CN112768346A - 一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法 - Google Patents

一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112768346A
CN112768346A CN202011583980.4A CN202011583980A CN112768346A CN 112768346 A CN112768346 A CN 112768346A CN 202011583980 A CN202011583980 A CN 202011583980A CN 112768346 A CN112768346 A CN 112768346A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier gas
phosphorus source
flow rate
sccm
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202011583980.4A
Other languages
English (en)
Inventor
厉文斌
赵颖
任勇
何悦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd
Original Assignee
Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd filed Critical Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd
Priority to CN202011583980.4A priority Critical patent/CN112768346A/zh
Publication of CN112768346A publication Critical patent/CN112768346A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/2225—Diffusion sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H01L21/2256—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides through the applied layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括：将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化；然后升温，通入氧气和携磷源载气，沉积磷源；停止通气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；然后降温，再次通气后沉积磷源；停止通入携磷源载气进行二次氧化，然后通气再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。本发明通过对硅片扩散工艺的改进，通过对制备PN结前后磷源沉积浓度的控制，优化表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，减少硅片内部缺陷；所述方法通过二次氧化能够为后续激光掺杂提供磷源，改善硅片表面沉积磷源浓度的一致性，有助于激光掺杂后方阻降幅的提高，从而提升光电转换效率。

Description

一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法。
背景技术
随着光伏行业的快速发展，太阳能光伏市场的应用将呈现宽领域、多样化的趋势，适应各种需求的光伏产品将不断问世，太阳能电池及光伏系统的成本持续下降，仍将是光伏产业发展的主题以及推动力，从硅料到组件以及配套部件等均将面临快速降价的市场压力，太阳能电池将不断向高效率、低成本方向发展。
近年来，随着太阳能电池技术的发展，新型电池不断出现，如SE电池、PERC电池以及PERC+SE电池等，与常规太阳能电池相比，SE电池的工艺流程是在扩散工序后增加激光掺杂工序，以扩散工序产生的磷源作为掺杂源，利用激光的热效应局部熔断硅片，利用高温将PN结外的磷源注入硅片表层，从而在局部形成高掺杂区域，因此扩散工序作为激光掺杂工序的前置工序，也为选择性掺杂提供了必需的磷源，但目前的扩散工序制备PN结过程中，仍然存在硅片表面磷源浓度不均匀，造成激光掺杂后方阻降幅不一致的问题，影响光电转换效率的提高。
CN 102270701A公开了一种选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其工艺步骤包括在硅片上印刷硅墨；向扩散炉内通入氧气，使所述硅片以及所述硅墨的表面均形成二氧化硅层；向所述扩散炉内通入三氯氧磷进行扩散，使印刷有所述硅墨的区域形成重掺杂区，在所述硅片上未印刷所述硅墨的区域形成浅掺杂区。该扩散工艺对硅片不同区域的扩散程度不同，但并未考虑后续激光掺杂时磷源的需求，只依靠之前扩散的磷源进行掺杂，容易造成发射级区域掺杂浓度不一致，且容易产生内部缺陷，造成载流子结合损耗。
CN 103050581A公开了一种激光掺杂选择性发射结的扩散工艺，包括以下步骤：将硅片表面进行清洗并作织构化处理；将扩散炉升温至750～800℃，将所述硅片放于石英舟上推入扩散炉内；对硅片表面进行氧化预处理，然后通入携带POCl3的氮气进行磷源的沉积，沉积时间为10～40min；停止携带POCl3的氮气的通入，并将扩散炉内的温度升至800～900℃，对硅片作无源推进处理；向扩散炉内再次通入携带POCl3的氮气进行磷源的沉积；停止携带POCl3的氮气的通入，对所述硅片进行氮气吹扫；扩散结束后出舟，取出硅片。该方法虽然在一定程度上能够降低硅片表面的掺杂浓度，降低表面复合，但仍然存在硅片表面磷源浓度不一致，无源推进后沉积的磷源会加重硅片表面的磷源浓度，影响到方阻均匀性。
