CN107004606A - 氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物层的制造方法和半导体元件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物的物质。结果如图1所示，可形成可用于半导体元件的制造的良好图案。

Description

氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物 层的制造方法和半导体元件的制造方法

技术领域

本发明涉及氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置以及氧化物层的制造方法及半导体元件的制造方法。

背景技术

以往，作为电子装置一例的薄膜晶体管的通道层，主要使用多晶硅膜或非晶硅膜。然而，多晶硅膜的情况，因在多晶粒子界面发生的电子散射，导致电子迁移率受限制，结果晶体管特性发生变动。另外，非晶硅膜的情况，存在电子迁移率极低，元件随时间而劣化，元件可靠度极低这样的问题。所以，聚焦关注于电子迁移率高于非晶硅膜、且与多晶硅膜相比晶体管特性变动少的氧化物半导体。另外，因为不仅氧化物半导体，而且由氧化物构成的氧化物导电体或氧化物绝缘体也是例如仅基于氧化物的电子装置的实现所不可或缺技术要件，因而产业界对上述氧化物的关注极高。

最近，正盛行尝试利用印刷法等低能量制造工艺在挠性树脂基板上制作电子装置。通过采用印刷法等，可直接在基板上将半导体层图案化，结果具有能省略用以施行图案化的蚀刻处理步骤的优点。

例如，如专利文献1～3所记载，进行了使用导电性高分子、有机半导体等制作涂布挠性电子装置的尝试。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-134547号公报

专利文献2：日本特开2007-165900号公报

专利文献3：日本特开2007-201056号公报

非专利文献

非专利文献1：SID 2015 DIGEST,p.1135

发明内容

本发明所要解决的课题

各种形态信息终端和信息家电被产业界及消费者需求的过程中，半导体需要更高速作动、长时间稳定，且是低环境负载。然而，在以往技术中，通常采用例如使用真空工艺、光刻法的工艺这样的需要较长时间和/或高价设备的工艺，因此原材料、制造能量的使用效率非常差。此情况就从工业性到量产性的观点出发是非优选的。另一方面，现状下，针对至今作为主流使用的硅半导体或其他半导体，极难利用凹版印刷、网版印刷、平版印刷、喷墨印刷等印刷法形成层。另外，即便采用专利文献1～3所记载的导电性高分子、有机半导体等的情况，其电气物性及稳定性仍不充分。另外，本申请中的“层”不仅局限于“层”，还包含“膜”的概念。反之，本申请的“膜”并不仅局限于“膜”，还包含“层”的概念。

然而，从电子装置的挠性化、及上述工业性到量产性的观点出发，目前，产业界极力聚焦于利用上述各种印刷法进行层形成、以及使用功能性溶液或功能性糊状物制造的各种半导体元件及电子装置。

然而，例如利用印刷法(特别是网版印刷法)所形成层的厚度、与对半导体元件所要求的层的厚度有差异。具体而言，使用印刷法进行图案化时形成较厚的层，而对半导体元件所要求的层厚度通常非常薄。另外，在印刷法所使用的糊状物或溶液(例如，使被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物分散于含粘结剂的溶液中的氧化物的前驱体)，存在有用以进行图案化的优选的粘度，因而通过添加粘结剂来调整其粘度。本案发明人等确认到特别是构成半导体元件的薄层(代表性地，氧化物半导体层、氧化物导电体层、或氧化物绝缘体层)，使用添加了粘结剂的糊状物或溶液利用例如印刷法形成层时，可能发生无法适当控制此粘结剂的牵丝性这样的状况。这样的情况下，将产生无法形成能承受半导体元件使用或适于半导体元件制造的良好图案这样的问题。用更具体例而言，在利用印刷法形成氧化物的前驱体的层的过程中，因为从基板上形成有某图案的前驱体层中一部分前驱体会被拉成丝状，因此可能产生破坏所期望的图案这样的问题。

再者，例如利用印刷法形成上述氧化物的前驱体的图案时，需要维持暂且形成的图案的形状。所以，形成难以发生经时变化的图案，也是在印刷法中被特别要求的课题之一。

解决课题的手段

本案发明人等在从液体材料形成各种金属氧化物的研究的进行之中，特别针对从上述糊状物或溶液所获得的凝胶状层(以下，也称作“凝胶层”)形成图案的过程进行了详细分析。结果发现从凝胶层至成为固化状态或烧结状态层之前、即进行作为主煅烧的加热处理前的阶段中，粘结剂自身或已添加粘结剂的糊状物或溶液的特性在形成凝胶层图案时会造成不小的影响。

经多次试行错误和分析的结果，本案发明人等确认到利用由脂肪族聚碳酸酯构成的具有特定范围分子量的粘结剂、或特定牵丝性的粘结剂，针对具备电子装置或半导体元件能采用程度的薄度的凝胶层的所需的图案的实现，可具有贡献。

再者，本案发明人等也从其他观点针对此凝胶层的所期望的图案的实现反复进行了研讨。具体而言，上述粘结剂一旦形成图案后，若从最终获得的金属氧化物观察为杂质，成为被分解或除去的对象。所以，需要此粘结剂的时间只不过是暂时的。因此，本案发明人等不针对如以往所开发为了能将暂时形成的图案形状维持相当长时间下工夫，而是基于只要从形成图案至被分解或除去为止的期间的短时间内维持其图案即可的想法进行了研究和分析。其结果，得知通过对上述糊状物或溶液的溶剂下工夫，还可有助于上述凝胶层的所期望的图案的实现。

此外，还确认到对作为氧化物前驱体的该凝胶层进行加热处理所获得的氧化物层，也是利用印刷法所代表的低能量制造工艺便能轻易形成。即，上述各观点及手段可对具备使用低能量制造工艺形成的所期望的薄层的金属氧化物的半导体元件及电子装置性能及其制造技术的进一步提升，做出贡献。

本发明是根据上述各观点和众多的分析而做出的。

另外，本案发明人等因为过去曾实现通过用于形成上述金属氧化物的煅烧而高度可靠地分解或除去粘结剂的同时获得氧化物半导体层的设备或方法(例如，国际公开公报WO/2015/019771号)，因而本申请中也可应用此种设备或方法的至少一部分。本案未必一定要应用直至目前所研究或开发的技术及技术思想。但是，利用此技术及技术思想，与解决上述技术课题至少一部分相辅相成，可对上述半导体元件及电子装置的性能以及其制造技术的进一步提升，做出贡献。

再者，本案中，“由液体至凝胶状态的过程”若就代表性的例子而言，是指：利用热处理除去粘结剂与溶剂，但在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物(例如，配合基)尚未被分解的状况。另外，“由凝胶状态至固化状态或烧结状态的过程”若就代表性的例子而言，是指：前述配位基分解，被氧化时成为金属氧化物的金属与氧的键合大体完成的状况。

本发明之一氧化物的前驱体是：在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的由该脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质。

根据此氧化物的前驱体，因为占发挥糊状物功用的脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的分子量的范围为6千以上且40万以下，因而，例如，对利用印刷法形成的层可适当地控制其粘结剂的牵丝性。结果，对氧化物的前驱体可获得良好的图案。

再者，本发明另一氧化物的前驱体是：在含有下述脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质；所述脂肪族聚碳酸酯是：在使用TA Instruments公司制流变仪(型号：AR-2000EX)测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中，沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制的直径D的圆柱棒之后，将此圆柱棒以速度v提起时，测定距此脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)的值为0.25mm^-1Pa^-1以上的脂肪族聚碳酸酯。

根据本案发明人等的研究和分析，获得以下见解：关于氧化物的前驱体，通过发挥糊状物功用的脂肪族聚碳酸酯满足基于上述计算式[即L/(D×v×η)]的数值范围，例如，关于利用印刷法形成的层，可适当地控制其粘结剂的牵丝性。所以，若满足上述数值范围，则关于氧化物的前驱体可获得良好的图案。

再者，本发明的一氧化物层，是通过对下述的氧化物的前驱体的层进行煅烧而形成的，该氧化物的前驱体是：在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的由该脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质。

根据该氧化物层，因为占此氧化物层的前驱体中的发挥糊状物功用的脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的分子量的范围为6千以上且40万以下，因而，例如，关于利用印刷法形成的层，可适当地控制其粘结剂的牵丝性。其结果，针对氧化物的前驱体可形成良好的图案，因此能获得良好的图案的氧化物层。

再者，本发明的另一氧化物层是通过对下述的氧化物的前驱体的层进行煅烧而形成，所述氧化物的前驱体是：在含有下述脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述脂肪族聚碳酸酯是：在使用TA Instruments公司制流变仪(型号：AR-2000EX)测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中，沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制的直径D的圆柱棒之后，将此圆柱棒以速度v提起时，测定距此脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)的值为0.25mm^-1Pa^-1以上的前述脂肪族聚碳酸酯。

