CN106685375A - 一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 - Google Patents
一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106685375A CN106685375A CN201611158348.9A CN201611158348A CN106685375A CN 106685375 A CN106685375 A CN 106685375A CN 201611158348 A CN201611158348 A CN 201611158348A CN 106685375 A CN106685375 A CN 106685375A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- hole
- layer
- coating
- support platform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 251
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 251
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 88
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 83
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 29
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 230000010412 perfusion Effects 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种SMD石英晶体谐振器基座以及加工方法。该基座采用上层基板、下层基板构成的双层陶瓷基板，其中用于安放晶片的金属支撑平台以及将金属支撑平台连接至导电材料灌注通孔的金属带位于下层基板的上板面，用于与上盖焊接的金属环平台位于上层基板的上板面，所述上层基板上设有晶片安放口，所述晶片安放口位于金属环平台内，所述上层基板将所述金属带遮盖并使所述金属支撑平台裸露在所述晶片安放口区域内。本发明采用双层陶瓷基板的优点在于：所述上层基板可以将下层基板上的金属带进行覆盖，在进行基座定位时，避免所述金属带对CCD图像传感器在识别金属环平台的过程造成干扰，保证了基座定位的准确性，提高了晶片的安装精度。
Description
技术领域
本发明属于谐振器领域，具体是涉及一种SMD石英晶体谐振器基座以及加工方法。
背景技术
专利CN103066941A公开了一种SMD石英晶体谐振器基座，该基座采用单层陶瓷基板，该陶瓷基板上分别设有灌注导电材料的第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔，其中第一通孔对角位置为第二通孔，第三通孔对角位置为第四通孔；所述陶瓷基板上板面沿外周设有与上盖焊接的金属环平台，所述金属环平台内设有用于安放晶片且以三点支撑形式布置的第一金属支撑平台、第二金属支撑平台、第三金属支撑平台，其中第一金属支撑平台通过金属涂层构成的金属带连接至所述第一通孔，所述第二金属支撑平台所在基板位置设置有所述第二通孔。该基座的缺陷在于：在进行晶片安装时，相应的CCD图像传感器通过识别所述金属环平台的位置来对该基座进行定位，由于基座整体尺寸微小，所述金属带与所述金属环平台距离又非常接近，所述金属带极易对CCD图像传感器在识别金属环平台的过程造成干扰，导致CCD图像传感器错误地将所述金属带识别为所述金属环平台，进一步导致基座定位以及晶片安装位置的偏移。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种SMD石英晶体谐振器基座以及加工方法，该基座的结构有效避免了对基座定位过程的干扰，保证了晶片的安装精度。
为了实现本发明的目的，本发明采用了以下技术方案：
一种SMD石英晶体谐振器基座，该基座采用上层基板、下层基板构成的双层陶瓷基板，其中用于安放晶片的金属支撑平台以及将金属支撑平台连接至导电材料灌注通孔的金属带位于下层基板的上板面，用于与上盖焊接的金属环平台位于上层基板的上板面，所述上层基板上设有晶片安放口，所述晶片安放口位于金属环平台内，所述上层基板将所述金属带遮盖并使所述金属支撑平台裸露在所述晶片安放口区域内。
进一步的，所述导电材料灌注通孔包括与所述金属支撑平台连接的第一通孔、第三通孔以及与所述金属环平台连接的第二通孔、第四通孔，所述第一通孔的对角位置为所述第三通孔，所述第一通孔、第三通孔仅贯通下层基板，所述第二通孔的对角位置为第四通孔，所述第二通孔、第四通孔贯通上层基板、下层基板，所述下层基板的下板面设有与所述第一通孔相对应的第一电极金属涂层、与第二通孔相对应的第二电极金属涂层、与第三通孔相对应的第三电极金属涂层、与第四通孔相对应的第四电极金属涂层。
