CN106732713A - 一种三元磁性复合光催化纳米材料及其制备方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种三元磁性复合光催化纳米材料及其制备方法和用途，制备方法包括如下步骤：步骤1、制备g‑C3N4光催化剂；步骤2、制备WO3；步骤3、制备三元磁性复合光催化纳米材料。本发明制备的三元磁性复合光催化纳米材料中，g‑C3N4是一种新型有机可见光催化剂，同样，Fe3O4纳米粒子具有优异的磁性及导电性能。另外，WO3作为一种具有较好的可见光响应的无机半导体，具有与g‑C3N4相匹配的禁带结构。因此，根据价带理论和文献报道WO3可与g‑C3N4形成具有较高光催化活性的Z型异质结光催化剂。这种特殊结构的复合材料提高了光催化效果，使得本发明制备的三元磁性复合光催化纳米材料具有很好的稳定性和光催化降解效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种复合光催化剂，特指一种三元磁性复合光催化纳米材料及其制备方法和用途。
背景技术
众所周知，抗生素是治疗感染性疾病的常用药物，它于1941年应用于临床，可以说抗生素是二十世纪最伟大的医学发现，它至少使人类的平均寿命延长了10年。抗生素作为一种具有抑制或杀灭作用的药物，使其对细菌、真菌、肿瘤都可起到一定程度的抑制和杀灭作用。正因为抗生素药物的光谱性和特殊药性，导致多数国家抗生素滥用的程度不断加大。近些年，抗生素的滥用不仅导致细菌耐药而严重威胁人类健康，而且抗生素在环境中的残留及转归现状所产生的一系列生态效应对人群健康的影响开始引起人们的广泛关注。
研究表明，抗生素被机体摄人吸收后，绝大部分以原形通过粪便和尿液排出体外，对土壤和水体等环境介质造成污染。这些环境中残留的抗生素又会通过生物链对人体和其他生物体构成潜在危害。可以说环境中抗生素污染引发的细菌耐药已经成为威胁人类健康的重大挑战。因此，消除环境中抗生素残留带来的环境污染和食物链产品安全等问题已是科研工作者迫切需要解决的重大问题。目前，针对抗生素类药物处理的主要方法有：物理处理方法、化学处理方法、生物处理方法以及多种方法的组合。这些方法各有独特优点，也各有其局限性。其中，最常见的是光催化技术。
光催化技术是在光化学氧化基础上发展起来的一种绿色氧化技术，因其一种环境友好的绿色处理方法而颇受人们青睐。自日本科学家Fujishima和Honda首次发现在光照下由TiO2和Pt电极组成的光电化学体系可以分解水产生氢气和氧气，使光催化技术受到人们的广泛关注并对光催化机理进行来系统深入研究。根据能带理论，半导体能带是由充满电子且能量较低的价带(VB)和能量较高的空的导带(CB)构成，在导带和价带之间的区域则被称为禁带。由于半导体的能带是不连续的，当其受到等于或大于禁带宽度(Eg)的能量激发时，价带上能量较低电子吸收能量被激发跃迁到导带，形成带负电的电子。同时，在价带留下带正电的空穴，生成电子-空穴对。在一定条件下光生电子-空穴与半导体表面的H2O、O2等作用产生活性很强的·OH和·O2-自由基，他们通过与污染物分子相互作用，将污染物分解为无害、无毒小分子化合物甚至完全矿化成CO2和H2O.
