合适的是烷基);氯或氟的卤素原子;和卤素原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。R4、R5各自独立地,相同或不同,表示选自氢原子;碳原子数1~6的直链状或支链状的饱和烷基(合适的是烷基);氯或氟的卤素原子;和卤素原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。另外,R4或R5的烷基在相邻的取代部位可以彼此键合,形成至少1个5~7元环的饱和烃的环状结构。x、y是大于0小于1的实数,满足x+y=1的关系式。
式[Q-1]所示的环烯烃聚合物(COP)例如是,以降冰片烯类作为原料,利用Grubbs催化剂等进行开环移位聚合后,进行氢化,由此而得到。式[Q-2]所示的环烯烃共聚物(COC)例如是,以降冰片烯类作为原料,利用金属茂催化剂等与乙烯等进行共聚,由此而得到。
树脂中分散量子点荧光体的方法没有特别限定,优选的是,在惰性气体气氛下将树脂溶解于溶剂而得的溶液中,在惰性气体气氛下加入使量子点荧光体分散于分散介质而得的分散液,进行混炼。此时使用的分散介质优选为溶解树脂的溶剂,更优选分散介质与溶剂相同。上述溶剂和分散介质可以无限制地使用,优选使用甲苯、二甲苯(邻-、间-或对-)、乙苯、四氢化萘等的烃系溶剂。另外,还可以使用氯苯、二氯苯(邻-、间-或对-)、三氯苯等的氯系烃溶剂。另外,作为在以上的步骤中使用的惰性气体,可以列举氦气、氩气、氮气,它们可以单独使用,也可以以任意比例混合来使用。
应予说明,适用于实施方式1的量子点荧光体是,其粒径为1~100nm,在数十nm以下的情况下,表现出量子效应的荧光体。量子点荧光体的粒径优选在2~20nm的范围内。
量子点荧光体的结构由无机荧光体核和在该无机荧光体的表面配位的包覆层(例如具有脂肪族烃基的有机惰性层)构成,无机荧光体的核部(金属部)被有机惰性层被覆。通常,在量子点荧光体粒子的表面,主要为了防止凝聚等,将有机惰性层配位于核表面。进一步地,有机惰性层(也称为壳)除了防止凝聚以外,还担负以下作用:保护核粒子免受周围的化学环境的影响、对于表面赋予电稳定性、控制在特定溶剂系中的溶解性。另外,有机惰性可以根据目的来选择化学结构,但例如可以是具有直链状或支链状的碳原子数6~18左右的脂肪族烃(例如烷基)的有机分子。
[无机荧光体]
作为无机荧光体,例如可以列举II族-VI族化合物半导体的纳米结晶、III族-V族化合物半导体的纳米结晶等。这些纳米结晶的形态没有特别限定,例如可以列举具有在InP纳米结晶的核部分被覆由ZnS/ZnO等形成的壳部分而得的核・壳(core-shell)结构的结晶、或者具有核・壳的边界不明确的组成发生梯度(gradient)变化的结构的结晶、或者在同一结晶内部分地分开存在2种以上的化合物结晶的混合结晶或2种以上的纳米结晶化合物的合金等。
[包覆剂]
接着,作为在无机荧光体的表面配位的包覆剂(用于形成有机惰性层的试剂),可以列举具备具有碳原子数2~30、优选碳原子数4~20、更优选碳原子数6~18的直链结构或支链结构的脂肪族烃基的有机分子。在无机荧光体的表面配位的包覆剂(用于形成有机惰性层的试剂)具有用于与无机荧光体配位的官能团。作为这种官能团,例如可以列举羧基、氨基、酰胺基、硝基、羟基、醚基、羰基、磺酰基、膦酰基或巯基等。它们之中,优选为羧基。
实施方式1的包含量子点荧光体的电子设备涉及的量子点荧光体分散树脂成型体的制造中使用的组合物中,以0.01~20质量%的浓度范围在树脂(例如环烯烃(共)聚合物)中均匀地分散量子点荧光体。另外,实施方式1的包含量子点荧光体的组合物中,可以优选以超过0.1质量%低于15质量%、更优选超过1质量%低于10质量%的浓度范围在环烯烃(共)聚合物中均匀地分散量子点荧光体。量子点荧光体的浓度低于0.01质量%的情况下,作为发光元件用的量子点荧光体分散树脂成型体,无法得到充分的发光强度,不优选。另一方面,量子点荧光体的浓度超过20质量%的情况下,量子点荧光体可能发生凝聚,无法得到量子点荧光体均匀地分散的量子点荧光体分散树脂成型体,不优选。
[量子点荧光体的制备方法]
对于实施方式1中使用的量子点荧光体,所期望的化合物半导体的纳米结晶为使用所得的金属前体制造纳米结晶后,接着将其进一步分散在有机溶剂中。并且,通过将纳米结晶以规定的反应性化合物(壳部分的化合物)进行处理,由此可以制备具有在无机荧光体的表面配位有烃基的结构的量子点荧光体。处理方法没有特别限定,例如可以列举使纳米结晶的分散液在反应性化合物的存在下进行回流的方法。另外,作为量子点荧光体的制造方法,例如可以使用日本特开2006-199963号公报中公开的方法。
实施方式1中使用的量子点荧光体中,构成被覆无机荧光体(核部)表面的有机惰性层的烃基的量没有特别限定,相对于无机荧光体1粒子(核),烃基的烃链通常为2~500摩尔的范围,优选10~400摩尔的范围,更优选20~300摩尔的范围。在烃链低于2摩尔的情况下,无法赋予作为有机惰性层的功能,例如荧光体粒子容易发生凝聚。另一方面,烃链超过500摩尔的情况下,不仅来自核部的发光强度降低,而且存在无法配位于无机荧光体的过量的烷基,因此存在容易引起液状包封树脂的性能降低的倾向。另外,量子点荧光体的成本上升。
另外,实施方式1涉及的量子点荧光体分散树脂成型体可以是将包含量子点荧光体的组合物成型为成型物来制造。该成型物吸收由光源照射的光的至少一部分,从成型物中所包含的量子点荧光体发出2次光,作为成型物有效地发挥作用。作为包含量子点荧光体的组合物的成型方法,例如有将该组合物在基材上涂布或者填充于模具之后,在上述惰性气体气氛下加热干燥,由此除去溶剂,根据需要从基材或模具进行剥离的方法等。另外,含有量子点荧光体的组合物也可以作为包封LED芯片的包封材料来使用。
作为量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法,例如可以列举具备以下步骤的方法:制备在溶剂中溶解有环烯烃系(共)聚合物的溶液的步骤、在上述溶液中以所得的成型体中的量子点荧光体的浓度为0.01~20质量%的范围的方式分散量子点荧光体,接着进行混炼,由此制造包含量子点荧光体的组合物的步骤、和将上述含有量子点荧光体的组合物在基材上涂布或者填充于模具,进行加热干燥的步骤。溶剂和分散介质如上所述。
通过上述加热干燥等来制造量子点荧光体分散树脂成型体,或者进一步在之后进行加压成型,由此可以制造树脂透镜、树脂板和树脂膜等。
图2表示在包封材料的至少一部分使用实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物的发光装置的例子的截面图。图2中,发光装置100包括LED芯片10、引线电极12、杯14、包封材料16、17而构成。根据需要,在发光装置100的上部配置树脂透镜20。杯14可以由适当的树脂或陶瓷形成。另外,LED芯片10没有特别限定,可以使用与量子点荧光体相协作构成适当波长的光源的发光二极管。另外,包封材料16可以使用包含分散有量子点荧光体18的量子点荧光体的组合物来形成。由此,例如可以使用来自LED芯片10的发光,形成由包封材料16发出白色光的白色光源等。另外,包封材料17包封LED、引线等。这些包封材料16和包封材料17可以如下制造:在惰性气体(例如氩气)气氛下,首先在杯14内以规定量注入树脂(例如环氧树脂、硅酮树脂)等,通过公知的方法进行固化,形成包封材料17,然后在包封材料17上注入含有量子点荧光体的组合物,进行加热干燥,由此形成包封材料16。
另外,在杯14中收容的包封材料16的上方配置由上述量子点荧光体分散树脂成型体形成的透镜状的树脂(树脂透镜20)、或者至少其一部分具有凸状部的膜或具有均匀膜厚的膜,可以形成从树脂透镜20放射光的构成。这种情况下,包封材料16中可以不分散量子点荧光体18。应予说明,将包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的包封材料的至少一部分的情况下,该包封材料16的厚度优选为0.01mm以上且低于0.4mm。该包封材料16的厚度超过0.4mm的情况下,虽然也取决于杯14的凹部内的深度,但将该包封材料16包封于杯14的凹部内时,与引线电极12连接的导线受到过大的负荷,不优选。另外,将包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的包封材料的至少一部分的情况下,若该包封材料16的厚度低于0.01mm,则作为包含荧光体的包封材料不充分。
包封材料16中未分散量子点荧光体18的情况下,优选配置由量子点荧光体分散树脂成型体形成的透镜状的树脂20(树脂透镜20)。
图3表示使用实施方式1涉及的量子点荧光体分散树脂成型体而得的发光装置的例子的截面图。图3是在包封材料中未使用实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物的发光装置的例子。这种情况下,对于透镜状的树脂(树脂透镜20),将量子点荧光体18以0.01~20质量%的浓度范围分散于环烯烃(共)聚合物而得的组合物成型,由成型得到的量子点荧光体分散树脂成型体来形成。
图4表示使用实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物和量子点荧光体分散树脂成型体而得的发光装置的例子的截面图。图4是,将实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物用于包封材料的一部分,在其上部配置由量子点荧光体分散树脂成型体形成的树脂透镜20的发光装置的例子。在这种情况下,对于所有的树脂,将量子点荧光体18以0.01~20质量%的浓度范围分散于环烯烃(共)聚合物而形成。
另外,图2、图3和图4所示的发光装置可以抑制量子点荧光体的消光,作为发光装置可以维持稳定的运转,因此组装了这种发光装置的便携电话、电视机、显示器、仪表盘类等的电子仪器、组装了该电子仪器的汽车、电脑、游戏机等的机械装置类可以长时间稳定地运行。
[实施方式2]
图5表示实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的一个例子的截面图。图5中,包含量子点荧光体的结构物的构成包含:将量子点荧光体18在分散用树脂中以浓度0.01~20质量%的范围分散的量子点荧光体分散树脂成型体22,和被覆量子点荧光体分散树脂成型体22的整个面、降低氧等对于量子点荧光体分散树脂成型体22的透过的阻气层(保护片)24。应予说明,其他的实施方式中,阻气层24可以被覆量子点荧光体分散树脂成型体22的表面的一部分而构成(参照图6、7)。另外,从除了氧之外、还可以降低水蒸气的透过的观点考虑,阻气层24优选由多层结构体(W)构成。