进一步的，所述金属支撑平台包括第一金属支撑平台、第二金属支撑平台以及第三金属支撑平台，所述第一金属支撑平台临近第四通孔布置且通过金属带连接至所述第三通孔，所述第二金属支撑平台位于所述第一通孔处，所述第三金属支撑平台与所述第一金属支撑平台、第二金属支撑平台构成稳定的三角支撑结构。
进一步的，所述金属环平台包括金属基层以及在金属基层上形成的镀镍层；所述金属支撑平台、金属带、电极金属涂层均包括金属基层、在金属基层上形成的镀镍层以及在镀镍层上形成的镀金层。
进一步的，在由所述双层陶瓷基板排列布置构成的大板中，位于分割线交点处的四块双层陶瓷基板的电极金属涂层的连接关系是：第一双层陶瓷基板上的第一电极金属涂层与相邻的第二双层陶瓷基板上的第二电极金属涂层邻接，所述第二双层陶瓷基板上的第二电极金属涂层又与相邻的第三双层陶瓷基板上的第三电极金属涂层邻接，所述第三双层陶瓷基板上的第三电极金属涂层又与相邻的第四双层陶瓷基板上的第四电极金属涂层邻接。
进一步的，所述第二电极金属涂层沿第二通孔的外周布置但与第二通孔之间留有第一环状间隙；所述第四电极金属涂层沿第四通孔的外周布置但与第四通孔之间留有第二环状间隙。
一种SMD石英晶体谐振器基座的加工方法，包括先后进行的金属基层的烧结过程、在所述金属基层上镀镍的过程以及在所述镀镍层上进行镀金的过程：
金属基层的烧结过程：在上层基板形成所述金属环平台的位置以及在下层基板形成所述金属支撑平台、金属带以及电极金属涂层的位置上印刷基层金属；其中所述第一环状间隙处印刷有基层金属构成的第一金属桥，构成所述第二电极金属涂层的基层金属通过第一金属桥与第二通孔中灌注的导电金属材料连接；所述第二环状间隙中印刷有基层金属构成的第二金属桥，构成所述第四电极金属涂层的基层金属通过第二金属桥与第四通孔中灌注的导电金属材料连接；之后进行烧结形成带有金属基层且电极连通的双层陶瓷基板；
在所述金属基层上镀镍的过程：电解镀镍，使得所述双层陶瓷基板上所有金属基层上形成镀镍层；
在所述镀镍层上进行镀金的过程：通过激光将镀有镍的所述第一金属桥、第二金属桥切割除去，之后进行电解镀金。
本发明的有益效果在于：
(1)本发明采用双层陶瓷基板的优点在于：所述上层基板可以将下层基板上的金属带进行覆盖，在进行基座定位时，避免所述金属带对CCD图像传感器在识别金属环平台的过程造成干扰，保证了基座定位的准确性，提高了晶片的安装精度。另外本发明并不改变在陶瓷基板上进行的原有加工工艺，包括在陶瓷基板上打孔、印刷金属基层等。
(2)本发明的另一个亮点为所述基座的加工方法：所述金属基层的烧结过程进行以后，形成了带有金属基层且电极连通的双层陶瓷基板：即构成所述第一金属支撑平台的金属基层通过第一通孔中灌注的导电材料与构成所述第一电极金属涂层的金属基层实现电极连通，构成所述第二金属支撑平台的金属基层通过第三通孔中灌注的导电材料与构成所述第三电极金属涂层的金属基层实现电极连通；构成所述金属环平台的金属基层通过所述第二通孔中灌注的导电材料、第一金属桥与构成第二电极金属涂层的金属基层实现电极连通，同时通过所述第四通孔中灌注的导电材料、第二金属桥与构成第四电极金属涂层的金属基层实现电极连通。
在上述电极连通的前提条件下，在所述金属基层上进行镀镍，镀镍过程完成以后，构成所述金属环平台、金属支撑平台、金属带、电极金属涂层、第一金属桥、第二金属桥的金属基层上形成了镀镍层。
接下来进行镀金，在进行镀金之前，需要说明的是，所述金属环平台是与基座上盖进行激光焊接并起密封作用的部件，在金属环平台上镀金不仅成本高，而且也造成了不必要的浪费，为了避免金属环平台被镀金，本发明通过激光将镀有镍的所述第一金属桥、第二金属桥切割除去，这样金属环平台与相应电极金属涂层的电极连接关系被断开，那么在进行镀金的时候，金属环平台自然就不会再被镀金，而构成金属支撑平台、金属带、电极金属涂层的镀镍层上形成了镀金层。本发明通过对加工方式进行改变，得到了加工成本更低的基座产品，大大提高了基座产品的市场竞争力。
(3)正是由于上述特殊的加工方式，所述第一金属桥、第二金属桥被激光切割除去，所以本发明基座产品中所述第二电极金属涂层与第二通孔之间留有第一环状间隙，即第二电极金属涂层与第二通孔灌注的导电材料是不连通的；所述第四电极金属涂层与第四通孔之间留有第二环状间隙，即第四电极金属涂层与第四通孔灌注的导电材料是不连通的。该结构是由特殊的加工方式所决定的，正是这种特殊的加工方式，才得到仅有金属基层与镀镍层而不包含镀金层的所述金属环平台，本发明相比于现有技术中的基座产品镀金部分有效减少，大大降低了基座加工的成本。
(4)所述双层陶瓷基板排列布置构成大板，相邻的双层陶瓷基板之间电极金属涂层邻接，印刷基层金属后烧结实现电极连接，方便进行镀镍、镀金操作。
附图说明
图1为下层基板的上板面结构示意图；
图2为上层基板的上板面结构示意图；
图3为上层基板合在下层基板上的结构示意图；
图4为下层基板的下板面示意图；
图5为下层基板的下板面在镀金之前的结构示意图；
图6为双层陶瓷基板排列布置构成的大板结构示意图。
图中标记的含义如下：
