CN106537306A - 带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明解决的问题是:对于附带有使用含有金属纳米线的透明性导电膜作为透明电极的静电电容耦合方式的触摸屏作为输入装置的显示装置而言,在室外使用时被暴露于太阳光的照射下,会损害作为电子部件的电气特性的可靠性。其解决方法是:在带触摸屏输入装置的显示装置中,对于将触摸屏基板贴合于显示装置上表面的结构,通过使触摸屏基板的上表面侧、或者触摸屏的上表面侧和下表面侧具备透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层,从而抑制影响金属纳米线导电膜的波长范围的光入射。
Description
技术领域
本发明涉及具备静电电容耦合方式触摸屏作为输入装置的显示装置,该静电电容耦合方式触摸屏使用金属纳米线导电膜作为透明电极。
背景技术
使用薄膜晶体管的有源矩阵方式的显示装置具有薄型、轻量这样的优点,一般作为电视机、电脑、便携电话、小型便携设备、车载设备、其他各种各样的电子设备的显示装置使用。
这些显示装置多数是包含以1对透明基板夹持液晶的液晶单元、贴合于液晶单元的两外侧的光学各向异性膜和作为显示光源的背光板的组合的液晶显示装置,或者是在电极间夹入有机电致发光材料并通过将施加于电极的电力转变为发光而进行自发光的有机电致发光显示装置。
另一方面,触摸屏是通过用手指、笔触摸对应于显示装置的显示区域的画面来感知位置从而将位置坐标等与显示装置组合,由此具有向显示装置输入的功能的设备。
触摸屏的工作原理存在各种方式,但最近,在小型便携设备用途中,静电电容耦合方式的触摸屏正成为主体。
静电电容耦合方式触摸屏在与显示装置显示区域相对应的触摸屏基板上的触摸屏画面形成有检测被触摸位置的包含纵横2层的多个经格子状图形化的透明电极,在触摸屏画面周边形成有获取来自透明电极的位置检测信号的配线,并具备用于将位置检测信号向外部的检测电路输出的配线电路等。
本方式具有能够高速地检测被触摸位置的优点,以手指触摸为基础,捕捉指尖与位置检测电极之间的静电电容变化而检测位置。例如,在分别检测XY位置坐标的情况下,X位置坐标检测电极-Y位置坐标检测电极间具有进行了绝缘的结构。
这样的触摸屏中,就导电性和光透射性方面而言,上述透明电极标准性地使用了ITO(氧化铟锡)等金属氧化物导电体。但是,金属氧化物膜通常使用溅射法进行真空成膜,因而需要形成成本,此外还存在下述等问题:尤其是对于氧化铟锡而言,在形成导电性和光透射性优异的膜时需要接近200℃的高温条件,因此所形成的膜的内部应力大,成膜后的基板承受应力负荷。
还已知代替这样的金属氧化物膜而使用含有金属纳米线的导电膜的静电电容耦合方式的触摸屏。金属纳米线是直径为纳米单位的大小、在透明导电膜用途中开发的导电性纤维材料。含有金属纳米线的导电膜中,通过金属纳米线彼此接触而进行电连接导通从而表现导电特性。迄今为止,已知使涂膜溶液含有金属纳米线,并使用喷墨法、分配法、丝网印刷法涂布在基板上并干燥,形成透明导电膜。这些方法中,被认为有下述问题:从涂布时至干燥膜形成时,作为膜,会发生干燥收缩,金属纳米线彼此的接触接合状态变动,各个膜会产生个体差异。
专利文献1中公开了一种触摸屏,其使用下述含有金属纳米线的导电膜:使用具备在透明树脂中含有金属纳米线而成的感光性树脂组合物膜的支撑体膜,通过膜转印、曝光、显影,形成包含在透明树脂中含有金属纳米线而成的导电膜的透明电极,从而抑制了金属纳米线的分布偏差,没有导电性不均等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-10516号公报
发明内容
发明要解决的问题
带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置现在处于如下状况:作为智能手机、平板PC等便携终端设备的输入-显示装置而在世界范围内迅速普及,产品出货量扩大。这样的便携终端设备的性能逐年提高,因此,对于内部的电子电路部件而言,随着高速化、多功能化,耗电变大,来自电路部件、电源电池的发热量增大。此外,它们还以作为便携终端在室外使用为前提。因此,作为电子设备,对于高温、高湿以及室外的太阳光等的耐环境、耐久性等可靠性成为了比以前更重要的问题。
触摸屏中,使用含有金属纳米线的导电膜作为电极的情况下,通过金属纳米线彼此接触而电连接导通从而表现导电特性。在上述那样的使用环境中,便携终端设备所附带的触摸屏被暴露于高温、高湿环境以及太阳光的入射。此时发现:在金属纳米线的成分包含除Au、Pt以外的、非惰性的金属或者金属化合物的情况下,尤其是如果在高温、高湿状态下对金属纳米线存在光照射,则会受其影响,产生损害作为电子部件的电气特性的可靠性的问题。对于光照射,不仅室外使用时所照射的太阳光波长范围的紫外线会产生影响,可见光波长区域的短波长光也会产生影响,此外,关于可见光波长区域的短波长光,从显示装置入射至触摸屏的显示光也会产生影响。
本发明的目的在于,提供一种在带有使用含有金属纳米线的导电膜作为电极的静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置中,尤其电气特性的可靠性高的显示装置。
