CN106558322A - 磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供可实现稳定的高频辅助且实现高记录密度化的磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法。磁头具备：空气支撑面(43)；第1面，其设置有包括第1连接焊盘及第2连接焊盘的多个连接焊盘；一对第2面，其设置有与第1连接焊盘及第2连接焊盘分别连接、用于对元件通电的一对连接端子；主磁极(60)，其具有延伸到空气支撑面的前端部，产生记录磁场；写屏蔽件(62)，其与主磁极的前端部隔着写间隙相对，与主磁极一起构成磁芯；高频振荡器(65)，其在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间。高频振荡器具有旋转注入层(65a)及振荡层(65c)，至少振荡层相对于空气支撑面，与主磁极及写屏蔽件相比，向从空气支撑面离开的方向后退。

Description

磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法
关联申请
本申请享有以日本专利申请2015-194438号(申请日:2015年9月30日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及具有高频辅助元件的磁头、具备该磁头的盘装置及磁头的制造方法。
背景技术
近年，作为盘装置，为了实现高记录密度化、大容量化或者小型化，提出了使用垂直磁记录用的磁头的磁盘装置。在这样的磁头中，记录头具备产生垂直方向磁场的主磁极和在该主磁极的尾随侧夹着写间隙而配置的写屏蔽磁极。进而，提出了在写屏蔽磁极与主磁极之间的写间隙设置高频辅助元件例如旋转转矩振荡器，通过该旋转转矩振荡器对磁盘的磁记录层施加高频磁场的高频辅助记录方式的记录头。
上述的旋转转矩振荡器具有旋转注入层及振荡层，这些配置在写间隙内。通常，在写间隙中，与空气支撑面(ABS)附近的间隙磁场相比，从ABS沿着垂直方向离开的位置(进深侧位置)的间隙磁场较强。即，在写间隙的高度方向(从ABS起的进深方向)存在磁场不均。因此，振荡层及旋转注入层的磁化在从ABS离开的进深侧位置，容易朝向头行进方向，但是在ABS侧，容易变得不稳定。即，振荡层的磁化变得难以同样地旋转。结果，无法获得旋转转矩振荡器的良好振荡，振荡特性将降低。
发明内容
本发明的实施方式提供可以实现稳定的高频辅助且实现高记录密度化的磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法。
实施方式的磁头具备：空气支撑面；第1面，其设置有包括与元件连接的第1连接焊盘及第2连接焊盘的多个连接焊盘；一对第2面，一对连接端子分别设置于所述一对第2面，所述一对连接端子分别与上述第1连接焊盘及第2连接焊盘连接，用于对上述元件通电；主磁极，其具有延伸到上述空气支撑面的前端部，且产生记录磁场；写屏蔽件，其与上述主磁极的上述前端部隔着写间隙相对，且与上述主磁极一起构成磁芯；以及高频振荡器，其在上述写间隙内设置于上述主磁极与写屏蔽件之间，且与上述主磁极及写屏蔽件电连接，上述高频振荡器具有层叠的旋转注入层及振荡层，上述高频振荡器的至少上述振荡层，相对于上述空气支撑面，与上述主磁极及写屏蔽件相比，向从上述空气支撑面离开的方向后退。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的硬盘驱动器(以下，称为HDD)的立体图。
图2是表示上述HDD中的磁头及悬架的侧视图。
图3是从空气支撑面(ABS)侧表示上述磁头的立体图。
图4是放大表示上述磁头的头部的截面图。
图5是示意地表示上述磁头的记录头的立体图。
图6是放大表示上述记录头的ABS侧端部的沿轨道中心的截面图。