A-晶片安放口；1-第一通孔；2-第二通孔；3-第三通孔；4-第四通孔；10-上层基板；20-下层基板；21-金属带；221-第一电极金属涂层；222-第二电极金属涂层；223-第三电极金属涂层；224-第四电极金属涂层；231-第一金属支撑平台；232-第二金属支撑平台；233-第三金属支撑平台；a-第一环状间隙；b-第二环状间隙；a1-第一金属桥；b1-第二金属桥。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明技术方案做出更为具体的说明：
实施例1：基座
如图1、2、3、4所示，本发明SMD石英晶体谐振器基座采用上层基板10、下层基板20构成的双层陶瓷基板，其中用于安放晶片的金属支撑平台以及将金属支撑平台连接至导电材料灌注通孔的金属带21位于下层基板20的上板面，用于与上盖焊接的金属环平台11位于上层基板10的上板面，所述上层基板10上设有晶片安放口A，所述晶片安放口A位于金属环平台11内，所述上层基板10将所述金属带21遮盖并使所述金属支撑平台裸露在所述晶片安放口A区域内。本发明采用双层陶瓷基板的优点在于：所述上层基板10可以将下层基板20上的金属带21进行覆盖，在进行基座定位时，避免所述金属带21对CCD图像传感器在识别金属环平台11的过程造成干扰，保证了基座定位的准确性，提高了晶片的安装精度。另外本发明并不改变在陶瓷基板上进行的原有加工方式，包括在陶瓷基板上打孔、印刷金属基层等。
所述导电材料灌注通孔包括与所述金属支撑平台连接的第一通孔1、第三通孔3以及与所述金属环平台11连接的第二通孔2、第四通孔4，所述第一通孔1的对角位置为所述第三通孔3，所述第一通孔1、第三通孔3仅贯通下层基板20，所述第二通孔2的对角位置为第四通孔4，所述第二通孔2、第四通孔4贯通上层基板10、下层基板20，所述下层基板20的下板面设有与所述第一通孔1相对应的第一电极金属涂层221、与第二通孔2相对应的第二电极金属涂层222、与第三通孔3相对应的第三电极金属涂层223、与第四通孔4相对应的第四电极金属涂层224。所述第二电极金属涂层222沿第二通孔2的外周布置但与第二通孔2之间留有第一环状间隙a；所述第四电极金属涂层224沿第四通孔4的外周布置但与第四通孔4之间留有第二环状间隙b。本发明基座产品中所述金属环平台11与相应的第二电极金属涂层222、第四电极金属涂层224的电极连接关系是断开的。这是由产品加工方式所决定的，正是这种特殊的加工方式，才得到仅有金属基层与镀镍层而不包含镀金层的所述金属环平台11，本发明相比于现有技术中的基座产品镀金部分有效减少，大大降低了基座加工的成本。
所述第一金属支撑平台231、第二金属支撑平台232、第三金属支撑平台233分别位于三角形的三角处，这样可以形成稳定的用于支撑晶片的结构。所述第一金属支撑平台231、第二金属支撑平台232是晶片点胶平台，所述第三金属支撑平台233仅用于支撑晶片。
如图6所示，在由所述双层陶瓷基板排列布置构成的大板中，位于分割线交点处的四块双层陶瓷基板的电极金属涂层的连接关系是：第一双层陶瓷基板上的第一电极金属涂层221与相邻的第二双层陶瓷基板上的第二电极金属涂层222邻接，所述第二双层陶瓷基板上的第二电极金属涂层222又与相邻的第三双层陶瓷基板上的第三电极金属涂层223邻接，所述第三双层陶瓷基板上的第三电极金属涂层223又与相邻的第四双层陶瓷基板上的第四电极金属涂层224邻接。所述双层陶瓷基板排列布置构成大板，相邻的双层陶瓷基板之间电极金属涂层邻接，印刷基层金属后烧结实现电极连接，方便进行镀镍、镀金操作。
实施例2：基座的加工方法
金属基层的烧结过程：在上层基板形成所述金属环平台的位置以及在下层基板形成所述金属支撑平台、金属带以及电极金属涂层的位置上印刷基层金属；其中如图5所示，所述第一环状间隙处印刷有基层金属构成的第一金属桥，所述第二环状间隙中印刷有基层金属构成的第二金属桥。进行烧结后形成带有金属基层且电极连通的双层陶瓷基板：即构成所述第一金属支撑平台231的金属基层通过第一通孔1中灌注的导电材料与构成所述第一电极金属涂层221的金属基层实现电极连通，构成所述第二金属支撑平台232的金属基层通过第三通孔3中灌注的导电材料与构成所述第三电极金属涂层223的金属基层实现电极连通；构成所述金属环平台11的金属基层通过所述第二通孔2中灌注的导电材料、第一金属桥a1与构成第二电极金属涂层222的金属基层实现电极连通，同时通过所述第四通孔4中灌注的导电材料、第二金属桥b1与构成第四电极金属涂层224的金属基层实现电极连通。
在所述金属基层上镀镍的过程：在上述电极连通的前提条件下，在所述金属基层上进行电解镀镍，镀镍过程完成以后，构成所述金属环平台、金属支撑平台、金属带、电极金属涂层、第一金属桥、第二金属桥的金属基层上形成了镀镍层。
在所述镀镍层上进行镀金的过程：通过激光将镀有镍的所述第一金属桥a1、第二金属桥b1切割除去，之后进行电解镀金，得到基座产品中金属环平台不含镀金层，而金属支撑平台、金属带、电极金属涂层上含有镀金层。
Claims (7)
