CN109004063B - 一种晶硅太阳电池的热氧化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳电池领域，公开了一种晶硅太阳电池的热氧化方法，本发明方法对氮流量、氧流量、通气时间、压力和温度采用了特定的阶梯式控制，能够有效地在晶硅太阳电池表面生长一层均匀、高质量的SiO钝化膜，使硅片表面晶格缺陷和悬挂键缺陷能很好的修复，并能将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳电池领域，尤其涉及一种晶硅太阳电池的热氧化方法。
背景技术
随着晶体硅太阳电池技术的发展，良好的表面钝化成为制备高效电池必不可少的条件。表面钝化就是降低半导体的表面活性，使表面的复合速率降低，其主要的方式是饱和半导体表面处的悬挂键，降低表面活性，增加表面的清洁程度，避免由于杂质在表面层的引入而形成复合中心，以此来降低少数载流子的表面复合速率，使器件稳定工作。
适用于太阳电池表面钝化的措施一般有以下四个方面：表面悬挂键饱和钝化、发射结钝化、发射结氧化钝化和场钝化。其中表面悬挂键饱和钝化在传统晶硅太阳电池上采用的是PECVD镀SINx膜进行表面钝化，其工艺流程为制绒→磷扩散→刻蚀→PECVD正面镀膜→ALD→PECVD背面镀膜→激光开槽→印刷烧结，但PECVD沉积的SiNx与Si的晶格匹配性较差，导致SiNx/Si界面缺陷密度较高，从而使得晶硅太阳电池转换效率不能进一步提升。
目前，为了达到理想的钝化效果，开始有采用热氧化法生长SiO2钝化薄膜。是因为SiO2是由Si-O四面体组成，四面体的中心是硅原子，四个顶角上是氧原子，顶角上的四个氧原子刚好满足了硅原子的化合价，与Si表面具有良好的匹配性，其工艺流程为制绒→磷扩散→刻蚀→热氧化→PECVD正面镀膜→ALD→PECVD背面镀膜→激光开槽→印刷烧结，在热氧化的反应过程中，大量的氧原子与硅表面未饱和的硅原子结合形成SiO2薄膜，该薄膜可降低悬挂键的密度，能够很好地控制界面陷阱和固定电荷。此外高质量SiO2薄膜可把表面态密度降低到100cm2，Si-SiO2界面的复合速率也可以降到100cm/s以下，从而降低了悬挂键的密度，起到了表面钝化作用，从而提高太阳电池的开路电压和短路电流。
该热氧化钝化硅片表面的方法是在恒温恒压条件下，用干燥纯净的氧气直接与硅片表面的不饱和硅原子结合形成SiO2，为了保证氧化炉炉管内的压力平衡，同时使氧气均匀分布在炉管内，在氧化阶段同时通入保护气体N2，在热氧化过程中，氧原子穿过氧化膜层向SiO2-Si界面运动并与硅原子进行反应，生长过程如下：氧原子先与硅片外表面的硅原子反应，生成初始氧化层，此后初始氧化层阻止氧原子与硅表面的接触，氧原子以扩散的方式通过氧化层，到达SiO2-Si界面，与硅片外表面内层的硅原子反应，生成新的氧化层。但当SiO2的厚度增长到一定程度后，氧原子扩散到SiO2-Si界面的速度也将变慢，如果在此热氧化过程中，氧化工艺设计不合理，会导致硅片表面不能均匀充分生长SiO2膜，得不到高质量的SiO钝化膜，从而使硅片表面晶硅缺陷和悬挂键不能得到很好的修复，钝化效果变差，使晶硅电池转换效率受损失。
对此，开发一种新热氧化工艺既能保证硅片表面生长一层均匀、高质量的SiO2钝化膜，达到良好的钝化效果，又能解决硅片表面晶格以及悬挂键多的问题，还能将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的转换效率尤为关键。
发明内容
为了解决现有技术中热氧化工艺恒温恒压状态下随着氧化时间的推移，硅片表面SIO生长放慢导致SiO生长不均匀、表面晶格缺陷以及悬挂键修复效果差，磷原子再分布效果不理想，使最终晶硅电池转换效率幅度小的问题，本发明提供了一种晶硅太阳电池的热氧化方法，本发明方法对氮流量、氧流量、通气时间、压力和温度采用了特定的阶梯式控制，能够有效地在晶硅太阳电池表面生长一层均匀、高质量的SiO钝化膜，使硅片表面晶格缺陷和悬挂键缺陷能很好的修复，并能将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的转换效率。
本发明的具体技术方案为：一种晶硅太阳电池的热氧化方法，包括以下步骤：
1)将扩散、刻蚀清洗后的硅片插入石英舟中，在氧化炉中升温至600-800℃，以8-12slm的流量通氮气8-12min，使气压达到500-700mbar。
2)分别以1500-2500sccm和300-500sccm的流量通入氮气和氧气8-12min，温度控制在600-800℃，压力为500-700mbar。
