CN106558979B - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的半导体装置集成输入有直流输入电压的第一外部端子、外设有整流平滑电路的第二外部端子、连接于上述第一外部端子与上述第二外部端子之间的输出晶体管、以由上述整流平滑电路能够获得所希望的直流输出电压的方式使上述输出晶体管导通/截止的控制电路、生成与上述输出晶体管的导通电流对应的检测电压的电流检测电路以及对上述检测电压进行监视而进行过电流保护动作的过电流保护电路而成。上述过电流保护电路在检测到上述检测电压超过第一阈值电压时，进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作，在检测到即使进行上述第一过电流保护动作上述检测电压也继续上升时，进行定时器锁存方式的第二过电流保护动作。

Description

半导体装置
技术领域
本发明涉及具备过电流保护电路的半导体装置。
背景技术
在本申请的申请人的国际公开第2012/157242号(以下，称为专利文献1)中公开了非绝缘降压开关稳压器，其具备使用设置于线圈附近的外设检测电阻对线圈电流始终进行监视，从而在线圈电流超过规定的阈值电流的期间，持续强制地截止输出晶体管的过电流保护功能。
然而，在专利文献1的现有技术中，需要外设的检测电阻，因此基板面积的增大、成本上升成为课题。
发明内容
在本说明书中公开的发明鉴于由本申请的发明人发现的上述课题，目的在于提供一种不需要外设的检测电阻，就能够进行适当的过电流保护动作的过电流保护电路。
因此，在本说明书中公开的半导体装置集成输入有直流输入电压的第一外部端子、外设有整流平滑电路的第二外部端子、连接于上述第一外部端子与上述第二外部端子之间的输出晶体管、以由上述整流平滑电路能够获得所希望的直流输出电压的方式使上述输出晶体管导通/截止的控制电路、生成与上述输出晶体管的导通电流对应的检测电压的电流检测电路以及对上述检测电压进行监视而进行过电流保护动作的过电流保护电路而成，上述过电流保护电路构成为在检测到上述检测电压超过第一阈值电压时，进行逐个脉冲(Pulse-by-pulse)方式的第一过电流保护动作，在检测到即使进行上述第一过电流保护动作，上述检测电压也继续上升时，进行定时器锁存方式的第二过电流保护动作。
此外，本发明的其他的特征、要素、步骤、优点以及特性，通过以下接着的最佳的方式的详细的说明、与其相关的附图，进一步明确。
附图说明
图1是表示电子设备的整体构成的电路框图。
图2是输出晶体管的导通期间的电流路径图。
图3是输出晶体管的截止期间的电流路径图。
图4是表示半导体装置的基本构成的框图。
图5是表示过电流保护电路的第一实施方式的框图。
图6是表示逐个脉冲方式的第一过电流保护动作的时序图。
图7是表示第一实施方式的过电流保护动作的时序图。
图8是表示过电流保护电路的第二实施方式的框图。
图9是表示第二实施方式的过电流保护动作的时序图。
图10是空调的外观图。
具体实施方式
＜电子设备＞
图1是表示电子设备的整体构成的电路框图。本构成例的电子设备X具有从交流电源Y接受交流输入电压Vac的供给而生成所希望的直流输出电压Vout的电源装置1以及接受直流输出电压Vout的供给而进行动作的负载2。
＜电源装置＞
接着，参照图1，对电源装置1进行说明。电源装置1具有滤波器(FLT)10、AC/DC转换器20以及DC/DC转换器30。
滤波器10除去重叠于交流输入电压Vac的噪声、电涌。滤波器10包含X电容器、共模滤波器以及熔断器元件等。
AC/DC转换器20根据经由滤波器10被输入的交流输入电压Vac生成直流输入电压Vin。AC/DC转换器20包含全波整流用的二极管电桥DB、输出平滑用的电容器C0。
DC/DC转换器30是对直流输入电压Vin进行降压而生成所希望的直流输出电压Vout，并将其供给至负载2的非绝缘降压开关稳压器。
＜DC/DC转换器＞
接着，参照图1，对DC/DC转换器30进行说明。DC/DC转换器30包含半导体装置100以及外设于该半导体装置100的各种分立部件(线圈L1、二极管D1以及D2、电容器C1～C2)。
