JP2006236481A - 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＡＴＥを発生させることなく書込み能力の大幅な向上を期待できる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供する。
【解決手段】 下部磁極層と、下部磁極層上に積層されており、ＡＢＳ側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有している下部磁極上側層と、記録ギャップ層と、ＡＢＳ側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有しており、記録ギャップ層を介して、下部磁極上側層と対向している上部磁極下側層と、上部磁極下側層上に積層されている上部磁極層とを含むインダクティブ書込みヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、下部磁極上側層の全て及びこの下部磁極上側層に連なる下部磁極層の少なくとも一部が高飽和磁束密度材料で形成されており、下部磁極上側層の位置における高飽和磁束密度材料による層の厚さ（Ｔ_ＳＳ３）が下部磁極上側層の高さ（Ｄ_Ｎ）以上である。
【選択図】 図６

Description

本発明は、インダクティブ書込みヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置に関する。

近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置の大容量小型化に伴い、高い記録密度で書込みを行うことができる薄膜磁気ヘッドが要求されている。この要求に対応するため、インダクティブ書込みヘッド素子の記録ギャップ層を挟んで対向する磁極端部である下部磁極層の上側層及び上部磁極層の下側層の部分のみを高い飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する磁性材料で構成することが提案されている（例えば、特許文献１）。

特開２００３−２８８７０５号公報

特許文献１に記載されている技術によれば、高飽和磁束密度材料による磁極端部から磁気媒体に入る磁界が増大するため、書込み能力が大幅に向上する。

しかしながら、この構成によると、磁極端部以外の領域である、下部磁極層の外側領域（肩領域）から出て磁気媒体に入る磁界がかなり増大するため、この磁気媒体における本来のトラックと隣接するトラックの磁気情報を消去してしまう現象である隣接トラック消去（ＡＴＥ）が発生する。記録能力が向上しても、このようなＡＴＥが発生しては、磁気ヘッドとして採用することができない。

従って本発明の目的は、ＡＴＥを発生させることなく書込み能力の大幅な向上を期待できる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。

本発明は、下部磁極層と、下部磁極層上に積層されており、浮上面（ＡＢＳ）側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有している下部磁極上側層と、記録ギャップ層と、ＡＢＳ側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有しており、記録ギャップ層を介して、下部磁極上側層と対向している上部磁極下側層と、上部磁極下側層上に積層されている上部磁極層とを含むインダクティブ書込みヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、下部磁極上側層の全て及びこの下部磁極上側層に連なる下部磁極層の少なくとも一部が高飽和磁束密度材料で形成されており、下部磁極上側層の位置における高飽和磁束密度材料による層の厚さ（Ｔ_ＳＳ３）が下部磁極上側層の高さ（Ｄ_Ｎ）以上である（即ち、Ｔ_ＳＳ３≧Ｄ_Ｎである）薄膜磁気ヘッドが提供される。

Ｔ_ＳＳ３≧Ｄ_Ｎとすることにより、下部磁極層の肩領域から出て記録媒体に入る磁界（肩磁界）が減り、下部磁極層の記録ギャップ領域から出て記録媒体に入る本来の磁界（ギャップ磁界）が増えるためＡＴＥが発生しにくくなり、しかも、磁気媒体に入る磁束密度が高くなるので書込み能力を大幅に向上させることができる。なお、本明細書において、下部、下側、下方とは基板に近い側を意味しており、上部、上側、上方とはこれとは反対側を意味している。

高飽和磁束密度材料による層が、下部磁極層の全面に渡って形成されているか、又は下部磁極層の下部磁極上側層の下方に位置する部分にのみ形成されていることが好ましい。

上部磁極下側層の端面近傍の少なくとも一部が高飽和磁束密度材料で形成されていることも好ましい。

高飽和磁束密度材料が、下部磁極層及び上部磁極層を構成する材料よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。この場合、この高飽和磁束密度材料が、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、５０〜９７Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｏ、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒからなる群から選択される材料であることが好ましく、また、下部磁極層及び上部磁極層を構成する材料が、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、１０〜５０Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｏ、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒからなる群から選択される材料であることが好ましい。

本発明によれば、さらに、上述した薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えた磁気ヘッドアセンブリが提供される。ここで、磁気ヘッドアセンブリとは、少なくとも書込みヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）とその支持機構とを機械的、電気的に組み立てたアセンブリである。具体例を挙げると、磁気ヘッドスライダとサスペンションとのアセンブリの場合にはヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と称され、磁気ヘッドスライダとこれを支持するサスペンション及び支持アームのアセンブリの場合にはヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）と称され、ＨＡＡが複数積み重ねられる場合にはヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）と称されることが多い。

本発明によれば、さらに、少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの上述した磁気ヘッドアセンブリとを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。

本発明によれば、肩磁界が減り、ギャップ磁界が増えるため、ＡＴＥの発生が最小限になり、しかも、磁気媒体に入る磁束密度が高くなるので書込み能力を大幅に向上させることができる。

図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図であり、図３は図２のＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。

図１において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作を制御するための記録再生回路をそれぞれ示している。

アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、薄膜磁気ヘッドが、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び薄膜磁気ヘッドを設けるようにしても良い。

図２に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２０の先端部に、インダクティブ書込みヘッド素子及び磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子を有する複合型薄膜磁気ヘッド２１を固着し、さらにその薄膜磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。

サスペンション２０は、薄膜磁気ヘッド２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。

本発明の磁気ヘッドアセンブリ（ＨＧＡ）におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。

図３に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダは、互いに積層されたインダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子からなる複合型磁気ヘッド素子３０と、これらの素子に接続された４つの信号端子電極３１及び３２とを、その素子形成面３３上に備えている。なお、３４は磁気ヘッドスライダのＡＢＳである。なお、これらの端子電極の数及び位置は、図３の形態に限定されるものではない。

図４は本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す断面図であり、図５はこの複合型薄膜磁気ヘッドの書込み用磁極層部分の構成を概略的に示す、ＡＢＳ方向から見た図であり、図６は図５の一部を拡大して示す図である。

例えばＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ（ＡｌＴｉＣ）等からなる基板４０上に例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなる下地層４１が積層されている。

この下地層４１の上に、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）等の金属磁性材料からなり、下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）４２が積層されている。

下部シールド層４２上には、例えば、積層面と垂直の方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）構造を有するＣＰＰ−巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）層又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）層等のＭＲ層４３と、例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなる絶縁層４４とが積層されている。

ＣＰＰ構造のＭＲ層４３は、ＣＰＰ−ＧＭＲ層の場合、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるフリー層、例えばＣｕ等の非磁性導電材料による非磁性層、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるピンド層及び例えばＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ等の反強磁性材料によるピン層の多層構造で構成されている。ＴＭＲ層の場合、上述の非磁性層の代わりに、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料による薄いバリア層が用いられる。ＣＰＰ構造のＭＲ層４３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。また、このＭＲ層４３には、図示されていない磁区制御層等が積層されている。

ＣＰＰ構造のＭＲ層４３及び絶縁層４４上には、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ等の金属磁性材料からなり、上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ１）４５が積層されている。

下部シールド層４２、ＭＲ層４３、絶縁層４４、上部シールド層４５、磁区制御層及び図示されていないリード導体層等からＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。

上部シールド層４５上には、例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなるシールド間絶縁層４６が積層されており、その上には、下部磁極層（ＳＳ２）４７が積層されている。

下部磁極層４７上には、ＡＢＳ側の端面が少なくとも記録ギャップ層４９の近傍においてトラック幅と同じ幅を有している下部磁極上側層（ノッチ層）４８が積層されている。

本実施形態において、下部磁極層４７はその下側部分４７ａが例えば飽和磁束密度Ｂｓが１．８Ｔ程度の８０Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）等の金属磁性材料で形成されており、その上側部分４７ｂが例えばＣｏ−Ｆｅ等の高い飽和磁束密度（例えばＢｓ＝２．４Ｔ）を有する高飽和磁束密度材料で形成されている。下部磁極上側層４８もその全てがこれと同じ例えばＣｏ−Ｆｅ等の高い飽和磁束密度（例えばＢｓ＝２．４Ｔ）を有する高飽和磁束密度材料で形成されている。この上側部分４７ｂ及び下部磁極上側層４８を高飽和磁束密度材料による層（ＳＳ３）と称している。

下部磁極上側層４８上には、例えばＲｕ等の金属材料又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなる記録ギャップ層４９が積層されている。

記録ギャップ層４９上には、ＡＢＳ側の端面が少なくとも記録ギャップ層４９の近傍においてトラック幅と同じ幅を有している上部磁極下側層５０が積層されており、その上には、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ等の金属磁性材料からなる上部磁極層５１が積層されている。上部磁極層５１上には、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ等の金属磁性材料からなる上部ヨーク層５２が積層されている。

上部磁極下側層５０は、その全てが例えばＣｏ−Ｆｅ等の高い飽和磁束密度（例えばＢｓ＝２．４Ｔ）を有する高飽和磁束密度材料で形成されており、そのＡＢＳ側の端部は下部磁極上側層４８のＡＢＳ側の端部と記録ギャップ層４９を介して互いに対向している。

下部磁極上側層４８及び上部ヨーク層５２間には、レジスト等の絶縁材料による絶縁層５３で覆われたＣｕ等の導電性材料からなる書込みコイル層５４が形成されている。なお、本実施形態において、書込みコイル層５４は２層構造となっているが、単層構造又はその他の構造であっても良いことは明らかである。

上部ヨーク層５２上には、例えばＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料からなる保護層５５が積層されている。

下部磁極層４７、下部磁極上側層４８、記録ギャップ層４９、上部磁極下側層５０、上部磁極層５１、上部ヨーク層５２、絶縁層５３及び書込みコイル層５４等からインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。

本実施形態で重要な点は、下部磁極上側層４８の位置における高飽和磁束密度材料による層（ＳＳ３）の厚さＴ_ＳＳ３が下部磁極上側層（ノッチ層）４８の高さであるノッチデプスＤ_Ｎ以上、即ち、Ｔ_ＳＳ３≧Ｄ_Ｎである点にある。以下、この点について詳細に説明する。

図７はノッチデプスＤ_Ｎ＝０．２５μｍの場合の高飽和磁束密度材料層の厚さＴ_ＳＳ３に対するギャップ磁界、肩磁界及び両者の比（肩磁界／ギャップ磁界）のシミュレーション結果を表す特性図であり、図８はノッチデプスＤ_Ｎ＝０．３５μｍの場合の高飽和磁束密度材料層の厚さＴ_ＳＳ３に対するギャップ磁界、肩磁界及び両者の比（肩磁界／ギャップ磁界）のシミュレーション結果を表す特性図である。

これらの図から明らかのように、Ｔ_ＳＳ３＝Ｄ_Ｎのときに、肩磁界は変曲点を有しており、Ｔ_ＳＳ３＞Ｄ_Ｎとなれば、肩磁界はより小さくなり飽和して安定化する。しかもこの時点においてもギャップ磁界は劣化していない。換言すれば、肩磁界／ギャップ磁界は、Ｔ_ＳＳ３＝Ｄ_Ｎでその傾きが変わり、Ｔ_ＳＳ３＞Ｄ_Ｎでは飽和傾向となる。ノッチデプスＤ_Ｎが０．２５μｍ及び０．３５μｍ以外の場合にものシミュレーションを行ったが、ほぼ同様の結果が得られた。

図９は下部磁極上側層の位置における高飽和磁束密度材料層の厚さＴ_ＳＳ３とノッチデプスＤ_Ｎとの大小を変えた場合の肩磁界及びギャップ磁界の強さを模式的表した図である。

同図（Ａ）は高飽和磁束密度材料による層９０が下部磁極上側層９１の一部のみに形成されている従来技術の場合であり、この場合、Ｔ_ＳＳ３＜Ｄ_Ｎとなることから、ギャップ磁界は小さく、ほとんどが下部磁極層９２の肩領域から出て記録媒体に入る肩磁界となる。

同図（Ｂ）は高飽和磁束密度材料による層９０′が下部磁極上側層９１′の全て及び下部磁極層９２′の一部まで形成されている前述の実施形態の場合であり、この場合、Ｔ_ＳＳ３＞Ｄ_Ｎとなることから、肩磁界は小さく、ギャップ磁界が大きくなる。

同図（Ｃ）も高飽和磁束密度材料による層９０″が下部磁極上側層９１″の全て及び下部磁極層９２″の一部まで形成されている前述の実施形態の変更態様の場合であり、この場合も、Ｔ_ＳＳ３＞Ｄ_Ｎとなることから、肩磁界は小さく、ギャップ磁界が大きくなる。

このように、Ｔ_ＳＳ３≧Ｄ_Ｎとすることにより、高飽和磁束密度材料による層をこの部分に設けた場合にも、下部磁極層の肩領域から出て記録媒体に入る肩磁界が小さくなり、下部磁極上側層の記録ギャップ領域から出て記録媒体に入る本来のギャップ磁界が大きくなるためＡＴＥが発生しにくくなり、しかも、高飽和磁束密度材料による層を用いているため、磁気媒体に入る磁束密度が高くなるので書込み能力を大幅に向上させることができる。

図１０はこの実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を概略的に説明するための断面図である。

例えばＡｌＴｉＣ等からなる基板４０上に例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなる下地層４１を積層し、その上に、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）等の金属磁性材料からなり、下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）４２を積層する。下部シールド層４２の上表面を例えば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法等により平坦化した後、ＣＰＰ−ＧＭＲ層又はＴＭＲ層等のＭＲ層４３と、例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなる絶縁層４４とを形成する。

次いで、ＭＲ層４３及び絶縁層４４上に、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ等の金属磁性材料からなり、上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ１）４５を積層し、その上に、例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなるシールド間絶縁層４６を積層する。このシールド間絶縁層４６の上に、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）等の金属磁性材料からなる下部磁極層（ＳＳ２）４７を積層し、その上表面を例えばＣＭＰ法等により平坦化する。この状態が、図１０（Ａ）に示されている。

次いで、下部磁極層４７上に、例えばＣｏ−Ｆｅ等の高飽和磁束密度材料からなる下部磁極上側層４８用の例えば０．４０μｍ厚の膜、例えばＲｕ等の金属材料又はＳｉＯ_２等の絶縁材料からなる記録ギャップ層４９用の例えば０．０９μｍ厚の膜、及び例えばＣｏ−Ｆｅ等の高飽和磁束密度材料からなる上部磁極下側層５０用の例えば０．１μｍ厚の膜をスパッタリングにより順次成膜する。この状態が、図１０（Ｂ）に示されている。

次いで、その上にフォトレジストパターン５６を形成し、例えば８０Ｎｉ−Ｆｅ等の金属磁性材料からなる上部磁極層５１用の例えば１．１μｍ厚の膜をめっきによって成膜する。この状態が、図１０（Ｃ）に示されている。

次いで、図１０（Ｄ）に示すように、フォトレジストパターン５６を除去し、ドライエッチングによって、下部磁極上側層４８用の膜、記録ギャップ層４９用の膜、上部磁極下側層５０用の膜及び上部磁極層５１用の膜をトリミングして下部磁極上側層４８、記録ギャップ層４９、上部磁極下側層５０及び上部磁極層５１を形成する。この状態が、図１０（Ｅ）に示されている。

上述した実施形態においては、下部磁極層４７の下側部分４７ａ、上部磁極層５１及び上部ヨーク層５２を構成する金属磁性材料として、飽和磁束密度Ｂｓが１．８Ｔ程度の８０Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）を用い、一方、下部磁極層４７の上側部分４７ｂ、下部磁極上側層４８及び上部磁極下側層５０を構成する高飽和磁束密度材料として、飽和磁束密度Ｂｓが２．４Ｔと高いＣｏ−Ｆｅを用いている。しかしながら、これら材料は、８０Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）やＣｏ−Ｆｅに限定されるものではない。下部磁極層４７の上側部分４７ｂ、下部磁極上側層４８及び上部磁極下側層５０の高飽和磁束密度材料として、下部磁極層４７の下側部分４７ａ、上部磁極層５１及び上部ヨーク層５２を構成する金属磁性材料より飽和磁束密度Ｂｓが高いものを用いれば良い。金属磁性材料としては、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、１０〜５０Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｏ、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒからなる群から選択される１つの材料であることが望ましく、高飽和磁束密度材料としては、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、５０〜９７Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｏ、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒからなる群から選択される１つの材料であって、金属磁性材料より飽和磁束密度Ｂｓが高い材料であることが望ましい。

図１１は本発明の他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの書込み用磁極層部分の構成を概略的に示す、ＡＢＳ方向から見た図である。

本実施形態では、下部磁極層４７′はそのほとんどの部分４７ａ′が例えば飽和磁束密度Ｂｓが１．８Ｔ程度の８０Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）等の金属磁性材料で形成されており、下部磁極上側層４８の下方に位置する部分４７ｂ′のみが例えばＣｏ−Ｆｅ等の高い飽和磁束密度（例えばＢｓ＝２．４Ｔ）を有する高飽和磁束密度材料で形成されている。下部磁極上側層４８もその全てがこれと同じ例えばＣｏ−Ｆｅ等の高い飽和磁束密度（例えばＢｓ＝２．４Ｔ）を有する高飽和磁束密度材料で形成されている。この下方に位置する部分４７ｂ′及び下部磁極上側層４８を高飽和磁束密度材料による層（ＳＳ３）と称している。本実施形態におけるその他の構成、作用効果及び変更態様は、図１〜図１０の実施形態の場合とほぼ同様であるため、説明を省略する。また、同様の構成要素については同じ参照符号を使用する。