近年来，g-C3N4的作为新型有机半导体材料，由于其具有良好的化学稳定性及可直接可将光激发等优点而引起了人们的广泛关注，但由于其光能利用率低、电子-空穴易复合、难回收等缺点使其应用受到了一定程度的限制。为了弥补g-C3N4的缺点，有研究报道(K.Dai,J.Lv,et.al.A facile fabrication of plasmonic g-C3N4/Ag2WO4/Ag ternaryheterojunction visible-light pHotocatalyst.Mater.Chem.PHys.2016,177,529-537.Y.X.Yang,W.Guo,et.al.Fabrication of Z-scheme plasmonic pHotocatalyst Ag@AgBr/g-C3N4with enhanced visible-light pHotocatalyticactivity.J.Hazard.Mater.2014,271,150-159)，将Ag基材料与氮化碳相结合构建异质结光催化剂提高电子-空穴的分离效率。但是，上述报道中一方面Ag基材料相对比较昂贵且回收利用性差。因此，本发明成功制备了低成本高稳定性的WO3修饰的Fe3O4/g-C3N4磁性复合光催化材料。主要是由于WO3不仅具有可见光响应，而且与g-C3N4的禁带宽度相匹配，可形成Z型异质结复合光催化剂，可明显提高材料的光催化活性和回收利用率。
发明内容
本发明已经考虑到现有技术中出现的问题，目的在于提供一种制备高效稳定性高的复合光催化材料及其制备方法和用途，能够很好的降解环境废水中的四环素，具有原料低廉、性能稳定、可回收等特点。
本发明采用的技术方案是：
一种三元磁性复合光催化纳米材料，是由三氧化钨、四氧化三铁和氮化碳构建而成的WO3/Fe3O4/g-C3N4三元复合光催化材料；g-C3N4和WO3作为光催化主体构建Z型异质结主体。
一种三元磁性复合光催化纳米材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、制备g-C3N4光催化剂：将三聚氰胺置于坩埚中，并放入马弗炉内进行高温煅烧；待煅烧结束降至室温后将黄色固体粉末取出并研细，即得到g-C3N4光催化剂，保存备用；
步骤2、制备WO3：将钨酸钠和草酸分散在去离子水中搅拌均匀，用盐酸调节pH，再转移至高温反应釜中恒温热反应，反应结束后将得到的固体产物用水和乙醇洗涤后，再放入马弗炉内煅烧，煅烧完成后，得到WO3；
步骤3、制备三元磁性复合光催化纳米材料WO3/Fe3O4/g-C3N4：将g-C3N4光催化剂、Fe(NO)3·9H2O、WO3和乙二醇加入烧杯中搅拌均匀；再依次加入NaAc、PEG、PVP并超声搅拌；待分散均匀后，将其转移到不锈钢高压釜中恒温热反应，待反应完毕，冷却至室温，用磁铁收集产物并用去离子水、乙醇反复洗涤烘干备用，即得到三元磁性复合光催化纳米材料WO3/Fe3O4/g-C3N4。
步骤1中，所述在马弗炉内煅烧的方法为：在空气气氛下，取3～10g三聚氰胺在550℃下恒温保持2h，然后在600～650℃下恒温保持2h，升温速率均为1～5℃/min。
步骤2中，在制备WO3过程中，所用钨酸钠、草酸、去离子水的用量比为0.1～0.3g：0.1～0.2g：30～50ml；所述用盐酸调节PH＝1，盐酸浓度为2.0mol L-1；所述恒温热反应的温度为120℃，反应时间为10h；所述马弗炉中的煅烧温度为400～600℃，煅烧时间为2h。
步骤3中，所用的g-C3N4、Fe(NO)3·9H2O、WO3、NaAc、PEG、PVP的用量比为0.5～1.5g：0.1～0.3g：0.2～0.4g：20～40mL：0.5～0.8g：0.1～0.3g：0.003～0.006g，所述恒温热反应的反应温度为180～200℃，反应时间为20～10h。
所制得的WO3/Fe3O4/g-C3N4三元磁性复合光催化纳米材料用于光催化降解废水中存在四环素污染物。
本发明的技术效果为：
