CN106558567B - 智能功率模块及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种智能功率模块及其制作方法,所述智能功率模块包括:引线框架,引线框架上设有输出引脚;驱动电路板,驱动电路板设在引线框架上,驱动电路板包括驱动电路基板和驱动芯片,驱动电路基板上具有驱动芯片放置基岛区、驱动芯片连接端口、引线框架连接端口以及功率芯片连接端口,驱动芯片设在驱动芯片放置基岛区并与驱动芯片连接端口电连接,引线框架连接端口电连接引线框架;功率芯片,功率芯片与引线框架相连,且功率芯片与驱动电路基板上的功率芯片连接端口对应地电连接。根据本发明的智能功率模块,可以保护驱动芯片及焊线不受外力损坏,从而可以提升驱动芯片的良率。
Description
技术领域
本发明涉及功率模块技术领域,特别是涉及一种智能功率模块以及该智能功率模块的制作方法。
背景技术
相关技术中,智能功率模块(即IPM,Intelligent Power Module)引脚定义不可调,当驱动芯片的引脚排布及定义确定后,智能功率模块的引脚定义也已确定,很难再进行更改,兼容性较差。
很多的智能功率模块,驱动芯片都是直接贴附于引线框架上。此种封装结构在引线框架设计方面,引线框架结构复杂繁琐,内部管脚及放置芯片焊盘的排布设计等受空间位置局限性大,对驱动芯片的选型要求较高。
封装工艺上,将驱动芯片直接粘附于引线框架上,通过引线键合,将驱动芯片与引线框架的引脚电连接。一个智能功率模块上驱动芯片与引线框架的焊线数量多达二三十根,焊接工艺复杂、作业难度大。同时,功率芯片(例如,IGBT,Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管,二极管等)的引线键合力度大、框架振幅强,容易造成驱动芯片上已焊接的引线松动失效,造成不良。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明第一方面在于提出一种智能功率模块。
本发明的第二方面的在于提出一种该智能功率模块的制作方法。
根据本发明第一方面实施例的智能功率模块,包括:引线框架,所述引线框架上设有输出引脚;驱动电路板,所述驱动电路板设在所述引线框架上,所述驱动电路板包括驱动电路基板和驱动芯片,所述驱动电路基板上具有驱动芯片放置基岛区、驱动芯片连接端口、引线框架连接端口以及功率芯片连接端口,所述驱动芯片设在所述驱动芯片放置基岛区并与所述驱动芯片连接端口电连接,所述引线框架连接端口电连接所述引线框架;功率芯片,所述功率芯片与所述引线框架相连,且所述功率芯片与所述驱动电路基板上的所述功率芯片连接端口对应地电连接。
根据本发明实施例的智能功率模块,可以简化智能功率模块的封装过程,提升智能功率模块的封装良率,降低封装成本,另外,在驱动电路基板上对驱动芯片进行COB封装,可以保护驱动芯片及焊线不受外力损坏,从而可以提升驱动芯片的良率。
另外,根据本发明上述实施例的智能功率模块,还可以具有如下附加的技术特征:
在本发明的一些实施例中,所述驱动芯片为COB封装在驱动电路基板上。
进一步地,所述驱动芯片通过环氧绝缘胶包封。
在本发明的一些实施例中,所述驱动电路基板上设有一个或间隔布置的多个沿所述驱动电路基板的厚度方向贯通的通孔。
在本发明的一些实施例中,所述驱动芯片放置基岛区的外侧设有环绕所述驱动芯片放置基岛区用于指示塑封胶覆盖范围的指示圈,所述引线框架连接端口和所述功率芯片连接端口中任一个的至少一部分位于所述指示圈的外侧。
在本发明的一些实施例中,所述驱动电路板在所述引线框架上塑封封装。
在本发明的一些实施例中,所述驱动芯片通过环氧绝缘胶封装在所述驱动电路基板上,所述驱动电路板通过塑封封装在所述引线框架上,所述驱动电路基板、环氧绝缘胶、引线框架以及用于塑封所述驱动电路板的塑封胶具有大体相同的热膨胀系数。
本发明还提出了一种上述智能功率模块的制作方法。
根据本发明实施例的智能功率模块的制作方法,所述方法包括:制作引线框架并将功率芯片安装到引线框架上;制作驱动电路基板并将驱动芯片安装到驱动电路基板上,对驱动芯片滴胶包封制作成驱动电路板,对驱动电路板进行电性能测试并将测试合格的驱动电路板组装到引线框架上;对安装有功率芯片和驱动电路板的引线框架封装。由此,简化了引线框架设计,降低了引线框架制作成本。