图7是关于本实施方式所涉及的磁头及比较例所涉及的磁头，比较表示写间隙的长度与旋转转矩振荡器(STO)的振荡旋转角的关系的图。
图8是关于本实施方式所涉及的磁头及比较例所涉及的磁头，比较表示写间隙的长度与间隙磁场离散值σ的关系的图。
图9是关于磁头的写间隙长为20～50nm的情况，比较表示STO的后退量rh与间隙磁场离散值σ的关系的图。
图10是表示磁头的写间隙长与最小后退量rh(min)的关系的图。
图11是表示STO的后退量rh与向磁记录层的膜厚方向中心部施加的高频磁场强度的关系的图。
图12是在第1实施方式所涉及的制造方法中，概略地表示形成了多个磁头的头晶片的俯视图。
图13是放大表示从上述头晶片切出的棒状小片(排条)的立体图。
图14是概略地表示从上述排条切出的一个磁头的立体图。
图15是概略地表示上述排条的内部构造的图。
图16是概略地表示第1变形例所涉及的排条的内部构造的图。
图17是概略地表示第2变形例所涉及的排条的内部构造的图。
符号的说明
10…框体，12…基座，16…磁盘，18…主轴马达，22…滑架组件，23…控制电路基板，40…滑块，42…头部，43…空气支撑面(ABS)，45、45a、45b…连接焊盘，46a、46b…连接端子，54…读出头，58…记录头，60…主磁极，62…尾随屏蔽件，64…前导屏蔽件，65…旋转转矩振荡器，65a…旋转注入层，65b…中间层，65c…振荡层，70…第1线圈，72…第2线圈，76a…第1加热器，76b…第2加热器，84…排条。
具体实施方式
以下参照附图说明各种实施方式。
另外，公开只是一例，关于本领域技术人员保持发明的主旨而容易想到的适宜改变，当然也包括在本发明的范围。另外，为了进一步明确说明，附图与实际的样态比，有时示意地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只是一例，并非要限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的图前述的要素同样的要素，标注同一符号而适宜省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1取下作为盘装置的第1实施方式所涉及的硬盘驱动器(HDD)的顶盖而表示内部构造，图2表示上浮状态的磁头。如图1所示，HDD具备框体10。框体10具备上表面开口的矩形箱状的基座12和通过多个螺钉螺纹止动到基座12而封闭基座12的上端开口的未图示顶盖。基座12具备矩形状的底壁12a和沿底壁12a的周缘竖立设置的侧壁12b。顶盖通过多个螺钉螺纹主动到基座12，封闭基座12的上端开口。
在框体10内，作为记录介质，设置有例如2张磁盘16及作为支撑磁盘16及使磁盘16旋转的驱动部的主轴马达18。主轴马达18配设在底壁12a上。各磁盘16在上表面及下表面具有磁记录层。磁盘16与主轴马达18的未图示毂相互同轴地嵌合，并且由夹紧弹簧27夹紧，固定于毂。由此，磁盘16以与基座12的底壁12a平行的状态被支撑。并且，磁盘16通过主轴马达18以预定的速度旋转。
在框体10内，设置有对磁盘16进行信息的记录、再现的多个磁头17、对这些磁头17以相对于磁盘16移动自由的方式进行支撑的滑架组件22。另外，在框体10内，设置有：转动及定位滑架组件22的音圈马达(以下称为VCM)24；在磁头17移动到了磁盘16的最外周时，将磁头17保持于从磁盘16离开的卸载位置的斜坡加载机构25；在冲击等作用于HDD时，将滑架组件22保持于退避位置的锁定机构26；及安装了变换连接器等电子部件的柔性印刷电路基板(FPC)单元21。
在基座12的外表面，控制电路基板(控制部)23通过螺纹止动，与底壁12a相对。控制电路基板控制主轴马达18的工作，并且经由FPC单元21，控制VCM24及磁头17的工作。
滑架组件22具备：在基座12的底壁12a上固定的轴承部28；从轴承部28延伸出的多个臂32；和可以弹性变形的细长板状的悬架34。悬架34其基端通过点焊或者粘接固定到臂32的前端，从臂32延伸出。磁头17被支撑于各悬架34的延伸端。这些悬架34及磁头17将磁盘16夹在其间而相互相对。
