CN106660946B - 醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的形成方法和醇化合物 - Google Patents

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Abstract

本发明的醇盐化合物的特征在于由下述通式(I)表示。

Description

醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的形成方法和醇化合物
技术领域
本发明涉及新的醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料、使用该薄膜形成用原料的薄膜的形成方法和新的醇化合物。
背景技术
含有金属元素的薄膜材料显示出电特性和光学特性等，因而可应用于各种用途。例如，铜和含铜薄膜从高的导电性、高电迁移耐性、高熔点等特性考虑，作为LSI的布线材料应用。另外，镍和含镍薄膜主要用于电阻膜、阻挡膜等电子元件的构件、磁性膜等记录介质用的构件、电极等薄膜太阳能电池用构件等。另外，钴和含钴薄膜用于电极膜、电阻膜、粘接膜、磁性带、超硬工具构件等。
作为上述的薄膜的制造法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热分解法、溶胶凝胶法等MOD法、化学气相成长法等，但由于具有组成控制性、台阶覆盖性优异，适于量产化，可混合集成等多项优点，包括ALD(原子层沉积)法在内的化学气相成长(以下，有时简称为“CVD”)法是最适合的制造工序。
作为用于化学气相成长法的金属供给源，大量报道了各种各样的原料，例如，专利文献1中公开了可用作利用有机金属化学气相蒸镀(MOCVD)法的含镍薄膜形成用原料的镍的叔氨基醇盐化合物。另外，专利文献2中公开了可用作利用MOCVD法的含钴薄膜形成用原料的钴的叔氨基醇盐化合物。进而，专利文献3中公开了可用作利用化学气相成长法的含铜薄膜形成用原料的铜的叔氨基醇盐化合物。进而，非专利文献1中公开了铜、镍、钴、铁、锰和铬的叔亚氨基醇盐化合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特表2008-537947号公报
专利文献2：韩国注册专利第10-0675983号公报
专利文献3：特开2006-328019号公报
非专利文献
非专利文献1：J.Am.Chem.Soc.，2013，135，12588-12591
发明内容
发明要解决的课题
在使化学气相成长用原料等气化而在基材表面形成含有金属的薄膜时，为了减少薄膜形成时的加热对基材的损伤、以及为了减少形成薄膜所必需的能量，要求可在低温下热分解而形成薄膜的材料。进一步从安全方面考虑，要求没有自燃性的材料，从运输方面考虑，要求熔点低的材料。其中，在使化学气相成长用原料等气化而形成金属薄膜的情况下，当在高温下加热化学气相成长用原料时，存在金属薄膜的膜质变差，电阻值变高，得不到期望的电特性的问题。因此，要求通过在低温下热分解即可形成金属薄膜的化学气相成长法用原料。
例如，在使化学气相成长用原料等气化而形成金属铜薄膜的情况下，存在通过进行200℃以上的加热得到的金属铜薄膜的电阻值升高的问题。该问题的原因还没有确定，但推测是因为通过进行200℃以上的加热，得到的薄膜中存在的铜粒的粒径增大和/或这些粒子产生凝集。因此，作为用于形成金属铜薄膜的化学气相成长法用原料，要求在低于200℃发生热分解的用于形成金属铜薄膜的化学气相成长法用原料。对于以往的醇盐化合物来说，在热稳定性方面没有得到充分满足。
因此，本发明的目的是提供无自燃性、熔点低，例如，对于钴醇盐化合物和铜醇盐化合物来说可在低于200℃热分解、对于镍醇盐化合物来说可在240℃以下热分解、显示充分的挥发性的新的醇盐化合物、含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料、使用该薄膜形成用原料的薄膜的形成方法以及用于制造该醇盐化合物的新的醇化合物。
解决课题的手段
本发明人等反复研究的结果发现，特定的醇盐化合物能够解决上述课题，完成了本发明。
即，本发明涉及下述通式(I)表示的醇盐化合物、含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料、以及使用该薄膜形成用原料的薄膜的形成方法。
[化1]
(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳数1～12的烃基或下述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。R3表示氢原子或碳数1～3的烃基或下述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。其中，R1为甲基、R2为甲基或乙基时，R3表示氢原子或下述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。
L表示氢原子、卤原子、羟基、氨基、叠氮基、磷基(phosphido group)、腈基、羰基、碳数1～12的烃基或下述通式(L-1)～(L-13)表示的基团。M表示金属原子或硅原子，n表示1以上的整数，m表示0以上的整数，n+m表示M表示的金属原子或硅原子的价数。)
[化2]
(式中，RX1～RX12各自独立地表示氢原子或碳数1～12的烃基，A1～A3表示碳数1～6的烷二基。)
[化3]
(式中，RL1～RL31各自独立地表示氢原子或碳数1～12的烃基，A4～A7表示碳数1～6的烷二基。RL1～RL31为碳数1～12的烃基时，烃基中的氢原子可被卤原子或氨基取代。)
另外，本发明涉及下述通式(II)表示的醇化合物。
[化4]
(式中，R4和R5各自独立地表示氢原子、碳数1～12的烃基或下述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。R6表示氢原子或碳数1～3的烃基或下述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。
其中，R4为甲基、R5为甲基或乙基时，R6表示氢或下述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。
[化5]
(式中，RY1～RY12各自独立地表示氢原子或碳数1～12的烃基，A8～A10表示碳数1～6的烷二基。)
发明效果
根据本发明，可以得到无自燃性、熔点低、例如，对钴醇盐化合物和铜醇盐化合物来说可在低于200℃热分解、对镍醇盐化合物来说可在240℃以下热分解、且显示充分的挥发性的醇盐化合物。该醇盐化合物特别适合用作利用CVD法的金属薄膜形成用的薄膜形成用原料。另外，根据本发明，可提供新的醇化合物。
附图说明
[图1]是显示本发明的含有金属的薄膜的形成方法中使用的化学气相成长用装置的一例的概要图。
[图2]是显示本发明的含有金属的薄膜的形成方法中使用的化学气相成长用装置的另一例的概要图。
[图3]是显示本发明的含有金属的薄膜的形成方法中使用的化学气相成长用装置的另一例的概要图。
[图4]是显示本发明的含有金属的薄膜的形成方法中使用的化学气相成长用装置的另一例的概要图。
[图5]通过单晶X射线结构分析得到的醇盐化合物No.49的分子结构图。
[图6]通过单晶X射线结构分析得到的醇盐化合物No.171的分子结构图。
具体实施方式
本发明的醇盐化合物由上述通式(I)表示，非常适合作为CVD法等具有气化工序的薄膜制造方法的前体，也可以使用ALD法形成薄膜。本发明的醇盐化合物是熔点低、在30℃成为液体或在稍微加温下成为液体的化合物。由于熔点低的化合物的运输性良好，非常适合作为CVD法等具有气化工序的薄膜制造方法的前体。
本发明的上述通式(I)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳数1～12的烃基或上述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。
作为上述R1和R2表示的碳数1～12的烃基，例如可使用烷基、烯基、环烷基、芳基、环戊二烯基等。
作为上述烷基，例如可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、戊基、异戊基、己基、庚基、异庚基、辛基、异辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基等。
作为上述烯基，例如可举出乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基等。
作为上述环烷基，例如可举出环己基、环戊基、环庚基、甲基环戊基、甲基环己基、甲基环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、甲基环戊烯基、甲基环己烯基、甲基环庚烯基等。
作为上述芳基，例如可举出苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-环己基苯基等。
作为上述环戊二烯基，例如可举出环戊二烯基、甲基环戊二烯基、乙基环戊二烯基、丙基环戊二烯基、异丙基环戊二烯基、丁基环戊二烯基、仲丁基环戊二烯基、异丁基环戊二烯基、叔丁基环戊二烯基、二甲基环戊二烯基、四甲基环戊二烯基等。
上述通式(I)中，R3表示氢原子或碳数1～3的烃基或上述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。