综上所述，对于激光掺杂选择性发射极电池的制备，还需要对其扩散工艺进行改进，以适应激光掺杂时对磷源的需要，使激光掺杂后选择性发射极的方阻下降幅度一致性更好。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述扩散工艺方法通过对硅片扩散工艺步骤的改进，在制备PN结后再次形成氧化层并沉积磷源，能够为后续激光掺杂提供磷源，优化硅片的表面掺杂浓度和PN结深度，并提高激光掺杂后方阻下降幅度的一致性，提高太阳能电池的光电转换效率。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，升温后通入氧气和携磷源载气，在硅片表面沉积磷源；
(3)停止通入氧气和携磷源载气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；
(4)步骤(3)完成后降温，再次通入氧气和携磷源载气后沉积磷源；
(5)停止通入携磷源载气，进行二次氧化，然后再同时通入氧气和携磷源载气，再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。
本发明中，对于太阳能电池的制备，扩散工艺主要是通过磷源沉积与扩散与原硅片形成PN结，是电池工作的核心单元，对于选择性发射极电池，则是在扩散工艺基础上进行激光掺杂，实现局部重掺杂，因此本发明在对硅片进行磷源沉积、扩散形成均匀扩散层后，再次进行表面氧化以及磷源沉积，使得后续沉积的磷源与氧化层能够形成硅磷玻璃层，避免其进入硅片影响扩散层的均匀性，也能够为后续激光掺杂提供掺杂源，提高扩散后高方阻的均匀性，也能够使得激光掺杂后方阻下降幅度一致性更好，优化表面掺杂浓度和结深，降低硅片表面的复合，从而提高太阳能电池的转换效率。
以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述硅片为P型硅片。
优选地，步骤(1)所述硅片的前处理依次为清洗及制绒工艺。
优选地，步骤(1)所述扩散设备包括管式扩散炉。
优选地，步骤(1)所述硅片先正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进扩散设备中。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述抽真空后压力降至100Pa以下，例如100Pa、80Pa、60Pa、50Pa、30Pa、10Pa或1Pa等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述升温至温度为740～760℃，例如740℃、745℃、750℃、755℃或760℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述氧气的通入流量为500～1000sccm，例如500sccm、600sccm、700sccm、800sccm、900sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述预氧化时，炉内压力为50～150mbar，例如50mbar、60mbar、80mbar、100mbar、120mbar、140mbar或150mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，氧化步骤中金通入氧气，使其浓度达到最大，加快氧化速度，降低氧化所需时间，通过气体流量的稳定，保证炉内压力的稳定。
优选地，步骤(1)所述预氧化的时间为3～6min，例如3min、3.5min、4min、4.5min、5min、5.5min或6min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，在磷源沉积前对硅片表面预氧化以形成一层二氧化硅层，由于磷在二氧化硅层中扩散的系数小于在硅中的扩散系数，形成二氧化硅层可以减缓磷沉积的速度，使磷扩散更均匀；通过控制预氧化温度及氧气浓度，使沉积的二氧化硅层更均匀，进而使硅片表面各区域磷源的扩散系数一致性更好。
作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述升温分为两个阶段，第一阶段升温至760～780℃，例如760℃、765℃、770℃、775℃或780℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；第二阶段升温至780～800℃，例如780℃、785℃、790℃、795℃或800℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述磷源包括三氯氧磷。
优选地，步骤(2)所述载气包括氮气和/或惰性气体。
优选地，步骤(2)所述沉积包括一次沉积和二次沉积，所述一次沉积在第一阶段升温至恒温后进行，所述二次沉积自第二阶段升温开始进行。
优选地，所述一次沉积时，所述携磷源载气的通入流量为200～800sccm，例如200sccm、300sccm、400sccm、500sccm、600sccm、700sccm或800sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；所述氧气的通入流量为100～1000sccm，例如100sccm、200sccm、300sccm、500sccm、600sccm、800sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述二次沉积时，所述携磷源载气的通入流量为600～1200sccm，例如600sccm、700sccm、800sccm、900sccm、1000sccm、1100sccm或1200sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；所述氧气的通入流量为100～1000sccm，例如100sccm、200sccm、300sccm、500sccm、600sccm、800sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述一次沉积和二次沉积时，炉内压力独立地为50～150mbar，例如50mbar、60mbar、80mbar、100mbar、120mbar、140mbar或150mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述一次沉积和二次沉积时额外通入载气维持压力，通入流量独立地为0～1000sccm，例如0sccm、100sccm、200sccm、300sccm、500sccm、600sccm、800sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述一次沉积和二次沉积的时间独立地为2～4min，例如2min、2.5min、3min、3.5min或4min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，磷源沉积时进行两次沉积，第一次沉积在相对较低温度下进行，反应生成的磷浓度相对低，主要是在氧化层上沉积一层均匀性较好的磷源(磷硅玻璃层)，使前期磷推进更均匀，第二次沉积相对第一次温度较高，在第一次沉积的磷硅玻璃上再沉积相对高浓度的磷源，为后续高温推进做准备。
作为本发明优选的技术方案，步骤(3)所述升温后温度达到850～870℃，例如850℃、855℃、860℃、865℃或870℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，然后维持恒温。
优选地，步骤(3)所述无源推进处理过程中，单独通入载气维持压力为50～150mbar，例如50mbar、60mbar、80mbar、100mbar、120mbar、140mbar或150mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述载气的通入流量为1000～2000sccm，例如1000sccm、1200sccm、1400sccm、1600sccm、1800sccm或2000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述无源推进处理包括升温和恒温两个阶段，总时间为10～25min，例如10min、12min、15min、18min、20min、22min或25min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，无源推进过程主要是进行磷源向硅片的扩散，在硅片表层上形成PN结。
作为本发明优选的技术方案，步骤(4)所述降温后温度为760～790℃，例如760℃、765℃、770℃、775℃、780℃、785℃或790℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述携磷源载气的通入流量为100～600sccm，例如100sccm、200sccm、300sccm、400sccm、500sccm或600sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；所述氧气的通入流量为100～600sccm，例如100sccm、200sccm、300sccm、400sccm、500sccm或600sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述沉积时，炉内压力为50～150mbar，例如50mbar、60mbar、80mbar、100mbar、120mbar、140mbar或150mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)额外通入载气维持压力，通入流量为0～1000sccm，例如0sccm、100sccm、200sccm、300sccm、500sccm、600sccm、800sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述沉积的时间为2～4min，例如2min、2.5min、3min、3.5min或4min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，步骤(5)所述二次氧化的温度为760～780℃，例如760℃、765℃、770℃、775℃或780℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(5)所述二次氧化时氧气的通入流量为100～1000sccm，例如100sccm、200sccm、300sccm、500sccm、600sccm、800sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(5)所述二次氧化时还通入载气维持炉内压力为50～150mbar，例如50mbar、60mbar、80mbar、100mbar、120mbar、140mbar或150mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，载气的通入流量为0～1000sccm，例如0sccm、100sccm、200sccm、300sccm、500sccm、600sccm、800sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(5)所述二次氧化的时间为5～10min，例如5min、6min、7min、8min、9min或10min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述二次氧化的进行，可以在原二氧化硅层及沉积磷源的基础上再形成二氧化硅层，使得再进行沉积时磷源基本与二氧化硅形成磷硅玻璃层，不易扩散进入硅片，避免沉积层不均匀而影响方阻的稳定性；新形成的氧化层将磷源阻挡在外侧，为激光掺杂提供足够的掺杂源。
本发明中，制备形成PN结后，先沉积一层低浓度磷源，再进行二次氧化，即在二次氧化前后分别进行一次磷源沉积，采用此种方式可以使后续的SE工序激光推进更容易，且该沉积温度相对较低，磷扩散能力弱，基本不影响PN结。