根据此氧化物层，获得以下见解：通过氧化物层的前驱体中发挥糊状物功用的脂肪族聚碳酸酯满足基于上述计算式的数值范围，例如，对利用印刷法形成的层可适当地控制其粘结剂的牵丝性。所以，若满足上述数值范围，则可形成氧化物的前驱体层的良好图案，因此能获得良好的图案的氧化物层。

再者，本发明的一氧化物层的制造方法包括：前驱体层形成步骤，利用印刷法形成氧化物的前驱体的层，所述氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的由该脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质；以及煅烧步骤，对该前驱体的层进行煅烧。

根据此氧化物层的制造方法，由于占发挥糊状物功用的脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的分子量的范围为6千以上且40万以下，因而针对利用例如印刷法形成的层可适当地控制其粘结剂的牵丝性。其结果，针对氧化物的前驱体可形成良好的图案。

再者，本发明另一氧化物层的制造方法包括：前驱体层形成步骤，利用印刷法形成氧化物的前驱体的层，所述氧化物的前驱体是：在含有下述的脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述脂肪族聚碳酸酯是：使用TA Instruments公司制流变仪(型号：AR-2000EX)测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中，沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制的直径D的圆柱棒之后，将此圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)的值为0.25mm^-1Pa^-1以上的脂肪族聚碳酸酯；以及煅烧步骤，对该前驱体的层进行煅烧。

根据本案发明人等的研究和分析，获得以下见解：关于氧化物的前驱体，通过发挥糊状物功用的脂肪族聚碳酸酯满足基于上述计算式的数值范围，则针对利用例如印刷法形成的层可适当地控制其粘结剂的牵丝性。所以，若满足上述数值范围，可形成氧化物的前驱体层的良好的图案。

但是，本申请中的“金属氧化物”是包含氧化物半导体、氧化物导电体、或氧化物绝缘体的概念。另外，因为氧化物半导体、氧化物导电体、及氧化物绝缘体分别从导电性观点而言是相对概念，因而并无需要严格区分。假设即便是同种金属氧化物，仍会因各种装置的要求，导致依情况被本领域技术人员认定为氧化物半导体，也有可能被本领域技术人员认定为氧化物导电体或氧化物绝缘体的情况。另外，本案的“基板”并不仅限于板状体基础，也包含其他形态的基础或母材。此外，本案后述各实施方式中，“涂布”是指利用低能量制造工艺、代表性地利用印刷法在某基板上形成层。

发明效果

根据本发明一氧化物的前驱体，因为针对利用例如印刷法形成的层，可适当地控制由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的牵丝性，因而对氧化物的前驱体可获得良好的图案。另外，根据本发明一氧化物层，针对利用例如印刷法形成的层，可适当地控制由脂肪族聚碳酸酯所构成粘结剂的牵丝性。其结果，因为对氧化物的前驱体可形成良好的图案，因而可获得良好图案的氧化物层。

再者，根据本发明一氧化物层的制造方法，因为可适当地控制由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的牵丝性，因而对氧化物的前驱体可形成良好的图案。

附图说明

图1是本发明第一实施方式中的能实现良好图案的代表性光学显微镜照片例。

图2A是本发明第一实施方式中的形成有非优选的代表性光学显微镜照片例。

图2B是本发明第一实施方式中的形成有良好图案的代表性光学显微镜照片例。

图3A是表示本发明第一实施方式中各试料与表示牵丝性的评价参数之间的关系的图。

图3B是表示本发明第一实施方式中各试料与表示牵丝性的评价参数之间的关系的图。

图4A是表示本发明第一实施方式中在基材上配置含脂肪族聚碳酸酯的溶液之后，经30秒钟后，基材与该溶液的接触角、及基材上的该溶液扩展率相对于2-硝基丙烷浓度变化的图。

图4B是表示本发明第一实施方式中在基材上配置含脂肪族聚碳酸酯的溶液之后，经120秒钟后，基材与该溶液的接触角、及基材上的该溶液扩展率相对于2-硝基丙烷浓度变化的图。

图5是表示本发明第二实施方式中薄膜晶体管的制造方法的一过程的剖面示意图。

图6是表示本发明第二实施方式中薄膜晶体管的制造方法的一过程的剖面示意图。

图7是表示本发明第二实施方式中薄膜晶体管的制造方法的一过程的剖面示意图。

图8是表示本发明第二实施方式中薄膜晶体管的制造方法的一过程的剖面示意图。

图9是表示本发明第二实施方式中薄膜晶体管的制造方法的一过程的剖面示意图。

图10是表示本发明第二实施方式中薄膜晶体管的制造方法的一过程的剖面示意图。

图11是表示本发明第二实施方式的用于形成薄膜晶体管的通道的氧化物半导体的前驱体的构成材料一例的、含铟溶液的TG-DTA特性图。

图12A是表示本发明第二实施方式的用于形成薄膜晶体管构成要素的仅以粘结剂为溶质的溶液的一例的、聚碳酸亚丙酯溶液的TG-DTA特性图。

图12B是表示本发明第二实施方式的用于形成薄膜晶体管构成要素的氧化物半导体的前驱体的TG-DTA特性图。

图12C是表示本发明第二实施方式的用于形成薄膜晶体管构成要素的氧化物半导体的前驱体的另一TG-DTA特性图。

图13是表示本发明第二实施方式的薄膜晶体管的制造方法一过程的剖面示意图。

图14是表示本发明第二实施方式的薄膜晶体管的制造方法一过程的剖面示意图。

图15是表示本发明第二实施方式的薄膜晶体管的制造方法一过程的剖面示意图。

图16是表示本发明第二实施方式的薄膜晶体管全体构成及其制造方法一过程的剖面示意图。

图17是表示本发明第二实施方式的变型例(2)的薄膜晶体管的制造方法一过程的剖面示意图。

具体实施方式

针对本发明实施方式的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、及电子装置及其制造方法，基于附图进行详细说明。另外，在此说明中，所有图在没有特别声明前提下，对共通的部分赋予共通的附图标记。另外，图中，本实施方式的要素并非一定维持相互缩小比例记载。另外，为容易观察各图，其中一部分也可能省略附图标记。

＜第一实施方式＞

1、氧化物的前驱体、及氧化物层的构成及其制造方法

本实施方式中，使脂肪族聚碳酸酯、与在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物混合的代表性的方式是“氧化物的前驱体”。所以，该氧化物的前驱体代表例是使在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物分散于含有可认为发挥粘结剂(可含不可避免的杂质，以下相同)功用的脂肪族聚碳酸酯的溶液中得到的物质。另外，作为粘结剂的脂肪族聚碳酸酯利用例如印刷法暂时形成图案后，若从最终获得的金属氧化物来看，是杂质，因而成为主要利用加热处理予以分解或除去的对象。

再者，本实施方式中，分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯的比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上。另外，本实施方式的金属氧化物例是氧化物半导体、氧化物导电体或氧化物绝缘体。

(关于粘结剂、及含有此粘结剂的溶液)

接下来，着眼于本实施方式的粘结剂，针对此粘结剂、及含有此粘结剂的溶液进行详述。

本实施方式中，作为粘结剂，使用热分解性良好的吸热分解型脂肪族聚碳酸酯。另外，粘结剂的热分解反应是吸热反应这一点可利用示差热测定法(DTA)确认。这种脂肪族聚碳酸酯由于含氧量高能够在较低温下分解为低分子化合物，因而针对降低金属氧化物中以碳杂质为代表的杂质残留量而言具有积极贡献。

再者，本实施方式中，含粘结剂的溶液所能采用的有机溶剂，是能溶解脂肪族聚碳酸酯的有机溶剂即可，其余并无特别的限定。有机溶剂的具体例为：二乙二醇单乙醚醋酸酯[Diethylene-Glycol-Monoethyl Ether Acetate(以下，也称作“DEGMEA”)]、α-松油醇、β-松油醇、N-甲基-2-吡咯啶酮、2-硝基丙烷、异丙醇、二乙二醇单丁醚醋酸酯、二乙二醇单丁醚、甲苯、环己烷、甲乙酮、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸丙烯酯等。这些有机溶剂中，从沸点适度地高、在室温下的蒸发少、对氧化物的前驱体进行煅烧时能均匀除去有机溶剂的观点出发，优选使用二乙二醇单乙醚醋酸酯、α-松油醇、N-甲基-2-吡咯啶酮、2-硝基丙烷及碳酸丙烯酯。另外，本实施方式中，所形成图案中的粘结剂在最终成为作为杂质而被分解或除去的对象。所以，从只要图案形成后至被分解或除去为止的较短时间内能维持其图案即可的观点出发，优选采用DEGMEA与2-硝基丙烷的混合溶剂。