1.一种SMD石英晶体谐振器基座，其特征在于：该基座采用上层基板(10)、下层基板(20)构成的双层陶瓷基板，其中用于安放晶片的金属支撑平台以及将金属支撑平台连接至导电材料灌注通孔的金属带(21)位于下层基板(20)的上板面，用于与上盖焊接的金属环平台(11)位于上层基板(10)的上板面，所述上层基板(10)上设有晶片安放口(A)，所述晶片安放口(A)位于金属环平台(11)内，所述上层基板(10)将所述金属带(21)遮盖并使所述金属支撑平台裸露在所述晶片安放口(A)区域内。
2.如权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器基座，其特征在于：所述导电材料灌注通孔包括与所述金属支撑平台连接的第一通孔(1)、第三通孔(3)以及与所述金属环平台(11)连接的第二通孔(2)、第四通孔(4)，所述第一通孔(1)的对角位置为所述第三通孔(3)，所述第一通孔(1)、第三通孔(3)仅贯通下层基板(20)，所述第二通孔(2)的对角位置为第四通孔(4)，所述第二通孔(2)、第四通孔(4)贯通上层基板(10)、下层基板(20)，所述下层基板(20)的下板面设有与所述第一通孔(1)相对应的第一电极金属涂层(221)、与第二通孔(2)相对应的第二电极金属涂层(222)、与第三通孔(3)相对应的第三电极金属涂层(223)、与第四通孔(4)相对应的第四电极金属涂层(224)。
3.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器基座，其特征在于：所述金属支撑平台包括第一金属支撑平台(231)、第二金属支撑平台(232)以及第三金属支撑平台(233)，所述第一金属支撑平台(231)临近第四通孔(4)布置且通过金属带(21)连接至所述第三通孔(3)，所述第二金属支撑平台(232)位于所述第一通孔(1)处，所述第三金属支撑平台(233)与所述第一金属支撑平台(231)、第二金属支撑平台(232)构成稳定的三角支撑结构。
4.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器基座，其特征在于：所述金属环平台(11)包括金属基层以及在金属基层上形成的镀镍层；所述金属支撑平台、金属带(21)、电极金属涂层均包括金属基层、在金属基层上形成的镀镍层以及在镀镍层上形成的镀金层。
5.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器基座，其特征在于：在由所述双层陶瓷基板排列布置构成的大板中，位于分割线交点处的四块双层陶瓷基板的电极金属涂层的连接关系是：第一双层陶瓷基板上的第一电极金属涂层(221)与相邻的第二双层陶瓷基板上的第二电极金属涂层(222)邻接，所述第二双层陶瓷基板上的第二电极金属涂层(222)又与相邻的第三双层陶瓷基板上的第三电极金属涂层(223)邻接，所述第三双层陶瓷基板上的第三电极金属涂层(223)又与相邻的第四双层陶瓷基板上的第四电极金属涂层(224)邻接。
6.如权利要求4所述的SMD石英晶体谐振器基座，其特征在于：所述第二电极金属涂层(222)沿第二通孔(2)的外周布置但与第二通孔(2)之间留有第一环状间隙(a)；所述第四电极金属涂层(224)沿第四通孔(4)的外周布置但与第四通孔(4)之间留有第二环状间隙(b)。
7.一种如权利要求6所述的SMD石英晶体谐振器基座的加工方法，包括先后进行的金属基层的烧结过程、在所述金属基层上镀镍的过程以及在所述镀镍层上进行镀金的过程，其特征在于：
金属基层的烧结过程：在上层基板(10)形成所述金属环平台的位置以及在下层基板(20)形成所述金属支撑平台、金属带以及电极金属涂层的位置上印刷基层金属；其中所述第一环状间隙(a)处印刷有基层金属构成的第一金属桥(a1)，构成所述第二电极金属涂层的基层金属通过第一金属桥(a1)与第二通孔中灌注的导电金属材料连接；所述第二环状间隙(b)中印刷有基层金属构成的第二金属桥(b1)，构成所述第四电极金属涂层的基层金属通过第二金属桥(b1)与第四通孔中灌注的导电金属材料连接；之后进行烧结形成带有金属基层且电极连通的双层陶瓷基板；
在所述金属基层上镀镍的过程：电解镀镍，使得所述双层陶瓷基板上所有金属基层上形成镀镍层；
在所述镀镍层上进行镀金的过程：通过激光将镀有镍的所述第一金属桥(a1)、第二金属桥(b1)切割除去，之后进行电解镀金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611158348.9A CN106685375B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611158348.9A CN106685375B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106685375A true CN106685375A (zh) | 2017-05-17 |
| CN106685375B CN106685375B (zh) | 2023-07-18 |
Family
