CN110491418A - 磁记录头和具有该磁记录头的盘装置 - Google Patents

磁记录头和具有该磁记录头的盘装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供能够实现记录质量提高的磁记录头和具有其的盘装置。磁记录头具有：空气支承面；产生垂直方向的记录磁场的主磁极(60)；隔着写间隙(WG)与主磁极的前端部相对的写屏蔽磁极(62)；向磁芯激励磁通的线圈；第1自旋转矩振荡器(35a)，在写间隙内设置在一端侧的边缘部与写屏蔽磁极之间；第2自旋转矩振荡器(35b)，在写间隙内设置在主磁极的另一端侧的边缘部与写屏蔽磁极之间；绝缘层，在写间隙内设置在第1自旋转矩振荡器与第2自旋转矩振荡器之间；以及电流电路，经由主磁极和写屏蔽磁极与第1自旋转矩振荡器和第2自旋转矩振荡器连接，用于向使得第1自旋转矩振荡器和第2自旋转矩振荡器中的某一方进行振荡的方向通电。

Description

磁记录头和具有该磁记录头的盘装置
关联申请
本申请享受以日本专利申请2018-93855号(申请日：2018年5月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁记录头和具有该磁记录头盘装置。
背景技术
近年来，作为盘装置，为了实现磁盘装置的高记录密度化、大容量化或小型化，提出了垂直磁记录用磁头。在这样的磁头中，记录头具有产生垂直方向磁场的主磁极、隔着写间隙配置在该主磁极的跟随侧的写屏蔽磁极以及用于使磁通流向主磁极的线圈。此外，提出了如下高频辅助头：在写屏蔽磁极与主磁极之间的写间隙中设置高频振荡器例如自旋转矩振荡器，使电流通过主磁极和写屏蔽磁极流向自旋转矩振荡器。
另外，还提出了在写间隙中设置有多个自旋转矩振荡器的记录头。多个自旋转矩振荡器具有相同的层叠膜结构。因此，在对膜面施加电流的情况下，多个自旋转矩振荡器同时进行振荡动作。
另一方面，近年来，作为用于实现记录密度提高的记录方式，提出了将记录磁道依次重叠写入的所谓叠瓦式记录方式。如上所述，在具有多个自旋转矩振荡器的记录头中，由于这些自旋转矩振荡器同时进行振荡动作，因而难以适用于叠瓦式记录方式。另外，提出了在各自旋转矩振荡器内设置有通电用的电极端子和多个绝缘层的方式。但是，该自旋转矩振荡器的主磁极与写屏蔽磁极的间隔(写间隙)会变大与电极端子和绝缘层相当的量。在实现线记录密度提高的基础上，不希望写间隙增大。
发明内容
本发明的实施方式提供能够实现记录质量提高的磁记录头和具有该磁记录头的盘装置。
实施方式的磁记录头具有：空气支承面；主磁极，其具有延伸至所述空气支承面的前端部，产生垂直方向的记录磁场；写屏蔽磁极，其隔着间隙与所述主磁极的所述前端部相对，与所述主磁极一同构成磁芯；线圈，其向所述磁芯激励出磁通；第1自旋转矩振荡器，其在所述写间隙内设置在所述主磁极的宽度方向一端侧的边缘部与所述写屏蔽磁极之间；第2自旋转矩振荡器，其在所述写间隙内设置在所述主磁极的宽度方向另一端侧的边缘部与所述写屏蔽磁极之间；绝缘层，其在所述写间隙内设置在所述第1自旋转矩振荡器与所述第2自旋转矩振荡器之间；以及电流电路，其经由所述主磁极和写屏蔽磁极，与所述第1自旋转矩振荡器和所述第2自旋转矩振荡器连接，用于向使得所述第1自旋转矩振荡器和所述第2自旋转矩振荡器中的某一方进行振荡的方向通电。
附图说明
图1是概略地示出第1实施方式中的硬盘驱动器(HDD)的框图。
图2是示出所述HDD中的磁头、悬架、磁盘的侧视图。
图3是将所述磁头的头部放大表示的剖视图。
图4是示意性示出所述磁头的记录头的立体图。
图5是从ABS侧观察所述磁头的记录头的俯视图。
图6是示出所述记录头的磁道宽度方向位置与磁场强度的关系的图。
图7是示意性示出叠瓦式记录的一例的图。
图8是示意性示出叠瓦式记录的一例的图。
图9是将第2实施方式的HDD中的磁头的头部放大表示的剖视图。
图10是示意性示出第2实施方式中的所述磁头的记录头的立体图。
图11是从ABS侧观察第2实施方式中的所述磁头的记录头的俯视图。
具体实施方式
以下参照附图，对实施方式中的盘装置进行说明。
此外，公开只是一例，关于由本领域技术人员在保持发明主旨的前提下进行适当变更而容易地想到的方式，当然包含在本发明的范围中。另外，关于附图，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时对各部分的宽度、厚度、形状等示意性地进行表示，它们只是一例，不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，关于已经出现的图，对于与已述内容同样的要素，标注相同的标号，有时适当省略或简化详细说明。
(第1实施方式)
作为盘装置，对第1实施方式中的硬盘驱动器(HDD)进行详细说明。图1是概略地示出第1实施方式中的HDD的框图，图2是示出悬浮状态的磁头和磁盘的侧视图。
如图1所示，HDD 10具有矩形的壳体11、配设在壳体11内的作为记录介质的磁盘12、支承并使磁盘12旋转的主轴电机21以及对磁盘12进行数据写入(写)读出(读)的多个磁头16。另外，HDD 10具有使磁头16在磁盘12上的任意磁道上移动并进行定位的头致动器18。头致动器18包含将磁头16支承为能够移动的托架组件20和使该托架组件20转动的音圈电机(VCM)22。
HDD 10具有驱动磁头16的头放大器IC 30、主控制器90和驱动器IC 92。头放大器IC 30例如设置于托架组件20，与磁头16电连接。头放大器IC 30具有向磁头16的记录线圈提供记录电流的记录电流提供电路(记录电流提供部)91、用于向后述的自旋转矩振荡器(STO)提供驱动电流的STO电流提供电路(STO电流提供部)93以及将STO电流提供电路93的通电方向切换为第1方向或第2方向的切换电路98。