在此,阻气层24是指,在包含量子点荧光体的结构物的附近发光二极管(LED)连续发光2000小时的情况下,可以以量子点荧光体18的分光辐射能量可以维持在初期值的80.0%以上的程度保护量子点荧光体18免受氧等影响的层。另外,作为本发明的电子设备,连续发光2000小时的情况下,量子点荧光体18的分光辐射能量优选维持在初期值的85.0%以上,更优选为89.0%以上,进一步优选为90.0%以上。应予说明,上述分光辐射能量为量子点荧光体的荧光波长的辐射能量。分光辐射能量例如可以使用大塚电子制量子效率测定装置QE-1000进行测定。
构成上述量子点荧光体分散树脂成型体22的分散用树脂中例如可以使用实施方式1中说明的环烯烃(共)聚合物。另外,作为量子点荧光体分散树脂成型体22的制造方法,可以适用实施方式1中说明的量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。
应予说明,以上的构成量子点荧光体分散树脂成型体22和阻气层24的本发明的多层结构体(W)都具有光透过性,在发光二极管产生的光可以透过到量子点荧光体18、以及在量子点荧光体18波长发生转换的光可以透过到量子点荧光体分散树脂成型体22的外部。
图6表示应用实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物而得的发光装置的一个例子的截面图。图6中,发光装置100包含LED芯片10、引线电极12、杯14、分散有量子点荧光体18的包封材料16、未分散量子点荧光体18的包封材料17以及阻气层24而构成。图6的例子中,作为杯14的盖子,使用上述阻气层24。另外,对于包封材料16,由包含实施方式1中说明的量子点荧光体的组合物成型而得的上述量子点荧光体分散树脂成型体22构成。上述包封材料16和包封材料17可以使用与图1的情况相同的材料。这些构成要素之中,量子点荧光体18、量子点荧光体分散树脂成型体22、阻气层24如上所述。LED芯片10没有特别限定,可以使用与量子点荧光体相协作构成适当波长的光源的发光二极管。另外,杯14可以由适当的树脂或陶瓷形成。另外,包封材料17包封LED芯片10、引线电极12等。
图7表示应用实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物而得的发光装置的其他的例子的截面图,与图6相同的要素标注相同的符号。图7的例子中,杯14的表面(包括图6的盖的部分)和露出到杯14的外部的引线电极12的表面被阻气层24被覆。应予说明,引线电极12的表面的一部分未被阻气层24被覆而露出。这是为了例如在与组装基板上的电源供给通路之间取得电联通。本例子中,阻气层24被覆包封材料16的图中的上面。由此,可以避免或降低氧等渗透到分散在包封材料16中的量子点荧光体18。另外,来自LED芯片10的光的一部分在分散于包封材料16中的量子点荧光体18处转换为其他波长的光之后,与来自LED芯片10的光混合,透过阻气层24而取出到外部。
图6所示的构成中,杯14的盖由阻气层24形成,被覆包封材料16的图中的上面。由此,可以避免或降低氧等渗透到分散在包封材料16中的量子点荧光体18。
另外,以上所述的量子点荧光体分散树脂组合物或其成型体或包含量子点荧光体的结构物例如可以适用于植物培育用照明、有色照明、白色照明、LED背光光源、加入荧光体的液晶滤光器、含有荧光体的树脂板、毛发修复机器用光源、通信用光源等。
[多层结构体(W)]
本发明的包含量子点荧光体的电子设备中使用的多层结构体(W)包括基材(X)和含铝的层(Y)。层(Y)包含含有铝的化合物(A)(以下也简称为“化合物(A)”)和磷化合物(B)的反应产物(D)。
[基材(X)]
基材(X)的材质没有特别限定,可以使用由各种材质制成的基材。作为基材(X)的材质,例如可以列举热塑性树脂、热固性树脂等的树脂;木材;玻璃等。它们之中,优选为热塑性树脂。基材(X)的形态没有特别限定,可以为膜或片等的层状。作为基材(X),优选含有热塑性树脂膜的基材,更优选热塑性树脂膜。
作为基材(X)中所使用的热塑性树脂,例如可以列举聚乙烯、聚丙烯等的聚烯烃系树脂;聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯或者它们的共聚物等的聚酯系树脂;尼龙-6、尼龙-66、尼龙-12等的聚酰胺系树脂;聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物等的含羟基的聚合物;聚苯乙烯;聚(甲基)丙烯酸酯;聚丙烯腈;聚乙酸乙烯酯;聚碳酸酯;聚芳酯;再生纤维素;聚酰亚胺;聚醚酰亚胺;聚砜;聚醚砜;聚醚醚酮;离聚物树脂等。作为基材(X)的材料,优选为选自聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、尼龙-6和尼龙-66中的至少一种的热塑性树脂。
将由热塑性树脂制成的膜用作基材(X)的情况下,基材(X)可以是拉伸膜,也可以是无拉伸膜。从所得的多层结构体的加工适应性(印刷、叠层等)优异的观点考虑,优选为拉伸膜、特别是双轴拉伸膜。双轴拉伸膜可以是通过同时双轴拉伸法、顺次双轴拉伸法和管状拉伸法的任一种的方法制造的双轴拉伸膜。
基材(X)为层状的情况下,对于其厚度,从所得的多层结构体的机械强度和加工性良好的观点考虑,优选1~1000μm,更优选为5~500μm,进一步优选为9~200μm。
[层(Y)]
层(Y)包含化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)。化合物(A)是含有铝的化合物。磷化合物(B)具有含磷原子的官能团。磷化合物(B)是无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO)。对于化合物(A)、磷化合物(B),在以下说明。
[化合物(A)]
化合物(A)优选为含有铝的金属氧化物(Aa)(以下也简称为“金属氧化物(Aa)”)。
[含有铝的金属氧化物(Aa)]
含有铝的金属氧化物(Aa)通常以粒子的形态与磷化合物(B)(优选的是无机磷化合物(BI))反应。
构成含有铝的金属氧化物(Aa)的金属原子(有时将它们通称为“金属原子(M)”)可以是选自属于元素周期表的2~14族的金属原子中的至少一种的金属原子,至少含有铝。金属原子(M)可以是铝单独,也可以含有铝和除此之外的金属原子。应予说明,作为金属氧化物(Aa),可以并用2种以上的金属氧化物(Aa)。
铝在金属原子(M)中所占的比例通常为50摩尔%以上,可以为60~100摩尔%,也可以为80~100摩尔%。金属氧化物(Aa)的例子中,包括通过液相合成法、气相合成法、固体粉碎法等的方法而制造的金属氧化物。
金属氧化物(Aa)可以是包含键合有可水解的特征基团的金属原子(M)的化合物(E)的水解缩合物。该特征基团的例子中,包括后述的通式[I]的R1。化合物(E)的水解缩合物实质上可以看作金属氧化物。因此,本说明书中,化合物(E)的水解缩合物有时也称为“金属氧化物(Aa)”。即,本说明书中,“金属氧化物(Aa)”可以替换理解为“化合物(E)的水解缩合物”,另外,“化合物(E)的水解缩合物”可以替换理解为“金属氧化物(Aa)”。
[包含键合有可水解的特征基团的金属原子(M)的化合物(E)]
从与无机磷化合物(BI)的反应的控制变得容易、所得的多层结构体的阻气性优异的观点考虑,化合物(E)优选含有至少一种下述通式[I]所示的化合物(Ea)。
Al(R1)k(R2)3-k [I]
式中,R1为卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、NO3、可具有取代基的碳原子数1~9的烷氧基、可具有取代基的碳原子数2~9的酰氧基、可具有取代基的碳原子数3~9的烯基氧基、可具有取代基的碳原子数5~15的β-二酮基、或者具有可具有取代基的碳原子数1~9的酰基的二酰基甲基。R2为可具有取代基的碳原子数1~9的烷基、可具有取代基的碳原子数7~10的芳基烷基、可具有取代基的碳原子数2~9的烯基、或者可具有取代基的碳原子数6~10的芳基。K为1~3的整数。R1存在多个的情况下,R1彼此可以相同也可以不同。R2存在多个的情况下,R2彼此可以相同也可以不同。
对于化合物(E),除化合物(Ea)之外,还可以包括至少1种下述通式[II]所示的化合物(Eb)。
M1(R3)m(R4)n-m [II]
式中,M1是除铝原子以外的金属原子,是选自属于元素周期表的2~14族的金属原子中的至少一种的金属原子。R3是卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、NO3、可具有取代基的碳原子数1~9的烷氧基、可具有取代基的碳原子数2~9的酰氧基、可具有取代基的碳原子数3~9的烯基氧基、可具有取代基的碳原子数5~15的β-二酮基、或者具有可具有取代基的碳原子数1~9的酰基的二酰基甲基。R4是可具有取代基的碳原子数1~9的烷基、可具有取代基的碳原子数7~10的芳基烷基、可具有取代基的碳原子数2~9的烯基、或者可具有取代基的碳原子数6~10的芳基。m为1~n的整数。n与M1的原子价相等。R3存在多个的情况下,R3彼此可以相同也可以不同。R4存在多个的情况下,R4彼此可以相同也可以不同。
作为R1的R3的烷氧基,例如可以列举甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、苄氧基、二苯基甲氧基、三甲苯基氧基、4-甲氧基苄氧基、甲氧基甲氧基、1-乙氧基乙氧基、苄基氧基甲氧基、2-三甲基甲硅烷基乙氧基、2-三甲基甲硅烷基乙氧基甲氧基、苯氧基、4-甲氧基苯氧基等。
作为R1和R3的酰氧基,例如可以列举乙酰氧基、乙基羰基氧基、正丙基羰基氧基、异丙基羰基氧基、正丁基羰基氧基、异丁基羰基氧基、仲丁基羰基氧基、叔丁基羰基氧基、正辛基羰基氧基等。
作为R1和R3的烯基氧基,例如可以列举烯丙基氧基、2-丙烯基氧基、2-丁烯基氧基、1-甲基-2-丙烯基氧基、3-丁烯基氧基、2-甲基-2-丙烯基氧基、2-戊烯基氧基、3-戊烯基氧基、4-戊烯基氧基、1-甲基-3-丁烯基氧基、1,2-二甲基-2-丙烯基氧基、1,1-二甲基-2-丙烯基氧基、2-甲基-2-丁烯基氧基、3-甲基-2-丁烯基氧基、2-甲基-3-丁烯基氧基、3-甲基-3-丁烯基氧基、1-乙烯基-2-丙烯基氧基、5-己烯基氧基等。
