CN106684018B - 一种生瓷片去膜装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种生瓷片去膜装置及方法。所述装置包括真空吸盘、流体控制阀和真空发生装置；在真空吸盘的下表面下方设有一个与所述真空吸盘的下表面连通的密封腔体；该密封腔体通过管路与流体控制阀连接，流体控制阀通过管路与真空发生装置连接。本发明通过将生瓷片真空吸附在真空吸盘的上表面上，可以保证在去除聚酯膜时生瓷片不会发生变形现象，因此生瓷片的尺寸不会改变，有利于提高叠片时的对准精度；另外，生瓷片去除聚酯膜时会产生静电，本发明使用消除静电毛刷将生瓷片上的静电导走，叠片时生瓷片之间不会由于静电吸引而难以调整位置，提高叠片效率和精度。

Description

一种生瓷片去膜装置及方法
技术领域
本发明涉及一种生瓷片去膜装置及方法。
背景技术
生瓷片是LTCC(低温共烧陶瓷)工艺中最关键的原材料，其厚度小、质地软，在加工过程中很容易发生变形甚至损坏，所以生瓷片流延时粘附在一层聚酯膜上，聚酯膜柔软有韧性，强度较大，用于保持生瓷片在运输、加工过程中不变形。
LTCC工艺分为带膜工艺和不带膜工艺：
在带膜工艺中，生瓷片在冲孔、填孔和丝网印刷工艺中一直带着聚酯膜，聚酯膜保持生瓷片不发生变形。生瓷片经过冲孔、填孔和丝网印刷电路图形之后，下一步进行叠片工艺，在叠片之前需要将生瓷片背面的聚酯膜去掉。在不带膜工艺中，生瓷片在冲孔之前就需要将聚酯膜去掉，为了保持生瓷片在加工过程中不发生变形，通常将去掉聚酯膜的生瓷片固定在一个围框上，围框的作用是保持生瓷片在运输和加工过程中不变形。
然而，无论是带膜工艺还是不带膜工艺，都需要去除生瓷片背面的聚酯膜。
普通的去除聚酯膜的方法为在自由状态下从生瓷片的一角分离聚酯膜，沿对角线方向缓慢将聚酯膜和生瓷片分开。然而，上述去除聚酯膜的方法具有如下缺点：
生瓷片会被拉扯弯曲，容易导致尺寸变化，在后续的叠片过程中层与层之间难以对准；另外，聚酯膜和生瓷片分离过程中会产生静电，由于静电的影响，在后续的叠片对准过程中生瓷片之间由于静电吸引，难以对其位置进行微调，降低叠片效率和精度。
发明内容
本发明的目的在于提出一种生瓷片去膜装置，以保持生瓷片在去膜时不会发生变形。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种生瓷片去膜装置，包括真空吸盘、流体控制阀和真空发生装置；在真空吸盘的下表面下方设有一个与所述真空吸盘的下表面连通的密封腔体；该密封腔体通过管路与流体控制阀连接，流体控制阀通过管路与真空发生装置连接。
优选地，真空吸盘的上表面平整。
优选地，真空吸盘为微孔真空吸盘。
优选地，真空吸盘是由陶瓷材料或金属材料制成的。
优选地，所述去膜装置还包括真空吸盘放置平台，在真空吸盘放置平台上设有形状、大小与所述真空吸盘相适应的凹槽，且当真空吸盘置于凹槽内时，在真空吸盘的下表面与凹槽的底部表面之间形成所述密封腔体。
优选地，真空吸盘的形状与生瓷片的形状相同，且真空吸盘的平面尺寸大于或等于生瓷片的平面尺寸。
优选地，所述去膜装置还包括用于消除生瓷片表面静电的消除静电毛刷，该消除静电毛刷通过金属导线接地。
本发明的另一个目的在于提出一种生瓷片去膜方法，该方法采用上述一种生瓷片去膜装置，其技术方案如下：
a将生瓷片平放在真空吸盘的上表面，使粘附有聚酯膜的一面朝上，调整生瓷片的位置使其与真空吸盘的上表面对准；
b打开真空发生装置、并开启流体控制阀，生瓷片被吸附在真空吸盘的上表面；
c从生瓷片的一角分离聚酯膜，沿对角线方向将聚酯膜和生瓷片分开；
d关闭流体控制阀，取下生瓷片。
通过上述方法，可以保持生瓷片在去膜过程中不会发生变形。
当然，本发明还提出了一种生瓷片去膜方法，该方法作为对上述方法的进一步改进，其技术方案具体如下：
a将生瓷片平放在真空吸盘的上表面，使粘附有聚酯膜的一面朝上，调整生瓷片的位置使其与真空吸盘的上表面对准；
b打开真空发生装置、并开启流体控制阀，生瓷片被吸附在真空吸盘的上表面；
c从生瓷片的一角分离聚酯膜，沿对角线方向将聚酯膜和生瓷片分开；
d将消除静电毛刷与生瓷片接触并沿平行于生瓷片表面的方向往复运动，以去除静电；
e关闭流体控制阀，取下生瓷片。
通过上述方法，可以在去除生瓷片表面聚酯膜的同时，有效去除生瓷片表面的静电。
本发明具有如下优点：
本发明中的生瓷片去膜装置及方法将生瓷片真空吸附在真空吸盘的上表面上，去除聚酯膜时生瓷片不会发生变形现象，因此生瓷片的尺寸不会改变，有利于提高叠片时的对准精度；另外，生瓷片去除聚酯膜时会产生静电，本发明使用消除静电毛刷将生瓷片上的静电导走，叠片时生瓷片之间不会由于静电吸引而难以调整位置，提高叠片效率和精度。
附图说明
图1为本发明实施例1中一种生瓷片去膜装置的结构示意图；
图2为本发明实施例1中真空吸盘放置平台的结构示意图；
图3为本发明实施例2中一种生瓷片去膜装置的结构示意图；
图4为本发明实施例3中一种生瓷片去膜方法的流程示意图；
图5为本发明实施例4中一种生瓷片去膜方法的流程示意图。
其中，1-真空吸盘，2-流体控制阀，3-真空发生装置，4-密封腔体，5-聚酯膜，6-生瓷片，7-真空吸盘放置平台，8-凹槽，9-消除静电毛刷。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
实施例1
结合图1所示，一种生瓷片去膜装置，包括真空吸盘1、流体控制阀2和真空发生装置3。在真空吸盘1的下表面下方设有一个与真空吸盘1的下表面连通的密封腔体4。该密封腔体4通过管路A与流体控制阀2连接，流体控制阀2通过管路B与真空发生装置3连接。
通过上述设计，可以保证生瓷片6能够被吸附在真空吸盘1的上表面。
具体的，如图2所示，去膜装置还包括真空吸盘放置平台7，在真空吸盘放置平台7上设有形状、大小与所述真空吸盘相适应的凹槽8，且当真空吸盘置于凹槽8内时，在真空吸盘1的下表面与凹槽的底部表面之间形成密封腔体4。
当然，以上举例仅仅给出了本实施例1的一种较佳实施方案，本实施例1中的密封腔体4并不限于采用上述结构形式。
真空吸盘1可以采用现有技术中已有的微孔真空吸盘。真空吸盘1是由陶瓷材料或金属材料制成的。真空吸盘1的上表面平整，以便与生瓷片6实现良好的接触。
此外，真空吸盘1的形状与生瓷片6的形状相同，且真空吸盘1的平面尺寸大于或等于生瓷片6的平面尺寸。例如：
将一块平面尺寸为203mm×203mm的生瓷片6附着在聚酯膜5上时，若需要将生瓷片6与聚酯膜5分离，可以准备一块平面尺寸为205mm×205mm的真空吸盘1。
本实施例1中的装置可以保证在去除聚酯膜5的过程中，生瓷片6始终被吸附在真空吸盘1的上表面而不会发生变形，因此尺寸不会改变，利于提高叠片时对准精度。
实施例2
结合图3所示，本实施例2除以下技术特征与对比文件1不同之外，其余技术特征均可参照上述实施例1。
本实施例2中的去膜装置还包括消除静电毛刷9，在去除聚酯膜5后，用于消除生瓷片6表面产生的静电，利于提高叠片效率和精度。
具体的，消除静电毛刷9通过金属导线C接地。
实施例3
结合图4所示，本实施例3述及了一种生瓷片去膜方法，该方法基于上述实施例1中的生瓷片去膜装置，其包括如下步骤：
a将生瓷片6平放在真空吸盘1的上表面，使粘附有聚酯膜5的一面朝上，调整生瓷片6的位置使其与真空吸盘1的上表面对准；
b打开真空发生装置3、并开启流体控制阀2，生瓷片6被吸附在真空吸盘1的上表面；
c从生瓷片6的一角分离聚酯膜5，沿对角线方向将聚酯膜和生瓷片分开；
d关闭流体控制阀2，取下生瓷片6。
通过上述方法，可以保持生瓷片6在去膜过程中不会发生变形。
在取下生瓷片6后，在进行叠片之前利用工具消除生瓷片6表面产生的静电。
实施例4
结合图5所示，本实施例4述及了一种生瓷片去膜方法，该方法基于上述实施例2中的生瓷片去膜装置，其包括如下步骤：
a将生瓷片6平放在真空吸盘1的上表面，使粘附有聚酯膜5的一面朝上，调整生瓷片6的位置使其与真空吸盘1的上表面对准；
b打开真空发生装置3、并开启流体控制阀2，生瓷片6被吸附在真空吸盘1的上表面；
c从生瓷片6的一角分离聚酯膜5，沿对角线方向将聚酯膜和生瓷片分开；
d将消除静电毛刷9与生瓷片接触并沿平行于生瓷片表面的方向往复运动，以去除生瓷片表面的静电；
e关闭流体控制阀2，取下生瓷片6。
通过上述方法，可以保持生瓷片6在去膜过程中不会发生变形；与此同时，还可以去除生瓷片6表面产生的静电，综合提高叠片的效率和精度。
当然，以上说明仅仅为本发明的较佳实施例，本发明并不限于列举上述实施例，应当说明的是，任何熟悉本领域的技术人员在本说明书的教导下，所做出的所有等同替代、明显变形形式，均落在本说明书的实质范围之内，理应受到本发明的保护。

Claims (8)

1.一种生瓷片去膜方法，其采用的生瓷片去膜装置包括：
真空吸盘、流体控制阀和真空发生装置；
在真空吸盘的下表面下方设有一个与所述真空吸盘的下表面连通的密封腔体；该密封腔体通过管路与流体控制阀连接，流体控制阀通过管路与真空发生装置连接；
其特征在于，所述生瓷片去膜方法包括如下步骤：
a将生瓷片平放在真空吸盘的上表面，使粘附有聚酯膜的一面朝上，调整生瓷片的位置使其与真空吸盘的上表面对准；
b打开真空发生装置、并开启流体控制阀，生瓷片被吸附在真空吸盘的上表面；
c从生瓷片的一角分离聚酯膜，沿对角线方向将聚酯膜和生瓷片分开；
e关闭流体控制阀，取下生瓷片。
2.根据权利要求1所述的一种生瓷片去膜方法，其特征在于，真空吸盘的上表面平整。
3.根据权利要求1所述的一种生瓷片去膜方法，其特征在于，真空吸盘为微孔真空吸盘。
4.根据权利要求1所述的一种生瓷片去膜方法，其特征在于，真空吸盘是由陶瓷材料或金属材料制成的。
5.根据权利要求1所述的一种生瓷片去膜方法，其特征在于，所述去膜装置还包括真空吸盘放置平台，在真空吸盘放置平台上设有形状、大小与所述真空吸盘相适应的凹槽，且当真空吸盘置于凹槽内时，在真空吸盘的下表面与凹槽的底部表面之间形成所述密封腔体。
6.根据权利要求1所述的一种生瓷片去膜方法，其特征在于，真空吸盘的形状与生瓷片的形状相同，且真空吸盘的平面尺寸大于或等于生瓷片的平面尺寸。
7.根据权利要求1所述的一种生瓷片去膜方法，其特征在于，所述去膜装置还包括用于消除生瓷片表面静电的消除静电毛刷，该消除静电毛刷通过金属导线接地。
8.根据权利要求7所述的一种生瓷片去膜方法，其特征在于，
所述步骤c和步骤e之间还包括步骤：
d将消除静电毛刷与生瓷片接触并沿平行于生瓷片表面的方向往复运动，以去除静电。
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