CN106663647A - 用于高温处理的静电夹盘组件 - Google Patents

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Abstract

一种静电夹盘组件包括定位盘与冷却板。定位盘包括电性绝缘的上定位盘板，上定位盘板包括一个或更多个加热元件以及一个或更多个电极，以用于静电地固定基板，且定位盘进一步包括下定位盘板，下定位盘板通过金属接合而接合至上定位盘板，下定位盘板包括多个特征，多个特征在距离下定位盘板的中心的多个不同的距离处分布在下定位盘板的底侧上，其中多个特征的每一者容纳多个紧固件中的一者。冷却板通过多个紧固件而耦接至定位盘，其中多个紧固件各自施加大致相等的紧固力，以将冷却板耦接至定位盘。

Description

用于高温处理的静电夹盘组件
技术领域
本发明的一些实施例大体上涉及可用于高温处理的基板支撑组件(也称为静电夹盘组件)。
背景技术
静电夹盘在用于各种应用(诸如，物理气相沉积、蚀刻、或化学气相沉积)的处理腔室中在基板处理期间广泛地用于固持基板，诸如半导体晶片。静电夹盘一般包括嵌入于单一夹盘主体内的一个或更多个电极，夹盘主体包括电介质的或半导电的陶瓷材料，横越该材料可产生静电夹持场。
静电夹盘提供优于机械夹持装置与真空夹盘的数个优点。例如，静电夹盘减少由机械夹持所导致的应力引致的裂缝，允许基板的较大区域暴露来用于处理(几乎没有或没有排除边缘)，并且可用于低压或高真空环境中。此外，静电夹盘可较均匀地固持基板至夹紧表面，以允许更大程度地控制基板温度。
用于集成电路的制造中的各种处理会需要用于基板处理的高温和/或广温度范围。但是，蚀刻处理中的静电夹盘一般操作在高达大约120℃的温度范围。在高于大约120℃的温度时，许多静电夹盘的组件将因为各种问题而开始故障，例如，AlO静电夹盘的解除夹紧、来自腐蚀性化学品的等离子体腐蚀、接合的可靠度等。
发明内容
本文所述的本发明的一些实施例涵盖一种静电夹盘组件，静电夹盘组件包括定位盘(puck)，定位盘具有电性绝缘的上定位盘板与下定位盘板，上定位盘板包括一个或更多个加热元件与一个或更多个电极以用于静电地固定基板，且下定位盘板通过金属接合而接合至上定位盘板。下定位盘板包括多个特征，多个特征在距所述下定位盘板的中心的不同距离处在分布在下定位盘板的底侧上，其中每一个特征容纳一紧固件。静电夹盘组件进一步包括冷却板，冷却板通过紧固件耦接至定位盘。紧固件各自施加大约相等的紧固力，以将冷却板耦接至定位盘。
本文所述的本发明的一些实施例涵盖一种静电定位盘，静电定位盘包括AlN或Al2O3上定位盘板，AlN或Al2O3上定位盘板具有一个或更多个加热元件与一个或更多个电极，以用于静电地固定基板。静电定位盘进一步包括下定位盘板，下定位盘板通过金属接合而接合至上定位盘板。下定位盘板包括以下各项中的一者：a)钼，b)渗透有AlSi合金的SiC多孔主体，或c)陶瓷，诸如AlN或Al2O3。下定位盘板进一步包括多个特征，多个特征在距下定位盘板的中心的不同距离处分布在下定位盘板的底侧上，其中每一个特征容纳一紧固件。
本文所述的本发明的一些实施例涵盖一种制造静电夹盘组件的方法。该方法包括下述步骤：在下定位盘板中形成多个特征。该方法进一步包括下述步骤：利用金属接合将下定位盘板接合至上定位盘板，以形成定位盘，上定位盘板包括一个或更多个加热元件与一个或更多个电极，以用于静电地固定基板。该方法进一步包括下述步骤：将全氟聚合物(PFP,perfluoropolymer)垫圈或PFP O形环的至少一者设置到冷却板的至少一部分的顶侧。该方法进一步包括下述步骤：将多个紧固件中的一者插设至形成于下定位盘板中的多个特征的每一者中。该方法进一步包括下述步骤：通过收紧多个紧固件，将冷却板耦接至定位盘。多个紧固件可大约相等地收紧，以施加大约相等的紧固力，以将冷却板耦接至定位盘。
附图说明
本发明通过范例的方式而非通过限制的方式来在附图的各图中例示，在附图的各图中，类似的附图标记表示类似的元件。应注意到，本揭示案中对于“一”或“一个”实施例的不同的提及并不必然是指相同的实施例，且此种提及是指至少一个。
图1绘示处理腔室的一个实施例的剖面侧视图；
图2绘示基板支撑组件的一个实施例的分解视图；
图3绘示静电夹盘组件的一个实施例的剖面顶视图；
图4绘示静电夹盘组件的一个实施例的剖面侧视图；
图5绘示静电夹盘组件的另一实施例的剖面侧视图；及
图6例示用于制造静电夹盘组件的处理的一个实施例。
具体实施方式
本发明的实施例提供包括定位盘的一种基板支撑组件与一种静电夹盘组件，定位盘通过紧固件的集合耦接至冷却板。多个紧固件用来固定定位盘至冷却板。多个紧固件位于离定位盘的中心的不同距离处。在一个实施例中，第一组紧固件设置于离定位盘的中心的第一半径处，且第二组紧固件设置于离定位盘的中心的第二半径处。多个紧固件可跨冷却板的顶侧或表面大致均匀地分布，以均匀地分布紧固力来将定位盘耦接至冷却板。所有紧固件可等量地收紧，以确保每一紧固件所施加的紧固力大约相同。如此可促进定位盘与定位盘的上的冷却板之间的均匀热转移特性。
在一个实施例中，静电夹盘组件包括定位盘，定位盘具有电性绝缘的上定位盘板，上定位盘板通过金属接合而接合至下定位盘板。金属接合可以是铝接合、AlSi合金接合、或其他金属接合。上定位盘板包括一个或更多个加热元件与一个或更多个电极，以用于静电地固定基板。下定位盘板包括多个特征，多个特征在离下定位盘板的中心的不同距离处分布于下定位盘板的底侧上。每一特征容纳多个紧固件中的一者。静电夹盘组件进一步包括冷却板，冷却板通过紧固件耦接至定位盘。冷却板可包括基座部分(称作冷却基座)与弹簧装载的内部热沉，热沉通过多个弹簧而连接至基座部分，其中多个弹簧施加力来将内部热沉压靠定位盘。紧固件各自施加大约相等的紧固力来将冷却板耦接至定位盘(例如，将冷却板的基座部分耦接至定位盘)。此大约相等的紧固力可促进冷却板与定位盘之间的均匀热转移。另外，弹簧装载的内部热沉也可促进冷却板与定位盘之间的均匀热转移。
图1为半导体处理腔室100的一实施例的剖面视图，半导体处理腔室100具有静电夹盘组件150设置在其中。静电夹盘组件150包括具有上定位盘板的静电定位盘(定位盘166)，上定位盘板接合至下定位盘板，如同下面将更详细讨论的。定位盘166通过多个紧固件而耦接至冷却板，如同下面更详细讨论的。
处理腔室100包括腔室主体102与盖体104，腔室主体102与盖体104包围内部容积106。腔室主体102可由铝、不锈钢、或其他合适的材料制成。腔室主体102大体上包括侧壁108与底部110。外部衬垫116可设置成相邻于侧壁108，以保护腔室主体102。外部衬垫116可制造和/或涂覆有对于等离子体或含卤素的气体有抗蚀性的材料。在一个实施例中，外部衬垫116由氧化铝制成。在另一实施例中，外部衬垫116由氧化钇、钇合金或其氧化物制成，或者涂覆有氧化钇、钇合金或其氧化物。
排气口126可界定于腔室主体102中，并且可将内部容积106耦接至泵系统128。泵系统128可包括一个或更多个泵与节流阀，用于排空与调节处理腔室100的内部容积106的压力。
盖体104可支撑于腔室主体102的侧壁108上。盖体104可打开，以允许对处理腔室100的内部容积106的接取，且盖体104关闭时可提供对于处理腔室100的密封。气体面板158可耦接至处理腔室100，以通过气体分配组件130而提供处理和/或清洗气体至内部容积106，气体分配组件130为盖体104的一部分。处理气体的范例可用于在包括含有卤素的气体的处理腔室中的处理，诸如C2F6、SF6、SiCl4、HBr、NF3、CF4、CHF3、CH2F3、Cl2与SiF4等，以及其他的气体，诸如O2或N2O。载体气体的范例包括N2、He、Ar，以及对于处理气体来说为惰性的其他气体(例如，非反应性气体)。气体分配组件130可具有多个孔132在气体分配组件130的下游表面上，以引导气体流至基板144的表面。额外地，或者替代地，气体分配组件130可具有中心孔，在中心孔处，通过陶瓷气体喷嘴馈送气体。气体分配组件130可由陶瓷材料制造和/或涂覆有陶瓷材料，诸如碳化硅、钇氧化物等，以提供对于含卤素的化学品的抗蚀性，来防止气体分配组件130腐蚀。
基板支撑组件148设置于处理腔室100的内部容积106中、气体分配组件130的下方。基板支撑组件148在处理期间固持基板144。内部衬垫118可涂覆于基板支撑组件148的周边上。内部衬垫118可以是对于含卤素的气体有抗蚀性的材料，诸如相关于外部衬垫116所讨论的那些。在一个实施例中，内部衬垫118可由与外部衬垫116相同的材料制成。
在一个实施例中，基板支撑组件148包括支撑底座152的安装板162以及静电夹盘组件150。在一个实施例中，静电夹盘组件150进一步包括导热基座，导热基座在本文称为冷却板164，冷却板164通过多个紧固件而耦接至静电定位盘(以下称为定位盘166)。实施例中所述的静电夹盘组件150可用于Johnsen-Rahbek和/或Coulombic(库仑)静电夹紧。
在一个实施例中，保护环146设置于定位盘166的外周界处的定位盘166的一部分上。在一个实施例中，定位盘166涂覆有保护层136。或者，定位盘166可不涂覆有保护层136。保护层136可以是陶瓷，诸如Y2O3(氧化钇或钇氧化物)、Y4Al2O9(YAM)、Al2O3(氧化铝)、Y3Al5O12(YAG)、YAlO3(YAP)、石英、SiC(碳化硅)、Si3N4(氮化硅)赛纶陶瓷(Sialon)、AlN(氮化铝)、AlON(氧氮化铝)、TiO2(二氧化钛)、ZrO2(氧化锆)、TiC(碳化钛)、ZrC(碳化锆)、TiN(氮化钛)、TiCN(钛氮化碳)、Y2O3稳定的ZrO2(YSZ)等。保护层也可以是陶瓷合成物，例如分布于Al2O3基质中的Y3Al5O12、Y2O3-ZrO2固体溶液、或SiC-Si3N4固体溶液。保护层也可以是陶瓷合成物，包括含有钇氧化物(也称为氧化钇和Y2O3)的固体溶液。例如，保护层可以是陶瓷合成物，包括化合物Y4Al2O9(YAM)与固体溶液Y2-xZrxO3(Y2O3-ZrO2固体溶液)。注意到，纯的氧化钇以及含有氧化钇的固体溶液可掺杂有下述各项中的一者或更多者：ZrO2、Al2O3、SiO2、B2O3、Er2O3、Nd2O3、Nb2O5、CeO2、Sm2O3、Yb2O3、或其他氧化物。也注意到，可使用纯的氮化铝以及掺杂有下述各项中的一者或更多者的氮化铝：ZrO2、Al2O3、SiO2、B2O3、Er2O3、Nd2O3、Nb2O5、CeO2、Sm2O3、Yb2O3、或其他氧化物。或者，保护层可以是蓝宝石或MgAlON。
定位盘166包括上定位盘板(未示出)与下定位盘板(未示出)，两者通过金属接合而接合。上定位盘板可以是电介质或电性绝缘的材料(例如，具有大于1014欧姆·米的电阻率)，可用于180℃与更高的温度的半导体处理。在一个实施例中，上定位盘板包括大约20℃至大约500℃可使用的材料。在一个实施例中，上定位盘板为AlN。AlN上定位盘板可以是未掺杂的或可有掺杂。例如，AlN可掺杂有氧化钐(Sm2O3)、氧化铈(CeO2)、二氧化钛(TiO2)，或者过渡金属氧化物。在一个实施例中，上定位盘板为Al2O3。Al2O3上定位盘板可以是未掺杂的或可有掺杂。例如，Al2O3可掺杂有二氧化钛(TiO2)或过渡金属氧化物。
下定位盘板可具有与上定位盘板的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数。在一个实施例中，下定位盘板为渗透有AlSi合金的SiC多孔主体(称为AlSiSiC)。下定位盘板可替代地为AlN或Al2O3。在一个实施例中，下定位盘板为未掺杂的AlN或未掺杂的Al2O3。在一个实施例中，下定位盘板包括与上定位盘板相同的材料。AlSiSiC材料、AlN或Al2O3可使用在例如反应蚀刻环境中或惰性环境中。
在一个实施例中，下定位盘板为钼。例如，若定位盘166将使用在惰性环境中，则可使用钼。惰性环境的范例包括惰性气体(例如，Ar、O2、N等)流动的环境。例如，若定位盘166将夹紧用于金属沉积的基板，则可使用钼。钼也可用于要应用在腐蚀性环境中(例如，蚀刻应用)的下定位盘板。在此种实施例中，在下定位盘板接合至上定位盘板后，下定位盘板的暴露表面可涂覆有等离子体抗蚀涂层。等离子体抗蚀涂层可经由等离子体喷涂处理来执行。等离子体抗蚀涂层可覆盖例如下定位盘板的侧壁与下定位盘板的暴露的水平阶部。在一个实施例中，等离子体抗蚀涂层为Al2O3。或者，等离子体抗蚀涂层可以是Y2O3或含有Y2O3的氧化物。或者，等离子体抗蚀涂层可以是相关于保护层136所述的任何材料。
安装板162耦接至腔室主体102的底部110，并且包括通路，通路用于将用品(例如，流体、电力线、传感器引线等)路由至冷却板164与定位盘166。冷却板164和/或定位盘166可包括一个或更多个选择性的嵌入式加热元件176、选择性的嵌入式热隔离器174和/或选择性的导管168、170，以控制基板支撑组件148的横向温度分布。在一个实施例中，热垫圈138设置于冷却板164的至少一部分上。
导管168、170可流体耦接至流体源172，流体源172通过导管168、170来循环温度调节流体。在一个实施例中，嵌入式热隔离器174可设置于导管168、170之间。嵌入式加热元件176通过加热器电源178来调节。导管168、170与嵌入式加热元件176可用于控制定位盘166的温度，由此加热和/或冷却定位盘166与正在处理的基板(例如，晶片)。在一个实施例中，定位盘166包括两个分离的加热区，两个分离的加热区可维持不同的温度。在另一实施例中，定位盘166包括四个不同的加热区，四个不同的加热区可维持不同的温度。静电定位盘166与导热基座164的温度可使用多个温度传感器190、192来监测，可使用控制器195来监测温度传感器190、192。
定位盘166可进一步包括多个气体通路，诸如可形成于定位盘166的上表面中的凹槽、凸台(mesa)与其他表面特征。气体通路可经由定位盘166中所钻的孔而流体耦接至热转移(或背侧)气体(诸如He)源。在操作中，背侧气体可以以受控的压力提供至气体通路中，以加强定位盘166与基板144之间的热转移。
在一个实施例中，定位盘166包括由夹紧电源182所控制的至少一夹持电极180。夹持电极180(也称为夹紧电极)可通过匹配电路188而进一步耦接至一个或更多个RF电源184、186，以维持从处理腔室100内的处理和/或其他气体形成的等离子体。一个或更多个RF电源184、186通常可以产生RF信号，RF信号具有大约50kHz至大约3GHz的频率以及高达大约10,000瓦特的功率。在一个实施例中，RF信号施加至金属基座，交流电流(AC)施加至加热器，且直流电流(DC)施加至夹持电极180。
图2绘示基板支撑组件148的一个实施例的分解视图。基板支撑组件148绘示静电夹盘组件150的分解视图，静电夹盘组件150包括定位盘166与底座152。静电夹盘组件150包括定位盘166以及附接至定位盘166的冷却板164。如同所示，O形环240可沿着冷却板164的顶侧的周界而硫化至冷却板164。或者，O形环可设置于冷却板164的顶侧上，而并非硫化至冷却板164的顶侧。本文中讨论的实施例相关于硫化至冷却板164的至少一部分的O形环与垫圈。但是，应理解到，O形环和/或垫圈可替代地硫化至下定位盘板。或者，O形环和/或垫圈可并非硫化至任何表面。在一个实施例中，O形环240为全氟聚合物(PFP)O形环。或者，可使用其他类型的高温O形环。在一个实施例中，使用绝热的高温O形环。O形环240可以是阶梯式O型环，具有第一厚度的第一阶以及第二厚度的第二阶。在PFP O形环240的设定量的压缩之后，通过使得用于收紧紧固件的力的量急剧增加，这可促进紧固件的均匀收紧。
额外的O型环(未示出)也可硫化至冷却板164的中心处的孔280周围的冷却板的顶侧，缆线行进通过孔280。其他较小的O形环也可在其他开孔周围、升举销的周围等硫化至冷却板164。或者，垫圈(例如，PFP垫圈)可硫化至冷却板164的顶侧。可用于垫圈或O型环240的PFP的范例为杜邦(Dupont)TM的ECCtremeTM、杜邦TM的与大金的DUPRATM。O形环240或垫圈提供静电夹盘组件150内的内部容积与腔室内部容积之间的真空密封。静电夹盘组件150内的内部容积包括底座152内的开放空间，用于路由导管与接线。
冷却板164另外包括多个特征242，紧固件通过特征242插入。若使用垫圈时，垫圈在每一特征242处可具有切口。紧固件延伸通过每一特征242，并且附接至插设至定位盘166中所形成的额外特征中的紧固件的额外部分(或额外的紧固件)。例如，螺栓可延伸通过冷却板164中的特征242，并且旋进到设置于定位盘166的特征中的螺母中。冷却板164中的每一特征242可相对于定位盘166的下定位盘板232中的类似特征(未图标)而排齐。
定位盘166具有类似圆盘的形状，具有环状的周边，环状的周边可实质上匹配于定位在其上的基板144的形状与尺寸。定位盘166的上表面可具有外环216、多个凸台206、210、以及凸台210之间的通道208、212。定位盘166包括上定位盘板230，上定位盘板230通过金属接合而接合至下定位盘板232。在一实施例中，上定位盘板230可由电性绝缘的陶瓷材料来制造。陶瓷材料的合适范例包括氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)等。
在一实施例中，用于下定位盘板232的材料可适当地选择，使得下定位盘板232材料的热膨胀系数(CTE)实质上匹配于电性绝缘的上定位盘板230材料的CTE，以最小化CTE的不匹配，并且避免热机械应力，热机械应力可能在热循环期间损坏定位盘166。在一实施例中，下定位盘板232为钼。在一实施例中，下定位盘板为氧化铝。在一实施例中，下定位盘板为AlN。
在一实施例中，导电金属基质合成物(MMC,metal matrix composite)材料用于下定位盘板232。MMC材料包括金属基质与强化材料，强化材料嵌入并且分散在整个基质中。金属基质可包括单一金属或者两种或多种金属或金属合金。可使用的金属包括(但不限于)铝(Al)、镁(Mg)、钛(Ti)、钴(Co)、钴镍合金(CoNi)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)或其各种组合。强化材料可选择来提供MMC的所需结构强度，且强化材料也可选择来提供MMC的其他特性的所需值，例如，诸如热传导性与CTE。可使用的强化材料的范例包括硅(Si)、碳(C)、或碳化硅(SiC)，但是也可使用其他材料。
用于下定位盘板232的MMC材料较佳地选择来提供所需的导电性，并且在静电夹盘组件150的操作温度范围内实质上匹配于上定位盘板230材料的CTE。在一实施例中，温度范围可以是大约20摄氏度至大约500摄氏度。在一实施例中，使CTE匹配基于选择MMC材料以使得MMC材料包括也使用在上定位盘板230材料中的至少一种材料。在一实施例中，上定位盘板230包括AlN。在一实施例中，MMC材料包括渗透有AlSi合金的SiC多孔主体。
MMC的构成材料与成分的百分比可选择来提供满足所需的设计目标的工程材料。例如，通过适当地选择MCC材料来使下定位盘板232与上定位盘板230的CTE接近匹配，下定位盘板232与上定位盘板230之间的界面处的热机械应力减少。
下定位盘板232可包括许多特征(未图标)，用于接收紧固件。该等特征可跨下定位盘板232的表面大致均匀地分布，并且可包括离下定位盘板232的中心有第一距离的第一组特征，以及离下定位盘板232的中心有第二距离的第二组特征。
附接于定位盘166下方的冷却板164可具有圆盘状的主要部分224以及环形凸缘，环形凸缘从主要部分224向外延伸并且定位在底座152上。在一实施例中，冷却板164可由金属制成，诸如，铝或不锈钢或其他合适的材料。或者，冷却板164可由合成陶瓷来制造，诸如渗透有SiC的铝硅合金或钼，以匹配于定位盘166的热膨胀系数。冷却板164应提供良好的强度与耐用性以及热转移特性。
图3绘示定位盘166的一实施例的剖面顶视图。如同所示，定位盘166具有半径R3，半径R3可以是基本上类似于定位盘166所支撑的基板或晶片的半径。定位盘166另外包括多个特征305。特征可匹配于定位盘166所要安装至的冷却板中的类似特征。每一特征305容纳一紧固件。例如，螺栓(例如，不锈钢螺栓、镀锌钢螺栓等)可放置至每一特征内，使得螺栓的头部在大得足以容纳头部的开孔内部，且螺栓的轴部延伸出定位盘166的底侧。螺栓可紧固至螺母上，螺母放置在冷却板中的对应特征中。或者，特征305可尺寸设定成容纳螺母，并且可包括孔，孔可接收由冷却板中的对应特征所容纳的螺栓的轴部。在另一范例中，螺旋形插入件(例如，)或其他螺纹插入件(例如，压接式插入件、模制式插入件、栓住螺母(captive nut)等)可插入至一个或更多个特征中，以增加螺纹孔至其。放置在冷却板内部并且从冷却板突伸的螺栓然后可旋入螺纹插入件中，以固定冷却板至定位盘。或者，螺纹插入件可使用在冷却板中。
相较于紧固件的尺寸，特征305的尺寸可稍大，以适应紧固件的较大热膨胀系数。在一实施例中，紧固件的尺寸设计成使得当紧固件加热至500或600摄氏度时，紧固件将不会施加力于特征上。
如同所示，多组特征305可包括在定位盘166中。每一组特征305可在离定位盘166的中心的特定半径或距离处均匀地隔开。例如，如同所示，第一组特征305位于半径R1处，且第二组特征305位于半径R2处。额外组的特征也可位于额外的半径处。
在一实施例中，特征布置成在定位盘166上产生均匀的负载。在一实施例中，特征布置成使得大约每30-70平方厘米(例如，每50平方厘米)定位有一螺栓。在一实施例中，三组特征用于12英寸的定位盘166。第一组特征可位于离定位盘166的中心大约4英寸处，并且包括大约4个特征。第二组特征可位于离定位盘166的中心大约6英寸处，并且包括大约6个特征。第三组特征可位于离定位盘166的中心大约8英寸处，并且包括大约8个特征。在一实施例中，定位盘166包括大约8-24个特征，成组地布置在2-3个不同半径处，其中每一特征容纳一紧固件。
图4绘示静电夹盘组件150的一实施例的剖面侧视图。静电夹盘组件150包括定位盘166，定位盘166由上定位盘板230与下定位盘板232构成，上定位盘板230与下定位盘板232通过金属接合450而接合在一起。在一实施例中，扩散接合用作金属接合的方法，但是也可使用其他的接合方法。在一实施例中，上定位盘板230与下定位盘板232包括含有铝的材料(例如，AlN或Al2O3)。金属接合450可包括铝箔的“中间层”，铝箔的“中间层”放置在上定位盘板230与下定位盘板232之间的接合区域中。可施加压力与热，以形成铝箔与上定位盘板230之间以及铝箔与下定位盘板232之间的扩散接合。在另一实施例中，扩散接合可使用其他中间层材料来形成，其他中间层材料基于用于上定位盘板230与下定位盘板232的材料来选择。在另一实施例中，使用直接扩散接合(其中没有使用中间层来形成接合)，上定位盘板230可直接接合至下定位盘板232。
等离子体抗蚀与高温度O形环445可由全氟聚合物(PFP)制成。O形环445可以是PFP，具有无机添加剂，例如SiC。O形环为可更换的。当O形环445劣化时，O形环可移除，且新的O形环可伸展超过上定位盘板230并且放置在上定位盘板230与下定位盘板232之间的界面处的定位盘166的周界处。O形环445可保护金属接合450免于等离子体的侵蚀。
上定位盘板230包括凸台210、通道212与外环216。上定位盘板230包括夹持电极180与一个或更多个加热元件176。夹持电极180耦接至夹紧电源182，并且经由匹配电路188而耦接至RF等离子体电源184与RF偏压电源186。上定位盘板230与下定位盘板232可另外包括气体传送孔(未示出)，气体供应器440通过气体传送孔来泵送背侧气体，诸如He。
上定位盘板230可具有大约3-25mm的厚度。在一实施例中，上定位盘板230具有大约3mm的厚度。夹持电极180可位于离上定位盘板230的上表面大约1mm，且加热元件176可位于夹持电极180之下大约1mm。加热元件176可以是丝网印刷的加热元件，具有大约10-200微米的厚度。或者，加热元件可以是使用上定位盘板230的大约1-3mm厚度的电阻线圈。在此种实施例中，上定位盘板230可具有大约5mm的最小厚度。在一实施例中，下定位盘板232具有大约8-25mm的厚度
加热元件176电连接至用于加热上定位盘板230的加热器电源178。上定位盘板230可包括电性绝缘材料，诸如AlN。下定位盘板232与上定位盘板232可由相同的材料制成。在一实施例中，下定位盘板232由与用于上定位盘板230的材料不同的材料制成。在一实施例中，下定位盘板232包括金属基质合成材料。在一方面中，金属基质合成材料包括铝与硅。在一实施例中，金属基质合成材料为渗透有AlSi合金的SiC多孔主体。
下定位盘板232耦接至且与冷却板164热连通，冷却板164具有与流体源172流体连通的一个或更多个导管170(在此也称为冷却通道)。冷却板164通过多个紧固件405而耦接至定位盘166。紧固件405可以是螺纹紧固件，诸如螺母与螺栓对。如同所示，下定位盘板232包括多个特征430，用于容纳紧固件405。冷却板164同样包括多个特征432，用于容纳紧固件405。在一实施例中，特征为螺栓孔，具有沉孔(counter bore)。如同所示，特征430为延伸通过下定位盘板232的贯穿特征。或者，特征430可不为贯穿特征。在一实施例中，特征430为容纳T形螺栓头部或矩形螺母的槽，T形螺栓头部或矩形螺母可插入至该槽中并且然后旋转90度。在一实施例中，紧固件包括垫圈、石墨(grafoil)、铝箔、其他负载分散材料，以将力从紧固件的头部均匀地分配在特征上。
在一实施例中(如同所示)，PFP O形环410在冷却板164的周界处硫化至(或以其他方式设置在)冷却板。或者，PFP O形环410可硫化至下冷却板232的底侧。紧固件405可收紧，以压缩PFP O形环410。紧固件405可全部利用大约相同的力来收紧，以使定位盘166与冷却板164之间的间隔415在定位盘166与冷却板164之间的整个界面为大约相同的(均匀的)。这可确保冷却板164与定位盘166之间的热转移特性为均匀的。在一实施例中，间隔415为大约2-10密尔。例如，若使用没有石墨层的PFP O形环410，则间隔可以是2-10密尔。若石墨层与PFP O形环410一起使用，则间隔可以是大约10-40密尔。较大的间隔可降低热转移，并且导致定位盘166与冷却板164之间的界面作用为热扼流器。在一实施例中，导电气体可流入间隔415中，以改良定位盘166与冷却板164之间的热转移。
间隔415最小化定位盘166与冷却板164之间的接触面积。另外，通过维持定位盘166与冷却板164之间的热扼流，定位盘166可维持在比冷却板164远远更大的温度。例如，在一些实施例中，定位盘166可加热至180-300摄氏度的温度，同时冷却板164可维持在低于大约120摄氏度的温度。定位盘166与冷却板164在热循环期间可独立自由地膨胀或收缩。
通过限制从加热的定位盘166至冷却的冷却板164的热传导路径，间隔415可作用为热扼流器。在真空环境中，热转移可主要为辐射过程，除非提供有传导媒介。因为定位盘166在基板处理期间可设置于真空环境中，加热元件176所产生的热可较低效率地跨间隔415转移。因此，通过调整间隔和/或影响热转移的其他因素，从定位盘166流至冷却板164的热通量可受到控制。为了提供基板的有效率加热，所需的是，限制从上定位盘板230传导离开的热的量。
在一实施例中(未示出)，石墨层设置在定位盘166与冷却板164之间、PFP O形环410的周界内。石墨可具有大约10-40密尔的厚度。紧固件405可收紧，以压缩石墨层以及PFPO形环410。石墨可以是导热的，并且可改良定位盘166与冷却板164之间的热转移。
在一实施例中(未示出)，冷却板164包括基座部分，PFP O形环410可硫化至基座部分。冷却板164可另外包括弹簧装载的内部热沉，内部热沉通过一个或更多个弹簧而连接至基座部分。弹簧施加力来将内部热沉压抵定位盘166。热沉的表面可具有预定的粗糙度和/或表面特征(例如，凸台)，以控制定位盘166与热沉之间的热转移特性。另外，热沉的材料会影响热转移特性。例如，铝热沉将热转移的效果优于不锈钢热沉。在一实施例中，热沉包括在热沉的上表面上的石墨层。
图5绘示静电夹盘组件505的另一实施例的剖面侧视图。在一实施例中，静电夹盘组件505对应于图1至图2的静电夹盘组件150。静电夹盘组件505包括静电定位盘510，静电定位盘510由上定位盘板515与下定位盘板520构成。在一实施例中，静电定位盘510对应于图3的定位盘166。在一实施例中，上定位盘板515通过金属接合550而接合至下定位盘板520。在一实施例中，扩散接合用作金属接合的方法。但是，也可使用其他的接合方法来产生金属接合。
上定位盘板515包括电性绝缘的(电介质的)陶瓷，例如AlN或Al2O3。上定位盘板515包括夹持电极527与一个或更多个加热元件529。夹持电极527可耦接至夹持电源(未示出)，并且经由匹配电路(未图标)而耦接至RF等离子体电源(未示出)与RF偏压电源(未示出)。加热元件529电连接至用于加热上定位盘板515的加热器电源(未示出)。
上定位盘板515可具有大约3-10mm的厚度。在一实施例中，上定位盘板515具有大约3-5mm的厚度。夹持电极527可位于离上定位盘板515的上表面大约0.3至1mm，且加热元件529可位于夹持电极527下方大约2mm。加热元件529可以是丝网印刷的加热元件，具有大约10-200微米的厚度。或者，加热元件529可以是使用上定位盘板515的大约1-3mm厚度的电阻线圈。在此种实施例中，上定位盘板515可具有大约5mm的最小厚度。
下定位盘板520包括具有与上定位盘板515的热膨胀系数(CTE)类似或匹配的材料。用于下定位盘板520的材料可适当地选择，使得下定位盘板520材料的CTE基本上匹配于电性绝缘的上定位盘板515材料的CTE，以最小化CTE不匹配，并且避免热机械应力，热机械应力可能在热循环期间损坏静电夹盘组件505。因此，若上定位盘板515为AlN，则下定位盘板520也可以是AlN。类似地，若上定位盘板为Al2O3，则下定位盘板520也可以是Al2O3。其他材料也可用于下定位盘板520，例如钼或导电金属基质合成物(MMC)，例如AlSiSiC。
在一实施例中，下定位盘板520具有大约8-25mm的厚度。在进一步的实施例中，下定位盘板520具有大约8-20mm的厚度。在进一步的实施例中，下定位盘板520具有大约12mm的厚度。
在一实施例中，下定位盘板520具有粗糙的外壁，外壁涂覆有等离子体抗蚀陶瓷涂层(未示出)。等离子体抗蚀陶瓷涂层可对应于相关于保护层136所讨论的任何等离子体抗蚀陶瓷涂层。
金属接合550可包括铝箔的“中间层”，铝箔的“中间层”放置在上定位盘板515与下定位盘板520之间的接合区域中。可施加压力与热，以形成铝箔与上定位盘板515之间以及铝箔与下定位盘板520之间的扩散接合。在其他实施例中，扩散接合可使用其他中间层材料来形成，其他中间层材料基于用于上定位盘板515与下定位盘板520的材料来选择。在一实施例中，金属接合550具有0.2-0.3mm的厚度。在一实施例中，使用直接扩散接合(其中没有使用中间层来形成接合)，上定位盘板515可直接接合至下定位盘板520。
上定位盘板515可比下定位盘板520的直径大的直径。在一实施例中，上定位盘板515与下定位盘板520各自具有大约300mm的直径。
冷却板594的边缘可具有的直径类似于上定位盘板515的直径。等离子体抗蚀与高温O形环545可设置于上定位盘板515与冷却板594的基座部分595之间。此O形环545可提供静电夹盘组件505的内部与处理腔室之间的真空密封。O形环545可由全氟聚合物(PFP)制成。在一实施例中，O形环545为PFP，具有无机添加剂，诸如SiC。O形环545为可更换的。当O形环545劣化时，O形环可移除，且新的O形环可伸展超过上定位盘板515并且放置在上定位盘板515与冷却板594之间的界面处的上定位盘板515的周界处。O形环545可保护金属接合550免于等离子体的侵蚀。
冷却板594包括基座部分(也称为冷却基座)595与热沉(例如，内部热沉)536。热沉536可通过一个或更多个弹簧570而耦接至基座部分595，弹簧570操作来将热沉536压靠下定位盘板520。在一实施例中，弹簧570为线圈弹簧。弹簧570施加力来将热沉536压靠静电定位盘510。热沉536可具有一个或更多个导管535(本文中也称为冷却通道)，与流体源(未示出)流体连通。热沉536的表面可具有预定的粗糙度和/或表面特征(例如，凸台)，粗糙度和/或表面特征会影响静电定位盘510与热沉536之间的热转移特性。另外，热沉536的材料会影响热转移特性。例如，铝热沉536将热转移的效果优于不锈钢热沉536。在一实施例中，安装板540设置于冷却板594之下并且耦接至冷却板594。
下定位盘板520可包括多个特征524，用于接收紧固件526。冷却板594可同样包括多个特征528，用于容纳紧固件526。替代地，或额外地，安装板540可包括多个特征，用于接收紧固件。特征528可与特征524竖直地排齐。特征524、528可以是延伸通过下定位盘板520与冷却板594的贯穿特征。或者，特征524、528可不为贯穿特征。在一实施例中，特征524、528为螺栓孔，具有沉孔(counter bore)。在一实施例中，特征524、528为容纳T形螺栓头部或矩形螺母的槽，T形螺栓头部或矩形螺母可插入至该槽中并且然后旋转90度。
在一实施例中，冷却板594通过插入至特征524、528中的多个紧固件526而耦接至静电定位盘510。紧固件526可以是不锈钢、镀锌钢、钼、或其他金属。紧固件526可以是螺纹紧固件，例如螺母与螺栓对。在一实施例中，紧固件526包括垫圈、石墨、铝箔、其他负载分散材料，以将力从紧固件的头部均匀地分配在特征上。在一实施例中，螺旋形插入件(例如，)或其他螺纹插入件(例如，压接式插入件、模制式插入件、固定式螺母等)可插入至特征524中，以增加螺纹孔至其。放置在冷却板594内部(例如，冷却板594的基座部分595中的特征524的内部)并且从冷却板594突伸的螺栓然后可旋入螺纹插入件中，以固定冷却板至定位盘。或者，螺纹插入件可使用在冷却板中。
在一实施例中，固定式螺母、模制式插入件、压接式插入件、或其他螺纹插入件定位于特征524的内部。在进一步的实施例中，在插入至特征524中前，螺纹插入件的至少一部分以铜锌合金焊接。或者，金属箔可放置在螺纹插入件与特征524的表面之间。然后可执行金属接合(例如，扩散接合)程序，以固定螺纹插入件至特征524。这可提供增加的耐久性，以用于组装期间所施加的增加的力。
热沉536和/或冷却板594的基座部分595可吸收来自静电定位盘510的热。在一实施例中(如同所示)，低热传导性的垫圈525设置在热沉536上。低热传导性的垫圈525可以是例如硫化至热沉536(或以其他方式设置在热沉536上)的PFP垫圈。在一实施例中，低热传导性的垫圈具有大约每米开氏度0.2瓦特(W/(m·K))或更低的热传导性。紧固件526可用大约相同的力来收紧，且弹簧570可将热沉536压抵下定位盘板520，以均匀地压缩低热传导性的垫圈525。低热传导性的垫圈525可减少热转移，并且作用为热扼流器。
在一实施例中，石墨层(未示出)设置在低热传导性的垫圈525上。石墨可具有大约10-40密尔的厚度。紧固件526和/或弹簧570可压缩石墨层以及低热传导性的垫圈525。石墨层可以是导热的，并且可改良跨热沉536的横向热转移。
通过维持静电定位盘510与冷却板594之间的热扼流，静电定位盘510可维持在比冷却板594远远较大的温度。例如，在一些实施例中，静电定位盘510可加热至200-300摄氏度的温度，同时冷却板594可维持在低于大约120摄氏度的温度。在一实施例中，静电定位盘510可加热至高达大约250℃的温度，同时维持冷却板594在大约60℃或以下的温度。因此，在实施例中，高达190℃的温差可维持在静电定位盘510与冷却板594之间。静电定位盘510与冷却板594在热循环期间可独立自由地膨胀或收缩。
在一些实施例，可期望的是，在处理期间提供RF信号通过静电定位盘510并且至支撑的基板。在一实施例中，为了促进此种RF信号传输通过静电定位盘510，将导电垫圈(称为RF垫圈590)设置在冷却板594的基座部分595上。RF垫圈可具有导电性为10-3欧姆·米的量级或更佳，并且可在高达大约300摄氏度的温度保持弹簧作用。在一实施例中，RF垫圈为涂覆在金、铜或银中的因科内尔合金(Inconel)(含有铬与铁的镍合金)。RF垫圈590可将冷却板594的基座部分595电连接至下定位盘板520。
在下定位盘板520具有低导电性的实施例中(例如，若下定位盘板520为AlN或Al2O3)，可在下定位盘板520中的下定位盘板520将接触于RF垫圈的地方钻孔。孔然后可填充有高导电性的材料，例如金属(例如，具有10-3欧姆·米的量级或更佳的导电性的金属棒)。例如，孔可填充有铝、钨、铜、镍、钼、银、金等。因此，导电路径522可形成在下定位盘板520中，以电连接RF信号至金属接合550。在一实施例中，导电垫形成于导电路径522周围的下定位盘板520的表面处。这可确保至金属接合550与RF垫圈590的良好电性接触。在一实施例中，在针对导电路径522所形成的孔的中心上的下定位盘板520中钻出浅凹槽。浅凹槽也可填充有金属或其他导电材料。在例示的范例中，RF垫圈590与导电路径522在热沉536的外侧上(例如，在离静电夹盘组件505的中心的较远距离处，相较于热沉536来说)。或者，RF垫圈590与导电路径522可形成于静电夹盘组件505的中心附近。
在一实施例中，金属接合550与RF垫圈590之间的导电路径是通过利用金属层来涂覆下定位盘板520的外壁而形成。金属层可以是铝、铜、金、银、其合金、或其他金属。下定位盘板520的顶部与底部也可在靠近外壁处涂覆有金属层，以确保良好的电性接触。在此种实施例中，RF垫圈590可定位在下定位盘板520的外壁附近。
在另一实施例中，金属接合550与RF垫圈590之间的导电路径是通过利用金属层来涂覆下定位盘板520中的中心孔的壁部而形成。金属层可以是铝、铜、金、银、其合金、或其他金属。下定位盘板520的顶部与底部也可在靠近外壁处涂覆有金属层，以确保良好的电性接触。在此种实施例中，RF垫圈590可定位在下定位盘板520的中心附近。
在一实施例中，热间隔物585设置在冷却板594的基座部分595上(例如，相邻于RF垫圈590)。热间隔物585可用来确保冷却板595的基座部分594将不会接触于下定位盘板520。在一实施例中，O形环580设置相邻于热间隔物585。在一实施例中，O形环580可以是PFPO形环。O形环580可用于促进真空密封。
在一实施例中，一个或更多个气体孔532、542钻入冷却板594、下定位盘板520与上定位盘板515中。气体孔532、542可用于传送背侧气体(例如，氦)至夹紧的基板的背侧。在一实施例中，上定位盘板515包括终止于多孔插塞534处的气体孔532。气体孔532可以是通孔，钻有较大直径的沉孔，以允许多孔插塞534插设至较大直径的孔中。多孔插塞534可以是多孔陶瓷，诸如AlN或Al2O3。多孔插塞534可防止电弧和/或可防止等离子体产生在静电定位盘505内。多孔插塞可具有在任何地方处的大约30％至大约60％之间的多孔性。
在一实施例中，热沉536包括孔，且冷却板594的基座部分595包括突伸部544，突伸部544延伸通过热沉536中的孔。孔542可钻入突伸部544中(例如，至突伸部544的中心中)。在一实施例中，O形环538设置在突伸部544的顶部上。紧固件526在收紧时可压缩O形环538。O形环538可以是与O形环545和/或O形环580相同类型的O形环。
图6例示用于制造静电夹盘组件的处理600的一实施例。在处理600的框605，将特征形成于下定位盘板中。下定位盘板可以是AlSiSiC板、AlN板、Al2O3板、或钼板。形成于下定位盘板中的特征可包括用于容纳紧固件的特征。另外，一个或更多个气体孔可钻入下定位盘板中。另外，一个或更多个其他的孔可钻入下定位盘板中并且填充有金属棒或其他导电材料，以提供用于RF信号的导电路径。在一实施例中，浅孔钻在下定位盘板中的一个或更多个其他的孔的两端并且填充有金属或其他导电材料。上定位盘板也可处理成形成一个或更多个气体传送孔。在一实施例中，上定位盘板中的气体传送孔是钻有沉孔的，且沉孔填充有多孔插塞。
在框610，下定位盘板是金属接合至上定位盘板，以形成定位盘。上定位盘板可以是电性绝缘的材料(电介质)，具有嵌入的加热元件与夹持电极。在一实施例中，金属接合通过将Al或AlSi合金的金属箔放置于上定位盘板与下定位盘板之间而形成。在一实施例中，金属箔可以是大约50微米厚。可施加压力与热，以形成金属箔、上定位盘板与下定位盘板之间的扩散接合。
在一实施例中，在将上定位盘板接合至下定位盘板前，将螺纹插入件放置至形成于下定位盘板中的特征中。在一实施例中，螺纹插入件以铜锌合金焊接。在另一实施例中，在将螺纹插入件放置至特征中前，将金属箔放置至特征中。在金属接合的处理期间，螺纹插入件可通过金属接合而接合至下定位盘板。
在框615，PFP垫圈或O形环设置在冷却板的顶侧上。在一实施例中，PFP垫圈或O形环硫化至冷却板的顶侧。冷却板可以是例如铝或铝合金冷却板，具有多个通道来流动冷却流体。冷却板也可具有特征形成在其中。冷却板中的特征与下定位盘板中的特征可各自容纳紧固件(例如，螺栓和/或螺母)。在一实施例中，冷却板包括基座部分与热沉。PFP垫圈可设置在热沉上，且在一些实施例中，特征可形成在基座部分中。在一实施例中，石墨层形成在PFP垫圈的上。
在框620，紧固件插设至下定位盘板和/或冷却板中的特征中。在一实施例中，在将下定位盘板接合至上定位盘板前，将紧固件(或紧固件的至少一部分)插设至下定位盘板中。在此种实施例中，紧固件可永久嵌入至定位盘中。在框625，通过将紧固件收紧(例如，通过将从下定位盘板中的特征突伸的螺栓螺入位于冷却板中的特征中的螺母中)，将定位盘耦接至冷却板。
前面的叙述提出许多具体细节，例如具体的系统、组件、方法等的范例，以提供对于本发明的数个实施例的良好了解。但是，对于本领域技术人员将是显而易见的，没有这些具体细节也可实施本发明的至少一些实施例。在其他示例中，熟知的组件或方法并未详细叙述或以简单的框图格式呈现，以避免不必要地模糊本发明。因此，提出的具体细节仅为范例性的。特定的实施可从这些范例性细节变化，且仍然理解为是在本发明的范围内。
本说明书通篇所指的“一实施例”或“一个实施例”是指相关于该实施例所述的特定特征、结构、或特性包括在至少一实施例中。因此，本说明书通篇各个地方出现的用词“在一实施例中”或“在一个实施例中”不需要都是指相同实施例。另外，用语“或”打算指的是包容性的“或”而非排他性的“或”。当用语“大约”或“近似”在本文中使用时，打算指的是：所表示的标称值为±10％的精确。
虽然本文的方法的操作以特定的顺序来绘示且叙述，每一方法的操作的顺序可改变，使得某些操作可以以相反之顺序执行，或者使得某些操作可至少部分地与其他操作同时执行。在另一实施例中，不同操作的指令或子操作可以是断断续续的和/或交替的方式。在一实施例中，多个金属接合操作执行为单一步骤。
应理解到，上面的叙述意在为示例性的，而非限制性的。在阅读与理解上述说明后，许多其他实施例对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，本发明的范围应参见所附的权利要求书以及此权利要求书所赋予的均等物的全部范围来决定。

Claims (15)

1.一种静电夹盘组件，包括：
定位盘，所述定位盘包括：
电性绝缘的上定位盘板，所述上定位盘板包括一个或更多个加热元件以及一个或更多个电极，以用于静电地固定基板；及
下定位盘板，所述下定位盘板通过金属接合而接合至所述上定位盘板，所述下定位盘板包括多个特征，所述多个特征在距离所述下定位盘板的中心的多个不同的距离处分布在所述下定位盘板上，其中所述多个特征中的每一者容纳多个紧固件中的一者；及
冷却板，所述冷却板通过所述多个紧固件而耦接至所述下定位盘板，其中所述多个紧固件各自施加大致相等的紧固力，以将所述冷却板耦接至所述下定位盘板。
2.如权利要求1所述的静电夹盘组件，进一步包括：
全氟聚合物(PFP)垫圈，所述PFP垫圈设置于所述冷却板的至少一部分的顶侧上，其中所述PFP垫圈用作所述冷却板与所述下定位盘板之间的热扼流器。
3.如权利要求2所述的静电夹盘组件，其中所述PFP垫圈硫化至所述冷却板的所述至少一部分的所述顶侧。
4.如权利要求2所述的静电夹盘组件，进一步包括：
石墨层，所述石墨层在所述PFP垫圈上。
5.如权利要求2所述的静电夹盘组件，其中所述冷却板包括：
基座部分；及
弹簧装载的热沉，所述热沉通过多个弹簧而连接至所述基座部分，其中所述PFP垫圈设置于所述热沉上，且其中所述多个弹簧施加力以将所述热沉压靠所述定位盘。
6.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中所述多个紧固件包括多个螺纹紧固件，且所述多个特征包括多个开孔，所述多个开孔用于接收所述多个螺纹紧固件。
7.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中所述一个或更多个加热元件将所述基板加热至超过180℃的温度，其中当所述基板加热至超过180℃的温度时，所述冷却板维持在低于120℃的温度，且其中所述定位盘与所述冷却板之间的界面用作所述定位盘与所述冷却板之间的热扼流器。
8.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中所述多个特征大致均匀地分布在所述下定位盘板上。
9.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中所述多个特征间隔开大约30-70平方厘米。
10.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中所述上定位盘板包括AlN，且所述下定位盘板包括下述各项中的一者：a)钼或b)渗透有AlSi合金的SiC多孔主体。
11.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中所述上定位盘板包括Al2O3，且所述下定位盘板包括Al2O3。
12.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中所述上定位盘板包括AlN，且所述下定位盘板包括AlN。
13.如权利要求1所述的静电夹盘组件，进一步包括：
在所述下定位盘板中的导电路径，所述导电路径包括填充有导电材料的孔；及
在所述下定位盘板与所述冷却板之间的导电垫圈，其中所述导电垫圈接触所述导电路径。
14.一种方法，包括下述步骤：
在下定位盘板中形成多个特征；
利用金属接合将所述下定位盘板接合至上定位盘板，以形成定位盘，所述上定位盘板包括一个或更多个加热元件与一个或更多个电极，以用于静电地固定基板；
将全氟聚合物(PFP)垫圈或PFP O形环中的至少一者设置到冷却板的至少一部分的顶侧；
将多个紧固件中的一者插入到形成于所述下定位盘板中的多个特征中的每一者中；及
通过收紧所述多个紧固件，将所述冷却板耦接至所述定位盘，其中所述多个紧固件大致相等地收紧，以施加大致相等的紧固力，以便将所述冷却板耦接至所述定位盘。
15.如权利要求14所述的方法，进一步包括下述步骤：
在所述PFP垫圈上设置石墨层。
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