半导体装置100是DC/DC转换器30的控制主体(所谓的开关控制IC)，作为用于确立与装置外部的电连接的机构，具有外部端子T1～T3。外部端子T1(DRAIN引脚)相当于直流输入电压Vin的输入端。外部端子T2(GND＿IC引脚)相当于开关电压Vsw的输出端。外部端子T3(VCC引脚)相当于电源电压Vcc的输入端。
线圈L1的第一端与二极管D1的阴极均连接于外部端子T2。线圈L1的第二端与电容器C1的第一端均连接于输出电压Vout的输出端。二极管D1的阳极与电容器C1的第二端均连接于接地端。这些分立部件(线圈L1、二极管D1以及电容器C1)作为对开关电压Vsw进行整流及平滑而生成所希望的直流输出电压Vout的整流平滑电路发挥功能。此外，也可以代替二极管D1将同步整流晶体管集成化于半导体装置100。
二极管D2的阴极与电容器C2的第一端均连接于外部端子T3。电容器C2的第二端连接于外部端子T2。二极管D2的阳极连接于输出电压Vout的输出端。这些分立部件(二极管D2以及电容器C2)作为对输出电压Vout进行整流及平滑而生成半导体装置100的电源电压Vcc的电源电压生成电路发挥功能。
此外，在半导体装置100的内部，在外部端子T1与外部端子T2之间设置有输出晶体管101，与其导通/截止状态对应地切换线圈电流IL所流经的电流路径。
图2是输出晶体管101导通期间的电流路径图。在输出晶体管101被导通的情况下，如虚线箭头所示，导通电流Ion在电容器C0→输出晶体管101→线圈L1→电容器C1这样的路径中流经。
图3是输出晶体管101截止期间的电流路径图。在输出晶体管101被截止的情况下，如虚线箭头所示，截止电流Ioff在二极管D1→线圈L1→电容器C1这样的路径中流经。
＜半导体装置＞
图4是表示半导体装置100的基本构成的框图。在本构成例的半导体装置100集成有输出晶体管101、反馈电压生成电路102、误差放大电路103、比较电路104、控制电路(CTRL)105、RS触发电路106、驱动电路107、起动电路(ST)108、电流检测电路109、滤波电路110以及过电流保护电路(OCP)111。此外，在半导体装置100除了上述电路区块之外，还能够适当地设置各种电路区块(内部电源电路、减电压保护电路、温度保护电路、过电压保护电路等)。
输出晶体管101是连接于外部端子T1与外部端子T2之间的开关元件。在本图所示的例子中，作为输出晶体管101，使用N沟道型MOS[metal oxide semiconductor]场效应晶体管。输出晶体管101的漏极连接于外部端子T1。输出晶体管101的源极连接于外部端子T2。输出晶体管101的栅极连接于驱动电路107的输出端(＝栅极信号S4的输出端)。输出晶体管101在栅极信号S4为高电平时导通，在栅极信号S4为低电平时截止。此外，作为输出晶体管101，也能够使用P沟道型MOS场效应晶体管。
反馈电压生成电路102包含串联连接于外部端子T3与接地端之间的电阻Ra以及Rb，以规定的分压比α(＝Rb/(Ra+Rb))对电源电压Vcc(≈输出电压Vout)进行分压，从而从电阻Ra与电阻Rb的连接节点输出反馈电压Vfb。此外，若电源电压Vcc处于误差放大电路103的输入动态范围内，则也能够省略反馈电压生成电路102，而将电源电压Vcc直接输入误差放大电路103。
误差放大电路103生成与输入至非反相输入端(+)的基准电压Vref和输入至反相输入端(－)的反馈电压Vfb(相当于等于输出电压Vout的分压电压)的差分对应的误差电压Verr。误差电压Verr在反馈电压Vfb比基准电压Vref低时上升，在反馈电压Vfb比基准电压Vref高时降低。
比较电路104将输入至非反相输入端(+)的误差电压Verr与输入至反相输入端(－)的检测电压Vcs比较而生成脉冲宽度调制信号S0。脉冲宽度调制信号S0在误差电压Verr比检测电压Vcs高时成为高电平，在误差电压Verr比检测电压Vcs低时成为低电平。此外，在本图的例子中，检测电压Vcs被直接输入比较电路104，但作为其他的构成，例如，也可以将三角波形、锯齿波形的斜坡电压与检测电压Vcs合并而得到的加法电压输入比较电路104。另外，若不需要电流模式控制，则也可以仅将上述斜坡电压输入比较电路104。