3)控制氮气和氧气的流量分别为1000-2000sccm和600-800sccm，保持12-18min，并升温至700-900℃，压力为200-400mbar。
4)控制氮气和氧气的流量分别为500-1500sccm和900-1100sccm，保持20-25min，温度控制在850-1000℃，压力为50-150mbar。
5)控制氮气和氧气的流量分别为1000-2000sccm和600-800sccm，保持12-18min，温度控制在700-900℃，压力为200-400mbar。
6)控制氮气和氧气的流量分别为1500-2500sccm和300-500sccm，保持8-12min，温度控制在600-800℃，压力为500-700mbar。
7)降温至550-650℃出炉，降温时间8-12min，以8-12slm的流量通入氮气6-10min，使气压达到1000-1100mbar，并测试方阻，方阻控制在90±10欧姆。
如背景技术中所述，现有技术中热氧化钝化硅片表面的方法是在高温条件下，用干燥纯净的氧气直接与硅片表面的不饱和硅原子结合形成SiO2，为了保证氧化炉炉管内的压力平衡，同时使氧气均匀分布在炉管内，在氧化阶段同时通入保护气体N2，在热氧化过程中，氧原子穿过氧化膜层向SiO2-Si界面运动并与硅原子进行反应，生长过程如下：氧原子先与硅片外表面的硅原子反应，生成初始氧化层，此后初始氧化层阻止氧原子与硅表面的接触，氧原子以扩散的方式通过氧化层，到达SiO2-Si界面，与硅片外表面内层的硅原子反应，生成新的氧化层。
但是本发明团队经过长期研究后发现，当SiO2的厚度增长到一定程度后，氧原子扩散到SiO2-Si界面的速度也将变慢，而如果在此热氧化过程中，氧化工艺设计不合理，会导致硅片表面不能均匀充分生长SiO2膜，得不到高质量的SiO钝化膜，从而使硅片表面晶硅缺陷和悬挂键不能得到很好的修复，钝化效果变差，使晶硅电池转换效率受损失。
为此，本发明通过对工艺温度、氧气流量、通气时间先以阶梯递增，工艺压力、氮气流量以阶梯递减的形式(步骤2)至步骤4))对硅片进行主氧化，来改善传统热氧化工艺恒温恒压状态下随着氧化时间的推移，硅片表面SIO生长放慢导致SiO生长不均匀、生长的SiO质量差的问题，然后再以阶梯递减的形式(步骤4)至步骤6))对硅片进行副氧化，来进一步巩固SiO钝化膜层致密且充分的生长在硅片表面，从而使硅片表面晶格缺陷以及悬挂键多的问题得以解决，达到良好的钝化效果。并且通过温度递增、氧气递增的形式能很好的将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，降低硅片表面的少子复合速率，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的开路电压、填充因子，最终使转换效率得到提升。
本发明的具体原理为：当SiO2的厚度增长到一定程度后，氧原子扩散到SiO2-Si界面的速度也将变慢，根据此现象，进行氧气/氮气比例、时间、温度、递增递减形式来改善。(氧气多、氮气少[即氧气比例高]那么SiO2的厚度就生长厚、时间越长那么SiO2的厚度就生长厚、温度设置在一定高温下利于SiO2的生长、压力设定在一定低压下使O2更均匀的分布在炉管内和硅片上从而利于SiO2的生长)
工艺开始初期，也就是步骤2)，硅片上初始生产SiO2时，只需较低的温度、较小的氧气/氮气比例、较少的时间、较高的压力下就能生长成一层SiO2层。也就是氧原子先与硅片外表面的硅原子反应，生成初始氧化层
当SiO2的厚度增长到一定程度后，氧原子扩散到SiO2-Si界面的速度也将变慢，根据此现象，进行步骤3)。步骤3)就把温度提高，氧气量增大/氮气量减少，时间加长，设置低压力，让氧原子更易扩散到SiO2-Si界面里，让SiO2更致密的附着在硅片表面。
经过步骤3)后，因为当SiO2的厚度增长到一定程度后，氧原子扩散到SiO2-Si界面的速度也将变慢，此时如果还保持步骤3)的时间、压力、氧气/氮气比例，SiO2就生长更慢、生产的SiO2膜质量不够好，故根据(氧气多、氮气少那么SiO2的厚度就生长厚、时间越长那么SiO2的厚度就生长厚、温度设置在一定高温下利于SiO2的生长、压力设定在一定低压下使O2更均匀的分布在炉管内和硅片上从而利于SiO2的生长)进行步骤4)设置：步骤4)是在步骤3)的基础上，继续把氧气量增大/氮气量减少，时间更加长，设置更低压力，让氧原子更进一度扩散到SiO2-Si界面里，让SiO2更致密、让SiO2膜质量变得更好，从而对电池片的转换效率有明显提升。
