CN106773563A - 四丙基溴化胺无水剥离液 - Google Patents

四丙基溴化胺无水剥离液 Download PDF

Info

Publication number
CN106773563A
CN106773563A CN201611227553.6A CN201611227553A CN106773563A CN 106773563 A CN106773563 A CN 106773563A CN 201611227553 A CN201611227553 A CN 201611227553A CN 106773563 A CN106773563 A CN 106773563A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amine bromide
tetrapropyl amine
solution
aqueous stripping
tetrapropyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611227553.6A
Other languages
English (en)
Inventor
王建荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KUNSHAN SIGO MICROELECTRONICS MATERIALS Co Ltd
Original Assignee
KUNSHAN SIGO MICROELECTRONICS MATERIALS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KUNSHAN SIGO MICROELECTRONICS MATERIALS Co Ltd filed Critical KUNSHAN SIGO MICROELECTRONICS MATERIALS Co Ltd
Priority to CN201611227553.6A priority Critical patent/CN106773563A/zh
Publication of CN106773563A publication Critical patent/CN106773563A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明涉及四丙基溴化胺无水剥离液，主要由四丙基溴化胺、氧化银、没食子酸丙酯、有机溶剂组成，其中，各组份之间的比例为四丙基溴化胺：氧化银：没食子酸丙酯：有机溶剂=3～7：3：1：17。有机溶剂为两种有机溶剂混合组成。有机溶剂为二甲基亚砜与二乙二醇丁醚混合而成。其中，四丙基溴化胺无水剥离液的制备方法包括以下步骤：1、制备四丙基溴化胺、氧化银混合溶液；2、添加没食子酸丙酯制备半成品溶液；3、将步骤2中的半成品溶液与其它有机溶剂混合，通风搅拌30分钟；4、将步骤3中的混合溶液经过0.2μm过滤。四丙基溴化胺无水剥离液的使用温度为40℃～60℃。

Description

四丙基溴化胺无水剥离液
技术领域
本发明涉及干蚀刻领域，具体是四丙基溴化胺无水剥离液。
背景技术
金属蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。金属蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。
通常所指金属蚀刻也称光化学金属蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要金属蚀刻区域的保护膜去除，在金属蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密金属蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，金属蚀刻更是不可或缺的技术。
在铝金属干蚀刻的技术上，经常会有残余物出现，这些残余物是在金属加气体加光刻胶后经过高温而形成的，同时铝金属也会受到干蚀刻气体腐蚀。目前还没有一种对铝金属特别有效的干蚀刻之后使用的专用的四丙基溴化胺无水剥离液。
发明内容
本发明正是针对以上技术问题，提供一种对铝金属特别有效的干蚀刻之后使用的专用的四丙基溴化胺无水剥离液。
四丙基溴化胺无水剥离液，主要由四丙基溴化胺、没食子酸丙酯、氧化银、有机溶剂组成，其中，各组份之间的比例为四丙基溴化胺：没食子酸丙酯：氧化银：有机溶剂=3～7：3：1：17。有机溶剂为两种有机溶剂混合组成。有机溶剂为二甲基亚砜与二乙二醇丁醚组成。
本发明还提供四丙基溴化胺无水剥离液的制备方法，包括以下步骤：1、制备四丙基溴化胺氧化银混合溶液；2、将步骤1中的混合溶液在通风状态下边搅拌边加入没食子酸丙酯；3、将步骤2中的混合溶液与其它有机溶剂混合，通风搅拌30分钟；4、将步骤3中的混合溶液经过0.2μm过滤。四丙基溴化胺无水剥离液的使用温度为40℃～60℃。其中，步骤1、步骤2均需在非金属单一材质的混合槽中进行。
本发明所述四丙基溴化胺无水剥离液的有益效果主要有：
1、不会造成铝金属损坏。
2、配方简单，易混合。
3、使用温度易控。
4、没有燃烧或爆炸的危险。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
将四丙基溴化胺与氧化银按重量比3：1比例制成混合溶液，再将与四丙基溴化胺等重的没食子酸丙酯在通风搅拌状态下加入到混合溶液中制备成半成品溶液，再在具有通风设备的纯PE混合槽中将四丙基溴化胺、氧化银、没食子酸丙酯混合成的半成品溶液与二甲基亚砜按重量比1：2的比例混合，通风搅拌30分钟后，经0.2μm过滤后进行干蚀刻的无水剥离。
经试验，该四丙基溴化胺无水剥离液对铝金属干蚀刻残余物剥离效果非常明显，而且由于是无水配方，因此不会造成铝的腐蚀。
实施例2
将四丙基溴化胺与氧化银按重量比7：1的比例制成混合溶液，再将重量为氧化银三倍重量的没食子酸丙酯在通风搅拌状态下加入到混合溶液中制备成半成品溶液，再在具有通风设备的纯PE混合槽中将四丙基溴化胺、氧化银、没食子酸丙酯混合成的半成品溶液与二甲基亚砜、二乙二醇丁醚按11：8：9的比例混合，通风搅拌30分钟后，经0.2μm过滤后进行干蚀刻的无水剥离。
经试验，该四丙基溴化胺无水剥离液对铝金属干蚀刻残余物剥离效果非常明显，而且由于是无水配方，因此不会造成铝的腐蚀。

Claims (6)