控制电路105以能够由上述整流平滑电路(L1、D1、C1)获得所希望的直流输出电压Vout的方式与脉冲宽度调制信号S0对应地生成导通信号S1与截止信号S2。导通信号S1是具有规定的开关频率fsw的基准时钟信号。截止信号S2是以脉冲宽度调制信号S0的脉冲边沿作为触发而生成的单触发信号。但是，基于控制电路105的输出晶体管101的驱动方式不限定于脉冲宽度调制方式，也可以采用脉冲频率调制方式等任意的方式。
RS触发电路106接受导通信号S1与截止信号S2的输入而生成导通/截止控制信号S3。若更加具体而言，则RS触发电路106在导通信号S1的脉冲边沿将导通/截止控制信号S3置位于高电平，在截止信号S2的脉冲边沿将导通/截止控制信号S3复位于低电平。
驱动电路107接受电源电压Vcc的供给而动作，提高导通/截止控制信号S3的电流能力，生成栅极信号S4。在导通/截止控制信号S3为高电平时，栅极信号S4成为高电平，输出晶体管101导通。另一方面，在导通/截止控制信号S3为低电平时，栅极信号S4成为低电平，输出晶体管101截止。
起动电路108在DC/DC转换器30起动时，使外部端子T1与外部端子T3之间短路，从而利用直流输入电压Vin提高电源电压Vcc。因此，即便在无法由输出电压Vout生成足够的电源电压Vcc时，也不会对输出晶体管101的导通/截止控制带来妨碍。
电流检测电路(CS)109将导通电流Ion流经的电流路径的布线电阻、输出晶体管101的导通电阻或者与输出晶体管101并联连接的电流监视用晶体管的导通电阻利用为检测电阻，从而生成与导通电流Ion对应的检测电压Vcs。即，导通电流Ion越大，检测电压Vcs越高，导通电流Ion越小，检测电压Vcs越低。
此外，在本图中，作为利用敷设于输出晶体管101的源极与外部端子T2之间的金属布线的电阻成分的例子，描绘了在该位置设置电流检测电路109的样子。但是，电流检测电路109的位置不限定于此。例如，在利用敷设于外部端子T1与输出晶体管101的漏极之间的金属布线的电阻成分的情况下，电流检测电路109不设置于输出晶体管101的源极侧而设置于漏极侧。另外，在利用输出晶体管101的导通电阻的情况下，电流检测电路109被并联连接于输出晶体管101。
滤波电路110连接于电流检测电路109与过电流保护电路111之间，除去重叠于检测电压Vcs的噪声成分(开关噪声等)。
过电流保护电路111对经由滤波电路110被输入的检测电压Vcs进行监视而生成过电流保护信号S5，从而进行过电流保护动作。若更加具体地叙述，则过电流保护电路111在检测到检测电压Vcs超过第一阈值电压Vth1时，进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作，在检测到即使进行第一过电流保护动作，检测电压Vcs也继续上升时，以进行定时器锁存方式的第二过电流保护动作的方式生成过电流保护信号S5。以下，对过电流保护电路111的构成以及动作进行详述。
＜过电流保护电路(第一实施方式)＞
图5是表示过电流保护电路111的第一实施方式的框图。本实施方式的过电流保护电路111包含比较器111a1以及111a2、计数器111b、定时器(TM)111c，对检测电压Vcs进行监视而生成过电流保护信号S5。此外，在过电流保护信号S5包含有第一过电流保护动作用的第一过电流保护信号S5X以及第二过电流保护动作用的第二过电流保护信号S5Y。
比较器111a1将输入至非反相输入端(+)的检测电压Vcs与输入至反相输入端(－)的第一阈值电压Vth1进行比较而生成第一比较信号Sa1。第一比较信号Sa1在检测电压Vcs比第一阈值电压Vth1低时成为低电平，在检测电压Vcs比第一阈值电压Vth1高时成为高电平。检测电压Vcs与第一阈值电压Vth1的关系能够解读为导通电流Ion与第一阈值电流Ith1的关系。即，第一比较信号Sa1在导通电流Ion比第一阈值电流Ith1小时成为低电平，在导通电流Ion比第一阈值电流Ith1大时成为高电平。此外，第一比较信号Sa1作为第一过电流保护信号S5X被输出至控制电路105。
比较器111a2将输入至非反相输入端(+)的检测电压Vcs与输入至反相输入端(－)的第二阈值电压Vth2(＞Vth1)进行比较而生成第二比较信号Sa2。第二比较信号Sa2在检测电压Vcs比第二阈值电压Vth2低时成为低电平，在检测电压Vcs比第二阈值电压Vth2高时成为高电平。检测电压Vcs与第二阈值电压Vth2的关系能够解读为导通电流Ion与第二阈值电流Ith2(＞Ith1)的关系。即，第二比较信号Sa2在导通电流Ion比第二阈值电流Ith2小时成为低电平，在导通电流Ion比第二阈值电流Ith2大时成为高电平。