作为上述的R3表示的碳数1～3的烃基的具体例，可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基等。
上述通式(X-1)～(X-8)中，RX1～RX12各自独立地表示氢原子或碳数1～12的烃基，A1～A3表示碳数1～6的烷二基。
作为上述RX1～RX12表示的碳数1～12的烃基的具体例，可举出与作为R1和R2表示的碳数1～12的烃基所例示的基团相同的例子。
作为上述A1～A3表示的碳数1～6的烷二基，例如可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基等。
作为上述通式(X-1)表示的基团，例如可举出二甲氨基甲基、乙基甲氨基甲基、二乙氨基甲基、二甲氨基乙基、乙基甲氨基乙基、二乙氨基乙基等。
作为上述通式(X-2)表示的基团，例如可举出甲氨基、乙氨基、丙氨基、异丙氨基、丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、异丁氨基等。
作为上述通式(X-3)表示的基团，例如可举出二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二异丙氨基、二丁氨基、二仲丁氨基、二叔丁氨基、乙基甲氨基、丙基甲氨基、异丙基甲氨基等。
作为给予上述通式(X-4)表示的基团的化合物，可举出亚乙基二氨基、六亚甲基二氨基、N,N-二甲基亚乙基二氨基等。
作为上述通式(X-5)表示的基团，例如可举出二(三甲基甲硅烷基)氨基、二(三乙基甲硅烷基)氨基等。
作为上述通式(X-6)表示的基团，例如可举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基等。
作为上述通式(X-7)表示的基团，例如可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基等。
作为上述通式(X-8)表示的基团，例如可举出羟甲基、羟乙基、羟丙基、羟基异丙基、羟基丁基等。
予以说明，在上述通式(I)中，R1为甲基、R2为甲基或乙基时，R3表示氢原子或上述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。
上述通式(I)中，在用于包括使醇盐化合物气化的工序的薄膜形成的情况下，R1、R2和R3优选提供蒸气压大、熔点低。其中，在形成金属薄膜的情况下，例如，它们优选为使得对钴醇盐化合物和铜醇盐化合物来说可在低于200℃的温度下发生热分解、对镍醇盐化合物来说可在240℃以下的温度下发生热分解的基团。具体地，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳数1～12的烃基或(X-5)表示的团时由于使得蒸气压高而优选，其中，R1和R2中的至少1个为碳数1～5的烷基、二(三甲基甲硅烷基)氨基或二(三乙基甲硅烷基)氨基时由于使得熔点低而特别优选。其中，R1和R2为乙基时由于使得熔点低而优选，R1、R2和R3为乙基时由于使得熔点特别低而优选。另外，在通过不伴随气化工序的MOD法的薄膜的制造方法的情况下，R1、R2和R3可以根据对所使用的溶剂的溶解性、薄膜形成反应等来任意选择。
本发明的上述通式(I)中，L表示氢原子、卤素、羟基、氨基、叠氮基、磷基(磷化物基)、腈基、羰基、碳数1～12的烃基或上述通式(L-1)～(L-13)表示的基团。上述通式(L-1)～(L-13)中的RL1～RL31各自独立地表示氢原子或碳数1～12的烃基，A4～A7表示碳数1～6的烷二基。上述通式(L-1)～(L-13)中的RL1～RL31为碳数1～12的烃基时，烃基中的氢原子可被卤原子或氨基取代。
作为上述RL1～RL31表示的碳数1～12的烃基的具体例，可举出与作为R1和R2表示的碳数1～12的烃基所例示的基团相同的基团。
作为上述A4～A7表示的碳数1～6的烷二基的具体例，可举出与作为上述的A1～A3表示的碳数1～6的烷二基所例示的基团相同的基团。
作为上述通式(L-1)表示的基团，例如可举出二甲氨基甲基、乙基甲氨基甲基、二乙氨基甲基、二甲氨基乙基、乙基甲氨基乙基、二乙氨基乙基等。
作为上述通式(L-2)表示的基团，例如可举出甲氨基、乙氨基、丙氨基、异丙氨基、丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、异丁氨基等。
作为上述通式(L-3)表示的基团，例如可举出二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二异丙氨基、二丁氨基、二仲丁氨基、二叔丁氨基、乙基甲氨基、丙基甲氨基、异丙基甲氨基等。
作为给予上述通式(L-4)表示的基团的化合物，可举出亚乙基二氨基、六亚甲基二氨基、N,N-二甲基亚乙基二氨基等。
作为上述通式(L-5)表示的基团，例如可举出二(三甲基甲硅烷基)氨基、二(三乙基甲硅烷基)氨基等。
作为上述通式(L-6)表示的基团，例如可举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基等。
作为上述通式(L-7)表示的基团，例如可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基等。
作为上述通式(L-8)表示的基团，例如可举出羟甲基、羟乙基、羟丙基、羟基异丙基、羟基丁基等。
作为上述通式(L-9)表示的基团，例如可举出二甲氨基乙氧基、二乙氨基乙氧基、二甲氨基丙氧基、乙基甲氨基丙氧基和二乙氨基丙氧基等。
作为上述通式(L-10)表示的基团，例如可举出下述化学式No.(L-10-1)～(L-10-5)表示的基。予以说明，在下述化学式No.(L-10-1)～(L-10-5)中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“iPr”表示异丙基，“tBu”表示叔丁基。
[化6]
予以说明,作为给予上述通式(L-10)表示的基团的有机化合物,可举出乙酰丙酮、己烷-2,4-二酮、5-甲基己烷-2,4-二酮、庚烷-2,4-二酮、2-甲基庚烷-3,5-二酮、2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮、1,1,1-三氟戊烷-2,4-二酮、1,1,1-三氟-5,5-二甲基己烷-2,4-二酮、1,1,1,5,5,5-六氟戊烷-2,4-二酮、1,3-二全氟己基丙烷-1,3-二酮、1,1,5,5-四甲基-1-甲氧基己烷-2,4-二酮、2,2,6,6-四甲基-1-甲氧基庚烷-3,5-二酮、2,2,6,6-四甲基-1-(2-甲氧基乙氧基)庚烷-3,5-二酮、1,1,1-三氟戊烷-2,4-二酮、1,1,1-三氟-5,5-二甲基己烷-2,4-二酮、1,1,1,5,5,5-六氟戊烷-2,4-二酮、1,3-二全氟己基丙烷-1,3-二酮、1,1,5,5-四甲基-1-甲氧基己烷-2,4-二酮、2,2,6,6-四甲基-1-甲氧基庚烷-3,5-二酮、2,2,6,6-四甲基-1-(2-甲氧基乙氧基)庚烷-3,5-二酮等。
作为上述通式(L-11)表示的基团，例如可举出下述化学式No.(L-11-1)～(L-11-3)表示的基团。予以说明，在下述化学式No.(L-11-1)～(L-11-3)中，“Me”表示甲基，“iPr”表示异丙基，“tBu”表示叔丁基。
[化7]
予以说明，作为给予上述通式(L-11)表示的基团的有机化合物，例如可举出N,N’-二异丙基乙脒、N,N’-二叔丁基乙脒、N,N’-二异丙基-2-叔丁基脒(amidinato)等。
作为上述通式(L-12)表示的基团，例如可举出下述化学式No.(L-12-1)～(L-12-8)表示的基。予以说明，在下述化学式No.(L-12-1)～(L-12-8)中，“Me”表示甲基，“iPr”表示异丙基，“tBu”表示叔丁基。
[化8]
予以说明,作为给予上述通式(L-12)表示的基团的机化合物,例如可举出以乙酰丙酮、己烷-2,4-二酮、5-甲基己烷-2,4-二酮、庚烷-2,4-二酮、2-甲基庚烷-3,5-二酮、2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮、1,1,1-三氟戊烷-2,4-二酮、1,1,1-三氟-5,5-二甲基己烷-2,4-二酮、1,1,1,5,5,5-六氟戊烷-2,4-二酮、1,3-二全氟己基丙烷-1,3-二酮、1,1,5,5-四甲基-1-甲氧基己烷-2,4-二酮、2,2,6,6-四甲基-1-甲氧基庚烷-3,5-二酮、2,2,6,6-四甲基-1-(2-甲氧基乙氧基)庚烷-3,5-二酮等为代表的二酮化合物与甲胺、乙胺、丙胺、异丙胺、丁胺、仲丁胺、叔丁胺、异丁胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、二异丙胺、乙基甲胺、丙基甲胺、异丙基甲胺、乙二胺、N,N-二甲基乙二胺为代表的有机胺化合物的反应物。
作为上述通式(L-13)表示的基团，例如可举出下述化学式No.(L-13-1)～(L-13-8)表示的基。予以说明，在下述化学式No.(L-13-1)～(L-13-8)中，“Me”表示甲基，“iPr”表示异丙基，“tBu”表示叔丁基。
[化9]
予以说明，作为赋予上述通式(L-13)表示的基团的有机化合物，例如可举出N-异丙基-4-(异丙基亚氨基)戊-2-烯-2-胺、N-异丙基-4-(异丙基亚氨基)-3-甲基戊-2-烯-2-胺、N-(叔丁基)-4-(叔丁基亚氨基)戊-2-烯-2-胺、N-(叔丁基)-4-(叔丁基亚氨基)-3-甲基戊-2-烯-2-胺、N-异丙基-5-(异丙基亚氨基)-2,6-二甲基庚-3-烯-3-胺、N-异丙基-5-(异丙基亚氨基)-2,4,6-三甲基庚-3-烯-3-胺、N-(叔丁基)-5-(叔丁基亚氨基)-2,2,6,6-四甲基庚-3-烯-3-胺、N-(叔丁基)-5-(叔丁基亚氨基)-2,2,4,6,6-五甲基庚-3-烯-3-胺等。