作为R1和R3的β-二酮基,例如可以列举2,4-戊二酮基、1,1,1-三氟-2,4-戊二酮基、1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮基、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮基、1,3-丁二酮基、2-甲基-1,3-丁二酮基、2-甲基-1,3-丁二酮基、苯甲酰基丙酮基等。
作为R1和R3的二酰基甲基的酰基,例如可以列举甲酰基、乙酰基、丙酰基(丙酰基)、丁酰基(丁酰基)、戊酰基(戊酰基)、己酰基等的碳原子数1~6的脂肪族酰基;苯甲酰基、甲苯酰基等的芳香族酰基(芳酰基)等。
作为R2和R4的烷基,例如可以列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、异己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1,2-二甲基丁基、环丙基、环戊基、环己基等。
作为R2和R4的芳基烷基,例如可以列举苄基、苯基乙基(苯乙基)等。
作为R2和R4的烯基,例如可以列举乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、3-丁烯基、2-丁烯基、1-丁烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-乙基-1-乙烯基、2-甲基-2-丙烯基、2-甲基-1-丙烯基、3-甲基-2-丁烯基、4-戊烯基等。
作为R2和R4的芳基,例如可以列举苯基、1-萘基、2-萘基等。
作为R1、R2、R3和R4中的取代基,例如可以列举碳原子数1~6的烷基;甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊基氧基、异戊基氧基、正己基氧基、环丙基氧基、环丁基氧基、环戊基氧基、环己基氧基等的碳原子数1~6的烷氧基;甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、异丙氧基羰基、正丁氧基羰基、异丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊基氧基羰基、异戊基氧基羰基、环丙基氧基羰基、环丁基氧基羰基、环戊基氧基羰基等的碳原子数1~6的烷氧基羰基;苯基、甲苯基、萘基等的芳香族烃基;氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的卤素原子;碳原子数1~6的酰基;碳原子数7~10的芳基烷基;碳原子数7~10的芳基烷基氧基;碳原子数1~6的烷基氨基;具有碳原子数1~6的烷基的二烷基氨基。
作为R1和R3,优选为卤素原子、NO3、可具有取代基的碳原子数1~6的烷氧基、可具有取代基的碳原子数2~6的酰氧基、可具有取代基的碳原子数5~10的β-二酮基、或者具有可具有取代基的碳原子数1~6的酰基的二酰基甲基,更优选为可具有取代基的碳原子数1~6的烷氧基。
作为R2和R4,优选为可具有取代基的碳原子数1~6的烷基。式[I]的k优选为3。
作为M1,优选为属于元素周期表的第4族的金属原子,更优选为钛、锆。M1是属于元素周期表的第4族的金属原子的情况下,式[II]的m优选为4。
应予说明,硼和硅有时被分类为半金属,但在本说明书中,它们包括在金属中。
作为化合物(Ea),例如可以列举氯化铝、硝酸铝、乙酸铝、三(2,4-戊二酮)铝、三甲氧基铝、三乙氧基铝、三正丙氧基铝、三异丙氧基铝、三正丁氧基铝、三仲丁氧基铝、三叔丁氧基铝等,其中,优选为三异丙氧基铝和三仲丁氧基铝。作为化合物(E),可以并用2种以上的化合物(Ea)。
作为化合物(Eb),例如可以列举四(2,4-戊二酮)钛、四甲氧基钛、四乙氧基钛、四异丙氧基钛、四正丁氧基钛、四(2-乙基己氧基)钛等的钛化合物;四(2,4-戊二酮)锆、四正丙氧基锆、四正丁氧基锆等的锆化合物等。它们之中,可以单独使用1种,也可以并用2种以上的化合物(Eb)。
化合物(E)中,只要可以得到本发明的效果,化合物(Ea)在化合物(E)中所占的比例没有特别限定。化合物(Ea)以外的化合物(例如化合物(Eb))在化合物(E)中所占的比例例如优选20摩尔%以下,更优选为10摩尔%以下,进一步优选为5摩尔%以下,还可以是0摩尔%。
化合物(E)通过水解,化合物(E)所具有的可水解的特征基团的至少一部分转换为羟基。进一步地,该水解物发生缩合,由此形成金属原子(M)经由氧原子(O)而键合的化合物。若重复该缩合,则形成实质上可视为金属氧化物的化合物。应予说明,在这样形成的金属氧化物(Aa)的表面通常存在羟基。
本说明书中,在金属氧化物(Aa)中含有[仅与金属原子(M)键合的氧原子(O)的摩尔数]/[金属原子(M)的摩尔数]之比为0.8以上的化合物。在此,仅与金属原子(M)键合的氧原子(O)是M-O-M所示的结构中的氧原子(O),如M-O-H所示的结构中的氧原子(O)那样与金属原子(M)和氢原子(H)键合的氧原子被排除在外。金属氧化物(Aa)中的上述比优选为0.9以上,更优选为1.0以上,进一步优选为1.1以上。该比的上限没有特别限定,若使金属原子(M)的原子价为n,则通常用n/2表示。
为了发生上述水解缩合,重要的是化合物(E)具有可水解的特征基团。在没有键合这些基团的情况下,不发生水解缩合反应,或者反应极其缓慢,因此,难以制备作为目标的金属氧化物(Aa)。
化合物(E)的水解缩合物例如可以通过公知的溶胶凝胶法中所采用的方法由特定的原料来制造。该原料中,可以使用选自化合物(E)、化合物(E)的部分水解物、化合物(E)的完全水解物、化合物(E)部分水解缩合而得的化合物和化合物(E)的完全水解物的一部分缩合而得的化合物中的至少一种。
供于与无机磷化合物(BI)含有物(无机磷化合物(BI)或者含有无机磷化合物(BI)的组合物)混合的金属氧化物(Aa)优选为基本上不含有磷原子。
[磷化合物(B)]
磷化合物(B)具有含磷原子的官能团。磷化合物(B)为无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO),优选为无机磷化合物(BI)。
[无机磷化合物(BI)]
无机磷化合物(BI)含有可与金属氧化物(Aa)反应的部位,典型的是,含有多个这种部位。作为无机磷化合物(BI),优选为含有2~20个这种部位(原子团或官能团)的化合物。这种部位的例子中,包括可与金属氧化物(Aa)的表面存在的官能团(例如羟基)发生缩合反应的部位。作为这种部位,例如可以列举直接与磷原子键合的卤素原子、直接与磷原子键合的氧原子等。在金属氧化物(Aa)的表面存在的官能团(例如羟基)通常与构成金属氧化物(Aa)的金属原子(M)键合
作为无机磷化合物(BI),例如可以列举磷酸、二磷酸、三磷酸、4分子以上的磷酸发生缩合而得的聚磷酸、亚磷酸、膦酸、亚膦酸、次磷酸、次亚磷酸等的磷的含氧酸和它们的盐(例如磷酸钠)、以及它们的衍生物(例如卤化物(例如三氯氧磷)、脱水物(例如五氧化二磷))等。
这些无机磷化合物(BI)可以单独使用1种,也可以将2种以上并用。优选的是,这些无机磷化合物(BI)之中,单独使用磷酸,或者将磷酸与除此之外的无机磷化合物(BI)并用。通过使用磷酸,后述的涂布液(S)的稳定性和所得的多层结构体(W)的阻气性得以提高。将磷酸和除此之外的无机磷化合物(BI)并用的情况下,优选无机磷化合物(BI)的50摩尔%以上为磷酸。
[有机磷化合物(BO)]
作为有机磷化合物(BO)所具有的含有磷原子的官能团,例如可以列举磷酸基、亚磷酸基、膦酸基、亚膦酸基、次磷酸基、次亚磷酸基和由它们衍生的官能团(例如盐、(部分)酯化合物、卤化物(例如氯化物)、脱水物)等,其中,优选为磷酸基和膦酸基,更优选为膦酸基。
优选的是,有机磷化合物(BO)是具有上述含有磷原子的官能团的聚合物(BOa)。作为该聚合物(BOa),例如可以列举丙烯酸6-[(2-膦乙酰基)氧基]己酯、甲基丙烯酸2-膦酰基氧基乙酯、甲基丙烯酸膦酰基甲酯、甲基丙烯酸11-膦酰基十一烷基酯、甲基丙烯酸1,1-二膦酰基乙酯等的膦酰基(甲基)丙烯酸酯类的聚合物;乙烯基膦酸、2-丙烯-1-膦酸、4-乙烯基苄基膦酸、4-乙烯基苯基膦酸等的乙烯基膦酸类的聚合物;乙烯基次磷酸、4-乙烯基苄基次磷酸等的乙烯基次磷酸类的聚合物;磷酸化淀粉等。聚合物(BOa)可以是至少一种的具有含有磷原子的官能团的单体的均聚物,可以是2种以上的单体的共聚物。另外,作为聚合物(BOa),还可以并用2种以上的由单一的单体形成的聚合物。其中,优选为膦酰基(甲基)丙烯酸酯类的聚合物和乙烯基膦酸类的聚合物,更优选为乙烯基膦酸类的聚合物。即,作为聚合物(BOa),优选为聚(乙烯基膦酸)。另外,聚合物(BOa)还可以通过将乙烯基膦酸卤化物或乙烯基膦酸酯等的乙烯基膦酸衍生物进行均聚或共聚后、进行水解,由此来得到。
另外,上述聚合物(BOa)还可以是至少一种的具有含有磷原子的官能团的单体和其他乙烯基单体的共聚物。作为可以与具有含有磷原子的官能团的单体共聚的其他乙烯基单体,例如可以列举(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯类、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、核取代的苯乙烯类、烷基乙烯基醚类、烷基乙烯基酯类、全氟烷基乙烯基醚类、全氟烷基乙烯基酯类、马来酸、马来酸酐、富马酸、衣康酸、马来酰亚胺、苯基马来酰亚胺等,其中,优选为(甲基)丙烯酸酯类、丙烯腈、苯乙烯、马来酰亚胺和苯基马来酰亚胺。
为了得到具有更为优异的耐弯曲性的多层结构体,来自具有含有磷原子的官能团的单体的结构单元在聚合物(BOa)的全部结构单元中所占的比例优选为10摩尔%以上,更优选为20摩尔%以上,进一步优选为40摩尔%以上,特别优选为70摩尔%以上,可以为100摩尔%。
上述聚合物(BOa)的分子量没有特别限定,优选数均分子量为1000~100000的范围。若数均分子量为该范围,则可以以高水准兼顾层叠层(Y)而产生的耐弯曲性的改善效果和后述的使用涂布液(T)的情况中的涂布液(T)的粘度稳定性。