本实施方式的氧化物的前驱体的制造方法不特别限定。例如，可采用将金属氧化物、粘结剂、及有机溶剂等各成分，使用以往公众的搅拌方法进行搅拌使其均匀分散、溶解的方法。另外，将含有金属氧化物的有机溶剂、与使粘结剂溶解于有机溶剂中得到的溶液，使用以往公知的搅拌方法进行搅拌得到前驱体的方法，也是能采用的一种方式。

上述公知的搅拌方法还包含例如使用搅拌机进行混合的方法，或者使用填充有陶瓷球的研磨机等装置使其旋转和/或振动而进行混匀的方法。

再者，从提升金属氧化物分散性的观点出发，在含有粘结剂的溶液中，可根据期望进一步添加分散剂、可塑剂等。

上述分散剂的具体例是：

甘油、山梨糖醇酐等多元醇酯；

二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等聚醚多元醇；聚伸乙亚胺等胺；

聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸等(甲基)丙烯酸树脂；

异丁烯或苯乙烯、与顺丁烯二酸酐的共聚物、及其胺盐等。

上述可塑剂的具体例是：聚醚多元醇、酞酸酯等。

再者，本实施方式形成氧化物的前驱体层的方法，并不特别限定。利用低能量制造工艺进行层的形成是优选的一个方式。更具体而言，凹版印刷、网版印刷、平版印刷、喷墨印刷等印刷法是本实施方式中的特别优选的低能量制造工艺。另外，作为其他的低能量制造工艺，可使用辊涂布、模具涂布、气刀涂布、刮刀涂布、旋涂、逆转涂布、凹版涂布等涂布法等。另外，上述之中，优选利用特别简便方法的网版印刷涂布于基板来形成氧化物的前驱体层。

(关于脂肪族聚碳酸酯)

另外，后述各实验例中，作为脂肪族聚碳酸酯的例子，采用聚碳酸亚丙酯，但本实施方式中所使用的脂肪族聚碳酸酯的种类并不特别的限定。例如使环氧化物与二氧化碳进行聚合反应得到的脂肪族聚碳酸酯也是本实施方式中可采用的优选的一方式。通过使用这种由环氧化物与二氧化碳进行聚合反应得到的脂肪族聚碳酸酯，控制脂肪族聚碳酸酯的结构，实现获得提高吸热分解性、且具有所需分子量的脂肪族聚碳酸酯这样的效果。特别地，脂肪族聚碳酸酯中，从含氧量高、在较低温度下分解为低分子化合物的观点而言，优选地，脂肪族聚碳酸酯选自聚碳酸亚乙酯、及聚碳酸亚丙酯所构成群组中的至少一种。上述任一脂肪族聚碳酸酯只要其分子量在上述数值范围内，便可实现与本实施方式效果同样的效果。

再者，上述环氧化物只要是与二氧化碳进行聚合反应而成为具有在主链含脂肪族的结构的脂肪族聚碳酸酯的环氧化物，则并不特别限定。例如：环氧乙烷、环氧丙烷、1-环氧丁烷、2-环氧丁烷、环氧异丁烷、1-环氧戊烷、2-环氧戊烷、1-环氧己烷、1-环氧辛烷、1-环氧癸烷、氧化环戊烯、氧化环己烯、氧化苯乙烯、乙烯基氧化环己烯(vinylcyclohexeneoxide)、3-苯基环氧丙烷、3,3,3-三氟环氧丙烷、3-萘基环氧丙烷、3-苯氧基环氧丙烷、3-萘氧基环氧丙烷、丁二烯单氧化物(butadiene monoxide)、3-乙烯氧基环氧丙烷、及3-三甲基硅烷氧基环氧丙烷等环氧化物，是本实施方式中能采用的一例。这些环氧化物中，从与二氧化碳具有高聚合反应性的观点出发，优选采用环氧乙烷及环氧丙烷。另外，上述各环氧化物可分别单独使用，也可组合使用2种以上。

上述脂肪族聚碳酸酯的质量平均分子量优选为5000～1000000，更优选为10000～500000。在脂肪族聚碳酸酯的质量平均分子量小于5000的情况下，例如，因粘度降低产生的影响等，导致会有无法充分获得作为粘结剂的效果的危险。另外，在脂肪族聚碳酸酯的质量平均分子量超过1000000的情况下，则因为脂肪族聚碳酸酯溶解于有机溶剂的溶解性降低，因而有难以处理的危险。另外，前述质量平均分子量的数值可通过下述方法计算出。

具体而言，调制上述脂肪族聚碳酸酯浓度为0.5质量％的氯仿溶液，使用高速液相色层分析仪进行测定。经测定后，在同一条件下测定的质量平均分子量与已知的聚苯乙烯进行比较，由此计算出分子量。另外，测定条件如下。

机种：HLC-8020(TOSOH株式会社制)

管柱：GPC管柱(TOSOH株式会社制的商品名：TSK GEL Multipore HXL-M)

管柱温度：40℃

溶出液：氯仿

流速：1mL/分

再者，作为上述脂肪族聚碳酸酯的制造方法的一例，可采用使上述环氧化物与二氧化碳在金属催化剂的存在下进行聚合反应的方法等。

此处，脂肪族聚碳酸酯的制造例如下。

将具备搅拌机、气体导入管、温度计的1L容积的高压灭菌器系统内预先置换为氮气氛后，装填入包含有机锌催化剂的反应液、己烷及环氧丙烷。接着，一边搅拌，一边添加二氧化碳，由此将反应系统内置换为二氧化碳气氛，并填充二氧化碳直到反应系统内成为约1.5MPa为止。然后，将此高压灭菌器升温至60℃，一边补充因反应而被消耗的二氧化碳，一边进行几小时的聚合反应。待反应结束后，冷却高压灭菌器并脱压、过滤。然后，通过进行减压干燥而获得聚碳酸亚丙酯。

再者，上述金属催化剂的具体例为铝催化剂、或锌催化剂。这些之中，优选使用锌催化剂，因为其在环氧化物与二氧化碳的聚合反应中具有高聚合活性。另外，锌催化剂之中，特别优选使用有机锌催化剂。

再者，上述有机锌催化剂的具体例为：

醋酸锌、二乙锌、二丁锌等有机锌催化剂；或

通过使一级胺、二元酚、二元芳香族羧酸、芳香族羟酸、脂肪族二羧酸、脂肪族单羧酸等化合物与锌化合物进行反应获得的有机锌催化剂等。

这些有机锌催化剂之中，从具有更高聚合活性的观点出发，采用由锌化合物、与脂肪族二羧酸、及脂肪族单羧酸进行反应获得的有机锌催化剂，是优选的一个方式。

此处，有机锌催化剂的制造例如下。

首先，在具备有搅拌机、氮气体导入管、温度计、及回流冷却管的四个口烧瓶中，装填入氧化锌、戊二酸、醋酸、及甲苯。接着，将反应系统内置换为氮气氛之后，将此烧瓶升温至55℃，在同温度下搅拌4小时，由此进行了前述各材料的反应处理。然后，升温至110℃，进一步在同温度搅拌4小时而使之共沸脱水，仅除去了水分。然后，通过将此烧瓶冷却至室温，获得了包含有机锌催化剂的反应液。另外，针对分取此反应液的一部分，经过滤而获得的有机锌催化剂，测定了IR(Thermo Nicolet Japan株式会社制、商品名：AVATAR360)。结果，并没有发现基于羧酸基的峰。

再者，聚合反应所使用上述金属催化剂的使用量，相对于环氧化物100质量份，优选为0.001～20质量份，更优选为0.01～10质量份。在金属催化剂的使用量小于0.001质量份的情况下，会有聚合难以反应的危险。另外，在金属催化剂的使用量超过20质量份的情况下，无法获得匹配使用量的效果，有不符合经济效益的危险。

上述聚合反应中根据需要使用的反应溶剂并无特别的限定。此反应溶剂可使用各种有机溶剂。该有机溶剂的具体例为：

戊烷、己烷、辛烷、癸烷、环己烷等脂肪族烃系溶剂；

苯、甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；

氯甲烷、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1,1-二氯乙烷、1,2-二氯乙烷、氯化烷、三氯乙烷、1-氯丙烷、2-氯丙烷、1-氯丁烷、2-氯丁烷、1-氯-2-甲基丙烷、氯苯、溴化苯等卤化烃系溶剂；

碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸丙烯酯等碳酸酯系溶剂等。

再者，上述反应溶剂的使用量从使反应顺畅进行的观点出发，相对于环氧化物100质量份，优选为500质量份以上且10000质量份以下。

再者，上述聚合反应中，使环氧化物与二氧化碳在金属催化剂存在下进行反应的方法并无特别的限定。例如，可采用在高压灭菌器中，装填入上述环氧化物、金属催化剂、及根据需要装填入反应溶剂，并混合后，压入二氧化碳，使它们进行反应的方法。

