KR102038192B1 - 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, a.복수의 캐리어 보드를 준비하는 단계와; b. 복수의 캐리어 보드 압력방출장치를 준비하되, 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 서로 대향하는 상면 및 하면을 구비하고 상기 하면에는 적어도 하나의 에어백을 설치하며 상기 상면이 대응되는 적어도 하나의 에어백에는 상기 캐리어 보드가 안착되는 단계와; c. 처리 챔버를 작동온도 및 작동압력으로 조절하고 여기에 설치된 각 상기 캐리어 보드 압력방출장치로 하여금 상기 작동온도 및 상기 작동압력에 휩싸이도록 하는 단계와; d. 에어백 내부의 제1 예정압력과 상기 처리 챔버의 작동압력이 형성한 압력차를 이용하여 캐리어 보드의 뒤틀림 변형을 효과적으로 억제하고 캐리어 보드의 생산질량을 대폭적으로 향상시킴과 동시에 생산원가를 절감시키는 단계를 포함하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법을 개시한다. 또한 진공흡입력에 의해 에어백을 캐리어 보드 압력방출장치의 하면에 부착함으로써 캐리어 보드를 편리하게 꺼내어 인력작업비용을 효과적으로 절약한다.
Description
본 발명은 전자 패키지의 기술분야에 관한 것으로서 특히 이 기술에서 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법을 제공하는 것인 바, 에어백 내부의 제1 예정압력과 처리 챔버의 작동압력이 형성한 압력차에 의해 캐리어 보드의 제1 표면에 작용력을 인가하여 캐리어 보드의 뒤틀림 변형을 효과적으로 억제하고 캐리어 보드의 생산질량을 대폭으로 향상시키고 생산비용을 효과적으로 절감시킨다.
최근 몇 년간 전자기술의 급속한 변화와 더불어 집적회로 어셈블리로 조성된 전자제품을 이용하는 것은 이미 현대인의 일상생활에서 없어서는 안 될 수단이 되었다. 전자제품의 가볍고 얇고 짧고 작은 설계에 따라 반도체 패키지 기술도 상대적으로 많은 고밀도의 반도체 패키지 타입으로 개발되고 있다. 일반적으로 패키지 구조가 대량으로 생산될 경우에는 복수의 반도체 칩 또는 전자 어셈블리를 기판에 고정 설치한 후 실링 젤 제조공정을 거치고 이어서 상기 패키지 기판을 절단하여 복수의 패키지 유닛을 형성한다.
그러나 상기 실링 젤 제조공정에 사용되는 실링 젤 재료와 상기 패키지 기판의 열팽창계수가 상이하므로 실링 젤 이후의 컬링(curing) 제조공정에서 상기 패키지 기판과 상기 실링 젤 재료 사이의 간격이 온도의 변화에 따라 상이한 열팽창 또는 열수축을 발생시켜 상기 패키지 기판으로 하여금 열응력을 발생하도록 하여 뒤틀림(warpage)이 발생하게 되며 또 컬링될 경우의 온도가 높을수록 또는 시간이 길수록 상기 패키지 기판이 발생한 뒤틀림이 더 크게 되어 후속적인 절단 제조공정이 이루어질 수 없게 된다.
또한, 상기 패키지 기판에는 굽힘 모멘트가 발생하여 상기 반도체 칩 또는 전자 어셈블리에 인가되고 상기 굽힘 모멘트가 크게 되면 상기 반도체 칩 또는 전자 어셈블리의 파손을 초래하게 된다. 이 외에 패키지 과정은 기판 및 칩이 열팽창계수 차이가 너무 커 변형량의 상이함을 초래하고 뒤틀림이 발생하는 상황을 방지하기 위하여 가능한 기판에 열팽창계수가 칩(주요성분은 실리콘)과 비교적 근접한 재료를 사용함으로써 기판재료의 사용에 큰 제한을 받아 개량할 필요성이 절실하다.