作为本发明优选的技术方案，步骤(5)所述沉积的温度为760～780℃，例如760℃、765℃、770℃、775℃或780℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(5)所述携磷源载气的通入流量为800～1200sccm，例如800sccm、900sccm、1000sccm、1100sccm或1200sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；所述氧气的通入流量为500～1000sccm，例如500sccm、600sccm、700sccm、800sccm、900sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(5)所述沉积时，炉内压力为50～150mbar，例如50mbar、60mbar、80mbar、100mbar、120mbar、140mbar或150mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(5)额外通入载气维持压力，通入流量为0～1000sccm，例如0sccm、100sccm、200sccm、300sccm、500sccm、600sccm、800sccm或1000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(5)所述沉积的时间为5～10min，例如5min、6min、7min、8min、9min或10min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，炉内压力维持相同不需要严格控制通入气体流量一致，通过气体好是需要满足反应需要，炉管尾部可安装抽真空设备，通过抽真空频率的调节维持炉管压力基本一致。
作为本发明优选的技术方案，步骤(5)所述沉积完成后，停止通入携磷源载气和氧气，降温后通入载气充压，取出石英舟，卸载硅片。
作为本发明优选的技术方案，所述方法包括以下步骤：
(1)将经过清洗及制绒处理的P型硅片正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进管式扩散炉中，抽真空至压力为100Pa以下，然后升温至740～760℃，通入流量为500～1000sccm的氧气进行预氧化，炉内压力为50～150mbar，预氧化时间为3～6min，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，先升温760～780℃后恒温进行一次沉积，通入流量为100～1000sccm的氧气和流量为200～800sccm的携磷源载气，在硅片表面沉积磷源，然后继续升温至780～800℃，自升温开始进行二次沉积，通入流量为100～1000sccm的氧气和流量为600～1200sccm的携磷源载气，所述一次沉积和二次沉积时炉内压力独立地为50～150mbar，额外通入流量为0～1000sccm的载气维持压力，一次沉积和二次沉积的时间独立地为2～4min；
(3)停止通入氧气和携磷源载气，继续升温至850～870℃后维持恒温，在升温和恒温阶段进行无源推进处理，通入流量为1000～2000sccm的载气维持压力为50～150mbar，无源推进处理的总时间为10～25min；
(4)步骤(3)完成后降温至760～790℃，再次通入流量为100～600sccm的氧气和流量为100～600sccm的携磷源载气，额外通入流量为0～1000sccm的载气维持炉内压力为50～150mbar，沉积磷源，沉积时间为2～4min；
(5)停止通入携磷源载气，通入流量为100～1000sccm的氧气进行二次氧化，所述二次氧化的温度为760～780℃，二次氧化时还通入流量为0～1000sccm的载气维持炉内压力为50～150mbar，二次氧化的时间为5～10min；
然后再同时通入流量为500～1000sccm的氧气和流量为800～1200sccm的携磷源载气，再次沉积磷源，沉积温度为760～780℃，还通入流量为0～1000sccm的载气维持炉内压力为50～150mbar，沉积时间为5～10min，然后停止通入氧气和携磷源载气，降温后通入载气进行充压，取出石英舟，卸载硅片，得到扩散处理后的硅片。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明所述方法通过对硅片扩散工艺步骤的改进，在制备PN结后再次形成氧化层并沉积磷源，通过对制备PN结前后磷源沉积浓度的控制，优化表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，减少硅片的内部缺陷；
(2)本发明所述方法通过二次氧化能够为后续激光掺杂提供磷源，改善扩散后硅片表面沉积的磷源浓度及表面一致性，有助于后续激光掺杂后方阻降幅及其一致性的提高，从而提高丝印金属化过程中烧结曲线的工艺范围，提升电池光电转换效率及优质品率；
(3)本发明所述方法改进方式简单，效果明显，容易操作，有助于广泛应用。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法的流程图。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面对本发明进一步详细说明。但下述的实施例仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。
本发明具体实施方式部分提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，升温后通入氧气和携磷源载气，在硅片表面沉积磷源；
(3)停止通入氧气和携磷源载气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；
(4)步骤(3)完成后降温，再次通入氧气和携磷源载气后沉积磷源；
(5)停止通入携磷源载气，进行二次氧化，然后再同时通入氧气和携磷源载气，再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。
以下为本发明典型但非限制性实施例：
实施例1：
本实施例提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法的流程图如图1所示，包括以下步骤：
(1)将经过清洗及制绒处理的P型硅片正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进管式扩散炉中，抽真空至压力为100Pa，然后升温至750℃，通入流量为500sccm的氧气进行预氧化，炉内压力控制为100mbar，预氧化时间为3min，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，先升温至770℃后恒温进行一次沉积，通入流量为400sccm的氧气和流量为500sccm的携磷源氮气，在硅片表面沉积磷源，然后继续升温至790℃，自升温开始进行二次沉积，通入流量为600sccm的氧气和流量为700sccm的携磷源氮气，所述一次沉积和二次沉积时炉内压力均控制为100mbar，额外通入流量为400sccm的氮气，一次沉积和二次沉积的时间均为3min；