(1)本发明描述了一种三元磁性复合光催化纳米材料WO3/Fe3O4/g-C3N4及其制备方法和应用，g-C3N4是一种新型有机可见光催化剂，同样，Fe3O4纳米粒子具有优异的磁性及导电性能。另外，WO3作为一种具有较好的可见光响应的无机半导体，其尽带宽度在2.5-2.8eV,具有与g-C3N4相匹配的禁带结构，但由于其自身电子-空穴复合率较高而使其光催化活性不是很理想。因此，根据价带理论和文献报道WO3可与g-C3N4形成具有较高光催化活性的Z型异质结光催化剂，这种特殊构效的复合光催化材料可有效抑制电子-空穴对的复合，延长光生载流子寿命，进而提高了光催化降解效果。另外，WO3纳米粒子具有和成方法简便、较好的稳定性、无毒、低耗不会对环境造成二次污染等优点，使得本发明制备的三元磁性复合光催化纳米材料具有很好的稳定性和光催化降解效果。
(2)在制备g-C3N4过程中，本发明主要采用了一步高温煅烧法制得纯的g-C3N4光催化材料。
(3)Fe3O4的引入是整个复合材料具有一定磁性能，而且由于Fe3O4自身具有良好导电性，在催化过程中不仅有助于提高电子-空穴分离效率和光的吸收利用率，使成本大大降低。
(4)WO3与Fe3O4/g-C3N4形成的三元磁性复合光催化剂，由于WO3与g-C3N4的相匹配禁带宽度，可形成Z型异质结复合光催化剂，同时由于Fe3O4较好的电子传导性能，可使WO3和g-C3N4产生的电子和空穴在其表面湮灭，而延长剩余电子和空穴的光生寿命，使得本发明制备的三元磁性复合光催化材料具有很好的稳定性和光催化活性。
附图说明
图1为实施例1所制备样品的XRD图；其中，a为g-C3N4的XRD曲线，b为Fe3O4/g-C3N4的XRD曲线，c为WO3/Fe3O4/g-C3N4的XRD曲线；
图2为实施例1所制备样品的FT-IR曲线；其中，a为g-C3N4的FT-IR曲线，b为Fe3O4/g-C3N4的FT-IR曲线，c为WO3/Fe3O4/g-C3N4的FT-IR曲线；
图3为实施例1所制备样品的TEM和EDS；其中，a为g-C3N4的TEM图，b为Fe3O4/g-C3N4的TEM图，c为WO3/Fe3O4/g-C3N4的TEM图，d为WO3/Fe3O4/g-C3N4的EDS图；
图4为实施例1所制备样品的VSM图；其中，a为Fe3O4/g-C3N4的VSM曲线，b为WO3/Fe3O4/g-C3N4的VSM曲线；
图5为实施例1所制备样品的UV–vis DRS图；其中，a为g-C3N4的UV–vis DRS曲线，b为Fe3O4/g-C3N4的UV–vis DRS曲线，c为WO3/Fe3O4/g-C3N4的UV–vis DRS曲线；
图6为实施例1所制备样品的PL曲线图；其中，a为g-C3N4的PL曲线，b为Fe3O4/g-C3N4的PL曲线,c为WO3/Fe3O4/g-C3N4的PL曲线；
图7为实施例1所制备样品的光电流曲线图；其中，a为g-C3N4为的光电流曲线，b为Fe3O4/g-C3N4的光电流曲线,c为WO3/Fe3O4/g-C3N4的光电流曲线；
图8为实施例1所制备样品的EIS图；其中，a为g-C3N4为的EIS曲线，b为Fe3O4/g-C3N4的EIS曲线,c为WO3/Fe3O4/g-C3N4的EIS曲线；
图9为实施例1加入不同捕获剂对WO3/Fe3O4/g-C3N4光催化活性的影响图；
图10为实施例1所制备样品降解四环素的循环利用曲线图。
具体实施方式
下面结合具体实施实例对本发明作进一步说明：
实施例1：
步骤1、制备g-C3N4光催化剂：取6g购买的三聚氰胺置于坩埚中，并置于马弗炉内，在空气氛围中进行煅烧，以3℃/min的升温速率升温到550℃，并恒温保持2h，以同样的升温速率继续升温到620℃，并恒温保持2h，自然冷却至室温并研细，即得到g-C3N4光催化剂，保存备用。
步骤2，将0.25g钨酸钠和0.15g草酸分散在40ml去离子水中搅拌，再用HCl(盐酸浓度为2.0mol L-1)调节上述溶液PH＝1，搅拌40分钟，最后将其转移至50ml不锈钢高温反应釜，升温至120℃反应10h后烘干后再将其转移至马弗炉中500℃煅烧2h。
步骤3，将1.0g g-C3N4,0.2g Fe(NO)3·9H2O,0.15g WO3和30ml乙二醇加入烧杯中，在室温下磁力搅拌30min。再将0.7g NaAc、0.2g PEG、0.005g PVP每隔30min依次加入到上述溶液中继续搅拌。最后，将该混合物转移到有聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中密封，190℃下反应15h。待高压釜冷却至室温，用磁铁收集产物并用去离子水、乙醇反复洗涤数次烘干备用，即得到WO3/Fe3O4/g-C3N4。
实施例2：