그러므로 공지된 상기 패키지 구조가 열응력으로 인하여 뒤틀림이 발생하는 문제에 대하여 어떻게 이상적인 실용성을 갖는 동시에 경제적인 효율을 겸비한 재료 뒤틀림을 방지하는 방법을 개발하는가 하는 것이 관련 업자들이 적극적으로 개발하고 극복해야 할 목적 및 방향이 된다.
이 점을 고려하여 발명자는 관련 제품의 제조 개발과 설계에 대한 다년간의 경험에 의해 상기 목적에 대하여 상세히 설계 및 심사평가를 진행한 후 확실히 실용성을 갖는 본 발명을 획득하였다.
공지된 패키지 구조는 실링 젤 제조공정에서 사용하는 실링 젤 재료와 패키지 기판의 열팽창계수가 상이함으로 인하여 상기 패키지 기판이 온도 변화에 의해 열응력을 발생하고 뒤틀림(warpage) 현상을 초래하여 제품의 신뢰성과 질량에 큰 영향을 미치게 되므로 개량할 필요성이 확실히 존재한다.
상기 문제를 개선하기 위하여 본 발명은,
a. 복수의 캐리어 보드를 준비하되, 상기 캐리어 보드는 각각 상대적인 제1 표면 및 제2 표면을 구비하는 단계와;
b. 복수의 캐리어 보드 압력방출장치를 준비하되, 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 각각 처리 프레임의 내측의 슈트에 서로 평행되게 설치되고 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 적어도 하나의 기체 입구, 적어도 하나의 기체 출구, 적어도 하나의 에어백 및 적어도 하나의 기체통로를 포함하며 적어도 하나의 상기 기체 입구는 기압소스와 연결되고 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 서로 대향하는 상면 및 하면을 구비하며 상기 하면에는 적어도 하나의 상기 에어백이 설치되고 상기 상면이 대응되는 적어도 하나의 에어백에는 상기 캐리어 보드가 안착되어 적어도 하나의 상기 제2 표면과 상기 상면이 접촉되며 적어도 하나의 상기 기체통로의 일단에는 적어도 하나의 상기 기체 입구 및 적어도 하나의 기체 출구가 결합되고 타단에는 적어도 하나의 상기 에어백이 결합되며 상기 에어백 및 상기 기체통로는 서로 연통되어 밀폐공간을 형성하며 이 외에 최상층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 상면에는 캐리어 보드가 안착되지 않는 단계와;
c. 처리 챔버를 작동온도 및 작동압력으로 조절하고 여기에 설치된 각 상기 캐리어 보드 압력방출장치로 하여금 상기 작동온도 및 상기 작동압력에 휩싸이도록 하는 단계와;
d. 상기 기압소스는 상기 기체 입구가 상기 에어백에 기체를 충전함으로써 기체로 하여금 상기 기체통로를 거쳐 상기 에어백에 유입되도록 하여 상기 에어백의 내부가 제1 예정압력까지 기체로 충만되도록 함과 동시에 상기 에어백의 외부가 상기 캐리어 보드의 제1 표면을 프레싱하도록 하여 상기 에어백 내부의 제1 예정압력과 상기 처리 챔버의 작동압력이 형성한 압력차를 이용하여 상기 캐리어 보드가 상기 처리 챔버의 작동온도에서 재료의 열팽창에 의해 발생한 열응력을 극복하도록 하고 상기 캐리어 보드의 뒤틀림 변형을 효과적으로 억제하도록 하되, 여기서 상기 에어백 내부의 제1 예정압력은 상기 처리 챔버의 작동압력보다 큰바, 그 압력차는 0.01대기압(atm)보다 큰 단계와;
e. 상기 캐리어 보드가 처리 챔버 내에서 관련 제조공정을 완성하여 작동온도가 초기온도(상온)로 하강하도록 하고 작동압력이 초기압력(상압)으로 하강하도록 하며 상기 기체 출구에는 진공 발생기가 연결되고 상기 진공 발생기에 의하여 상기 기체통로 및 상기 에어백 내의 압력이 진공압력의 제2 예정압력으로 하강하도록 하며 진공흡력에 의해 상기 에어백을 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 하면에 흡착되도록 하여 상기 캐리어 보드를 편리하게 꺼내도록 하는바, 여기서 제2 예정압력의 변화범위는 0.01토르(Torr) 내지 760토르(Torr)사이에서 설정되고, 여기서 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 기체 입구, 기체 출구는 합병하여 기체 출입구를 형성하며 기체 출입구는 상기 기압소스 및 상기 진공 발생기에 동시에 연결되는 단계를 포함하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법을 제공한다. 이 외에, 캐리어 보드를 캐리어 보드 압력방출장치에 안착하기 전에 본 단계를 수행할 수 있어 더욱 많은 작업공간을 절약할 수 있으며 인력작업비용을 효과적으로 절약할 수 있다.