此外，上述聚合反应中所使用的二氧化碳的使用压力并无特别的限定。代表性优选为0.1MPa～20MPa，更优选为0.1MPa～10MPa，特别优选为0.1MPa～5MPa。在二氧化碳的使用压力超过20MPa的情况下，无法获得匹配使用压力的效果，有不符经济效益的危险。

再者，上述聚合反应中的聚合反应温度并无特别的限定。代表性优选为30～100℃，更优选为40～80℃。在聚合反应温度小于30℃的情况下，存在有聚合反应需要长时间的危险。另外，在聚合反应温度超过100℃的情况下，发生副反应，存在有产率降低的危险。聚合反应时间由于依照聚合反应温度而有差异，因此无法一概而言，代表性优选为2小时～40小时。

聚合反应结束后，利用过滤等进行滤分，再根据需要用溶剂等清洗后，经干燥，可获得脂肪族聚碳酸酯。

[脂肪族聚碳酸酯的分子量与牵丝性及图案形状间的相关性]

本案发明人等通过代表性地进行以下的实验，而针对脂肪族聚碳酸酯的分子量与牵丝性及图案形状间的相关性进行了仔细分析及研讨。其结果，本案发明人等确认到，作为脂肪族聚碳酸酯分子量的代表例，在6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的情况下，可控制氧化物的前驱体的牵丝性，能形成良好的图案。另外，以下各实验例中所采用的脂肪族聚碳酸酯是聚碳酸亚丙酯(以下，也称“PPC”)。

(各实验的准备步骤)

另外，氧化物的前驱体的制造例如下。另外，下述各实验例中，代表性采用在被氧化时会成为氧化物半导体的前驱体，即氧化物半导体的前驱体。

首先，在50mL容积的烧瓶中一边搅拌一边徐缓混合入乙酰丙酮铟及丙酸，由此获得了最终成为铟氧化物的含铟溶液。

接着，在50mL容积的茄型烧瓶中，将聚碳酸亚丙酯溶解于DEGMEA与2-硝基丙烷的混合溶剂中，获得了25wt％的聚碳酸亚丙酯溶液。

然后，在此聚碳酸亚丙酯的溶液中，徐缓添加上述含铟溶液，获得了氧化物半导体的前驱体。

[实验例1]

调制出以下(1)～(10)所示溶解4种不同质量平均分子量的PPC单体得到的试料、或溶解将其中的2种组合后的物质所得到的试料。

(1)仅质量平均分子量3万的PPC(以下也称“试料A”)

(2)仅质量平均分子量9万的PPC(以下也称“试料B”)

(3)试料A与试料B按照1：1比率混合得到的物质(以下也称“试料AB”)

(4)仅质量平均分子量23万的PPC(以下也称“试料C”)

(5)仅质量平均分子量59万的PPC(以下也称“试料D”)

(6)试料C与试料D按照1：1比率混合得到的物质(以下也称“试料CD”)

(7)试料A与试料C按照1：1比率混合得到的物质(以下也称“试料AC”)

(8)试料B与试料C按照1：1比率混合得到的物质(以下也称“试料BC”)

(9)试料A与试料D按照1：1比率混合(以下也称“试料AD”)

(10)试料B与试料D按照1：1比率混合(以下也称“试料BD”)

针对上述试料，分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯的、相对于脂肪族聚碳酸酯全体的比率如下求出。即，调制脂肪族聚碳酸酯浓度为0.5质量％的氯仿溶液，使用高速液相色层分析仪在以下的测定条件下，与分子量已知的聚苯乙烯进行比较，由此测定分子量分布。

机种：HLC-8020(TOSOH株式会社制)

管柱：GPC管柱(TOSOH株式会社的商品名：TSK GEL Multipore HXL-M)

管柱温度：40℃

溶出液：氯仿

流速：1mL/分

根据用上述方法获得的横轴为分子量(Log分子量)、纵轴为溶出比例(dwt/d(log分子量))的色谱，计算出色谱全区域面积与分子量为6千以上且40万以下的分子量范围的面积之比。所获得的结果如表1所示。

[表1]

使用上述试料评价了粘结剂的牵丝性。具体而言，在玻璃基板“EAGLE XG”(200×150×0.7tmm³)上，使用网版印刷法，形成基于上述粘结剂的矩形图案。

然后，在大气氛围中，在150℃下，对此图案进行30分钟预煅烧后，使用光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对此图案进行牵丝性评价。

上述实验结果整理后的表如表2所示。

[表2]

表2的“图案形状”表示使用印刷法所形成图案的忠实性。所以，“图案形状”中记载为“不良”是指以无法利用于装置制造的程度无法形成图案的状况。反之，“图案形状”中记载为“良好”是指图案重现至可利用于装置制造的程度。另外，表2中“牵丝性”中的“不良”是指从使用印刷法形成有图案的粘结剂层，因一部分粘结剂被拉成丝状，导致所期望的图案被破坏的状态。另外，“牵丝性”中的“良好”是指几乎没有发现牵丝性的状态。此外，表2中的“图案高度”是利用原子力显微镜(AFM)所获得图案最高点的测定值。另外，试料(6)的“图案高度”中的“无法测定”是指图案自身未实质形成的状况。

除上述表2之外，作为能实现良好图案的代表性光学显微镜照片例，上述(1)、(7)、及(8)的结果如图1所示。另外，作为无法控制牵丝性而形成有非优选的图案的代表性光学显微镜照片例，上述(5)、(9)、及(10)的结果如图2A所示。

如表2、图1及图2A所示，针对较低分子量脂肪族聚碳酸酯的(1)“试料A”、(2)“试料B”、及(3)“试料AB”以及作为中程度分子量脂肪族聚碳酸酯的(7)“试料AC”，“图案形状”及“牵丝性”均获得良好的结果。另外，特别附带一提，试料C(表中的(4))，虽然在表2中牵丝性记载为“不良”，但仅一部分图案发现了牵丝性。

再者，“图案化形状”或“牵丝性”恶化的主要原因是可认为是分子量增加的结果所致。另一方面，例如网版印刷法中，优选所形成的图案具有一定以上的“高度”。所以，也可获得以下见解：为了维持良好的“图案形状”及“牵丝性”的同时获得一定以上的“图案高度”，优选不采用明显低分子量的脂肪族聚碳酸酯。

另外，本案发明人等针对(9)“试料AD”及(10)“试料BD”，对各自的“图案化形状”及“牵丝性”为“不良”的原因考察如下述。

如表2中“图案高度”所示，(9)“试料AD”及(10)“试料BD”的各图案高度(5.3μm)与“试料A”的图案高度(1.4μm)和“试料D”的图案高度(4μm)之和，或者与“试料A”的图案高度(1.5μm)和“试料D”的图案高度(4μm)之和大致相同。所以，可认为当使用以PPC单体为粘结剂并使其溶解的试料时，若超出一定程度的分子量差，则高分子量的脂肪族聚碳酸酯与低分子量的脂肪族聚碳酸酯因所谓的相分离而形成不混合的状况。大胆积极而言，有形成在低分子量的脂肪族聚碳酸酯上搭载高分子量的脂肪族聚碳酸酯的状况、或者相反状态的可能性。另一方面，分子量的差较小的(7)“试料AC”或(8)“试料BC”可认为是高分子量的脂肪族聚碳酸酯与低分子量的脂肪族聚碳酸酯没有所谓相分离而适度混合的状态，因而可认为获得良好的“图案化形状”及“牵丝性”。

所以，可以说上述实验结果显示：即便是相同种类的材料，但使用多个分别具有不同质量平均分子量的脂肪族聚碳酸酯时，并非单纯地通过将各脂肪族聚碳酸酯的质量平均分子量进行平均，便可导出用于获得良好的“图案化形状”及“牵丝性”的适当的分子量。

将上述各项结果、与本案发明人等针对其他分子量进行调查、分析的结果组合，通过采用分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯的比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的脂肪族聚碳酸酯，可实现良好的“图案形状”及“牵丝性”。

再者，确认到，上述(1)～(10)所示结果，在调制以不同质量平均分子量的4种PPC单体为粘结剂并使其溶解，在“各实验准备步骤”中已说明的氧化物半导体的前驱体试料、或以组合这些PPC中的2种得到的物质作为粘结剂并使其溶解的该氧化物半导体的前驱体试料时，作为数据的倾向，也适用。另外，该氧化物半导体的前驱体的试料含有5质量％的0.2mol/kg的含铟溶液。另外，关于表3的各试料编号，为了容易明了与表1的(1)～(10)的对应关系，使用了相同编号。