主控制器90和驱动器IC 92例如构成在设置于壳体11的背面侧的未图示的控制电路基板。主控制器90具有读写(R/W)通道94、硬盘控制器(HDC)96和微处理器(MPU)97。主控制器90经由头放大器IC 30，与磁头16电连接。主控制器90经由驱动器IC 92，与VCM 22和主轴电机21电连接。HDC 96能够与主机95连接。
如图1和图2所示，磁盘12构成为垂直磁记录介质。磁盘12例如具有形成为直径约2.5英寸(6.35cm)的圆板状且由非磁性体构成的基板101。在基板101的各表面依次层叠有作为衬底层的、由表现出软磁特性的材料构成的软磁性层102，在其上层部的相对于磁盘12的表面垂直的方向上具有磁各向异性的垂直磁记录层103、和保护膜104。磁盘12与主轴电机21的轮轴彼此同轴地嵌合。磁盘12通过主轴电机21而以预定速度朝箭头B方向旋转。
托架组件20具有以转动自如的方式固定于壳体11的轴承部24和从轴承部24延伸的多个悬架26。如图2所示，磁头16支承于各悬架26的延伸端。磁头16经由设置于托架组件20的配线部件(flexure)28，与头放大器IC 30电连接。
如图2所示，磁头16构成为悬浮型的头，具有形成为大致长方体状的滑块42和在滑块42的流出端(跟随端，Trailing)侧的端部形成的头部44。滑块42例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(铝钛碳：ALTiC)形成，头部44由多层的薄膜形成。滑块42安装于配线部件28的常平架(Gimbal)部41。
滑块42具有与磁盘12的表面相对的矩形的盘相对面(空气支承面(ABS))43。滑块42通过因磁盘12的旋转而在盘表面与ABS 43之间产生的空气流C而维持从磁盘12的表面悬浮预定量的状态。空气流C的方向与磁盘12的旋转方向B一致。滑块42具有位于空气流C的流入侧的引导端42a和位于空气流C的流出侧的跟随端42b。随着磁盘12的旋转，磁头16相对于磁盘12，朝箭头A方向(头前进方向)即与盘的旋转方向B相反的方向前进。
图3是将头部44放大表示的剖视图。头部44具有通过薄膜工艺在滑块42的跟随端42b形成的再现头(读取头)54和记录头58，并形成为分离型的磁头。再现头54和记录头58除了露出于滑块42的ABS 43的部分之外，由非磁性的保护绝缘膜53覆盖。保护绝缘膜53构成头部44的外形。
再现头54具有磁阻效应元件55、第1磁屏蔽膜56和第2磁屏蔽膜57，所述第1磁屏蔽膜56和第2磁屏蔽膜57在下降磁道(down track)方向DT上，夹着磁阻效应元件55配置在磁阻效应元件55的引导侧(流入侧)和跟随侧(流出侧)。磁阻效应元件55、第1磁屏蔽膜56和第2磁屏蔽膜57相对于ABS 43大致垂直地延伸。磁阻效应元件55、第1磁屏蔽膜56和第2磁屏蔽膜57的下端向ABS 43露出。
记录头58相对于再现头54，设置在滑块42的跟随端42b侧。图4是示意性示出记录头的立体图，图5是从ABS侧观察记录头的俯视图。如图3、图4和图5所示，记录头58具有：产生相对于ABS 43(相对于磁记录层103)垂直方向的记录磁场的主磁极60；隔着写间隙WG与该主磁极60相对的写屏蔽磁极(跟随屏蔽)62；使主磁极60的上部与写屏蔽磁极62物理地接合的接合部67；卷绕于由主磁极60和写屏蔽磁极62构成的磁芯的记录线圈70；以及在主磁极60的前端部60a与写屏蔽磁极62之间面向ABS 43而配置的一对高频振荡元件例如第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b等。
主磁极60由具有高磁导率、高饱和磁通密度的软磁性材料形成，相对于ABS 43大致垂直地延伸。主磁极60的ABS 43侧的前端部60a朝向ABS43和磁盘12的表面以头部变小的方式收缩，形成为相对于其它部分宽度小的柱状。主磁极60的前端面露出于滑块42的ABS43。前端部60a的宽度(沿着磁道宽度方向CW的宽度)W1形成为磁盘12中的记录磁道的宽度以上。
写屏蔽磁极62由软磁性材料形成，是为了经由主磁极60正下方的磁盘12的软磁性层102来高效地使磁路闭合而设置的。主磁极60和写屏蔽磁极62配置在滑块42的长轴(中心轴C)上，且沿下降磁道方向DT排列。
写屏蔽磁极62形成为大致L字形状，其前端部62a形成为细长的矩形。写屏蔽磁极62的前端面露出于滑块42的ABS 43。前端部62a具有与主磁极60的前端部60a相对的引导侧端面(磁极端面)62b。引导侧端面62b远大于主磁极60的前端部60a的宽度W1和磁盘12的磁道宽度，并沿着磁盘12的磁道的宽度方向CW延伸。引导侧端面62b相对于ABS 43略微倾斜地延伸。在ABS 43中，引导侧端面62b的下端缘与主磁极60的跟随侧端面隔开写间隙WG(下降磁道方向DT的间隙长度)而平行地相对。
在本实施方式中，记录头58具有一对侧屏蔽件74。侧屏蔽件74配置在主磁极60的磁道宽度方向两侧，与主磁极60物理地分离，且与跟随屏蔽件62连接。在本实施方式中，侧屏蔽件74由高磁导率材料与写屏蔽磁极62的前端部62a形成为一体，并从前端部62a的引导侧端面62b朝滑块42的引导端侧突出。
如图3和图4所示，记录线圈70例如在主磁极60与写屏蔽磁极62之间，卷绕于接合部67周围。在向磁盘12写入信号时，从记录电流提供电路91向记录线圈70提供记录电流，使磁通流向主磁极60而产生磁场。从记录电流提供电路91向记录线圈70提供的电流由HDD的主控制器90控制。