상술한 바에 의하면 상기 캐리어 보드는 인쇄회로기판(printed circuit board), 유기기판, 유리기판, 금속기판, 도전 프레임(lead frame), 웨이퍼(wafer), 실리콘 중개층(silicon interposer), 패키지(package) 중의 적어도 하나이다.
상술한 바에 의하면 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 슬라이딩 이동 가능하게 상기 처리 프레임의 내측의 슈트에 설치된다.
상술한 바에 의하면 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 하면은 적어도 하나의 밀폐구조에 의해 적어도 하나의 상기 에어백에 고정 설치된다.
상술한 바에 의하면 상기 기압소스는 공기압축기 또는 공무기체도관이다.
상술한 바에 의하면 상기 진공 발생기는 진공펌프이다.
상술한 바에 의하면 상기 에어백은 폴리이미드(polyimide) 또는 테프론(Teflon) 재질로 제작된다.
상술한 바에 의하면 최하층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 하방에, 더욱이 서로 평행되게 플레이싱 플레이트를 상기 처리 프레임의 내측의 슈트에 설치할 수 있고 상기 플레이싱 플레이트의 상면이 대응되는 최하층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 적어도 하나의 상기 에어백에 적어도 하나의 상기 캐리어 보드가 안착되어 적어도 하나의 상기 제2 표면과 상기 플레이싱 플레이트 상면이 접촉되도록 한다.
상술한 바에 의하면 상기 플레이싱 플레이트는 슬라이딩 이동 가능하게 상기 처리 프레임의 내측의 슈트에 커버 설치된다.
상술한 바에 의하면 처리 챔버 내의 작동온도는 상온 내지 섭씨800도의 범위내에서 설정되고 작동압력의 변화범위는 1.01대기압(atm) 내지 100대기압(atm) 사이에서 설정된다.
상술한 바에 의하면 제2 예정압력의 변화범위는 0.01토르(Torr) 내지 760토르(Torr) 사이에서 설정된다.
상술한 바에 의하면 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 각각 기압소스와 연결되거나 공유한다.
상술한 바에 의하면 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 진공 발생기와 연결되거나 공유한다.
본 발명의 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법은 제조공정요구에 따라 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 간격 및 캐리어 보드 압력방출장치의 사용수량을 조절하여 제조공정의 탄성 응용의 영활성을 효과적으로 향상시키고, 에어백 내부의 제1 예정압력과 처리 챔버의 작동압력이 형성한 압력차를 이용하여 캐리어 보드의 제1 표면에 작용력을 인가함으로써 캐리어 보드의 뒤틀림 변형을 효과적으로 억제하여 캐리어 보드의 생산질량을 대폭으로 향상시키고 생산비용을 효과적으로 절감시키며, 진공흡입력에 의해 상기 에어백을 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 하면에 흡착되도록 하여 인력으로 상기 에어백을 이동할 필요가 없이 상기 캐리어 보드를 용이하게 안착하고 꺼낼 수 있으므로 인력작업비용을 효과적으로 절약한다.
도 1은 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 따른 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법의 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 따른 에어백 프레싱 상태 모식도이다.
도 2는 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 따른 에어백 프레싱 상태 모식도이다.
본 발명에 사용된 기술, 수단 및 효과는 아래에서 비교적 바람직한 실시예를 예로 들어 도면과 결부하여 상세히 설명하는바, 본 발명의 상기 목적, 구조 및 특징은 이로써 구체적으로 요해할 수 있게 된다.
도 1 내지 도 2에 도시된 내용을 참조하면 본 발명은,
a.(단계501) 복수의 캐리어 보드(10)를 준비하되,상기 캐리어 보드(10)는 각각 상대적인 제1 표면(11) 및 제2 표면(12)을 구비하고 상기 캐리어 보드(10)는 인쇄회로기판(printed circuit board), 유기기판, 유리기판, 금속기판, 도전 프레임(lead frame), 웨이퍼(wafer), 실리콘 중개층(silicon interposer), 패키지(package) 중의 적어도 하나인 단계와;
b.(단계502) 복수의 캐리어 보드 압력방출장치(20)를 준비하되,상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)는 각각 처리 프레임(30) 내측의 슈트(31)에 서로 평행되고 슬라이딩 이동 가능하게 커버 설치되고 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)는 적어도 하나의 기체 입구(21), 적어도 하나의 기체 출구(22), 적어도 하나의 에어백(23), 적어도 하나의 밀폐구조(24) 및 적어도 하나의 기체통로(25)를 포함하며 적어도 하나의 상기 기체 입구(21)는 기압소스(26)에 연결되고 상기 기압소스(26)는 공기압축기 또는 공무기체도관이며 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)는 서로 대향하는 상면(201) 및 하면(202)을 구비하고 상기 하면(202)은 적어도 하나의 상기 밀폐구조(24)에 의해 적어도 하나의 상기 에어백(23),상기 밀폐구조(24), 예를 들어 로커 링 및 오링 등의 조합으로 설치되며 상기 상면(201)은 적어도 하나의 상기 에어백(23)과 대응하여 적어도 하나의 상기 캐리어 보드(10)를 안착하여 적어도 하나의 상기 제2 표면(12)과 상기 상면(201)이 접촉하도록 하고 적어도 하나의 상기 기체통로(25)의 일단은 적어도 하나의 상기 기체 입구(21) 및 적어도 하나의 상기 기체 출구(22)와 결합하며 타단은 적어도 하나의 상기 에어백(23)과 결합하 되, 상기 에어백(23)은 폴리이미드(polyimide) 또는 테프론(Teflon) 재료로 제작되고 상기 에어백(23) 및 상기 기체통로(25)는 서로 연통되어 밀폐공간을 형성하는바, 여기서 최하층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)의 하방에,더욱이 서로 평행되고 슬라이딩 이동 가능하게 플레이싱 플레이트(27)를 상기 처리 프레임(30)의 내측의 슈트(31)에 설치할 수 있고 상기 플레이싱 플레이트(27)의 상면이 대응되는 최하층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)의 적어도 하나의 상기 에어백(23)에 적어도 하나의 상기 캐리어 보드(10)가 안착되어 적어도 하나의 상기 제2 표면(12)과 상기 플레이싱 플레이트(27)의 상면이 접촉되도록 하며,이 외에 최상층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)의 상면(201)에는 캐리어 보드(10)가 안착되지 않는 단계와;
c.(단계503) 처리 챔버(40)를 작동온도 및 작동압력으로 조절하고 여기에 설치된 각 상기 캐리어 보드(10) 및 각 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)로 하여금 상기 작동온도 및 상기 작동압력에 휩싸이도록 하여 실링 젤 이후의 컬링(curing), 구멍 제거 등 관련 제조공정을 수행하도록 하되, 상기 처리 챔버(40) 내의 작동온도는 섭씨 20도(상온) 내지 섭씨 800도의 범위에서 설정되고 작동압력의 변화범위는 1.01대기압(atm) 내지 100대기압(atm) 사이에서 설정되는 단계와;