如图2所示，各磁头17构成为上浮型的头，具有大致长方体形状的滑块40和设置在该滑块40的流出端(尾随侧端面)的记录再现用的头部42。磁头17固定到设置于悬架34的前端部的万向节部41。磁头17经由在悬架34及臂32上固定的布线部件(线路)35、及中继FPC37与FPC单元21电连接。
如图2及图3所示，滑块40例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(ALTIC)形成，头42由多层的薄膜形成。滑块40具有与磁盘16的表面相对的矩形状的空气支撑面(ABS)43、沿该ABS43的侧缘竖立设置的前导侧端面44a、相反侧的尾随侧端面(第1面)44b及相对的一对侧面(第2面)44c。在ABS43，形成有前导台阶、尾随台阶、侧台阶、负压腔等。滑块40通过因磁盘16的旋转而在盘表面与ABS43之间产生的空气流C，维持为从磁盘表面上浮预定量的状态。空气流C的方向与磁盘16的旋转方向B一致。
前导侧端面44a位于空气流C的流入侧，尾随侧端面44b位于空气流C的流出侧。在尾随侧端面44b，并排设置有多个连接焊盘45(45a、45b)。这些连接焊盘45与后述的磁极、记录线圈、加热器等电连接。另外，在一对侧面44c，分别露出设置有一对连接端子46a、46b。一对连接端子46a、46b在磁头17的内部，与后述的磁极及高频振荡器电连接，进而，与连接焊盘45的一部分(45a、45b)电连接。
接着，详细说明磁盘16及磁头17的构成。图4是放大表示磁头的头部及磁盘的截面图，图5是记录头元件部的在轨道中心剖切的截面的立体图，图6是放大表示记录头的前端部(ABS侧端部)的截面图。
如图4所示，磁盘16具有例如形成为直径约2.5英寸(6.35cm)的圆板状且包括非磁性体的基板101。在基板101的各表面依次层叠有：作为基底层包括呈现软磁特性的材料的软磁性层102；在其上层部相对于盘面在垂直方向具有磁各向异性的磁记录层103；和在其上层部的保护膜层104。
头部42具有在滑块40的尾随侧断面44b附近以薄膜工艺形成的读出头54及记录头(磁记录头)58，形成为分离型的磁头。读出头54及记录头58除了在滑块40的ABS43露出的部分之外，由保护绝缘膜76覆盖。保护绝缘膜76构成头部42的外形。
读出头54包括呈现磁阻效应的磁性膜55和在该磁性膜55的尾随侧及前导侧以夹着磁性膜55的方式配置的屏蔽膜56、57。这些磁性膜55、屏蔽膜56、57的下端在滑块40的ABS43露出。
记录头58相对于读出头54设置在滑块40的尾随侧断面44b侧。如图4及图5所示，记录头58具有：主磁极60，其相对于磁盘16的表面产生垂直方向的记录磁场，且包括高饱和磁化材料；尾随屏蔽件(写屏蔽件、第1屏蔽件)62及前导屏蔽件(第2屏蔽)64。主磁极60和尾随屏蔽件62构成形成磁路的第1磁芯，主磁极60和前导屏蔽件64构成形成磁路的第2磁芯。记录头58具有卷绕于第1磁芯的第1线圈(记录线圈)70和卷绕于第2磁芯的第2线圈(记录线圈)72。
如图6所示，主磁极60相对于ABS43大致垂直地延伸。主磁极60的磁盘16侧的前端部60a随着朝向盘面收缩变细。主磁极60的前端部60a例如截面形成为梯形状。主磁极60的前端面在滑块40的ABS43露出。前端部60a的尾随侧端面60b的宽度与磁盘16中的轨道的宽度大致对应。
如图4及图5所示，由软磁性体形成的尾随屏蔽件62配置于主磁极60的尾随侧，为了经由主磁极60的正下方的磁盘16的软磁性层102有效地闭合磁路而设置。尾随屏蔽件62大致形成为L字形状，具有与主磁极60连接的第1连接部50。第1连接部50经由非导电体52与主磁极60的上部即主磁极60的从ABS43离开的部分磁连接。