步骤1、制备g-C3N4光催化剂：取3g三聚氰胺置于坩埚中，并置于马弗炉内，在空气氛围中进行煅烧，以1℃/min的升温速率升温到500℃，并恒温保持2h，以同样的升温速率继续升温到600℃，并恒温保持2h，自然冷却至室温并研细，即得到g-C3N4光催化剂，保存备用。
步骤2，将0.1g钨酸钠和0.1g草酸分散在30ml去离子水中搅拌，再用HCl(盐酸浓度为2.0mol L-1)调节上述溶液PH＝1，搅拌30min，最后将其转移至50ml不锈钢高温反应釜，升温至120℃反应10h，反应结束烘干后再马弗炉400℃煅烧2h。
步骤3，将0.5g C3N4,0.1g Fe(NO)3·9H2O,0.1g WO3和20ml乙二醇加入烧杯中，在室温下磁力搅拌30min。再将0.5g NaAc、0.1g PEG、0.003g PVP每隔30min依次加入到上述溶液中继续搅拌。最后，将该混合物转移到有聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中180℃下反应20h。最后，用磁铁收集产物并用去离子水、乙醇反复洗涤数次烘干即得到WO3/Fe3O4/g-C3N4。
实施例3：
步骤1、制备g-C3N4光催化剂：取10g三聚氰胺置于坩埚中，然后置于马弗炉内空气氛围中煅烧，以5℃/min的升温速率升温到550℃恒温2h，再以同样的升温速率继续升温到650℃恒温2h，待反应结束后自然冷却至室温，将得到的g-C3N4粉末研细，保存备用。
步骤2，将0.3g钨酸钠和0.2g草酸分散在50ml去离子水中搅拌，再用HCl(盐酸浓度为2.0mol L-1)调节上述溶液PH＝1，搅拌50min，最后将其转移至50ml不锈钢高温反应釜，升温至120℃反应10h，反应结束烘干后再马弗炉600℃煅烧2h。
步骤3，将1.5g C3N4,0.3g Fe(NO)3·9H2O,0.3g WO3和40ml乙二醇加入烧杯中，在室温下磁力搅拌30min。再将0.8g NaAc、0.3g PEG、0.006g PVP每隔30min依次加入到上述溶液中继续搅拌。最后，将该混合物转移到有聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中密封，加热到200℃反应10h后，待冷却后用磁铁收集产物，并用去离子水和乙醇反复洗涤数次烘干即得到WO3/Fe3O4/g-C3N4。
光催化活性评价：光催化降解反应在DW-01型光化学反应仪中进行，光源为300W氙灯，将100mL的20mg L-1四环素废水加入到光催化反应瓶置于光源下并测定四环素溶液初始的吸光度值，然后在磁力搅拌并开启曝气装置通入空气加入光催化剂，保持催化剂处于悬浮或飘浮状态。暗吸附平衡后间隔20min的光照时间开始取样，通过磁铁分离固体催化剂后取上层清液，再用分光光度计测量λmax＝357nm处吸光度值，并通过公式：DC＝[(C0-Ci)/C0]×100％算出降解率，其中C0为达到吸附平衡时四环素的吸光度，Ci为定时取样测定的是四环素溶液的吸光度。
如图1所示是g-C3N4、Fe3O4/g-C3N4、WO3/Fe3O4/g-C3N4复合光催化剂的X射线衍射图，从图中可以看出g-C3N4的特征衍射峰2θ＝27.5°，13.1°与标准卡片相对应。说明成功制备g-C3N4光催化材料；而且经过Fe3O4负载后的光催化剂中，g-C3N4的特征峰强度略有变弱，同时在2θ＝30.2°,35.5°,43.2°,57.3°和62.6°等处出现了明显的Fe3O4的特征峰，这充分说明Fe3O4纳米粒子被成功制备。另外，通过水热法引入WO3后，可清晰的看到WO3的的特征峰，而WO3的引入对g-C3N4特征衍射峰并没有影响，只是峰的强度略有改变。
如图2所示是g-C3N4、Fe3O4/g-C3N4、WO3/Fe3O4/g-C3N4复合光催化剂的FT-IR谱图，首先，在3400cm-1-2800cm-1左右为-NH2和＝NH骨架振动吸收峰。而且从图中可以看出峰一系列出现在1251cm-1,1325cm-1,1419cm-1,1575cm-1,and 1639cm-1等处，分别对应典型的拉伸模式的CN杂环化合物，比如C-N和C＝N拉伸振动。另外，在808cm-1附近位置是CN杂环化合物典型的三嗪单元特征峰。而随着对WO3/Fe3O4/g-C3N4复合光催化剂的FT-IR谱图分析，中可以看到Fe3O4和WO3的引入并没有影响g-C3N4光催化剂的峰强度。综述上所述，通过FT-IR谱图分析得出，Fe3O4和WO3的引入对g-C3N4的化学结构没有影响。