d.(단계504) 상기 기압소스(26)는 상기 기체 입구(21)가 상기 에어백(23) 에 기체를 충전함으로써 기체로 하여금 상기 기체통로(25) 를 거쳐 상기 에어백(23)에 유입되도록 하여 상기 에어백(23)의 내부가 제1 예정압력까지 기체로 충만되도록 함과 동시에 상기 에어백(23) 의 외부가 상기 캐리어 보드(10)의 제1 표면(11)을 프레싱하도록 하여 상기 에어백(23) 내부의 제1 예정압력과 상기 처리 챔버(40)의 작동압력이 형성한 압력차를 이용하여 상기 캐리어 보드(10)가 상기 처리 챔버(40)의 작동온도에서 재료의 열팽창에 의해 발생한 열응력을 극복하도록 하고 상기 캐리어 보드(10)의 뒤틀림 변형을 효과적으로 억제하도록 하되, 여기서 상기 에어백(23) 내부의 제1 예정압력은 상기 처리 챔버(40)의 작동압력보다 크고 그 압력차는 0.01대기압(atm)보다 큰 단계와;
e.(단계505) 상기 캐리어 보드(10)가 처리 챔버(40) 내에서 관련 제조공정을 완성하여 작동온도가 초기온도(상온)로 하강하도록 하고 작동압력이 초기압력(상압)으로 하강하도록 하며 상기 기체 출구(22)에는 진공 발생기(28)가 연결되고 상기 진공 발생기(28)는 진공 펌프이며,이와 동시에 상기 기압소스(26)를 오프시키고 상기 진공 발생기(28)를 작동시키며 상기 진공 발생기(28)에 의해 상기 기체통로(25) 및 상기 에어백(23) 내의 압력을 진공압력의 제2 예정압력으로 하강시켜 진공 흡입력에 의해 상기 에어백(23)을 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)의 하면(202)에 흡착되도록 하여 상기 캐리어 보드(10) 를 편리하게 꺼내도록 하는 바, 여기서 제2 예정압력 변화범위는 0.01토르(Torr) 내지 760토르(Torr) 사이에서 설정되는 단계를 포함하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법을 제공한다. 이 외에 단계502에서, 캐리어 보드(10)를 캐리어 보드 압력방출장치(20)에 안착하기 전에 본 단계를 수행할 수 있어 더욱 많은 작업공간을 절약할 수 있으며 인력작업비용을 효과적으로 절약할 수 있다.
본 발명의 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법은 단계502에서 제조공정에 따라 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)의 간격 및 캐리어 보드 압력방출장치(20)의 사용수량을 조절하여 제조공정의 탄성 응용의 영활성을 효과적으로 향상시킨다.
본 발명의 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법은 단계504에서 상기 에어백(23) 내부의 제1 예정압력과 상기 처리 챔버(40)의 작동압력이 형성한 압력차를 이용하여 상기 캐리어 보드(10)의 제1 표면(11)에 작용력을 인가함으로써 상기 캐리어 보드(10)의 뒤틀림 변형을 효과적으로 억제하여 캐리어 보드(10)의 생산질량을 대폭으로 향상시키고 생산비용을 효과적으로 절감시킨다.
본 발명의 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법은 단계505에서 진공흡입력에 의해 상기 에어백(23)을 상기 캐리어 보드 압력방출장치(20)의 하면(202)흡착되도록 하여 인력으로 상기 에어백(23)을 이동할 필요가 없이 상기 캐리어 보드(10) 를 용이하게 안착하고 꺼낼 수 있으므로 인력작업비용을 효과적으로 절약한다.
상술한 내용은 본 발명의 비교적 바람직한 실시예를 본 발명의 기술적 특징으로 하여 구체적으로 설명한 것인 바, 오직 본 이러한 기술에 익숙한 숙련자만이 본 발명의 정신과 원칙을 벗어나지 않는 원칙하에 본 발명에 대해 변경과 수정을 진행할 수 있으며 상기 변경과 수정은 모두 하기 청구범위가 지정한 범위에 포함된다.
501-505: 단계 10: 캐리어 보드
11: 제1 표면 12: 제2 표면
20: 캐리어 보드 압력방출장치 201: 상면
202: 하면 21: 기체 입구
22: 기체 출구 23: 에어백
24: 밀폐구조 25: 기체통로
26: 기압소스 27: 플레이싱 플레이트
28: 진공 발생기 30: 처리 프레임
31: 슈트 40: 처리 챔버
11: 제1 표면 12: 제2 표면
20: 캐리어 보드 압력방출장치 201: 상면
202: 하면 21: 기체 입구
22: 기체 출구 23: 에어백
24: 밀폐구조 25: 기체통로
26: 기압소스 27: 플레이싱 플레이트
28: 진공 발생기 30: 처리 프레임
31: 슈트 40: 처리 챔버
Claims (10)
- (a) 복수의 캐리어 보드를 준비하되, 상기 캐리어 보드는 각각 상대적인 제1 표면 및 제2 표면을 구비하는 단계와;
(b) 복수의 캐리어 보드 압력방출장치를 준비하되, 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 각각 처리 프레임의 내측에 서로 평행되게 설치되고 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 적어도 하나의 기체 입구, 적어도 하나의 기체 출구, 적어도 하나의 에어백 및 적어도 하나의 기체통로를 포함하며 적어도 하나의 상기 기체 입구는 기압소스와 연결되고, 또한 상기 캐리어 보드 압력방출장치는 서로 대향하는 상면 및 하면을 구비하며 상기 하면에는 적어도 하나의 상기 에어백이 설치되고, 상기 에어백은 하측에 설치된 다른 캐리어 보드 압력방출장치의 상면에 안착된 캐리어 보드와 접촉하고, 적어도 하나의 상기 기체통로의 일단에는 적어도 하나의 상기 기체 입구 및 적어도 하나의 상기 기체 출구가 결합되고 타단에는 적어도 하나의 상기 에어백이 결합되며, 상기 에어백 및 상기 기체통로는 서로 연통되어 밀폐공간을 형성하는 단계와;
(c) 처리 챔버를 작동온도 및 작동압력으로 조절하고 여기에 설치된 각 상기 캐리어 보드 압력방출장치로 하여금 상기 작동온도 및 상기 작동압력에 휩싸이도록 하는 단계와;
(d) 상기 기압소스는 상기 에어백에 기체를 충전함으로써 기체로 하여금 상기 기체통로를 거쳐 상기 에어백에 유입되도록 하여 상기 에어백 내부가 제1 예정압력까지 기체로 충만되도록 함과 동시에 상기 에어백 외부가 상기 캐리어 보드의 제1 표면을 프레싱하도록 하여 상기 에어백 내부의 제1 예정압력과 상기 처리 챔버의 작동압력이 형성한 압력차를 이용하여 상기 캐리어 보드가 재료의 열팽창에 의해 발생한 열응력을 극복하도록 하고 상기 캐리어 보드의 뒤틀림 변형을 억제하도록 하되, 여기서 상기 에어백 내부의 제1 예정압력은 상기 처리 챔버의 작동압력보다 큰바, 그 압력차는 0.01대기압(atm)보다 큰 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 기체 출구를 진공 발생기에 연결하여 상기 진공 발생기에 의해 상기 기체통로 및 상기 에어백 내의 압력이 진공압력의 제2 예정압력으로 하강하도록 하고 진공흡력에 의해 상기 에어백을 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 하면에 흡착되도록 하여 상기 캐리어 보드를 편리하게 꺼내도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 캐리어 보드 압력방출장치는 슬라이딩 이동 가능하게 상기 처리 프레임의 내측에 커버 설치되는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 캐리어 보드 압력방출장치의 하면은 적어도 하나의 밀폐구조에 의해 적어도 하나의 상기 에어백에 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 캐리어 보드는 인쇄회로기판, 유기기판, 유리기판, 금속기판, 도전 프레임, 웨이퍼, 실리콘 중개층, 패키지 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 에어백은 폴리이미드(polyimide) 또는 테프론(Teflon) 재질로 제작된 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 처리 챔버 내의 작동온도는 섭씨 20도 내지 섭씨 800도의 범위내에서 설정되고, 작동압력의 변화범위는 1.01대기압(atm) 내지 100대기압(atm) 사이에서 설정되는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제1항에 있어서,
최하층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 하방에, 더욱이 서로 평행되게 상기 처리 프레임의 내측에 플레이싱 플레이트를 설치할 수 있고 상기 플레이싱 플레이트의 상면이 대응되는 최하층의 상기 캐리어 보드 압력방출장치의 적어도 하나의 상기 에어백에 적어도 하나의 상기 캐리어 보드가 안착되는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제8항에 있어서,
상기 플레이싱 플레이트는 슬라이딩 이동 가능하게 상기 처리 프레임의 내측에 커버 설치되는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법. - 제2항에 있어서,
상기 제2 예정압력의 변화범위는 0.01토르(Torr) 내지 760토르(Torr) 사이에서 설정되는 것을 특징으로 하는 차압법으로 재료의 뒤틀림을 억제하는 방법.
