CN110858490A - 磁头以及盘装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供能谋求记录信号品质的提高的磁头及盘装置。磁头具备：空气支承面(43)；主磁极(60)，具有延伸到空气支承面为止的前端部，并产生垂直方向的记录磁场；写屏蔽磁极(62)，隔着写间隙(WG)地与主磁极的前端部对置，并与主磁极一起构成磁芯；及高频振荡元件(65)，在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽磁极之间。主磁极具有隔着写间隙地与写屏蔽磁极对置并与高频振荡元件抵接的屏蔽侧端面(60b)。在空气支承面，高频振荡元件的交叉磁道方向上的宽度(WS)形成得比屏蔽侧端面的交叉磁道方向上的宽度(WP)大，高频振荡元件以超过屏蔽侧端面的至少一方的交叉磁道方向上的端缘地向主磁极的外侧延伸的方式配置。

Description

磁头以及盘装置
本申请享有以日本专利申请2018-157374号(申请日：2018年8月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁头以及盘装置。
背景技术
近年来，作为盘装置，为了谋求高记录密度化、大容量化或小型化，提出了使用垂直磁记录用的磁头的磁盘装置。在这样的磁头中，记录头具有产生垂直方向磁场的主磁极、隔着写间隙地配置在该主磁极的尾随侧的写屏蔽磁极、以及用于使磁通在主磁极中流动的线圈。而且，提出了如下的高频辅助记录方式的记录头：在写屏蔽磁极与主磁极之间的写间隙设置高频振荡元件、例如设置自旋转矩振荡器，利用自旋转矩振荡器对磁盘的磁记录层施加高频磁场。
然而，在具有自旋转矩振荡器的高频辅助记录头中，在驱动高频振荡元件时，从主磁极的端部向写屏蔽磁极侧的返回磁场变大，除了本来的高频辅助效果之外，有时还会给相邻磁道的记录信号带来不良影响。
发明内容
本发明的实施方式提供能够防止相邻磁道信号的劣化、谋求信号品质提高及记录密度的提高的磁头以及盘装置。
实施方式的磁头具备：空气支承面；主磁极，其具有延伸到所述空气支承面为止的前端部，并产生垂直方向的记录磁场；写屏蔽磁极，其隔着写间隙地与所述主磁极的所述前端部对置，并与所述主磁极一起构成磁芯；线圈，其在所述磁芯激励磁通；以及高频振荡元件，其在所述写间隙内设置于所述主磁极与所述写屏蔽磁极之间。所述主磁极具有隔着所述写间隙地与所述写屏蔽磁极对置并与所述高频振荡元件抵接的屏蔽侧端面。在所述空气支承面，设为所述高频振荡元件的交叉磁道(cross track)方向上的宽度的WS形成得比设为所述屏蔽侧端面的交叉磁道方向上的宽度的WP大，所述高频振荡元件以超过所述屏蔽侧端面的至少一方的交叉磁道方向的端缘地向所述主磁极的外侧延伸的方式配置。
附图说明
图1是示意性地表示第一实施方式涉及的硬盘驱动器(HDD)的框图。
图2是示意性地表示所述HDD中的磁头、悬架、磁盘的侧视图。
图3是放大地表示所述磁头的头部的剖视图。
图4是示意性地表示所述磁头的记录头的立体图。
图5是放大地表示所述记录头的前端部的剖视图。
图6是从ABS侧观察所述磁头的记录头的平面图。
图7是示意性地表示执行所述HDD中的偏置电压调整以及偏置极性调整的流程的框图。
图8A是表示在测定主磁极的宽度WP时使用的、交叉磁道位置与信号输出的关系的图。
图8B是表示在测定STO的宽度WS时使用的、交叉磁道位置与信号输出的关系的图。
图9A是表示在基准偏置电压的设定中使用的、偏置电压与差分绝对值ΔR的关系的图。
图9B是表示在基准偏置电压的设定中使用的、偏置电压与差分绝对值ΔOW的关系的图。
图10是表示与物理宽度相对比WP/WS相应的偏置电压的调整例的图。
图11是表示与物理宽度相对比WP/WS相应的偏置极性的调整例的图。
图12是针对本实施方式涉及的HDD的记录头和比较例涉及的HDD的记录头比较记录头的交叉磁道方向位置与头有效磁场的关系而示出的图。
图13是针对比较例涉及的记录头和实施方式涉及的记录头比较物理宽度相对比WP/WS与记录密度的关系而示出的图。
图14是表示在本实施方式中施加STO偏置电压时的记录密度改善率的、相对于物理宽度相对比WP/WS的依存性的特性图。
图15是从ABS侧观察第二实施方式涉及的磁头的记录头的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式涉及的盘装置进行说明。
此外，公开只不过为一例，关于本领域技术人员保持发明的主旨地进行的适当变更的、能够容易想到的构成，当然也被包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更为明确，附图与实际的形态相比，存在示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但这只不过为一例，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已经出现的图已描述的要素同样的要素标注相同的附图标记，有时适当地省略或者简化详细的说明。
(第一实施方式)
作为盘装置，对第一实施方式涉及的硬盘驱动器(HDD)进行详细说明。图1是示意性地表示第一实施方式涉及的HDD的框图，图2是表示上浮状态的磁头以及磁盘的侧视图。
如图1所示，HDD10具备矩形形状的框体11、配设在框体11内的作为记录介质的磁盘12、支承磁盘12并使磁盘12旋转的主轴马达21、以及对磁盘12进行数据的写入(写)、读出(读)的多个磁头16。HDD10具备头致动器18，该头致动器18使磁头16在磁盘12上的任意的磁道上移动并对磁头16进行定位。头致动器18包括将磁头16支承为能够移动的滑架组件20、和使滑架组件20转动的音圈马达(VCM)22。
HDD10具备驱动磁头16的头放大器IC30、主控制器90以及驱动器IC92。头放大器IC30例如设置于滑架组件20，并与磁头16电连接。头放大器IC30具备：向磁头16的记录线圈供给记录电流的记录电流供给电路(记录电流供给部)91、用于向后述的自旋转矩振荡器(STO)供给偏置电压(驱动电流)的偏置电压供给电路93、向后述的加热器供给驱动电压的加热器电压供给电路98、以及放大由磁头读取到的信号的未图示的放大器等。
主控制器90以及驱动器IC92例如在设置于框体11的背面侧的未图示的控制电路基板构成。主控制器90具备R/W通道94、硬盘控制器(HDC)96、微处理器(MPU)97及存储器80。主控制器90经由头放大器IC30而与磁头16电连接。主控制器90经由驱动器IC92而与VCM22以及主轴马达21电连接。HDC96能够与主计算机95连接。
主控制器90具有存储器80。在存储器80中保存有：将后述的记录头的物理宽度相对比与最佳的STO偏置电压的关系图表化而成的STO偏置电压设定表82、以及将物理宽度相对比与最佳的STO器件电压的极性的关系图表化而成的STO偏置极性设定表84。
在主控制器90中，例如，MPU97包括：基于STO偏置电压设定表82来调整STO偏置电压的STO偏置电压控制部86、以及基于STO偏置极性设定表84来控制STO偏置电压的极性的STO偏置极性控制部88。
如图1以及图2所示，磁盘12构成为垂直磁记录介质。磁盘12具有例如形成为直径为88.9mm(3.5英寸)的圆板状且由非磁性体形成的基板101。在基板101的各表面依次层叠有：作为基底层而由表现软磁特性的材料形成的软磁性层102、在该软磁性层102的上层部在相对于磁盘12的表面垂直的方向具有磁各向异性的垂直磁记录层103、以及保护膜104。磁盘12相互同轴地嵌合于主轴马达21的轮毂。磁盘12通过主轴马达21而以预定的速度沿箭头B方向旋转。
滑架组件20具有转动自如地支承于框体11的轴承部24和从轴承部24延伸出的多个悬架26。如图2所示，磁头16支承于各悬架26的伸出端。磁头16经由设置于滑架组件20的配线构件(挠性件)28而与头放大器IC30电连接。
如图2所示，磁头16构成为上浮型的头，具有形成为大致长方体状的滑块42和形成于滑块42的流出端(尾随)侧的端部的头部44。滑块42例如由氧化铝与碳化钛的烧结体(AlTiC)形成，头部44由多层薄膜形成。滑块42安装于配线构件28的万向架部41。
滑块42具有与磁盘12的表面对置的矩形形状的盘对置面(空气支承面(ABS))43。滑块42通过由磁盘12的旋转而在盘表面与ABS43之间产生的空气流C，从而被维持成从磁盘12的表面上浮预定量的状态。空气流C的方向与磁盘12的旋转方向B一致。滑块42具有位于空气流C的流入侧的前导端42a以及位于空气流C的流出侧的尾随端42b。伴随着磁盘12的旋转，磁头16相对于磁盘12而沿箭头A方向(头行进方向)行进，即沿与盘的旋转方向B相反的方向行进。
图3是放大地表示磁头16的头部44以及磁盘12的剖视图。头部44具有通过薄膜工艺而形成于滑块42的尾随端42b的再现头(读头)54以及记录头(写入器)58，形成为分离型的磁头。再现头54以及记录头58除去在滑块42的ABS43露出的部分以外，由非磁性的保护绝缘膜53覆盖。保护绝缘膜53构成头部44的外形。
将形成于磁盘12的磁记录层103的记录磁道的长边(长度)方向定义为沿磁道(down track)方向DT，将记录磁道的宽度方向定义为交叉磁道方向CT。
再现头54具有磁阻效应元件55和第一磁屏蔽膜56以及第二磁屏蔽膜57，该第一磁屏蔽膜56以及第二磁屏蔽膜57在沿磁道方向DT上以夹着磁阻效应元件55的方式配置在磁阻效应元件55的前导侧(流入侧)以及尾随侧(流出侧)。磁阻效应元件55、第一以及第二磁屏蔽膜56、57与ABS43大致垂直地延伸。磁阻效应元件55、第一以及第二磁屏蔽膜56、57的下端在ABS43露出。
记录头58相对于再现头54而设置在滑块42的尾随端44b侧。图4是将记录头在磁道中央截断而成的记录头的立体图，图5是放大地表示记录头的前端部(ABS侧端部)的剖视图，图6是从ABS侧观察记录头的平面图。
如图3以及图4所示，记录头58具有：产生相对于磁盘12的表面垂直的方向的记录磁场的主磁极60、设置于主磁极60的尾随侧且与主磁极60隔着写间隙WG地对置的尾随屏蔽件(写屏蔽磁极、第一屏蔽件)62、与主磁极60的前导侧对置的前导屏蔽件(第二屏蔽件)64、设置于主磁极60的交叉磁道方向CT的两侧的一对侧屏蔽件63、以及在写间隙WG内设置于主磁极60与尾随屏蔽件62之间的高频振荡元件例如自旋转矩振荡器(STO)65。主磁极60和尾随屏蔽件62构成形成磁路的第一磁芯，主磁极60和前导屏蔽件64构成形成磁路的第二磁芯。记录头58具有卷绕于第一磁芯的第一记录线圈70和卷绕于第二磁芯的第二记录线圈72。
主磁极60由具有高导磁率、高饱和磁通密度的软磁性材料形成，且与ABS43大致垂直地延伸。主磁极60的ABS43侧的前端部60a朝向ABS43而前端变细地收缩，形成为相对于其他部分而宽度较窄的柱状。主磁极60的前端面在滑块42的ABS43露出。
如图5以及图6所示，主磁极60的前端部60a具有与尾随屏蔽件62隔着间隙地对置的平坦的尾随侧端面60b。前端部60a例如形成为截面为梯形形状。梯形形状的前端部(前端面)60a具有沿交叉磁道方向CT延伸的尾随侧端面60b、与尾随侧端面60b对置的前导侧端面60c、以及两侧面60d。在ABS43，前端部60a的宽度、即交叉磁道方向CT上的尾随侧端面60b的宽度WP大致对应于磁盘12中的记录磁道的磁道宽度。在前端部60a，尾随侧端面60b以及前导侧端面60c既可以沿与ABS43垂直的方向延伸，或者，也可以相对于与ABS43垂直的方向倾斜地延伸。两侧面60d相对于主磁极60的中心轴线C倾斜地延伸，即相对于沿磁道方向DT倾斜地延伸。
如图3至图6所示，尾随屏蔽件62由软磁性材料形成，是为了经由主磁极60正下方的磁盘12的软磁性层102高效地封闭磁路而设置的。尾随屏蔽件62配置于主磁极60的尾随侧。尾随屏蔽件62形成为大致L字形状，其前端部62a形成为细长的矩形形状。尾随屏蔽件62的前端面在滑块42的ABS43露出。前端部62a具有与主磁极60的前端部60a对置的前导侧端面(磁极端面)62b。前导侧端面62b相比于主磁极60的前端部60a的宽度WP及磁盘12的磁道宽度而足够地长，且沿着交叉磁道方向CT延伸。前导侧端面62b与ABS43垂直或稍许倾斜地延伸。在ABS43，前导侧端面62b的下端缘隔着写间隙WG(沿磁道方向DT的间隙长度)地与主磁极60的尾随侧端面60b平行地对置。
如图4以及图5所示，尾随屏蔽件62具有与主磁极60连接的第一连接部50。第一连接部50经由非导电体52而与主磁极60的上部、即从主磁极60的ABS43远离的部分磁连接。在第一磁芯中，第一记录线圈70例如绕第一连接部50卷绕。在向磁盘12写入信号时，通过使记录电流在第一记录线圈70中流动，第一记录线圈70激励主磁极60而使磁通在主磁极60中流动。
如图4以及图6所示，一对侧屏蔽件63以与主磁极60物理性地分开且与尾随屏蔽件62连接的方式配置在主磁极60的交叉磁道方向CT的两侧。在本实施方式中，侧屏蔽件63通过高导磁率材料而与尾随屏蔽件62的前端部62a一体形成，并从前端部62a的前导侧端面62b朝向滑块42的前导端侧突出。
如图3至图5所示，由软磁性体形成的前导屏蔽件64与主磁极60对置地设置于主磁极60的前导侧。前导屏蔽件64形成为大致L字形状，ABS43侧的前端部64a形成为细长的矩形形状。前端部64a的前端面(下端面)在ABS43露出。前端部64a的尾随侧端面64b沿着交叉磁道方向CT延伸。在ABS43中，尾随侧端面64b与主磁极60的前导侧端面60c隔着间隙地对置。在本实施方式中，前导屏蔽件64的前端部64a通过高导磁率材料而与侧屏蔽件74一体形成。
另外，前导屏蔽件64在从ABS43离开的位置具有与主磁极60接合的第二连接部68。该第二连接部68例如由软磁性体形成，并经由非导电体69而与主磁极60的上部、即从主磁极60的ABS43远离的部分磁连接。由此，第二连接部68与主磁极60以及前导屏蔽件64一起形成磁回路。记录头58的第二记录线圈72例如绕第二连接部68卷绕地配置，对该磁回路施加磁场。
如图5以及图6所示，作为高频振荡元件发挥功能的STO65在写间隙WG内设置于主磁极60的前端部60a与尾随屏蔽件62的前端部62a之间。STO65具有自旋注入层65a、中间层(非磁性导电层)65b及振荡层65c，将这些层从主磁极60侧向尾随屏蔽件62侧依次层叠，即，构成为将这些层沿着磁头16的沿磁道方向DT依次层叠。自旋注入层65a经由非磁性导电层(基底层)67a而与主磁极60的尾随侧端面60b接合。振荡层65c经由非磁性导电层(盖层)67b而与尾随屏蔽件62的前导侧端面62b接合。此外，自旋注入层65a、中间层65b、振荡层65c的层叠顺序也可以与上述相反，即，也可以从尾随屏蔽件62侧向主磁极60侧依次层叠。
自旋注入层65a、中间层65b、振荡层65c分别具有沿与ABS43交叉的方向例如正交的方向延伸的层叠面或膜面。至少振荡层65c的下端面在ABS43露出，并与ABS43共面地延伸，在本实施方式中，为包括自旋注入层65a、中间层65b、振荡层65c在内的STO65的整体的下端面在ABS43露出，并与ABS43共面地延伸。或者，STO65的整体的下端面也可以向从ABS43离开的方向、例如与ABS43垂直的方向且向里侧后退，即也可以位于从ABS43离开的位置。另外，STO65的下端面并不限于平面状，也可以形成为向上方变凸的圆弧状。
如图6所示，在ABS43，STO65的交叉磁道方向CT的宽度WS形成为比主磁极60的尾随侧端面60b的宽度WP大(WS>WP)。在一例中，将STO65的宽度WS设为主磁极60的宽度WP的1.1～1.6倍左右。另外，STO65以覆盖尾随侧端面60b的至少一方的端缘(交叉磁道方向的端)EE1、EE2的方式配置，即以超过端缘地延伸到主磁极60的外侧的方式配置。在本实施方式中，STO65相对于中心轴线C左右对称地配置，且覆盖尾随侧端面60b的交叉磁道方向CT的两端缘EE1、EE2。即，STO65的交叉磁道方向CT的两端部分别超过尾随侧端面60b的端缘EE1、EE2地延伸到主磁极60的外侧。
如图4以及图5所示，主磁极60和尾随屏蔽件62分别经由配线而与连接端子45连接，而且，经由挠性件28而与头放大器IC30以及主控制器90连接。构成从头放大器IC通过主磁极60、STO65、尾随屏蔽件62而使STO驱动电流(偏置电压)串联地通电的电流电路。
第一记录线圈70以及第二记录线圈72分别经由配线而与连接端子45连接，而且，经由挠性件28而与头放大器IC连接。第二记录线圈72按与第一记录线圈70相反的方向缠绕。在向磁盘12写入信号时，通过使记录电流从头放大器IC30的记录电流供给电路91向第一记录线圈70以及第二记录线圈72流动，从而激励主磁极60而使磁通在主磁极60中流动。向第一记录线圈70以及第二记录线圈72供给的记录电流由主控制器90控制。此外，第二记录线圈72也可以与第一记录线圈70串联地连接。另外，第一记录线圈70以及第二记录线圈72也可以分别地进行电流供给控制。
如图4所示，也可以是，磁头16还具备第一加热器76a以及第二加热器76b。第一加热器76a设置于记录头58的附近，例如在第一记录线圈70以及第二记录线圈72之间设置于主磁极60的附近。第二加热器76b设置于读头54的附近。第一加热器76a以及第二加热器76b分别经由配线而与连接端子45连接，而且，经由挠性件28而与头放大器IC30连接。
在如以上那样构成的HDD10动作时，主控制器90在MPU97的控制下，利用驱动器IC92驱动主轴马达21，使磁盘12以预定的速度旋转。另外，主控制器90利用驱动器IC92驱动VCM22，使磁头16移动并定位在磁盘12的所期望的磁道上。磁头16的ABS43与盘表面保持间隙地对置。在该状态下，对磁盘12，利用读头54进行记录信息的读出，并且，利用记录头58进行信息的写入。
在信息写入时，头放大器IC30的偏置电压供给电路93在MPU97的控制下，通过对主磁极60以及尾随屏蔽件62施加偏置电压，从而通过连接端子45、配线、主磁极60、STO65、尾随屏蔽件62而使驱动电流串联地通电。使驱动电流沿与STO65的层叠面垂直的方向流动。STO65使自旋转矩振荡并产生高频磁场，将该高频磁场施加于磁盘12的磁记录层103。
同时，头放大器IC30的记录电流供给电路91根据从R/W通道94产生的记录信号、记录模式而使记录电流向第一、第二记录线圈70、72通电。第一、第二记录线圈70、72对主磁极60进行励磁而产生记录磁场，从主磁极60对正下方的磁盘12的磁记录层103施加垂直方向的记录磁场。由此，在磁记录层103以所期望的磁道宽度记录信息。通过使STO65的高频磁场与记录磁场重叠，从而能够促进磁记录层103的磁化反转、进行高磁各向异性能的磁记录。
另外，从STO65振荡的自旋转矩朝向与在主磁极60与尾随屏蔽件之间产生的间隙磁场的方向相反的方向。因此，自旋转矩进行作用，以减小从主磁极60向尾随屏蔽件62直接流动的泄漏磁通。其结果是，从主磁极60朝向磁盘12的磁记录层103的磁通量增大，能够将所期望的数据写入磁记录层103。
而且，根据本实施方式，STO65的宽度WS形成为比主磁极60的尾随侧端面60b的宽度WP大，STO65以覆盖主磁极60的两端缘EE1、EE2的方式进行配设。因此，能够利用STO65来抑制从主磁极60的两端部朝向尾随屏蔽件62的返回磁场(泄漏磁场)。因此，能够防止由返回磁场引起的相邻磁道的记录信号的劣化，能够谋求记录信号品质的提高，进而，能够谋求记录密度的提高。
如上所述，根据第一实施方式，可以得到能够谋求记录信号品质的提高以及记录密度的提高的磁头及具备该磁头的磁盘装置。
此外，如前述那样，优选的是，STO65的宽度WS形成得比主磁极60的尾随侧端部的宽度WP大，但有时存在：由于制造误差而STO65的宽度WS比主磁极60的宽度WP小的磁头，或主动地使STO65的宽度WS比主磁极60的宽度WP小的磁头。
因此，第一实施方式涉及的HDD10具有对偏置电压以及/或者偏置极性进行调整、控制的功能及构成，以使得即使是STO65的宽度WS比主磁极60的宽度WP小的磁头，也能够抑制来自主磁极60的端部的返回磁场的产生。
如图1所示，在HDD10的主控制器90的存储器80中保存有：将记录头的物理宽度相对比WP/Ws与最佳的STO偏置电压的关系图表化而成的STO偏置电压设定表82、以及将物理宽度相对比WP/WS与最佳的偏置电压的极性的关系图表化而成的STO偏置极性设定表84。MPU97的STO偏置电压控制部86根据记录头58的宽度相对比WP/Ws而从STO偏置电压设定表82中选择最佳的偏置电压，并将施加于STO65的偏置电压设定为所选择的偏置电压。另外，STO偏置极性控制部88根据记录头58的宽度相对比WP/Ws而从STO偏置极性设定表84中选择最佳的偏置极性，并将施加于STO65的偏置的极性设定为所选择的极性。
图7是示意性地表示偏置电压的控制流程的框图。如图示的那样，在HDD10的初始设定中，主控制器90计测磁头16的介质对置面(ABS43)处的STO65的前导侧端面的宽度WS(S1)，并将计测结果记录于存储器80。同时，主控制器90计测磁头16的介质对置面(ABS43)处的主磁极60的尾随侧端面的宽度WP(S2)，并将计测结果记录于存储器80。
在此，对宽度的计测方法进行说明。关于主磁极60的宽度WP，例如如图8A所示，在测定出将STO65的偏置电压断开了时的记录信号输出的脱轨曲线(off track profile)的基础上，能够根据其半值宽度(半幅值)(50％的位置)来确认宽度WP。另外，关于STO65的宽度WS，如图8B所示，在测定出将STO65的偏置电压断开了时的记录信号输出与向STO65按基准偏置电压进行了通电时的记录信号输出的差分输出值的脱轨曲线的基础上，能够根据其半值宽度(50％的位置)来确认宽度WS。
此外，上述基准偏置电压例如如图9A所示，在将以STO65振荡的极性施加了偏置电压时的STO阻值与按与振荡方向相反的极性施加了偏置电压时的STO阻值的差分绝对值设为ΔR时，能够通过一边增大偏置电压的绝对值一边测定差分绝对值ΔR来进行确认。例如在图9A中，将差分绝对值ΔR相对于差分绝对值ΔR的最大值达到90％的程度时的偏置电压值设为基准偏置电压即可。
或者，也可以如图9B所示，在将以STO65振荡的极性对STO65施加了偏置电压时的覆写(Overwrite)特性与按与振荡方向相反的极性对STO65施加了偏置电压时的覆写特性的差分绝对值设为ΔOW时，一边增大偏置电压的绝对值，一边对ΔOW进行测定，例如将ΔOW相对于ΔOW的最大值达到90％的程度时的偏置电压值设为基准偏置电压等。
如图7所示，在计测出宽度WP、WS后，主控制器90根据测定出的宽度而算出物理宽度相对比WP/WS，STO偏置电压控制部86与物理宽度相对比WP/WS相应地，从STO偏置电压设定表82中选择最佳的偏置电压，并将施加于STO65的偏置电压设定为所选择的偏置电压(S3)。
图10是表示与物理宽度相对比WP/WS相应的偏置电压的调整例的图。
如前述那样，优选的是：使STO65的宽度WP比主磁极60的宽度WP大，在比主磁极60的宽度WP小时，从主磁极端部朝向写屏蔽件的泄漏磁场会变大。因此，优选的是：STO65的宽度WP变得越窄即物理宽度相对比WP/WS变得越大，则使偏置电压越低。作为一例，如图10中特性(a)所示，可以对偏置电压进行调整，使得伴随着物理宽度相对比WP/WS的增加而偏置电压相对于基准偏置电压单调地减小。
另一方面，也可以认为在宽度相对比WP/WS为1.05以下的区域，前述的泄漏磁场的影响较少。因此，例如如图10所示的特性(b)那样，也可以以如下方式进行调整：直到宽度相对比WP/WS成为预定的阈值Vth1为止，将偏置电压设定为基准偏置电压(例如200mV)，在阈值Vth1以上的区域，相应于相对比WP/WS的增加而使偏置电压相对于基准偏置电压单调地减小。
相反地，在由泄漏磁场引起的影响较大的情况下，如图10所示的特性(c)那样，也可以以如下方式进行调整：在宽度相对比WP/WS为预定的阈值Vth2以下的区域，伴随着宽度相对比WP/WS的增加，使偏置电压相对于基准偏置电压单调地减小，在阈值Vth2以上的区域，断开偏置电压即、将偏置电压设定为零。
此外，阈值Vth1、Vth2例如能够设定为0.87～1.13(以宽度相对比WP/WS表示)。另外，基准偏置电压能够与图9A、9B所示的基准偏置电压同样地设定。
在利用前述的STO偏置电压控制部86对偏置电压进行调整之后，如图7所示，STO偏置极性控制部88也可以相应于物理宽度相对比WP/Ws而从STO偏置极性设定表84中选择对应的极性，并将施加于STO65的偏置电压调整为所选择的极性(S4)。在此，极性包含有STO65振荡的振荡偏置极性和STO65不振荡的相反方向的相反偏置极性。
图11是表示与物理宽度相对比WP/WS相应的偏置极性的调整例的图。
如图示那样，在物理宽度相对比WP/WS为切换阈值Vth3以下的区域，STO偏置极性控制部88将偏置极性设定为振荡偏置极性，并将偏置电压维持为基准偏置电压。在宽度相对比WP/Ws变得比切换阈值Vth3大时，STO偏置极性控制部88将偏置极性切换为STO65不振荡的相反极性，即切换为将STO65的振荡关停的极性。极性切换阈值Vth3例如设定为0.87～1.13(以宽度相对比WP/WS表现)。
在如以上那样对偏置电压进行调整之后，或者，对偏置极性进行调整之后，如图7所示，将调整后的偏置电压从偏置电压供给电路93施加于STO65(S5)，并执行数据记录动作(S6)。
像这样，在记录头58的宽度相对比WP/WS较大的情况下，即，在STO65的宽度WS为主磁极60的宽度WP以下的情况下，通过使驱动STO65的偏置电压减小或断开，或者，通过将偏置极性切换为相反的极性来将STO65的振荡关停，从而能够抑制STO65的过度的振荡，能够抑制来自主磁极60的端部的泄漏磁场。由此，能够防止对相邻磁道的影响、相邻磁道的记录信号的劣化，能够谋求记录信号品质的提高，进而，能够谋求记录密度的提高。
图12是针对本实施方式涉及的HDD的记录头和比较例涉及的HDD的记录头比较记录头的交叉磁道方向位置与头有效磁场的关系而示出的图。此外，比较例涉及的记录头为STO的交叉磁道方向的宽度WS比主磁极的交叉磁道方向的宽度WP小的记录头。
如在图12中用箭头表示的那样，在比较例涉及的记录头中，从主磁极的两端部产生泄漏磁场。与此相对，在本实施方式涉及的记录头中，可知不存在泄漏磁场、而是有效磁场从磁极的两端向磁极中心大致均匀地增加。
图13是针对比较例涉及的记录头和本实施方式涉及的记录头比较物理宽度相对比WP/WS与记录密度的关系而示出的图。对于比较例涉及的记录头而言，使用未相应于宽度相对比来控制偏置电压以及偏置极性的记录头。在比较例涉及的记录头中，随着宽度相对比WP/WS变大，记录密度降低。与此相对，在本实施方式涉及的记录头中，可知即使在宽度相对比WP/WS变大了的情况下，也能够得到较高的记录密度。
图14是表示在本实施方式中施加STO偏置电压时的记录密度改善率的、相对于物理宽度相对比WP/WS的依存性的特性图。作为前述的宽度相对比WP/WS的阈值Vth1、Vth2、Vth3的具体的设想范围，可以根据图14所示那样的施加预定的STO偏置电压时的、相对于宽度相对比WP/WS而言的记录密度改善率的结果来进行类推。由于由记录头58的泄漏磁场引起的对相邻磁道的阻碍的影响，成为下述倾向：宽度相对比WP/WS越大，则记录密度改善率越恶化。作为记录密度改善率跌破0％而记录密度恶化那样的宽度相对比WP/WS，可知为平均值±1α(特性(a)为平均值、特性(b)为-1α、特性(c)为+1α)的范围R1～R2，为大致0.87以上且1.13以下。将该物理宽度相对比WP/WS设为阈值Vth1、Vth2、Vth3即可。
由以上内容可知，根据本实施方式涉及的HDD，通过相应于记录头58的物理宽度相对比WP/WS来调整偏置电压或偏置极性，即使在STO的宽度WS较窄的情况下，也能够抑制来自主磁极的端部的泄漏磁场，能够防止STO驱动时的相邻磁道的记录信号劣化。由此，能够谋求信号品质的提高以及记录密度的提高。
接着，对其他实施方式涉及的HDD的磁头进行说明。此外，在以下叙述的其他实施方式中，对与前述第一实施方式相同的部分标注与第一实施方式相同的附图标记，有时省略或简化其的详细的说明。
(第二实施方式)
图15是从ABS侧观察第二实施方式涉及的HDD的磁头的记录头的平面图。如图示那样，在第二实施方式中，在ABS43，STO65的交叉磁道方向CT上的宽度WS形成得比主磁极60的尾随侧端面60b的宽度WP大(WS>WP)。在一例中，将STO65的宽度WS设为主磁极60的宽度WP的1.1～1.6倍左右。另外，STO65以覆盖尾随侧端面60b的一方的端缘(交叉磁道方向上的端)EE1的方式配置，即以超过端缘EE1地延伸到主磁极60的外侧的方式配置。在本实施方式中，STO65相对于中心轴线C而向交叉磁道方向上的一个方向偏离地配置，从尾随侧端面60b的另一方的端缘EE2向端缘EE1侧离开。即，STO65覆盖主磁极60的一方的端缘EE1，但不覆盖另一方的端缘EE2。
本实施方式涉及的磁头16能够在采用瓦记录方式的HDD中有效地活用。在瓦记录方式中，在利用记录头58进行数据记录时，主要利用从主磁极60的交叉磁道方向CT上的一端部产生的记录磁场来进行数据记录。因此，通过以覆盖主磁极60的上述一端部的方式配置STO65，能够抑制来自上述一端部的泄漏磁场，能够防止相邻磁道的信号劣化。由此，能够谋求信号品质的提高，进而，能够谋求记录密度的提高。另外，在瓦记录方式中，即使在主磁极60的另一端部产生了泄漏磁场，该泄漏磁场也不会给相邻磁道带来影响。
在第二实施方式中，磁头16以及HDD的其他构成，与前述第一实施方式中的磁头以及HDD相同。
本发明并不限定于上述实施方式原样不变，在实施阶段，能够在不脱离其主旨的范围内对构成要素进行变形而使其具体化。另外，通过上述实施方式公开的多个构成要素的适当组合，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式示出的全部构成要素中删除一些构成要素。而且，也可以适当地组合跨不同的实施方式的构成要素。
例如，实施方式涉及的记录头也能够应用于不具有前导屏蔽件以及/或者侧屏蔽件的记录头。在具有前导屏蔽件的记录头的情况下，高频振荡元件也可以配置于主磁极与前导屏蔽件之间的间隙。高频振荡元件并不限定于自旋转矩振荡器，也可以使用其他高频振荡元件。
除此之外，构成磁头的头部的要素的材料、形状、大小等能够根据需要而进行变更。在磁盘装置中，磁盘以及磁头的数量能够根据需要而进行增减，磁盘的尺寸也能够进行各种选择。

Claims (10)

1.一种磁头，其具备：
空气支承面；主磁极，其具有延伸到所述空气支承面为止的前端部，并产生垂直方向的记录磁场；写屏蔽磁极，其隔着写间隙地与所述主磁极的所述前端部对置，并与所述主磁极一起构成磁芯；线圈，其在所述磁芯激励磁通；以及高频振荡元件，其在所述写间隙内设置于所述主磁极与所述写屏蔽磁极之间，
所述主磁极具有隔着所述写间隙地与所述写屏蔽磁极对置并与所述高频振荡元件抵接的屏蔽侧端面，
在所述空气支承面，设为所述高频振荡元件的交叉磁道方向上的宽度的WS形成得比设为所述屏蔽侧端面的交叉磁道方向上的宽度的WP大，
所述高频振荡元件以超过所述屏蔽侧端面的至少一方的交叉磁道方向上的端缘地向所述主磁极的外侧延伸的方式配置。
2.根据权利要求1所述的磁头，
所述高频振荡元件具有所述交叉磁道方向上的两端部，所述两端部分别超过所述屏蔽侧端面的所述交叉磁道方向上的端缘地向所述主磁极的外侧延伸。
3.根据权利要求1所述的磁头，
所述高频振荡元件具有所述交叉磁道方向上的两端部，一方的端部超过所述屏蔽侧端面的一方的交叉磁道方向上的端缘地向所述主磁极的外侧延伸，另一方的端部位于从所述屏蔽侧端面的交叉磁道方向上的另一方的端缘向所述一方的端缘侧离开的位置。
4.一种盘装置，其具备：
旋转自如的盘状的记录介质，其具有磁记录层；和
权利要求1～3中任一项所述的磁头，其对所述磁记录层记录信息。
5.一种盘装置，其具备：
旋转自如的盘状的记录介质，其具有磁记录层；
磁头，其对所述磁记录层记录信息，具备：空气支承面；主磁极，其具有延伸到所述空气支承面为止的前端部，并产生垂直方向的记录磁场；写屏蔽磁极，其隔着写间隙地与所述主磁极的所述前端部对置，并与所述主磁极一起构成磁芯；线圈，其在所述磁芯激励磁通；及高频振荡元件，其在所述写间隙内设置于所述主磁极与所述写屏蔽磁极之间；以及
控制器，其对所述磁头进行驱动，
所述主磁极具有隔着所述写间隙地与所述写屏蔽磁极对置并与所述高频振荡元件抵接的屏蔽侧端面，
在所述空气支承面，在将所述高频振荡元件的交叉磁道方向上的宽度设为WS、将所述屏蔽侧端面的交叉磁道方向上的宽度设为WP时，
所述控制器具备：偏置电压供给电路，其对所述高频振荡元件施加偏置电压；偏置电压控制部，其根据所述高频振荡元件的宽度WS与所述屏蔽侧端面的宽度WP的宽度相对比即WP/WS，来调整所述偏置电压；以及偏置极性控制部，其根据所述宽度相对比即WP/WS，来对施加于所述高频振荡元件的偏置的通电极性进行切换。
6.根据权利要求5所述的盘装置，
所述偏置电压控制部进行调整，使得宽度相对比即WP/WS越大则所述偏置电压相对于基准偏置电压减小越多。
7.根据权利要求5所述的盘装置，
在宽度相对比即WP/WS为第一阈值以上时，所述偏置电压控制部使所述偏置电压相对于基准偏置电压减小或使所述偏置电压断开。
8.根据权利要求7所述的盘装置，
所述第一阈值以宽度相对比即WP/WS表示时，设定为0.87以上且1.13以下。
9.根据权利要求5所述的盘装置，
在宽度相对比即WP/WS为第二阈值以上时，所述偏置极性控制部将所述偏置电压的通电极性切换为与所述高频振荡元件振荡的方向相反的相反极性。
10.根据权利要求7所述的盘装置，
所述第二阈值以宽度相对比即WP/WS表示时，设定为0.87以上且1.13以下。
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