以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。

本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。 図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図である。 図２のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。 この実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す断面図である。 この実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの書込み用磁極層部分の構成を概略的に示す、ＡＢＳ方向から見た図である。 図５の一部を拡大して示す図である。 ノッチデプスＤ_Ｎ＝０．２５μｍの場合の高飽和磁束密度材料層の層厚Ｔ_ＳＳ３に対するギャップ磁界、肩磁界及び両者の比のシミュレーション結果を表す特性図である。 ノッチデプスＤ_Ｎ＝０．３５μｍの場合の高飽和磁束密度材料層の層厚Ｔ_ＳＳ３に対するギャップ磁界、肩磁界及び両者の比のシミュレーション結果を表す特性図である。 下部磁極上側層の位置における高飽和磁束密度材料層の厚さＴ_ＳＳ３とノッチデプスＤ_Ｎとの大小を変えた場合の肩磁界及びギャップ磁界の強さを模式的表した図である。 この実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を概略的に説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの書込み用磁極層部分の構成を概略的に示す、ＡＢＳ方向から見た図である。

符号の説明

１０ 磁気ディスク
１１ スピンドルモータ
１２ アセンブリキャリッジ装置
１３ 記録再生回路
１４ 駆動アーム
１５ ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６ ピボットベアリング軸
１７ ＨＧＡ
２０ サスペンション
２１ 薄膜磁気ヘッド
２２ ロードビーム
２３ フレクシャ
２４ ベースプレート
２５ 配線部材
３０ 書込み及び読出し磁気ヘッド素子
３１、３１ 信号端子電極
３３ 素子形成面
３４、４０ａ ＡＢＳ
４０ 基板
４１ 下地層
４２ 下部シールド層（ＳＦ）
４３ ＭＲ層４３
４４、５３ 絶縁層
４５ 上部シールド層（ＳＳ１）
４６ シールド間絶縁層
４７、４７′、９２、９２′、９２″ 下部磁極層（ＳＳ２）
４７ａ 下側部分
４７ａ′、４７ｂ′ 部分
４７ｂ 上側部分
４８、９１、９１′、９１″ 下部磁極上側層（ノッチ層）
４９ 記録ギャップ層
５０ 上部磁極下側層
５１ 上部磁極層
５２ 上部ヨーク層
５４ 書込みコイル層
５５ 保護層
５６ フォトレジストパターン
９０、９０′、９０″ 高飽和磁束密度材料による層

Claims (9)

1. 下部磁極層と、該下部磁極層上に積層されており、浮上面側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有している下部磁極上側層と、記録ギャップ層と、浮上面側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有しており、前記記録ギャップ層を介して、前記下部磁極上側層と対向している上部磁極下側層と、該上部磁極下側層上に積層されている上部磁極層とを含むインダクティブ書込みヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記下部磁極上側層の全て及び該下部磁極上側層に連なる前記下部磁極層の少なくとも一部が高飽和磁束密度材料で形成されており、前記下部磁極上側層の位置における前記高飽和磁束密度材料による層の厚さ（Ｔ_ＳＳ３）が該下部磁極上側層の高さ（Ｄ_Ｎ）以上であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記高飽和磁束密度材料による層が、前記下部磁極層の全面に渡って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記高飽和磁束密度材料による層が、前記下部磁極層の前記下部磁極上側層の下方に位置する部分にのみ形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記上部磁極下側層の前記端面近傍の少なくとも一部が高飽和磁束密度材料で形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 前記高飽和磁束密度材料が、前記下部磁極層及び前記上部磁極層を構成する材料よりも高い飽和磁束密度を有していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 前記高飽和磁束密度材料が、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、５０〜９７Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｏ、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒからなる群から選択される材料であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 前記下部磁極層及び前記上部磁極層を構成する材料が、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、１０〜５０Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｏ、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒからなる群から選択される材料であることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
9. 少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの請求項８に記載の磁気ヘッドアセンブリとを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。

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