多层结构体(W)的层(Y)中,含有无机磷化合物(BI)的情况下,层(Y)中的无机磷化合物(BI)的质量WBI和有机磷化合物(BO)的质量WBO之比WBO/WBI优选满足0.01/99.99≦WBO/WBI<6.00/94.00的关系,从阻挡性能优异的观点考虑,更优选满足0.10/99.90≦WBO/WBI<4.50/95.50的关系,进一步优选满足0.20/99.80≦WBO/WBI<4.00/96.00的关系,特别优选满足0.50/99.50≦WBO/WBI<3.50/96.50的关系。即,优选的是,WBO为0.01以上且低于6.00的微量,与此相对,WBI以超过94.00且99.99以下的多量来使用。应予说明,层(Y)中,无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO)进行反应的情况下,构成反应产物的无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO)的部分被视为无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO)。这种情况下,用于形成反应产物的无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO)的质量(反应前的无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO)的质量)包括在层(Y)中的无机磷化合物(BI)和/或有机磷化合物(BO)的质量之中。
[反应产物(D)]
反应产物(D)是通过含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应得到的。通过含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)以及进一步其他的化合物发生反应而生成的化合物也包括在反应产物(D)之中。作为反应产物(D),优选为含有铝的金属氧化物(Aa)和磷化合物(B)反应而成的反应产物(Da)、含有铝的化合物(A)和无机磷化合物(BI)反应而成的反应产物(Db)、含有铝的金属氧化物(Aa)和无机磷化合物(BI)反应而成的反应产物(Dc),更优选为含有铝的金属氧化物(Aa)和无机磷化合物(BI)反应而成的反应产物(Dc)。
层(Y)的红外线吸收光谱中,优选800~1400cm-1区域中的最大吸收波数在1080~1130cm-1的范围。在金属氧化物(Aa)和无机磷化合物(BI)反应形成反应产物(D)的过程中,来自金属氧化物(Aa)的金属原子(M)和来自无机磷化合物(BI)的磷原子(P)经由氧原子(O)形成M-O-P所示的键。结果,反应产物(D)的红外线吸收光谱中,产生来自于该键的特征吸收带。本发明人经过研究,结果得知,基于M-O-P的键的特征吸收带在1080~1130cm-1区域可见的情况下,得到的多层结构体表现出优异的阻气性。特别是得知,对于该特征吸收带,通常来自于各种原子和氧原子的键的吸收在可见的800~1400cm-1区域是最强的吸收的情况下,得到的多层结构体进一步表现出优异的阻气性。
与此相对,将金属醇盐或者金属盐等的金属化合物和无机磷化合物(BI)预先混合后进行水解缩合的情况下,得到来自于金属化合物的金属原子和来自于无机磷化合物(BI)的磷原子大体上均匀地混合、发生反应而得的复合物。这种情况下,红外线吸收光谱中,800~1400cm-1区域中的最大吸收波数脱离1080~1130cm-1的范围。
层(Y)的红外线吸收光谱中,800~1400cm-1区域中的最大吸收带的半峰宽,从所得的多层结构体的阻气性的观点考虑,优选为200cm-1以下,更优选为150cm-1以下,进一步优选为100cm-1以下,特别优选为50cm-1以下。
层(Y)的红外线吸收光谱可以用实施例中记载的方法进行测定。但是,用实施例中记载的方法无法测定的情况下,可以通过反射吸收法、外部反射法、衰减全反射法等的反射测定;从多层结构体刮取层(Y)、利用石蜡糊法、片剂法等的透过测定这样的方法进行测定,但不限定于此。
另外,层(Y)可以部分包含未参与反应的金属氧化物(Aa)和/或无机磷化合物(BI)。
层(Y)中,构成金属氧化物(Aa)的金属原子和来自于无机磷化合物(BI)的磷原子的摩尔比优选为[构成金属氧化物(Aa)的金属原子]:[来自于无机磷化合物(BI)的磷原子]=1.0:1.0~3.6:1.0的范围,更优选为1.1:1.0~3.0:1.0的范围。该范围外的情况下,阻气性能降低。层(Y)中的该摩尔比可以通过用于形成层(Y)的涂布液中的金属氧化物(Aa)和无机磷化合物(BI)的混合比率来调整。层(Y)中的该摩尔比通常与涂布液中的比例相同。
反应产物(D)的平均粒径为5nm以上且50nm以下。平均粒径的上限优选为40nm以下,进一步优选为35nm以下。平均粒径的下限优选为15nm以上,更优选为20nm以上。作为反应产物(D)的平均粒径,更优选为15nm以上且40nm以下,进一步优选为20nm以上且35nm以下。在粒径低于5nm的情况下,存在湿热后阻挡性能降低的情况。另外,当粒径超过50nm时,无法得到充分的阻挡性能,总光线透过率或者雾度降低。反应产物(D)的平均粒径的测定方法如后述的实施例所述。
反应产物(D)的平均粒径可以通过改变反应中使用的溶液的浓度、涂布液的粘度、温度条件(反应温度、干燥温度、热处理温度等)、化合物(A)和磷化合物(B)的混合比率(铝原子和磷原子的摩尔比等)等、或者将它们适当组合,进行控制。
另外,层(Y)的前体层的反应产物(D)前体的平均粒径优选低于5nm,从即使在更严苛的蒸煮处理后也表现出优异的阻挡性能的观点考虑,更优选低于4nm,进一步优选低于3nm。通过使干燥处理后的层(Y)的前体层的反应产物(D)前体的平均粒径为上述范围,所得的层(Y)中的反应产物(D)的平均粒径减小,可以得到更为优异的阻挡性能。另外,反应产物(D)前体的平均粒径的下限没有特别限定,例如可以是0.1nm以上,也可以是1nm以上。应予说明,反应产物(D)前体的平均粒径的测定方法如后述的实施例中所述。
[层(Z)]
多层结构体(W)可以进一步含有层(Z)。层(Z)包含具有含磷原子的官能团的聚合物(BOa)。层(Z)优选为与层(Y)相邻而配置。即,优选的是,层(Z)和层(Y)以彼此接触的方式配置。另外,层(Z)优选夹持着层(Y)而配置在基材(X)的相反侧(优选相反侧的表面)。换而言之,优选按照基材(X)/层(Y)/层(Z)的顺序配置。优选的一个例子中,层(Z)夹持着层(Y)配置于基材(X)的相反侧(优选相反侧的表面)、且与层(Y)相邻而配置。层(Z)可以进一步包含含有选自羰基、羟基、羧基、酸酐基和羧基的盐中的至少1种的官能团的聚合物(F)。层(Z)中的聚合物(BOa)的种类、数量等可以使用与层(Y)相同的情况。
层(Z)可以仅由聚合物(BOa)构成,也可以仅由聚合物(BOa)和聚合物(F)构成,可以进一步包含其他成分。作为层(Z)中所含的其他成分,例如可以列举碳酸盐、盐酸盐、硝酸盐、碳酸氢盐、硫酸盐、硫酸氢盐、硼酸盐等的无机酸金属盐;乙酸盐、硬脂酸盐、草酸盐、酒石酸盐等的有机酸金属盐;环戊二烯基金属络合物(例如二茂钛)、氰根金属络合物(例如普鲁士蓝)等的金属络合物;层状粘土化合物;交联剂;除聚合物(BOa)和聚合物(F)以外的高分子化合物:增塑剂;抗氧化剂;紫外线吸收剂;阻燃剂等。层(Z)中的上述其他成分的含有率优选为50质量%以下,更优选为20质量%以下,进一步优选为10质量%以下,特别优选为5质量%以下,可以为0质量%(不含有其他成分)。层(Z)可以不含有含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)中的至少1个。典型的是,层(Z)至少不含有金属氧化物(Aa)。
[无机蒸镀层、化合物(Ac)、化合物(Ad)]
多层结构体(W)可以进一步包含无机蒸镀层。无机蒸镀层可以通过蒸镀无机物来形成。作为无机物,例如可以列举金属(例如铝)、金属氧化物(例如氧化硅、氧化铝)、金属氮化物(例如氮化硅)、金属氮氧化物(例如氮氧化硅)、或者金属碳氮化物(例如碳氮化硅)等。它们之中,用氧化铝、氧化硅、氧化镁或者氮化硅形成的无机蒸镀层从对于氧或者水蒸气的阻挡性优异的观点来看,是优选的。本发明的多层结构体(W)中的层(Y)可以包含含有铝的无机蒸镀层。例如层(Y)可以包含铝的蒸镀层(Ac)和/或氧化铝的蒸镀层(Ad)。
无机蒸镀层的形成方法没有特别限定,可以使用真空蒸镀法(例如电阻加热蒸镀、电子束蒸镀、分子束外延法等)、溅射法、离子镀敷法等的物理气相沉积法、热化学气相沉积法(例如催化化学气相沉积法)、光化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法(例如容性耦合等离子体、感应耦合等离子体、表面波等离子体、电子回旋共振、双磁控、原子层沉积法等),可以使用有机金属气相沉积法等的化学气相沉积法。
无机蒸镀层的厚度根据构成无机蒸镀层的成分的种类而不同,优选为0.002~0.5μm,更优选为0.005~0.2μm,进一步优选为0.01~0.1μm。该范围的情况下,选择多层结构体的阻挡性或者机械物性良好的厚度即可。若无机蒸镀层的厚度低于0.002μm,则无机蒸镀层对于氧或者水蒸气的阻挡性表现存在重现性降低的倾向,另外,还存在无机蒸镀层不能表现出充分的阻挡性的情况。另外,若无机蒸镀层的厚度超过0.5μm,则在将多层结构体或拉伸或弯曲的情况下,存在无机蒸镀层的阻挡性容易降低的倾向。
本发明的多层结构体(W)中所包含的层(Y)可以仅由含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)来构成;还可以仅由含有铝的金属氧化物(Aa)和磷化合物(B)反应而成的反应产物(Da)来构成;还可以仅由含有铝的化合物(A)和无机磷化合物(BI)反应而成的反应产物(Db)来构成;还可以仅由含有铝的金属氧化物(Aa)和无机磷化合物(BI)反应而成的反应产物(Dc)来构成。另外,在上述任一种的方案中,层(Y)可以进一步含有其他成分。作为其他成分,例如可以列举碳酸盐、盐酸盐、硝酸盐、碳酸氢盐、硫酸盐、硫酸氢盐、硼酸盐等的无机酸金属盐;草酸盐、乙酸盐、酒石酸盐、硬脂酸盐等的有机酸金属盐;环戊二烯基金属络合物(例如二茂钛)、氰根金属络合物(例如普鲁士蓝)等的金属络合物;层状粘土化合物;交联剂;除有机磷化合物(BO)以外的聚合物(F);增塑剂;抗氧化剂;紫外线吸收剂;阻燃剂等。多层结构体中的层(Y)中的上述其他成分的含有率优选为50质量%以下,更优选为20质量%以下,进一步优选为10质量%以下,特别优选为5质量%以下,还可以为0质量%(不包含其他成分)。
[聚合物(F)]
聚合物(F)例如可以是具有选自醚键、羰基、羟基、羧基、酸酐基和羧基的盐中的至少一种的官能团的聚合物(Fa)。
作为聚合物(Fa),例如可以列举聚乙二醇、聚环氧乙烷、聚丙二醇、聚环氧丙烷、聚氧乙烯聚氧丙二醇、聚四亚甲基醚二醇等的碳原子数2~4的具有亚烷基的聚亚烷基二醇系聚合物;聚酮;聚乙烯醇、含有1~50摩尔%的碳原子数4以下的α-烯烃单元的改性聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛(例如聚乙烯醇缩丁醛)等的聚乙烯醇系聚合物;纤维素、淀粉、环糊精等的多糖类;聚(甲基)丙烯酸羟基乙酯、聚(甲基)丙烯酸、乙烯-丙烯酸共聚物等的(甲基)丙烯酸系聚合物;乙烯-马来酸酐共聚物的水解物、苯乙烯-马来酸酐共聚物的水解物、异丁烯-马来酸酐交替共聚物的水解物等的马来酸系聚合物等。另一方面,为了得到具有高透明性的层(Y),优选至少不含有聚乙烯醇系聚合物。
聚合物(Fa)可以是具有聚合性基团的单体(例如乙酸乙烯酯、丙烯酸)的均聚物,也可以是2种以上的单体的共聚物,也可以是具有羟基和/或羧基的单体与不具有该基团的单体的共聚物。应予说明,作为聚合物(Fa),可以并用2种以上的聚合物(Fa)。
聚合物(Fa)的分子量没有特别限定,为得到具有更为优异的阻气性和机械强度的多层结构体,聚合物(Fa)的重均分子量优选为5000以上,更优选为8000以上,进一步优选为10000以上。聚合物(Fa)的重均分子量的上限没有特别限定,例如为1500000以下。
从良好地保持多层结构体的外观的观点考虑,层(Y)中的聚合物(Fa)的含有量以层(Y)的质量为基准(100质量%)计,优选为85质量%以下,更优选为50质量%以下,进一步优选为20质量%以下,特别优选为10质量%以下。聚合物(Fa)可以与层(Y)中的成分发生反应,也可以不发生反应。
层(Y)的厚度(多层结构体(W)具有2层以上的层(Y)的情况下各层(Y)的厚度的总计)优选为0.05~4.0μm,更优选为0.1~2.0μm。通过使层(Y)变薄,可以将印刷、叠层等的加工时的多层结构体的尺寸变化抑制得低。另外,为了增加多层结构体的柔软性,还可以使其力学特性与基材自身的力学特性相接近。本发明的多层结构体(W)具有2层以上的层(Y)的情况下,从阻气性的观点考虑,优选层(Y)的每1层的厚度为0.05μm以上。层(Y)的厚度可以通过用于形成层(Y)的后述的涂布液(S)的浓度或者其施涂方法来进行控制。
层(Y)的厚度可以通过利用扫描电子显微镜或透射电子显微镜观察多层结构体(W)的截面的来进行测定。
[多层结构体(W)的制造方法]
对于多层结构体(W)说明的事项可以适用于多层结构体(W)的制造方法,因此存在省略重复说明的情况。另外,对于多层结构体(W)的制造方法说明的事项可以适用于多层结构体(W)。
作为本发明的多层结构体(W)的制造方法,例如可以列举以下的制造方法,其包括:将包含含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和溶剂的涂布液(S)(第1涂布液)施涂于基材(X)上,形成包含反应产物(D)前体的层(Y)的前体层的步骤(I);和将层(Y)的前体层在140℃以上的温度下进行热处理,由此形成包含反应产物(D)的层(Y)的步骤(II)。另外,上述制造方法可以包括:在用于步骤(I)的涂布液(S)中可以含有有机磷化合物(BO)、或者在用于步骤(I)的涂布液(S)中不含有有机磷化合物(BO)的情况下,将含有有机磷化合物(BO)的涂布液(T)施涂于步骤(II)中得的层(Y)表面的步骤(I’)。应予说明,对于化合物(A)、无机磷化合物(BI)、有机磷化合物(BO)和它们的质量比,如上所述,因此在制造方法中,省略重复说明。
[步骤(I)]
步骤(I)中,将包含含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和溶剂的涂布液(S)(第1涂布液)施涂于基材(X)上,由此在基材(X)上形成包含反应产物(D)前体的层(Y)的前体层。涂布液(S)是通过将含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和溶剂混合而得到的。层(Y)包含铝的蒸镀层(Ac)或氧化铝的蒸镀层(Ad)的情况下,这些层可以通过上述通常的蒸镀法来形成。以下,作为合适的实施方式,利用使用金属氧化物(Aa)、无机磷化合物(BI)和溶剂的方式进行说明。
作为合适的实施方式,涂布液(S)可以通过将金属氧化物(Aa)、无机磷化合物(BI)和溶剂在溶剂中进行混合使其反应而制备。具体而言,涂布液(S)可以通过以下方法进行制备:将金属氧化物(Aa)的分散液和包含无机磷化合物(BI)的溶液混合的方法;在金属氧化物(Aa)的分散液中添加无机磷化合物(BI)、进行混合的方法等。它们的混合时的温度优选为50℃以下,更优选为30℃以下,进一步优选为20℃以下。涂布液(S)可以包含其他的化合物(例如聚合物(F)(优选排除聚乙烯醇系聚合物)),根据需要,可以含有选自乙酸、盐酸、硝酸、三氟乙酸和三氯乙酸中的至少一种的酸化合物(Q)。
对于金属氧化物(Aa)的分散液,例如按照公知的溶胶凝胶法中所采用的方法,例如将化合物(E)、水和根据需要的酸催化剂或有机溶剂混合、将化合物(E)进行缩合或水解缩合,由此可以制备。将化合物(E)进行缩合或水解缩合而得到金属氧化物(Aa)的分散液的情况下,根据需要,可以对得到的分散液进行特定的处理(在上述酸化合物(Q)的存在下的反絮凝等)。使用的溶剂没有特别限定,优选为甲醇、乙醇、异丙醇等的醇类;水;或它们的混合溶剂。
对于含有无机磷化合物(BI)的溶液,可以将无机磷化合物(BI)在溶剂中溶解来制备。作为溶剂,可以根据无机磷化合物(BI)的种类来适当选择,优选包含水。只要不妨碍无机磷化合物(BI)的溶解,溶剂可以包含有机溶剂(例如甲醇等的醇类)。
对于涂布液(S)的固体成分浓度,从该涂布液的保存稳定性和对于基材(X)的施涂性的观点考虑,优选为1~20质量%,更优选为2~15质量%,进一步优选为3~10质量%。上述固体成分浓度例如可以将涂布液(S)的蒸馏除去溶剂后残留的固体成分的质量除以供于处理的涂布液(S)的质量来计算出。
对于涂布液(S),用布氏旋转粘度计(SB型粘度计:转子No.3、旋转速度60rpm)测定得到的粘度在施涂时的温度下优选为3000mPa・s以下,更优选为2500mPa・s以下,进一步优选为2000mPa・s以下。通过使该粘度为3000mPa・s以下,涂布液(S)的流平性得到提高,可以得到外观更为优异的多层结构体。另外,作为涂布液(S)的粘度,优选为50mPa・s以上,更优选为100mPa・s以上,进一步优选为200mPa・s以上。
涂布液(S)中,从得到规定的反应产物(D)的平均粒径的观点考虑,铝原子和磷原子的摩尔比优选为铝原子:磷原子=1.01:1.00~1.50:1.00,更优选为1.05:1.00~1.45:1.00。铝原子和磷原子的摩尔比为,对涂布液(S)的干固物进行荧光X射线分析,可以计算得到。
涂布液(S)可以在基材(X)的至少一个面上直接施涂,也可以经由其他的层(J)在基材(X)上施涂。另外,施涂涂布液(S)之前,或者对于基材(X)的表面以公知的锚涂剂进行处理,或者对于基材(X)的表面施涂公知的粘接剂,由此可以预先在基材(X)的表面形成粘接层(G)。
涂布液(S)的施涂没有特别限定,可以采用公知的方法。作为施涂方法,例如可以列举浇铸法、浸渍法、辊涂法、凹版印刷涂布法、丝网印刷法、反转式涂布法、喷涂法、吻合涂布法、模头涂布法、计量棒涂布法、封闭刮刀并用涂布法、幕帘式涂布法、棒涂法等。
通常、步骤(I)中,通过除去涂布液(S)中的溶剂,形成层(Y)的前体层。溶剂的除去方法没有特别限定,可以适用公知的干燥方法。作为干燥方法,例如可以列举热风干燥法、热辊接触法、红外线加热法、微波加热法等。为了使所得的多层结构体在湿热处理后也具有优异的阻气性,重要的是干燥后的溶剂含有率和反应产物(D)前体的平均粒径在特定范围。
干燥处理后的层(Y)的前体层的溶剂含有率为0.4wt%以下,从在更严苛的湿热处理条件下也表现出优异的阻挡性能的观点考虑,优选0.3wt%以下。若干燥处理后的溶剂含有率比上述范围大,则在后续热处理步骤(II)中,反应产物(D)前体的粒子尺寸容易增大,因此所得的层(Y)中的反应产物(D)的平均粒径变大,存在无法得到充分的阻挡性能的情况。溶剂含有率的下限没有特别限定,从制造成本的观点考虑,通常优选为0.01wt%以上。溶剂含有率的测定方法可以采用后述的实施例中的甲醇和水分的含有率的测定方法。
干燥处理后的反应产物(D)前体的平均粒径低于5nm,从在更严苛的湿热处理条件下也表现出优异的阻挡性能的观点考虑,优选为低于4nm,更优选为低于3nm。若干燥处理后的反应产物(D)前体的平均粒径大于上述范围,则所得的层(Y)中的反应产物(D)的平均粒径变大,存在无法得到充分的阻挡性能的情况。反应产物(D)前体的平均粒径的下限没有特别限定,例如可以为0.1nm,也可以为1nm。应予说明,反应产物(D)前体的平均粒径的测定方法如后述的实施例所记载。
另外,层(Y)前体的红外线吸收光谱中,1080~1130cm-1的范围中的吸光度的极大值AR和850~950cm-1的范围中的吸光度的极大值AP之比AR/AP优选为2.0以下,更优选为1.4以下。1080~1130cm-1的范围中的吸光度的极大值AR如上所述是基于M-O-P的键,850~950cm-1的范围中的吸光度的极大值AP是基于M-O-M的键。即,上述比AR/AP可以认为是表示含有铝的金属氧化物(Aa)向着反应产物(D)的反应率的指标。本发明中,为了得到具有良好的阻挡性能的多层结构体,认为在干燥步骤后的层(Y)前体中,金属氧化物(Aa)朝着反应产物(D)的反应抑制在一定量以下是有效的。因此,若比AR/AP比上述范围大,则所得的多层结构体的阻挡性能有时会不充分。
为了满足上述溶剂含有率和反应产物(D)前体的平均粒径,施涂涂布液(S)后的干燥温度例如优选低于140℃,更优选为60℃以上且低于 140℃,进一步优选为70℃以上且低于130℃,特别优选为80℃以上且低于120℃。干燥时间没有特别限定,例如优选为1秒以上且低于1小时,更优选为5秒以上且低于15分,进一步优选为5秒以上且低于300秒。特别是,干燥温度为100℃以上的情况下(例如100~140℃),干燥时间优选为1秒以上且低于4分,更优选为5秒以上且低于4分,进一步优选为5秒以上且低于3分。干燥温度低于100℃的情况下(例如60~99℃),干燥时间优选为3分以上且低于1小时,更优选为6分以上且低于30分,进一步优选为8分以上且低于25分。
[步骤(II)]
步骤(II)中,将步骤(I)中形成的层(Y)的前体层在140℃以上的温度下进行热处理,由此形成层(Y)。本发明中,为了得到更为优异的阻挡性能,将具有上述特定溶剂含有率和平均粒径的层(Y)前体在140℃以上的温度下进行热处理是重要的。步骤(II)的热处理温度优选比步骤(I)的干燥温度要高。
步骤(II)中,进行生成反应产物(D)的反应。为了使该反应充分地进行,热处理的温度为140℃以上,优选为170℃以上,更优选为180℃以上,进一步优选为190℃以上。若热处理温度低,则为了得到充分的反应率所花费的时间变长,成为生产性降低的原因。热处理的温度根据基材(X)的种类等而不同,没有特别限定,可以为270℃以下。例如在将包含聚酰胺系树脂的热塑性树脂膜用作基材(X)的情况下,热处理的温度优选为270℃以下。另外,在将由聚酯系树脂制成的热塑性树脂膜用作基材(X)的情况下,热处理的温度优选为240℃以下。热处理可以在空气气氛下、氮气气氛下、氩气气氛下等进行实施。热处理时间优选为1秒~1小时,更优选为1秒~15分,进一步优选为5~300秒。
为了满足上述溶剂含有率和反应产物(D)前体的平均粒径,优选热处理为使处理温度发生变化、以2阶段以上来进行。即,优选步骤(II)包括第1热处理步骤(II-1)和第2热处理步骤(II-2)。以2阶段以上进行热处理的情况下,优选第2阶段的热处理(以下、第2热处理)的温度比第1阶段的热处理(以下、第1热处理)的温度要高,更优选为比第1热处理的温度高15℃以上,进一步优选为高25℃以上,特别优选高35℃以上。
另外,步骤(II)的热处理温度(2阶段以上的热处理的情况下、第1热处理温度)从得到具有良好特性的多层结构体的观点考虑,优选比步骤(I)的干燥温度高30℃以上,更优选为高50℃以上,进一步优选为高55℃以上,特别优选为高60℃以上。
步骤(II)的热处理以2阶段以上进行的情况下,优选的是,第2热处理的温度比第1热处理的温度要高,第1热处理的温度为140℃以上且低于200℃、且第2热处理的温度为180℃以上且270℃以下,更优选为第2热处理的温度比第1热处理的温度高15℃以上,第1热处理的温度为140℃以上且低于200℃、且第2热处理的温度为180℃以上且270℃以下,进一步优选为第2热处理的温度比第1热处理的温度高25℃以上,第1热处理的温度为140℃以上且低于200℃、且第2热处理的温度为180℃以上且270℃以下。特别是,各热处理温度为200℃以上的情况下,各热处理时间优选为0.1秒~10分,更优选为0.5秒~15分,进一步优选为1秒~3分。各热处理温度低于200℃的情况下,各热处理时间优选为1秒~15分,更优选为5秒~10分,进一步优选为10秒~5分。
[步骤(I’)]
上述制造方法中,使用有机磷化合物(BO)的情况下,作为步骤(I’),可以将混合有机磷化合物(BO)和溶剂而得的涂布液(T)(第2涂布液)施涂于步骤(II)中得到的层(Y)上。优选的是,步骤(I’)中,将混合有机磷化合物(BO)和溶剂而得的涂布液(T)(第2涂布液)施涂于步骤(II)的第1热处理步骤(II-1)后的层(Y)上之后,接着供于步骤(II)的第2热处理步骤(II-2)。
用于涂布液(T)的溶剂根据有机磷化合物(BO)的种类适当选择即可,优选为甲醇、乙醇、异丙醇等的醇类;水;或者它们的混合溶剂。只要不妨碍有机磷化合物(BO)的溶解,溶剂可以含有四氢呋喃、二噁烷、三噁烷、二甲氧基乙烷等的醚;丙酮、甲基乙基酮等的酮;乙二醇、丙二醇等的二醇;甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、正丁基溶纤剂等的二醇衍生物;丙三醇;乙腈;二甲基甲酰胺等的酰胺;二甲基亚砜;环丁砜等。
涂布液(T)中的固体成分的浓度从溶液的保存稳定性或者施涂性的观点考虑,优选为0.01~60质量%,更优选为0.1~50质量%,进一步优选为0.2~40质量%。固体成分浓度可以通过与关于涂布液(S)的记载的方法相同的方法来求出。另外,只要可以得到本发明的效果,涂布液(T)可以包含上述层(Y)中所含的其他成分(例如聚合物(F))。
与涂布液(S)的施涂同样地,施涂涂布液(T)的方法没有特别限定,可以采用公知的方法。施涂涂布液(T)之后,除去溶剂。涂布液(T)的溶剂的除去方法没有特别限定,可以适用公知的干燥方法。作为干燥方法,例如可以列举热风干燥法、热辊接触法、红外线加热法、微波加热法等。干燥温度优选为基材(X)的流动起始温度以下。涂布液(T)在施涂后的干燥温度例如可以为90~240℃左右,优选为100~200℃。
步骤(II)接续着步骤(I)、或者可以使用可以阶段性地改变加热温度的同一加热设备。进一步地,步骤(II)可以先于步骤(I’)。
本发明的多层结构体(W)的制造方法的优选的一个方案中,在步骤(I)中施涂涂布液(S)后,进行干燥处理,形成层(Y)的前体层,进一步进行步骤(II)的热处理。此时,优选热处理的温度比干燥处理的温度高30℃以上,更优选高50℃以上。
上述制造方法包括步骤(I’)的情况下,在本发明的多层结构体(W)的制造方法的其他优选的一个方案中,施涂步骤(I)的涂布液(S),进行干燥处理,形成层(Y)的前体层之后,进行步骤(II)的第1热处理步骤(II-1)。接着,施涂步骤(I’)的涂布液(T),进行干燥处理后,进一步进行步骤(II)的第2热处理步骤(II-2)。此时,优选第1热处理的温度比步骤(I)的干燥处理的温度高30℃以上,更优选高50℃以上。另外,优选第2热处理的温度比第1热处理的温度要高。
本发明的多层结构体(W)中,层(Y)可以以与基材(X)直接接触的方式层叠,层(Y)也可以经由其他构件(例如粘接层(G)、其他的层(J))层叠于基材(X)。
[挤出涂布叠层]
对于多层结构体(W),例如在基材(X)上直接或经由粘接层(G)层叠层(Y)之后,进一步直接或经由粘接层(G)通过挤出涂布叠层法形成其他的层(J),由此可以进一步具有由挤出涂布叠层形成的层。本发明中可以使用的挤出涂布叠层法没有特别的限定,可以使用公知的方法。典型的挤出涂布叠层法中,将熔融的热塑性树脂输送至T模头,将从T模头的扁平狭缝取出的热塑性树脂冷却,由此制造叠层膜。
作为挤出涂布叠层法,例如可以列举单层叠层法、三明治叠层法、串联叠层法等。通过使用本发明的包含多层结构体(W)的层叠体,在挤出涂布叠层后,可以维持高的阻挡性能,且光的透过性的下降小。
[粘接层(G)]
多层结构体(W)中,存在使用粘接层(G),可以提高基材(X)和层(Y)的粘接性的情况。粘接层(G)可以由粘接性树脂构成。由粘接性树脂构成的粘接层(G)通过对基材(X)的表面用公知的锚涂剂进行处理、或者对基材(X)的表面施涂公知的粘接剂,由此可以形成。作为该粘接剂,优选为将多异氰酸酯成分和聚醇成分混合进行反应的2液反应型聚氨酯系粘接剂。另外,在锚涂剂或粘接剂中加入公知的硅烷偶联剂等的少量的添加剂,由此存在可以进一步提高粘接性的情况。作为硅烷偶联剂,例如可以列举具有异氰酸酯基、环氧基、氨基、酰脲基、巯基等的反应性基团的硅烷偶联剂,但不限于它们。基材(X)和层(Y)经由粘接层(G)牢固地粘接,由此在对多层结构体(W)实施印刷或者叠层等的加工时,可以更有效地抑制阻气性或外观的恶化。粘接层(G)的厚度优选为0.01~10.0μm,更优选为0.03~5.0μm。
[其他的层(J)]
对于多层结构体(W),为了提高各种特性(例如热密封性、阻挡性、力学物性),可以包含其他的层(J)。这种多层结构体(W)例如是,在基材(X)上直接或经由粘接层(G)层叠层(Y)之后,进一步直接或经由粘接层(G)粘接或形成该其他的层(J),由此可以制造。作为其他的层(J),例如可以列举油墨层;聚烯烃层、乙烯-乙烯醇共聚物树脂层等的热塑性树脂层等,但不限于它们。
多层结构体(W)可以包括用于印刷商品名或图案等的油墨层。这样的多层结构体(W)例如是,在基材(X)上直接或经由粘接层(G)层叠层(Y)之后,进一步直接形成该油墨层,由此可以制造。作为油墨层,例如可以列举在溶剂中分散了包含颜料(例如二酸化钛)的聚氨酯树脂,将得到的液体干燥而得的皮膜,也可以是将不包含颜料的聚氨酯树脂或以其他的树脂作为主剂的油墨或者电路布线形成用抗蚀剂干燥而得的皮膜。作为对层(Y)施涂油墨层的施涂方法,除凹版印刷法之外,还可以列举线棒、旋涂、模头涂布等各种的施涂方法。油墨层的厚度优选为0.5~10.0μm,更优选为1.0~4.0μm。
多层结构体(W)中,层(Y)中包含聚合物(Fa)的情况下,具有与粘接层(G)或者其他的层(J)(例如油墨层)的亲和性高的选自醚键、羰基、羟基和羧基中的至少一种的官能团,因此层(Y)和其他的层的密着性提高。因此,在湿热处理后可以维持层间粘接力,可以抑制分层等的外观不良。
使本发明的多层结构体的最表面层为聚烯烃层,由此可以或者对于多层结构体赋予热密封性,或者提高多层结构体的力学特性。从热密封性、力学特性提高等的观点考虑,聚烯烃优选为聚丙烯或聚乙烯。另外,为了提高多层结构体的力学特性,优选层叠选自由聚酯制成的膜、由聚酰胺制成的膜和由含羟基的聚合物制成的膜中的至少1种的膜。从力学特性提高的观点考虑,作为聚酯,优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯,作为聚酰胺,优选为尼龙-6,作为含羟基的聚合物,优选为乙烯-乙烯醇共聚物。应予说明,在各层之间,可以根据需要,设置锚涂层或由粘接剂制成的层。
[多层结构体(W)的构成]
多层结构体(W)的构成的具体例如以下所示。多层结构体(W)可以具有除基材(X)、层(Y)以外的其他构件(例如粘接层(G)、其他的层(J)),在以下的具体例中,省略了其他构件的记载。另外,可以或层叠或组合多层的以下具体例。
(1) 层(Y)/聚酯层、
(2) 层(Y)/聚酯层/层(Y)、
(3) 层(Y)/聚酰胺层、
(4) 层(Y)/聚酰胺层/层(Y)、
(5) 层(Y)/聚烯烃层、
(6) 层(Y)/聚烯烃层/层(Y)、
(7) 层(Y)/含羟基的聚合物层、
(8) 层(Y)/含羟基的聚合物层/层(Y)、
(9) 层(Y)/无机蒸镀层/聚酯层、
(10) 层(Y)/无机蒸镀层/聚酰胺层、
(11) 层(Y)/无机蒸镀层/聚烯烃层、
(12) 层(Y)/无机蒸镀层/含羟基的聚合物层。
对于用作本发明的电子设备的保护片的多层结构体(W)和电子设备,从应用于显示器、太阳能电池等的观点考虑,总光线透过率优选为86.5%以上,更优选为90.0%以上。另外,多层结构体(W)和电子设备的雾度优选为3.0以下。光线透过率和雾度的测定方法和测定条件如后述的实施例所述。
作为本发明的多层结构体(W)和保护片,在湿热处理前和湿热处理后,20℃、85%RH的条件下的氧透过度为0.7mL/(m2・day・atm)以下,优选为0.5mL/(m2・day・atm)以下,更优选为0.3mL/(m2・day・atm)以下,进一步优选为0.1mL/(m2・day・atm)以下。通过使用氧透过度低的多层结构体(W)和保护片,可以提供在实际使用时可以抑制量子点荧光体的量子效率降低,且在大气下长期使用时性能保持率高的含有量子点荧光体的电子设备。湿热处理的条件、氧透过度的测定方法和测定条件如后述的实施例所述。