ID=58868108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611158348.9A Active CN106685375B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106685375B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107040235A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-11 | 湖南省福晶电子有限公司 | 音叉晶振基座 |
| CN107517044A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-12-26 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
| WO2019029133A1 (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器加工方法及其谐振器 |
| CN109768783A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-05-17 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种可选择性电镀的陶瓷封装基座、组合板及加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990010953A1 (en) * | 1989-03-08 | 1990-09-20 | Motorola, Inc. | Quartz resonator with mounting pedestals |
| WO2004068541A2 (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | General Electric Company | Wafer handling apparatus |
| CN202513886U (zh) * | 2012-05-07 | 2012-10-31 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座 |
| CN103066941A (zh) * | 2012-09-22 | 2013-04-24 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 |
| CN206272581U (zh) * | 2016-12-15 | 2017-06-20 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座 |
-
2016
- 2016-12-15 CN CN201611158348.9A patent/CN106685375B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990010953A1 (en) * | 1989-03-08 | 1990-09-20 | Motorola, Inc. | Quartz resonator with mounting pedestals |
| WO2004068541A2 (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | General Electric Company | Wafer handling apparatus |
| CN202513886U (zh) * | 2012-05-07 | 2012-10-31 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座 |
| CN103066941A (zh) * | 2012-09-22 | 2013-04-24 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 |
| CN206272581U (zh) * | 2016-12-15 | 2017-06-20 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 贾铁钢;: "晶体谐振器陶瓷基座的生产工艺设计", no. 10 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107040235A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-11 | 湖南省福晶电子有限公司 | 音叉晶振基座 |
| CN107040235B (zh) * | 2017-06-08 | 2023-05-02 | 湖南省福晶电子有限公司 | 音叉晶振基座 |