计数器(CNT)111b在连续多个周期检测到第二比较信号Sa2的脉冲时生成单触发信号Sb。
定时器111c以单触发信号Sb的脉冲边沿为触发生成在整个规定时间T为高电平的定时器信号Sc。定时器111c可以是数字定时器，也可以是模拟定时器。此外，定时器信号Sc作为第二过电流保护信号S5Y被输出至控制电路105。
首先，在对第一实施方式的过电流保护动作进行详述之前，参照图6，对使用了第一过电流保护信号S5X的逐个脉冲方式的第一过电流保护动作的概要与课题简单地进行说明。图6是表示第一过电流保护动作的时序图，描述了导通电流Ion、截止电流Ioff、线圈电流IL(＝Ion+Ioff)以及第一比较信号Sa1(＝第一过电流保护信号S5X)。
若导通电流Ion比第一阈值电流Ith1高，第一过电流保护信号S5X上升为高电平，则控制电路105使输出晶体管101强制截止至下一周期的导通定时。这样，在逐个脉冲方式的第一过电流保护动作中，在导通电流Ion超过第一阈值电流Ith1的期间，在每个周期重复开关动作的强制停止与自动复原。因此，即便在因负载变动等而暂时检测到过电流的情况下，开关动作也不被持续地强制停止，因此能够稳定地生成输出电压Vout。
然而，例如，在输出电压Vout的输出端经由低阻抗的路径接地(向接地端或者以接地端为基准的低电位端的短路)的情况下，输出晶体管101的强制截止期间中的线圈电流IL的下降量ΔIL(与Vout/L对应地决定)较小，因此无法施加充分的过电流保护，如本图中表示的那样，线圈电流IL继续上升。因此，作为线圈L1必须使用电流容量较大的元件，成本上升成为课题。
此外，如在背景技术栏中也叙述的那样，若将外设的检测电阻设置于线圈L1的最近处，则不仅能够监视导通电流Ion，也能够对截止电流Ioff进行监视，因此也能够施加更加适当的过电流保护。然而，为了采用该构成，另外需要外设的检测电阻，因此基板面积的增大、成本上升成为课题。
接下来，参照图7，对第一实施方式的过电流保护动作进行详述。图7是表示第一实施方式的过电流保护动作的时序图，描述了导通电流Ion、截止电流Ioff、线圈电流IL(＝Ion+Ioff)、第一比较信号Sa1(＝第一过电流保护信号S5X)、第二比较信号Sa2、单触发信号Sb以及定时器信号Sc(＝第二过电流保护信号S5)。此外，本图中的虚线作为比较参照示出了仅进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作的情况下的动作(图6的动作)。
若导通电流Ion比第一阈值电流Ith1高，第一过电流保护信号S5X上升为高电平，则控制电路105使输出晶体管101强制地截止直至下一周期的导通定时。这样，在检测到导通电流Ion超过第一阈值电流Ith1时，进行在之前的图6中所说明的逐个脉冲方式的第一过电流保护动作。
另一方面，即使进行上述的第一过电流保护动作导通电流Ion也继续上升，结果，若导通电流Ion比第二阈值电流Ith2高，则在第二比较信号Sa2生成脉冲。而且，若之后导通电流Ion的上升也在多个周期都持续，在第二比较信号Sa2连续生成多个(在本图的例示中为两个)脉冲，则在单触发信号Sb生成脉冲。
此时，第二过电流保护信号S5Y(＝定时器信号Sc)以单触发脉冲信号Sb的脉冲为触发上升为高电平，然后，在整个规定时间T都被维持为高电平。此外，规定时间T比开关周期(＝1/fsw)长。
若第二过电流保护信号S5Y上升为高电平，则控制电路105使输出晶体管101在整个第二过电流保护信号S5Y的高电平期间(＝规定时间T)强制地截止。这样，在即使进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作，导通电流Ion也继续上升时，切换成定时器锁存方式的第二过电流保护动作，持续多个周期强制截止输出晶体管101。因此，例如，即便在输出电压Vout的输出端接地的情况下，也能够施加适当的过电流保护。
＜过电流保护电路(第二实施方式)＞
图8是表示过电流保护电路111的第二实施方式的框图。本实施方式的过电流保护电路111以第一实施方式(图5)为基础，追加比较器111a3，进一步将计数器111b置换成逻辑部(LOGIC)111b2而构成。因此，对与第一实施方式相同的构成要素标注与图5相同的附图标记，省略重复的说明，以下，对第二实施方式的特征部分重点地进行说明。
比较器111a3将输入至非反相输入端(+)的检测电压Vcs与输入至反相输入端(－)的第三阈值电压Vth3(其中，Vth1＜Vth3＜Vth2)进行比较，而生成第三比较信号Sa3。第三比较信号Sa3在检测电压Vcs比第三阈值电压Vth3低时，成为低电平，在检测电压Vcs比第三阈值电压Vth3高时，成为高电平。检测电压Vcs与第三阈值电压Vth3的关系能够解读为导通电流Ion与第三阈值电流Ith3(其中，Ith1＜Ith3＜Ith2)的关系。即，第三比较信号Sa3在导通电流Ion比第三阈值电流Ith3小时成为低电平，在导通电流Ion比第三阈值电流Ith3大时成为高电平。
逻辑部111b2在接着第三比较信号Sa3的脉冲检测的下一周期检测到第二比较信号Sa2的脉冲时，生成单触发信号Sb。
图9是表示第二实施方式的过电流保护动作的时序图，描述了导通电流Ion、截止电流Ioff、线圈电流IL(＝Ion+Ioff)、第一比较信号Sa1(＝第一过电流保护信号S5X)、第二比较信号Sa2、第三比较信号Sa3、单触发信号Sb以及定时器信号Sc(＝第二过电流保护信号S5Y)。此外，本图中的虚线作为比较参照示出了仅进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作的情况下的动作(图6的动作)。
若导通电流Ion比第一阈值电流Ith1高，第一过电流保护信号S5X上升为高电平，则控制电路105使输出晶体管101强制地截止至下一周期的导通定时。这样，在检测到导通电流Ion超过第一阈值电流Ith1时，进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作这点与之前的第一实施方式(图7)相同。
另一方面，即使进行上述的第一过电流保护动作导通电流Ion也继续上升，结果，若导通电流Ion比第三阈值电流Ith3高，则在第三比较信号Sa3生成脉冲。而且，然后，若导通电流Ion的上升继续，在下一周期生成第二比较信号Sa2的脉冲，则在单触发信号Sb生成脉冲。即，逻辑部111b2在检测到(Sa2、Sa3)从(L、H)切换成(H、H)的时刻在单触发信号Sb生成脉冲。
此时，第二过电流保护信号S5Y(＝定时器信号Sc)以单触发脉冲信号Sb的脉冲为触发上升为高电平，然后，在整个规定时间T都维持为高电平。此外，规定时间T如前所述的那样，比开关周期(＝1/fsw)长。
若第二过电流保护信号S5Y上升为高电平，则控制电路105使输出晶体管101在整个第二过电流保护信号S5Y的高电平期间(＝规定时间T)强制地截止。这样，在即使进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作，导通电流Ion也继续上升时，与之前的第一实施方式(图7)相同，切换成定时器锁存方式的第二过电流保护动作，持续多个周期强制截止输出晶体管101。因此，例如，即便在输出电压Vout的输出端接地的情况下，也能够施加适当的过电流保护。
＜应用于空调＞
图10是空调X1的外观图。空调X1是搭载电源装置1的电子设备X的一个例子。其中，电源装置1也能够适当地搭载于除此以外的电子设备。
＜其他的变形例＞
此外，在本说明书中公开的各种技术特征除了上述实施方式之外，能够在不脱离该技术创造的主旨的范围内施加各种变更。即，上述实施方式应该理解为，在全部的点中都为例示，而不用于限制，本发明的技术的范围应当理解为，不是上述实施方式的说明，而由权利要求书所示，包含属于等同于权利要求书的意思以及范围内的全部的变更。
＜工业上的可利用性＞
本发明例如能够利用于在各种电子设备(空调、吸尘器、冰箱、洗衣机等)搭载的电源装置。

Claims (8)

1.一种半导体装置，集成：
输入直流输入电压的第一外部端子；
外设有整流平滑电路的第二外部端子；
连接于上述第一外部端子与上述第二外部端子之间的输出晶体管；
以由上述整流平滑电路能够获得所希望的直流输出电压的方式使上述输出晶体管导通/截止的控制电路；
生成与上述输出晶体管的导通电流对应的检测电压的电流检测电路；以及
对上述检测电压进行监视而进行过电流保护动作的过电流保护电路而成，
上述过电流保护电路在检测到上述检测电压超过第一阈值电压时，进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作，在检测到即使进行上述第一过电流保护动作上述检测电压也继续上升时，进行定时器锁存方式的第二过电流保护动作，
上述半导体装置的特征在于，
上述过电流保护电路包含：
将上述检测电压与上述第一阈值电压进行比较而生成第一比较信号的第一比较器；
将上述检测电压与比上述第一阈值电压高的第二阈值电压进行比较而生成第二比较信号的第二比较器；
在连续多个周期检测到上述第二比较信号的脉冲时生成单触发信号的计数器；以及
以上述单触发信号为触发生成持续规定时间的定时器信号的定时器，
就上述控制电路而言，以与上述第一比较信号对应地进行上述第一过电流保护动作的方式使上述输出晶体管强制截止至下一周期的导通定时，以与上述定时器信号对应地进行上述第二过电流保护动作的方式使上述输出晶体管持续上述规定时间地强制截止。
2.一种半导体装置，其特征在于，集成：
输入直流输入电压的第一外部端子；
外设有整流平滑电路的第二外部端子；
连接于上述第一外部端子与上述第二外部端子之间的输出晶体管；
以由上述整流平滑电路能够获得所希望的直流输出电压的方式使上述输出晶体管导通/截止的控制电路；
生成与上述输出晶体管的导通电流对应的检测电压的电流检测电路；以及
对上述检测电压进行监视而进行过电流保护动作的过电流保护电路而成，
上述过电流保护电路在检测到上述检测电压超过第一阈值电压时，进行逐个脉冲方式的第一过电流保护动作，在检测到即使进行上述第一过电流保护动作上述检测电压也继续上升时，进行定时器锁存方式的第二过电流保护动作，
上述半导体装置的特征在于，
上述过电流保护电路包含：
将上述检测电压与上述第一阈值电压进行比较而生成第一比较信号的第一比较器；
将上述检测电压与比上述第一阈值电压高的第二阈值电压进行比较而生成第二比较信号的第二比较器；
将上述检测电压与比上述第一阈值电压高且比上述第二阈值电压低的第三阈值电压进行比较而生成第三比较信号的第三比较器；
接着上述第三比较信号的脉冲检测，在下一周期检测到上述第二比较信号的脉冲时生成单触发信号的逻辑部；以及
以上述单触发信号为触发生成持续规定时间的定时器信号的定时器，
就上述控制电路而言，以与上述第一比较信号对应地进行上述第一过电流保护动作的方式使上述输出晶体管强制截止至下一周期的导通定时，以与上述定时器信号对应地进行上述第二过电流保护动作的方式使上述输出晶体管持续上述规定时间地强制截止。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
将连接于上述电流检测电路与上述过电流保护电路之间的滤波电路进一步集成而成。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述电流检测电路利用上述导通电流流经的电流路径的布线电阻、上述输出晶体管的导通电阻、或者与上述输出晶体管并联连接的电流监视用晶体管的导通电阻，并根据上述导通电流生成上述检测电压。
5.一种DC/DC转换器，其特征在于，具有：
权利要求1～4中任一项所述的半导体装置；以及
外设于上述半导体装置并生成所希望的直流输出电压的整流平滑电路。
6.根据权利要求5所述的DC/DC转换器，其特征在于，进一步具有：
外设于上述半导体装置并由上述直流输出电压生成上述半导体装置的电源电压的电源电压生成电路。
7.一种电源装置，其特征在于，具有：
由交流输入电压生成直流输入电压的AC/DC转换器；以及
由上述直流输入电压生成所希望的直流输出电压的权利要求5或6所述的DC/DC转换器。
8.一种电子设备，其特征在于，具有：
由交流输入电压生成所希望的直流输出电压的权利要求7所述的电源装置；以及
接受上述直流输出电压的供给而进行动作的负载。
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