在通式(I)中，当m为1以上时，在L为以环戊二烯基、甲基环戊二烯基、乙基环戊二烯基和五甲基环戊二烯基为代表的环戊二烯基的情况和/或为(L-11)表示的基团的情况下，由于热稳定性高、以及蒸气压更高而特别优选。另外，在本发明的上述通式(I)中，m为2以上时，L可以相同或不同。
上述通式(I)中，M表示金属原子或硅原子。该金属原子没有特殊限定，例如可举出锂、钠、钾、镁、钙、锶、钡、镭、钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌、镉、铝、镓、铟、锗、锡、铅、锑、铋、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱。其中，M为铜、铁、镍、钴、锰时，由于热稳定性特别高而特别优选。
在本发明的上述通式(I)中，n表示1以上的整数，m表示0以上的整数，n+m表示M表示的金属原子或硅原子的价数。
上述通式(I)表示的醇盐化合物有时具有光学活性，但本发明的醇盐化合物不能被特别区分为R型-化合物、S型-化合物，其既可以是R型-化合物和S型-化合物的任一种，也可以是R型-化合物和S型-化合物的任意比例的混合物。外消旋混合物的制造成本廉价。
接着，将本发明的醇盐化合物通过配体中的末端供电子团与金属原子或硅原子配位而形成环结构的情况表示为下述通式(I-A)。在此，本发明的醇盐化合物由上述通式(I)表示，但不能与由下述通式(I-A)表示的醇盐化合物相区别，也包括下述通式(I-A)表示的醇盐化合物。
[化10]
(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳数1～12的烃基或下述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。R3表示氢原子或碳数1～3的烃基或下述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。其中，当R1为甲基、R2为甲基或乙基时，R3表示氢原子或下述通式(X-1)～(X-8)表示的基团。
L表示氢原子、卤素、羟基、氨基、叠氮基、磷基、腈基、羰基、碳数1～12的烃基或下述通式(L-1)～(L-13)表示的基团。M表示金属原子或硅原子，n表示1以上的整数，m表示0以上的整数，n+m表示M表示的金属原子或硅原子的价数。)
[化11]
(式中，RX1～RX12各自独立地表示氢原子或碳数1～12的烃基，A1～A3表示碳数1～6的烷二基。)
[化12]
(式中，RL1～RL31各自独立地表示氢或碳数1～12的烃基，A4～A7表示碳数1～6的烷二基。RL1～RL31为碳数1～12的烃基时，烃基中的氢原子可被卤原子或氨基取代。)
作为通式(I)表示的醇盐化合物的优选的具体例，例如可举出：M为钴时由下述化学式No.1～No.91表示的化合物。予以说明，在下述化学式No.1～No.91中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“iPr”表示异丙基，“Cp”表示环戊二烯基，“MeCp”表示甲基环戊二烯基，“sCp”表示五甲基环戊二烯基，“AMD”表示N,N’-二异丙基乙脒基。
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
作为通式(I)表示的醇盐化合物的优选的具体例，例如可举出：M为镍时由下述化学式No.173～No.263表示的化合物。予以说明，在下述化学式No.173～No.263中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“iPr”表示异丙基，“Cp”表示环戊二烯基，“MeCp”表示甲基环戊二烯基，“sCp”表示五甲基环戊二烯基，“AMD”表示N,N’-二异丙基乙脒基。
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
[化26]
[化27]
[化28]
[化29]
本发明的醇盐化合物不受其制造方法的特别制限，可应用众所周知的反应来制造。作为通式(I)中的m为0的醇盐化合物的制造方法，可采用使用该醇的众所周知一般的醇盐化合物的合成方法，例如，在制造钴醇盐化合物时，例如可举出以下方法：使钴的卤化物、硝酸盐等无机盐或其水合物与该醇化合物在钠、氢化钠、氨基钠、氢氧化钠、甲基化钠、氨、胺等碱的存在下反应的方法，使钴的卤化物、硝酸盐等无机盐或其水合物与相应醇化合物的钠醇盐、锂醇盐、钾醇盐等碱金属醇盐反应的方法，钴的甲醇化物、乙醇化物、异丙醇化物、丁醇化物等低分子醇的醇盐化合物与相应醇化合物进行交换反应的方法，使钴的卤化物、硝酸盐等无机盐与赋予反应性中间体的衍生物反应，得到反应性中间体，然后使其与相应醇化合物反应的方法。作为反应性中间体，可举出双(二烷基氨基)钴、双(双(三甲基甲硅烷基)氨基)钴、钴的氨基化合物等。另外，作为通式(I)中的m为1以上的醇盐化合物的制造方法，例如可举出将通式(I)中的m为0的醇盐化合物通过上述制造方法制造后，与给予期望配体的有机化合物或其碱金属盐反应的方法。
本发明的薄膜形成用原料是以上述说明的本发明的醇盐化合物为薄膜的前体的原料，其形态根据采用该薄膜形成用原料的制造工序的不同而不同。例如，在制造仅含有硅或1种金属的薄膜的情况下，本发明的薄膜形成用原料不含上述醇盐化合物以外的金属化合物和半金属化合物。另一方面，在制造含有2种以上的金属和/或半金属的薄膜的情况下，本发明的薄膜形成用原料除了包含上述醇盐化合物以外，还包含含有期望金属的化合物和/或含有半金属的化合物(以下，也称为其他前体)。如后所述，本发明的薄膜形成用原料还可以含有有机溶剂和/或亲核性试剂。如上述说明的，由于作为前体的醇盐化合物的物性适合于CVD法、ALD法，本发明的薄膜形成用原料作为化学气相成长用原料(以下，有时也称为CVD用原料)特别有用。
本发明的薄膜形成用原料为化学气相成长用原料时，其形态可根据所使用的CVD法的运输供给方法等手段来适宜选择。
作为上述的运输供给方法，有以下方法：将CVD用原料在储存有该原料的容器(以下，有时简称为原料容器)中通过加热和/或减压使之气化而成为蒸气，与根据需要使用的氩气、氮气、氦气等载气一起，将该蒸气导入到设置有基体的成膜室内(以下，有时称为沉积反应部)的气体输送法、将CVD用原料以液体或溶液的状态输送到气化室中，通过在气化室内加热和/或减压使之气化而成为蒸气，将该蒸气导入至成膜室内的液体输送法。在气体输送法的情况下，可将上述通式(I)表示的醇盐化合物本身作为CVD用原料。在液体输送法的情况下，可将上述通式(I)表示的醇盐化合物本身或该化合物溶解在有机溶剂中而成的溶液作为CVD用原料。这些CVD用原料还可以含有其他前体和/或亲核性试剂等。
另外，在多成分体系的CVD法中，有以下方法：将CVD用原料的各成分独立地气化、供给的方法(以下，有时称为单一来源法)，以及将多成分原料以预先期望的组成混合的混合原料气化、供给的方法(以下，有时称为鸡尾酒式来源法)。在鸡尾酒式来源法的情况下，可将本发明的醇盐化合物与其他前体的混合物或该混合物溶解在有机溶剂中而成的混合溶液作为CVD用原料。该混合物或混合溶液还可以含有亲核性试剂等。予以说明，在仅使用本发明的醇盐化合物作为前体、并用R型-化合物和S型-化合物的情况下，既可以将含有R型-化合物的CVD用原料和含有S型-化合物的CVD用原料各自独立地气化，或者也可以将含有R型-化合物和S型-化合物的混合物的CVD用原料气化。
上述有机溶剂不受特别制限，可使用众所周知一般的有机溶剂。作为该有机溶剂，例如可举出乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等乙酸酯类；四氢呋喃、四氢吡喃、乙二醇二甲基醚、二甘醇二甲基醚、三甘醇二甲基醚、二丁基醚、二噁烷等醚类；甲基丁基酮、甲基异丁基酮、乙基丁基酮、二丙基酮、二异丁基酮、甲基戊基酮、环己酮、甲基环己酮等酮类；己烷、环己烷、甲基环己烷、二甲基环己烷、乙基环己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等烃类；1-腈基丙烷、1-腈基丁烷、1-腈基己烷、腈基环己烷、腈基苯、1,3-二腈基丙烷、1,4-二腈基丁烷、1,6-二腈基己烷、1,4-二腈基环己烷、1,4-二腈基苯等具有腈基的烃类；吡啶、二甲基吡啶等，根据溶质的溶解性、使用温度与沸点、闪点的关系等，它们可以单独地或作为两种以上的混合溶剂使用。在使用这些有机溶剂的情况下，作为将前体溶解在有机溶剂中而成的溶液的CVD用原料中的前体的总量优选为0.01～2.0摩尔/升、特别优选为0.05～1.0摩尔/升。予以说明，“前体的总量”是指：本发明的薄膜形成用原料不含本发明醇盐化合物以外的金属化合物和半金属化合物时的本发明醇盐化合物的量，而当本发明的薄膜形成用原料除了该醇盐化合物以外还含有含其他金属的化合物和/或含半金属的化合物时，表示为本发明的醇盐化合物和其他前体的合计量。
另外，在多成分体系的CVD法的情况下，与本发明的醇盐化合物一起使用的其他前体不受特别制限，可使用用于CVD用原料的众所周知的一般的前体。