在写屏蔽磁极62与接合部67之间配置有电绝缘层61，主磁极60与写屏蔽磁极彼此电绝缘。主磁极60和写屏蔽磁极62分别经由配线与第1通电端子63和第2通电端子63电连接。通电端子63例如设置在滑块42的跟随端42b上。第1通电端子63和第2通电端子63经由配线部件28的配线36，与STO电流提供电路93电连接。由此，构成了使电流从STO电流提供电路93串行地通过主磁极60、自旋转矩振荡器35a、35b、写屏蔽磁极62的电流电路。写屏蔽磁极62和主磁极60也作为对自旋转矩振荡器35a、35b垂直通电的电极发挥功能。
此外，STO电流提供部93能够在主控制器90的控制下，通过切换电路98，将电流的通电方向切换为正方向(第1方向)和反方向(第2方向)。即，STO电流提供电路93能够选择按主磁极60、自旋转矩振荡器35a、35b、写屏蔽磁极62的顺序进行通电的第1方向通电和按写屏蔽磁极62、自旋转矩振荡器35a、35b、主磁极60的顺序进行通电的第2方向通电。通过选择通电方向，能够选择性地使第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b中的某一方进行振荡动作。
接下来，对自旋转矩振荡器进行详细说明。如图5所示，在主磁极60的前端部60a与写屏蔽磁极62之间，在写间隙WG排列配置有第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b。第1自旋转矩振荡器35a配置在主磁极60的磁道宽度方向CW的一端侧的边缘部，一部分超过一端侧的边缘而沿磁道宽度方向CW延伸。第2自旋转矩振荡器35b配置在主磁极60的磁道宽度方向CW的另一端侧的边缘部，一部分超过另一端侧的边缘而沿磁道宽度方向CW延伸。在磁道宽度方向CW上，第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b隔开间隔沿磁道宽度方向CW配置。在第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b之间，填充有绝缘层IL或绝缘材料(保护绝缘膜53)。
第1自旋转矩振荡器35a具有在主磁极60上形成且由磁性金属构成的自旋极化层31a、依次层叠在自旋极化层31a上的第1导电层32a、由磁性金属构成的磁通控制层33a以及与磁通控制层33a和写屏蔽磁极62电连接的第2导电层34a。这样，构成第1自旋转矩振荡器35a的多层31a～34a从主磁极60朝写屏蔽磁极62依次层叠。在从主磁极60朝向写屏蔽磁极62的方向(第1方向)进行通电时，第1自旋转矩振荡器35a进行振荡动作，产生自旋转矩。第1自旋转矩振荡器35a在通电有反向(第2方向)的电流的情况下，实质不振荡出自旋转矩。此外，也可以构成为，自旋极化层31a可省略，在主磁极60上直接形成第1导电层32a。
第2自旋转矩振荡器35b具有在写屏蔽磁极62上形成且由磁性金属构成的自旋极化层31b、依次层叠在自旋极化层31a上的第1导电层32b、由磁性金属构成的磁通控制层33b以及与磁通控制层33b和主磁极60电连接的第2导电层34b。这样，构成第2自旋转矩振荡器35b的多层31b～34b与第1自旋转矩振荡器35a的多层反向地层叠，即从写屏蔽磁极62朝向主磁极60依次层叠。由此，在从写屏蔽磁极62朝向主磁极60的方向(第2方向)进行通电时，第2自旋转矩振荡器35b进行振荡动作，产生自旋转矩。第2自旋转矩振荡器35b在通电有反向(第1方向)的电流的情况下，实质不振荡出自旋转矩。此外，也可以构成为，自旋极化层31b可省略，在写屏蔽磁极62上直接形成第1导电层32b。
在一例中，自旋极化层31a、31b由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成。第1导电层32a、32b由包含从Cu、Au、Ag、Al、Ir、NiAl合金中选择的至少1种的金属层形成。磁通控制层33a、33b由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成。第2导电层34a、34b优选由包含从Ta、Ru、Pt、W、Mo中选择的至少1种的金属层形成。
根据具有如上那样构成的磁头16的HDD 10，在进行记录时，头放大器IC 30的记录电流提供电路91根据从读写通道94产生的记录信号、记录模式，向记录线圈70通电以记录电流。由此，记录线圈70使主磁极60励磁，从主磁极60产生记录磁场。
STO电流提供电路93在MPU 46的控制下，向主磁极60和跟随屏蔽件62施加电压，由此，使驱动电流串行地通过配线36、通电端子63、主磁极60、第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b、写屏蔽磁极62来进行通电。另外，在MPU 46的控制下，通过切换电路98使驱动电流的通电方向从第1方向切换为第2方向，由此，STO电流提供电路93使驱动电流串行地通过配线36、通电端子63、写屏蔽磁极62、第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b、主磁极60来进行通电。
即，STO电流提供电路93沿着第1方向或反向的第2方向，向与第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b的膜面垂直的膜厚方向通电以驱动电流。