如图4到图6所示，尾随屏蔽件62的前端部62a形成为细长的矩形状。尾随屏蔽件62的前端面在ABS43露出。前端部62a的前导侧端面62b沿着磁盘16的轨道的宽度方向延伸，另外，相对于ABS43大致垂直地延伸。该前导侧端面62b与主磁极60的尾随侧端面60b隔着写间隙WG平行地相对。
作为高频振荡器起作用的STO65在写间隙WG内，设置在主磁极60的前端部60b与尾随屏蔽件62的前端部62a之间。STO65具有旋转注入层65a、中间层(非磁性导电层)65b、振荡层65c，这些层从主磁极60侧向尾随屏蔽件62侧依次层叠，即沿着磁头17的行进方向D依次层叠而构成。旋转注入层65a经由非磁性导电层(基底层)67a与主磁极60的尾随侧端面60b接合。振荡层65c经由非磁性导电层(封盖层)67b与尾随屏蔽件62的前导侧端面62b接合。另外，旋转注入层65a、中间层65b、振荡层65c的层叠顺序也可以与上述相反，即从尾随屏蔽件62侧向主磁极60侧依次层叠。
旋转注入层65a、中间层65b、振荡层65c分别具有沿着与ABS43交差的方向、例如正交的方向延伸的层叠面或者膜面。至少振荡层65c的下端面，在本实施方式中是包含旋转注入层65a、中间层65b、振荡层65c的STO65的全体的下端面位于沿着从ABS43离开的方向、例如相对于ABS43垂直的方向且向进深侧后退即离开间隔(后退量)rh的位置。即，STO65的下端面相对于空气支撑面43，设置为与主磁极60及写屏蔽件62相比，从空气支撑面43离开间隔(后退量)rh。
另外，非磁性导电层67a的下端面从主磁极60的前端倾斜延伸到旋转注入层65a的下端。同样，非磁性导电层67b的下端面从尾随屏蔽件62的前端倾斜延伸到振荡层65c的下端。另外，STO65在轨道宽度方向WT(参照图5)的宽度设定为与磁盘16的1轨道的宽度大致相等。
STO65的下端面不限于平面状，也可以形成为朝向上方变凸的圆弧状。
如图4及图5所示，主磁极60和尾随屏蔽件62分别经由布线与连接焊盘45连接，进而，经由线路35与控制电路基板23连接。以能够从该控制电路基板23通过主磁极60、STO65、尾随屏蔽件62串联地流通STO电流的方式构成电流回路。
记录头58的第1线圈70在第1磁芯中，例如绕第1连接部50而卷绕。在对磁盘16写入信号时，通过在第1线圈70流过记录电流，第1线圈70激励主磁极60而在主磁极60流过磁通。
如图4及图5所示，由软磁性体形成的前导屏蔽件64在主磁极60的前导侧与主磁极60相对地设置。前导屏蔽件64形成为大致L字形状，磁盘16侧的前端部64a形成为细长的矩形状。该前端部64a的前端面(下端面)在滑块40的ABS43露出。前端部64a的尾随侧端面64b(参照图6)沿着磁盘16的轨道的宽度方向延伸。该尾随侧端面64b与主磁极60的前导侧端面隔着间隙相对。后述的作为非磁性体的保护膜绝缘膜位于该间隙。
另外，前导屏蔽件64具有在从磁盘16离开的位置与主磁极60接合的第2连接部68。该第2连接部68例如由软磁性体形成，与主磁极60及前导屏蔽件64一起形成磁路。记录头58的第2线圈72以卷绕于包含主磁极60及前导屏蔽件64的磁路(第2磁芯)的方式配置，对该磁路施加磁场。第2线圈72在第2磁芯中，例如绕第2连接部68而卷绕。另外，也可以在第2连接部68的一部分插入非导电体或者非磁性体。
第2线圈72以与第1线圈70相反朝向卷绕。第1线圈70及第2线圈72分别经由布线与连接焊盘45连接，进而，经由线路35与控制电路基板23连接。对第1线圈70及第2线圈72供给的电流通过控制电路基板23控制。另外，第2线圈72也可以与第1线圈70串联连接。另外，第1线圈70及第2线圈72也可以单独地进行电流供给控制。
如图4所示，磁头17还具备第1加热器76a及第2加热器76b。第1加热器76a设置在记录头58的附近，例如，在第1记录线圈70与第2记录线圈72之间，设置在主磁极60的附近。第2加热器76b设置在读出头54的附近。第1加热器76a及第2加热器76b分别经由布线与连接焊盘45连接，进而，经由线路35与控制电路基板23连接。