用于解决问题的方法
为了解决上述问题,本发明中,使具备静电电容耦合方式触摸屏作为输入装置的显示装置如下构成:具备在上述显示装置上表面贴合有触摸屏基板的结构,且在触摸屏基板的上表面侧、或者触摸屏的上表面侧和下表面侧具备透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层;所述静电电容耦合方式触摸屏在透明基板上设有检测基板表面的XY位置坐标的透明电极,并利用静电电容耦合来检测相对于上述透明电极被触摸的位置。
此外,为了解决上述问题,本发明中,使上述带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置以下述方式构成:具备上述导电膜的透明树脂与上述透明基板表面接合的结构,在上述导电膜的表面层10~200nm厚度中含有上述金属纳米线。
此外,为了解决上述问题,本发明中,使上述带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置以下述方式构成:上述导电膜的透明树脂由感光性树脂组合物形成。
此外,为了解决上述问题,本发明中,使上述带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置以下述方式构成:就上述光透射层而言,在光学透明的树脂中含有光吸收、光散射反射材,所述光吸收、光散射反射材包含在光波长小于430nm时具有带隙的半导体化合物。
此外,为了解决上述问题,本发明中,使上述带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置以下述方式构成:上述光透射层含有包含在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的化合物的光吸收材、或者包含在光波长大于或等于380nm小于430nm时具有吸光度极大值的分子结构体的材料。
发明效果
根据本发明,能够实现尤其是对于电气特性而言耐环境的可靠性高的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,所述带静电电容耦合方式触摸屏输入装置使用金属纳米线的导电膜来实现静电电容变化的检测。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式涉及的显示装置的截面图。
图2是用于说明本发明的第一实施方式涉及的显示装置为液晶显示装置的实施例的截面图。
图3是用于说明本发明的第二实施方式涉及的显示装置的截面图。
图4是用于说明本发明的第三实施方式涉及的显示装置的截面图。
图5是用于说明本发明的第三实施方式涉及的显示装置为液晶显示装置的实施例的截面图。
图6是用于说明本发明的第四实施方式涉及的显示装置的截面图。
图7是用于说明本发明的第五实施方式涉及的显示装置的截面图。
图8是用于说明本发明涉及的静电电容耦合方式触摸屏的基板平面图。
图9是用于说明本发明涉及的静电电容耦合方式触摸屏的透明电极与引出配线的连接部的(a)放大图和(b)截面图。
图10是用于说明检测X位置坐标的透明电极的连接部与检测Y位置坐标的透明电极的连接部的交叉部的(a)放大图和(b)截面图。
图11是用于说明图8所示的静电电容耦合方式触摸屏的制造方法的一个例子的工序图。
图12是接续图11的用于说明图8所示的静电电容耦合方式触摸屏的制造方法的一个例子的工序图。
具体实施方式
为了解决发明所要解决的问题一栏中记载的问题,对于带触摸屏输入装置的显示装置,重要的是:在维持作为显示装置的画面显示性能的同时除去从触摸屏上表面入射的外部光和从显示装置入射至触摸屏背面的显示光的影响。
因此,为了实现上述目的,本发明的带触摸屏输入装置的显示装置以下述方式构成:具有以静电电容耦合方式触摸屏作为输入装置且将触摸屏基板贴合于显示装置上表面的结构,所述静电电容耦合方式触摸屏在透明基板上设有检测XY位置坐标的透明电极并且利用静电电容耦合来检测相对于透明电极被触摸的位置,在触摸屏基板的上表面侧、或者触摸屏的上表面侧和下表面侧具备透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层。
对于该触摸屏,详细情况如后所述,透明电极包含在透明树脂中含有金属纳米线而成的导电膜,该触摸屏具备用于将引出配线与透明电极连接的连接电极,该连接电极层叠于导电膜的一部分表面,与从透明树脂的表面层露出的金属纳米线接合,该引出配线用于与触摸屏的外部电路连接。
以下,使用图1至图12对本发明的实施方式进行说明。
实施例1
将第一实施方式的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置示于图1的截面图。
本实施例的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置中,在显示装置101的上表面具备静电电容耦合方式触摸屏102,进而在触摸屏的上表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的特定波长区域光透射层103。
关于本实施例,将显示装置101为液晶显示装置的实施例示于图2的截面图。