另外,根据本发明上述实施例的智能功率模块的制作方法还可以具有如下附加的技术特征:
进一步地,所述驱动芯片的安装方法包括:在驱动电路基板上印刷点胶,将驱动芯片放置于驱动电路基板上的驱动芯片放置基岛区,通过引线键合连接驱动电路基板上的驱动芯片连接端口和驱动芯片。
可选地,所述驱动芯片通过COB封装工艺在驱动电路基板上封装。
具体地,将功率芯片安装在引线框架上的方法包括:在引线框架上印刷锡膏,功率芯片在引线框架上贴片,采用回流焊使锡膏将功率芯片固定在引线框架上,清洗锡膏中的助焊剂。
附图说明
图1是本发明实施例的智能功率模块的平面结构示意图。
图2是本发明实施例的驱动电路基板的示意图。
图3是本发明实施例的智能功率模块的封装截面示意图。
图4是本发明实施例的智能功率模块的制作方法的流程示意图。
附图标记:
驱动电路基板100,驱动芯片放置基岛区101,驱动芯片连接端口102,引线框架连接端口103,功率芯片连接端口104,驱动芯片105,引线框架106,功率芯片107,通孔108,驱动电路板安装孔109,指示圈110,驱动电路板200,智能功率模块300,输出引脚301,加长管脚303,勾爪304,塑封包裹部分引脚305,塑封外露部分引脚306,键合引线400,塑封胶500。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
如图1至图3所示,根据本发明实施例的智能功率模块300,包括:引线框架106、驱动电路板200以及功率芯片107。
具体而言,参照图1,引线框架106上设有输出引脚301,输出引脚301可以包含塑封包裹部分引脚305和塑封外露部分引脚306。驱动电路板200设在引线框架106上,驱动电路板200包括驱动电路基板100和驱动芯片105。驱动电路基板100上具有驱动芯片放置基岛区101、驱动芯片连接端口102、引线框架连接端口103以及功率芯片连接端口104,驱动芯片105放置于驱动芯片放置基岛区101,且驱动芯片105与驱动芯片连接端口102电连接,引线框架106与引线框架连接端口103电连接。由此,可以实现驱动芯片105与驱动电路基板100的电连接,从而可以进一步实现功率芯片107与驱动芯片105以及驱动电路基板100的电连接。
功率芯片107与引线框架106相连,且功率芯片107与驱动电路基板100上的功率芯片连接端口104对应地电连接。由此,可以实现引线框架106、驱动电路板200以及功率芯片107之间有效地电连接。
根据本发明实施例的智能功率模块300,利用引线框架105上的输出引脚301分别与驱动电路板200以及功率芯片107的相应端口进行电连接,引线框架105的结构简单,无驱动芯片放置基岛区101部分的复杂设计。由此,可以简化智能功率模块300的封装过程,提升智能功率模块300的封装良率,降低封装成本。
进一步地,可以在驱动电路基板100上对驱动芯片105进行COB封装,可以保护驱动芯片105及焊线不受外力损坏,从而可以提升驱动芯片105的良率。而且,驱动芯片105可以不受空间位置限制,选型范围更广。
驱动芯片105与驱动电路基板100的驱动芯片连接端口102可以通过引线键合(其中,引线键合的作用是从核心元件中引入和导出电连接)的方式电连接,这样即可解决智能功率模块300引脚定义兼容问题。
驱动芯片105可以采用COB工艺封装在驱动电路基板100上。可选地,驱动芯片105可以通过环氧绝缘胶包封,从而可以实现驱动芯片105与驱动电路基板100的粘贴。当然,驱动芯片105也可通过其他方式如焊料、高导热胶等方式进行包封,以实现驱动芯片105与驱动电路基板100的粘贴。
具体地,在驱动芯片105上方滴附液态环氧绝缘胶将驱动芯片105包封,可以有效地解决上述键合引线400弧塌陷及断裂损坏等问题。同时,将驱动芯片105进行COB封装,也可以避免模封过程中的冲线问题。特别是针对大尺寸的智能功率模块300,尺寸越大,塑封胶500完全填充所需要的时间就越长,塑封胶500的粘度会越高,模封冲线问题就会越大。本实施例的智能功率模块300塑封尺寸为79x31mm,针对此类大尺寸的封装,COB工艺可以有效地解决模封冲线的问题。
驱动芯片105进行COB封装后,可以对其进行电性能测试,筛选剔除出不良品,选用良品进行后续的封装,由此,可以提升智能功率模块300的封装良率,降低封装成本。
本发明通过将驱动芯片105贴附于驱动电路基板100上,大大简化了引线框架106的设计。同时,在驱动电路基板100上走线具有灵活多样性,仅需修改驱动电路基板100上的布线方式就可以满足不同客户对智能功率模块300的不同管脚定义,产品结构设计更灵活。
优选地,结合图2和图3,驱动电路基板100上可以设有一个或间隔布置的多个沿驱动电路基板100的厚度方向(例如,图2中垂直于纸面的方向)贯通的通孔108。通过在驱动电路基板100上设置通孔108,可以加快驱动电路基板100上、下面间塑封胶500的流动,从而可以减小上、下两面间的压力差,进而可以减小甚至消除塑封过程中驱动电路基板100的形变量。
另外,也可以通过选用耐高温、抗弯曲性能优的驱动电路基板100的板材材质来减小驱动电路基板100的形变量。
在COB(Chip On Board,板上芯片)工艺管控方面,需保证胶量足够,并可覆盖包封住驱动芯片105及其焊线结构。同时胶层高度不可过高,避免塑封胶500的胶层过高超出塑封高度范围造成塑封胶500外露的风险,还需管控滴胶面积不超过规定区域。
参照图2,驱动芯片放置基岛区101的外侧设有环绕驱动芯片放置基岛区101用于指示塑封胶500覆盖范围的指示圈110,引线框架连接端口103和功率芯片连接端口104中任一个的至少一部分位于指示圈110的外侧。塑封胶500的覆盖区域不可超出指示圈110,由此,可以避免塑封胶500污染到周边的焊接端口,从而可以保证引线框架连接端口103和功率芯片连接端口104与引线框架106和功率芯片107的正常电连接。
可选地,驱动电路板200可以在引线框架106上进行塑封封装。整个智能功率模块300的驱动电路结构连通后,可以对其进行塑封封装,在图3的示例中示出了智能功率模块300塑封封装后的剖面图。
优选地,驱动电路基板100与引线框架106可以通过引线键合方式,通过引线框架连接端口103与引线框架106的封装包裹部分引脚111,可以实现驱动芯片105与引线框架106间的电连接。类似地,可以实现功率芯片连接端口104与功率芯片107间的电连接。
可选地,驱动芯片105可以通过环氧绝缘胶封装在驱动电路基板100上,驱动电路板200通过塑封封装在引线框架106上,驱动电路基板100、环氧绝缘胶、引线框架106以及用于塑封驱动电路板200的塑封胶500具有大体相同的热膨胀系数。
在实际应用中,需特别关注塑封胶500与引线框架106间、驱动电路基板100与塑封胶500接触面间、COB封装的驱动芯片105与塑封胶500接触面间的分层情况。为了减小甚至避免分层的风险,在材料选型方面,塑封胶500、驱动电路基板100、COB液态环氧绝缘胶、引线框架106需具有相同或相近的热膨胀系数。由此,可以保证封装后的智能功率模块300的质量优良。
封装后的智能功率模块300的成品经过超声波扫描,未发现内部分层的情况,且产品性能优良,可以满足功率器件的导热要求,已通过汽车级电子可靠性认证。
如图1所示,在本发明的一些实施例中,引线框架106上可以设有一个或间隔布置的多个加长管脚303,加长管脚303与驱动电路板200相连。由此,可以减小塑封过程中驱动电路基板100沿图1中Y方向的变形量,不会出现超出塑封封装范围导致驱动电路基板100外露的风险,从而可以保证智能功率模块300的封装质量。
可选地,驱动电路板200呈长条形状,加长管脚303为间隔布置的四个且邻近驱动电路板200的一个长边的中部,四个加长管脚303分别与驱动电路板200相连。在图1的示例中,1、2、3、4四个加长管脚303在位置上大致平均分布于驱动电路板200中间部分,当驱动电路板200的形变量在Y方向上超过四个加长管脚303与驱动电路板200间距时,四个管脚303可以起到平衡作用,并且可以有效地阻止驱动电路板200进一步发生更严重的形变,从同一个方向四个点平衡分解驱动电路板200所承受的阻力,可以起到良好地支撑限位作用,由此,可以有效减小驱动电路板200的形变量,保证有效地封装范围。
参照图1,驱动电路板200的驱动电路基板100上设有驱动电路板安装孔109,引线框架106上设有勾爪304,勾爪304与驱动电路板安装孔109卡合,用于将驱动电路板200固定在引线框架106上。
