TWI827892B - 靜電吸盤裝置及包括該靜電吸盤裝置的等離子體處理裝置 - Google Patents
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- TWI827892B TWI827892B TW109139192A TW109139192A TWI827892B TW I827892 B TWI827892 B TW I827892B TW 109139192 A TW109139192 A TW 109139192A TW 109139192 A TW109139192 A TW 109139192A TW I827892 B TWI827892 B TW I827892B
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明涉及一種靜電吸盤(electrostatic chuck，ESC)裝置，其包括靜電吸盤及基座。靜電吸盤的上表面用以吸附晶圓。基座的上表面與靜電吸盤的下表面連結，靜電吸盤中具有貫通靜電吸盤的冷卻氣體孔，基座具有與冷卻氣體孔相對應的冷卻通道，在冷卻通道的靠近冷卻氣體孔的一端設置多孔塞，多孔塞的靠近冷卻氣體孔的一側設置第一凹部，聚合物材料填充第一凹部及黏合多孔塞和冷卻通道的內壁。本發明透過在冷卻氣體孔對應基座的側壁所形成凹部填充聚合物材料，以實現極大地提高短期製造可靠性和長期化學侵蝕的可靠性，從而防止冷卻氣體孔和/或容納升降銷的通孔過早產生電壓擊穿現象。
Description
本發明涉及半導體領域的裝置，特別涉及一種用以吸附晶圓的靜電吸盤裝置以及包括該靜電吸盤裝置的等離子體處理裝置。
在半導體製造過程中，多以靜電吸盤(electrostatic chuck，ESC)裝置作為支撐和吸附晶圓等工件的媒介，因此靜電吸盤裝置的品質及壽命極為重要。
ESC裝置是反應離子蝕刻機中最關鍵的部件之一。該技術的進步需要更高的功率、更高的偏置電壓和/或更高的溫度。這些不斷增加的苛刻條件將增加引發點燃等離子體、電壓擊穿或電弧放電的可能性，這將導致ESC裝置的損壞，甚至可能會產生該部件的災難性故障。而，為了防止電弧放電，現今已應用了各種方法來減少在ESC裝置中點燃等離子體的可能性，並且在仍可能點燃等離子體的情況下也增強了對擊穿電壓的抵抗力。
其中，氦氣孔和容納升降銷的通孔是ESC裝置中的兩個關鍵區域。由於潛在的暴露金屬接地路徑或弱擊穿電阻，氦氣孔和容納升降銷的通孔的孔壁以及ESC裝置中的ESC和基座之間結合處易受等離子點燃和電壓擊穿的影響。對於這些孔，可以應用氧化鋁塗層和多孔陶瓷以避免大空腔，並且覆蓋非介電的金屬ESC基座以防止電壓擊穿。
然，由於製造精度或缺陷限制(例如等離子噴塗氧化鋁塗層上的缺陷，或是反復的熱膨脹和溫度迴圈後的收縮引起的氧化鋁塗層處的微裂紋)，以及長時間使用後，對材料產生侵蝕，導致上述所提到的方式仍無法有效解決現有問題。
本發明的目的在於提供一種靜電吸盤(electrostatic chuck，ESC)裝置，用以解決前述背景技術中所面臨的問題。
為了達到上述目的，本發明的第一技術方案是提供一種靜電吸盤裝置，包括靜電吸盤及基座。靜電吸盤具有上表面和下表面，靜電吸盤的上表面用以吸附晶圓。基座的上表面與靜電吸盤的下表面連結，靜電吸盤中具有貫通靜電吸盤的冷卻氣體孔，基座具有與冷卻氣體孔相對應的冷卻通道，在冷卻通道的靠近冷卻氣體孔的一端設置多孔塞，多孔塞的靠近冷卻氣體孔的一側具有第一凹部，使得多孔塞與冷卻通道的內壁形成間隙，第一凹部填充聚合物材料，聚合物材料與多孔塞和冷卻通道的內壁黏合。
較佳地，基座對應靜電吸盤的一面可具有氧化鋁塗層，聚合物材料與多孔塞、冷卻通道的內壁以及氧化鋁塗層的側面黏合。
較佳地，靜電吸盤與基座之間可透過矽系樹脂連結。
較佳地，聚合物材料可為丙烯酸系樹脂材料、矽系樹脂材料或環氧系樹脂材料。
較佳地，第一凹部具有上端部分和下端部分，下端部分的截面面積小於上端部分的截面面積。
為了達到上述目的，本發明的第二技術方案是提供一種靜電吸盤裝置，包括靜電吸盤及基座。靜電吸盤具有上表面和下表面，靜電吸盤的上表面用以吸附晶圓。基座的上表面與靜電吸盤的下表面連結，靜電吸盤中具有貫通靜電吸盤的冷卻氣體孔，基座具有與冷卻氣體孔相對應的冷卻通道，在冷卻通道的靠近冷卻氣體孔的一端設置多孔塞，冷卻通道的靠近冷卻氣體孔的一端具有第二凹部，第二凹部填充有聚合物材料，聚合物材料與多孔塞以及冷卻通道的第二凹部的內壁黏合。
