CN106757324A - 一种硅外延片的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种外延片的制造方法,其技术工艺在于:采用单片常压硅外延设备,首先要选择合适的H2流量、温度和时间来对衬底硅片进行烘烤处理,去除表面的自然氧化层,保证外延前表面质量。第一层外延生长:在高浓度掺杂的衬底表面生长一层不掺杂的本征层,对衬底表面进行包封;控制本征层的生长温度、生长速率和生长时间,以达到理想的包封效果。第二层外延生长:采用SiHCl3作为硅源,加大主H2流量,通入合适流量HCl,以降低生长速率,生长较薄厚度符合器件要求的外延层。
Description
技术领域
本发明涉及硅外延片,即一种超薄层低阻外延片的制造方法。
背景技术
以SiHCl3为硅源的单片常压外延设备,其生长速率往往大于2μm/min,而针对外延层厚度小于2μm的8英寸超薄层外延,其较快的生长速率导致外延层厚度均匀性差,外延层和衬底的过渡区较宽,减少了外延层的有效厚度,无法满足器件端的需求(器件端需求的理论纵向电阻率分布图如图2所示)。目前针对8英寸硅外延产品小于2μm的薄层外延常采用减压外延或更换其它硅源如硅烷(SiH4),这些都需要额外增加生产成本,同时降低了常压外延设备的兼容性。
综上所述,有必要设计一种针对微型液压驱动系统的快速高精度的控制方法。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,依据外延工艺自掺杂效应的产生机理、抑制方法以及固态扩散理论,本发明提出了一种新型的外延片的制造方法,与常规外延方法相比较,能够优化外延层厚度和电阻率均匀性,优化衬底和外延层的过渡区宽度。
为达到上述目的,本发明可采用如下技术方案:
一种硅外延片的制造方法,包括以下步骤:
(1)、对基座进行HC1高温处理,去除基座上残余的反应物,并淀积一层本征多晶硅;
(2)、冷却基座后载入衬底硅片
(3)、进行硅片烘烤
(4)、第一层外延生长:在衬底表面生长一层本征层,对衬底表面进行包封;
(5)、第二层外延生长:第二层外延生长时将HCl和TCS同时通入,其中通入0.5-1slm流量的HCl、2-5g流量的TCS和120-180slm流量的H2。
有益效果:本发明的外延片的制造方法,与常规外延方法相比较,能够优化8英寸超薄外延层厚度和电阻率均匀性,优化衬底和外延层的过渡区宽度。尤其是在二层外延生长时将HCl和TCS同时通入,目的是为了降低外延层的生长厚度和抑制硅片的自掺杂效应,对达到上述技术效果起到了关键的作用。
优选的,步骤(2)中,冷却基座至850℃。
优选的,步骤(3)中,烘烤温度1150-1180℃,烘烤的时间40秒,烘烤H2流量120-180slm。
优选的,其特征在于第一层外延生长时选择合适的外延条件是:烘烤温度1150-1180℃,烘烤主H2流量为120-180slm;第一层外延,生长温度1100-1130℃,淀积速率在0.8-1.0μm/min;第二层外延生长时,温度为1100-1130℃,淀积速率在0.4-0.6μm/min。
优选的,第一层外延生长时不加掺杂,第二层掺杂外延生长时H2流量为120-180slm。
优选的,淀积选择为:生长温度1100-1130℃,生长硅源流量2-5g,生长时HCl流量0.5-1slm,生长主H2流量120-180slm。
优选的,衬底片的选择:使用8英寸重掺磷硅抛光片,电阻率≤0.001Ω·cm,该衬底片局部平整度≤l.5m(10mm×10mm);二氧化硅背封层(LTO)+多晶硅背封层(Poly)背封。
附图说明
图1为8寸薄层外延的工艺流程图;
图2为8寸薄层外延层纵向结构示意图;
图3为ASM E2000反应室结构图;
图4为8寸薄层外延层实测纵向载流子分布图。
具体实施方式
本发明公开了一种外延片的制造方法,优选的适用于8英寸超薄层低阻外延片的制造。
实施例一:
本实施例的一种8英寸超薄层低阻外延片的制造方法包括如下步骤:
本发明采用设备为美国ASM E2000硅外延生长系统,如图3所示,高纯石墨基座作为红外加热体,主要载气H2纯度为99.9999%以上。
反应室清洗:石英钟罩以及反应室中使用的石英零件在进行外延前必须仔细清洗,彻底清除石英钟罩内壁和石英件上的淀积残留物。
第一步:反应室高温处理:每次外延生长之前,石墨基座必须进行HC1高温处理,去除基座上残余的反应物,并淀积一层本征多晶硅。
第二步:冷却反应腔至低温(850℃),载入衬底硅片。
第三步:升温至1150℃,H2流量100slm,并保持30秒进行硅片烘烤,减少外延层缺陷。
第四步:第一层本征外延层,1100℃,硅源2g,主H2为120slm,淀积速率在0.8μm/min,生长时间7秒。
第五步:温度设定1100℃,H2为120slm,保持10秒进行吹除。
第六步:第二层生长温度1100℃,HCl流量为0.5slm,硅源2g,此时将HCl和硅源同时通入进行生长,主H2为120slm,淀积速率在0.4-0.6μm/min,生长时间82秒。
实施例二
前三步同实施例一所述。
第四步:第一层本征外延层,1120℃,硅源3g,主H2为150slm,淀积速率在0.8μm/min,生长时间7秒。
第五步:温度设定1130℃,H2为150slm,保持90秒进行吹除。
第六步:第二层生长温度1120℃,HCl流量为0.8slm,硅源3g,此时将HCl和硅源同时通入进行生长,主H2为150slm,淀积速率在0.4-0.6μm/min,生长时间82秒。
实施例三
前三步同实施例一所述。
第四步:第一层本征外延层,1130℃,硅源5g,主H2为180slm,淀积速率在0.8μm/min,生长时间7秒。
第五步:温度设定1150℃,H2为120slm,保持120秒进行吹除。
第六步:第二层生长温度1130℃,HCl流量为1slm,硅源5g,此时将HCl和硅源同时通入进行生长,主H2为180slm,淀积速率在0.4-0.6μm/min,生长时间82秒。
以上的操作步骤见附图1。
经过对通过实施例一、二、三的方法制造的硅外延片进行测试可得,所制作的硅外延片晶格结构完好,表面光亮无细亮点,无翘边和边缘结晶现象,同时进入气相的杂质少,减小了自掺杂效应,位错<100/cm2,层错<10/cm2,在外延厚度小于0.7μm时,外延过渡区小于0.2μm,纵向电阻率分布图如图4所示,完全满足器件制作的要求。
本发明具体实现该技术方案的方法和途径很多,以上所述仅是本发明的优选实施方式。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。
Claims (7)
1.一种硅外延片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)、对基座进行HC1高温处理,去除基座上残余的反应物,并淀积一层本征多晶硅;
(2)、冷却基座后载入衬底硅片
(3)、进行硅片烘烤
(4)、第一层外延生长:在衬底表面生长一层本征层,对衬底表面进行包封;
(5)、第二层外延生长:第二层外延生长时将HCl和TCS同时通入,其中通入0.5-1slm流量的HCl、2-5g流量的TCS和120-180slm流量的H2。
2.根据权利要求1所述的硅外延片的制造方法,其特征在于,步骤(2)中,冷却基座至850℃。
3.根据权利要求1所述的硅外延片的制造方法,其特征在于,步骤(3)中,烘烤温度1150-1180℃,烘烤的时间40秒,烘烤H2流量120-180slm。
4.根据权利要求1或2或3所述的硅外延片的制造方法,其特征在于第一层外延生长时选择合适的外延条件是:烘烤温度1150-1180℃,烘烤主H2流量为120-180slm;第一层外延,生长温度1100-1130℃,淀积速率在0.8-1.0μm/min;第二层外延生长时,温度为1100-1130℃,淀积速率在0.4-0.6μm/min。
5.根据权利要求4所述的硅外延片的制造方法,其特征在于第一层外延生长时不加掺杂,第二层掺杂外延生长时H2流量为120-180slm。
6.根据权利要求4所述的硅外延片的制造方法,其特征在于淀积选择为:生长温度1100-1130℃,生长硅源流量2-5g,生长时HCl流量0.5-1slm,生长主H2流量120-180slm。
7.根据权利要求1所述的硅外延片的制造方法,其特征在于衬底片的选择:使用8英寸重掺磷硅抛光片,电阻率≤0.001Ω·cm,该衬底片局部平整度≤l.5m(10mm×10mm),二氧化硅背封层+多晶硅背封层背封。
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