如图3所示是g-C3N4光催化剂的TEM图、Fe3O4/g-C3N4的TEM图、WO3/Fe3O4/g-C3N4的TEM图，以及WO3/Fe3O4/g-C3N4的EDS图。由图可知，纯的g-C3N4表面相对比较光滑，具有片层的结构。Fe3O 4平均直径约50-100nm，其均匀分散在g-C3N4表面上。值得注意的是，有一些小颗粒负载在Fe3O4/g-C3N4表面上。而这些小颗粒则是引入的WO3纳米粒子。此外，从EDS能谱分析显示。Fe，O，W，C和N元素被清楚地检测出。因此，从TEM和EDS的分析，可证明WO3/Fe3O4/g-C3N4被成功制备。
如图4所示是Fe3O4/g-C3N4、WO3/Fe3O4/g-C3N4复合光催化剂的VSM图，通过VSM图来比较Fe3O4/g-C3N4和WO3/Fe3O4/g-C3N4的磁性。如图所示，Fe3O4/g-C3N4和WO3/Fe3O4/g-C3N4的磁化饱和度(Ms)值分别为30.16Oe和21.05Oe，相比之下，WO3/Fe3O4/g-C3N4的减弱的Ms值可能是由于WO3纳米颗粒引入而减小的。但是，当有外加磁场作用时，WO3/Fe3O4/g-C3N4依然很容易被分离，而是原来浑浊的悬浊液变得透明，这意味着WO3/Fe3O4/g-C3N4仍然显示出良好的磁性。
如图5所示是g-C3N4、Fe3O4/g-C3N4、WO3/Fe3O4/g-C3N4复合光催化剂的UV–vis DRS谱图，从图中可以看出，g-C3N4光催化剂的光吸收边在450nm左右，在经过Fe3O4修饰后的g-C3N4的光吸收边相比于纯的g-C3N4发生显著红移，同时WO3/Fe3O4/g-C3N4对可见光的吸收也明显增强。所以，经过分析Fe3O4和WO3的引入，光催化材料对光的吸收增强，同时向可见光方向发生了移动，这对增强光催化剂活性的增强是至关重要的。
如图6所示是g-C3N4、Fe3O4/g-C3N4、WO3/Fe3O4/g-C3N4复合光催化剂的PL谱图。从图中可以看出，g-C3N4光催化剂的荧光强度较强，那么间接说明了g-C3N4产生的电子-空穴复合率较高。而Fe3O4/g-C3N4和WO3/Fe3O4/g-C3N4的荧光强度相对较弱，说明WO3和Fe3O4的引入使产生的电子-空穴复合受到抑制。所以，WO3/Fe3O4/g-C3N4光催化材料具有较高的催化活性。
如图7所示是g-C3N4光催化剂、Fe3O4/g-C3N4和WO3/Fe3O4/g-C3N4复合光催化剂光电流-时间曲线图，从图中可以看出，g-C3N4，Fe3O4/g-C3N4和WO3/Fe3O4/g-C3N4的光电流强度逐渐增强，这也证明了具有较好电子传导性的Fe3O4的引入和WO3的修饰增强了复合材料的导电性，从而促进电子-空穴的分离，进一步提高对四环素的降解效果。
如图8所示是进行电化学阻抗谱(EIS)测量以研究电荷转移电阻和光致电荷载流子的分离效率。g-C3N4的Nyquist semicircle半圆的直径最大，这意味着纯g-C3N4具有最高的电阻。然而，WO3/Fe3O4/g-C3N4纳米复合材料的Nyquist semicircle半圆小于Fe3O4/g-C3N4，这表明WO3/Fe3O4/g-C3N4具有比Fe3O4/g-C3N4小的电阻。所以从EIS结果可以看出，将Fe3O4和WO3引入使复合材料的电阻大大减小，同时也可间接证明整个复合材料的电子-空穴能快速分离，使光催化活性增强，这以结果与上面的光电流测试结果相吻合。所以，制备的WO3/Fe3O4/g-C3N4具有良好的电荷转移效率和光催化活性。
图9所示为不同种类的捕获剂对WO3/Fe3O4/g-C3N4光催化活性的影响；众所周知，当光催化剂被可见光照射时会产生一些活性物质(h+，·OH，·O2 -)。通常，苯醌(BQ)用来捕获超氧自由基(·O2 -)。异丙醇(IPA)可有效捕获以羟基自由基(·OH)，并而三乙醇胺(TEAO)对空穴(h+)的捕获起到重要作用。从捕获实验的动力学曲线可以看出，当加入IPA捕获剂时，四环素对WO3/Fe3O4/g-C3N4的降解率明显降低至10％，这比没有任何捕获剂(90％)的降解速率低得多。它解释了OH在四环素的光降解过程中具有最强的作用。相反，当加入活性种类捕获剂捕获TEAO时，四环素的光降解率降低25％，这意味着h+对四环素的降解起关键作用。此外，当使用BQ作为超氧自由基捕获剂时，降解率达到30％。因此，在四环素光降解过程中不同活性物质对降解效果的影响顺序为：.OH→h+→.O 2 -。