作为本发明的多层结构体(W)和保护片,湿热试验前和湿热试验后,40℃、90%RH的条件下的透湿度1.0g/(m2・day)以下,优选为0.5g/(m2・day)以下,更优选为0.3g/(m2・day)以下,进一步优选为0.2g/(m2・day)以下。通过使用透湿度低的多层结构体(W)和保护片,可以提供在实际使用时可以抑制量子点荧光体的量子效率降低、且大气下长期使用时性能保持率高的含有量子点荧光体的电子设备。湿热试验的条件、透湿度的测定方法和测定条件如后述的实施例所述。
[实施例]
接着,列举实施例进一步具体地说明本发明,但本发明不受这些实施例任何限定,具有本领域通常知识的人员可以在本发明的技术思想内进行大量的变形。以下的实施例和比较例中的分析和评价如下进行。
(1) 红外线吸收光谱的测定
使用傅立叶变换红外分光光度计,以衰减全反射法进行测定。测定条件如下所述。
装置:パーキンエルマー株式会社制Spectrum One
测定模式:衰减全反射法
测定区域:800~1400cm-1
(2) 各层的厚度测定
使用聚焦离子束(FIB)将多层结构体切削,制作截面观察用的切片。将制作的切片用碳带固定于试样基座上,用加速电压30kV进行30秒铂离子溅射。使用场发射型透射电子显微镜观察多层结构体的截面,算出各层的厚度。测定条件如下所述。
装置:日本电子株式会社制JEM-2100F
加速电压:200kV
倍率:250000倍
(3) 平均粒径的测定
使用超高分解能场发射型扫描电子显微镜进行测定,拍摄反应产物(D)的粒子的照片,使用图像解析式粒度分布测定软件(株式会社マウンテック制Mac-View Ver.4),算出该照片的单位视野内观察到的粒子(100个以上)的平均粒径。此时,粒子的粒径以粒子的最长长度与最短长度的算术平均值的形式求出,通过粒子的数目和其粒径,算出平均一次粒径。测定条件如下所述。
装置:株式会社日立ハイテクノロジーズ制SU8010
加速电压:0.5kV
倍率:100000倍
(4) 甲醇含有率的测定
将施涂了涂布液(S-1)、并干燥后的多层结构体切成短条状,测定顶空GC-MS,结果仅检测出水,未检测出甲醇(检测下限5ppm)。测定条件如下所述。
装置:サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社制COMBI PALPolaris QTraceGC
顶空温度:100℃
柱温度:在40℃下保持5分后、以5℃/分升温至140℃、保持10分
载体气体:氦
载体气体流量:1.0mL/分
(5) 水分含有率的测定
将施涂了涂布液(S-1)、并干燥后的多层结构体切成短条状,用Karl Fischer水分计测定含水率。同样地测定在相同加热条件(温度、时间)下处理的基材的水分率,相减,由此求出层(Y)前体的水分率。测定条件如下所述。
装置:三菱化成株式会社制CA-06型
温度:100℃
载体气体:氮气
载体气体流量:0.2L/分
滴定法:电量滴定法
(6) 氧透过度的测定
在氧透过量测定装置中以基材的层朝向载体气体侧的方式安装样品,通过等压法测定氧透过度。测定条件如下所述。
装置:モダンコントロールズ社制MOCON OX-TRAN2/20
温度:20℃
氧供给侧的湿度:85%RH
载体气体侧的湿度:85%RH
氧压力:1.0atm
载体气体压力:1.0atm
(7) 透湿度的测定
在水蒸气透过量测定装置中以基材的层朝向载体气体侧的方式安装样品,通过等压法测定透湿度(水蒸气透过度)。测定条件如下所述。
装置:モダンコントロールズ社制MOCON PERMATRAN W3/33
温度:40℃
水蒸气供给侧的湿度:90%RH
载体气体侧的湿度:0%RH
(8) 总光线透过率和雾度的测定
总光线透过率和雾度的测定使用雾度仪进行测定。
装置:村上色彩技术研究所社制 HR-100
条件:依据ISO13468-1。
<涂布液(S-1)的制造例>
一边搅拌蒸馏水230质量份,一边升温至70℃。在该蒸馏水中用1小时滴加三异丙氧基铝88质量份,将液温缓慢上升至95℃,蒸馏除去产生的异丙醇,由此进行水解缩合。得到的液体中添加60质量%的硝酸水溶液4.0质量份,在95℃下搅拌3小时,由此使水解缩合物的粒子的凝聚体反絮凝。然后,将该液体浓缩为固体成分浓度以氧化铝换算计为10质量%,得到溶液。对于由此得到的溶液22.50质量份,加入蒸馏水54.29质量份和甲醇18.80质量份,搅拌均匀,由此得到分散液。接着,在液温维持在15℃的状态下,搅拌分散液,同时滴加85质量%的磷酸水溶液4.41质量份,在15℃下继续搅拌直至粘度为1500mPa・s,得到目标涂布液(S-1)。该涂布液(S-1)中,铝原子和磷原子的摩尔比为铝原子:磷原子=1.15:1.00。
<有机磷化合物(BO-1)的合成例>
在氮气气氛下,将乙烯基膦酸10g和2,2’-偶氮二(2-氨基丙脒)2盐酸盐0.025g溶解于水5g中,在80℃下搅拌3小时。冷却后,在聚合溶液中加入水15g进行稀释,使用作为纤维素膜的スペクトラムラボラトリーズ社制的“Spectra/Por”(注册商标)过滤。将滤液中的水蒸馏除去后,在50℃下进行24小时真空干燥,由此得到聚合物(BO-1)。聚合物(BO-1)为聚(乙烯基膦酸)。GPC分析的结果为,该聚合物的数均分子量以聚乙二醇换算计为10000。
<涂布液(T-1)的制造例>
将上述合成例中得到的有机磷化合物(BO-1)溶解于水和甲醇的混合溶剂(以质量比计水:甲醇=7:3),得到固体成分浓度为1质量%的涂布液(T-1)。
<涂布液(T-2)的制造例>
准备含有上述合成例中得到的有机磷化合物(BO-1)91质量%、作为聚合物(F)的重均分子量100000的聚乙烯醇(株式会社クラレ制PVA124)9质量%的混合物。将该混合物溶解于水和甲醇的混合溶剂(以质量比计水:甲醇=7:3)中,得到固体成分浓度为1质量%的涂布液(T-2)。
<涂布液(T-3)的制造例>
准备含有上述合成例中得到的有机磷化合物(BO-1)91质量%、作为聚合物(F)的重均分子量60000的聚环氧乙烷(明成化学工业株式会社制“アルコックス(注册商标)L-6”)9质量%的混合物。将该混合物溶解于水和甲醇的混合溶剂(以质量比计水:甲醇=7:3),得到固体成分浓度为1质量%的涂布液(T-3)。
<实施例1-1>
首先,作为基材(X),准备作为拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的东レ株式会社制的“ルミラー(注册商标) P60”(厚度12μm)(以下,有时简称为“X-1”)。使用棒涂机以干燥后的厚度为0.3μm的方式在该基材上施涂涂布液(S-1)。使施涂后的膜在80℃下干燥10分钟,由此在基材上形成层(Y-1)的前体。由此,得到具有基材(X-1)/层(Y-1)前体这样的结构的结构体。得到的结构体的层(Y)前体的红外线吸收光谱、反应产物(D)前体的平均粒径和溶剂(甲醇和水分的总量)含有率用上述的方法测定。接着,在180℃下热处理3分后,在220℃下进行10秒热处理,由此形成层(Y-1)。由此,得到具有基材(X-1)/层(Y-1)这样的结构的多层结构体(W1-1)。
层(Y-1)前体中的反应产物(D)前体的平均粒径、溶剂含有率和AR/AP、以及层(Y-1)中的反应产物(D)的平均粒径示于表1。另外,得到的多层结构体(W1-1)的层(Y-1)前体的SEM照片在图8表示,层(Y-1)的SEM照片在图9表示,两者的红外线吸收光谱的测定结果在图10表示。
得到的多层结构体(W1-1)上形成粘接层,在该粘接层上叠层丙烯酸树脂膜(厚度50μm、住友化学株式会社制的“テクノロイ”(注册商标)),由此得到层叠体。接着,在该层叠体的多层结构体(W1-1)上形成粘接层后,与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜叠层。由此,得到具有聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/粘接层/基材(X-1)/层(Y-1)/粘接层/丙烯酸树脂膜这样的结构的保护片(1-1)。上述2个粘接层分别是,使用棒涂机以干燥后的厚度为3μm的方式施涂2液型粘接剂,使其干燥,由此形成。2液型粘接剂中,使用包含三井化学株式会社制的“タケラック”(注册商标)的“A-1102”和三井化学株式会社制的“タケネート”(注册商标)的“A-3070”的2液反应型聚氨酯系粘接剂。聚对苯二甲酸乙二醇酯膜中,使用与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的粘接性得到提高的作为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的东洋纺株式会社制“シャインビーム”(注册商标)的“Q1A15”(厚度50μm)。测定所得的保护片(1-1)的氧透过度、透湿度、总光线透过率和雾度。结果示于表1。
接着,作为保护片(1-1)的耐久性试验,使用恒温恒湿试验机,在大气压下、85℃、85%RH的气氛下保存保护片1000小时,进行试验(湿热试验)。对于试验后的保护片(1-1),测定氧透过度和透湿度而得的结果示于表1。
<实施例1-2>
将涂布液(S-1)施涂后的干燥条件从80℃10分变为120℃3分,除此之外,与实施例1-1的多层结构体(W1-1)的制作同样地,制作具有基材(X-1)/层(Y-2)这样的结构的多层结构体(W2-1)。另外,将多层结构体(W1-1)变为多层结构体(W2-1),除此之外,与实施例1-1的保护片(1-1)的制作同样地,制作保护片(2-1)。
<实施例1-3>
将涂布液(S-1)施涂后的干燥条件从80℃10分变为120℃1分,以及将干燥后的层(Y)的厚度从0.30μm变为0.45μm,除此之外与实施例1-1的多层结构体(W1-1)的制作同样地,制作具有基材(X-1)/层(Y-3)这样的结构的多层结构体(W3-1)。另外,将多层结构体(W1-1)变为多层结构体(W3-1),除此之外,与实施例1-1的保护片(1-1)的制作同样地,制作保护片(3-1)。
<实施例1-4>
在180℃热处理3分后,使用棒涂机,以无机磷化合物(BI)的质量WBI和有机磷化合物(BO)的质量WBO之比WBO/WBI=1.10/98.90的方式施涂涂布液(T-1),在110℃下干燥3分,接着,在220℃热处理1分,除此之外,与实施例1-1的多层结构体(W1-1)的制作同样地,制作具有基材(X-1)/层(Y-4)这样的结构的多层结构体(W4-1)。另外,将多层结构体(W1-1)变为多层结构体(W4-1),除此之外,与实施例1-1的保护片(1-1)的制作同样地,制作保护片(4-1)。
<实施例1-5和1-6>
将涂布液(T-1)变为涂布液(T-2)和(T-3),除此之外,与实施例1-4的多层结构体(W4-1)的制作同样地,制作多层结构体(W5-1)和(W6-1)。另外,将多层结构体(W1-1)变为多层结构体(W5-1)和(W6-1),除此之外与实施例1-1的保护片(1-1)的制作同样地,制作保护片(5-1)和(6-1)。
<比较例1-1>
将涂布液(S-1)的施涂后的干燥条件从80℃10分变为160℃1分,除此之外,与实施例1-1的多层结构体(W1-1)的制作同样地,制作具有基材(X-1)/层(CY-1)这样的结构的多层结构体(CW1-1)。另外,将多层结构体(W1-1)变为多层结构体(CW1-1),除此之外,与实施例1-1的保护片(1-1)的制作同样地,制作保护片(C1-1)。
<比较例1-2>
将涂布液(S-1)施涂后的干燥条件从80℃10分变为80℃1分,除此之外,与实施例1-1的多层结构体(W1-1)的制作同样地,制作具有基材(X-1)/层(CY-2)这样的结构的多层结构体(CW2-1)。另外,将多层结构体(W1-1)变为多层结构体(CW2-1),除此之外与实施例1-1的保护片(1-1)的制作同样地,制作保护片(C2-1)。
对于多层结构体(W2-1)~(W6-1)和(CW1-1)~(CW2-1)以及保护片(2-1)~(6-1)和(C1-1)~(C2-1),与实施例1-1同样地,测定各项目。结果示于表1。
以下的实施例和比较例中,量子效率和分光辐射能量通过大塚电子制量子效率测定装置QE-1000进行测定。应予说明,上述分光辐射能量是本实施例中使用的量子点荧光体的荧光波长下的辐射能量。
[含有量子点荧光体的电子设备]
<实施例2-1>
在50mL玻璃制螺纹盖瓶中,在氩气气氛下,加入环烯烃聚合物(日本ゼオン株式会社制、ZEONEX(注册商标)480R;包含结构式[Q-1]的非晶质树脂)5g和真空冷冻脱气后在氩气气氛下保存的脱水甲苯(和光纯药工业株式会社制)5g,在室温下在辊式搅拌机上搅拌,由此使其溶解,得到树脂溶液(r1)。
在得到的树脂溶液(r1)中,在氩气气氛下,加入制备成82mg/mL的量子点荧光体的甲苯分散液3.05g。在此,作为量子点荧光体的分子结构,是具有核・壳结构,核为InP、壳为ZnS,使用肉豆蔻酸作为包覆剂的纳米粒子,使用核的直径2.1nm的结构。然后,使用株式会社シンキー社制自转・公转式搅拌装置ARV310-LED,进行充分地混炼,得到相对于环烯烃聚合物含有5质量%的量子点荧光体的分散液(包含量子点荧光体的组合物)。将该分散液注入到放置于聚甲基戊烯制的培养皿上的硅酮环(外径55mm×内径50mm×厚1mm)的内侧。原样在氩气气氛下进行风干,得到板状的成型物后,在流通有氮气气体的惰性气体烘箱中,在40℃的温度下干燥5小时,由此完全除去溶剂,得到量子点荧光体分散树脂成型体。
接着,为了保护量子点荧光体免受大气影响,使用粘接性树脂在上述量子点荧光体分散树脂成型体的表面覆盖上实施例1-1的保护片(1-1),形成阻气层,得到包含量子点荧光体的结构物(u1)。阻气层的厚度为12.5μm。使用大塚电子(株)制量子效率测定装置QE-1000测定该包含量子点荧光体的结构物(u1)的量子效率,结果为74%。该值是不逊色于对原始的量子点荧光体甲苯分散液进行相同测定的情况下所得的量子效率80%的结果。
另外,将包含量子点荧光体的结构物(u1)配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上,在大气下使其连续发光2000小时。LED的发光初期的量子点荧光体的分光辐射能量为0.42(mW/nm),与此相对,经过2000小时后的分光辐射能量为0.41(mW/nm)。因此,经过2000小时后的分光辐射能量相对于初期的值保持为97.6%的高值。
<实施例2-2>
使用加热至180℃的加压机,在20MPa的加压下将实施例2-1中得到的量子点荧光体分散树脂成型体加工,得到具有100μm的厚度的包含量子点荧光体的树脂膜。
接着,为了保护量子点荧光体免受大气影响,使用粘接性树脂在上述包含量子点荧光体的树脂膜的表面覆盖上实施例1-1的保护片(1-1),形成阻气层,得到包含量子点荧光体的结构物(u2)。阻气层的厚度为12.5μm。
对于上述结构物(u2),与实施例2-1同样地,测定量子效率、发光初期的分光辐射能量和经过2000小时后的分光辐射能量。结果示于表2。量子效率为76%,是良好的,经过2000小时后的分光辐射能量相对于初期的值保持为97.4%的高值。
<比较例2>
为了保护量子点荧光体免受大气影响,在上述量子点荧光体分散树脂成型体的表面使用比较例1-1的保护片(C1-1),除此之外,以与实施例2-1相同的方法得到包含量子点荧光体的结构物(u3)。使用大塚电子(株)制量子效率测定装置QE-1000测定该包含量子点荧光体的结构物(u3)的量子效率,结果为76%。该值是不逊色于对原始的量子点荧光体甲苯分散液进行相同测定的情况下所得的量子效率82%的结果。
另外,将包含量子点荧光体的结构物(u3)配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上,在大气下使其连续发光2000小时。测定发光初期的分光辐射能量和经过2000小时后的分光辐射能量,结果示于表2。经过2000小时后的分光辐射能量相对于初期的值减少至78.5%。
<比较例3>
为了保护量子点荧光体免受大气影响,在上述量子点荧光体分散树脂成型体的表面使用EVOH膜(日本合成制、将ソアノールD2908通过共押出法而制作得到的厚度15μm的膜、氧透过度0.5mL/(m2・day)、透湿度130g/m2・24hrs),除此之外,以与实施例2-1相同的方法,得到包含量子点荧光体的结构物(u4)。使用大塚电子(株)制量子效率测定装置QE-1000测定该包含量子点荧光体的结构物(u4)的量子效率,结果为76%。该值是不逊色于对原始的量子点荧光体甲苯分散液进行相同测定的情况下所得的量子效率82%的结果。
另外,将包含量子点荧光体的结构物(u4)配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上,在大气下使其连续发光2000小时。测定发光初期的分光辐射能量和经过2000小时后的分光辐射能量,结果示于表2。经过2000小时后的分光辐射能量相对于初期的值减少至71.4%。
产业实用性
根据本发明,可以得到使用在湿热试验前后、阻气性和水蒸气阻挡性都优异,且光学特性也优异的保护片而得的包含量子点荧光体的电子设备。因此,根据本发明,可以得到不仅在制造阶段和流通阶段,而且在长时间的使用阶段下,也可以维持高的特性的电子设备。进一步地,根据本发明,可以提供量子效率的降低得到抑制,且在大气下长期使用(例如连续发光2000小时)的情况下,性能保持率高的含有量子点荧光体的电子设备。

Claims (15)

1.电子设备,其是包含量子点荧光体的电子设备,
上述电子设备具备保护片,
上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W),
上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D),
上述反应产物(D)的平均粒径在5~50nm的范围内。
2.权利要求1所述的电子设备,其中,在包含量子点荧光体的层的一侧或两侧配置上述保护片。
3.权利要求1或2所述的电子设备,其中,上述磷化合物(B)是无机磷化合物(BI)。
4.权利要求1~3的任一项所述的电子设备,其中,上述含有铝的化合物(A)是含有铝的金属氧化物(Aa)。
5.权利要求1~4的任一项所述的电子设备,其中,上述反应产物(D)的平均粒径在20~40nm的范围内。
6.权利要求1~5的任一项所述的电子设备,其在40℃、90%RH的条件下的透湿度为1.0g/(m2・day)以下。
7.权利要求1~6的任一项所述的电子设备,其中,上述基材(X)包含热塑性树脂膜。
8.权利要求1~7的任一项所述的电子设备,其中,上述层(Y)包含含有选自羰基、羟基、羧基、酸酐基和羧基的盐中的至少1种的官能团的聚合物(F)。
9.权利要求1~8的任一项所述的电子设备,其中,上述多层结构体(W)进一步包含与上述层(Y)相邻而配置的层(Z),上述层(Z)包含具有含磷原子的官能团的聚合物(BOa)。
10.权利要求9所述的电子设备,其中,上述层(Z)的聚合物(BOa)是聚(乙烯基膦酸)或聚(2-膦酰基氧基乙基甲基丙烯酸酯)。
11.权利要求1所述的包含量子点荧光体的电子设备的制造方法,其中,
电子设备具备保护片,
上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W),
上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D),
上述制造方法包括:
将包含含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和溶剂的涂布液(S)在上述基材(X)上施涂,形成包含反应产物(D)前体的层(Y)前体的步骤(I),和
将上述层(Y)前体在140℃以上的温度下热处理,由此形成上述层(Y)的步骤(II),
上述步骤(I)中的层(Y)的前体层的溶剂含有率为0.4wt%以下,且反应产物(D)前体的平均粒径低于5nm。
12.权利要求11所述的制造方法,其中,上述磷化合物(B)是无机磷化合物(BI)。
13.权利要求11或12所述的制造方法,其中,上述含有铝的化合物(A)是含有铝的金属氧化物(Aa)。
14.权利要求11~13的任一项所述的制造方法,其中,上述步骤(I)中,将涂布液(S)施涂于上述基材(X)上之后,进一步具有将上述涂布液(S)中的溶剂除去的干燥步骤,上述干燥步骤中的干燥温度低于140℃。
15.权利要求11~14的任一项所述的制造方法,其中,上述层(Y)前体的红外线吸收光谱中,1080~1130cm-1的范围中的吸光度的极大值AR和850~950cm-1的范围中的吸光度的极大值AP之比AR/AP为2.0以下。
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