另外通过递增，因为在热氧工序之前的前1个工序前的工序为扩散工序，扩散工序是将三氯氧磷扩散硅片里，也就是硅片表面含有磷，如果表面磷太多了话，硅片表面复合会大，从而降低电池片的转换效率，通过递增也就是温度升高，将硅片表面的磷更进一步推到硅片里，另外氧气比例也递增，压力减少，生成的SiO2可以减少表面磷的分布，从而降低硅片表面磷浓度，复合减少，也就是文中所描述的(将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，降低硅片表面的少子复合速率，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的开路电压、填充因子，最终使转换效率得到提升。)
完成图中步骤2)至步骤4)后，此时SiO2膜基本已长好，为了更充分将表面SiO2得以巩固，在通过步骤5)和6)，以阶梯递减的形式适当通入氧气、氮气，减少时间，递减温度更充分将表面SiO2得以巩固，使SiO2更致密、SiO2膜质量更好，从而提升电池片的转换效率。
经过本发明团队的实验对比，与传统热氧化工艺相比，经本发明热氧化工艺处理后的晶硅电池片的开路电压(Uoc)提升了1.2-2.6mV，填充因子(FF)提升了0.11-0.20％，最终使转换效率(Ncell)提升了0.08-0.09％。虽然上述进步从数值上来看提升幅度并不大，但是本领域技术人员知晓，在太阳能电池领域中，要在数值上一下子获得飞跃性的提升几乎是不可能的。目前，以常规工艺技术路线转换效率(Ncell)为例，目前的水平普遍在21％多一点，如对比例1为21.81％，其转换效率已经是达到了很高的水平，已经处于技术瓶颈期，每取得0.01％的进步都是非常不易的。而本发明与传统工艺相比取得了0.08-0.09％的进步，在该领域中已经属于非常显著的进步了。
作为优选，步骤1)中，在氧化炉中升温至680-720℃，以8-12slm的流量通氮气8-12min，使气压达到580-620mbar。
作为优选，步骤2)中，分别以1800-2200sccm和380-420sccm的流量通入氮气和氧气8-12min，温度控制在680-720℃，压力为580-620mbar。
作为优选，步骤3)中，控制氮气和氧气的流量分别为1300-1700sccm和780-820sccm，保持12-18min，并升温至780-800℃，压力为280-320mbar。
作为优选，步骤4)中，控制氮气和氧气的流量分别为800-1200sccm和950-1050ccm，保持20-25min，温度控制在880-920℃，压力为80-120mbar。
作为优选，步骤5)中，控制氮气和氧气的流量分别为1300-1700sccm和780-820sccm，保持12-18min，温度控制在780-800℃，压力为280-320mbar。
作为优选，步骤6)中，控制氮气和氧气的流量分别为1800-2200sccm和380-420sccm，保持8-12min，温度控制在680-720℃，压力为580-620mbar。
作为优选，步骤7)中，降温至580-620℃出炉，降温时间8-12min，以8-12slm的流量通入氮气6-10min，使气压达到1050-1070mbar，并测试方阻，方阻控制在90±10欧姆。
与现有技术对比，本发明的有益效果是：
因此，本发明的有益效果是：
1、本发明通过工艺温度、氧气流量、工艺时间以阶梯递增，工艺压力、氮气流量以阶梯递减的形式对硅片进行主氧化，来改善传统热氧化工艺恒温恒压状态下随着氧化时间的推移，硅片表面SIO生长放慢导致SiO生长不均匀、生长的SiO质量差的问题，然后再以阶梯递减的形式对硅片进行副氧化，来进一步巩固SiO钝化膜层致密且充分的生长在硅片表面，从而使硅片表面晶格缺陷以及悬挂键多的问题得以解决，达到良好的钝化效果，并且通过温度递增、氧气递增的形式能很好的将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，降低硅片表面的少子复合速率，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的开路电压、填充因子，最终使转换效率得到提升。
2、本发明与传统工艺相比在转换效率(Ncell)上取得了0.08-0.09％的进步，在该领域中属于非常显著的进步。
附图说明
图1是本发明晶硅太阳电池热氧化工艺步骤2)至步骤6)中温度、压力、气体流量、时间的变化趋势图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
总实施例
一种晶硅太阳电池的热氧化方法，包括以下步骤：
1)将扩散、刻蚀清洗后的硅片插入石英舟中，在氧化炉中升温至600-800℃，以8-12slm的流量通氮气8-12min，使气压达到500-700mbar。
2)分别以1500-2500sccm和300-500sccm的流量通入氮气和氧气8-12min，温度控制在600-800℃，压力为500-700mbar。
3)控制氮气和氧气的流量分别为1000-2000sccm和600-800sccm，保持12-18min，并升温至700-900℃，压力为200-400mbar。
4)控制氮气和氧气的流量分别为500-1500sccm和900-1100sccm，保持20-25min，温度控制在850-1000℃，压力为50-150mbar。
5)控制氮气和氧气的流量分别为1000-2000sccm和600-800sccm，保持12-18min，温度控制在700-900℃，压力为200-400mbar。
6)控制氮气和氧气的流量分别为1500-2500sccm和300-500sccm，保持8-12min，温度控制在600-800℃，压力为500-700mbar。
7)降温至550-650℃出炉，降温时间8-12min，以8-12slm的流量通入氮气6-10min，使气压达到1000-1100mbar，并测试方阻，方阻控制在90±10欧姆。
作为优选，步骤1)中，在氧化炉中升温至680-720℃，以8-12slm的流量通氮气8-12min，使气压达到580-620mbar。
作为优选，步骤2)中，分别以1800-2200sccm和380-420sccm的流量通入氮气和氧气8-12min，温度控制在680-720℃，压力为580-620mbar。
作为优选，步骤3)中，控制氮气和氧气的流量分别为1300-1700sccm和780-820sccm，保持12-18min，并升温至780-800℃，压力为280-320mbar。
作为优选，步骤4)中，控制氮气和氧气的流量分别为800-1200sccm和950-1050sccm，保持20-25min，温度控制在880-920℃，压力为80-120mbar。
作为优选，步骤5)中，控制氮气和氧气的流量分别为1300-1700sccm和780-820sccm，保持12-18min，温度控制在780-800℃，压力为280-320mbar。
作为优选，步骤6)中，控制氮气和氧气的流量分别为1800-2200sccm和380-420sccm，保持8-12min，温度控制在680-720℃，压力为580-620mbar。
作为优选，步骤7)中，降温至580-620℃出炉，降温时间8-12min，以8-12slm的流量通入氮气6-10min，使气压达到1050-1070mbar，并测试方阻，方阻控制在90±10欧姆。
如图1所示为本发明晶硅太阳电池热氧化工艺步骤2)至步骤6)中温度、压力、气体流量、时间的变化趋势图。
实施例1
扩散、刻蚀清洗完成后的硅片插入石英舟后，送入氧化炉中，升温至680℃，通入10slm的氮气，通入时间10min，使炉管内气体压力达到580mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1800sccm，氧气通入量为380sccm，通入时间8min，氧化炉温度控制680℃，炉体压力为580mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1300sccm，氧气通入量为780sccm，通入时间13min，将氧化炉温度升温控制到780℃，炉体压力为280mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为800sccm，氧气通入量为950sccm，通入时间18min，将氧化炉温度升温控制到880℃，炉体压力为80mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1300sccm，氧气通入量为780sccm，通入时间13min，将氧化炉温度升温控制到780℃，炉体压力为280mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1800sccm，氧气通入量为380sccm，通入时间8min，氧化炉温度控制680℃，炉体压力为580mbar；
降温至600℃出炉，降温时间10min，通入10slm的氮气，通入时间8min，使炉管内气体压力达到1060mbar，测试方阻，方阻控制在80欧姆。
实施例2
扩散、刻蚀清洗完成后的硅片插入石英舟后，送入氧化炉中，升温至700℃，通入10slm的氮气，通入时间10min，使炉管内气体压力达到600mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为2000sccm，氧气通入量为400sccm，通入时间10min，氧化炉温度控制700℃，炉体压力为600mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1500sccm，氧气通入量为800sccm，通入时间15min，将氧化炉温度升温控制到800℃，炉体压力为300mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1000sccm，氧气通入量为1000sccm，通入时间20min，将氧化炉温度升温控制到900℃，炉体压力为100mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1300sccm，氧气通入量为780sccm，通入时间13min，将氧化炉温度升温控制到780℃，炉体压力为280mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为2000sccm，氧气通入量为400sccm，通入时间10min，氧化炉温度控制700℃，炉体压力为600mbar；
降温至600℃出炉，降温时间10min，通入10slm的氮气，通入时间8min，使炉管内气体压力达到1060mbar，测试方阻，方阻控制在90欧姆。
实施例3
扩散、刻蚀清洗完成后的硅片插入石英舟后，送入氧化炉中，升温至720℃，通入10slm的氮气，通入时间10min，使炉管内气体压力达到620mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为2200sccm，氧气通入量为420sccm，通入时间12min，氧化炉温度控制720℃，炉体压力为620mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1700sccm，氧气通入量为820sccm，通入时间18min，将氧化炉温度升温控制到800℃，炉体压力为320mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1200sccm，氧气通入量为1050sccm，通入时间25min，将氧化炉温度升温控制到920℃，炉体压力为120mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为1700sccm，氧气通入量为820sccm，通入时间18min，将氧化炉温度升温控制到800℃，炉体压力为320mbar；
通入氮气、氧气，氮气通入量为2200sccm，氧气通入量为420sccm，通入时间12min，氧化炉温度控制720℃，炉体压力为620mbar；
降温至600℃出炉，降温时间10min，通入10slm的氮气，通入时间8min，使炉管内气体压力达到1060mbar，测试方阻，方阻控制在100欧姆。
对比例1
传统工艺：
| 步骤 | 时间(s) | 温度(℃) | 氮气(sccm) | 氧气(sccm) | 压力 |
| 1 | 60 | 720 | 5000 | 常压 | |
| 2 | 700 | 720 | 5000 | 常压 | |
| 3 | 40 | 720 | 5000 | 常压 | |
| 4 | 560 | 720 | 5000 | 常压 | |
| 5 | 1200 | 720 | 5000 | 3000 | 常压 |
| 6 | 300 | 720 | 5000 | 常压 | |
| 7 | 700 | 720 | 5000 | 常压 | |
| 8 | 10 | 720 | 5000 | 常压 |
使用上述实施例中的工艺方案，制备的电池片经电性能测试，其结果如下表所示：
由上述数据可知，实施例1-3中晶硅电池片的开路电压(Uoc)提升了1.2-2.6mV，填充因子(FF)提升了0.11-0.20％，最终使转换效率(Ncell)提升了0.08-0.09％。虽然上述进步从数值上来看提升幅度并不大，但是本领域技术人员知晓，在太阳能电池领域中，要在数值上一下子获得飞跃性的提升几乎是不可能的，目前，以常规工艺技术路线转换效率(Ncell)为例，目前的水平普遍在21％多一点，如对比例1为21.81％，其转换效率已经是达到了很高的水平，已经处于技术瓶颈期，每取得0.01％的进步且能稳定保持都是非常不易的。而本发明与传统工艺相比取得了0.08％-0.09％的进步，在该领域中已经属于非常显著的进步了。
本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (8)
1.一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于包括以下步骤：
1）将扩散、刻蚀清洗后的硅片插入石英舟中，在氧化炉中升温至680-720℃，以8-12slm的流量通氮气8-12min，使气压达到500-700mbar；
2）分别以1500-2500sccm和300-500sccm的流量通入氮气和氧气8-12min，温度控制在680-720℃，压力为500-700mbar；
3）控制氮气和氧气的流量分别为1000-2000sccm和600-800sccm，保持12-18min，并升温至780-800℃，压力为200-400mbar；
4）控制氮气和氧气的流量分别为500-1500sccm和900-1100sccm，保持20-25min，温度控制在880-920℃，压力为50-150mbar；
5）控制氮气和氧气的流量分别为1000-2000sccm和600-800sccm，保持12-18min，温度控制在780-800℃，压力为200-400mbar；
6）控制氮气和氧气的流量分别为1500-2500sccm和300-500sccm，保持8-12min，温度控制在680-720℃，压力为500-700mbar；
7）降温至580-620℃出炉，降温时间8-12min，以8-12slm的流量通入氮气6-10min，使气压达到1000-1100mbar，并测试方阻，方阻控制在90±10欧姆。
2.如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于，步骤1）中，在氧化炉中升温至680-720℃，以8-12slm的流量通氮气8-12min，使气压达到580-620mbar。
3.如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于，步骤2）中，分别以1800-2200sccm和380-420sccm的流量通入氮气和氧气8-12min，温度控制在680-720℃，压力为580-620mbar。
4.如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于，步骤3）中，控制氮气和氧气的流量分别为1300-1700sccm和780-820sccm，保持12-18min，并升温至780-800℃，压力为280-320mbar。
5.如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于，步骤4）中，控制氮气和氧气的流量分别为800-1200sccm和950-1050sccm，保持20-25min，温度控制在880-920℃，压力为80-120mbar。
6.如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于，步骤5）中，控制氮气和氧气的流量分别为1300-1700sccm和780-820sccm，保持12-18min，温度控制在780-800℃，压力为280-320mbar。
7.如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于，步骤6）中，控制氮气和氧气的流量分别为1800-2200sccm和380-420sccm，保持8-12min，温度控制在680-720℃，压力为580-620mbar。
8.如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于，步骤7）中，降温至580-620℃出炉，降温时间8-12min，以8-12slm的流量通入氮气6-10min，使气压达到1050-1070mbar，并测试方阻，方阻控制在90±10欧姆。
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