通过向第1方向进行通电，第1自旋转矩振荡器35a的磁通控制层33a的磁化进行旋转而振荡出自旋转矩。通过向第2方向进行通电，第2自旋转矩振荡器35b的磁通控制层33b的磁化进行旋转而振荡出自旋转矩。从第1自旋转矩振荡器35a或第2自旋转矩振荡器35b振荡的自旋转矩朝向与在主磁极60和写屏蔽磁极62之间产生的间隙磁场的方向相反的方向。因此，自旋转矩以使从主磁极60直接流向写屏蔽磁极62的磁通降低的方式进行作用。其结果是，从主磁极60朝向磁盘12的磁记录层103的磁通量增大。在这样的状态下，从记录头58向磁记录层103施加记录磁场，将期望的数据写入磁记录层103。
图6将使用如上那样构成的记录头58的情况下的记录磁场分布的偏离磁道方向简图(Profile)和使用比较例中的代表性的带侧屏蔽件的记录头的情况下的记录磁场分布的偏离磁道方向简图进行比较并表示。磁道宽度方向位置＝0的位置是记录头的主磁极60的磁道宽度方向中心位置。在图4中，虚线所示的特性线描绘了在从比较例的记录头的正下方产生的头磁场分布中偏离磁道方向各点的最大磁场。实线所示的特性线描绘了在从本实施方式中的记录头58的正下方产生的头磁场分布中偏离磁道方向各点的最大磁场。
在图示的例子中，向使得第1自旋转矩振荡器35a进行振荡的第1方向施加驱动电流。即，从STO电流提供电路93通过通电端子63、主磁极60、第1自旋转矩振荡器35a、写屏蔽磁极62来通电有驱动电流。在向第1方向进行通电的情况下，第2自旋转矩振荡器35b实质不振荡出自旋转矩。
根据实线的特性线可知，在本实施方式中的记录头58中，磁道宽度方向正侧(第1自旋转矩振荡器35a)附近的磁场强度与比较例相比得到改善，在磁道宽度方向+30nm附近磁场强度增大300(Oe)左右。
另一方面，磁道宽度方向负侧(第2自旋转矩振荡器35b)附近的磁场强度与比较例相比恶化，在磁道宽度方向-30nm处减小200(Oe)左右。
如上所述，在从通电端子63通过主磁极60、第1自旋转矩振荡器35a、写屏蔽磁极62进行第1方向的通电的情况下，从主磁极60向自旋转矩振荡器35a的磁通控制层33a作用有自旋转矩，磁通控制层33a的磁化方向朝向与在主磁极60与写屏蔽磁极62之间产生的磁场(间隙磁场)的方向相反的方向。因此，磁通控制层33a以使从主磁极60直接流向写屏蔽磁极62的磁通降低的方式进行作用。其结果是，从主磁极60朝向磁盘12的磁记录层103的磁通量增大。
在向第1方向通电有驱动电流的情况下，自旋转矩不作用于第2自旋转矩振荡器35b的磁通控制层33b。因此，在磁通控制层33b中，从主磁极60直接流向写屏蔽磁极62的磁通集中。其结果是，从主磁极60朝向磁盘12的磁记录层103的磁通量减少。通过这样的动作，本实施方式中的记录头58能够得到图6的实线所示的记录磁场分布。
此外，在通过切换电路98将STO驱动电流的通电方向切换为第2方向的情况下，自旋转矩不作用于第1自旋转矩振荡器35a的磁通控制层33a，自旋转矩作用于第2自旋转矩振荡器35b的磁通控制层33b。其结果是，得到与图6的实线所示的记录磁场分布的偏离磁道方向简图左右对称的磁场分布简图。
本实施方式中的磁头16能够有效灵活地运用于采用了叠瓦式记录方式的HDD。通过适当地切换STO驱动电流的通电方向，能够选择性地使第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b进行动作，提高想要写入的主磁极60的边缘部的记录质量。
图7和图8概略地示出叠瓦式记录的一例。如图7所示，在磁盘12的内周(ID)朝向外周(OD)来依次对数据磁道T1、T2、T3进行重叠写入的情况下，通过向使得记录头58的第1自旋转矩振荡器35a进行振荡的第1方向来通电，能够使用主磁极60的外周侧边缘高效地执行叠瓦式记录。如图8所示，在从磁盘12的外周(OD)朝向内周(ID)来依次对数据磁道T4、T5、T6进行重叠写入的情况下，通过向使得记录头58的第2自旋转矩振荡器35b进行振荡的第2方向来通电，能够使用主磁极60的内周侧边缘高效地执行叠瓦式记录。
根据以上方式，通过第1实施方式，能够提供可实现记录质量提高的磁头和具有该磁头的盘装置。另外，通过切换向自旋转矩振荡器的膜面施加电流的方向，能够选择最优的重叠写入方向。各自旋转矩振荡器是在内部不具有通电用的电极端子和绝缘层的结构，故而能够减小整体的层厚，其结果是，能够减小主磁极与写屏蔽磁极的间隔(写间隙)。由此，能够减小记录磁化转移宽度，提高线记录密度。
接下来，对其它实施方式中的HDD和磁头进行说明。此外，在以下所述其它实施方式中，对于与上述第1实施方式相同的部分，赋予与第1实施方式相同的参照标号，有时省略或简化其详细说明。
(第2实施方式)
对第2实施方式中的HDD的磁头进行说明。图9是将第2实施方式中的HDD中的磁头的头部放大表示的剖视图，图10是示意性示出磁头的记录头的立体图，图11是从ABS侧观察记录头的俯视图。
如图10和图11所示，根据第2实施方式，记录头58的写屏蔽磁极62以分离的方式形成为第1屏蔽磁极68a和第2屏蔽磁极68b。在一例中，通过位于磁头16的中心轴C上的狭缝65来分离为两个屏蔽磁极。狭缝65中填充有绝缘层(保护绝缘膜53)。由此，第1屏蔽磁极68a和第2屏蔽磁极68b以电绝缘的状态彼此相邻地配置。
同样，接合部67通过狭缝65而二分为第1接合部67a和第2接合部67b。第1接合部67a将第1屏蔽磁极68a的上部和主磁极60的上部机械能接合。第2接合部67b将第2屏蔽磁极68b的上部和主磁极60的上部进行接合。在第1接合部67a、第2接合部67b和主磁极60之间配置有电绝缘层61，主磁极60和第1屏蔽磁极68a、第2屏蔽磁极68b彼此电绝缘。
如图11所示，第1自旋转矩振荡器35a在写间隙WG中，设置在主磁极60与第1屏蔽磁极68a之间。第2自旋转矩振荡器35b在写间隙WG中，设置在主磁极60与第2屏蔽磁极68a之间。第1自旋转矩振荡器35a配置在主磁极60的磁道宽度方向CW的一端侧，一部分超过一端侧的边缘，沿磁道宽度方向CW延伸。第2自旋转矩振荡器35b配置在主磁极60的磁道宽度方向CW的另一端侧，一部分超过另一端侧的边缘，沿磁道宽度方向CW延伸。在磁道宽度方向CW上，第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b，隔开间隔沿磁道宽度方向CW配置。在第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b之间，填充有绝缘层IL或绝缘材料(保护绝缘膜53)。
第1自旋转矩振荡器35a具有在主磁极60上形成且由磁性金属构成的自旋极化层31a、依次层叠在自旋极化层31a上的第1导电层32a、由磁性金属构成的磁通控制层33a以及使磁通控制层33a与第1屏蔽磁极68a电连接的第2导电层34a。这样，构成第1自旋转矩振荡器35a的多层31a～34a从主磁极60朝向第1屏蔽磁极68a而依次层叠。在从主磁极60朝向第1屏蔽磁极68a的方向(第1方向)进行通电时，第1自旋转矩振荡器35a进行动作而产生自旋转矩。主磁极60和第1屏蔽磁极68a也作为对第1自旋转矩振荡器35a垂直通电的电极发挥功能。
第2自旋转矩振荡器35b具有在主磁极60上形成且由磁性金属构成的自旋极化层31b、依次层叠在自旋极化层31b上的第1导电层32b、由磁性金属构成的磁通控制层33b以及使磁通控制层33b与第2屏蔽磁极68b电连接的第2导电层34b。这样，构成第2自旋转矩振荡器35b的多层31b～34b按与第1自旋转矩振荡器35a的多层相同方向进行层叠，即，从主磁极60朝向第2屏蔽磁极68b而依次层叠。由此，在从主磁极60朝向第2屏蔽磁极68b的方向(第1方向)进行通电时，第2自旋转矩振荡器35b进行动作而产生自旋转矩。主磁极60和第2屏蔽磁极68b也作为对第2自旋转矩振荡器35b垂直通电的电极来工作。
在一例中，自旋极化层31a、31b由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成。第1导电层32a、32b由包含从Cu、Au、Ag、Al、Ir、NiAl合金中选择的至少1种的金属层形成。磁通控制层33a、33b由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成。第2导电层34a、34b优选由包含从Ta、Ru、Pt、W、Mo中选择的至少1种的金属层形成。
如图9和图10所示，主磁极60经由配线与第1通电端子63电连接。第1屏蔽磁极68a和第2屏蔽磁极68b分别经由配线与第2通电端子66a、第3通电端子66b分别连接。第1～第3通电端子63、66a、66b设置在滑块42的跟随端42b。第1～第3通电端子63、66a、66b分别经由配线部件28的配线36与STO电流提供电路93电连接。构成了从STO电流提供部93串行地通过主磁极60、第1自旋转矩振荡器35a、第1屏蔽磁极68a来通过电流的第1电流电路以及从STO电流提供部93串行地通过主磁极60、第2自旋转矩振荡器35b、第2屏蔽磁极68b来通过电流的第2电流电路。由此，通过切换电路98来切换电流电路，由此，STO电流提供部93能够选择性地向第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b通电驱动电流。此外，通电方向设为第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b进行振荡的第1方向。
在第2实施方式中，磁头16和HDD的其它结构与上述第1实施方式中的磁头和HDD相同。
根据如上构成的第2实施方式中的HDD的磁头16，将写屏蔽磁极分割为两个，构成分别向第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b通电的两个独立的电流电路。由此，能够适当而选择性地对第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b进行驱动，通过主磁极60的各边缘部高效地进行磁记录。例如，在叠瓦式记录方式中，在从磁盘12的内周(ID)朝向外周(OD)来依次对数据磁道进行重叠写入的情况下，仅对记录头58的第1自旋转矩振荡器35a进行通电来进行振荡动作，由此，能够高效地执行叠瓦式记录。另外，在叠瓦式记录方式中，在从磁盘12的外周(OD)朝向内周(ID)来依次对数据磁道进行重叠写入的情况下，仅对第2自旋转矩振荡器35b进行通电来进行振荡动作，由此，能够使用主磁极60的内周侧边缘高效地执行叠瓦式记录。
通过以上所述，根据第2实施方式，可得到能够实现记录质量提高的磁头和具有该磁头的盘装置。另外，根据第2实施方式，第1自旋转矩振荡器和第2自旋转矩振荡器的膜结构和层叠顺序相同，故而能够通过共同的制造工艺来形成。因此，容易形成磁头，能够降低制造成本。
此外，在第2实施方式中，也可以省略与主磁极60连接的配线和第1通电端子63，构成为从第2通电端子66a和第3通电端子66b向第1自旋转矩振荡器35a和第2自旋转矩振荡器35b进行通电的电流电路。例如，也可以从第2通电端子66a依次通过第1屏蔽磁极68a、第1自旋转矩振荡器35a、主磁极60、第2自旋转矩振荡器35b、第2屏蔽磁极68b、第3通电端子66b来进行通电。在该情况下，向第1自旋转矩振荡器35a通电有从第1写屏蔽磁极68a朝向主磁极60的第2方向的驱动电流，第1自旋转矩振荡器35a实质不振荡出自旋转矩。另一方面，向第2自旋转矩振荡器35b通电有从主磁极60朝向第2写屏蔽磁极68b的第1方向的驱动电流，振荡出自旋转矩。
在通过切换电路切换通电方向后，从第3通电端子66b依次通过第2屏蔽磁极68b、第2自旋转矩振荡器35b、主磁极60、第1自旋转矩振荡器35a、第1屏蔽磁极68a、第2通电端子66a来进行通电。在该情况下，向第2自旋转矩振荡器35b通电有从第2写屏蔽磁极68b朝向主磁极60的第2方向的驱动电流，第2自旋转矩振荡器35b实质不振荡出自旋转矩。另一方面，向第1自旋转矩振荡器35a通电有从主磁极60朝向第1写屏蔽磁极68a的第1方向的驱动电流，振荡出自旋转矩。
本发明不受限于上述实施方式本身，在实施阶段，在不脱离其主旨的范围内，能够对构成要素进行变形来进行具体化。另外，通过适当组合上述实施方式公开的多个构成要素，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式所示的全部构成要素中删除几个构成要素。此外，也可以适当组合涉及不同实施方式的构成要素。
例如，构成磁性体层和非磁性体层的材料和它们的形状不限于实施方式，可以根据需要进行变更。构成磁头头部的要素的材料、形状、大小等可以根据需要进行变更。在磁盘装置中，磁盘和磁头的数量可以根据需要进行增加，也可以选择各种磁盘尺寸。

Claims (15)

1.一种磁记录头，其具有：
空气支承面；
主磁极，其具有延伸至所述空气支承面的前端部，产生垂直方向的记录磁场；
写屏蔽磁极，其隔着写间隙与所述主磁极的所述前端部相对，与所述主磁极一同构成磁芯；
线圈，其向所述磁芯激励出磁通；
第1自旋转矩振荡器，其在所述写间隙内设置在所述主磁极的宽度方向一端侧的边缘部与所述写屏蔽磁极之间；
第2自旋转矩振荡器，其在所述写间隙内设置在所述主磁极的宽度方向另一端侧的边缘部与所述写屏蔽磁极之间；
绝缘层，其在所述写间隙内设置在所述第1自旋转矩振荡器与所述第2自旋转矩振荡器之间；以及
电流电路，其经由所述主磁极和所述写屏蔽磁极，与所述第1自旋转矩振荡器和所述第2自旋转矩振荡器连接，用于向使得所述第1自旋转矩振荡器和所述第2自旋转矩振荡器中的某一方进行振荡的方向通电。
2.根据权利要求1所述的磁记录头，
所述第1自旋转矩振荡器具有由非磁性金属形成且设置在所述主磁极上的第1导电层、由磁性金属形成且设置在所述第1导电层上的磁通控制层以及由非磁性金属形成且设置在所述磁通控制层与所述写屏蔽磁极之间的第2导电层，构成为通过从所述主磁极朝向所述写屏蔽磁极的第1方向的通电来进行振荡，
所述第2自旋转矩振荡器具有由非磁性金属形成且设置在所述写屏蔽磁极上的第1导电层、由磁性金属形成且设置在所述第1导电层上的磁通控制层以及由非磁性金属形成且设置在所述磁通控制层与所述主磁极之间的第2导电层，构成为通过从所述写屏蔽磁极朝向所述主磁极的第2方向的通电来进行振荡。
3.根据权利要求2所述的磁记录头，
所述第1自旋转矩振荡器还具有设置在所述主磁极与所述第1导电层之间的自旋极化层，
所述第2自旋转矩振荡器还具有设置在所述写屏蔽磁极与所述第1导电层之间的自旋极化层。
4.根据权利要求2所述的磁记录头，
所述第1导电层由包含从Cu、Au、Ag、Al、Ir、NiAl合金中选择的至少1种的金属层形成，
所述磁通控制层由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成，
所述第2导电层由包含从Ta、Ru、Pt、W、Mo中选择的至少1种的金属层形成。
5.根据权利要求3所述的磁记录头，
所述自旋极化层由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成，
所述第1导电层由包含从Cu、Au、Ag、Al、Ir、NiAl合金中选择的至少1种的金属层形成，
所述磁通控制层由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成，
所述第2导电层由包含从Ta、Ru、Pt、W、Mo中选择的至少1种的金属层形成。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的磁记录头，
所述电流电路具有与所述主磁极连接的第1通电端子以及与所述写屏蔽磁极连接的第2通电端子。
7.根据权利要求1所述的磁记录头，
所述写屏蔽磁极具有彼此电绝缘的第1屏蔽磁极和第2屏蔽磁极，
所述第1自旋转矩振荡器在所述写间隙内设置在所述主磁极与所述第1屏蔽磁极之间，
所述第2自旋转矩振荡器在所述写间隙内设置在所述主磁极与所述第2屏蔽磁极之间。
8.根据权利要求7所述的磁记录头，
所述电流电路具有与所述主磁极连接的第1通电端子、与所述第1屏蔽磁极连接的第2通电端子、与所述第2屏蔽磁极连接的第3通电端子、第1电流电路以及第2电流电路，所述第1电流电路是通过所述第1通电端子、所述主磁极、第1自旋转矩振荡器、所述第1屏蔽磁极、所述第2通电端子进行通电的电流电路，所述第2电流电路是通过所述第1通电端子、所述主磁极、第2自旋转矩振荡器、所述第2屏蔽磁极、所述第3通电端子进行通电的电流电路。
9.根据权利要求7所述的磁记录头，
所述电流电路具有与所述第1屏蔽磁极连接的第2通电端子以及与所述第2屏蔽磁极连接的第3通电端子，构成经过所述第2通电端子、第1屏蔽磁极、第1自旋转矩振荡器、主磁极、第2自旋转矩振荡器、第2屏蔽磁极、所述第3通电端子的电流电路。
10.根据权利要求7～9中的任意一项所述的磁记录头，
所述第1自旋转矩振荡器具有由非磁性金属形成且设置在所述主磁极上的第1导电层、由磁性金属形成且设置在所述第1导电层上的磁通控制层以及由非磁性金属形成且设置在所述磁通控制层与所述第1屏蔽磁极之间的第2导电层，
所述第2自旋转矩振荡器具有由非磁性金属形成且设置在所述主磁极上的第1导电层、由磁性金属形成且设置在所述第1导电层上的磁通控制层以及由非磁性金属形成且设置在所述磁通控制层与所述第2屏蔽磁极之间的第2导电层。
11.根据权利要求10所述的磁记录头，
所述第1自旋转矩振荡器还具有设置在所述主磁极与所述第1导电层之间的自旋极化层，
所述第2自旋转矩振荡器还具有设置在所述主磁极与所述第1导电层之间的自旋极化层。
12.根据权利要求10所述的磁记录头，
所述第1导电层由包含从Cu、Au、Ag、Al、Ir、NiAl合金中选择的至少1种的金属层形成，
所述磁通控制层由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成，
所述第2导电层由包含从Ta、Ru、Pt、W、Mo中选择的至少1种的金属层形成。
13.根据权利要求11所述的磁记录头，
所述自旋极化层由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成，
所述第1导电层由包含从Cu、Au、Ag、Al、Ir、NiAl合金中选择的至少1种的金属层形成，
所述磁通控制层由包含从Fe、Co、Ni中选择的至少1种的磁性金属形成，
所述第2导电层由包含从Ta、Ru、Pt、W、Mo中选择的至少1种的金属层形成。
14.一种盘装置，其具有：
具备磁记录层的旋转自如的盘状的记录介质；以及
向所述磁记录层记录信息的权利要求1～13中的任意一项所述的磁记录头。
15.根据权利要求14所述的盘装置，
具有向所述电流电路提供电流的电流提供电路以及将所述电流提供电路的通电方向切换为第1方向或与第1方向相反的第2方向的切换电路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115035918A (zh) * 2021-03-08 2022-09-09 株式会社东芝 磁盘装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10997988B1 (en) * 2017-06-23 2021-05-04 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording head with non-magnetic conductive structure
JP2024045941A (ja) 2022-09-22 2024-04-03 株式会社東芝 磁気ディスク装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110242701A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head and disk drive with the same
US20140133048A1 (en) * 2012-11-13 2014-05-15 HGST Netherlands B.V. High spin-torque efficiency spin-torque oscillator (sto) with dual spin polarization layer
CN104064200A (zh) * 2012-12-21 2014-09-24 Hgst荷兰有限公司 具有镜像不对称磁写入元件的磁数据记录系统
US9099102B2 (en) * 2013-09-30 2015-08-04 HGST Netherlands B.V. Microwave-assisted magnetic recording head with high saturation magnetization material side shield
US9390734B2 (en) * 2014-07-25 2016-07-12 Seagate Technology Llc Data storage device with phase lock spin-torque oscillation stabilization
US9406316B2 (en) * 2014-05-15 2016-08-02 HGST Netherlands B.V. Asymmetric MAMR head with self-aligned spin torque oscillator along flare edge for shingled magnetic recording
CN106448705A (zh) * 2015-08-12 2017-02-22 株式会社东芝 磁记录头的制造方法
CN106558322A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 株式会社东芝 磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7616412B2 (en) * 2006-07-21 2009-11-10 Carnegie Melon University Perpendicular spin-torque-driven magnetic oscillator
JP2009080875A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP4686630B1 (ja) * 2009-11-30 2011-05-25 株式会社東芝 磁気ヘッド、およびこれを備えたディスク装置