具体而言，如表3所示，针对较低分子量脂肪族聚碳酸酯的(1)“试料A”、(2)“试料B”、及(3)“试料AB”、以及中程度分子量脂肪族聚碳酸酯的(7)“试料AC”，关于“图案形状”及“牵丝性”均获得良好的结果。此外，饶有趣味的是，确认到分子量较大的(9)及(10)的各试料的图案形状及牵丝性也良好。图2B是表示可控制牵丝性的结果、形成有良好图案的(9)及(10)的结果的光学显微镜照片。(9)及(10)各试料的图案形状及牵丝性呈良好的原因，大致可认为因为在表2所采用试料中追加了含铟溶液，因而全体的PPC浓度稍微降低所致。

[表3]

[实验例2]

其次，本案发明人等针对实验例1中采用的(1)～(10)所示的试料，利用以下的实验测定了平均牵丝长(mm)及零剪切粘度(Pa·s)。

本实验中，首先，关于平均牵丝长(mm)，在使用各试料所形成的收容器内的脂肪族聚碳酸酯的积存物中，沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制且直径D为2.9mm的圆柱棒。然后，测定将此圆柱棒以速度v为5mm/秒提起时的距脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L(mm)。另外，各试料的零剪切粘度η使用TA Instruments公司制流变仪(AR-2000EX)测定。然后，关于评价参数，将上述各值代入下式计算出。

＜计算式＞

“评价参数”(mm^-1·Pa^-1)＝L/(D×v×η)

表4所示是本实验例的各试料、与平均牵丝长(mm)和零剪切粘度(Pa·s)的关系。另外，图3A所示是本实验例的各试料、与表示牵丝性的评价参数的关系图。

[表4]

如表4及图3A所示，得到以下见解：当使用以PPC单体为粘结剂并使其溶解的试料时，利用上述计算式计算出的“评价参数”(mm^-1·Pa^-1)的值若至少为0.4mm^-1Pa^-1以上，可获得良好的“图案化形状”及“牵丝性”。

然而，确认到，如下表5所示，上述(1)～(10)所示的结果，当调制以不同质量平均分子量的4种PPC单体为粘结剂并使其溶解的在“各实验准备步骤”中所说明的氧化物半导体的前驱体试料、或以组合这些PPC中的2种得到的物质作为粘结剂并使其溶解的该氧化物半导体的前驱体试料时，作为数据的倾向，也适用。另外，以下表5的各试料编号，为了容易明了与表1的(1)～(10)的对应关系，使用相同的编号。

如表4、表5、图3A、及图3B所示得知，与使用以PPC单体为粘结剂并使其溶解的试料的结果相比，上述使用氧化物半导体的前驱体试料的结果中，该“评价参数”的值呈整体性变大。所以，根据(9)和(10)的结果，合并表3至5、及图3B、以及图2B的结果进行研讨，获得以下见解：若该“评价参数”(mm^-1·Pa^-1)的值为0.25mm^-1Pa^-1以上(更狭义而言，0.29mm^-1Pa^-1以上)，可获得良好的“图案化形状”及“牵丝性”。另外，用以获得良好的“图案化形状”及“牵丝性”的该“评价参数”的上限值并无特别的限定，但从获得更高精确图案高度的观点而言，该“评价参数”的值优选为1.2以下(更狭义而言0.9以下)。

[表5]

(其他较佳的脂肪族聚碳酸酯的分子量范围)

另外，本实施方式的脂肪族聚碳酸酯的分子量范围并不限于上述各实验例中公开的数值范围。根据本案发明人等的分析，例如分子量为6千以上且30万以下的脂肪族聚碳酸酯的比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的75质量％以上的情况，从更高精确控制牵丝性、形成良好图案的观点而言，是更优选的一方式。

[实验例3]

(接触角及扩展率的评价)

如前述，认为能发挥粘结剂功能的脂肪族聚碳酸酯，一旦形成图案后，若从最终获得的金属氧化物来看，是杂质，成为被分解或除去的对象。所以，需要该粘结剂的时间只不过是暂时的。然而，发明人等认为，关于含脂肪族聚碳酸酯的溶液是否具有用以维持该暂时时间的图案形成作用(换言之，取得均衡的粘度或涂布性)，评价在基材上配置该溶液时该溶液与该基材的接触角成为优选的指标。所以，发明人等将由聚碳酸亚丙酯(25wt％)溶解于DEGMEA与2-硝基丙烷的混合溶剂中获得的聚碳酸亚丙酯溶液，配置于基材(该实验例中玻璃基板)上，经30秒后及120秒后，调查基材与此溶液的接触角、及基材上的该溶液的扩展率如何变化。另外，为了容易检查接触角的变化，使作为脂肪族聚碳酸酯的优选的溶剂的2-硝基丙烷的浓度(wt％)变化的基础上，进行上述各评价。另外，上述的“扩展率”根据相对于设计值的实际图案尺寸计算。

图4A是表示在基材上配置含脂肪族聚碳酸酯的溶液之后30秒后基材与该溶液的接触角、及基材上的该溶液的扩展率相对于2-硝基丙烷浓度的变化的图。另外，图4B是表示在基材上配置含脂肪族聚碳酸酯的溶液之后，经120秒后，基材与该溶液的接触角、及基材上的该溶液扩展率相对于2-硝基丙烷浓度的变化的图。

如图4A及图4B所示，认识到基材与该溶液的接触角、及基材上的该溶液扩展率之间具有彼此相反的相关性。即，得知，随着2-硝基丙烷的浓度上升，接触角增加，另一方面，扩展率减少。但是，如图4B所示，得知，即便2-硝基丙烷浓度高的情况下(例如75％)，也存在有接触角不增加的情况。此外，特别是关于接触角，在图4A及图4B中均显而易见的是，当2-硝基丙烷浓度成为某一值(代表性，55％以上且60％以下)时，发现急剧上升的倾向。

根据本案发明人等更进一步的研究与分析，可获得以下见解：如果30秒后的阶段中接触角超过36°、或120秒后的阶段中接触角超过32°，由于含脂肪族聚碳酸酯的溶液成为相对于基材分离的状况，因此难以形成足以维持短暂时间的图案。所以，含脂肪族聚碳酸酯的溶液优选以成为前述各接触角以下的角度的方式调制。

另一方面，可获得以下见解：在30秒后的阶段中接触角小于30°的情况、或120秒后的阶段中接触角小于26°的情况下，图案的重现性变差，因此，该情况下，也难以形成足以维持短暂时间的图案。所以，含脂肪族聚碳酸酯的溶液优选以成为前述各接触角以上的角度的方式调制。

再者，确认到，上述图4A及图4B所示的结果，也适用调制以不同质量平均分子量的4种PPC单体为粘结剂并使其溶解的在“各实验准备步骤”中已说明的氧化物半导体的前驱体试料、或以组合上述之中的2种得到的物质为粘结剂并使其溶解的该氧化物半导体的前驱体试料的情况。

如上所述，可确认到，含脂肪族聚碳酸酯的溶液中未含有氧化物的前驱体的实验例结果，与含脂肪族聚碳酸酯的溶液中含有氧化物的前驱体的实施例结果大致相同。

＜第二实施方式＞

2、本实施方式薄膜晶体管的整体构成

图5至图10、及图13至图16所示分别是表示半导体元件一例的薄膜晶体管100的制造方法的一过程的剖面示意图。另外，图16所示是本实施方式的薄膜晶体管100的制造方法的一过程及整体结构的剖面示意图。如图16所示，在本实施方式的薄膜晶体管100中，在基板10上从下层依序层叠：栅极24、栅极绝缘体34、通道44、源极58及漏极56。另外，具备该半导体元件的电子装置(例如，便携终端、信息家电或其他公知的电气化产品)的提供或实现，只要是了解本实施方式的半导体元件的本领域技术人员，不需要特别说明便可充分理解。另外，后述的形成各种氧化物的前驱体层的步骤包含于本案的“前驱体层形成步骤”中。

薄膜晶体管100采用所谓的底栅构造，但本实施方式不限于该构造。所以，只要是本领域技术人员，通过根据通常的技术常识并参照本实施方式的说明，通过变更步骤顺序，可形成顶栅构造。另外，本申请的温度标示表示与基板接触的加热器的加热面的表面温度。另外，为了简化附图，关于从各电极的引出电极的图案化的记载，予以省略。

本实施方式的基板10不特别限定，通常采用一般半导体元件所使用的基板。例如，可应用：高耐热玻璃、SiO₂/Si基板(即在硅基板上形成氧化硅膜的基板)、氧化铝(Al₂O₃)基板、STO(SrTiO)基板、在Si基板的表面上隔着SiO₂层及Ti层形成STO(SrTiO)层的绝缘性基板等、包含半导体基板(例如Si基板、SiC基板、Ge基板等)在内的各种绝缘性基材。另外，绝缘性基板中包含由例如聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯类、聚烯烃类、纤维素三醋酸酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚砜、芳酰胺、芳香族聚酰胺等材料构成的薄膜或片材。另外，基板的厚度并无特别的限定，例如3μm以上且300μm以下。另外，基板可为硬质，也可为挠性。

(1)栅极的形成

本实施方式中，栅极24的材料可采用当被氧化时成为氧化物导电体的金属的化合物(以下，简称“氧化物导电体”)。该情况下，本实施方式的栅极24通过对使氧化物导电体(其中，可含有不可避免的杂质。以下，不限于该材料的氧化物，关于其他材料的氧化物也相同)分散于含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中得到的氧化物导电体的前驱体的层(以下也称“氧化物导电体的前驱体层”)进行煅烧而形成。本实施方式中，如图5所示，在基材的SiO₂/Si基板(以下，简称“基板”)10上，使用低能量制造工艺(例如印刷法或旋涂法)，涂布作为起始材料的栅极用前驱体溶液，由此可形成栅极用前驱体层22。

然后，对栅极用前驱体层22进行煅烧步骤，例如，在大气中，以规定时间(例如10分钟～1小时)在450℃～550℃下进行加热。其结果如图6所示，在基板10上形成栅极24。另外，本实施方式栅极24的层厚例如约为100nm。

此处，上述氧化物导电体一例是在被氧化时成为氧化物导电体的金属中具有配位了配位基的结构(代表性，络化物结构)的材料。例如金属有机酸盐、金属无机酸盐、金属卤化物或各种金属醇盐也可包含于本实施方式的氧化物导电体中。另外，在被氧化时成为氧化物导电体的金属的例子是钌(Ru)。本实施方式中，将亚硝酰基醋酸钌(III)溶解于含有由脂肪族聚碳酸酯所构成粘结剂的丙酸与2-胺基乙醇的混合溶剂中，将以此得到的溶液为起始材料的栅极用前驱体溶液通过例如经上述照射步骤后，在大气中，以规定时间(例如10分钟～1小时)在约450℃～约550℃下进行加热的煅烧步骤，由此形成作为氧化物导电体的钌氧化物，因而可形成栅极24。

本实施方式中，特别地，如果使用采用了第一实施方式的脂肪族聚碳酸酯的栅极用前驱体溶液，当使用印刷法形成栅极用前驱体层22的图案时，可形成良好的图案。更具体而言，因为可适当地控制栅极用前驱体溶液中可发挥粘结剂功用的脂肪族聚碳酸酯的牵丝性，因而可形成良好的栅极用前驱体层22的图案。

另外，本实施方式中，可使用例如白金、金、银、铜、铝、钼、钯、钌、铱、钨等高熔点金属或其合金等金属材料、或者p+-硅层、n+-硅层等，取代上述栅极24。该情况下，可利用公知的溅射法、CVD法等将栅极24形成于基板10上。

(2)栅极绝缘体的形成

再者，本实施方式中，使在被氧化时成为氧化物绝缘体的金属的化合物(以下，也简称“氧化物绝缘体”)分散于含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，而形成氧化物绝缘体的前驱体的层(以下，也称“氧化物绝缘体的前驱体层”)，通过煅烧该层，形成栅极绝缘体34的材料。

具体而言，如图7所示，通过在栅极24上使用低能量制造工艺(例如，印刷法或旋涂法)来涂布上述氧化物绝缘体的前驱体，形成栅极绝缘体用前驱体层32。

然后，对呈凝胶状态的栅极绝缘体用前驱体层32进行例如在大气中以规定时间(例如10分钟～1小时)在约450℃～约550℃下进行加热的煅烧(主煅烧)的步骤，由此形成例如作为氧化物绝缘体的由镧(La)与锆(Zr)构成的氧化物。其结果如图8所示，可形成栅极绝缘体34。另外，本实施方式的栅极绝缘体34的层厚度例如是约100nm～约250nm。

此处，上述氧化物绝缘体的一例是在被氧化时成为氧化物绝缘体的金属中具有配位了配位基的结构(代表性，络化物结构)的材料。例如，金属有机酸盐、金属无机酸盐、金属卤化物、或各种金属烷氧化物、或者其他的有机酸盐、无机酸盐、卤化物、或各种烷氧化物，也可包含于本实施方式的氧化物绝缘体中。

另外，代表性的氧化物绝缘体的例子是由镧(La)与锆(Zr)构成的氧化物。该氧化物可采用作为栅极绝缘体34。本实施方式中，准备：将醋酸镧(III)溶解于含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的丙酸(溶剂)中的第一溶液、以及将丁氧化锆溶解于含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的丙酸(溶剂)中的第二溶液。对由第一溶液与第二溶液混合得到的作为起始材料的栅极绝缘体用前驱体溶液进行例如在上述照射步骤后在大气中以规定时间(例如10分钟～1小时)在约450℃～约550℃下进行加热的煅烧步骤，由此可形成氧化物绝缘体。

本实施方式中，特别是，如果使用采用了第一实施方式的脂肪族聚碳酸酯的氧化物绝缘体的前驱体，则在使用印刷法形成栅极绝缘体用前驱体层32的图案时，可形成良好的图案。更具体而言，因为可适当地控制氧化物绝缘体前驱体中发挥粘结剂功用的脂肪族聚碳酸酯的牵丝性，因而可形成良好的栅极绝缘体用前驱体层32的图案。

另外，本实施方式中，可使用例如氧化硅或氮氧化硅来取代上述栅极绝缘体34。该情况下，可利用公知的CVD法等在栅极24上形成栅极绝缘体34。

(3)通道的形成

再者，本实施方式中，使在被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物(以下，简称“氧化物半导体”)分散于含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，而形成氧化物半导体的前驱体的层(以下，也称“氧化物半导体的前驱体层”)，通过对该层进行煅烧而形成通道44的材料。本实施方式中，如图9所示，通过在栅极绝缘体34上使用低能量制造工艺(例如印刷法或旋涂法)涂布作为起始材料的通道用前驱体溶液，可形成通道用前驱体层42。

然后，通过对通道用前驱体层22进行后述的煅烧步骤，如图10所示形成通道44。

此处，上述氧化物半导体的一例是在被氧化时成为氧化物半导体的金属中具有配位了配位基的结构(代表性，络化物结构)的材料。例如金属有机酸盐、金属无机酸盐、金属卤化物、或各种金属烷氧化物也可包含于用于形成本实施方式的氧化物半导体用的材料。另外，代表性的氧化物半导体例是铟氧化物(以下，也称“InO”)。例如，对将乙酰丙酮铟溶解于丙酸中得到的溶液(也称“In溶液”)进行在大气中以规定时间(例如10分钟～1小时)在450℃～550℃下进行加热的煅烧步骤，由此可形成作为氧化物半导体的铟氧化物(以下也称“InO”)。其结果，可形成通道44。

另外，在被氧化时成为氧化物半导体的金属的例子是选自由铟、锡、锌、镉、钛、银、铜、钨、镍、铟-锌、铟-锡、铟-镓-锌、锑-锡、镓-锌所构成的组中的1种或2种以上。但是，从元件性能、稳定性等观点而言，优选采用铟-锌作为在被氧化时成为氧化物半导体的金属。

本实施方式中，特别是，如果使用采用了第一实施方式的脂肪族聚碳酸酯的通道用前驱体溶液，当使用印刷法形成通道用前驱体层42的图案时，可形成良好的图案。更具体而言，因为可适当地控制通道用前驱体溶液中发挥粘结剂功用的脂肪族聚碳酸酯的牵丝性，因而可形成良好的通道用前驱体层42的图案。

再者，本实施方式中，特别是形成作为氧化物半导体层的通道44时，作为优选例，可采用本案发明人等直至目前所做出的例如国际公开公报WO/2015/019771号中公开的金属氧化物的制造方法的发明。

代表性的通道44的形成方法包括：前驱体层的形成步骤、及煅烧步骤。该前驱体层的形成步骤中，使在被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物，分散于含有由脂肪族聚碳酸酯所构成粘结剂的溶液中，而形成氧化物半导体的前驱体，将该氧化物半导体的前驱体在基板上或基板的上方形成为层状。在煅烧步骤中，将该前驱体层，通过使该粘结剂分解90wt％以上的第一温度施行加热后，再通过高于该第一温度、且该金属与氧键合的温度、且在前述前驱体或前述金属的化合物的示差热分析法(DTA)中呈发热峰值的第二温度以上的温度，对该前驱体层进行煅烧。

＜TG-DTA(热重量测定及示差热)特性＞

更具体说明，图11是表示第一实施方式形成薄膜晶体管的通道用的氧化物半导体的前驱体的构成材料的一例即含铟溶液(In溶液)的TG-DTA特性的一例的图。另外，图12A是表示仅以形成薄膜晶体管构成要件(例如通道)用的粘结剂为溶质的溶液的一例即聚碳酸亚丙酯溶液的TG-DTA特性的一例的图。另外，图11及图12A所示的各TG-DTA特性是在大气氛围中在3℃/min的温度上升下测定的。另外，如图11及图12A所示，图11的虚线及图12A的粗线是热重量(TG)测定结果，图11的实线及图12A的细线是示差热(DTA)测定结果。