如图10所示是WO3/Fe3O4/g-C3N4光催化材料的5次循环实验图，从图中可以看出，WO3/Fe3O4/g-C3N4催化剂在经过5次重复利用后其催化活性几乎没有减退。所以，通过循环实验一方面说明WO3/Fe3O4/g-C3N4光催化材料具有很好的稳定性，另一方面说明此复合光催化剂在工业废水等污染治理方面有一定的潜在应用价值。
Claims (6)
1.一种三元磁性复合光催化纳米材料，其特征在于，所述三元磁性复合光催化纳米材料是由三氧化钨、四氧化三铁和氮化碳构建而成；三氧化钨和氮化碳作为光催化主体构建Z型异质结主体。
2.一种三元磁性复合光催化纳米材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、制备g-C3N4光催化剂：将三聚氰胺置于坩埚中，并放入马弗炉内进行高温煅烧；待煅烧结束降至室温后将黄色固体粉末取出并研细，即得到g-C3N4光催化剂，保存备用；
步骤2、制备WO3：将钨酸钠和草酸分散在去离子水中搅拌均匀，用盐酸调节pH，再转移至高温反应釜中恒温热反应，反应结束后将得到的固体产物用水和乙醇洗涤后，再放入马弗炉内煅烧，煅烧完成后，得到WO3；
步骤3、制备三元磁性复合光催化纳米材料WO3/Fe3O4/g-C3N4：将g-C3N4光催化剂、Fe(NO)3·9H2O、WO3和乙二醇加入烧杯中搅拌均匀；再依次加入NaAc、PEG、PVP并超声搅拌；待分散均匀后，将其转移到不锈钢高压釜中恒温热反应，待反应完毕，冷却至室温，用磁铁收集产物并用去离子水、乙醇反复洗涤烘干备用，即得到三元磁性复合光催化纳米材料WO3/Fe3O4/g-C3N4。
3.根据权利要求2所述的一种三元磁性复合光催化纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述在马弗炉内煅烧的方法为：在空气气氛下，取3～10g三聚氰胺在550℃下恒温保持2h，然后在600～650℃下恒温保持2h，升温速率均为1～5℃/min。
4.根据权利要求2所述的一种三元磁性复合光催化纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，在制备WO3过程中，所用钨酸钠、草酸、去离子水的用量比为0.1～0.3g：0.1～0.2g：30～50ml；调节至PH＝1，所用盐酸浓度为2.0mol L-1；所述恒温热反应的温度为120℃，反应时间为10h；所述马弗炉中的煅烧温度为400～600℃，煅烧时间为2h。
5.根据权利要求2所述的一种三元磁性复合光催化纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，所用的g-C3N4、Fe(NO)3·9H2O、WO3、NaAc、PEG、PVP的用量比为0.5～1.5g：0.1～0.3g：0.2～0.4g：20～40mL：0.5～0.8g：0.1～0.3g：0.003～0.006g，所述恒温热反应的反应温度为180～200℃，反应时间为20～10h。
6.权利要求2所述的方法制备的三元磁性复合光催化纳米材料的用途，其特征在于，所述三元磁性复合光催化纳米材料用于光催化降解废水中存在四环素污染物。
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| CN107597155A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-19 | 大连民族大学 | 一种一锅法合成具有可见光响应的光催化剂BiPO4/WO3纳米片的制备方法 |
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| CN114733552A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-07-12 | 西南林业大学 | 一种整体式轻质双磁性光催化复合材料的制备方法及应用 |
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