WO2011132503A1 (ja) 2010-04-20 2011-10-27 株式会社日立製作所 エネルギーアシスト型磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP5412405B2 (ja) * 2010-11-16 2014-02-12 株式会社日立製作所 マイクロ波アシスト磁気記録用スピントルクオシレータ
US8553362B2 (en) 2011-09-06 2013-10-08 HGST Netherlands B.V. Magnetic recording head with adjacent track interference suppresion by novel microwave-assisted magnetic recording element
JP5117606B1 (ja) * 2011-09-13 2013-01-16 株式会社日立製作所 磁気記録ヘッド及びその製造方法、及び磁気ディスク装置
JP5701801B2 (ja) * 2012-03-22 2015-04-15 株式会社東芝 磁気記録ヘッド、これを備えたヘッドジンバルアッセンブリ、およびディスク装置
JP2013254547A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Hitachi Ltd マイクロ波アシスト記録用磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
US8705206B1 (en) * 2012-12-21 2014-04-22 HGST Netherlands B.V. Microwave assisted magnetic recording (MAMR) head having an offset spin torque oscillator (STO) and narrow trailing gap
US9123361B1 (en) * 2014-04-29 2015-09-01 Seagate Technology Llc Reader with at least two-spin detectors
US10210888B1 (en) * 2017-06-23 2019-02-19 Western Digital Technologies, Inc. Dual spin-orbit torque oscillator in magnetic recording

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110242701A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head and disk drive with the same
US20140133048A1 (en) * 2012-11-13 2014-05-15 HGST Netherlands B.V. High spin-torque efficiency spin-torque oscillator (sto) with dual spin polarization layer
CN104064200A (zh) * 2012-12-21 2014-09-24 Hgst荷兰有限公司 具有镜像不对称磁写入元件的磁数据记录系统
US9099102B2 (en) * 2013-09-30 2015-08-04 HGST Netherlands B.V. Microwave-assisted magnetic recording head with high saturation magnetization material side shield
US9406316B2 (en) * 2014-05-15 2016-08-02 HGST Netherlands B.V. Asymmetric MAMR head with self-aligned spin torque oscillator along flare edge for shingled magnetic recording
US9390734B2 (en) * 2014-07-25 2016-07-12 Seagate Technology Llc Data storage device with phase lock spin-torque oscillation stabilization
CN106448705A (zh) * 2015-08-12 2017-02-22 株式会社东芝 磁记录头的制造方法
CN106558322A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 株式会社东芝 磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115035918A (zh) * 2021-03-08 2022-09-09 株式会社东芝 磁盘装置

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Publication number Publication date
US20190355386A1 (en) 2019-11-21
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