由图11的热重量测定结果，在120℃～130℃附近发现被认为是溶剂蒸发的重量明显减少。另外，如图11所示，在350℃附近确认到In溶液示差热测定图中的发热峰。所以，确认到在350℃附近铟与氧键合的状态。所以，该350℃对应于上述第二温度。

另一方面，由图12A的热重量测定结果，发现120℃附近至170℃附近，聚碳酸亚丙酯溶液的溶剂消失的同时，作为粘结剂的聚碳酸亚丙酯自身的一部分因分解或消失而导致重量明显减少。另外，可认为因上述分解，聚碳酸亚丙酯变化为二氧化碳与水。另外，由图12A所示结果确认到在255℃附近，该粘结剂90wt％以上被分解并被除去。所以，该255℃对应于第一实施方式的第一温度。另外，更详言来说，得知在260℃附近该粘结剂95wt％以上被分解，而在270℃附近该粘结剂几乎全部(99wt％以上)被分解。

另外，构成氧化物半导体的上述金属与氧键合的温度、且在示差热测定法(DTA)中呈现发热峰值的温度(第二温度)优选充分高于使粘结剂分解的温度、或者使粘结剂分解的温度充分低于作为该发热峰值的温度(第二温度)。此种情况下，可更高精确地使粘结剂分解90wt％以上(更优选为95wt％以上、特别优选为99wt％以上、最优选为99.9wt％以上)。另外，根据本案发明人等的研究与分析，通过第一温度与第二温度之差为10℃以上、更优选为50℃以上、进一步优选100℃以上，将抑制氧化物层中以碳杂质为代表的杂质的残留。

再者，氧化物半导体的相状态并无特别的限定。例如可为结晶状或多晶状或非晶状的任一者。另外，作为结晶成长的结果，是在树枝状或鳞片状结晶的情况下在本实施方式中可采用的一种相状态。此外，当然，图案化的形状(例如球状、椭圆状、矩形状)也不特别限定。

另外，作为参考，与含铟溶液与聚碳酸亚丙酯溶液相混合得到的试料(氧化物半导体的前驱体)有关的TG-DTA特性的一例示于图12B及图12C。另外，图12C所示是针对图12B所示试料，通过从初始(即，该特性测定前)阶段减少溶剂成分量，使上述特性测定时所检测到的几个峰更尖锐化而制作的。

如图12B及图12C所示，观察到(A)及(B)所示的峰。此处根据本案发明人等的研究与分析，可认为：在255℃～270℃附近的峰(A)，聚碳酸亚丙酯的一部分成为二氧化碳(CO2)而脱离的同时，在聚碳酸亚丙酯内、或在聚碳酸亚丙酯已分解的状态的物质内残留的碳成分，因为发生燃烧反应而生成的峰。所以，此峰(A)与图12A所示255℃～270℃附近的发热峰一致。另一方面，可认为在350℃附近观察到的峰(B)为铟与氧键合的状态。

所以，得知在氧化物半导体的前驱体的TG-DTA特性中，含铟溶液的TG-DTA特性、与聚碳酸亚丙酯溶液的TG-DTA特性，作为各自不同的特性可共存。因此，即使不准备氧化物半导体的前驱体，实质也可获知第一温度和/或第二温度。

(通道用前驱体层的煅烧步骤)

其次，针对具体的通道44的形成方法进行说明。另外，该通道44的形成方法的其中一部分或几乎全部，均可适用于上述氧化物导电体或氧化物绝缘体的制造。

如前所述，本实施方式如图9所示，在栅极绝缘体34上，使用低能量制造工艺(例如印刷法或旋涂法)涂布通道用前驱体溶液，由此形成通道用前驱体层42。另外，作为氧化物半导体的前驱体层的通道用前驱体层42厚度(wet)并无特别的限定。

然后，作为预煅烧(也称“第一预煅烧”)步骤，通过以规定时间(例如3分钟)、例如在150℃下进行加热，而形成厚度约600nm的通道用前驱体层42。该第一预煅烧步骤主要以使通道用前驱体层42固定于栅极绝缘体34上为目的，因而当进行后述第二预煅烧步骤时，也可省略第一预煅烧步骤。

本实施方式中，然后，为了使通道用前驱体层42中的粘结剂分解，利用规定温度(第一温度)进行第二预煅烧步骤(干燥步骤)。在本实施方式的第二预煅烧步骤，利用使粘结剂分解90wt％以上的第一温度进行加热。该第二预煅烧步骤与后述的主煅烧(煅烧步骤)相辅相成，可在最后使通道用前驱体层42中的特别由粘结剂所引起的碳杂质为代表的杂质几乎消失。另外，从更高精确地抑制通道44中的特别由粘结剂引起的碳杂质为代表的杂质残留的观点而言，第一温度优选为使上述粘结剂分解95wt％以上的温度，更优选为使该粘结剂分解99wt％以上的温度。

此处，第二预煅烧步骤并不仅限于常温常压干燥。例如，加热干燥、减压干燥、减压加热干燥等，在不对基板、栅极绝缘体等产生不良影响的前提下，也可进行加热、减压等处理。另外，第二预煅烧步骤是可对氧化物半导体层的表面粗糙度的增减产生影响的步骤，但因为根据溶剂不同干燥中的举动不同，因而根据溶剂种类而适当选定第二预煅烧步骤的温度(第一温度)等条件。

作为一例的本实施方式第二预煅烧步骤将通道用前驱体层42以规定时间(例如30分钟)、例如在180℃以上且300℃以下的范围内进行加热。另外，上述预煅烧在例如氧氛围中或大气中(以下，统称为“含氧氛围”)进行。另外，在氮气氛中进行第二预煅烧步骤也是可采用的一方式。

然后，作为主煅烧(即“煅烧步骤”)，将通道用前驱体层42在例如含氧氛围中以规定时间在200℃以上、更优选300℃以上、此外就电气特性而言更优选500℃以上的范围内进行加热。其结果，如图10所示，在栅极绝缘体34上形成作为氧化物半导体层的通道44。另外，主煅烧后的氧化物半导体层最终厚度，代表性是0.01μm以上且10μm以下。特别值得注意的是，即使形成0.01μm左右(即10nm左右)的极薄层情况下，仍难以发生龟裂。

此处，该煅烧步骤的设定温度选定为：在氧化物半导体的形成过程中氧化物半导体的配位基分解后该金属与氧键合的温度、且在后述示差热测定法(DTA)中的发热峰值的温度以上的温度(第二温度)。通过该煅烧步骤，通道用前驱体层42中的粘结剂、分散剂、及有机溶剂被高精确地分解和/或除去。另外，从更高精确抑制主煅烧后的氧化物半导体层中以碳杂质为代表的杂质残留的观点出发，优选的方式是第二温度比第一温度高10℃以上。此外，通过第二温度比第一温度高50℃以上，可更高精确抑制这种杂质的残留。然后，从最终氧化物半导体层的厚度控制性和/或薄层化的实现、及降低杂质残留的观点而言，最优选的例子是第二温度比第一温度高100℃以上。另一方面，关于第二温度与第一温度的最大差，并无特别的限定。

根据本案申请人等的分析，可认为：利用在上述第一温度下的加热而使粘结剂几乎分解，由此在后续的第二温度下的煅烧步骤(主煅烧)中，几乎不会发生该粘结剂的分解过程，且进行几乎特殊化于金属与氧的键合的反应。即，理想地，对于使第一温度与第二温度的功用不同，如上所述，可认为即使是非常薄的层，也难以发生龟裂。

另外，在上述第一预煅烧步骤、第二预煅烧步骤、及主煅烧(煅烧步骤)，加热方法均无特别的限定。例如可为使用恒温槽、电炉等的以往的加热方法，特别是基板较怕热的情况下，为了不导热至基板，优选采用通过紫外线加热、电磁波加热、灯加热而仅加热氧化物半导体层的方法。

在通道44的形成过程中，脂肪族聚碳酸酯不仅在煅烧分解后，可使氧化物半导体层中残留的分解生成物减少或消失，而且有助于形成致密的氧化物半导体层。所以，采用脂肪族聚碳酸酯是本实施方式的一个优选的方式。

另外，本实施方式中，根据本案发明人等的研究，确认到，通过使在被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物与粘结剂的重量比作变动、或者改变粘结剂或金属的化合物的浓度，可控制最终通道44的厚度。得知例如可在不致发生龟裂情况下，形成可谓非常薄的层的厚度10nm～50nm的通道44。另外，不仅前述薄层，对于50nm以上厚度的层，通过适当调整通道用前驱体层42的厚度、前述重量比等，可较容易地形成。另外，一般通道所使用层的厚度为0.01μm(即10nm)以上且1μm以下，因而可以说，能控制最终通道44的厚度的本实施方式的氧化物半导体的前驱体、以及氧化物半导体层可用作构成薄膜晶体管的材料。