1.四丙基溴化胺无水剥离液，主要由四丙基溴化胺、没食子酸丙酯、氧化银、有机溶剂组成，其中，各组份之间的重量比例为四丙基溴化胺：没食子酸丙酯：氧化银：有机溶剂=3～7：3：1：17。
2.根据权利要求1所述四丙基溴化胺无水剥离液，其特征在于所述有机溶剂为两种有机溶剂混合组成。
3.根据权利要求1所述四丙基溴化胺无水剥离液，其特征在于所述有机溶剂为二甲基亚砜与二乙二醇丁醚混合而成。
4.根据权利要求1所述四丙基溴化胺无水剥离液，其特征在于所述四丙基溴化胺无水剥离液的使用温度为40℃～60℃。
5.四丙基溴化胺无水剥离液的制备方法，主要包括以下步骤：1、制备四丙基溴化胺、氧化银混合溶液；2、在步骤1制备的混合溶液中添加没食子酸丙酯制备半成品溶液；3、将步骤2中的半成品溶液与其它有机溶剂混合，通风搅拌30分钟；4、将步骤3中的混合溶液经过0.2μm过滤。
6.根据权利要求6所述四丙基溴化胺无水剥离液的制备方法，其特征在于所述步骤1、步骤2、步骤3均在非金属单一材质的混合槽中进行。
CN201611227553.6A 2016-12-27 2016-12-27 四丙基溴化胺无水剥离液 Pending CN106773563A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611227553.6A CN106773563A (zh) 2016-12-27 2016-12-27 四丙基溴化胺无水剥离液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611227553.6A CN106773563A (zh) 2016-12-27 2016-12-27 四丙基溴化胺无水剥离液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106773563A true CN106773563A (zh) 2017-05-31

Family

ID=58921714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611227553.6A Pending CN106773563A (zh) 2016-12-27 2016-12-27 四丙基溴化胺无水剥离液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106773563A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875325A (zh) * 2003-10-29 2006-12-06 马林克罗特贝克公司 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
CN102411269A (zh) * 2011-11-18 2012-04-11 西安东旺精细化学有限公司 光致抗蚀剂膜的剥离液组合物
CN102944986A (zh) * 2012-11-13 2013-02-27 大连三达维芯半导体材料有限公司 芯片用聚酰亚胺剥离液及制备方法
CN103676504A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种水性光刻胶剥离液
CN104195560A (zh) * 2014-09-10 2014-12-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 四甲基氢氧化铵无水剥离液
CN104330959A (zh) * 2014-10-25 2015-02-04 江阴市化学试剂厂有限公司 光刻胶剥离液制备方法
CN105297022A (zh) * 2014-07-24 2016-02-03 关东化学株式会社 蚀刻液组合物及蚀刻方法
CN105295924A (zh) * 2014-07-24 2016-02-03 气体产品与化学公司 氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875325A (zh) * 2003-10-29 2006-12-06 马林克罗特贝克公司 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
CN102411269A (zh) * 2011-11-18 2012-04-11 西安东旺精细化学有限公司 光致抗蚀剂膜的剥离液组合物
CN102944986A (zh) * 2012-11-13 2013-02-27 大连三达维芯半导体材料有限公司 芯片用聚酰亚胺剥离液及制备方法
CN103676504A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种水性光刻胶剥离液
CN105297022A (zh) * 2014-07-24 2016-02-03 关东化学株式会社 蚀刻液组合物及蚀刻方法
CN105295924A (zh) * 2014-07-24 2016-02-03 气体产品与化学公司 氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除
CN104195560A (zh) * 2014-09-10 2014-12-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 四甲基氢氧化铵无水剥离液
CN104330959A (zh) * 2014-10-25 2015-02-04 江阴市化学试剂厂有限公司 光刻胶剥离液制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张兀: "电解法制备四丙基氢氧化铵", 《北京化工大2013年度硕士学位论文》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6006711B2 (ja) １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物
CN103352224B (zh) 一种用于金属制品的双面蚀刻方法
CN107765514B (zh) 一种含羟胺清洗液、其制备方法及应用
JP4716225B2 (ja) フォトレジスト剥離剤組成物
WO2013134104A3 (en) Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
JP2012500421A (ja) Ｌｃｄを製造するためのフォトレジスト剥離組成物
CN106154772A (zh) 一种半导体凸块制程用正胶去胶液
JP2007003617A (ja) 剥離液組成物
CN108752970B (zh) 一种纽扣浆料、具有激光变色效果的纽扣及其制备方法
EP3268810B1 (en) Compositions and methods that promote charge complexing copper protection during low pka driven polymer stripping
WO2016151645A1 (ja) レジスト剥離液
CN107346095A (zh) 一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用
CN106773563A (zh) 四丙基溴化胺无水剥离液
CN106933068A (zh) 一种低蚀刻的去除光刻胶残留物的清洗液
US11448966B2 (en) Photoresist-removing liquid and photoresist-removing method
JP2008216296A (ja) フォトレジスト剥離剤組成物
JP5437541B1 (ja) レジスト剥離剤
CN101284961A (zh) 金属脱漆剂及其制备方法
JPH05281753A (ja) 剥離剤組成物
CN104195560A (zh) 四甲基氢氧化铵无水剥离液
CN106637270A (zh) 干蚀刻清洗剥离防护液
KR20190083545A (ko) 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법
WO2018061065A1 (ja) レジスト剥離液
CN106283055A (zh) 一种印刷板的蚀刻方法
CN105542979A (zh) 用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂及其制备和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170531

RJ01 Rejection of invention patent application after publication