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KR102563929B1 (ko) * | 2018-03-09 | 2023-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 다이들의 개별화 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
CN109473380A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-15 | 志圣科技(广州)有限公司 | 晶圆加工机台及其加工方法 |
CN109742191B (zh) * | 2019-01-14 | 2020-10-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池烧结装置 |
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KR102396184B1 (ko) | 2019-03-12 | 2022-05-10 | 앱솔릭스 인코포레이티드 | 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
EP3910667A4 (en) | 2019-03-29 | 2022-10-26 | Absolics Inc. | PACKAGING GLASS SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTORS, PACKAGING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICES |
KR102413117B1 (ko) | 2019-08-23 | 2022-06-24 | 앱솔릭스 인코포레이티드 | 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
CN113449239A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-28 | 上海梅山钢铁股份有限公司 | 一种镀铝锌机组带钢表面风机压力单因素对c翘影响预报方法 |
CN112151418B (zh) * | 2020-09-11 | 2024-04-05 | 安徽龙芯微科技有限公司 | 一种硅基转接板的封装机构及其封装方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006327641A (ja) | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 積重体及び基板収納体 |
KR100676314B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2007-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 경화 장치 및 그를 이용한 경화 방법 |
JP2008137673A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Optrex Corp | 表示基板用搬送ケース |
JP2011001106A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Panasonic Corp | 半導体ウエハ収納容器 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0569996A (ja) | 1991-09-05 | 1993-03-23 | Smc Corp | 真空ユニツト |
JPH10275852A (ja) | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の接着方法および接着装置 |
JP3098003B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2000-10-10 | 日清紡績株式会社 | 太陽電池におけるラミネート装置 |
US7148561B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-12-12 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Ball grid array substrate strip with warpage-preventive linkage structure |
US20040107569A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-10 | John Guzek | Metal core substrate packaging |
US20060043602A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-02 | Kuo-Chin Chang | Flip chip ball grid array package with constraint plate |
US8137498B2 (en) * | 2005-08-30 | 2012-03-20 | Rockwell Collins Inc. | System and method for completing lamination of rigid-to-rigid substrates by the controlled application of pressure |
JP2008126407A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Npc Inc | ラミネート装置 |
US20080222884A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Honeywell International Inc. | Packaging for chip-on-board pressure sensor |
JP5263053B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2013-08-14 | 株式会社村田製作所 | 半導体パッケージおよび半導体パッケージモジュール |
JP6178683B2 (ja) | 2013-09-25 | 2017-08-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法 |
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100676314B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2007-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 경화 장치 및 그를 이용한 경화 방법 |
JP2006327641A (ja) | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 積重体及び基板収納体 |
JP2008137673A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Optrex Corp | 表示基板用搬送ケース |
JP2011001106A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Panasonic Corp | 半導体ウエハ収納容器 |
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