作为上述的其他前体，可举出选自具有氢化物、氢氧化物、卤化物、叠氮化物、烷基、烯基、环烷基、芳基、炔基、氨基、二烷基氨基烷基、单烷基氨基、二烷基氨基、二胺、二(甲硅烷基-烷基)氨基、二(烷基-甲硅烷基)氨基、二甲硅烷基氨基、烷氧基、烷氧基烷基、酰肼、磷(phosphido)、腈、二烷基氨基烷氧基、烷氧基烷基二烷基氨基、甲硅烷氧基、二酮、环戊二烯基、甲硅烷基、吡唑、胍、磷酸胍、脒、磷酸脒、酮亚胺、二酮亚胺、羰基和磷酸脒作为配体的化合物中的一种或两种以上的硅和/或金属的化合物。
作为前体的金属物种，可举出镁、钙、锶、钡、镭、钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌、镉、铝、镓、铟、锗、锡、铅、锑、铋、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱。
上述的其他前体是在该技术领域中公知的物质，其制造方法也是公知的。若举出制造方法的一例，例如，在使用醇化合物作为有机配体的情况下，可以通过使先前描述的金属的无机盐或其水合物与该醇化合物的碱金属醇盐反应来制造前体。在此，作为金属的无机盐或其水合物，可举出金属的卤化物、硝酸盐等，作为碱金属醇盐，可举出钠醇盐、锂醇盐、钾醇盐等。
在单一来源法的情况下，上述其他前体优选为与本发明的醇盐化合物的热和/或氧化分解的行为类似的化合物，在鸡尾酒式来源法的情况下，上述其他前体优选为不但与本发明的醇盐化合物的热和/或氧化分解的行为类似、而且混合时不易引起由化学反应等产生的变质的化合物。
上述的其他前体中，作为含有钛、锆或铪的前体，可举出下述式(II-1)～(II-5)表示的化合物。
[化30]
(式中，M1表示钛、锆或铪，Ra和Rb各自独立地表示可被卤原子取代的链中可含有氧原子的碳数1～20的烷基，Rc表示碳数1～8的烷基，Rd表示碳数2～18的可具有支链的亚烷基，Re和Rf各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，Rg、Rh、Rk和Rj各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，p表示0～4的整数，q表示0或2，r表示0～3的整数，s表示0～4的整数，t表示1～4的整数。)
上述式(II-1)～(II-5)中，作为Ra和Rb表示的烷基，可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、己基、环己基、1-甲基环己基、庚基、3-庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、三氟甲基、全氟己基、2-甲氧基乙基、2-乙氧基乙基、2-丁氧基乙基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-甲氧基-1,1-二甲基甲基、2-甲氧基-1,1-二甲基乙基、2-乙氧基-1,1-二甲基乙基、2-异丙氧基-1,1-二甲基乙基、2-丁氧基-1,1-二甲基乙基、2-(2-甲氧基乙氧基)-1,1-二甲基乙基等。另外，作为Rc表示的烷基，可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、己基、1-乙基戊基、环己基、1-甲基环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等。另外,Rd表示的亚烷基是指由二醇提供的基团,作为该二醇,例如可举出1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、2,4-己二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、2,2-二乙基-1,3-丙二醇、2,2-二乙基-1,3-丁二醇、2-乙基-2-丁基-1,3-丙二醇、2,4-戊二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1-甲基-2,4-戊二醇等。另外,作为Re和Rf表示的烷基,可举出甲基、乙基、丙基、2-丙基等,作为Rg、Rh、Rj和Rk表示的烷基,可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基等。
具体地,作为含有钛的前体,可举出四(乙氧基)钛、四(2-丙氧基)钛、四(丁氧基)钛、四(仲丁氧基)钛、四(异丁氧基)钛、四(叔丁氧基)钛、四(叔戊基)钛、四(1-甲氧基-2-甲基-2-丙氧基)钛等四烷氧基钛类；四(戊烷-2,4-二酮)钛、(2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮)钛、四(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)钛等四β-二酮钛类；双(甲氧基)双(戊烷-2,4-二酮)钛、双(乙氧基)双(戊烷-2,4-二酮)钛、双(叔丁氧基)双(戊烷-2,4-二酮)钛、双(甲氧基)双(2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(乙氧基)双(2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(2-丙氧基)双(2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(叔丁氧基)双(2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(叔戊氧基)双(2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(甲氧基)双(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(乙氧基)双(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(2-丙氧基)双(2,6,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(叔丁氧基)双(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)钛、双(叔戊氧基)双(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)钛等双(烷氧基)双(β-二酮)钛类；(2-甲基戊烷二氧基)双(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)钛、(2-甲基戊烷二氧基)双(2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮)钛等二醇基(glycoxy)双(β-二酮)钛类；(甲基环戊二烯基)三(二甲氨基)钛、(乙基环戊二烯基)三(二甲氨基)钛、(环戊二烯基)三(二甲氨基)钛、(甲基环戊二烯基)三(乙基甲氨基)钛、(乙基环戊二烯基)三(乙基甲氨基)钛、(环戊二烯基)三(乙基甲氨基)钛、(甲基环戊二烯基)三(二乙氨基)钛、(乙基环戊二烯基)三(二乙氨基)钛、(环戊二烯基)三(二乙氨基)钛等(环戊二烯基)三(二烷氨基)钛类；(环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(甲基环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(乙基环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(丙基环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(异丙基环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(丁基环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(异丁基环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(叔丁基环戊二烯基)三(甲氧基)钛、(五甲基环戊二烯基)三(甲氧基)钛等(环戊二烯基)三(烷氧基)钛类等,作为含锆的前体或含铪的前体,可举出将作为上述含有钛的前体例示的化合物中的钛置换为锆或铪的化合物。
作为含有稀土类元素的前体,可举出下述式(III-1)～(III～3)表示的化合物。
[化31]
(式中，M2表示稀土类原子，Ra和Rb各自独立地表示可被卤原子取代的链中可含有氧原子的碳数1～20的烷基，Rc表示碳数1～8的烷基，Re和Rf各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，Rg和Rj各自独立地表示碳数1～4的烷基，p’表示0～3的整数，r’表示0～2的整数。)
在上述的含有稀土类元素的前体中，作为M2表示的稀土类原子，可举出钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥，作为Ra、Rb、Rc、Re、Rf、Rg和Rj表示的基团，可举出上述的钛前体中所例示的基团。
另外，为了向本发明的醇盐化合物和其他前体赋予稳定性，本发明的薄膜形成用原料中根据需要可以含有亲核性试剂。作为该亲核性试剂，可举出甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚等甘醇醚类、18-冠醚-6、二环己基-18-冠醚-6、24-冠醚-8、二环己基-24-冠醚-8、二苯并-24-冠醚-8等冠醚类、乙二胺、N,N’-四甲基乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、1,1,4,7,7-五甲基二亚乙基三胺、1,1,4,7,10,10-六甲基三亚乙基四胺、三乙氧基三亚乙胺等多胺类、1,4,8,11-四吖环四癸烷(cyclam)、1,4,7,10-四氮杂环十二烷(cyclen)等环状多胺类、吡啶、吡咯烷、哌啶、吗啉、N-甲基吡咯烷、N-甲基哌啶、N-甲基吗啉、四氢呋喃、四氢吡喃、1,4-二噁烷、噁唑、噻唑、氧硫杂环戊烷(oxathiolane)等杂环化合物类、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸-2-甲氧基乙酯等β-酮酯类或乙酰丙酮、2,4-己烷二酮、2,4-庚烷二酮、3,5-庚烷二酮、二新戊酰基甲烷等β-二酮类,这些亲核性试剂的使用量相对于前体的总量1摩尔,优选为0.1摩尔～10摩尔的范围,更优选为1～4摩尔。
在本发明的薄膜形成用原料中，尽量地不含构成其的成分以外的杂质金属元素成分、杂质氯等杂质卤素成分以及杂质有机成分。杂质金属元素成分按每种元素计，优选为100ppb以下，更优选为10ppb以下，按总量计，优选为1ppm以下，更优选为100ppb以下。特别是作为LSI的栅极绝缘膜、栅极膜、阻挡层使用时，有必要减少对所得薄膜的电特性有影响的碱金属元素和碱土类金属元素的含量。杂质卤素成分优选为100ppm以下，更优选为10ppm以下，最优选为1ppm以下。杂质有机成分按总量计优选为500ppm以下，更优选为50ppm以下，最优选为10ppm以下。另外，由于水分是化学气相成长用原料中的颗粒产生、以及薄膜形成中的颗粒产生的原因，因此为了减少金属化合物、有机溶剂和亲核性试剂各自的水分，优选在使用时预先尽可能地除去它们中的水分。金属化合物、有机溶剂和亲核性试剂各自的水分含量优选为10ppm以下，更优选为1ppm以下。
另外，为了减少或防止所形成的薄膜的颗粒污染，本发明的薄膜形成用原料优选尽可能地不含颗粒。具体地，在液相中使用光散射式液中粒子检测器的颗粒测定中，优选大于0.3μm的粒子的数量在1ml液相中为100个以下，更优选大于0.2μm的粒子的数量在1ml液相中为1000个以下，最优选大于0.2μm的粒子的数量在1ml液相中为100个以下。
作为使用本发明的薄膜形成用原料制造薄膜的本发明的薄膜的制造方法，可举出以下方法：将使本发明的薄膜形成用原料气化而成的蒸气和根据需要使用的反应性气体导入设置有基体的成膜室内，接着，使前体在基体上分解和/或发生化学反应，使含有金属的薄膜在基体表面上成长、沉积的CVD法。关于原料的运输供给方法、沉积方法、制造条件、制造装置等，不受特别制限，可以使用众所周知的一般的条件和方法。
作为上述的根据需要使用的反应性气体，例如作为氧化性气体可举出氧气、臭氧、二氧化氮、一氧化氮、水蒸气、过氧化氢、甲酸、乙酸、乙酸酐等，作为还原性气体可举出氢气，另外，作为制造氮化物的气体，可举出单烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、亚烷基二胺等有机胺化合物、肼、氨等，它们可以使用1种或2种以上。
另外，作为上述的运输供给方法，可举出上述的气体输送法、液体输送法、单一来源法、鸡尾酒式来源法等。
另外，作为上述的沉积方法，可举出以下方法：使原料气体或原料气体和反应性气体仅通过热发生反应而使薄膜沉积的热CVD，使用热和等离子体的等离子体CVD，使用热和光的光CVD、使用热、光和等离子体的光等离子体CVD，通过将CVD的沉积反应划分为基本过程而以分子水平阶段性地进行沉积的ALD。
作为上述基体的材质，例如可举出硅；氮化硅、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氮化钛、氧化钌、氧化锆、氧化铪、氧化镧等陶瓷；玻璃；金属钌等金属。作为基体的形状，可举出板状、球状、纤维状、鳞片状，基体表面既可以是平面，也可以为沟槽结构等三维结构。
另外，作为上述的制造条件，可举出反应温度(基体温度)、反应压力、沉积速度等。对于反应温度，优选为使本发明的醇盐化合物充分反应的温度100℃以上，更优选为150℃～400℃。本发明的醇盐化合物由于可在低于200℃下热分解，特别优选在150℃～250℃下热分解。另外，在热CVD或光CVD的情况下，反应压力优选为大气压～10Pa，在使用等离子体的情况下，优选为2000Pa～10Pa。
另外，沉积速度可通过原料的供给条件(气化温度、气化压力)、反应温度、反应压力来控制。沉积速度大时，有时得到的薄膜的特性变差，沉积速度小时，有时生产率产生问题，优选为0.01～100nm/分钟，更优选为1～50nm/分钟。另外，在ALD法的情况下，为了得到期望的膜厚，通过循环次数来控制。
作为上述的制造条件，还可以举出使薄膜形成用原料气化而成为蒸气时的温度和压力。使薄膜形成用原料气化而成为蒸气的工序既可以在原料容器内进行，也可以在气化室内进行。在任一种情况下，本发明的薄膜形成用原料优选在0～150℃下蒸发。另外，当在原料容器内或气化室内使薄膜形成用原料气化而成为蒸气时，原料容器内的压力和气化室内的压力均优选为1～10000Pa。
本发明的薄膜的形成方法采用ALD法，可以包括以下工序：利用上述的运输供给方法，使薄膜形成用原料气化而成为蒸气，将该蒸气导入成膜室内的原料导入工序，以及通过该蒸气中的上述醇盐化合物在上述基体的表面形成前体薄膜的前体薄膜成膜工序，排出未反应的醇盐化合物气体的排气工序，以及，使该前体薄膜与反应性气体发生化学反应而在该基体的表面形成上述含有金属的薄膜的含有金属的薄膜形成工序。
以下，对上述的各工序，以形成金属氧化物薄膜的情况为例详细地说明。通过ALD法形成金属氧化物薄膜的情况，首先进行上述说明的原料导入工序。使薄膜形成用原料成为蒸气时的优选的温度和压力与上述说明的同样。接着，通过导入到沉积反应部的醇盐化合物，在基体表面形成前体薄膜(前体薄膜成膜工序)。此时，可以通过加热基体或者加热沉积反应部来施加热。该工序中成膜的前体薄膜是金属氧化物薄膜或者是醇盐化合物的一部分发生分解和/或反应而生成的薄膜，具有与目标金属氧化物薄膜不同的组成。进行本工序时的基体温度优选为室温～500℃，更优选为150～350℃。进行本工序时的体系(成膜室内)的压力优选为1～10000Pa，更优选为10～1000Pa。
接着，从沉积反应部排出未反应的醇盐化合物气体和副产的气体(排气工序)。未反应的醇盐化合物气体和副产的气体从沉积反应部完全排气是理想的，但完全排气不是必须的。作为排气方法，可举出通过氮气、氦气、氩气等非活性气体净化体系内的方法、通过减压体系内来排气的方法、将这些组合的方法等。减压时的减压度优选为0.01～300Pa，更优选为0.01～100Pa。
接着，向沉积反应部导入氧化性气体，通过该氧化性气体的作用或氧化性气体和热的作用，从上述的前体薄膜成膜工序得到的前体薄膜形成金属氧化物薄膜(含有金属氧化物的薄膜形成工序)。本工序中，使热发生作用时的温度优选为室温～500℃，更优选为150～350℃。进行本工序时的体系(成膜室内)的压力优选为1～10000Pa，更优选为10～1000Pa。本发明的醇盐化合物与氧化性气体的反应性良好，可以得到金属氧化物薄膜。
在本发明的薄膜的形成方法中，在如上所述那样采用ALD法的情况下，将通过包括上述的原料导入工序、前体薄膜成膜工序、排气工序和含有金属氧化物的薄膜形成工序的一系列操作进行的薄膜沉积作为1个循环，可以将该循环重复多次直至得到必要膜厚的薄膜。在该情况下，进行1个循环后，下一个循环优选在与上述排气工序同样操作、从沉积反应部排出未反应的醇盐化合物气体和反应性气体(当形成金属氧化物薄膜时，为氧化性气体)以及副产的气体后进行。
另外，在通过ALD法的金属氧化物薄膜的形成中，既可以施加等离子体、光、电压等能量，也可以使用催化剂。施加该能量的时期和使用催化剂的时期没有特别限定，例如，既可以在原料导入工序中的醇盐化合物气体导入时、前体薄膜成膜工序或含有金属氧化物的薄膜形成工序中的加温时、排气工序中的体系内的排气时、含有金属氧化物的薄膜形成工序中的氧化性气体导入时，也可以在上述的各工序之间。
另外，在本发明的薄膜的形成方法中，在薄膜沉积后，为了获得更良好的电特性，可以在非活性气氛下，氧化性气氛下或还原性气氛下进行退火处理，在需要台阶覆盖的情况下，可以设置回流工序。此时的温度为200～1000℃，更优选为250～500℃。
使用本发明的薄膜形成用原料制造薄膜的装置可以使用众所周知的化学气相成长法用装置。作为具体的装置的例子，可举出图1那样的可通过鼓泡供给前体来进行的装置、图2那样具有气化室的装置。另外，可举出如图3和图4那样可对反应性气体进行等离子体处理的装置。不限于图1～图4那样的单层式装置，也可以使用采用分层式烘炉的可多层同时处理的装置。
使用本发明的薄膜形成用原料制造的薄膜可通过适宜选择其他前体、反应性气体和制造条件，制成金属、氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、玻璃等期望种类的薄膜。该薄膜已知显示各种电特性和光学特性等，可应用于各种用途。例如，铜和含铜薄膜由于高的导电性、高电迁移耐性、高熔点等特性，可作为LSI的布线材料应用。另外，镍和含镍薄膜主要用于电阻膜、阻挡膜等电子元件的构件、磁性膜等记录介质用的构件、电极等薄膜太阳能电池用构件等。另外，钴和含钴薄膜用于电极膜、电阻膜、粘接膜、磁性带、超硬工具构件等。
本发明的醇化合物由下述通式(II)表示，是作为CVD法等具有气化工序的薄膜的形成方法的前体适合的化合物中使用的配体所特别适合的化合物。
[化32]
(式中，R4和R5各自独立地表示氢原子、碳数1～12的烃基或下述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。R6表示氢原子或碳数1～3的烃基或下述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。
其中，R4为甲基、R5为甲基或乙基时，R6表示氢原子或下述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。)
[化33]
(式中，RY1～RY12各自独立地表示氢原子或碳数1～12的烃基，A8～A10表示碳数1～6的烷二基。)
通式(II)中，R4和R5各自独立地表示氢原子、碳数1～12的烃基或下述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。
作为上述R4和R5表示的烃基，例如可举出烷基、烯基、环烷基、芳基、环戊二烯基等。
作为上述烷基，例如可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、戊基、异戊基、己基、庚基、异庚基、辛基、异辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基等。
作为上述烯基，例如可举出乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基等。
作为上述环烷基，例如可举出环己基、环戊基、环庚基、甲基环戊基、甲基环己基、甲基环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、甲基环戊烯基、甲基环己烯基、甲基环庚烯基等。
作为上述芳基，例如可举出苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-环己基苯基等。
作为上述环戊二烯基，例如可举出环戊二烯基、甲基环戊二烯基、乙基环戊二烯基、丙基环戊二烯基、异丙基环戊二烯基、丁基环戊二烯基、仲丁基环戊二烯基、异丁基环戊二烯基、叔丁基环戊二烯基、二甲基环戊二烯基、四甲基环戊二烯基等。
上述通式(II)中，R6表示氢原子或碳数1～3的烃基或上述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。
作为上述的R6表示的烃基的具体例，可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基等。
在上述通式(II)中，R4为甲基、R5为甲基或乙基时，R6表示氢原子或上述通式(Y-1)～(Y-8)表示的基团。
作为上述RY1～RY12表示的碳数1～12的烃基的具体例，可举出与作为R4和R5表示的碳数1～12的烃基所例示的基团相同的基团。
作为上述A8～A10表示的碳数1～6的烷二基，例如可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基等。
作为上述通式(Y-1)表示的基团，例如可举出二甲氨基甲基、乙基甲氨基甲基、二乙氨基甲基、二甲氨基乙基、乙基甲氨基乙基、二乙氨基乙基等。
作为上述通式(Y-2)表示的基团，例如可举出甲氨基、乙氨基、丙氨基、异丙氨基、丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、异丁氨基等。
作为上述通式(Y-3)表示的基团，例如可举出二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二异丙氨基、二丁氨基、二仲丁氨基、二叔丁氨基、乙基甲氨基、丙基甲氨基、异丙基甲氨基等。
作为给予上述通式(Y-4)表示的基团的化合物，可举出亚乙基二氨基、六亚甲基二氨基、N,N-二甲基亚乙基二氨基等。
作为上述通式(Y-5)表示的基团，例如可举出二(三甲基甲硅烷基)氨基、二(三乙基甲硅烷基)氨基等。
作为上述通式(Y-6)表示的基团，例如可举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基等。
作为上述通式(Y-7)表示的基团，例如可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基等。
作为上述通式(Y-8)表示的基团，例如可举出羟甲基、羟乙基、羟丙基、羟基异丙基、羟基丁基等。
本发明的醇化合物有时具有光学异构体，但不能通过该光学异构来区分。
作为通式(II)表示的醇化合物的优选的具体例，例如可举出下述化学式No.92～No.170表示的化合物。予以说明，下述化学式中的“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“iPr”表示异丙基。
[化34]
[化35]
[化36]
[化37]
[化38]
[化39]
[化40]
本发明的醇化合物不受其制造方法的特别限定，可采用众所周知的反应来制造。
例如，可举出以下方法：如下述反应式(1)那样将以镁作为催化剂、使烷基化合物与烷氧基羧酸烷基化合物发生格利雅反应、再与烷基胺反应而得到的产物用适当的溶剂萃取，进行脱水处理的方法；如下述反应式(2)那样将以镁作为催化剂、使烷基化合物与烷氧基酮烷基化合物发生格利雅反应、再与烷基胺反应而得到的产物用适当的溶剂萃取、进行脱水处理的方法；以及，如下述反应式(3)那样将以镁作为催化剂、使烷基化合物与二烷基二酮化合物发生格利雅反应、再与烷基胺反应而得到的产物用适当的溶剂萃取，进行脱水处理的方法。
[化41]
[上述反应式(1)和反应式(2)中，Rz表示烷基。]
本发明的醇化合物可以用作用于薄膜形成用原料等的金属化合物的配体。另外，本发明的醇化合物也可以用于溶剂、香料、农药、医药品、各种聚合物等合成原料等的用途。
实施例
以下，使用实施例和评价例更详细地说明本发明。但是，本发明不受以下的实施例等的任何限制。
〔实施例1：醇化合物No.134的合成〕
在冰冷却下向反应烧瓶中加入3-二甲氧基甲基-3-戊醇22.43g、纯水40g、36％盐酸3.6g，进行5小时搅拌。然后，在冰冷却下滴入40％甲胺水溶液23.72g，反应17小时。此时的反应液的pH为10～11。加入甲苯32.9g，将有机层进行萃取和分液，加入硫酸镁进行脱水并过滤。在减压下在90℃在油浴中蒸馏除去溶剂，得到醇化合物No.134。收量为7.69g，收率为43％。
(分析值)
(1)GC-MS m/z：129(M+)
(3)元素分析C：65.4质量％、H：12.1质量％、O：11.2质量％、N：11.3质量％(理论值；C：65.1质量％、H：11.7质量％、O：12.4质量％、N：10.8质量％)
〔实施例2：醇化合物No.140的合成〕
向反应烧瓶中加入乙基溴化镁的乙醚溶液(浓度：21.85质量％、277g)，在冰浴中搅拌，冷却至0℃附近。用1小时向该溶液中滴入二甲氧基乙酸甲酯(25g)，进行格利雅反应。然后，恢复到室温，进行12小时反应。冰冷反应液，滴入饱和氯化铵水溶液200g，然后，滴入36％盐酸溶液10mL，将pH调整至中性附近。然后，将溶液转移至分液漏斗，用50g己烷将有机物进行萃取并分液，用适量的硫酸镁进行脱水。将该己烷混悬液过滤后，在65℃附近在油浴中进行脱溶剂。在100℃附近在油浴中在减压下进行蒸馏，得到无色透明的3-二甲氧基甲基-3-戊醇22.4g(GC纯度96.3％)。在冰冷却下向7g的3-二甲氧基甲基-3-戊醇中加入纯水10g和36％盐酸1g，进行整夜搅拌。然后，在冰冷却下滴入33％乙胺水溶液9.5g，反应10小时。此时的反应液的pH为10～11。停止搅拌时，分离为少量的有机层和水层，有机层根据NMR的结果确认为醇化合物No.140。目标物的收量为2.7g，收率为33％。
(分析值)
(1)GC-MS m/z：143(M+)
(2)1NMR(溶剂：氘代苯)(化学位移：多重性：H数)
(7.020：s：1)(4.379：s：1)(3.171～3.193：q：2)(1.559～1.649：m：2)(1.310～1.400：m：2)(0.979～1.016：t：3)(0.837～0.874：t：6)
(3)元素分析C：67.5质量％、H：12.1质量％、O：12.0质量％、N：9.6质量％(理论值；C：67.1质量％、H：12.0质量％、O：11.2质量％、N：9.8质量％)
〔实施例3：醇化合物No.146的合成〕
在冰冷却下向反应烧瓶中加入3-二甲氧基甲基-3-戊醇19.67g、纯水35g、36％盐酸8.9g，进行4小时搅拌。然后，在冰冷却下滴入异丙胺16.67g，反应18小时。此时的反应液的pH为10～11。加入甲苯28.8g，将有机层进行萃取和分液，加入硫酸镁进行脱水并过滤。在减压下在90℃在油浴中蒸馏除去溶剂，得到醇化合物No.146。收量为13.48g，收率为69％。
(分析值)
(1)GC-MS m/z：157(M+)
(3)元素分析C：69.0质量％、H：11.9质量％、O：11.0质量％、N：8.9质量％(理论值；C：68.7质量％、H：12.2质量％、O：10.2质量％、N：8.9质量％)
〔实施例4：醇化合物No.166的合成〕
向反应烧瓶中装入镁2.17g和四氢呋喃118g，在50℃的浴温下向其中缓慢滴入2-溴丙烷11.3g。冷却至室温，搅拌2小时后，缓慢滴入丙酮醛二甲缩醛10.3g，在室温下搅拌20小时。加入8％盐酸水溶液39g和氯化铵25.3g进行淬灭。向其中加入己烷26.7g，将目标物(中间体)萃取到有机层中，用硫酸钠干燥，进行过滤。在浴温85℃、微减压下蒸馏除去己烷，将得到的残渣在浴温85℃、微减压下，塔顶温度50℃下蒸馏，得到作为中间体的1,1-二甲氧基-2,3-二甲基-2-丁醇。向1,1-二甲氧基-2,3-二甲基-2-丁醇6.0g中加入H2O18.5g，在室温下向其中缓慢滴入36％盐酸水溶液2.1g。2小时搅拌后，在水冷下缓慢滴入33％乙胺水溶液15.3g。在室温下搅拌20小时后，加入甲苯31.2g，将目标物萃取到有机层中。用硫酸钠脱水，进行过滤，在浴温85℃、微减压下蒸馏除去甲苯。将得到的残渣在浴温85℃、微减压下蒸馏，得到醇化合物No.166。收量为3.6g(GC纯度92％)，收率为27％。
(分析值)
(1)GC-MS m/z：143(M+)
(3)元素分析C：67.4质量％、H：12.3质量％、O：10.5质量％、N：9.4质量％(理论值；C：67.0质量％、H：12.0质量％、O：11.2质量％、N：9.8质量％)
〔实施例5：醇化合物No.167的合成〕
向反应烧瓶中装入1,1-二甲氧基-2,3-二甲基-2-丁醇10.0g(纯度90％产品)和H2O10.0g，在冰冷却下向其中缓慢滴入36％盐酸水溶液1.5g，在室温下搅拌20小时。在冰冷却下缓慢滴入异丙胺11.5g，升温至室温后搅拌20小时。加入甲苯70g，将目标物萃取到有机层中。用硫酸钠脱水，进行过滤，得到1-异丙基亚氨基-2,3-二甲基-2-丁醇的甲苯溶液(3.19质量％)。在减压下在90℃在油浴中蒸馏除去溶剂，得到醇化合物No.167。
(分析值)
(1)GC-MS m/z：157(M+)
(3)元素分析C：69.0质量％、H：11.9质量％、O：10.6质量％、N：8.8质量％(理论值；C：68.7质量％、H：12.2质量％、O：10.2质量％、N：8.9质量％)
〔实施例6：醇盐化合物No.43的合成〕
向200ml四颈瓶中装入氯化钴(II)4.04g、四氢呋喃16g，在室温下搅拌。在冰冷却下向其中滴入将由醇化合物No.134(3-甲基亚氨基甲基-3-戊醇)调制得到的钠醇盐8.77g用四氢呋喃17g稀释而得到的溶液。滴入结束后，在室温下搅拌16小时，进行过滤。从得到的滤液中除去四氢呋喃，将残渣在60Pa、130℃的条件下蒸馏，得到醇盐化合物No.43，收量1.34g，收率14.5％。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：136.2℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)元素分析Co：18.4质量％、C：53.6质量％、H：8.7质量％、O：10.6质量％、N：8.6质量％(理论值；Co：18.7质量％、C：53.3质量％、H：9.0质量％、O：10.1质量％、N：8.9质量％)
〔实施例7：醇盐化合物No.49的合成〕
向200ml四颈瓶中装入氯化钴(II)13.23g、四氢呋喃48g，在室温下搅拌。在冰冷却下向其中滴入将由醇化合物No.140(3-乙基亚氨基甲基-3-戊醇)调制得到的钠醇盐33.04g用四氢呋喃50g稀释而得到的溶液。滴入结束后，在室温下搅拌22小时，进行过滤。从得到的滤液中除去四氢呋喃，将残渣在40Pa、125℃的条件下蒸馏，得到醇盐化合物No.49，收量28.70g，收率83.5％。得到的醇盐化合物No.49的单晶X射线结构分析的结果示于图5。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：125.8℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)元素分析Co：16.5质量％、C：56.3质量％、H：9.5质量％、O：9.8质量％、N：7.9质量％(理论值；Co：17.2质量％、C：56.0质量％、H：9.4质量％、O：9.3质量％、N：8.2质量％)
〔实施例8：醇盐化合物No.55的合成〕
向200ml四颈瓶中装入氯化钴(II)5.75g、四氢呋喃18g，在室温下搅拌。在冰冷却下向其中滴入将由醇化合物No.146(3-异丙基亚氨基甲基-3-戊醇)调制得到的钠醇盐15.06g用四氢呋喃17g稀释而得到的溶液。滴入结束后，在室温下搅拌29小时，进行过滤。从得到的滤液中除去四氢呋喃，将残渣在50Pa、135℃的条件下蒸馏，得到醇盐化合物No.55，收量5.53g，收率35.1％。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：130.3℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)元素分析Co：15.0质量％、C：59.0质量％、H：9.7质量％、O：8.9质量％、N：7.5质量％(理论值；Co：15.9质量％、C：58.2质量％、H：9.8质量％、O：8.6质量％、N：7.5质量％)
〔实施例9：醇盐化合物No.75的合成〕
向100ml三颈瓶中装入氯化钴(II)1.52g和四氢呋喃8.22g，在室温下搅拌。在冰冷却下向其中滴入将由醇化合物No.166(1-乙基亚氨基-2,3-二甲基-2-丁醇)调制得到的钠醇盐3.80g用四氢呋喃7.95g稀释而得到的溶液。滴入结束后，在室温下搅拌15小时，进行过滤。从得到的滤液中除去四氢呋喃，将残渣在45Pa、浴温130℃、塔顶温度90℃的条件下蒸馏，得到醇盐化合物No.75，收量1.56g，收率39.3％。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：123℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)元素分析Co：16.9质量％、C：56.2质量％、H：9.2质量％、O：9.7质量％、N：8.3质量％(理论值；Co：17.2质量％、C：56.0质量％、H：9.4质量％、O：9.3质量％、N：8.2质量％)
〔实施例10：醇盐化合物No.171的合成〕
在氩气气氛下，向甲醇铜(II)0.59g中滴入醇化合物No.134(3-甲基亚氨基甲基-3-戊醇)的3.8质量％的甲苯溶液32g。迅速溶解而呈紫色，直接在室温下搅拌20小时。在油浴温度70℃、微减压下蒸馏除去甲苯，接着在油浴温度90℃、减压下完全蒸馏除去残留的甲苯。将得到的紫色固体在100℃、40Pa下蒸馏，得到目标物。得到的化合物为熔点60℃的固体。化合物的收率为70％。对得到的化合物进行单晶X射线结构分析。图6中示出了通过单晶X射线结构分析得到的分子结构。由该结果可确认，得到的化合物为醇盐化合物No.171。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：120℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)元素分析Cu：19.7质量％、C：52.4质量％、H：8.9质量％、O：10.7质量％、N：8.4质量％(理论值；Cu：19.9质量％、C：52.6质量％、H：8.8质量％、O：10.0质量％、N：8.8质量％)
[化42]
〔实施例11：醇盐化合物No.172的合成〕
在氩气气氛下，向甲醇铜(II)0.62g中滴入醇化合物No.140(3-乙基亚氨基甲基-3-戊醇)的3.7质量％的甲苯溶液38g。迅速溶解而呈紫色，直接在室温下搅拌18小时。在油浴温度70℃、微减压下蒸馏除去甲苯，接着在油浴温度90℃、减压下完全蒸馏除去残留的甲苯。将得到的紫色液体在100℃、40Pa下蒸馏，得到作为紫色液体的醇盐化合物No.172。醇盐化合物No.172的收率为45％。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：120℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)元素分析Cu：18.4质量％、C：54.9质量％、H：8.8质量％、O：9.0质量％、N：8.2质量％(理论值；Cu：18.3质量％、C：55.2质量％、H：9.3质量％、O：9.2质量％、N：8.1质量％)
[化43]
〔实施例12：醇盐化合物No.221的合成〕
向500ml四颈瓶中装入氯化六氨合镍(II)4.97g、四氢呋喃95g，在室温下搅拌。在冰冷却下向其中滴入将由醇(3-乙基亚氨基甲基-3-戊醇)的17.2质量％甲苯溶液36.0g调制得到的钠醇盐用四氢呋喃180g稀释而得到的溶液。滴入结束后，在70℃的加热下搅拌后，除去四氢呋喃、甲苯。将该残渣溶解在己烷中，进行过滤。从得到的滤液中除去己烷，将残渣在25Pa、100℃的条件下精制，得到化合物No.221物，收量2.80g，收率37.8％。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：134℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)元素分析Ni：17.3质量％、C：56.2质量％、H：9.2质量％、O：9.2质量％、N：8.0质量％(理论值；Ni：17.10质量％、C：56.01质量％、H：9.40质量％、O：9.33质量％、N：8.16质量％)
(3)1NMR(溶剂：氘代苯)(化学位移：多重性：H数)
(6.877：s：2)(2.745～2.797：q：4)(1.328～1.386：m：8)(1.229～1.266：t：12)(1.147～1.182：t：6)
〔实施例13：化合物No.247的合成〕
向200ml四颈瓶中装入六氨合镍(II)氯化物6.88g、四氢呋喃42.8g，在室温下搅拌。在冰冷却下向其中滴入将由醇(1-乙基亚氨基-2,3-二甲基-2-丁醇)调制得到的钠醇盐9.80g用四氢呋喃42.8g稀释而得到的溶液。滴入结束后，在室温下搅拌14小时。进行2小时加热回流，放冷至室温后，在减压下蒸馏除去四氢呋喃。向得到的残渣中加入己烷65g，进行过滤。从得到的滤液中除去己烷，将残渣在50Pa、100℃的条件下蒸馏，得到化合物No.247，收量2.50g，收率30.7％。
(分析值)
(1)减压TG-DTA
质量减少50％的温度：132.9℃(10托、Ar流量：50ml/分钟、升温10℃/分钟)
(2)1NMR(溶剂：氘代苯)(化学位移：多重性：H数)
(7.030：d：2)(2.932～2.593：m：4)(1.605～1.509：m：2)(1.661：dd：12)(1.084～1.117：m：12)
(3)元素分析Ni：17.2质量％、C：56.3质量％、H：9.0质量％、O：9.3质量％、N：7.9质量％(理论值；Ni：17.1质量％、C：56.0质量％、H：9.40质量％、O：9.33质量％、N：8.16质量％)
〔自燃性评价〕
对醇盐化合物No.43、49、55、75、171、172、221和247，通过在大气中放置确认自燃性的有无。结果示于表1。
[表1]
评价例 化合物 自燃性的有无
评价例1-1 化合物No.43 无
评价例1-2 化合物No.49 无
评价例1-3 化合物No.55 无
评价例1-4 化合物No.75 无
评价例1-5 化合物No.171 无
评价例1-6 化合物No.172 无
评价例1-7 化合物No.221 无
评价例1-8 化合物No.247 无
〔热稳定性评价〕
对醇盐化合物No.43、49、55、75、171、172、221、247以及以下所示的比较化合物1～6，使用DSC测定装置测定热分解起始温度。结果示于表2。
[化44]
[表2]
评价例 化合物 热分解起始温度
评价例2-1 化合物No.43 190℃
评价例2-2 化合物No.49 170℃
评价例2-3 化合物No.55 190℃
评价例2-4 化合物No.75 170℃
评价例2-5 化合物No.171 160℃
评价例2-6 化合物No.172 160℃
评价例2-7 化合物No.221 200℃
评价例2-8 化合物No.247 230℃
比较例1 比较化合物1 220℃
比较例2 比较化合物2 210℃
比较例3 比较化合物3 230℃
比较例4 比较化合物4<sup>※1</sup> 160℃
比较例5 比较化合物5<sup>※2</sup> 190℃
比较例6 比较化合物6 290℃
※1熔点为160℃以上。不经由液体状态而发生热分解。
※2熔点为185℃、不能保持稳定的液体状态。
由表2的结果，将醇盐化合物No.43、49、55、75、171和172与比较化合物1～3相比、以及将醇盐化合物No.221和247与比较化合物6相比时可知，醇盐化合物No.43、49、55、75、171和172能够在比比较化合物1～3低的温度下热分解，醇盐化合物No.221和247能够在比比较化合物6低的温度下热分解。另外，醇盐化合物No.43、49、55、75、171、172和221的热分解温度为200℃以下，醇盐化合物No.43、49、55、75、171和172能够在低于200℃的温度下热分解。另外可知，比较化合物4的热分解起始温度虽然低，但熔点比热分解起始温度高，因此不能保持液体状态。可知，比较化合物5与比较化合物4同样地虽然热分解起始温度低，但熔点为与热分解起始温度非常接近的温度，不能维持稳定的液体状态。评价例2-5中评价的醇盐化合物No.171为热分解起始温度低、熔点为60℃的化合物，评价例2-6中评价的醇盐化合物No.172为热分解起始温度低、在30℃的条件下为液体状态的化合物。熔点低、且熔点与热分解起始温度之间的温差大的化合物可以容易地保持液体状态，运输时所需的能量少，因此优选作为化学气相成长用原料。
〔实施例14：通过ALD法的金属钴薄膜的制造〕
将醇盐化合物No.43、49、55和75作为化学气相成长用原料，使用图2所示的装置，通过以下条件的ALD法，在硅片上制造金属钴薄膜。对得到的薄膜，通过X射线反射率法进行膜厚测定，通过X射线衍射法和X射线光电子能谱法进行薄膜结构和薄膜组成的确认，结果，膜厚为2～4nm，膜组成为金属钴(通过XPS分析，由Co2p峰确认)，碳含量比检测下限0.1atom％少。每1个循环得到的膜厚为0.02～0.04nm。
(条件)
反应温度(基板温度)：300℃，反应性气体：氢气
(工序)
将包含下述(1)～(4)的一系列工序作为1个循环，重复100个循环。
(1)导入在气化室温度110℃、气化室压力50Pa的条件下气化而得到的化学气相成长用原料的蒸气，在体系压力50Pa下沉积30秒。
(2)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。
(3)导入反应性气体，在体系压力50Pa下反应30秒。
(4)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。
〔实施例15：通过ALD法的金属铜薄膜的制造〕
将醇盐化合物No.171和172作为化学气相成长用原料，使用图3所示的等离子体成膜装置，通过以下条件的PEALD法，在硅片上制造金属铜薄膜。对得到的薄膜，通过X射线反射率法进行膜厚测定，通过X射线衍射法和X射线光电子能谱法进行薄膜结构和薄膜组成的确认，结果，膜厚为2～4nm，膜组成为金属铜(通过XPS分析，由Cu2p峰确认)，碳含量比检测下限0.1atom％少。每1个循环得到的膜厚为0.02～0.04nm。
(条件)
反应温度(基板温度)：60℃，反应性气体；氢气，等离子体输出：50W
(工序)
将包含下述(1)～(4)的一系列工序作为1个循环，重复100个循环。
(1)导入在原料容器加热温度60℃、原料容器内压力50Pa的条件下气化而得到的化学气相成长用原料的蒸气，在体系压力50Pa下沉积30秒。
(2)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。
(3)导入反应性气体和等离子体，在体系压力50Pa下反应30秒。
(4)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。
〔实施例16：通过ALD法的金属镍薄膜的制造〕
将醇盐化合物No.221和247分别作为化学气相成长用原料，使用图1所示的装置，通过以下条件的热ALD法，在硅片上制造金属镍薄膜。对得到的薄膜，通过X射线反射率法进行膜厚测定，通过X射线衍射法和X射线光电子能谱法进行薄膜结构和薄膜组成的确认，结果，它们的膜厚均为20～40nm，膜组成为金属镍(通过XPS分析，由Ni2p峰确认)，碳和氮含量比检测下限0.1atom％少。每1个循环得到的膜厚为0.02～0.04nm。
(条件)
反应温度(基板温度)：230℃，反应性气体：氢气
(工序)
将包含下述(1)～(4)的一系列工序作为1个循环，重复1000个循环。
(1)导入在气化室温度70℃、气化室压力50Pa的条件下气化而得到的化学气相成长用原料的蒸气，在体系压力50Pa下沉积30秒。
(2)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。
(3)导入反应性气体，在体系压力50Pa下反应30秒。
(4)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。
〔实施例17：通过ALD法的金属镍薄膜的制造〕
将醇盐化合物No.221和247分别作为化学气相成长用原料，使用图3所示的等离子体成膜装置，通过以下条件的PEALD法，在硅片上制造金属镍薄膜。对得到的薄膜，通过X射线反射率法进行膜厚测定，通过X射线衍射法和X射线光电子能谱法进行薄膜结构和薄膜组成的确认，结果，它们的膜厚均为50～70nm，膜组成为金属铜(通过XPS分析，由Ni2p峰确认)，碳和氮含量比检测下限0.1atom％少。每1个循环得到的膜厚为0.05～0.07nm。
(条件)
反应温度(基板温度)：70℃，反应性气体：氢气，等离子体输出：50W
(工序)
将包含下述(1)～(4)的一系列工序作为1个循环，重复1000个循环。
(1)导入在原料容器加热温度70℃、原料容器内压力50Pa的条件下气化而得到的化学气相成长用原料的蒸气，在体系压力50Pa下沉积30秒。
(2)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。
(3)导入反应性气体和等离子体，在体系压力50Pa下反应30秒。
(4)通过5秒的氩气吹扫，除去未反应原料。

Claims (5)

1.下述通式(I)表示的醇盐化合物，
式中，R1为乙基时，R2为乙基；或者当R1为甲基时，R2为异丙基；R3为碳数1～3的烃基；M表示铜、铁、镍、钴或锰；n表示M表示的金属原子的价数。
2.薄膜形成用原料，其含有权利要求1所述的醇盐化合物。
3.薄膜的形成方法，其中，将使权利要求2所述的薄膜形成用原料气化而得到的含有醇盐化合物的蒸气导入到设置有基体的成膜室内，使该醇盐化合物发生化学反应，从而在该基体的表面形成含有选自铜、铁、镍、钴或锰中的至少1种原子的薄膜。
4.权利要求3所述的薄膜的形成方法，其中，所述化学反应是分解反应。
5.下述通式(II)表示的醇化合物，
式中，R4为乙基时，R5为乙基；或者当R4为甲基时，R5为异丙基；R6为碳数1～3的烃基，
其中，通式(II)不包括式的化合物。
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