显示装置为液晶显示装置的情况下,液晶显示装置201具备如下结构。在第1透明基板205上具备作为配置为矩阵状的薄膜晶体管电路的像素集合体的显示电路,在第1透明基板205的相对面具有第2透明基板207,具备被相对的基板205和207夹持的液晶层206。在基板205和207的外侧,具备作为相对于偏振光而呈光学正交状态的组合的2块偏光板204、208,来自背光板203的可见光区域的发光通过偏光板204以及基板205,并作为图像显示光,透过偏光板208。
在液晶显示装置201的上表面,介由光学透明性粘接层209贴合有静电电容耦合方式触摸屏202(触摸屏构成的详细情况如后所述)。触摸屏202在触摸屏透明基板210表面具备用于检测触摸位置坐标的触摸屏透明电极电路211。
本实施例中,在触摸屏202上表面介由光学透明性粘接层212贴合有保护表面的覆盖透明基板213。在该覆盖透明基板表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的特定波长区域光透射层214。本实施例中,光透射层214存在于覆盖透明基板213表面,也可以相反地,在下层具备光透射层214,在最表面具备覆盖透明基板213。
上述实施例中,液晶显示装置201将液晶作为光学快门进行驱动,液晶驱动方式已知FFS(边缘场切换,Fringe Field Switching)、IPS(平面切换,In-Place-Switching)、VA(垂直取向,Vertical Alignment)、TN(扭曲向列,Twisted Nematic),可以使用这些驱动方式。
作为触摸屏202的透明基板210,例如钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等碱玻璃、无碱玻璃、或化学强化玻璃等玻璃基板是合适的。此外,还已知具有透明性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、耐热性和透明性高的聚酰亚胺膜,还可以使用具有透明性这样的树脂系基板。
本发明中使用的透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层214中,包含材料膜,该材料膜是在光学透明的树脂中含有在光波长小于430nm时具有带隙的半导体化合物微粒而成的,利用半导体化合物微粒的光吸收、光散射反射而透过波长大于或等于430nm的可见光,因而是合适的。
关于在光波长小于430nm时具有带隙的半导体化合物微粒,以SiC微粒为主体并加入选自ZnO、WO3、TiO2、SrTiO3的化合物微粒而得的半导体化合物微粒是合适的。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
作为含有半导体化合物微粒的光学透明的树脂,聚烯烃树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂等是合适的。进一步具体而言,聚乙烯、聚丙烯、环状聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乳酸、尼龙、聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯等是合适的。聚酰亚胺树脂的情况下,优选具有组合了二苯醚骨架或者联苯骨架的结构作为分子结构的聚酰亚胺。
本发明中使用的透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层214中,具备包含在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的化合物的光吸收材,或者含有包含在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的分子结构体的材料。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
作为在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的化合物,卤化铜微粒、银微粒等是合适的。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
作为包含在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的分子结构体的材料,具有组合了二苯醚骨架或者联苯骨架的结构作为分子结构的聚酰亚胺树脂是合适的。
本发明的具备静电电容耦合方式触摸屏的显示装置中,对于透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层而言,波长大于或等于430nm的光透射率为大于或等于50%。
作为光学透明的粘接层209,一般被称为光学透明粘接材(Optically ClearAdhesive)的液状粘接材料、粘接胶带是合适的。
作为覆盖透明基板213,化学强化玻璃是合适的。
本实施例中,将覆盖透明基板213和特定波长区域光透射层214分开设置,也可以通过在成为覆盖透明基板的化学强化玻璃中含有SiC、ZnO、WO3、TiO2、SrTiO3、卤化铜、银等的微粒等而将特定波长区域光透射层的功能与覆盖透明基板一体化。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
实施例2
将第二实施方式的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置示于图3的截面图。
本实施例的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置中,在液晶显示装置301的上表面介由光学透明性粘接层309贴合有静电电容耦合方式触摸屏302。触摸屏302在触摸屏透明基板311面具备用于检测触摸位置坐标的触摸屏透明电极电路310。
进而在触摸屏透明基板311的上表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的第2特定波长区域光透射层312。
本实施例中,将触摸屏透明基板311和特定波长区域光透射层312分开设置,也可以通过在透明基板中含有SiC、ZnO、WO3、TiO2、SrTiO3、卤化铜、银等的微粒等而将特定波长区域光透射层的功能与透明基板一体化。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
此外,作为触摸屏透明基板311,也可以通过使用具有组合了二苯醚骨架或者联苯骨架的结构作为分子结构的聚酰亚胺树脂而将特定波长区域光透射层的功能与透明基板一体化。
实施例3
将第三实施方式的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置示于图4的截面图。
本实施例的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置中,在显示装置401的上表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的第1特定波长区域光透射层402,在其上表面具备静电电容耦合方式触摸屏403,进而在触摸屏的上表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的第2特定波长区域光透射层404。
关于本实施例,将显示装置为液晶显示装置的实施例示于图5的截面图。显示装置为液晶显示装置的情况下,液晶显示装置501具备如下结构。在第1透明基板505上具备作为配置为矩阵状的薄膜晶体管电路的像素集合体的显示电路,在第1透明基板505的相对面存在第2透明基板507,具备被相对的基板505和507夹持的液晶层506。在基板505和507的外侧具备作为相对于偏振光而呈光学正交状态的组合的2块偏光板504、508,来自背光板503的可见光区域的发光通过偏光板504以及基板505,并作为图像显示光,透过偏光板508。
在液晶显示装置501的上表面,介由光学透明性粘接层509而具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的第1特定波长区域光透射层510,在其上表面具备静电电容耦合方式触摸屏502。
触摸屏502在触摸屏透明基板511表面具备用于检测触摸位置坐标的触摸屏透明电极电路512。
本实施例中,在触摸屏502上表面介由光学透明性粘接层513贴合有保护表面的覆盖透明基板514。在该覆盖透明基板表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的第2特定波长区域光透射层515。
本实施例中,光透射层515存在于覆盖透明基板514表面,也可以相反地,在下层具备光透射层515,在最表面具备覆盖透明基板514。
此外,本实施例中,将覆盖透明基板514和特定波长区域光透射层515分开设置,也可以通过在成为覆盖透明基板的化学强化玻璃中含有SiC、ZnO、WO3、TiO2、SrTiO3、卤化铜、银等的微粒等而将特定波长区域光透射层的功能与覆盖透明基板一体化。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
此外,本实施例中,将触摸屏透明基板511和特定波长区域光透射层510分开设置,也可以通过在透明基板中含有SiC、ZnO、WO3、TiO2、SrTiO3、卤化铜、银等的微粒等而将特定波长区域光透射层的功能与透明基板一体化。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
此外,作为触摸屏透明基板511,也可以通过使用具有组合了二苯醚骨架或者联苯骨架的结构作为分子结构的聚酰亚胺树脂而将特定波长区域光透射层的功能与透明基板一体化。
实施例4
将第四实施方式的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置示于图6的截面图。
本实施例的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置中,在液晶显示装置601的上表面直接具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的第1特定波长区域光透射层609,并介由光学透明性粘接层610贴合有静电电容耦合方式触摸屏602。触摸屏602在触摸屏透明基板612面具备用于检测触摸位置坐标的触摸屏透明电极电路611。
进而在触摸屏透明基板612的上表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的第2特定波长区域光透射层613。
实施例5
将第五实施方式的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置示于图7的截面图。
本实施例的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置具备有机电致发光显示装置701。在显示装置701的第1基板703上具备作为配置为矩阵状的薄膜晶体管电路的像素集合体的显示电路层704,在其上层具备电路层705,该电路层705在与薄膜晶体管电路相连的电极层间形成有机电致发光材料的极薄膜,并通过对电极施加电流而使有机电致发光材料发光。在基板703的相对面,为了使光透过,利用以透明的密封层706接合的透明基板707,相对于外部环境进行了密封。从有机电致发光发光电路层705发出的光透过密封层706、对置基板707而成为显示光,实现有机电致发光显示装置701。
在显示装置701的上表面,介由光学透明性粘接层708贴合有静电电容耦合方式触摸屏702。触摸屏702在触摸屏透明基板709表面具备用于检测触摸位置坐标的触摸屏透明电极电路710。在触摸屏702上表面,介由光学透明性粘接层711贴合有保护表面的覆盖透明基板712。在该覆盖透明基板表面具备成为透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层的特定波长区域光透射层713。
本实施例中,光透射层713存在于覆盖透明基板712表面,也可以相反地,在下层具备光透射层713,在最表面具备覆盖透明基板712。
此外,本实施例中,将覆盖透明基板712和特定波长区域光透射层713分开设置,也可以通过在成为覆盖透明基板的化学强化玻璃中含有SiC、ZnO、WO3、TiO2、SrTiO3、卤化铜、银等的微粒等而将特定波长区域光透射层的功能与覆盖透明基板一体化。作为微粒的形状,直径10nm至100nm范围是合适的。
实施例6
将上述实施例1至5涉及的静电电容耦合方式触摸屏示于图8的基板平面图。
本触摸屏中,在透明基板801的一面上存在作为检测触摸位置坐标的区域的触摸画面802,在该区域具备检测静电电容变化并输出X、Y位置坐标的各个透明电极803、804。关于用于检测X位置坐标的透明电极803,对应于同一X位置坐标的透明电极803彼此连接;关于用于检测Y位置坐标的透明电极804,对应于同一Y位置坐标的透明电极804彼此连接。对这些透明电极配置有用于与控制作为触摸屏的电信号的元件电路连接的引出配线805、连接该引出配线和透明电极的电极806、以及与驱动电路元件连接的端子部807。
作为触摸屏中使用的透明基板801,钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等碱玻璃、无碱玻璃、化学强化玻璃等玻璃基板是合适的。此外,还已知具有透明性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯膜、耐热性和透明性高的聚酰亚胺膜,还可以使用具有透明性这样的树脂系基板。
关于引出配线805,通过溅射法、蒸镀法成膜的金属电极是合适的。具体而言,可列举Ag-Pd-Cu、Al-Cu、Ni-Cu、Al、Cu,Ni等的合金;层叠、单独构成的电极。此外,还可以使用Ag导电糊来形成。
将引出配线805与输出Y位置坐标的透明电极804的连接部的A放大图和截面结构示于图9。
连接该引出配线805和透明电极804的电极806是由形成引出配线805时层叠于透明电极804的端部的结构形成的,并不特别地需要与引出配线不同的额外的工序。关于透明电极804,对应于同一Y位置坐标的透明电极彼此连接并与引出配线805连接。引出配线805与输出X位置坐标的透明电极803的连接部的截面结构也是同样的。
将这些对应于X、Y位置坐标的透明电极803、804的连接部的交叉部的B放大图、以及D-D截面结构示于图10。
形成了如下结构:相对于输出Y位置坐标的透明电极804的连接部,输出X坐标的透明电极803的连接部的交叉部通过包含绝缘树脂的透明树脂层812而绝缘。
上述透明电极803、804中含有的金属纳米线可以使用Ag、Cu、Co、C、Pd等的纳米线。其中,从作为导电膜的导电性和光透射性的观点出发,Ag纳米线是最适的构成材料。
该触摸屏中的金属纳米线处于截面直径10~100nm、长度1~100μm的范围内。
此外,该触摸屏中,具备导电膜的透明树脂810、812与透明基板801表面接合的结构,在导电膜的表面层(811、813)10~200nm厚度中含有金属纳米线。
此外,金属纳米线可以偏集于透明基板801表面侧(距离表面10~200nm厚度中)。
实施例7
通过图11、图12所示的工序,在以下的条件下制作上述实施例6的触摸屏。