对第1加热器76a及第2加热器76b供给的电流通过控制电路基板23控制。第1加热器76a通过通电而发热，对记录头58部分进行加热。由此，记录头58部分热膨胀，能够使记录头58的前端部从ABS43向接近磁盘16的表面的方向突出。第2加热器76b通过通电而发热，对读出头54部分进行加热。由此，读出头54部分热膨胀，能够使读出头54的前端部从ABS43向接近磁盘16的表面的方向突出。
根据以上构成的HDD，通过驱动VCM24，滑架组件22转动，磁头17被移动定位到磁盘16的期望的轨道上。在HDD的工作时，磁头17的ABS43相对于盘表面保持间隙而相对。在该状态下，对于磁盘16，由读出头54进行记录信息的读出，并且由记录头58进行信息的写入。
在信息的写入中，如图4所示，从控制电路基板23向主磁极60、STO65、尾随屏蔽件62流通直流电流，从STO65产生高频磁场，将该高频磁场施加到磁盘16的磁记录层103。另外，通过向第1线圈70及第2线圈72流动交流电流，对主磁极60进行励磁，从该主磁极60向正下方的磁盘16的记录层103施加垂直方向的记录磁场。由此，在磁记录层103以期望的轨道宽度记录信息。通过在记录磁场重叠高频磁场，能够促进磁记录层103的磁化反转，进行高磁各向异性能量的磁记录。通过从主磁极60向尾随屏蔽件62流动电流，能够消除主磁极60内的磁畴的混乱，引导高效率的磁路，从主磁极60的前端产生的磁场变强。
通常，在写间隙WG中，与空气支撑面(ABS)附近的间隙磁场相比，从ABS沿着垂直方向离开的位置(进深侧位置)的间隙磁场变得更强。因此，STO65的磁化，通常，与ABS43侧的端部相比，进深侧位置(从ABS离开的位置)这一方可进行磁化方向一致为一样的、良好的磁化旋转。在这样的情况下，在旋转注入层的ABS的进深侧将产生来自STO的磁化的反射，旋转注入层内的磁化也会开始波动。
但是，根据本实施方式，STO65的旋转注入层65a及振荡层65c相对于主磁极60及尾随屏蔽件62，设置为从ABS43向进深侧错开。即，旋转注入层65a及振荡层65c的下端面位于从ABS43离开间隔rh的位置。因此能够获得以下的效果。
图7关于本实施方式所涉及的磁头和比较例所涉及的磁头，比较表示写间隙WG的长度与STO的振荡旋转角的关系。另外，在比较例所涉及的磁头中，STO的下端面与主磁极的前端面及ABS位于一面。
从图7可知，随着写间隙长变短，STO65的振荡旋转角逐渐减小。在比较例中，若写间隙长为30nm以下，则STO的振荡旋转角会低于30度。另外，可知若振荡旋转角低于30度，则来自STO65的高频磁场相对于理想的大振荡时成为一半以下。
相对于此，本实施方式的磁头，即使在写间隙WG为30nm以下的区域中，振荡旋转角也不低于30度，STO65也进行振荡。另外，这里，STO65与ABS43的间隔(后退量)rh作为一例，设为1.5nm。
图8关于本实施方式所涉及的磁头和上述比较例所涉及的磁头，比较表示写间隙WG的长度与STO65的膜面内的、对STO65施加的外部磁场(间隙磁场)的离散值(σ)的关系。
如从该图可知，随着写间隙WG的长度变短，间隙磁场的离散值σ逐渐增大。在比较例中，在图7所示的低于振荡旋转角30度的写间隙30nm处，离散值σ超过730(Oe)。相对于此，本实施方式所涉及的磁头，即使在写间隙WG为30nm以下的区域中，间隙磁场的离散值(σ)也没有超过730(Oe)。因此，本实施方式所涉及的磁头，在写间隙长为30nm以下的区域，STO65也会良好地振荡。另外，STO65的间隔(后退量)rh作为一例，设为1.5nm。
接着，说明相对于写间隙WG的STO65的后退量rh的适合范围。图9表示将写间隙WG的长设为20、25、30、35、40、45、50nm时的STO65的后退量rh与间隙磁场的离散值(σ)的关系。从该图可知，写间隙长越短，间隙磁场的离散值越大，另外，STO65的后退量rh越大，间隙磁场的离散值被抑制为越小。这里，如前所述，为了使STO65良好地振荡，间隙磁场的离散值σ优选在730(Oe)以下。因此，根据图9，对于各写间隙长，能够导出良好振荡所需的STO65的后退量rh。
图10表示写间隙WG长与STO65的必要后退量rh-min的关系。从该图可知，在写间隙WG为近似35nm以上的情况下，由于间隙磁场的离散值小，所以不需要使STO65后退，但是在写间隙WG为近似30nm以下的情况下，为了将间隙磁场的离散值抑制到STO65可良好振荡的程度，需要使STO65后退一定量。这里，在写间隙长为近似30nm以下的情况下，必要最小限度的后退量rh(min)与写间隙长的关系可以概略地由以下的式(1)表达。
rh(min)＝-0.00407×Lwg2+0.0934×Lwg+1.1…(1)
(这里，Lwg:写间隙长(nm))
图11表示在STO65以旋转角90度理想地振荡时，从STO65向磁盘16的磁记录层103的膜厚方向中心部施加的高频磁场强度与STO65的后退量rh的关系。从该图可知，后退量rh越增大，由于STO65与磁记录层103的物理距离越远，所以高频磁场强度也逐渐降低。若后退量rh达到9nm，则高频磁场强度一般低于以SN比和/或覆写这样的指标来获得明显的辅助效果所需的350(Oe)。因此，STO65的后退量rh优选比9nm小。即，
允许最大后退量rh(max)＝9(nm)…(2)。
根据以上的式(1)、(2)，STO65的后退量rh的适合范围可以近似如下表达。
(-0.00407×Lwg2+0.0934×Lwg+1.1)<rh<9…(3)
如上所述，为了满足式(3)，通过设定后退量rh，即使在线记录密度高的具有30nm以下的短写间隙WG的磁头中，也可以进行STO65的良好的振荡，向记录介质施加更大的高频磁场。即，能够抑制STO65的振荡特性的降低，实现稳定的高频辅助记录，实现高记录密度化。
以上，根据本实施方式，能够提供可以实现稳定的高频辅助记录并实现高记录密度化的磁头及具备其的HDD。
接着，说明上述磁头的制造方法的一例。
图12是表示通过薄膜层叠形成了多个磁头的头晶片的俯视图，图13是放大表示从上述头晶片切出的棒状小片(排条)的立体图，图14是概略地表示从上述排条切出的一个磁头的立体图，图15是概略地表示排条的内部构造的图。
如图12所示，在磁头17的制造工序中，通过薄膜层叠工艺，在头晶片80上连续地并排形成大量磁头17，形成多个头集合体列82，所述大量磁头17分别具有分别包含滑块、读出头、STO的记录头。头集合体列82中的各磁头与前述的第1实施方式中的磁头17同样地构成。接着，如图13所示，从头晶片80切出各头集合体列82，获得分别包含多个连续的磁头17的多个棒状的头集合体(排条)84。在各排条84，例如，连续地排列有60～70个薄膜磁头17。
如图13及图15所示，在排条84中，在长度方向的两端面设置有加工处理专用的连接端子46a、46b。另外，在相邻的磁头17间，分别设置有连接端子46a、46b。这多个连接端子46a、46b串联地连接，并且分别与磁头17的主磁极60及尾随屏蔽件62电连接。进而，连接端子46a、46b与连接焊盘45a、45b电连接。由此，将多个磁头17的连接端子46a、46b、主磁极60、尾随屏蔽件62串联连接，可以同时通电。
另外，在图13到图15中，省略了STO65以外的元件的连接焊盘45和/或摩擦引导件等的图示。
接着，如图13及图15所示，对排条84的下表面(成为磁头17的ABS43的面)朝向研磨方向L进行研磨(摩擦)。此时，对于在排条84的长度长方向的两端面设置的连接端子46a、46b，从电源86施加电压或者电流。由此，对多个磁头17的主磁极60、STO65、尾随屏蔽件62串联地施加电压或者电流。在研磨时施加的电压或者电流设定成比通常的磁头驱动时对STO65施加的电压或者电流稍大的值。通过如上所述施加电压或者电流，各磁头17的STO65沿着从ABS突出的方向稍微热膨胀。
然后，在保持STO65膨胀的状态下，实施ABS43的研磨工序，基于摩擦引导件，研磨(摩擦)到成为期望的形状及高度的ABS43为止。在研磨结束后，若使对连接端子46a、46b施加的电压或者电流截止，则各STO65以从ABS43后退了所膨胀的量的形态形成。另外，STO65的后退量rh可以通过在ABS研磨工序时对连接端子46a、46b施加的电压或者电流的大小来调整。
在研磨后，通过从排条84切出多个磁头17，可获得大量图14所示那样的磁头17。在所切出的各磁头17的两侧面44c，分别露出设置有连接端子46a、46b。
根据以上那样构成的磁头的制造方法，能够对多个磁头的STO同时通电而使之膨胀，进而，对包含这些STO的多个磁头同时进行研磨(摩擦)。由此，可以容易且廉价地制造STO的下端面沿着从ABS离开的方向后退(凹入)了的磁头。
另外，在上述的第1实施方式中，在制造工序中，构成为边对大量的磁头的STO串联地通电而使STO膨胀边实施加工处理，但是并不限于此，也可以在对磁头的记录线圈或者加热器通电了的状态下实施加工处理。
图16是概略地表示第1变形例所涉及的排条的内部构造的图。根据第1变形例，在排条84中，在长度长方向的两端面设置有加工处理专用的连接端子46a、46b。另外，在相邻的磁头17间，分别设置有连接端子46a、46b。这多个连接端子46a、46b串联地连接，并且分别与磁头17的第1加热器76a电连接。进而，连接端子46a、46b及第1加热器76a与连接焊盘45a、45b电连接。由此，将多个磁头17的连接端子46a、46b、第1加热器76a串联地连接，可以同时通电。
在对排条84的ABS朝向研磨方向L进行研磨(摩擦)时，对设置于排条84的长度长方向的两端面的连接端子46a、46b，从电源86施加电压或者电流。由此，对多个第1加热器76a串联地施加电压或者电流。施加的电压或者电流设定成比通常的磁头驱动时对第1加热器76a施加的电压或者电流稍大的值。通过第1加热器76a发热，包含STO65的记录头58沿着从ABS突出的方向稍微热膨胀。
在保持STO65膨胀的状态下，实施ABS的研磨工序，基于摩擦引导件，研磨(摩擦)到期望的形状及高度的ABS43为止。在研磨结束后，若使对连接端子46a、46b施加的电压或者电流截止，则各STO65以从ABS43后退了所膨胀的量的形态形成。另外，对第1加热器76a通电了的状态下的排条84的加工不限于研磨，也可以采用其他的加工处理。
图17是概略地表示第2变形例所涉及的排条的内部构造的图。根据第2变形例，在排条84中，在长度长方向的两端面设置有加工处理专用的连接端子46a、46b。另外，在相邻的磁头17间分别设置有连接端子46a、46b。这多个连接端子46a、46b串联地连接，并且分别与磁头17的第1线圈70电连接。进而，连接端子46a、46b及第1线圈70与连接焊盘45a、45b电连接。由此，将多个磁头17的连接端子46a、46b、第1线圈70串联连接，可以同时通电。
在对排条84的ABS朝向研磨方向L进行研磨(摩擦)时，对设置于排条84的长度长方向的两端面的连接端子46a、46b，从电源86施加电压或者电流。由此，对多个第1线圈70串联地施加电压或者电流。在研磨时施加的电压或者电流设定成比在通常的磁头驱动时对第1线圈70施加的电压或者电流稍大的值。通过通电，第1线圈70发热，包含STO65的记录头58沿着从ABS突出的方向稍微热膨胀。
在保持STO65膨胀的状态下，实施ABS的研磨工序，基于摩擦引导件，研磨(摩擦)到期望的形状及高度的ABS43为止。在研磨结束后，若使对连接端子46a、46b施加的电压或者电流截止，则各STO65以从ABS43后退了所膨胀的量的形态形成。另外，对第1线圈70通电了的状态下的排条84的加工不限于研磨，也可以采用其他的加工处理。
在上述的第1变形例及第2变形例所涉及的磁头的制造方法中，也能够对多个磁头的STO同时通电而使之膨胀，进而，对包含这些STO的多个磁头同时进行研磨(摩擦)。由此，可以容易且廉价地制造STO的下端面沿着从ABS离开的方向后退(凹入)了的磁头。
本发明并不限于上述实施方式及变形例原样，在实施阶段，在不脱离其主旨的范围，可以对构成要素进行变形而具体化。另外，通过上述实施方式中公开的多个构成要素的适宜组合，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式所示的全部构成要素删除几个构成要素。进而，也可以使不同实施方式的构成要素适宜组合。
例如，构成头部的要素的材料、形状、大小等可以根据需要改变。另外，在磁盘装置中，磁盘及磁头的数量可以根据需要而增加，磁盘的尺寸也可以选择各种尺寸。旋转转矩振荡器不限于设置在主磁极的尾随侧，也可以设置在主磁极的前导侧。

Claims (12)

1.一种磁头，其中，
具备：
空气支撑面；
第1面，其设置有包括与元件连接的第1连接焊盘及第2连接焊盘的多个连接焊盘；
一对第2面，一对连接端子分别设置于该一对第2面，上述一对连接端子分别与上述第1连接焊盘及上述第2连接焊盘连接，用于对上述元件通电；
主磁极，其具有延伸到上述空气支撑面的前端部，且产生记录磁场；
写屏蔽件，其与上述主磁极的上述前端部隔着写间隙而相对，且与上述主磁极一起构成磁芯；以及
高频振荡器，其在上述写间隙内设置于上述主磁极与写屏蔽件之间，且与上述主磁极及写屏蔽件电连接，
上述高频振荡器具有层叠的旋转注入层及振荡层，上述高频振荡器的至少上述振荡层，相对于上述空气支撑面，与上述主磁极及写屏蔽件相比，向从上述空气支撑面离开的方向后退。
2.权利要求1所述的磁头，其中，
上述写间隙形成为30nm以下，上述振荡层从上述空气支撑面离开1nm以上。
3.权利要求1或2所述的磁头，其中，
在将上述写间隙的长度设为Lwg、将上述振荡层从上述空气支撑面离开的后退量设为rh、将Lwg以及rh的单位都设为nm时，上述后退量满足以下关系：
(-0.00407×Lwg2+0.0934×Lwg+1.1)<rh<9。
4.权利要求1或2所述的磁头，其中，
上述一对连接端子经由上述主磁极及写屏蔽件电连接于上述高频振荡器，能够从上述一对连接端子向上述高频振荡器通电。
5.权利要求1或2所述的磁头，其中，
具备对上述主磁极及写屏蔽件的附近进行加热的加热器，上述一对连接端子电连接于上述加热器。
6.权利要求1或2所述的磁头，其中，
具备卷绕于包括上述主磁极及写屏蔽件的磁芯的线圈，上述一对连接端子电连接于上述线圈。
7.一种盘装置，其中，
具备：
具有磁记录层的盘状的记录介质；以及
对上述记录介质记录信息的权利要求1～6中的任一项所述的磁头。
8.一种磁头的制造方法，其中，
形成棒状的头集合体，上述棒状的头集合体中，连续排列有分别具有记录头及一对连接端子的多个磁头，上述记录头包括高频振荡器，上述连接端子在长度方向的两端面分别露出，上述多个连接端子相互串联地导通，
通过设置于上述头集合体的两端面的上述连接端子对上述多个磁头的一对连接端子通电，对上述多个磁头的高频振荡器分别加热来使之膨胀，
在上述高频振荡器分别膨胀了的状态下，对成为上述磁头的空气支撑面的上述头集合体的一面进行加工。
9.权利要求8所述的磁头的制造方法，其中，
上述加工是研磨，在该研磨结束之后，停止向上述连接端子的通电。
10.权利要求8或9所述的磁头的制造方法，其中，
经由上述连接端子对上述高频振荡器通电，使上述高频振荡器膨胀。
11.权利要求8或9所述的磁头的制造方法，其中，
各个上述磁头具备对上述记录头进行加热的加热器，
经由上述连接端子对上述加热器通电，使上述高频振荡器膨胀。
12.权利要求8或9所述的磁头的制造方法，其中，
各个上述记录头具备主磁极、写屏蔽件及记录线圈，
经由上述连接端子对上述记录线圈通电，使上述高频振荡器膨胀。
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