(3)停止通入氧气和携磷源氮气，继续升温至860℃后维持恒温，在升温和恒温阶段进行无源推进处理，通入流量为1500sccm的氮气维持压力为100mbar，无源推进处理的总时间为15min；
(4)步骤(3)完成后降温至770℃，再次通入流量为400sccm的氧气和流量为400sccm的携磷源氮气，额外通入流量为400sccm的氮气，炉内压力控制为100mbar，进行三次沉积，沉积时间为2min；
(5)停止通入携磷源氮气，通入流量为500sccm的氧气进行二次氧化，所述二次氧化的温度为770℃，二次氧化时还通入流量为400sccm的氮气，炉内压力控制为100mbar，二次氧化的时间为8min；
然后再同时通入流量为500sccm的氧气和流量为800sccm的携磷源氮气，进行四次沉积，沉积温度为770℃，还通入流量为400sccm的氮气，炉内压力控制为100mbar，沉积时间为5min，然后停止通入氧气和携磷源氮气，降温后通入氮气进行充压，取出石英舟，卸载硅片，得到扩散处理后的硅片。
实施例2：
本实施例提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将经过清洗及制绒处理的P型硅片正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进管式扩散炉中，抽真空至压力为80Pa，然后升温至760℃，通入流量为800sccm的氧气进行预氧化，炉内压力为控制150mbar，预氧化时间为4min，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，先升温至780℃后恒温进行一次沉积，通入流量为750sccm的氧气和流量为800sccm的携磷源氮气，在硅片表面沉积磷源，然后继续升温至800℃，自升温开始进行二次沉积，通入流量为1000sccm的氧气和流量为1200sccm的携磷源氮气，所述一次沉积和二次沉积时炉内压力均控制为150mbar，额外通入流量为100sccm的氮气，一次沉积和二次沉积的时间均为4min；
(3)停止通入氧气和携磷源氮气，继续升温至870℃后维持恒温，在升温和恒温阶段进行无源推进处理，通入流量为1000sccm的氮气，压力为控制80mbar，无源推进处理的总时间为20min；
(4)步骤(3)完成后降温至790℃，再次通入流量为250sccm的氧气和流量为500sccm的携磷源氮气，额外通入流量为600sccm的氮气，炉内压力控制为150mbar，进行三次沉积，沉积时间为3min；
(5)停止通入携磷源氮气，通入流量为800sccm的氧气进行二次氧化，所述二次氧化的温度为780℃，二次氧化时还通入流量为600sccm的氮气，炉内压力控制为150mbar，二次氧化的时间为5min；
然后再同时通入流量为750sccm的氧气和流量为1000sccm的携磷源氮气，进行四次沉积，沉积温度为780℃，还通入流量为300sccm的氮气维持炉内压力为150mbar，沉积时间为8min，然后停止通入氧气和携磷源氮气，降温后通入氮气进行充压，取出石英舟，卸载硅片，得到扩散处理后的硅片。
实施例3：
本实施例提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将经过清洗及制绒处理的P型硅片正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进管式扩散炉中，抽真空至压力为50Pa，然后升温至740℃，通入流量为1000sccm的氧气进行预氧化，炉内压力控制为150mbar，预氧化时间为6min，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，先升温至760℃后恒温进行一次沉积，通入流量为100sccm的氧气和流量为200sccm的携磷源氩气，在硅片表面沉积磷源，然后继续升温至780℃，自升温开始进行二次沉积，通入流量为300sccm的氧气和流量为600sccm的携磷源氩气，所述一次沉积和二次沉积时炉内压力均控制为50mbar，额外通入流量为500sccm的氩气，一次沉积和二次沉积的时间均为2min；
(3)停止通入氧气和携磷源氩气，继续升温至850℃后维持恒温，在升温和恒温阶段进行无源推进处理，通入流量为2000sccm的氩气维持压力为150mbar，无源推进处理的总时间为10min；
(4)步骤(3)完成后降温至760℃，再次通入流量为600sccm的氧气和流量为600sccm的携磷源氩气，额外通入流量为200sccm的氩气，炉内压力控制为50mbar，进行三次沉积，沉积时间为4min；
(5)停止通入携磷源氩气，通入流量为200sccm的氧气进行二次氧化，所述二次氧化的温度为760℃，二次氧化时还通入流量为1000sccm的氩气，炉内压力控制为50mbar，二次氧化的时间为10min；
然后再同时通入流量为1000sccm的氧气和流量为1200sccm的携磷源氩气，进行四次沉积，沉积温度为760℃，炉内压力控制为50mbar，沉积时间为10min，然后停止通入氧气和携磷源氩气，降温后通入氩气进行充压，取出石英舟，卸载硅片，得到扩散处理后的硅片。
实施例4：
本实施例提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将经过清洗及制绒处理的P型硅片正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进管式扩散炉中，抽真空至压力为90Pa，然后升温至745℃，通入流量为700sccm的氧气进行预氧化，炉内压力控制为120mbar，预氧化时间为5min，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，先升温至775℃后恒温进行一次沉积，通入流量为600sccm的氧气和流量为500sccm的携磷源氮气，在硅片表面沉积磷源，然后继续升温至795℃，自升温开始进行二次沉积，通入流量为800sccm的氧气和流量为900sccm的携磷源氮气，所述一次沉积和二次沉积时炉内压力均为120mbar，额外通入流量为250sccm的氮气维持压力，一次沉积和二次沉积的时间均为2.5min；
(3)停止通入氧气和携磷源氮气，继续升温至855℃后维持恒温，在升温和恒温阶段进行无源推进处理，通入流量为1600sccm的氮气维持压力为120mbar，无源推进处理的总时间为25min；
(4)步骤(3)完成后降温至780℃，再次通入流量为100sccm的氧气和流量为150sccm的携磷源氮气，额外通入流量为1000sccm的氮气维持炉内压力为120mbar，进行三次沉积，沉积时间为3.5min；
(5)停止通入携磷源氮气，通入流量为1000sccm的氧气进行二次氧化，所述二次氧化的温度为765℃，二次氧化时还通入流量为300sccm的氮气维持炉内压力为120mbar，二次氧化的时间为7min；
然后再同时通入流量为900sccm的氧气和流量为1100sccm的携磷源氮气，进行四次沉积，沉积温度为765℃，还通入流量为250sccm的氮气维持炉内压力为120mbar，沉积时间为7.5min，然后停止通入氧气和携磷源氮气，降温后通入氮气进行充压，取出石英舟，卸载硅片，得到扩散处理后的硅片。
对比例1：
本对比例提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法参照实施例1中的方法，区别仅在于：不包括步骤(4)的三次沉积以及步骤(5)中的二次氧化和四次沉积，即步骤(3)完成后就进行充压、降温。
对比例2：
本对比例提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法参照实施例4中的方法，区别仅在于：不包括步骤(5)中的的二次氧化和四次沉积。
对比例3：
本对比例提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法参照实施例4中的方法，区别仅在于：不包括步骤(4)的三次沉积。
将实施例1-4和对比例1-3得到的扩散处理后的硅片测量其方阻，并将其进一步在相同条件下进行激光掺杂，并测量此时的方阻数据，结果数据如表1所示；将所述硅片进一步制备成选择性发射极电池片后，测量其电性能，结果如表2所示。
表1实施例1-4和对比例1-3所述扩散处理后硅片及激光掺杂后硅片的方阻变化
Figure BDA0002866521290000171
Figure BDA0002866521290000181
由表1数据可知，实施例从扩散处理后的硅片到激光掺杂后的硅片，其方阻降幅实施例1和2中的降幅均为41.6，实施例3中的降幅为53.4，实施例4中的降幅为59.6，而对比例1中的降幅为26.4，对比例2中的降幅在43.2，对比例3中的降幅为50.2，根据对比例和相对应的实施例的数据对比可知，对比例中方阻降幅明显降低，而方阻降幅越大，则说明激光掺杂效果越好，电池片在金属化后填充因子更有优势、转换效率更高。
表2实施例1-4和对比例1-3所述硅片制备成选择性发射极电池片后的性能
Figure BDA0002866521290000182
根据表2的数据可知，通过本发明的改进，实施例中电极片性能的提升主要在于填充因子以及转化效率的性能方面，有助于电池整体性能的提高。
综合上述实施例和对比例可以看出，本发明所述方法通过对硅片扩散工艺步骤的改进，在制备PN结后再次形成氧化层并沉积磷源，通过对制备PN结前后磷源沉积浓度的控制，优化表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，减少硅片的内部缺陷；所述方法通过二次氧化能够为后续激光掺杂提供磷源，改善扩散后硅片表面沉积的磷源浓度及表面一致性，有助于后续激光掺杂后方阻降幅及其一致性的提高，从而提高丝印金属化过程中烧结曲线的工艺范围，提升电池光电转换效率及优质品率；所述方法改进方式简单，效果明显，容易操作，有助于广泛应用。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明方法的等效替换及辅助步骤的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，升温后通入氧气和携磷源载气，在硅片表面沉积磷源；
(3)停止通入氧气和携磷源载气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；
(4)步骤(3)完成后降温，再次通入氧气和携磷源载气后沉积磷源；
(5)停止通入携磷源载气，进行二次氧化，然后再同时通入氧气和携磷源载气，再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。
2.根据权利要求1所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(1)所述硅片为P型硅片；
优选地，步骤(1)所述硅片的前处理依次为清洗及制绒工艺；
优选地，步骤(1)所述扩散设备包括管式扩散炉；
优选地，步骤(1)所述硅片先正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进扩散设备中。
3.根据权利要求1或2所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(1)所述抽真空后压力降至100Pa以下；
优选地，步骤(1)所述升温至温度为740～760℃；
优选地，步骤(1)所述氧气的通入流量为500～1000sccm；
优选地，步骤(1)所述预氧化时，炉内压力为50～150mbar；
优选地，步骤(1)所述预氧化的时间为3～6min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(2)所述升温分为两个阶段，第一阶段升温至760～780℃，第二阶段升温至780～800℃；
优选地，步骤(2)所述磷源包括三氯氧磷；
优选地，步骤(2)所述载气包括氮气和/或惰性气体；
优选地，步骤(2)所述沉积包括一次沉积和二次沉积，所述一次沉积在第一阶段升温至恒温后进行，所述二次沉积自第二阶段升温开始进行；
优选地，所述一次沉积时，所述携磷源载气的通入流量为200～800sccm，所述氧气的通入流量为100～1000sccm；
优选地，所述二次沉积时，所述携磷源载气的通入流量为600～1200sccm，所述氧气的通入流量为100～1000sccm；
优选地，所述一次沉积和二次沉积时，炉内压力独立地为50～150mbar；
优选地，所述一次沉积和二次沉积时额外通入载气维持压力，通入流量独立地为0～1000sccm；
优选地，所述一次沉积和二次沉积的时间独立地为2～4min。
5.根据权利要求1-4任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(3)所述升温后温度达到850～870℃，然后维持恒温；
优选地，步骤(3)所述无源推进处理过程中，单独通入载气维持压力为50～150mbar；
优选地，所述载气的通入流量为1000～2000sccm；
优选地，步骤(3)所述无源推进处理包括升温和恒温两个阶段，总时间为10～25min。
6.根据权利要求1-5任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(4)所述降温后温度为760～790℃；
优选地，步骤(4)所述携磷源载气的通入流量为100～600sccm，所述氧气的通入流量为100～600sccm；
优选地，步骤(4)所述沉积时，炉内压力为50～150mbar；
优选地，步骤(4)额外通入载气维持压力，通入流量为0～1000sccm；
优选地，步骤(4)所述沉积的时间为2～4min。
7.根据权利要求1-6任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(5)所述二次氧化的温度为760～780℃；
优选地，步骤(5)所述二次氧化时氧气的通入流量为100～1000sccm；
优选地，步骤(5)所述二次氧化时还通入载气维持炉内压力为50～150mbar，载气的通入流量为0～1000sccm；
优选地，步骤(5)所述二次氧化的时间为5～10min。
8.根据权利要求1-7任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(5)所述沉积的温度为760～780℃；
优选地，步骤(5)所述携磷源载气的通入流量为800～1200sccm，所述氧气的通入流量为500～1000sccm；
优选地，步骤(5)所述沉积时，炉内压力为50～150mbar；
优选地，步骤(5)额外通入载气维持压力，通入流量为0～1000sccm；
优选地，步骤(5)所述沉积的时间为5～10min。
9.根据权利要求1-8任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(5)所述沉积完成后，停止通入携磷源载气和氧气，降温后通入载气充压，取出石英舟，卸载硅片。
10.根据权利要求1-9任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将经过清洗及制绒处理的P型硅片正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进管式扩散炉中，抽真空至压力为100Pa以下，然后升温至740～760℃，通入流量为500～1000sccm的氧气进行预氧化，炉内压力为50～150mbar，预氧化时间为3～6min，形成二氧化硅层；
(2)步骤(1)预氧化完成后，先升温至760～780℃后恒温进行一次沉积，通入流量为100～1000sccm的氧气和流量为200～800sccm的携磷源载气，在硅片表面沉积磷源，然后继续升温至780～800℃，自升温开始进行二次沉积，通入流量为100～1000sccm的氧气和流量为600～1200sccm的携磷源载气，所述一次沉积和二次沉积时炉内压力独立地为50～150mbar，额外通入流量为0～1000sccm的载气维持压力，一次沉积和二次沉积的时间独立地为2～4min；
(3)停止通入氧气和携磷源载气，继续升温至850～870℃后维持恒温，在升温和恒温阶段进行无源推进处理，通入流量为1000～2000sccm的载气维持压力为50～150mbar，无源推进处理的总时间为10～25min；
(4)步骤(3)完成后降温至760～790℃，再次通入流量为100～600sccm的氧气和流量为100～600sccm的携磷源载气，额外通入流量为0～1000sccm的载气维持炉内压力为50～150mbar，沉积磷源，沉积时间为2～4min；
(5)停止通入携磷源载气，通入流量为100～1000sccm的氧气进行二次氧化，所述二次氧化的温度为760～780℃，二次氧化时还通入流量为0～1000sccm的载气维持炉内压力为50～150mbar，二次氧化的时间为5～10min；
然后再同时通入流量为500～1000sccm的氧气和流量为800～1200sccm的携磷源载气，再次沉积磷源，沉积温度为760～780℃，还通入流量为0～1000sccm的载气维持炉内压力为50～150mbar，沉积时间为5～10min，然后停止通入氧气和携磷源载气，降温后通入载气充压，取出石英舟，卸载硅片，得到扩散处理后的硅片。
CN202011583980.4A 2020-12-28 2020-12-28 一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法 Withdrawn CN112768346A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011583980.4A CN112768346A (zh) 2020-12-28 2020-12-28 一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011583980.4A CN112768346A (zh) 2020-12-28 2020-12-28 一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112768346A true CN112768346A (zh) 2021-05-07

Family

ID=75696549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011583980.4A Withdrawn CN112768346A (zh) 2020-12-28 2020-12-28 一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112768346A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113314640A (zh) * 2021-05-26 2021-08-27 横店集团东磁股份有限公司 一种p型钝化接触太阳能电池片的扩散方法
CN113363352A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 常州时创能源股份有限公司 一种n型电池选择性发射极的制备方法
CN113571602A (zh) * 2021-07-23 2021-10-29 横店集团东磁股份有限公司 一种二次扩散的选择性发射极及其制备方法和应用
CN114242840A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 晋能光伏技术有限责任公司 匹配se的太阳能电池扩散方法
CN114709288A (zh) * 2022-04-06 2022-07-05 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳能电池及其扩散方法
CN115132880A (zh) * 2022-07-05 2022-09-30 正泰新能科技有限公司 一种太阳能电池多次沉积掺杂源的扩散方法、制备方法
WO2023179021A1 (zh) * 2022-03-24 2023-09-28 横店集团东磁股份有限公司 一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113314640A (zh) * 2021-05-26 2021-08-27 横店集团东磁股份有限公司 一种p型钝化接触太阳能电池片的扩散方法
CN113363352A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 常州时创能源股份有限公司 一种n型电池选择性发射极的制备方法
CN113363352B (zh) * 2021-06-01 2022-11-25 常州时创能源股份有限公司 一种n型电池选择性发射极的制备方法
CN113571602A (zh) * 2021-07-23 2021-10-29 横店集团东磁股份有限公司 一种二次扩散的选择性发射极及其制备方法和应用
CN114242840A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 晋能光伏技术有限责任公司 匹配se的太阳能电池扩散方法
CN114242840B (zh) * 2021-12-21 2023-07-21 晋能光伏技术有限责任公司 匹配se的太阳能电池扩散方法
WO2023179021A1 (zh) * 2022-03-24 2023-09-28 横店集团东磁股份有限公司 一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用
CN114709288A (zh) * 2022-04-06 2022-07-05 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳能电池及其扩散方法
CN114709288B (zh) * 2022-04-06 2023-08-22 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳能电池及其扩散方法
CN115132880A (zh) * 2022-07-05 2022-09-30 正泰新能科技有限公司 一种太阳能电池多次沉积掺杂源的扩散方法、制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112768346A (zh) 一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法
CN110164759B (zh) 一种区域性分层沉积扩散工艺
CN112652681A (zh) 一种perc太阳能电池背钝化膜、其制备方法及perc太阳能电池
CN111192935B (zh) 一种管式perc太阳能电池背钝化结构及其制备方法
CN109004038B (zh) 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
CN103632934B (zh) N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN107591461B (zh) 一种制备太阳能电池的扩散工艺
CN106486568A (zh) 一种perc电池的退火处理工艺
WO2022166040A1 (zh) 一种适用于hbc电池的硼扩散方法
CN109004063B (zh) 一种晶硅太阳电池的热氧化方法
US20100210060A1 (en) Double anneal process for an improved rapid thermal oxide passivated solar cell
CN108470798A (zh) 一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法
CN104319308B (zh) 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法
CN109742185B (zh) 一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺
CN112582499B (zh) 一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺
CN113571602B (zh) 一种二次扩散的选择性发射极及其制备方法和应用
CN101904017A (zh) 制造半导体衬底的方法
CN114606478B (zh) 一种管式pecvd制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构
CN107768482A (zh) 一种晶体硅太阳能电池热氧工艺
CN113594303A (zh) 一种选择性发射极的制作方法
CN113078234B (zh) 一种大尺寸硅片扩散工艺
CN112951950B (zh) 一种低压扩散匹配激光se的扩散工艺
CN116288251A (zh) 一种管式变温硼扩散沉积工艺
CN114188436B (zh) 一种硅基底制备方法及太阳能电池
CN114709288B (zh) 一种太阳能电池及其扩散方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20210507