首先,如图11(1)所示,准备具备在透明树脂中含有金属纳米线而成的感光性树脂组合物膜821(可以使用“WO2010/021224”中记载的感光性树脂组合物膜。)的支撑体膜822。这是在用于支撑感光性树脂组合物膜821的支撑体膜822上层叠有感光性树脂组合物膜821的膜结构的构件。该感光性树脂组合物膜821中含有含金属纳米线层823。
接下来,如图11(2)所示,通过膜转印将层叠于支撑体膜822的含有含金属纳米线层823的感光性树脂组合物膜821贴合于透明基板801。
接下来,如图11(3)所示,隔着遮光掩模将感光性树脂组合物膜821曝光为期望的形状,使用碱性显影液将曝光工序中未曝光的部分除去,形成在透明基板801上以期望的形状形成的透明电极804,该透明电极804包含在透明树脂810中含有金属纳米线而成的导电膜811,并输出Y位置坐标。
接下来,在形成输出Y位置坐标的透明电极804后,为了形成输出X位置坐标的透明电极803,如图11(4)所示,与上述图11(2)同样地,再次通过膜转印将感光性树脂组合物膜824贴合于透明基板801。其中,图11(3)表示图10的D-D截面,图11(4)表示图10的E-E截面。
接下来,如图12(5)所示,与上述图11(2)同样地,隔着遮光掩模曝光为期望的形状,使用碱性显影液将曝光工序中未曝光的部分除去,形成在透明基板801上以期望的形状形成的透明电极803,该透明电极803包含在透明树脂812中含有金属纳米线而成的导电膜813,并输出X位置坐标。
接下来,如图12(6)所示,在透明基板801的表面形成用于与外部电路连接的引出配线805、以及连接该引出配线805和透明电极804的连接电极806。这里,使用含有薄片状的Ag的导电糊材料,用丝网印刷法同时形成引出配线805、连接电极806。
通过上述(1)~(6)的工序,使用金属纳米线被固定于透明树脂的固体物中的感光性树脂组合物膜821、824,金属纳米线彼此的相对位置关系在膜转印、通过曝光、显影而形成导电膜后也没有变动,因而能够制成具有高品质的XY位置坐标的透明电极803、804的静电电容耦合方式触摸屏,由此实现带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置。
符号说明
101:显示装置;102:静电电容耦合方式触摸屏;103:特定波长区域光透射层;
201:液晶显示装置;202:静电电容耦合方式触摸屏;203:背光板;204:偏光板;205:第1透明基板(薄膜晶体管电路基板)206:液晶层;207:第2透明基板;208:偏光板;209:光学透明性粘接层;210:触摸屏透明基板;211:触摸屏透明电极电路;212:光学透明性粘接层;213:覆盖透明基板;214:特定波长区域光透射层;
301:液晶显示装置;302:静电电容耦合方式触摸屏;303:背光板;304:第1偏光板;305:第1透明基板(薄膜晶体管电路基板);306:液晶层;307:第2透明基板;308:第2偏光板;309:光学透明性粘接层;310:触摸屏透明电极电路;311:触摸屏透明基板;312:特定波长区域光透射层;
401:显示装置;402:第1特定波长区域光透射层;403:静电电容耦合方式触摸屏;404:第2特定波长区域光透射层;
501:液晶显示装置;502:静电电容耦合方式触摸屏;503:背光板;504:第1偏光板;505:第1透明基板(薄膜晶体管电路基板);506:液晶层;507:第2透明基板;508:第2偏光板;509:光学透明性粘接层;510:第1特定波长区域光透射层;511:触摸屏透明基板;512:触摸屏透明电极电路;513:光学透明性粘接层;514:覆盖透明基板;515:第2特定波长区域光透射层;
601:液晶显示装置;602:静电电容耦合方式触摸屏;603:背光板;604:第1偏光板;605:第1透明基板(薄膜晶体管电路基板);606:液晶层;607:第2透明基板;608:第2偏光板;609:第1特定波长区域光透射层;610:光学透明性粘接层;611:触摸屏透明电极电路;612:触摸屏透明基板;613:第2特定波长区域光透射层;
701:有机电致发光显示装置;702:静电电容耦合方式触摸屏;703:第1基板;704:薄膜晶体管电路基板层;705:有机电致发光发光电路层;706:光学透明性密封层;707:对置密封透明基板;708:光学透明性粘接层;709:触摸屏透明基板;710:触摸屏透明电极电路;711:光学透明性粘接层;712:覆盖透明基板;713:特定波长区域光透射层;
801:触摸屏透明基板;802:触摸画面;803:静电电容耦合检测透明电极(X坐标);804:静电电容耦合检测透明电极(Y坐标);805:触摸屏电路连接引出配线;806:透明电极与引出配线的连接电极;807:触摸屏驱动电路元件连接端子;810:透明电极的透明树脂层;811:透明电极的含金属纳米线层;812:透明电极的透明树脂层;813:透明电极的含金属纳米线层;821:透明树脂中含有金属纳米线的感光性树脂组合物膜;822:支撑体膜;823:含金属纳米线层;824:转印贴附后的感光性树脂组合物膜。
Claims (16)
1.一种带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
其是具备静电电容耦合方式触摸屏作为输入装置的显示装置,所述静电电容耦合方式触摸屏在透明基板上设有检测基板表面的XY位置坐标的透明电极,并利用静电电容耦合来检测相对于所述透明电极被触摸的位置,
所述显示装置具备在所述显示装置上表面贴合有触摸屏基板的结构,并且
在触摸屏基板的上表面侧、或者触摸屏的上表面侧和下表面侧具备透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层。
2.根据权利要求1所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述触摸屏中,所述透明电极由透明树脂中含有金属纳米线而成的导电膜构成,
所述触摸屏具有为了输出所述触摸屏的位置坐标而向外部电路引出的配线的连接电极,所述连接电极层叠于所述导电膜的一部分表面,与从所述透明树脂的表面层露出的所述金属纳米线接合。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述触摸屏中,所述透明电极具有在透明树脂中含有金属纳米线而成的导电膜,
所述金属纳米线为截面直径10~100nm、长度1~100μm的尺寸。
4.根据权利要求2所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
具有所述导电膜的透明树脂与所述透明基板表面接合的结构,
在所述导电膜的表面层10~200nm厚度中含有所述金属纳米线。
5.根据权利要求2所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述金属纳米线包含除Au、Pt以外的金属。
6.根据权利要求2所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述导电膜的透明树脂由感光性树脂组合物形成。
7.根据权利要求3所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
具备所述导电膜的透明树脂与所述透明基板表面接合的结构,
在所述导电膜的表面层10~200nm厚度中含有所述金属纳米线。
8.根据权利要求3所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述金属纳米线包含除Au、Pt以外的金属。
9.根据权利要求1所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述显示装置中,通过相对配置的第1透明基板和第2透明基板来夹持液晶层,且具备成为显示光源的背光板。
10.根据权利要求1所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述显示装置是下述有机电致发光显示装置:包含相对配置的第1基板和第2基板,在所述第1基板上具备在电极层间形成有机电致发光层的发光元件,并利用所述第2基板进行了密闭密封。
11.根据权利要求3所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述导电膜的透明树脂由感光性树脂组合物形成。
12.根据权利要求1所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述透过波长大于或等于430nm的可见光的光透射层具有波长大于或等于430nm的光透射率大于或等于50%的光透射性。
13.根据权利要求1所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述光透射层在光学透明的树脂中含有光吸收、光散射反射材,所述光吸收、光散射反射材包含在光波长小于430nm时具有带隙的半导体化合物。
14.根据权利要求13所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述在光波长小于430nm时具有带隙的半导体化合物的微粒是以SiC微粒为主体并加入了选自ZnO、WO3、TiO2、SrTiO3的化合物微粒的微粒。
15.根据权利要求1所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述光透射层含有包含在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的化合物的光吸收材、或者包含在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的分子结构体的材料。
16.根据权利要求15所述的带静电电容耦合方式触摸屏输入装置的显示装置,其特征在于,
所述在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的化合物选自卤化铜微粒或银微粒,或者所述包含在光波长大于或等于380nm且小于430nm时具有吸光度极大值的分子结构体的材料选自具有组合了二苯醚骨架或者联苯骨架的结构作为分子结构的聚酰亚胺树脂。
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