為了達到上述目的，本發明的第三技術方案是提供一種靜電吸盤裝置，包括靜電吸盤及基座。靜電吸盤具有上表面和下表面，靜電吸盤的上表面用以吸附晶圓。基座的上表面與靜電吸盤的下表面連結，靜電吸盤具有貫通靜電吸盤的第一通孔，基座具有連通第一通孔的第二通孔，在第二通孔中設置護套，護套的靠近第一通孔的一側具有第三凹部，使得護套與第二通孔的內壁形成間隙，第三凹部填充有聚合物材料，聚合物材料與護套和第二通孔的內壁黏合。
較佳地，基座對應靜電吸盤的一面具有氧化鋁塗層，聚合物材料與護套、第二通孔的內壁黏合以及氧化鋁塗層的側面黏合。
較佳地，靜電吸盤與基座之間透過矽系樹脂連結。
較佳地，聚合物材料為丙烯酸系樹脂材料、矽系樹脂材料或環氧系樹脂材料。
較佳地，第三凹部具有上端部分和下端部分，下端部分的截面面積小於上端部分的截面面積。
較佳地，在第一通孔和第二通孔中設置有升降銷。
為了達到上述目的，本發明的第四技術方案是提供一種靜電吸盤裝置，包括靜電吸盤及基座。靜電吸盤具有上表面和下表面，靜電吸盤的上表面用以吸附晶圓。基座的上表面與靜電吸盤的下表面連結，該靜電吸盤具有貫通該靜電吸盤的第一通孔，該基座具有連通該第一通孔的第二通孔，在第二通孔中設置護套，第二通孔的靠近第一通孔的一端具有第四凹部，該第四凹部填充有聚合物材料，該聚合物材料與護套以及第二通孔的第四凹部的內壁黏合。
本發明的第五技術方案是提供一種等離子體處理裝置，其包括：真空反應腔；進氣裝置，該進氣裝置設置在該真空反應腔的頂部，用於向該真空反應腔內提供反應氣體；以及如上述的靜電吸盤裝置。
與現有技術相比，本發明透過在冷卻氣體孔和/或容納升降銷的通孔對應基座的側壁所形成凹部填充聚合物材料，以實現極大地提高短期製造可靠性和長期化學侵蝕可靠性，從而達到防止冷卻氣體孔和/或容納升降銷的通孔過早產生電壓擊穿(voltage breakdown)現象的目的。
100:靜電吸盤裝置
101:聚合物材料
110:靜電吸盤
120:基座
121:氧化鋁塗層
122:矽系樹脂
130:冷卻氣體孔
131:第一凹部
132:凹部
133:第二凹部
140:第一通孔
150:多孔塞
160:冷卻通道
170:第二通孔
171:第三凹部
172:凹部
173:第四凹部
180:護套
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的圖式作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的圖式僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域之通常知識者來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些圖式獲得其他的圖式。
圖1是本發明的靜電吸盤裝置的第一實施例的剖面圖；圖2是本發明的靜電吸盤裝置的第二實施例的剖面圖；圖3是本發明的靜電吸盤裝置的第三實施例的剖面圖；圖4是本發明的靜電吸盤裝置的第四實施例的剖面圖；
圖5是本發明的靜電吸盤裝置的第五實施例的剖面圖；圖6是本發明的靜電吸盤裝置的第六實施例的剖面圖；圖7是本發明的靜電吸盤裝置的第七實施例的剖面圖；圖8是本發明的靜電吸盤裝置的第八實施例的剖面圖。
為利瞭解本發明的特徵、內容與優點及其所能達成的功效，茲將本發明配合圖式，並以實施方式的表達形式詳細說明如下，而其中所使用的圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書的用途，未必為本發明實施後的真實比例與精准配置，故不應就所附的附圖式的比例與配置關係解讀、局限本發明於實際實施上的申請專利範圍。
第一實施例
請參閱圖1，其為本發明的靜電吸盤裝置的第一實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第一實施例是提供一種靜電吸盤(electrostatic chuck，ESC)裝置100，靜電吸盤裝置100包括了靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤110的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的冷卻氣體孔130，基座120具有與冷卻氣體孔130相對應的冷卻通道160，在冷卻通道160的靠近冷卻氣體孔130的一端設置多孔塞150，多孔塞150的靠近冷卻氣體孔130一側設置第一凹部131以與冷卻通道160的內壁形成間隙，在第一凹部131中填充聚合物材料101，聚合物材料黏合多孔塞150和冷卻通道160的內壁。其中，本實施例的第一凹部131為垂直多孔塞150的溝槽。
如圖1所示，在多孔塞150的第一凹部131內設置聚合物材料101，其與冷卻通道160的內壁黏合，能有效地保護冷卻通道160的內壁和基座120與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。
上述的靜電吸盤110較佳為具有耐熱性的陶瓷所構成，陶瓷可選自氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、氧化鋯(ZrO2)、賽隆(Sialon)、氮化硼(BN)、碳化矽(SiC)的1種所構成的陶瓷，或是含有2種以上的複合陶瓷。
進一步，靜電吸盤110的上表面側為載置晶圓的靜電吸附面，故較佳為選擇介電常數高的材質，且為相對於靜電吸附的晶圓不會成為雜質。
上述的冷卻氣體孔130的數量可為複數個，而基座120中具有對應冷卻氣體孔130的冷卻氣體通道，冷卻氣體通道連通冷卻氣體孔130並連接冷卻氣體供應端。
進一步地，從基座120側朝向載置於靜電吸盤110上的晶圓供給冷卻用氣體，並將晶圓冷卻至既定溫度並保持該溫度；例如，將晶圓保持在足夠低的溫度以防止光阻燃燒。其中，冷卻用氣體即為熱傳導氣體，較佳地為氦(Helium)。
而，在傳送冷卻用氣體的過程中可以控制傳送的壓力以增進靜電吸盤110與晶圓間的熱傳遞。
另一方面，靜電吸盤110與晶圓之間的縫隙可透過冷卻氣體孔130輸出冷卻氣體而予以填充，以增進靜電吸盤110與晶圓間的熱傳遞。
進一步地，冷卻氣體孔130的孔壁可具有絕緣層，從而達到隔熱狀態，進而靜電吸盤110及基座120不易受到冷卻用氣體的溫度的影響。
更詳細地說，基座120對應靜電吸盤的一面需減少與等離子體接觸，進而需要形成絕緣膜，較佳地可具有氧化鋁塗層121。在具有氧化鋁塗層121的情況下，聚合物材料101與多孔塞150、冷卻通道160的內壁以及氧化鋁塗層121的側面黏合。因此，聚合物材料101能進一步保護氧化鋁塗層121免受電弧放電的破壞。
而，靜電吸盤110與基座120之間的黏合較佳以相對於等離子體或自由基具有耐久性且具有可撓性的有機系樹脂，就有機系樹脂而言，較佳為透過加熱使液狀樹脂硬化的硬化性樹脂。
進一步地，就該硬化性樹脂而言，可列舉丙烯酸系樹脂、矽系樹脂、環氧系樹脂等。尤其當使用氧系等離子體時，較佳為相對於氧系等離子體具有耐等離子體性的矽系樹脂。
而，該矽系樹脂為耐熱性及彈性良好的樹脂，且具有矽氧烷鍵(Si至O至Si)的矽化合物。靜電吸盤110與基座120之間較佳為透過矽系樹脂122進行連結。
進一步地，冷卻氣體孔130中對應基座120可設置介電元件，其較佳由介電常數低的材料所組成，例如：塑膠(例如：聚二醚酮)或陶瓷(例如：氧化鋁)。
而，聚合物材料101可為丙烯酸系樹脂材料、矽系樹脂材料或環氧系樹脂材料。尤其當使用氧系等離子體時，較佳相對於氧系等離子體具有耐電漿性地矽的樹脂。
第二實施例
請參閱圖2，其為本發明的靜電吸盤裝置的第二實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第二實施例是提供一種靜電吸盤裝置100，包括靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤110的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的冷卻氣體孔130，基座120具有與冷卻氣體孔130相對應的冷卻通道160，在冷卻通道160的靠近冷卻氣體孔130的一端設置多孔塞150，多孔塞150的靠近冷卻氣體孔130一側設置第一凹部131以與冷卻通道160的內壁形成間隙，在第一凹部131填充聚合物材料101，聚合物材料黏合多孔塞150和冷卻通道160的內壁。其中，本實施例的第一凹部131為垂直多孔塞150的溝槽，且相鄰第一凹部131形成另一個凹部132，凹部132同樣填充聚合物材料101。
如圖2所示，在多孔塞150的第一凹部131及凹部132內設置聚合物材料101，其與冷卻通道160的內壁及靜電吸盤110的側面黏合，能有效地保護冷卻通道160的內壁和基座120與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。
第三實施例
請參閱圖3，其為本發明的靜電吸盤裝置的第三實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第三實施例是提供一種靜電吸盤裝置100，包括靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤110的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的冷卻氣體孔130，基座120具有與冷卻氣體孔130相對應的
冷卻通道160，在冷卻通道的靠近冷卻氣體孔130的一端設置多孔塞150，多孔塞150的靠近冷卻氣體孔130一側設置第一凹部131以與冷卻通道的內壁形成間隙，第一凹部131填充聚合物材料101，聚合物材料黏合多孔塞150和冷卻通道160的內壁。其中，本實施例的第一凹部131為垂直多孔塞150的溝槽，第一凹部131的下端截面面積小於上端截面面積。
如圖3所示，在多孔塞150的第一凹部131內設置聚合物材料101，其與冷卻通道160的內壁黏合，能有效地保護冷卻通道160的內壁和基座120與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。
第四實施例
請參閱圖4，其為本發明的靜電吸盤裝置的第四實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第四實施例是提供一種靜電吸盤裝置100，包括靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤110的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的冷卻氣體孔130，基座120具有與冷卻氣體孔130相對應的冷卻通道160，在冷卻通道160的靠近冷卻氣體孔130的一端設置多孔塞150，冷卻通道160的靠近冷卻氣體孔130一側設置第二凹部133以與冷卻通道160的內壁形成間隙，在第二凹部133中填充聚合物材料101，聚合物材料黏合多孔塞150和冷卻通道160的內壁。其中，本實施例的第二凹部133為垂直多孔塞150的溝槽。
如圖4所示，在冷卻通道160的第二凹部133內設置聚合物材料101，其與冷卻通道160的內壁黏合，能有效地保護冷卻通道160的內壁和基座120
與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。
第五實施例
請參閱圖5，其為本發明的靜電吸盤裝置的第五實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第五實施例是提供一種靜電吸盤裝置100，包括靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤110的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的第一通孔140，具有連通第一通孔140的第二通孔170，在第二通孔170中設置護套180，護套180的靠近第一通孔140的一側具有第三凹部171，使得護套180與第二通孔170的內壁形成間隙，第三凹部171填充有聚合物材料101，聚合物材料101與護套180和第二通孔170的內壁黏合。其中，本實施例的第三凹部171為垂直護套180的溝槽，且在第一通孔140和第二通孔170中設置有升降銷。
如圖5所示，在護套180的第三凹部171內設置聚合物材料101，其與第二通孔170的內壁黏合，能有效地保護第二通孔170的內壁和基座120與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。
上述的靜電吸盤110較佳為具有耐熱性的陶瓷所構成，陶瓷可選自氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、氧化鋯(ZrO2)、賽隆(Sialon)、氮化硼(BN)、碳化矽(SiC)的1種所構成的陶瓷，或是含有2種以上的複合陶瓷。
進一步靜電吸盤110的上表面側為載置晶圓的靜電吸附面，故較佳為選擇介電常數高的材質，且為相對於靜電吸附的晶圓不會成為雜質。
上述的第一通孔140的數量可為複數個，而基座120中對應第一通孔140可具有第二通孔170。第一通孔140和第二通孔170貫通連接，其中設置有升降銷用於抬升或降低靜電吸盤110上方的基片，即第一通孔140和第二通孔170中容納有升降銷。
更詳細地說，基座120對應靜電吸盤110的一面需減少與等離子體接觸，進而需要形成絕緣膜，較佳地可具有氧化鋁塗層121。在具有氧化鋁塗層121的情況下，聚合物材料101與護套180、第二通孔170的內壁以及氧化鋁塗層121的側面黏合。因此，聚合物材料101能進一步保護氧化鋁塗層121免受電弧放電的破壞。
而，靜電吸盤110與基座120之間的黏合較佳以相對於等離子體或自由基具有耐久性且具有可撓性的有機系樹脂，就有機系樹脂而言，較佳為透過加熱使液狀樹脂硬化的硬化性樹脂。
進一步地，就該硬化性樹脂而言，可列舉丙烯酸系樹脂、矽系樹脂、環氧系樹脂等。尤其當使用氧系電漿時，較佳為相對於氧系電漿具有耐電漿性的矽系樹脂。
而，該矽系樹脂為耐熱性及彈性佳的樹脂，且具有矽氧烷鍵(Si至O至Si)的矽化合物。靜電吸盤110與基座120之間較佳為透過矽系樹脂122進行連結。
而，護套180是介電元件，其較佳由介電常數低的材料所組成，例如：塑膠(例如：聚二醚酮)或陶瓷(例如：氧化鋁)。
而，聚合物材料101可為丙烯酸系樹脂材料、矽系樹脂材料或環氧系樹脂材料。尤其當使用氧系等離子體時，較佳相對於氧系電漿具有耐電漿性地矽系樹脂。
第六實施例
請參閱圖6，其為本發明的靜電吸盤裝置的第六實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第六實施例是提供一種靜電吸盤裝置100，包括靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的第一通孔140，具有連通第一通孔140的第二通孔170，在第二通孔170中設置護套180，護套180的靠近第一通孔140的一側具有第三凹部171，使得護套180與第二通孔170的內壁形成間隙，第三凹部171填充有聚合物材料101，聚合物材料101與護套180和第二通孔170的內壁黏合。其中，本實施例的第三凹部171為垂直護套180的溝槽，且相鄰第三凹部171形成另一個凹部172，凹部172同樣填充聚合物材料101。
如圖6所示，在護套180的第三凹部171及凹部172內設置聚合物材料101，其與第二通孔170的內壁及靜電吸盤110的側面黏合，能有效地保護第二通孔170的內壁和基座120與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。
第七實施例
請參閱圖7，其為本發明的靜電吸盤裝置的第七實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第七實施例是提供一種靜電吸盤裝置100，包括靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的第一通孔140，具有連通第一通孔140的第二通孔170，在第二通孔170中設置護套180，護套180的靠近第一通孔140的一側具有第三凹部171，使得護套180與第二通孔170的內壁形成間隙，第三凹部171填充有聚合物材料101，聚合物材料101與護套180和第二通孔170的內壁黏合。其中，本實施例的第三凹部171為垂直護套180的溝槽，第三凹部171的下端截面面積小於上端截面面積。
如圖7所示，在護套180的第三凹部171內設置聚合物材料101，其與第二通孔170的內壁黏合，能有效地保護第二通孔170的內壁和基座120與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。
第八實施例
請參閱圖8，其為本發明的靜電吸盤裝置的第八實施例的剖面圖。如圖所示，本發明的第八實施例是提供一種靜電吸盤裝置100，包括靜電吸盤110及基座120。
而，靜電吸盤110具有上表面和下表面，靜電吸盤110的上表面用以吸附晶圓。基座120的上表面與靜電吸盤110的下表面連結，靜電吸盤110中具有貫通靜電吸盤110的第一通孔140，具有連通第一通孔140的第二通孔170，在第二通孔170中設置護套180，第二通孔170的靠近第一通孔140的一側具有第四
凹部173，使得護套180與第二通孔170的內壁形成間隙，第四凹部173填充有聚合物材料101，聚合物材料101與護套180和第二通孔170的內壁黏合。其中，本實施例的第四凹部173為垂直護套180的溝槽。
如圖8所示，在第二通孔170的第四凹部173內設置聚合物材料101，其與第二通孔170的內壁黏合，能有效地保護第二通孔170的內壁和基座120與靜電吸盤110之間的結合處，防止這些區域受到電弧放電以及等離子體腐蝕的影響。與現有技術相比，本發明透過在冷卻氣體孔130和/或第一通孔140對應基座120的側壁所形成凹部填充聚合物材料101，以實現極大地提高短期製造可靠性和長期化學侵蝕可靠性，從而達到防止冷卻氣體孔130和/或第一通孔140過早產生電壓擊穿現象的目的。
本發明為ESC中的冷卻孔和容納升降銷的通孔提供額外的增強保護，防止電壓擊穿。透過這種設計結構，符合機械要求和符合化學要求的矽膠粘接材料將完全覆蓋孔邊緣。這將大大提高短期製造可靠性和長期化學侵蝕的可靠性，防止產生電壓擊穿的現象。
本申請的實施例還提供一種等離子體處理裝置，包括：真空反應腔；進氣裝置，該進氣裝置設置在該真空反應腔的頂部，用於向該真空反應腔內提供反應氣體；以及前述的靜電吸盤裝置。靜電吸盤裝置可以參考以上實施例的描述，在此不做贅述。可以理解的是，當等離子體處理裝置進行基片處理時，該靜電吸盤裝置能有效抵抗在冷卻通道以及容納升降銷的通孔中產生的電壓擊穿或電弧放電。
儘管本發明的內容已經透過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域之具有通常知識
者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
綜上所陳，本案無論就目的、手段與功效，在在顯示其迥異於習知之技術特徵，且其首先發明合於實用，亦在在符合發明之專利要件，懇請 貴審查委員明察，並祈早日賜予專利，俾嘉惠社會，實感德便。
100:靜電吸盤裝置
101:聚合物材料
110:靜電吸盤
120:基座
121:氧化鋁塗層
122:矽系樹脂
130:冷卻氣體孔
131:第一凹部
150:多孔塞
160:冷卻通道
Claims (15)
- 一種靜電吸盤裝置，其包括：一靜電吸盤，其具有上表面和下表面，該靜電吸盤的上表面用以吸附一晶圓；以及一基座，該基座的上表面與該靜電吸盤的下表面連結，該靜電吸盤中具有貫通該靜電吸盤的一冷卻氣體孔，該基座具有與該冷卻氣體孔相對應的一冷卻通道，在該冷卻通道的靠近該冷卻氣體孔的一端設置一多孔塞，該多孔塞的靠近該冷卻氣體孔的一側具有一第一凹部，使得該多孔塞與該冷卻通道的內壁形成間隙，該第一凹部填充有一聚合物材料；該基座對應該靜電吸盤的一面具有一絕緣膜，該聚合物材料與該多孔塞和該冷卻通道的內壁以及該絕緣膜的側面黏合；該靜電吸盤與該基座之間透過一有機系樹脂連結。
- 如請求項1所述的靜電吸盤裝置，其中，該絕緣膜為一氧化鋁塗層。
- 如請求項1所述的靜電吸盤裝置，其中，該有機系樹脂為一矽系樹脂。
- 如請求項1所述的靜電吸盤裝置，其中，該聚合物材料為丙烯酸系樹脂材料、矽系樹脂材料或環氧系樹脂材料。
- 如請求項1所述的靜電吸盤裝置，其中，該第一凹部具有一上端部分和一下端部分，該下端部分的截面面積小於該上端部分的截面面積。
- 一種靜電吸盤裝置，其包括：一靜電吸盤，具有上表面和下表面，該靜電吸盤的上表面用以吸附一晶圓；以及 一基座，該基座的上表面與該靜電吸盤的下表面連結，該靜電吸盤中具有貫通該靜電吸盤的一冷卻氣體孔，該基座具有與該冷卻氣體孔相對應的一冷卻通道，在該冷卻通道的靠近該冷卻氣體孔的一端設置一多孔塞，該冷卻通道的靠近該冷卻氣體孔的一端具有一第二凹部，該第二凹部填充有一聚合物材料，該聚合物材料與該多孔塞以及該冷卻通道的該第二凹部的內壁黏合；該基座對應該靜電吸盤的一面具有一絕緣膜，該聚合物材料與該絕緣膜的側面黏合；該靜電吸盤與該基座之間透過一有機系樹脂連結。
- 一種靜電吸盤裝置，其包括：一靜電吸盤，具有上表面和下表面，該靜電吸盤的上表面用以吸附一晶圓；以及一基座，該基座的上表面與該靜電吸盤的下表面連結，該靜電吸盤具有貫通該靜電吸盤的一第一通孔，該基座具有連通該第一通孔的一第二通孔，在該第二通孔中設置一護套，該護套的靠近該第一通孔的一側具有一第三凹部，使得該護套與該第二通孔的內壁形成間隙，該第三凹部填充有一聚合物材料，該聚合物材料與該護套和該第二通孔的內壁黏合；該基座對應該靜電吸盤的一面具有一絕緣膜，該聚合物材料與該絕緣膜的側面黏合；該靜電吸盤與該基座之間透過一有機系樹脂連結。
- 如請求項7所述的靜電吸盤裝置，其中，該絕緣膜為氧化鋁塗層。
- 如請求項7所述的靜電吸盤裝置，其中，該有機系樹脂為矽系樹脂。
- 如請求項7所述的靜電吸盤裝置，其中，該聚合物材料為丙烯酸 系樹脂材料、矽系樹脂材料或環氧系樹脂材料。
- 如請求項7所述的靜電吸盤裝置，其中，該第三凹部具有一上端部分和一下端部分，該下端部分的截面面積小於該上端部分的截面面積。
- 如請求項7所述的靜電吸盤裝置，其中，在該第一通孔和該第二通孔中設置有一升降銷。
- 一種靜電吸盤裝置，其包括：一靜電吸盤，具有上表面和下表面，該靜電吸盤的上表面用以吸附一晶圓；以及一基座，該基座的上表面與該靜電吸盤的下表面連結，該靜電吸盤具有貫通該靜電吸盤的一第一通孔，該基座具有連通該第一通孔的一第二通孔，在該第二通孔中設置一護套，該第二通孔的靠近該第一通孔的一端具有一第四凹部，該第四凹部填充有一聚合物材料，該聚合物材料與該護套以及該第二通孔的該第四凹部的內壁黏合；該基座對應該靜電吸盤的一面具有一絕緣膜，該聚合物材料與該絕緣膜的側面黏合；該靜電吸盤與該基座之間透過一有機系樹脂連結。
- 一種等離子體處理裝置，其包括：一真空反應腔；一進氣裝置，其設置在該真空反應腔的頂部，用於向該真空反應腔內提供一反應氣體；以及如請求項1至13中任一項所述的一靜電吸盤裝置。
- 如請求項14所述的等離子體處理裝置，其中，該等離子體處理裝置是電容耦合等離子體處理裝置或電感耦合等離子體處理裝置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911227727.2 | 2019-12-04 | ||
| CN201911227727.2A CN112908919B (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 静电吸盘装置及包括该静电吸盘装置的等离子体处理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202123306A TW202123306A (zh) | 2021-06-16 |
| TWI827892B true TWI827892B (zh) | 2024-01-01 |
Family
ID=76110665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109139192A TWI827892B (zh) | 2019-12-04 | 2020-11-10 | 靜電吸盤裝置及包括該靜電吸盤裝置的等離子體處理裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112908919B (zh) |
| TW (1) | TWI827892B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230187250A1 (en) * | 2021-12-14 | 2023-06-15 | Applied Materials, Inc. | Wafer to baseplate arc prevention using textured dielectric |
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| CN110277343B (zh) * | 2018-03-14 | 2023-06-30 | Toto株式会社 | 静电吸盘 |
| CN108649012B (zh) * | 2018-05-11 | 2021-10-01 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置 |
-
2019
- 2019-12-04 CN CN201911227727.2A patent/CN112908919B/zh active Active
-
2020
- 2020-11-10 TW TW109139192A patent/TWI827892B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112908919A (zh) | 2021-06-04 |
| CN112908919B (zh) | 2024-07-09 |
| TW202123306A (zh) | 2021-06-16 |
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