| CN107517044A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-12-26 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
| WO2019029133A1 (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器加工方法及其谐振器 |
| WO2019029132A1 (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
| CN107517044B (zh) * | 2017-08-10 | 2024-04-09 | 四川明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
| CN109768783A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-05-17 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种可选择性电镀的陶瓷封装基座、组合板及加工方法 |
| CN109768783B (zh) * | 2019-01-21 | 2023-06-02 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种可选择性电镀的陶瓷封装基座、组合板及加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106685375B (zh) | 2023-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106685375A (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 | |
| DE60320410D1 (de) | Magnetische abschirmstruktur für elektronische schaltungen mit magnetischen materialien | |
| CN105305995A (zh) | 一种新型smd石英晶体谐振器及其整板封装加工工艺 | |
| EP1619697A3 (en) | Low-loss inductor device and fabrication method thereof | |
| CN104124176A (zh) | 制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法 | |
| CN102709051A (zh) | 电子部件以及电子部件的制造方法 | |
| CN102163591A (zh) | 一种球型光栅阵列ic芯片封装件及其生产方法 | |
| TW583395B (en) | Method for producing micro probe tips | |
| CN206272581U (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座 | |
| US20130049555A1 (en) | Selective plating of frame lid assembly | |
| CN107517044B (zh) | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 | |
| CN104576883A (zh) | 芯片安装用阵列基板及其制造方法 | |
| CN204162818U (zh) | 一种集成电路引线框架环镀圆盘喷模 | |
| CN207265990U (zh) | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构 | |
| CN107565922B (zh) | Smd陶瓷平面基座的制备方法 | |
| CN102931156A (zh) | 半导体芯片的构造及制作方法 | |
| CN107332532A (zh) | 一种晶体振荡器的封装制备方法 | |
| CN202120902U (zh) | 一种静电防护器件 | |
| CN201609797U (zh) | 金属模板 | |
| CN101281875B (zh) | 堆栈式封装结构及其制造方法 | |
| CN206340533U (zh) | 封装体 | |
| CN205571737U (zh) | 一种镭射切割平台 | |
| CN206210828U (zh) | 一种led器件 | |
| CN211151928U (zh) | 一种新型侧立式smd石英晶体谐振器 | |
| CN109768783B (zh) | 一种可选择性电镀的陶瓷封装基座、组合板及加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |