CN107068668A - 半导体装置 - Google Patents

半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107068668A
CN107068668A CN201611047942.0A CN201611047942A CN107068668A CN 107068668 A CN107068668 A CN 107068668A CN 201611047942 A CN201611047942 A CN 201611047942A CN 107068668 A CN107068668 A CN 107068668A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal pattern
resin substrate
semiconductor device
metal
wire bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611047942.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107068668B (zh
Inventor
立花佳织
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Publication of CN107068668A publication Critical patent/CN107068668A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107068668B publication Critical patent/CN107068668B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体装置，其具有：树脂基板；第1、第2半导体元件；设置于树脂基板的表面侧的如下部件：第1元件搭载用金属图案、第2元件搭载用金属图案、连接第1元件搭载用金属图案与第2元件搭载用金属图案的连接用金属图案、通过引线将第1及第2半导体元件连接的引线键合用金属图案、以及与第1元件搭载用金属图案连接且与引线键合用金属图案邻近的第1虚设金属图案；设置于树脂基板的背面侧的第1安装端子用金属图案及第2安装端子用金属图案；金属结构体，其贯穿树脂基板，用于将第1元件搭载用金属图案与第1安装端子用金属图案电连接，引线键合用金属图案被连接用金属图案和第1虚设金属图案夹持。

Description

半导体装置
技术领域
本发明涉及搭载了多个半导体元件的半导体装置。例如，作为半导体元件有发光二极管(LED)元件、激光二极管(LD)元件等半导体发光元件、光电二极管(PD)元件等半导体受光元件以及逆电压保护元件。
背景技术
作为现有的半导体装置存在具有玻璃环氧基板等树脂基板的装置(参照：日本特开2008-71955号公报)。在该树脂基板的表面侧，在电极片上搭载有LED元件和齐纳二极管(ZD)元件，LED元件的一个电极和ZD元件的一个电极经由引线(wire)电连接于与上述电极片分离的其它电极片上。表面侧的搭载有LED元件的电极片与背面侧的电极片经由比LED元件的底面积大的截面积的延长部连接，另外，表面侧的其它电极片与背面侧的其它电极片经由较小的截面积的电极连接。由此，利用比LED元件的底面积大的截面积的延长部对LED元件产生的热量进行散热，并排除由高密度安装造成的热的恶劣影响。
发明内容
但是，当将上述的现有半导体装置锡焊于印刷电路基板成为使用状态而进行热冲击试验时，存在由于树脂基板的热应力造成的膨胀收缩导致引线断线的问题。
为了解决上述问题，本发明的半导体装置具有：树脂基板；第1半导体元件和第2半导体元件；设置于树脂基板的表面侧的如下部件：搭载第1半导体元件的第1元件搭载用金属图案、搭载第2半导体元件的第2元件搭载用金属图案、连接第1元件搭载用金属图案与第2元件搭载用金属图案的连接用金属图案、通过引线与第1半导体元件和第2半导体元件连接的引线键合用金属图案、以及与第1元件搭载用金属图案连接且与引线键合用金属图案邻近的第1虚设金属图案；设置于树脂基板的背面侧的如下部件：与第1元件搭载用金属图案对置的第1安装端子用金属图案、和与第2元件搭载用金属图案及引线键合用金属图案对置的第2安装端子用金属图案；以及金属结构体，其贯穿树脂基板，用于将第1元件搭载用金属图案与第1安装端子用金属图案电连接，引线键合用金属图案被连接用金属图案和第1虚设金属图案夹持。
根据本发明，利用第1虚设金属图案抑制第1元件搭载用金属图案与引线键合用金属图案之间的树脂基板的局部的热应力造成的膨胀收缩，该结果为，引线所受到的负载变小，能够防止引线的断线。
附图说明
图1示出本发明的半导体装置的第1实施例，(A)是俯视图，(B)是(A)的树脂基板的表面侧金属图案图，(C)是(A)的树脂基板的背面侧金属图案图。
图2是图1的半导体装置的剖视图，(A)是沿图1的(A)的A-A线的剖视图，(B)是沿图1的(A)的B-B线的剖视图，(C)是沿图1的(A)的C-C线的剖视图，(D)是沿图1的(A)的D-D线的剖视图。
图3示出作为比较例的半导体装置，(A)是俯视图，(B)是(A)的树脂基板的表面侧金属图案图，(C)是(A)的树脂基板的背面侧金属图案图。
图4是图3的半导体装置的剖视图，(A)是沿图3的(A)的A-A线的剖视图，(B)是沿图3的(B)的B-B线的剖视图。
图5示出本发明的半导体装置的第2实施例，(A)是俯视图，(B)是(A)的树脂基板的表面侧金属图案图，(C)是(A)的树脂基板的背面侧金属图案图。
图6是图5的半导体装置的剖视图，(A)是沿图5的(A)的A-A线的剖视图，(B)是沿图5的(A)的B-B线的剖视图，(C)是沿图5的(A)的C-C线的剖视图，(D)是沿图5的(A)的D-D线的剖视图。
图7是示出图1的半导体装置的完成状态的剖视图。
标号说明
1：树脂基板；11：LED元件搭载用金属图案；12：ZD元件搭载用金属图案；13：连接用金属图案；14：引线键合用金属图案；15：第1虚设金属图案；16、17：安装端子用金属图案；18：金属结构体；19：金属导通孔；20：第2虚设金属图案；2：发光二极管(LED)元件；3：齐纳二极管(ZD)元件；41、42、43：引线；5：荧光体层；6：白色树脂层。
具体实施方式
实施例
图1示出本发明的半导体装置的第1实施例，(A)是俯视图，(B)是(A)的树脂基板的表面侧金属图案图，(C)是(A)的树脂基板的背面侧金属图案图，图2是图1的半导体装置的剖视图，(A)是沿图1的(A)的A-A线的剖视图，(B)是图1的(A)的B-B线的剖视图，(C)是沿图1的(A)的C-C线的剖视图，(D)是沿图1的(A)的D-D线的剖视图。
如图1、图2所示，在树脂基板1的表面侧形成有矩形的LED元件搭载用金属图案11、比LED元件搭载用金属图案11小的矩形的ZD元件搭载用金属图案12、将LED元件搭载用金属图案11与ZD元件搭载用金属图案12电连接的连接用金属图案13、引线键合用金属图案14以及第1虚设金属图案(dummy metal pattern)15。在这种情况下，引线键合用金属图案14和第1虚设金属图案15配置于未配置有ZD元件3的区域，该区域是在LED元件2的ZD元件3侧的区域。即，在图1的(B)中，引线键合用金属图案14和第1虚设金属图案15配置于LED元件2的右侧且ZD元件3的下侧。另外，引线键合用金属图案14比LED元件搭载用金属图案11小。
第1虚设金属图案15邻近引线键合用金属图案14设置。在这种情况下，第1虚设金属图案15与LED元件搭载用金属图案11连接。另外，按照引线键合用金属图案14被连接用金属图案13和第1虚设金属图案15夹持的方式来配置第1虚设金属图案15。另外，优选第1虚设金属图案15与连接用金属图案13平行配置。此外，也可以使ZD元件搭载用金属图案12、引线键合用金属图案14以及第1虚设金属图案15延长至树脂基板1的边缘。
另一方面，在树脂基板1的背面侧形成有极性不同的较大的安装端子用金属图案16和较小的安装端子用金属图案17。在这种情况下，安装端子用金属图案16与LED元件搭载用金属图案11对置，并且，安装端子用金属图案17与ZD元件搭载用金属图案12和引线键合用金属图案14对置。LED元件搭载用金属图案11与安装端子用金属图案16通过较大的截面积的金属结构体18电连接。另外，引线键合用金属图案14与安装端子用金属图案17通过较小的截面积的金属导通孔19电连接。金属导通孔19在引线键合用金属图案14中避开引线41、42、43的连接区域进行配置。此外，金属结构体18和金属导通孔19能够利用相同层形成。
矩形状的LED元件2使其一个电极朝下而搭载于LED元件搭载用金属图案11上，另外，比LED元件2小的矩形状的ZD元件3使其一个电极朝下而搭载于ZD元件搭载用金属图案12上。在这种情况下，LED元件2和ZD元件3按照使得LED元件2的一边与ZD元件3的一边位于大致直线上并且与树脂基板1的一边平行的方式配置于树脂基板1上。
LED元件2的上表面的其它电极经由引线41、42与引线键合用金属图案14电连接，而且，ZD元件3的上表面的其它电极也经由引线43与引线键合用金属图案14连接。由此，LED元件2与ZD元件3逆并联。引线41、42、43的形成方法由第1接合步骤和第2接合步骤构成，其中，该第1接合步骤对引线键合用金属图案14进行接合，该第2接合步骤对LED元件2和ZD元件3进行接合。第1接合步骤是球压焊(ball bond)步骤，第2接合步骤是针脚式焊(stitchbond)步骤。在球压焊步骤中，在从引线键合装置的毛细管(capillary)的前端送出的引线的前端形成有金球，并伴随着超声波而热压接于引线键合用金属图案14上而形成球连接部。接着，在针脚式焊步骤中，使毛细管相对于树脂基板1的主表面垂直上提后，一边将引线延长一边水平移动直到移动到LED元件2上，并伴随着超声波而热压接于LED元件2上，然后上提引线而进行切断，形成针脚连接部。因而，例如图2的(B)所示，引线41、42、43相对于引线键合用金属图案14基本上垂直地竖立，相对于LED元件2和ZD元件3基本上水平。这样，通过使引线41、42、43的高度变低，能够实现半导体装置的薄型化。此外，例如引线42的与引线键合用金属图案14的连接部分附近(根部部分)由力学的物理特性较弱的再结晶化部42b构成，以使得其晶粒度比球部42a以及球部42a正上方的其它区域的大。即，关于引线键合，在将前端熔融而成为球状的引线粘着于引线键合用金属图案14的第1结合步骤(球压焊步骤)之后，将引线延长并通过将另一方的端部按压到LED元件2或者ZD元件3上施加超声波而进行粘着的第2结合步骤(针脚式焊步骤)来进行。因而，熔融粘着的引线的与引线键合用金属图案14的连接部分附近与未熔融的部分不同，产生金属的再结晶化，成为力学的物理特性较弱的再结晶化部42b。
LED元件2与ZD元件3逆并联地电连接于极性不同的安装端子用金属图案16、17之间。
在图1、图2的半导体装置中，尽量使树脂基板1的表面侧金属图案11、12、13、14、15与背面侧金属图案16、17对峙，而仅在树脂基板1减少与外部应力对应的区域，能够防止树脂基板1变形而在密封部(未图示，例如，图7中的荧光体层5或者白色树脂层6)产生裂纹。但是，为了减小整体尺寸，表面侧金属图案11、14的正负的边界部与背面侧金属图案16、17的正负的边界部重复。
如图2的(A)所示，沿A-A线的剖面中的LED元件2与ZD元件3之间的树脂基板1的部分通过与金属结构体18接连的连接用金属图案13被加强而抑制热应力造成的膨胀收缩。同样，如图2的(D)所示，LED元件2的虚设金属图案15侧的树脂基板1的部分也通过与金属结构体18接连的第1虚设金属图案15被加强而抑制热应力造成的膨胀收缩。
另一方面，如图2的(B)、(C)所示，因为沿B-B线的剖面和沿C-C线的剖面中的LED元件2与引线键合用金属图案14之间的树脂基板1的部分不存在金属图案，因此热应力造成的膨胀收缩与沿A-A线的剖面相比较大。但是，该LED元件2与引线键合用金属图案14之间的树脂基板1的部分的热应力造成的膨胀收缩被不容易产生由存在于引线键合用金属图案14两侧的热应力造成的膨胀收缩的ZD元件3侧的树脂基板1的部分和第1虚设金属图案15侧的树脂基板1的部分抑制，因而，图2的(B)、(C)的箭头Z1所示的弯曲变小。其结果为，可以认为引线41、42、43所受的负载变小，能够防止引线41、42、43的断线。
图3示出作为比较例的半导体装置，(A)是俯视图，(B)是(A)的树脂基板的表面侧金属图案图，(C)是(A)的树脂基板的背面侧金属图案图，图4是图3的半导体装置的剖视图，(A)是沿图3的(A)的A-A线的剖视图，(B)是沿图3的(B)的B-B线的剖视图。在图3、图4中，未设置有图1、图2的第1虚设金属图案15。
当作为上述比较例的图3、图4的半导体装置的安装端子用金属图案16、17锡焊于印刷电路基板(未图示)而成为使用状态时，有可能引线41、42、43借助树脂基板1的热应力造成的膨胀收缩进行扭转而断线。即，如图4的(A)所示，LED元件2与ZD元件3之间的树脂基板1的部分通过连接用金属图案13被加强而抑制热应力造成的膨胀收缩。另一方面，如图4的(B)所示，因为LED元件2与引线键合用金属图案14之间的树脂基板1的部分不具有金属图案，因此热应力造成的膨胀收缩比较大。因而，当结合有LED元件2的较大的安装端子用金属图案16通过锡焊固定于印刷电路基板时，引线键合用金属图案14侧的树脂基板1的部分虽然多少被热应力造成的膨胀收缩较小的ZD元件3侧的树脂基板1的部分抑制，但如图4的(B)的箭头Z0所示，进行大幅度弯曲。其结果为，引线41、42、43的负载变大，尤其在引线键合用金属图案14上的引线41、42、43的第1结合步骤中的根部的再结晶化部例如42b中，有可能发生细线化或断线。
本申请发明者将图3、图4的半导体装置锡焊到由铝等制成的印刷电路基板上，并进行了-40℃～125℃的热冲击冲程试验。其结果为，在图3、图4的半导体装置中，在规定冲程中发生了引线的断线。即，在图3、图4的半导体装置中，可以认为由热冲击冲程造成的树脂基板的弯曲引起了再结晶化部的细线化。与此相对，在图1、图2的半导体装置中，因为抑制了热冲击冲程造成的树脂基板1的弯曲，因此在图3、图4的半导体装置中产生了断线的冲程数中未产生线断线。
图5示出本发明的半导体装置的第2实施例，(A)是俯视图，(B)是(A)的树脂基板的表面侧金属图案图，(C)是(A)的树脂基板的背面侧金属图案图，图6是图5的半导体装置的剖视图，(A)是沿图5的(A)的A-A线的剖视图，(B)是沿图5的(A)的B-B线的剖视图，(C)是沿图5的(A)的C-C线的剖视图，(D)是沿图5的(A)的D-D线的剖视图。
在图5、图6中，在图1、图2的半导体装置的树脂基板1的表面侧还设置有第2虚设金属图案20。在这种情况下，第2虚设金属图案20与ZD元件搭载用金属图案12和第1虚设金属图案15连接。另外，按照引线键合用金属图案14被搭载于金属结构体18的LED元件搭载用金属图案11、连接用金属图案13、ZD元件搭载用金属图案12、第2虚设金属图案20以及第1虚设金属图案15包围的方式配置第2虚设金属图案20。此外，第2虚设金属图案20也可以延长到树脂基板1的边缘。因而，树脂基板1的引线键合用金属图案14的周围部分难以进行热应力造成的膨胀收缩，其结果为，LED元件2与引线键合用金属图案14之间的树脂基板1的部分的热应力造成的膨胀收缩被抑制。因而，如图6的(B)、(C)的箭头Z2所示，弯曲进一步变小。其结果为，引线41、42、43所受的负载进一步变小，能够进一步防止引线41、42、43的断线。
在图1、图2、图5、图6的半导体装置中，如与图2的(C)对应的图7所示，在LED元件2例如蓝色LED元件上涂敷例如包含将蓝色光的一部分转换成黄色光的YAG粒子的荧光体层5，而且，在LED元件2和荧光体层5的周围能够形成使来自LED元件2和荧光体层5的光反射的白色树脂层6。
在图1、图2、图5、图6中，树脂基板1例如由厚度为0.1mm的BT树脂(商标)构成。另外，金属图案11～17、20由Cu/Ni/Pd/Au或者Ni/Au的层叠构成。而且，金属结构体18和金属导通孔19由Cu镀层构成。另外，为了抑制树脂基板1的膨胀收缩造成的引线41、42、43的负载，金属结构体18的截面积是LED元件2的底面积的至少15％以上，优选是50％以上，在上述的实施例中，是50％～85％左右。此外，金属结构体18也可以由多个矩形或者圆形结构体构成。
另外，上述实施例示出了LED元件2和ZD元件3的组合的半导体装置，本发明也能够应用于代替ZD元件3而使用了其它的LED元件的多个LED元件的组合的半导体装置中。而且，LED元件也可以是其它的半导体发光元件例如激光二极管(LD)元件或者其它的半导体受光元件例如光电二极管(PD)元件。即，本发明也能够应用于使用了多个半导体元件的组合的半导体装置中。
而且，本发明也能够应用于上述实施例的显而易见的范围的任意变更中。

Claims (6)

1.一种半导体装置，其具有：
树脂基板；
第1半导体元件和第2半导体元件；
设置于所述树脂基板的表面侧的如下部件：搭载所述第1半导体元件的第1元件搭载用金属图案、搭载所述第2半导体元件的第2元件搭载用金属图案、连接第1元件搭载用金属图案与所述第2元件搭载用金属图案的连接用金属图案、通过引线与所述第1半导体元件和第2半导体元件连接的引线键合用金属图案、以及与所述第1元件搭载用金属图案连接且与所述引线键合用金属图案邻近的第1虚设金属图案；
设置于所述树脂基板的背面侧的如下部件：与所述第1元件搭载用金属图案对置的第1安装端子用金属图案、和与所述第2元件搭载用金属图案及所述引线键合用金属图案对置的第2安装端子用金属图案；以及
金属结构体，其贯穿所述树脂基板，用于将所述第1元件搭载用金属图案与所述第1安装端子用金属图案电连接，
所述引线键合用金属图案被所述连接用金属图案和所述第1虚设金属图案夹持。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1虚设金属图案与所述连接用金属图案平行。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具有设置于所述树脂基板的表面侧的第2虚设金属图案，该第2虚设金属图案连接所述第2元件搭载用金属图案与所述第1虚设金属图案，
所述引线键合用金属图案被所述第1元件搭载用金属图案、所述第1虚设金属图案、所述第2虚设金属图案、所述第2元件搭载用金属图案以及所述连接用金属图案包围。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1半导体元件是半导体发光元件或者半导体受光元件，
所述第2半导体元件是逆电压保护元件。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述引线键合用金属图案与所述引线的连接部形成有球部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
该半导体装置还具有金属导通孔，该金属导通孔贯穿所述树脂基板，且用于将所述引线键合用金属图案与所述第2安装端子用金属图案电连接。
CN201611047942.0A 2015-11-24 2016-11-21 半导体装置 Active CN107068668B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015228429A JP6581886B2 (ja) 2015-11-24 2015-11-24 半導体装置
JP2015-228429 2015-11-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107068668A true CN107068668A (zh) 2017-08-18
CN107068668B CN107068668B (zh) 2021-11-12

Family

ID=58817323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611047942.0A Active CN107068668B (zh) 2015-11-24 2016-11-21 半导体装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6581886B2 (zh)
CN (1) CN107068668B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019046912A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 東芝ライテック株式会社 発光装置、車両用照明装置、および車両用灯具
JP7113608B2 (ja) * 2017-11-08 2022-08-05 シチズン時計株式会社 Ｌｅｄモジュール

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0674346A2 (en) * 1994-03-22 1995-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Connecting terminals for semiconductor package
CN101002511A (zh) * 2004-06-10 2007-07-18 揖斐电株式会社 刚挠性电路板及其制造方法
JP2008071955A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN101374391A (zh) * 2007-08-23 2009-02-25 松下电器产业株式会社 多层布线基板
CN102376679A (zh) * 2010-08-24 2012-03-14 三星电子株式会社 封装基板以及包括该封装基板的倒装芯片封装
CN103098191A (zh) * 2010-12-01 2013-05-08 松下电器产业株式会社 电子元器件安装体、电子元器件及基板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0674346A2 (en) * 1994-03-22 1995-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Connecting terminals for semiconductor package
CN101002511A (zh) * 2004-06-10 2007-07-18 揖斐电株式会社 刚挠性电路板及其制造方法
JP2008071955A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN101374391A (zh) * 2007-08-23 2009-02-25 松下电器产业株式会社 多层布线基板
CN102376679A (zh) * 2010-08-24 2012-03-14 三星电子株式会社 封装基板以及包括该封装基板的倒装芯片封装
CN103098191A (zh) * 2010-12-01 2013-05-08 松下电器产业株式会社 电子元器件安装体、电子元器件及基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017098394A (ja) 2017-06-01
JP6581886B2 (ja) 2019-09-25
CN107068668B (zh) 2021-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI535077B (zh) 發光單元及其發光模組
US8174038B2 (en) Light emitting device
US7842526B2 (en) Light emitting device and method of producing same
US8823175B2 (en) Reliable area joints for power semiconductors
US9666567B2 (en) Light emitting device having underlying protective element
CN102185091B (zh) 一种发光二极管器件及其制造方法
CN102769087B (zh) 基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺
US20110266586A1 (en) Led package and manufacturing method thereof
US20130307014A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP6523597B2 (ja) 発光装置
CN106663731A (zh) 半导体装置及其制造方法
JP2014225644A (ja) 発光装置
CN107068668A (zh) 半导体装置
JP2000216439A (ja) チップ型発光素子およびその製造方法
JP2005123657A (ja) チップ型発光素子およびその製造方法
US20190006554A1 (en) Method of manufacturing light-emitting device
JP2012165016A (ja) 発光装置
KR101762597B1 (ko) 반도체 발광소자용 기판
US11398589B2 (en) Light emitting device package and light source device
EP1524705A2 (en) Flip chip type led lighting device manufacturing method
JP2006279080A (ja) 発光素子ウエハの固定方法
JP4835104B2 (ja) 半導体発光装置
CN102479907A (zh) 发光二极管封装结构
JP2014033233A (ja) 発光装置
JP2008263246A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant