CN106597758A - 用于处理光阻部件的方法和装置 - Google Patents

用于处理光阻部件的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106597758A
CN106597758A CN201710003107.5A CN201710003107A CN106597758A CN 106597758 A CN106597758 A CN 106597758A CN 201710003107 A CN201710003107 A CN 201710003107A CN 106597758 A CN106597758 A CN 106597758A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresistance
heating
parameters
size
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710003107.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106597758B (zh
Inventor
马士超
王鹏飞
魏崇喜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710003107.5A priority Critical patent/CN106597758B/zh
Publication of CN106597758A publication Critical patent/CN106597758A/zh
Priority to US15/679,510 priority patent/US10466545B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN106597758B publication Critical patent/CN106597758B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
    • H01L21/164—Oxidation and subsequent heat treatment of the foundation plate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13398—Spacer materials; Spacer properties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本公开提供了一种处理光阻部件的方法，包括如下步骤：将待处理的光阻部件置于具有多个加热部件的加热装置上；和基于加热参数分别控制与所述加热参数相关联的多个加热部件中的每一个，对待处理的光阻部件进行加热。所述加热参数是基于待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者确定的。本公开还提供了一种处理光阻部件的装置。

Description

用于处理光阻部件的方法和装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别地，涉及一种用于处理例如柱状隔垫物等的光阻部件的方法和装置。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)的显示面板通常包括阵列基板、液晶层及彩膜基板，并且通过在彩膜基板或阵列基板上形成隔垫物(spacer)来控制液晶盒的厚度。例如，在制备了黑矩阵、彩色像素层、公共电极层等的彩膜基板上形成柱状隔垫物(PS：Post Spacer/Photo Spacer)，从而利用该柱状隔垫物控制液晶盒的厚度。
然而，在目前的形成柱状隔垫物的工艺中，柱状隔垫物的尺寸均一性较差，导致柱状隔垫物的形变不一致，进而影响显示质量。
发明内容
本公开的目的旨在提供一种用于处理光阻部件的方法和装置，该方法和装置能够提高形成的光阻部件的形貌或尺寸的均一性。
根据本公开的一个方面，提供一种处理光阻部件的方法，包括如下步骤：
将待处理的光阻部件置于具有多个加热部件的加热装置上；和
基于加热参数分别控制与所述加热参数相关联的多个加热部件中的每一个，对待处理的光阻部件进行加热。
根据一些实施例，所述加热参数是基于待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者确定的。
根据一些实施例，所述加热参数包括加热温度，所述光阻部件参数包括光阻部件的尺寸和光阻部件在基板上的位置。
根据一些实施例，所述工艺参数包括曝光工艺参数和显影工艺参数中的至少之一，所述加热参数是基于曝光工艺参数和显影工艺参数中的至少之一和光阻部件参数确定的。
根据一些实施例，所述曝光工艺参数包括曝光光源在光阻部件所在的基板上的照度分布，基于曝光工艺参数和光阻部件参数确定所述加热参数的步骤包括：
根据分布的照度与所述光阻部件的尺寸的正比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸；和
根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度。
根据一些实施例，所述显影工艺参数包括显影机的倾斜方向和倾斜度，基于显影工艺参数和光阻部件参数确定所述加热参数的步骤包括：
基于所述倾斜方向和所述倾斜度，确定沿显影液流动方向的上游位置和下游位置，并确定分别位于上游位置处和下游位置处的显影液的量；
根据显影液的量与所述光阻部件的尺寸的反比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸；和
根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度。
根据一些实施例，所述方法还可以包括如下步骤：对处理后的光阻部件进行曝光和对曝光后的光阻部件进行显影。
根据一些实施例，所述光阻部件为柱状隔垫物，所述光阻部件的尺寸包括柱状隔垫物的顶部直径。
根据一些实施例，所述加热装置为具有多个加热部件的加热盘，所述对待处理的光阻部件进行加热的步骤包括：通过热接触方式对待处理的光阻部件进行加热。
根据本发明的另一方面，还提供一种处理光阻部件的装置，包括：
加热装置，该加热装置具有多个加热部件，并承载待处理的光阻部件；和
控制器，该控制器被配置为基于加热参数分别控制与所述加热参数相关联的多个加热部件中的每一个，对待处理的光阻部件进行加热。
根据一些实施例，所述加热参数是基于待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者确定的。
根据一些实施例，所述加热参数包括加热温度，所述光阻部件参数包括光阻部件的尺寸和光阻部件在基板上的位置。
根据一些实施例，所述装置还可以包括：存储装置，所述存储装置存储有多组具有三者关联关系的光阻部件参数、工艺参数和加热参数，其中，所述控制器还被配置为从所述存储装置中读取与各个加热部件相关联的加热参数。
根据一些实施例，所述工艺参数包括曝光光源在光阻部件所在的基板上的照度分布和/或显影机的倾斜方向和倾斜度。
根据一些实施例，所述加热装置为加热盘，该加热盘通过热接触方式对待处理的光阻部件进行加热。
根据上述实施例的用于处理光阻部件的方法和装置通过使用不同的加热温度来加热位于基板上的不同位置或区域处的光阻部件，以提高形成的光阻部件的形貌或尺寸的均一性。
此外，根据上述实施例的用于处理光阻部件的方法和装置可以补偿例如曝光和显影等其它工艺步骤导致光阻部件的形貌或尺寸的差异，从而实现形成的光阻部件的形貌或尺寸的均一性。
通过下文中参照附图对本公开所作的描述，本公开的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本公开有全面的理解。
附图说明
图1是根据本公开的实施例的彩膜基板的示意图；
图2为示意性示出了根据本公开实施例的用于形成柱状隔垫物的方法的各个流程的示意图；
图3为根据本公开实施例的用于形成柱状隔垫物的方法的流程框图；
图4为示意性示出根据本公开的实施例的加热设备的示意图；
图5为示意性示出根据本公开的实施例的加热装置的示意图；
图6为示意性示出用于图2中的方法的显影机的倾斜角度的示意图；
图7为示意性示出柱状隔垫物的形变量与其顶部直径的对应关系的示意图；
图8为示意性示出柱状隔垫物的顶部直径与加热温度的对应关系的示意图；
图9为根据本公开实施例的用于处理光阻部件的方法的流程框图；
图10为示意性示出根据本公开实施例的用于处理光阻部件的装置的框图；和
图11为示意性示出根据本公开另一实施例的用于处理光阻部件的装置的框图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。
另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
需要说明的是，本文中的表述“光阻部件”可以指代由例如光刻胶等的光阻材料或光阻剂形成的部件，或通过光刻工艺形成的部件，包括但不限于：柱状隔垫物、黑矩阵、形成在阵列基板上的photo单元等。
首先，在详细描述根据本公开实施例的用于处理光阻部件的方法和装置之前，需要说明彩膜基板(CF)的结构以及在彩膜基板上形成柱状隔垫物(PS)的制程。
图1示意性示出了一种彩膜基板，如图1所示，彩膜基板可以包括基板2、黑矩阵4、彩色滤光片6、透明电极层8和隔垫物10。基板2例如为玻璃基板。黑矩阵4设置在基板2上，用于显示不同基色的多个彩色滤光片6，例如，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤光片，滤光片6由黑矩阵4间隔开。透明电极层8设置在滤光片6上，同时柱状隔垫物10设置在透明电极层8上。如图1所示，在基板2上，分布有多个柱状隔垫物10，该柱状隔垫物10一般具有梯形的横截面，该柱状隔垫物10的一些尺寸，例如高度H、顶部直径(即TOP CD)、底部直径(即BOTTOMCD)，对控制液晶盒的厚度均一性有较大影响。
图2为示意性示出了根据本公开实施例的用于形成柱状隔垫物的方法的各个流程的示意图，图3为根据本公开实施例的用于形成柱状隔垫物的方法的流程框图。
如图2和图3所示，在清洗步骤中，对形成的透明电极层8进行清洗。在光阻材料(例如，光刻胶)涂布步骤中，通过旋转式涂布机、狭缝和旋转式涂布机、或狭缝式涂布机(slitcoater)，将光阻材料10’涂布在透明电极层8上，以形成光阻材料层10’。其中，光阻材料是一种对光敏感的有机化合物，它受例如紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。例如，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种。正性光刻胶在曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成对显影液可溶。负性光刻胶在曝光前对显影液可溶，而曝光后变成对显影液不可溶。在真空干燥步骤中，将涂布有光阻材料的基板2置于真空干燥设备22中，使得光阻材料含有的溶剂的大部分挥发，例如，约80％的溶剂挥发。在预烘烤与冷却步骤中，将经真空干燥的基板2置于烘烤设备中，以80-120℃的温度加热一段时间，例如，以90℃的温度加热90-180秒，然后将基板2冷却至室温，例如23℃。下文将进一步详细描述该预烘烤步骤以及用于执行预烘烤步骤的设备。该预烘烤步骤也可以称为前烘或软烘步骤。在经真空干燥步骤后，仍会有一定量的溶剂残存于胶膜内，如果不经过前烘或软烘步骤而直接进行曝光，会影响图案的尺寸及完整率。也就是说，该预烘烤步骤使残存于胶膜内的溶剂进一步挥发，从而控制形成的柱状隔垫物的尺寸及完整率。在曝光步骤中，利用掩膜板24将光阻材料层10’经紫外光曝光成像。在显影步骤中，利用显影液对经曝光的光阻材料层10’进行显影。在图示的示例中，通过该显影步骤，去除经曝光的光阻材料，保留未经曝光的光阻材料。并且，在烘烤步骤中，将带有显影后的光阻材料层10’的基板2置于烘烤炉中，采用热风加热方式对其进行烘干处理，以形成柱状隔垫物10。
图4为用于执行预烘烤步骤的烘烤设备40的示意图。如图4所示，在LCD生产线中，基板2被传送至该烘烤设备的工作位。此时，烘烤设备的机械手臂44伸出以从下方托起基板2，然后机械手臂44收缩回烘烤设备内。开启烘烤设备的加热装置，将基板2加热至目标温度。在一个示例中，如图5所示，加热装置为加热盘50，并且该加热盘50通过直接接触基板2的方式来加热基板2。更具体地，加热盘50可以包括加热丝502(如图5所示)，以对基板2进行加热。在图5的实施例中，加热丝502为成环形缠绕的加热丝。但是，本领域的技术人员可以理解，加热丝502也可以具有其它形式。
随着大尺寸显示产品的流行，使得基板2的尺寸越来越大，而掩膜板的尺寸比基板2的尺寸小。例如，在一个示例中，基板2的尺寸为2.2m*2.5m，掩膜板的尺寸为1.1m*1.3m。这样，在上述曝光步骤中，一般需要采用4-shot或6-shot工艺对基板进行曝光。在各次曝光中，由于光路的损失，导致照射在基板2上的不同位置处的光强或照度不同，而光强或照度会对形成的柱状隔垫物的形貌产生影响。也就是说，基板2上的照度分布不均，会导致形成的柱状隔垫物的形貌或尺寸不均一。所以，在基板2上不同位置处的柱状隔垫物10的形貌或尺寸会不同。例如，发明人发现，在基板2的尺寸为2.2m×2.5m、掩膜板的尺寸为1.1m×1.3m的示例中，由于曝光步骤中的照度分布不均，会导致基板2上的形成的柱状隔垫物10的顶部直径(TOP CD，如图2所示)存在约3～5％的差异。
进一步地，在显影步骤中，为了便于显影液的排出，一般需要将基板2倾斜设置在显影设备中。即，显影机具有倾斜方向和一定的倾斜度，该倾斜度一般用基板相对于水平面的倾斜角度α表示，如图6所示。在一个示例中，倾斜方向为基板所处的高度从图6中的右侧向左侧逐渐降低，倾斜角度α大约为5°。这样，分布在基板的上游侧(图6右侧)和下游侧(图6左侧)的显影液的量就会不同。具体地，分布在下游侧的显影液的量比分布在上游侧的显影液的量更多，而显影液的量会对形成的柱状隔垫物的形貌(例如，柱状隔垫物的顶部直径)产生影响。这样，在上游侧和下游侧的柱状隔垫物的形貌(例如，柱状隔垫物的顶部直径)会不同。
通过上面的分析可知，受曝光和/或显影等工艺的影响，会导致形成的柱状隔垫物的形貌(例如顶部直径)不均一。即，分布在基板2上的不同位置处的柱状隔垫物10的顶部直径(TOP CD)不一致。进一步地，如图7所示，柱状隔垫物的顶部直径与柱状隔垫物的形变量存在对应关系。在图7中，横坐标为柱状隔垫物的顶部直径，单位可以为μm；纵坐标为柱状隔垫物的形变量，该形变量可以为柱状隔垫物受压时的被压缩高度占其原始高度的百分比，单位为无量纲。需要说明的是，图7仅示意性示出柱状隔垫物的顶部直径与柱状隔垫物的形变量之间的对应关系，并不局限于具体的形变量的数值，因此图7中并没有示出形变量的具体数值。如果柱状隔垫物的顶部直径不均一，那么就导致在受压时柱状隔垫物的形变量不一致。即，位于基板上的一些位置处的柱状隔垫物的形变量大，位于基板上的另一些位置处的柱状隔垫物的形变量小，导致液晶盒的厚度不一致，从而影响显示质量。
经发明人研究发现，在上述预烘烤步骤中，使得残存于胶膜内的溶剂进一步挥发，从而可以控制形成的柱状隔垫物的尺寸。进一步地，该预烘烤步骤中的加热温度与柱状隔垫物的顶部直径存在对应关系。图8示意性地示出了这种对应关系。在图8中，横坐标为加热温度，单位可以为℃；纵坐标为顶部直径，单位可以为μm。需要说明的是，图8仅示意性示出预烘烤步骤中的加热温度与柱状隔垫物的顶部直径之间的对应关系，并不局限于具体的顶部直径的数值，因此图8中并没有示出顶部直径的具体数值。总体来说，当加热温度较高时，使得残存于胶膜内的溶剂挥发的较多，即，可以加剧形成柱状隔垫物的光阻材料的反应，导致形成的柱状隔垫物的顶部直径较大。反之，当加热温度较低时，形成的柱状隔垫物的顶部直径较小。因此，为了保持在基板上不同位置处的柱状隔垫物的顶部直径一致，可以采取“分区加热”的方式来补偿在曝光和显影等工艺中导致的顶部直径的不均一。所谓“分区加热”方式，是指针对基板上的不同位置或不同区域按照需要采用不同的加热温度。例如，如图5所示，可以根据柱状隔垫物在基板上的位置，将加热盘50划分为25个区域，每个区域都设置有加热丝502，分别控制各个加热丝502，以采用不同的加热温度对位于基板上的不同位置或区域处的光阻材料进行加热。具体地，对于由于曝光和显影等工艺导致的顶部直径较小的区域，可以在前烘步骤中对该区域加热至较高温度，例如100-120℃。对于由于曝光和显影等工艺导致的顶部直径较大的区域，可以在前烘步骤中对该区域加热至较低温度，例如80-90℃。
这样，可以将柱状隔垫物的形貌或尺寸(例如顶部直径)以及柱状隔垫物在基板上所处的位置作为柱状隔垫物的部件参数，将例如曝光步骤中的照度分布以及显影步骤中的显影机的倾斜方向和倾斜度等涉及工艺的因素作为工艺参数，将加热装置的加热温度等作为加热参数。由上面的分析可知，部件参数、工艺参数以及加热参数三者之间存在对应关系，通过调整加热参数，使之与部件参数和工艺参数相匹配、相关联或相对应，可以实现形成的柱状隔垫物的尺寸(例如顶部直径)均一。
例如，可以建立三个参数之间的对应关系或关联关系：加热参数(例如加热温度)-柱状隔垫物的部件参数(例如柱状隔垫物的顶部直径等尺寸及其在基板上的位置)-工艺参数(例如曝光光源的照度分布、显影机的倾斜方向和倾斜度)，基于部件参数和/或工艺参数，确定与二者对应或关联的加热参数，然后对分布在基板上的柱状隔垫物进行分区加热。
这样，根据本公开的实施例，可以建立数据表或数据库，在该数据表或数据库中，存储有多组具有三者对应关系或三者关联关系的部件参数、工艺参数以及加热参数。该数据表或数据库可以通过多种方式逐步建立，例如，可以通过技术人员人工输入经验值的方式，或者可以通过试验采集各个参数的方式，或者在前期的实际制程中加工大量的柱状隔垫物采集的各个参数的方式。
虽然上文以柱状隔垫物为例对其结构、形成工艺以及前烘/软烘工艺中的加热参数对柱状隔垫物的顶部直径的影响进行了详细描述，但是，本领域技术人员应该理解，一些形成在基板上的其它部件，例如形成在彩膜基板上的黑矩阵(BM)、形成在阵列基板上的photo单元等，都是通过光刻工艺形成的，即形成这些部件的方法都包括预烘烤(即前烘或软烘)步骤、曝光步骤和显影步骤，所以上文对柱状隔垫物的描述也可以适用于这些部件。在下文中，“光阻部件”可以指代由例如光刻胶等的光阻材料或光阻剂形成的部件，或通过光刻工艺形成的部件，包括但不限于：柱状隔垫物、黑矩阵、形成在阵列基板上的photo单元等。例如，黑矩阵的尺寸(例如顶部宽度，如图1中的TOP SIZE所示)也与上述工艺参数和加热参数存在对应关系，通过对位于基板不同位置或区域处的黑矩阵采用不同的加热温度进行加热，也可以实现黑矩阵的尺寸(例如顶部宽度)的均一性。
下面，结合附图进一步详细描述根据本公开实施例的用于处理例如柱状隔垫物等的光阻部件的方法。
图9为根据本公开实施例的用于处理光阻部件的方法的流程框图。如图9所示，在步骤S910中，将待处理的光阻部件置于具有多个加热部件的加热装置上。具体地，如图4和5所示，将带有光阻材料层10’的基板2置于具有多个加热丝502的加热装置50上。
接下来，在步骤S920中，基于加热参数分别控制与所述加热参数对应或关联的多个加热部件中的每一个，对待处理的光阻部件进行加热。具体地，可以基于存储在数据表或数据库中的加热温度等加热参数，控制相应的加热丝502，对带有光阻材料层10’的基板2进行分区加热。
根据本公开的实施例，加热参数与待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者对应，即，加热参数是基于待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者确定的。具体地，加热参数可以包括各个加热丝502的加热温度。光阻部件参数可以包括光阻部件的尺寸和光阻部件在基板上的位置，例如柱状隔垫物10的顶部直径和柱状隔垫物10在基板2上的位置。工艺参数可以包括曝光工艺参数和/或显影工艺参数。具体地，曝光工艺参数可以包括曝光光源在光阻部件所在的基板上的照度分布，显影工艺参数可以包括显影机的倾斜方向和倾斜度。也就是说，可以根据照度分布和/或显影机的倾斜方向和倾斜度，对处于基板上不同位置或区域处的光阻部件采用与该位置或区域对应的加热温度，以获得对应的光阻部件尺寸。
下面，结合上文的描述和附图更详细说明基于曝光工艺参数和显影工艺参数中的至少之一和光阻部件参数确定加热参数的步骤。
根据本发明的一些实施例，所述曝光工艺参数包括曝光光源在光阻部件所在的基板上的照度分布。这样，基于曝光工艺参数和光阻部件参数确定所述加热参数的步骤可以包括：根据分布的照度与所述光阻部件的尺寸的正比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸；和根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度。
在“根据分布的照度与所述光阻部件的尺寸的正比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸”的步骤中，由上面的描述可知，分布在位于基板上的不同位置或区域处的光阻部件上的照度不同，导致形成的光阻部件的尺寸不同。在一个示例中，分布在光阻部件上的照度越大，形成的光阻部件的尺寸越大；分布在光阻部件上的照度越小，形成的光阻部件的尺寸越小，即，分布的照度与光阻部件的尺寸的正比关系。这样，可以根据该正比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸。
在“根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度”的步骤中，根据上文的描述，对于预估的光阻部件的尺寸较小的基板区域，可以在前烘步骤中对该区域加热至较高温度；对于预估的光阻部件的尺寸较大的基板区域，可以在前烘步骤中对该区域加热至较低温度。即，根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度。这样，可以在前烘步骤中提前补偿由后续的工艺参数导致的光阻部件的尺寸的不均一性，从而使得最终形成的光阻部件的尺寸均一。
根据本发明的一些实施例，所述显影工艺参数包括显影机的倾斜方向和倾斜度，基于显影工艺参数和光阻部件参数确定所述加热参数的步骤包括：
基于所述倾斜方向和所述倾斜度，确定沿显影液流动方向的上游位置和下游位置，并确定分别位于上游位置处和下游位置处的显影液的量；
根据显影液的量与所述光阻部件的尺寸的反比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸；和
根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度。
其中，在“根据显影液的量与所述光阻部件的尺寸的反比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸”的步骤中，在上游位置(例如，图6中的右侧)处，显影液的量较少，会导致形成的光阻部件的尺寸偏小；而在下游位置(例如，图6中的左侧)处，显影液的量较多，会导致形成的光阻部件的尺寸偏大。这样，可以根据显影液的量与光阻部件的尺寸的反比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸。
“根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度”的步骤在上文中已经描述，此处不再赘述。
在其他实施例中，还可以对经处理后的光阻部件进行曝光并且对经曝光后的光阻部件进行显影。也就是说，上述的加热步骤是在形成柱状隔垫物等光阻部件的前烘/软烘工艺中执行的。在该前烘/软烘工艺中，使得残存于胶膜内的溶剂进一步挥发，从而可以控制形成的光阻部件的尺寸。并且，由于在前烘/软烘工艺中通过分区加热的方式控制处于不同位置或区域处的光阻部件的尺寸，所以可以提前补偿曝光和/或显影工艺中可能导致的光阻部件的尺寸的不均一性。
下面，结合附图(例如附图4、5和10)描述根据本公开实施例的用于处理例如柱状隔垫物等的光阻部件的装置。图10为示意性示出根据本公开实施例的用于处理光阻部件的装置的框图。如图10所示，该装置1000可以包括加热装置1002和控制器1006。加热装置1002具有多个加热部件1004，并承载待处理的光阻部件。控制器1006被配置为基于加热参数分别控制与所述加热参数对应的多个加热部件1004中的每一个，对待处理的光阻部件进行加热。
具体地，如图4和5所示，加热装置1002可以为加热盘50，加热部件1004可以为加热丝502等。
同样地，加热参数可以与待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者对应。即，加热参数可以与待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者相关联。具体地，加热参数可以包括各个加热丝502的加热温度。光阻部件参数可以包括光阻部件的尺寸和光阻部件在基板上的位置，例如柱状隔垫物10的顶部直径和柱状隔垫物10在基板2上的位置。工艺参数可以包括曝光工艺参数和/或显影工艺参数，且曝光工艺参数可以包括曝光光源在光阻部件所在的基板上的照度分布，显影工艺参数可以包括显影机的倾斜方向和倾斜度。也就是说，可以根据照度分布和显影机的倾斜方向和倾斜度，对处于基板上不同位置或区域处的光阻部件采用与该位置或区域对应的加热温度，以获得对应的光阻部件尺寸。
如图10所示，装置1000还可以包括存储装置1008，该存储装置1008可以包括存储介质，并且该存储介质中存储有数据库或数据表1010，以存储多组具有对应关系或关联关系的光阻部件参数、工艺参数和加热参数。并且，所述控制器1006还被配置为从所述存储装置1008中读取与各个例如加热丝502的加热部件1004相对应的加热参数。
更具体地，装置1000还可以包括电源1012和控制线1014。如图10所示，电源1012用于对加热装置1002、控制器1006和存储装置1008进行供电。控制线1014用于连接控制器1006和各个加热部件1004，以将控制器1006的控制信号传送给各个加热部件1004。
图11为示意性示出根据本公开另一实施例的用于处理光阻部件的装置的框图。如图11所示，加热装置1002可以包括多个加热部件1004和与多个加热部件1004一一对应的温控器1116，控制器1106将与各个温控器1116对应的加热参数传送给各个温控器1116，各个温控器1116基于各自的加热参数分别控制加热部件1104对待处理的光阻部件进行加热。本领域的技术人员能够理解，可以采用其他的分区加热的方式来对光阻部件进行加热，从而控制光阻部件的形貌和/或尺寸的一致性。
虽然结合附图对本公开进行了说明，但是附图中公开的实施例旨在对本公开的实施方式进行示例性说明，而不能理解为对本公开的一种限制。
虽然本公开的总体发明构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本公开的总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (15)

1.一种处理光阻部件的方法，包括步骤：
将待处理的光阻部件置于具有多个加热部件的加热装置上；和
基于加热参数分别控制与所述加热参数相关联的多个加热部件中的每一个，对待处理的光阻部件进行加热。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热参数是基于待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者确定的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述加热参数包括加热温度，所述光阻部件参数包括光阻部件的尺寸和光阻部件在基板上的位置。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述工艺参数包括曝光工艺参数和显影工艺参数中的至少之一，所述加热参数是基于曝光工艺参数和显影工艺参数中的至少之一和光阻部件参数确定的。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述曝光工艺参数包括曝光光源在光阻部件所在的基板上的照度分布，基于曝光工艺参数和光阻部件参数确定所述加热参数的步骤包括：
根据分布的照度与所述光阻部件的尺寸的正比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸；和
根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述显影工艺参数包括显影机的倾斜方向和倾斜度，基于显影工艺参数和光阻部件参数确定所述加热参数的步骤包括：
基于所述倾斜方向和所述倾斜度，确定沿显影液流动方向的上游位置和下游位置，并确定分别位于上游位置处和下游位置处的显影液的量；
根据显影液的量与所述光阻部件的尺寸的反比关系，预估位于基板上的不同位置处的光阻部件的尺寸；和
根据预估的光阻部件的尺寸与加热温度的反比关系，确定加热温度。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的方法，还包括如下步骤：对处理后的光阻部件进行曝光和对曝光后的光阻部件进行显影。
8.根据权利要求3-7中任一项所述的方法，其中，所述光阻部件为柱状隔垫物，所述光阻部件的尺寸包括柱状隔垫物的顶部直径。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述加热装置为具有多个加热部件的加热盘，所述对待处理的光阻部件进行加热的步骤包括：通过热接触方式对待处理的光阻部件进行加热。
10.一种处理光阻部件的装置，包括：
加热装置，该加热装置具有多个加热部件，并承载待处理的光阻部件；和
控制器，该控制器被配置为基于加热参数分别控制与所述加热参数相关联的多个加热部件中的每一个，对待处理的光阻部件进行加热。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述加热参数是基于待处理的光阻部件的光阻部件参数和工艺参数二者确定的。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述加热参数包括加热温度，所述光阻部件参数包括光阻部件的尺寸和光阻部件在基板上的位置。
13.根据权利要求12所述的装置，还包括：存储装置，所述存储装置存储有多组具有三者关联关系的光阻部件参数、工艺参数和加热参数，其中，所述控制器还被配置为从所述存储装置中读取与各个加热部件相关联的加热参数。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述工艺参数包括曝光光源在光阻部件所在的基板上的照度分布和/或显影机的倾斜方向和倾斜度。
15.根据权利要求10-14中任一项所述的装置，其中，所述加热装置为加热盘，该加热盘通过热接触方式对待处理的光阻部件进行加热。
CN201710003107.5A 2017-01-03 2017-01-03 用于处理光阻部件的方法和装置 Active CN106597758B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710003107.5A CN106597758B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 用于处理光阻部件的方法和装置
US15/679,510 US10466545B2 (en) 2017-01-03 2017-08-17 Method and device for processing photoresist component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710003107.5A CN106597758B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 用于处理光阻部件的方法和装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106597758A true CN106597758A (zh) 2017-04-26
CN106597758B CN106597758B (zh) 2019-09-24

Family

ID=58582481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710003107.5A Active CN106597758B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 用于处理光阻部件的方法和装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10466545B2 (zh)
CN (1) CN106597758B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115981047A (zh) * 2023-02-13 2023-04-18 成都京东方显示科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114609868A (zh) * 2022-05-12 2022-06-10 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种光阻缺陷的验证方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497662A (zh) * 2002-10-11 2004-05-19 ��ʽ���綫֥ 衬底处理方法、加热处理装置和图形形成方法
WO2007032369A1 (ja) * 2005-09-13 2007-03-22 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN201429770Y (zh) * 2009-07-15 2010-03-24 北京京东方光电科技有限公司 显影液倾倒设备
CN102221759A (zh) * 2011-07-19 2011-10-19 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 液晶配向架构
CN104199256A (zh) * 2014-09-25 2014-12-10 上海和辉光电有限公司 产生光刻胶图案的方法和装置及其预烘装置
CN104267543A (zh) * 2014-10-10 2015-01-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法
CN104330926A (zh) * 2014-12-02 2015-02-04 合肥京东方光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板
US20160116774A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Method for manufacturing curved liquid crystal panel
CN105807503A (zh) * 2016-05-27 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 隔垫物及制作方法、掩膜板、显示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6402509B1 (en) * 1999-09-03 2002-06-11 Tokyo Electron, Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100811964B1 (ko) * 2000-09-28 2008-03-10 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법
EP1273973A1 (en) * 2001-07-03 2003-01-08 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Method for adjusting a temperature in a resist process
US7405033B2 (en) * 2003-01-17 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device
US7094994B2 (en) * 2003-03-11 2006-08-22 Sony Corporation Heat treatment apparatus and method of semiconductor wafer
KR100506315B1 (ko) * 2003-08-22 2005-08-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 베이크 시스템 및 그 동작 방법
JP4444090B2 (ja) * 2004-12-13 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20060222975A1 (en) * 2005-04-02 2006-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated optical metrology and lithographic process track for dynamic critical dimension control
US7425689B2 (en) * 2006-09-27 2008-09-16 Tokyo Electron Limited Inline physical shape profiling for predictive temperature correction during baking of wafers in a semiconductor photolithography process
JP4788610B2 (ja) * 2007-01-17 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体
JP4891139B2 (ja) * 2007-04-20 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7910863B2 (en) * 2007-09-20 2011-03-22 Tokyo Electron Limited Temperature setting method of thermal processing plate, computer-readable recording medium recording program thereon, and temperature setting apparatus for thermal processing plate
US9267742B2 (en) * 2010-01-27 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the temperature uniformity of a substrate
JP5470236B2 (ja) * 2010-12-22 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 局所露光方法及び局所露光装置
KR101820558B1 (ko) * 2010-12-23 2018-02-28 유리타 아. 게. 넓은 영역에 나노 구조체를 생산하기 위한 시스템 및 방법
US9016963B2 (en) * 2012-08-13 2015-04-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Color film developing apparatus
JP5881567B2 (ja) * 2012-08-29 2016-03-09 株式会社東芝 パターン形成方法
CN103324038A (zh) * 2013-06-25 2013-09-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显影装置及显影方法
US9262578B2 (en) * 2014-04-25 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit manufacturing
US20170018438A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method and bake condition determining method

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497662A (zh) * 2002-10-11 2004-05-19 ��ʽ���綫֥ 衬底处理方法、加热处理装置和图形形成方法
WO2007032369A1 (ja) * 2005-09-13 2007-03-22 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20090104548A1 (en) * 2005-09-13 2009-04-23 Tokyo Electron Limited Substrate-processing apparatus, substrate-processing method, substrate-processing program, and computer-readable recording medium recorded with such program
CN201429770Y (zh) * 2009-07-15 2010-03-24 北京京东方光电科技有限公司 显影液倾倒设备
CN102221759A (zh) * 2011-07-19 2011-10-19 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 液晶配向架构
CN104199256A (zh) * 2014-09-25 2014-12-10 上海和辉光电有限公司 产生光刻胶图案的方法和装置及其预烘装置
CN104267543A (zh) * 2014-10-10 2015-01-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法
US20160116774A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Method for manufacturing curved liquid crystal panel
CN104330926A (zh) * 2014-12-02 2015-02-04 合肥京东方光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板
CN105807503A (zh) * 2016-05-27 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 隔垫物及制作方法、掩膜板、显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115981047A (zh) * 2023-02-13 2023-04-18 成都京东方显示科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106597758B (zh) 2019-09-24
US20180188565A1 (en) 2018-07-05
US10466545B2 (en) 2019-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3052116B2 (ja) 熱処理装置
CN106597758A (zh) 用于处理光阻部件的方法和装置
US7938587B2 (en) Substrate processing method, computer storage medium and substrate processing system
JP6775084B2 (ja) 処理条件設定方法、記憶媒体及び基板処理システム
WO2006087938A1 (ja) 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN106353909A (zh) 加热板和烘烤装置
WO2017049883A1 (zh) 一种掩膜版、曝光装置及曝光方法
WO2021015010A1 (ja) 基板処理装置及び処理条件調整方法
JP2006222354A (ja) 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US5849582A (en) Baking of photoresist on wafers
CN115452659B (zh) 利用图像特征评价沥青激活剂在旧沥青中扩散能力的方法
CN103984052B (zh) 彩色滤光片的制造方法
JP4146558B2 (ja) 基板熱処理方法および基板熱処理装置
US7715952B2 (en) Temperature setting of thermal processing plate using zernike coefficients
KR100814719B1 (ko) 히팅 플레이트 제조 장치 및 이를 이용한 히팅 플레이트제조 방법
US20030124469A1 (en) Method and apparatus for uniformly baking substrates such as photomasks
JP2003068598A (ja) ベーキング方法及びベーキング装置
US20080257496A1 (en) Temperature setting method for thermal processing plate, temperature setting apparatus for thermal processing plate, and computer-readable storage medium
US2791173A (en) Apparatus for making photographic color print
CN108873597A (zh) 一种掩膜版及配向曝光方法
JPH0596842A (ja) カラーフイルターの製造方法
KR100684013B1 (ko) 가열처리방법 및 가열처리장치
TW202301427A (zh) 基板處理設備及基板處理方法
JP3977275B2 (ja) 熱処理装置
CN204256552U (zh) 增加光阻预烤炉内独立温控区域数量的结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant