CN106542580A - 一种用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法 - Google Patents

一种用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于无机纳米材料技术领域，涉及一种用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法。具体合成步骤包括：(1)将六氯化钨置于无水乙醇中；(2)搅拌均匀后，所形成的浅绿色六氯化钨醇溶液转入不锈钢水热反应釜，在预定温度下进行预定时间的反应，使六氯化钨完全转化成钨氧化物；(3)将反应得到的钨氧化物溶液进行离心处理，以乙醇和水超声清洗；(4)所获氧化钨纳米线置于真空干燥箱，在40～60℃下干燥1～2小时得到氧化钨纳米线。本发明的有益效果为：无需其他有机溶剂及表面活性剂，使得材料具有极佳的纯度，无需后处理过程进行纯化；氧化钨纳米线本身具有还原性；具有安全性高、可操作性强、易推广的特点，所获材料具有较高的晶化程度。

Description

一种用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法
技术领域
本发明属于无机纳米材料技术领域，涉及一种用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法。
背景技术
现代化工技术的迅猛发展极大地提高了人们的生活水平。然而，在石油、化工、煤炭、冶金等重工业迅速发展的同时，越来越多的工业废气(如CO2、NO2、NH3、H2S等)及挥发性有机化合物(如甲醛、乙醇、丙酮等)被排放到大气中，造成了不容忽视的环境污染，如臭氧层破坏、温室效应和酸雨等问题，严重威胁环境和人身安全。对环境中危险气体的快速准确检测无疑是解决气体污染问题、保护人类健康安全的关键环节。常用的气体检测方法包括分光光度法、气相色谱法、液相色谱法等，这些方法涉及的样品前处理方法复杂，检测过程成本较高，对仪器要求较高，且难以实现在线监测。
在现有气体检测方法中，新型气体传感器能将被测气体的类别、浓度和成分转换成具有某种特定关系的输出信号，并与计算机组成自动检测、控制和报警系统，形成“气-电”信息转化的一体化，具有快速、简便、易于工业化操作等优势，已逐渐被应用到化工生产、食品加工、医疗诊断、环境监测等领域。气敏元件材料是“气-电”信息转换，即新型气体传感器的核心部件，金属氧化物半导体是一种主要的固态气体传感器件。近年来，一些新型的具有纳米结构的传感材料相继见诸文献报道，令人遗憾的是，这些气敏材料存在制备繁琐、选择性和灵敏度不足、气敏响应机理不清楚、操作温度高等问题，极大限制了其实际应用。
以氧化钨作为气体敏感材料，可以实现对NO2、甲苯、甲酸、NH3、H2等的检测，这类传感器具有灵敏度高、操作温度低以及响应时间短的优点，非常适合危险气体的现场监测。氧化钨纳米材料通常以钨酸钠、六羰基钨、乙醇钨等作为钨原，通过高温高压反应制备得到。然而，上述方法通常需要较为苛刻的反应条件，通过复杂的反应步骤获得，且通常在有机溶剂体系中反应，还需要用到表面活性剂作为结构导向剂，导致材料表明容易残留有机物，这对气敏性能有严重的影响。因此，用于合成氧化钨纳米材料快速便捷的新方法依然有待开发。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法，具体合成步骤包括：
(1)将六氯化钨置于无水乙醇中；
将预定量的六氯化钨溶于无水乙醇中，乙醇与六氯化钨的质量比为1000:0.5～20，在磁力搅拌器上搅拌0.5～1小时，完全溶解后，得到浅绿色六氯化钨醇溶液；
(2)搅拌均匀后，所形成的浅绿色六氯化钨醇溶液转入不锈钢水热反应釜，在预定温度下进行预定时间的反应，使六氯化钨完全转化成钨氧化物；
将所得浅绿色六氯化钨醇溶液转入具有聚四氟乙烯衬里的不锈钢水热反应釜，密封后，放入烘箱，在150～200℃加热18-30小时，反应结束后，不锈钢水热反应釜在室温环境下静置降温至室温；
(3)将反应得到的钨氧化物溶液进行离心处理，以乙醇和水超声清洗；
将反应得到的钨氧化物溶液转入离心管，在转速为5000～10000转/分钟条件下离心6～12分钟；弃去上层乙醇溶液，保留所得蓝色氧化钨产物；
将离心所得蓝色氧化钨产物以过量乙醇超声清洗5～10分钟，在转速为5000～10000转/分钟条件下离心6～12分钟，弃去上层液体，重复洗涤1～2次；再将离心所得蓝色氧化钨产物以过量水超声清洗5～10分钟，在转速为8000～12000转/分钟条件下离心6～12分钟，弃去上层清液，重复洗涤1～2次；
(4)所获氧化钨纳米线置于真空干燥箱，在40～60℃下干燥1～2小时得到氧化钨纳米线。
进一步的，利用所述合成方法所获氧化钨以单斜晶系的W18O49为结构单元。
进一步的，所述结构单元的直径为0.5～2nm的纳米线。
进一步的，利用所述合成方法所获氧化钨纳米材料为纳米线组成的束状结构。
进一步的，所述束状结构的宽度为20～40nm。
本发明的有益效果为：
1.采用了以乙醇为还原剂的可控还原反应得到氧化钨，无需任何其他有机溶剂及表面活性剂，使得材料具有极佳的纯度，无需任何后处理过程进行纯化；
2.所获得W18O49由于其自身富含氧缺陷，所述氧化钨纳米线本身具有还原性；
3.采用了处理时间较长的低温水热反应过程，具有安全性高、可操作性强、易推广的特点，所获材料具有较高的晶化程度。
附图说明
图1为利用本发明的所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的SEM照片。
图2为利用本发明的所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的TEM照片。
图3为利用本发明的所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的XRD图谱。
图4为利用本发明的所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的紫外-可见图谱。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本发明作进一步的说明。
本发明的用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法，具体合成步骤包括：
(1)将六氯化钨置于无水乙醇中；
将预定量的六氯化钨溶于无水乙醇中，乙醇与六氯化钨的质量比为1000:0.5～20，在磁力搅拌器上搅拌0.5～1小时，完全溶解后，得到浅绿色六氯化钨醇溶液；
(2)搅拌均匀后，所形成的浅绿色六氯化钨醇溶液转入不锈钢水热反应釜，在预定温度下进行预定时间的反应，使六氯化钨完全转化成钨氧化物；
将所得浅绿色六氯化钨醇溶液转入具有聚四氟乙烯衬里的不锈钢水热反应釜，密封后，放入烘箱，在150～200℃加热18-30小时，反应结束后，不锈钢水热反应釜在室温环境下静置降温至室温
(3)将反应得到的钨氧化物溶液进行离心处理，以乙醇和水超声清洗；
将反应得到的钨氧化物溶液转入离心管，在转速为5000～10000转/分钟条件下离心6～12分钟；弃去上层乙醇溶液，保留所得蓝色氧化钨产物；
将离心所得蓝色氧化钨产物以过量乙醇超声清洗5～10分钟，在转速为5000～10000转/分钟条件下离心6～12分钟，弃去上层液体，重复洗涤1～2次；再将离心所得蓝色氧化钨产物以过量水超声清洗5～10分钟，在转速为8000～12000转/分钟条件下离心6～12分钟，弃去上层清液，重复洗涤1～2次；
(4)所获氧化钨纳米线置于真空干燥箱，在40～60℃下干燥1～2小时得到氧化钨纳米线。
进一步的，利用所述合成方法所获氧化钨以单斜晶系的W18O49为结构单元。
进一步的，所述结构单元的直径为0.5～2nm的纳米线。
进一步的，利用所述合成方法所获氧化钨纳米材料为纳米线组成的束状结构。
进一步的，所述束状结构的宽度为20～40nm。
实施例一
称取0.3g六氯化钨，置于100mL无水乙醇中，采用磁力搅拌器搅拌半小时，使六氯化钨完全溶解，得到浅绿色的六氯化钨醇溶液。将该醇溶液转移至聚四氟乙烯内衬的不锈钢水热反应釜中，加盖密封后，放入烘箱中，在180℃下加热24小时。反应结束后，将所得产物转入离心管，在转速为8000转/分钟条件下离心10分钟，弃去上层液体。将离心所得产物以乙醇超声清洗10分钟，在转速为8000转/分钟条件下离心10分钟，弃去上层清液，重复洗涤1次。再用过量去离子水超声洗涤2次，将洗涤后的蓝色固体产物真空干燥。所获产物经SEM、XRD、TEM和EDX表征后，确定为W18O49纳米线，所述纳米线直径约为1nm。
利用所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的SEM照片如图1所示，所得到的钨氧化物为纳米线。
利用所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的TEM照片如图2所示，所得到的钨氧化物纳米线由更细的纳米线组成。
利用所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的XRD图谱如图3所示，所得到的钨氧化物具有W18O49的(010)和(020)特征峰。
利用所述合成方法所获得的氧化钨纳米线的紫外-可见图谱如图4所示，所得到的钨氧化物在可见及近红外区域有很强的吸收拖尾，表明纳米线含有大量氧缺陷，使得纳米线具有还原性。
本发明并不限于上述实施方式，在不背离本发明实质内容的情况下，本领域技术人员可以想到的任何改进、替换均落入本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法，其特征在于，具体合成步骤包括：
(1)将六氯化钨置于无水乙醇中；
将预定量的六氯化钨溶于无水乙醇中，乙醇与六氯化钨的质量比为1000:0.5～20，在磁力搅拌器上搅拌0.5～1小时，完全溶解后，得到浅绿色六氯化钨醇溶液；
(2)搅拌均匀后，所形成的浅绿色六氯化钨醇溶液转入不锈钢水热反应釜，在预定温度下进行预定时间的反应，使六氯化钨完全转化成钨氧化物；
将所得浅绿色六氯化钨醇溶液转入具有聚四氟乙烯衬里的不锈钢水热反应釜，密封后，放入烘箱，在150～200℃加热18-30小时，反应结束后，不锈钢水热反应釜在室温环境下静置降温至室温；
(3)将反应得到的钨氧化物溶液进行离心处理，以乙醇和水超声清洗；
将反应得到的钨氧化物溶液转入离心管，在转速为5000～10000转/分钟条件下离心6～12分钟；弃去上层乙醇溶液，保留所得蓝色氧化钨产物；
将离心所得蓝色氧化钨产物以过量乙醇超声清洗5～10分钟，在转速为5000～10000转/分钟条件下离心6～12分钟，弃去上层液体，重复洗涤1～2次，再将离心所得蓝色氧化钨产物以过量水超声清洗5～10分钟，在转速为8000～12000转/分钟条件下离心6～12分钟，弃去上层清液，重复洗涤1～2次；
(4)所获氧化钨纳米线置于真空干燥箱，在40～60℃下干燥1～2小时得到氧化钨纳米线。
2.根据权利要求1所述的用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法，其特征在于，利用所述合成方法所获氧化钨以单斜晶系的W18O49为结构单元。
3.根据权利要求2所述的用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法，其特征在于，所述结构单元的直径为0.5～2nm的纳米线。
4.根据权利要求1所述的用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法，其特征在于，利用所述合成方法所获氧化钨纳米材料为纳米线组成的束状结构。