此外，若采用本实施方式的氧化物半导体的前驱体，即使从起初就形成相当厚膜(例如10μm以上)的氧化物半导体的前驱体层，但因为利用后续的煅烧步骤，粘结剂等被高精确地分解，因而经煅烧后的层的厚度可形成极薄(例如10nm～100nm)。另外，值得注意的是，即使是那样的薄层，仍不会发生龟裂、或高精确地抑制龟裂的发生。所以，得知：可充分确保起初的厚度且最终可形成极薄层的本实施方式氧化物半导体的前驱体、及氧化物半导体层，是极适用于低能量制造工艺、后述利用压模加工进行的工艺。另外，采用这种即使是极薄层仍不会发生龟裂、或高精确抑制龟裂的发生的氧化物半导体层，可使本实施方式薄膜晶体管100的稳定性变得极高。

再者，本实施方式中，通过上述氧化物半导体的种类、组合、适当调节与粘结剂混合的比率，可提高形成通道的氧化物半导体层的电气特性与稳定性。

(4)源极及漏极的形成

再者，然后，如图13所示，在通道44上利用公知的光刻法形成图案化后的抗蚀膜90后，在通道44及抗蚀膜90上，利用公知的溅射法形成ITO层50。本实施方式的靶材例如是含有5wt％氧化锡(SnO2)的ITO，在室温～100℃的条件下形成。然后，如果除去抗蚀膜90，如图14所示，在通道44上形成基于ITO层50的漏极56及源极58。

然后，如图15所示，在漏极56、源极58及通道44上，利用公知的光刻法形成图案化后的抗蚀膜90后，将抗蚀膜90、漏极56的一部分、及源极58的一部分作为掩膜，使用公知的利用氩(Ar)电浆进行的干式蚀刻法，除去露出的通道44。其结果，如图16所示，通过形成图案化后的通道44，制造薄膜晶体管100。

另外，本实施方式中，取代上述漏极56及源极58，例如，通过印刷法，使用糊状物状银(Ag)或糊状物状ITO(氧化铟锡)形成漏极及源极图案的方法，是可采用的一种方式。另外，也可取代漏极56及源极58，采用利用公知蒸镀法所形成的金(Au)或铝(Al)的漏极及源极的图案。

＜第二实施方式的变型例(1)＞

本实施方式的薄膜晶体管除了在第二实施方式的通道的煅烧步骤(主煅烧)后进一步进行照射紫外线的照射步骤之外，其余均与第二实施方式的薄膜晶体管100的制造步骤与构成相同。所以，省略与第二实施方式重复部分的说明。

本实施方式中，在第二实施方式的通道的煅烧步骤(主煅烧)后，使用公知的低压水银灯(SAMCO株式会社制紫外光臭氧清洗机、型号：UV-300h-E)，照射在波长185nm与254nm处具有光谱峰的紫外线。然后，进行与第二实施方式的薄膜晶体管100的制造方法同样的步骤。另外，本实施方式中，紫外线的波长并无特别的限定。即使是185nm或254nm以外的紫外线，也可获得同样的效果。

＜第二实施方式的变型例(2)＞

再者，第二实施方式中，如图15所示，利用公知的光刻法及干式蚀刻，形成图案化后的通道44。然而，当采用例如网版印刷法所代表的印刷法时，在不使用公知的光刻法及干式蚀刻的情况下，如图17所示，可形成通道用前驱体层42的所期望的图案。所以，采用印刷法时，不需要如图15所示的图案形成步骤，因此是一个优选的方式。另外，图17以后的各步骤除基于图15所示的公知的光刻法及干式蚀刻的步骤之外，其余按照第二实施方式的各步骤进行。同样地，在薄膜晶体管100中除通道以外的各层(栅极24、栅极绝缘体34等)中，当采用例如网版印刷法所代表的印刷法时，也可在未使用公知的光刻法及干式蚀刻情况下形成图案。

＜其他的实施方式＞

然而，上述各实施方式中，针对具有所谓逆交错式构造的薄膜晶体管进行了说明，但上述各实施方式并不仅限于该构造。例如，不仅具有交错式构造的薄膜晶体管，即使是源极、漏极及通道配置于同一平面上的所谓的平面式构造的薄膜晶体管，也可实现与上述各实施方式同样的效果。另外，将上述各实施方式的通道(即氧化物半导体层)形成于基板上的情况也是可采用的另一方式。

如上所述，上述各实施方式及实验例的公开是为了说明这些实施方式及实验例而记载的，并非为了限定本发明而记载的。此外，包含各实施方式的其他组合在内的本发明范围内存在的变型例也包含于权利要求书中。

产业上的可利用性

本发明可广泛适用于包括：含有各种半导体元件的便携终端、信息家电、传感器、其他公知的电气化产品、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)或NEMS(Nano Electro Mechanical Systems，纳米机电系统)、及医疗机器等在内的电子装置领域等。

【附图标记的说明】

10…基板

24…栅极

32…栅极绝缘体用前驱体层

34…栅极绝缘体

42…通道用前驱体层

44…通道

50…ITO层

56…漏极

58…源极

90…抗蚀膜

100…薄膜晶体管

Claims (14)

1.一种氧化物的前驱体，在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯的比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的由所述脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物，所述粘结剂可含不可避免的杂质。

2.一种氧化物的前驱体，在含有脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物，所述脂肪族聚碳酸酯是：在使用TA Instruments公司制流变仪(型号：AR-2000EX)测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中，沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制的直径D的圆柱棒之后，将所述圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)值为0.25mm^-1Pa^-1以上的脂肪族聚碳酸酯，所述粘结剂可含不可避免的杂质。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物的前驱体，其中，在所述溶液配置于基材上之后经30秒后，所述溶液相对于基材的接触角为30°以上且36°以下，或者在所述溶液配置于基材上之后经120秒后，所述溶液相对于基材的接触角为26°以上且32°以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物的前驱体，其中，所述溶液含有由下述的脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂，所述脂肪族聚碳酸酯是：在使用TA Instruments公司制流变仪(型号：AR-2000EX)测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制的直径D的圆柱棒之后，将所述圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)值为0.25mm^-1Pa^-1以上的脂肪族聚碳酸酯，所述粘结剂可含不可避免的杂质。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化物的前驱体，其中，所述脂肪族聚碳酸酯是使环氧化物与二氧化碳聚合得到的脂肪族聚碳酸酯。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化物的前驱体，其中，所述脂肪族聚碳酸酯是选自聚碳酸亚乙酯及聚碳酸亚丙酯所构成的组中的至少一种。

7.一种氧化物层，其通过对氧化物的前驱体的层进行煅烧而形成，所述氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的由所述脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，分散被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述粘结剂可含不可避免的杂质。

8.一种氧化物层，通过对下述的氧化物的前驱体的层进行煅烧而形成，所述氧化物的前驱体是：在含有下述脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述脂肪族聚碳酸酯是：在使用TA Instruments公司制流变仪(型号：AR-2000EX)测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中，沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制的直径D的圆柱棒之后，将所述圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)的值为0.25mm^-1Pa^-1以上的脂肪族聚碳酸酯，所述粘结剂可含不可避免的杂质。

9.根据权利要求7或8所述的氧化物层，其中，在所述溶液配置于基材上之后经30秒后，所述溶液相对于基材的接触角为30°以上且36°以下，或者在所述溶液配置于基材上之后经120秒后，所述溶液相对于基材的接触角为26°以上且32°以下。

10.一种半导体元件，具备权利要求7至9中任一项所述的氧化物层。

11.一种电子装置，具备权利要求9所述的氧化物层或权利要求10所述的半导体元件。

12.一种氧化物层的制造方法，包括：

前驱体层形成步骤，利用印刷法形成氧化物的前驱体的层，所述氧化物的前驱体是：在含有分子量6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的由所述脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述粘结剂可含不可避免的杂质；以及

煅烧步骤，对所述前驱体的层进行煅烧。

13.一种氧化物层的制造方法，包括：

前驱体层形成步骤，利用印刷法形成氧化物的前驱体的层，所述氧化物的前驱体是：在含有下述的脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述脂肪族聚碳酸酯是：在使用TA Instruments公司制流变仪(型号：AR-2000EX)测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中，沉入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)制的直径D的圆柱棒之后，将所述圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)的值为0.25mm^-1Pa^-1以上的脂肪族聚碳酸酯，所述粘结剂可含不可避免的杂质；以及

煅烧步骤，对所述前驱体的层进行煅烧。

14.一种半导体元件的制造方法，包括：

权利要求12或13所述的前驱体层形成步骤；以及

权利要求12或13所述的煅烧步骤。