可选地,在图1的示例中勾爪304为两个,且两个勾爪304沿X方向彼此间隔设置。其中,勾爪304可以与引线框架106一体成型,由此,可简化工艺、降低成本。当然,驱动电路板200与引线框架106的组装也可以通过其他类型的固定结构实现,本发明对此固定形式不作具体限定,实际应用中可以根据需要适应性选择。
驱动芯片105在COB封装后,可以对其进行电性能测试,筛选剔除出不良品,选用良品进行后续的封装,由此,可以提升智能功率模块300的封装良率,降低封装成本。
具体而言,可以在驱动电路基板100背面驱动芯片105测试端口施加电路,通过点接触法对COB封装的驱动芯片105的电气性能进行测试;电气性能为良品的可以用于后续的组装封装。由此,降低了因驱动芯片105失效而导致整个智能功率模块300失效的风险,提升了智能功率模块300的封装良率,有效降低了封装成本。
COB电性能测试OK后,驱动电路基板100需与贴功率芯片107的引线框架106组装。具体地,将功率芯片107安装在引线框架106上的方法包括:在引线框架106上印刷锡膏,功率芯片107在引线框架106上贴片,采用回流焊使锡膏将功率芯片107固定在引线框架106上,清洗锡膏中的助焊剂。在本实施例中,驱动电路基板100通过引线框架106上左右两侧的勾爪304与引线框架106固定组装在一起。
另外,驱动电路基板100与引线框架106的组装也可以通过焊料焊接等方式实现。
本发明还提供了一种智能功率模块300(即IPM,Intelligent Power Module)的输出管脚301定义可调,并且可以减少驱动芯片105键合引线400失效风险的可行性方案,从而可以提升智能功率模块300的封装良率。为此,本发明还提供了一种用于智能功率模块300的驱动电路基板100(即PCB,Printed Circuit Board)。
结合图1至图4,根据本发明实施例的用于智能功率模块300的驱动电路基板100上具有驱动芯片放置基岛区101、驱动芯片连接端口102、引线框架连接端口103以及功率芯片连接端口104,驱动芯片放置基岛区101用于放置驱动芯片105,驱动芯片连接端口102用于与驱动芯片105电连接,引线框架连接端口103用于电连接引线框架106,功率芯片连接端口104用于电连接功率芯片107。由此,可以实现驱动芯片105与驱动电路基板100的电连接,从而可以进一步实现功率芯片107与驱动芯片105以及驱动电路基板100的电连接。
根据本发明的用于智能功率模块300的驱动电路基板100,通过将驱动芯片105贴附于驱动电路基板100上,大大简化了引线框架106的设计。同时,在驱动电路基板100上走线具有灵活多样性,仅需修改驱动电路基板100上的布线方式就可以满足不同客户对智能功率模块300的不同管脚定义,产品结构设计更灵活。
根据本发明的一个实施例,驱动芯片放置基岛区101包括在驱动电路基板100上间隔布置的多个,环绕每个驱动芯片放置基岛区101间隔布置有多个驱动芯片连接端口102。
例如,图2中示出驱动电路基板100上间隔布置了四个驱动芯片放置基岛区101,环绕每个驱动芯片放置基岛区101间隔布置有多个驱动芯片连接端口102,多个驱动芯片连接端口102可以用于与驱动芯片105电连接。当然,驱动电路基板100上驱动芯片放置基岛区101的设置个数也可以在此基础上适当进行增加或减少,本发明对驱动电路基板100上驱动芯片放置基岛区101的个数以及布置方式不作具体限定,实际应用时可以根据需要适应性选择。
引线框架连接端口103和功率芯片连接端口104分别布置在驱动电路基板100上相对的两侧边缘。例如,如图2所示,引线框架连接端口103和功率芯片连接端口104布置在驱动电路基板100上沿Y方向的两侧边缘,由此,可以通过引线框架连接端口103引线框架106,可以通过功率芯片连接端口104电连接功率芯片107。
可选地,驱动电路基板100可以呈长条形状,驱动芯片放置基岛区101为沿驱动电路基板100的长度方向(例如,图2中X方向)间隔布置的多个,且引线框架连接端口103和功率芯片连接端口104布置在驱动电路基板100的沿宽度方向(例如,图2中Y方向)相对的两侧。
参照图3,在实际作业过程中,驱动电路基板100的上、下两面(参照图3中驱动电路基板100的上下两面,或参照图2中驱动电路基板100的垂直纸面向里和向外的两面)间的塑封胶500流动不均匀,使得驱动电路基板100的上、下两面间存在压力差,容易将驱动电路基板100向压力小的一面挤压,从而可能造成驱动电路基板100产生形变,当压力差大时,甚至会导致驱动电路基板100因形变量过大而发生断裂的风险。
如图2和图3所示,驱动电路基板100上可以设有驱动电路板安装孔109。利用驱动电路板安装孔109可以对驱动电路基板100进行固定,为后续进一步的电连接提供有利条件。
本发明还公开了一种上述智能功率模块300的制作方法。
参照图1至图4,智能功率模块300的制作方法包括:制作引线框架106并将功率芯片107安装到引线框架106上;制作驱动电路基板100并将驱动芯片105安装到驱动电路基板100上,对驱动芯片105滴胶包封制作成驱动电路板200,对驱动电路板200进行电性能测试并将测试合格的驱动电路板200组装到引线框架106上;对安装有功率芯片107和驱动电路板200的引线框架106封装。
根据本发明实施例的智能功率模块300的制作方法,采用驱动电路基板100结构,将驱动芯片107贴附于驱动电路基板100上,大大简化了引线框架106设计,降低了引线框架106制作成本,驱动芯片105可以不受空间位置限制,选型范围更广。驱动电路基板100上走线具有灵活多样性,仅需修改驱动电路基板100上的布线方式就可满足不同客户对智能功率模块300的不同管脚定义,产品结构设计更灵活。通过对驱动电路基板100上驱动芯片105进行COB封装,可保护驱动芯片105及焊线不受外力损坏,提升了驱动芯片105的良率。驱动芯片105进行COB封装后,可对其进行电性能测试,筛选剔除出不良品,选用良品进行后续的封装,由此,可以提升智能功率模块300的封装良率,降低封装成本。
下面结合图1至图4详细描述根据本发明一个具体实施例的智能功率模块300的工艺过程。根据本发明实施例的智能功率模块300的工艺过程大致可以分为三个阶段:
第一阶段:驱动电路基板100印刷→驱动芯片105贴片→引线键合(用于电连接驱动芯片105和驱动电路基板100)→驱动芯片105滴胶包封(COB)→COB电性能测试;
第二阶段:引线框架106印刷→功率芯片107贴片→回流焊→焊料清洗;
第三阶段:将驱动电路基板100与引线框架106进行组装→引线键合(用于电连接引线框架106、驱动芯片105和驱动电路基板100)→模封→后工序。
具体实施步骤为:驱动电路基板100上印刷点胶,将驱动芯片105放置于驱动电路基板100上的驱动芯片放置基岛区101贴片固定,通过引线键合连接驱动芯片105与驱动电路基板100上的驱动芯片连接端口102。
驱动芯片105可以通过环氧绝缘胶包封,从而可以实现驱动芯片105与驱动电路基板100的粘贴。当然,驱动芯片105也可通过其他方式如焊料、高导热胶等方式进行包封,以实现驱动芯片105与驱动电路基板100的粘贴。
驱动芯片105在COB封装后,可以对其进行电性能测试,筛选剔除出不良品,选用良品进行后续的封装,由此,可以提升智能功率模块300的封装良率,降低封装成本。
COB电性能测试OK后,驱动电路基板100需与贴功率芯片107的引线框架106组装。具体地,将功率芯片107安装在引线框架106上的方法包括:在引线框架106上印刷锡膏,功率芯片107在引线框架106上贴片,采用回流焊使锡膏将功率芯片107固定在引线框架106上,清洗锡膏中的助焊剂。
驱动电路基板100与引线框架106组装后,可以通过引线键合方式,通过引线框架连接端口103与引线框架106的封装包裹部分引脚111,可以实现驱动芯片105与引线框架106间的电连接。类似地,可以实现功率芯片连接端口104与功率芯片107间的电连接。整个智能功率模块300的驱动电路结构连通后,可以对其进行塑封封装,经检验等后工序完成根据本发明实施例的智能功率模块300的工艺过程。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (8)
1.一种智能功率模块,其特征在于,包括:
引线框架,所述引线框架上设有输出引脚;
驱动电路板,所述驱动电路板设在所述引线框架上,所述驱动电路板包括驱动电路基板和驱动芯片,所述驱动电路基板上具有驱动芯片放置基岛区、驱动芯片连接端口、引线框架连接端口以及功率芯片连接端口,所述驱动芯片设在所述驱动芯片放置基岛区并与所述驱动芯片连接端口电连接,所述驱动芯片为COB封装在驱动电路基板上,所述引线框架连接端口电连接所述引线框架;
功率芯片,所述功率芯片与所述引线框架相连,且所述功率芯片与所述驱动电路基板上的所述功率芯片连接端口对应地电连接;
所述驱动电路基板上设有一个或间隔布置的多个沿所述驱动电路基板的厚度方向贯通的通孔;
所述驱动芯片放置基岛区的外侧设有环绕所述驱动芯片放置基岛区用于指示塑封胶覆盖范围的指示圈,所述引线框架连接端口和所述功率芯片连接端口中任一个的至少一部分位于所述指示圈的外侧;
所述引线框架上设有一个或间隔布置的多个加长管脚,所述加长管脚与所述驱动电路板相连。
2.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述驱动芯片通过环氧绝缘胶包封。
3.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述驱动电路板在所述引线框架上塑封封装。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的智能功率模块,其特征在于,所述驱动芯片通过环氧绝缘胶封装在所述驱动电路基板上,所述驱动电路板通过塑封封装在所述引线框架上,所述驱动电路基板、环氧绝缘胶、引线框架以及用于塑封所述驱动电路板的塑封胶具有大体相同的热膨胀系数。
5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的智能功率模块的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
制作引线框架并将功率芯片安装到引线框架上;
制作驱动电路基板并将驱动芯片安装到驱动电路基板上,对驱动芯片滴胶包封制作成驱动电路板,对驱动电路板进行电性能测试并将测试合格的驱动电路板组装到引线框架上;
对安装有功率芯片和驱动电路板的引线框架封装。
6.根据权利要求5所述的智能功率模块的制作方法,其特征在于,所述驱动芯片的安装方法包括:在驱动电路基板上印刷点胶,将驱动芯片放置于驱动电路基板上的驱动芯片放置基岛区,通过引线键合连接驱动电路基板上的驱动芯片连接端口和驱动芯片。
7.根据权利要求5所述的智能功率模块的制作方法,其特征在于,所述驱动芯片通过COB封装工艺在驱动电路基板上封装。
8.根据权利要求5所述的智能功率模块的制作方法,其特征在于,将功率芯片安装在引线框架上的方法包括:在引线框架上印刷锡膏,功率芯片在引线框架上贴片,采用回流焊使锡膏将功率芯片固定在引线框架上,清洗锡膏中的助焊剂。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202042483U (zh) * | 2011-02-25 | 2011-11-16 | 比亚迪股份有限公司 | 一种功率半导体器件的封装结构 |
CN103346136A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-10-09 | 吉林华微斯帕克电气有限公司 | 功率模块及其封装方法 |
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---|---|---|---|---|
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CN100511661C (zh) * | 2007-02-01 | 2009-07-08 | 上海交通大学 | 带有弹性导电凸块的微电子元件及其制造方法和应用 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202042483U (zh) * | 2011-02-25 | 2011-11-16 | 比亚迪股份有限公司 | 一种功率半导体器件的封装结构 |
CN103346136A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-10-09 | 吉林华微斯帕克电气有限公司 | 功率模块及其封装方法 |
CN104241209A (zh) * | 2014-10-02 | 2014-12-24 | 湖南德海通信设备制造有限公司 | 一种室外用电源专用功率模块 |
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