5.根据权利要求4所述的用于制备气敏传感器的氧化钨纳米线的合成方法，其特征在于，所述束状结构的宽度为20～40nm。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107159187A (zh) * 2017-04-05 2017-09-15 大连民族大学 非计量比氧化钨/二氧化钛分级纳米异质结构光催化剂及制备方法
CN107966479A (zh) * 2017-11-16 2018-04-27 厦门大学 一种提高氢气传感器性能的Pd/W18O49复合材料的制备方法
CN109809490A (zh) * 2019-03-25 2019-05-28 暨南大学 一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法
CN112098473A (zh) * 2020-08-18 2020-12-18 国网河北省电力有限公司电力科学研究院 类球状三氧化钨敏感材料、二氧化硫气体传感器的制备方法及评价方法
CN113454030A (zh) * 2018-12-13 2021-09-28 吉尼斯油墨股份有限公司 合成氧化钨纳米颗粒的方法
CN113511683A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 中国石油化工股份有限公司 Wo3纳米线及其制备方法和气敏传感器
CN113511682A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 中国石油化工股份有限公司 掺杂wo3纳米线及其制备方法和气敏传感器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101311367A (zh) * 2008-04-11 2008-11-26 清华大学 一种氧化钨纳米线材料及其制备方法
CN101318704A (zh) * 2008-07-08 2008-12-10 清华大学 一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线气敏传感器的制备方法
CN101417818A (zh) * 2008-11-18 2009-04-29 福州大学 氧化钨一维纳米材料及其制备方法
CN103818964A (zh) * 2014-02-27 2014-05-28 盐城工学院 W18o49超细纳米线的制备方法
CN105036196A (zh) * 2015-08-27 2015-11-11 陕西科技大学 一种多维纯相w18o49的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101311367A (zh) * 2008-04-11 2008-11-26 清华大学 一种氧化钨纳米线材料及其制备方法
CN101318704A (zh) * 2008-07-08 2008-12-10 清华大学 一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线气敏传感器的制备方法
CN101417818A (zh) * 2008-11-18 2009-04-29 福州大学 氧化钨一维纳米材料及其制备方法
CN103818964A (zh) * 2014-02-27 2014-05-28 盐城工学院 W18o49超细纳米线的制备方法
CN105036196A (zh) * 2015-08-27 2015-11-11 陕西科技大学 一种多维纯相w18o49的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GUANGCHENG XI ET AL.: ""ultrathin W18O49 nanowires with diameters below 1nm:synthesis，near-infrared absorption，photoluminescence，and photochemical reduction of carbon dioxide"", 《ANGEW.CHEM.》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107159187A (zh) * 2017-04-05 2017-09-15 大连民族大学 非计量比氧化钨/二氧化钛分级纳米异质结构光催化剂及制备方法
CN107966479A (zh) * 2017-11-16 2018-04-27 厦门大学 一种提高氢气传感器性能的Pd/W18O49复合材料的制备方法
CN113454030A (zh) * 2018-12-13 2021-09-28 吉尼斯油墨股份有限公司 合成氧化钨纳米颗粒的方法
CN109809490A (zh) * 2019-03-25 2019-05-28 暨南大学 一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法
CN113511683A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 中国石油化工股份有限公司 Wo3纳米线及其制备方法和气敏传感器
CN113511682A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 中国石油化工股份有限公司 掺杂wo3纳米线及其制备方法和气敏传感器
CN113511682B (zh) * 2020-04-10 2023-12-22 中国石油化工股份有限公司 掺杂wo3纳米线及其制备方法和气敏传感器
CN112098473A (zh) * 2020-08-18 2020-12-18 国网河北省电力有限公司电力科学研究院 类球状三氧化钨敏感材料、二氧化硫气体传感器的制备方法及评价方法

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