TWM465615U - 觸碰面板 - Google Patents

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Yasuhiro Seri
Mayumi Sato
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

觸碰面板
本新型創作是有關於一種具備透明電極的觸碰面板。
個人電腦、電視等大型電子設備中,在汽車導航(car navigation)、行動電話、電子詞典等小型電子設備、辦公自動化‧工廠自動化(Office Automation‧Factory Automation,OA‧FA)設備等的顯示設備中,使用液晶顯示元件或觸碰面板(觸碰感測器)。該些液晶顯示元件或觸碰面板中設置著包含透明導電電極材料的電極。作為透明導電電極材料,氧化銦錫(Indium-Tin-Oxide:ITO)、氧化銦或氧化錫已為人所知,該些材料顯示出高的可見光透過率,因此作為液晶顯示元件用基板等中使用的電極材料而成為主流。
觸碰面板已經以各種方式得以實用化。近年來,靜電電容方式的觸碰面板的利用得到發展。靜電電容方式觸碰面板中,若指尖(導電體)接觸到觸碰輸入面,則指尖與導電膜之間會發生靜電電容耦合,從而形成電容器(condenser)。因此,靜電電容方式觸碰面板藉由捕捉指尖的接觸位置的電荷的變化而檢測出其座標。
尤其在投影型靜電電容方式的觸碰面板中,指尖的多點 檢測成為可能,因此具備可進行複雜指示的良好的操作性。因該操作性的優良,作為具有行動電話、便攜式音樂播放器等小型顯示裝置的設備的顯示面上的輸入裝置,投影型靜電電容方式的觸碰面板的利用得到發展。
一般而言,投影型靜電電容方式的觸碰面板中,為了表 現由X軸與Y軸構成的2維座標,而多個X電極、及與該X電極正交的多個Y電極形成2層構造。使用ITO作為該電極。
然而,觸碰面板的端緣區域為無法檢測觸碰位置的區 域,因此減小該端緣區域的面積成為用以提高產品價值的重要要素。在端緣區域中,為了傳遞觸碰位置的檢測信號而必須有金屬配線,但為了實現端緣面積的狹小化,而必須減小金屬配線的寬度。因ITO的導電性並不非常高,故一般而言金屬配線由銅形成。
如上述般的觸碰面板在重複使用後金屬配線會發生腐 蝕,從而會出現電極與驅動用電路之間的電阻的增加、或斷線的情況。
本新型創作的目的在於提供一種具有充分防銹性的觸碰面板。
本新型創作者等人對上述金屬配線的腐蝕的原因進行了積極研究,從而注意到在指尖接觸到觸碰面板時,水分、鹽分等腐蝕成分會自感測區域侵入到內部,侵入到觸碰面板的內部的 腐蝕成分導致金屬配線的腐蝕等。而且,本新型創作者等人進行進一步研究後發現,藉由在位於感測區域的透明電極設置作為保護膜的樹脂膜,而獲得具有充分防銹性的觸碰面板,從而完成了本新型創作。
認為本新型創作的效果為:藉由樹脂膜來包覆成為腐蝕 成分的侵入口的透明電極的一部分或全部,從而構成觸碰面板的銅等金屬與腐蝕成分的接觸得以抑制。而且,在本新型創作中,作為樹脂膜,亦可使用由感光性樹脂組成物的硬化物形成的膜。 本新型創作者等人發現:在使用感光性樹脂組成物形成10 μm以下的薄膜的情況下,水分、鹽分等腐蝕成分雖容易包含於膜內,但樹脂膜中的氯含量對防銹性具有大的影響。本新型創作中,作為樹脂膜,可使用氯含量為80 ppm以下的膜,該情況下,即便樹脂膜的厚度為10 μm以下亦具有充分的防銹性。
101‧‧‧透明基板
102‧‧‧觸碰畫面
103‧‧‧透明電極(X位置座標)
104‧‧‧透明電極(Y位置座標)
105、105a、105b‧‧‧引出配線
106‧‧‧連接電極
107‧‧‧連接端子
122、123、124‧‧‧保護膜
C‧‧‧部分
X、Y‧‧‧位置座標
圖1是表示透明電極存在於另一平面上的靜電電容方式的觸碰面板的一例的示意俯視圖。
圖2是表示透明電極存在於另一平面上的靜電電容方式的觸碰面板的另一例的示意俯視圖。
圖3之(a)是沿著圖1所示的C部分的III-III線的部分剖面圖,圖3之(b)是表示另一實施方式的部分剖面圖。
圖4是表示透明電極存在於同一平面的靜電電容方式觸碰面 板的一例的平面圖。
首先,使用圖1及圖2,對本新型創作的觸碰面板的一例進行說明。圖1是表示透明電極存在於另一平面上的靜電電容方式的觸碰面板感測器的一例的示意俯視圖。在透明基板101的單面上具有用以檢測觸碰位置的座標的觸碰畫面102,在該區域具備透明電極103及透明電極104。透明電極103及透明電極104是用以分別對觸碰位置的靜電電容變化進行檢測而獲得X位置座標及Y位置座標的電極。
在上述透明基板101上,設置用以自透明電極103及透明電極104向外部電路傳遞觸碰位置的檢測信號的引出配線105。而且,上述引出配線105與透明電極103及透明電極104藉由連接電極106而連接。進而,在引出配線105的與透明電極103及透明電極104的連接部的相反側的端部,設置著與外部電路連接的連接端子107。圖1中,藉由本新型創作的作為樹脂膜的保護膜122(以下,簡稱作「保護膜」),來保護引出配線105、連接電極106、感測區域的透明電極103、透明電極104的一部分及連接端子107的一部分。本新型創作的特徵在於具備樹脂膜(保護膜),該樹脂膜至少包覆透明電極103、透明電極104的一部分或全部。而且,亦可進而具備包覆引出配線105的一部分或全部的樹脂膜(保護膜)。設置保護膜的部位可適當變更。例如,如圖2所示,除引出配線105等外,亦可以保護全部觸碰畫面102的方式來設 置本新型創作的作為樹脂膜的保護膜123。保護膜122、保護膜123可包含一片,亦可包含多片。
使用圖3,對圖1所示的觸碰面板的透明電極104與引 出配線105的連接部的剖面構造進行說明。圖3表示沿著圖1所示的C部分的III-III線的部分剖面圖。如圖3所示,透明電極104與連接電極106或引出配線105成為電性連接的構造(連接部)。 圖3中,藉由保護膜122保護上述連接部。同樣地,透明電極103與連接電極106或引出配線105成為電性連接的構造,連接部藉由保護膜而保護(未圖示)。
上述保護膜122中,例如可使用由樹脂組成物的硬化物 而形成的膜。藉由使用由樹脂組成物的硬化物而形成的膜,與藉由電漿化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)法等來形成膜相比,可實現觸碰面板製造中的製造成本的降低。樹脂組成物中,自圖案形成性的觀點考慮,較佳為感光性樹脂組成物。
自提高防銹性的觀點考慮,上述保護膜122較佳為氯含 量為80 ppm以下的膜,更佳為50 ppm以下的膜,進而較佳為45 ppm以下的膜,尤佳為30 ppm以下的膜,最佳為25 ppm以下的膜。所形成的膜的氯含量可藉由如下來進行調整,即,藉由過濾、分液或再結晶等方法,對樹脂組成物所含的材料中合成過程中含有大量氯或水解性氯的材料進行精製。而且,即便在為由感光性樹脂組成物的硬化膜而形成的膜的情況下,亦可同樣地進行氯含量的調整。
另外,氯含量可藉由先前公知的元素分析法而求出。亦 即,使保護膜的樣品燃燒,將此時產生的燃燒氣體採取至碳酸鈉(2.7 mM)與碳酸氫鈉(0.3 mM)的溶離液中,在作為內標物(internal standard substance)的酒石酸根離子(5 mg/kg)、流速1.2 mL/min的條件下,進行離子層析分析(戴安(Dionex)製造,型號:ICS-1600,檢測器:導電性(electrical conductivity)檢測器,管柱:AS12A)。可根據所獲得的離子層析定量結果,並基於樣品量及溶液量而算出離子量(氯含量)。上述氯含量中包含水解性氯。水解性氯是指由在水的存在下容易水解而產生氯離子的化合物(例如,鹽)所產生的氯。另外,在求出水解性氯的含量的情況下,可將樹脂溶解在溶劑中並添加鹼,在進行規定溫度、規定時間的處理後,藉由電位差滴定而定量出由水解而產生氯的鹽,並根據所測定出的鹽的量而求出樹脂所含有的水解性氯的含量。
上述保護膜中,先前,例如可適用作為可撓性配線板的 保護膜、阻焊膜(solder resist)等而使用的膜,作為光學記錄媒體的外塗(overcoat)層而使用的膜等。
為了充分發揮電極保護的效果,且極力減小因局部的保 護膜形成而產生的觸碰面板(觸碰感測器)表面的階差,上述保護膜122的厚度較佳為10 μm以下,更佳為8 μm以下,進而較佳為5 μm以下,尤佳為3 μm以下。
自連接可靠性的觀點考慮,上述透明電極103及上述透 明電極104較佳為含有氧化銦錫或金屬奈米線。作為上述金屬奈米線,更佳為使用銀奈米線。上述引出配線105較佳為含有銅或銀。
上述保護膜122的400 nm~700 nm下的可見光透過率 的最小值較佳為90%以上。上述透明基板101與上述透明電極103及/或上述透明電極104、上述保護膜122重疊的積層體的400 nm~700 nm下的可見光透過率的最小值更佳為90%以上。
只要一般的可見光波長範圍的光線即400 nm~700 nm 的波長範圍的透過率的最小值為90%以上,則例如在對觸碰面板(觸碰感測器)的顯示部分的透明電極進行保護的情況下,在對觸碰面板(觸碰感測器)的端緣區域的金屬層(例如,在ITO電極上形成了銅層的層等)進行保護時,自顯示部分的端部看見保護層的情況下等,可充分抑制顯示部分的顯示品質、色調、亮度等的降低等,從而對製造步驟的縮短及成本降低作出大的貢獻。
透明基板101較佳為聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯 膜或環烯烴聚合物膜。
另外,本新型創作的觸碰面板中,亦可採用圖4所示的 透明電極(X位置座標)103及透明電極(Y位置座標)104存在於同一平面上的靜電電容方式觸碰面板的構造。圖4中,透明電極103及透明電極104包括引出配線105a及引出配線105b,該些引出配線105a及引出配線105b分別用以與對作為觸碰面板的電信號進行控制的驅動器元件電路(未圖示)的控制電路連接。引 出配線105a及引出配線105b、感測區域的透明電極103、透明電極104的一部分藉由保護膜124而保護。設置保護膜的部位可進行適當變更。例如,除引出配線105a、引出配線105b等之外,可以對透明電極103、透明電極104的全部進行保護的方式,來設置本新型創作的作為樹脂膜的保護膜124。保護膜124可包含一片,亦可包含多片。
上述保護膜122、保護膜123、保護膜124較佳為由感 光性樹脂組成物的硬化物形成。感光性樹脂組成物可含有黏合劑聚合物、光聚合性化合物、及光聚合起始劑。黏合劑聚合物(亦稱作(A)成分)、光聚合性化合物(亦稱作(B)成分)、及光聚合起始劑(亦稱作(C)成分)可適當選擇地適用公知的材料。感光性樹脂組成物中亦可視需要而含有上述以外的成分。例如,上述感光性樹脂組成物可進而含有選自由三唑(triazole)化合物、噻二唑(thiadiazole)化合物、及四唑(tetrazole)化合物所組成的群組中的至少1種化合物(亦稱作(D)成分)。藉由含有此種化合物,可進一步提高防銹性與顯影性。
[實施例]以下,列舉實施例對本新型創作進行更具體說 明。然而,本新型創作並不限定於以下的實施例。
(實施例1~實施例14)
(含有感光性樹脂組成物的塗佈液的製備)
使用攪拌機將表1所示的材料混合15分鐘,製備出含有感光性樹脂組成物的塗佈液。
[感光性元件的製作]
使用厚度50 μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜來作為支持膜,使用缺角輪塗佈機(comma coater)將含有如上述般製備出的感光性樹脂組成物及溶媒的塗佈液均一塗佈在支持膜上,利用100℃的熱 風對流式乾燥機進行3分鐘乾燥而將溶媒除去,從而形成包含感光性樹脂組成物的感光層(感光性樹脂組成物層)。所獲得的感光層的厚度為5 μm。
其次,在所獲得的感光層上,進而將25 μm的厚度的聚乙烯膜作為覆蓋膜而貼合,從而製作出感光性元件。
[保護膜的透過率的測定]
一邊剝下作為所獲得的感光性元件的覆蓋膜的聚乙烯膜,一邊以感光層接觸到厚度1 mm的玻璃基板上的方式,使用貼合機(日立化成股份有限公司製造,商品名:HLM-3000型),在輥溫度120℃、基板輸送速度1 m/min、壓接壓力(氣缸壓力)4×105 Pa(因使用厚度為1 mm、長10 cm×寬10 cm的基板,故此時的線壓為9.8×103 N/m)的條件下進行積層,從而製作出在玻璃基板上積層了感光層及支持膜的積層體。
其次,在所獲得的積層體的感光層上,使用平行光線曝光機(Oak製作所(股)製造,EXM1201),自感光層側上方以曝光量5×102 J/m2 (i射線(波長365 nm)下的測定值)照射紫外線後,將支持膜除去,在加熱至140℃的箱型乾燥機(三菱電機股份有限公司製造,型號:NV50-CA)內靜置30分鐘,從而獲得厚度5.0 μm的透過率測定用保護膜(硬化膜)。
然後,對所獲得的保護膜使用分光光度計U-3310(日立製作所(股)製),在測定波長範圍400 nm~700 nm下測定可見光透過率的最小值。在表2中表示測定結果。
[保護膜的鹽水噴霧試驗(耐人工汗液性評估試驗)]
一邊剝下作為所獲得的感光性元件的覆蓋膜的聚乙烯膜,一邊以感光層接觸到濺鍍有銅的聚醯亞胺膜(東麗(Toray)膠片加工(股)製造)上的方式進行層壓(日立化成股份有限公司製造,商品名:HLM-3000型),在輥溫度120℃、基板輸送速度1 m/min、壓接壓力(氣缸壓力)4×105 Pa(因使用厚度為1 mm、長10 cm×寬10 cm的基板,故此時的線壓為9.8×103 N/m)的條件下進行積層,從而製作出在鍍銅上積層了感光層及支持膜的積層體。
其次,在所獲得的積層體的感光層上,使用平行光線曝光機(Oak製作所(股)製造,EXM1201),自感光層側上方以曝光量5×102 J/m2 (i射線(波長365 nm)下的測定值)照射紫外線後,將支持膜除去,進而自感光層側上方以曝光量1×104 J/m2 (i射線(波長365 nm)下的測定值)照射紫外線,並在加熱至140℃的箱型乾燥機(三菱電機股份有限公司製造,型號:NV50-CA)內靜置30分鐘。獲得形成了厚度5.0 μm的保護膜的耐人工汗液性評估用試樣。
其次,以JIS規格(Z 2371)作為參考,使用鹽水噴霧 試驗機(斯加試驗機(SUGA TEST)(股)製造STP-90V2),在試驗槽內載置上述試樣,將濃度50 g/L的鹽水(pH值=6.7)以試驗槽溫度35℃、噴霧量1.5 mL/h噴霧48小時。噴霧結束後,擦拭鹽水,觀察評估用試樣的表面狀態,並依據以下的評分來進行評估。在表2中表示測定結果。
A:保護膜表面完全未發生變化。
B:在保護膜表面看到非常少的痕跡,銅未發生變化。
C:在保護膜表面看到痕跡,銅未發生變化。
D:保護膜表面有痕跡,且銅變色。
[保護膜的氯含量的測定]
一邊剝下所獲得的作為感光性元件的覆蓋膜的聚乙烯膜,一邊以感光層接觸到聚四氟乙烯片(日東電工股份有限公司製造,產品名:Nitoflon Film No.900U)的方式,使用貼合機(日立化成股份有限公司製造,商品名:HLM-3000型),在輥溫度120℃、基板輸送速度1 m/min、壓接壓力(氣缸壓力)4×105 Pa的條件下進行積層。
其次,在所獲得的積層體的感光層上,使用平行光線曝 光機(Oak製作所(股)製造,EXM1201),自感光層側上方以曝光量5×102 J/m2 (i射線(波長365 nm)下的測定值)照射紫外線後,將支持膜除去,進而自感光層側上方以曝光量1×104 J/m2 (i射線(波長365 nm)下的測定值)照射紫外線,並在加熱至140℃的箱型乾燥機(三菱電機股份有限公司製造,型號:NV50-CA)內靜置30分鐘,從而獲得氯及水解性氯的含量測定用保護膜(樣品)。
然後,使用燃燒裝置(三菱化學ANALYTECH製造,型 號:AQF-100),使上述樣品燃燒。將此時所產生的燃燒氣體採取至碳酸鈉(2.7 mM)與碳酸氫鈉(0.3 mM)的溶離液中,在作為 內標物的酒石酸根離子(5 mg/kg)、流速1.2 mL/min的條件下,進行離子層析分析(Dionex製造,型號:ICS-1600,檢測器:導電性檢測器,管柱:AS12A)。根據所獲得的離子層析定量結果,並基於樣品量及溶液量而算出離子量(氯含量)。在表2中表示測定結果。
表1中的成分的符號表示以下的含義。
(A)成分
A1:單體添加比(甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸乙酯=12/58/30(質量比))的共聚物
(B)成分
A-TMMT:季戊四醇四丙烯酸酯(新中村化學工業(股)製造)
DPHA:二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥(股)製造)
TMPTA:三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(日本化藥(股)製造)
UXE-3204:原料成分中包含丙烯酸羥乙酯、聚酯二醇、六亞甲基二異氰酸酯的丙烯酸胺基甲酸酯(日本化藥(股)製造)
(C)成分
OXE 01:豔佳固(IRGACURE)OXE 01,1,2-辛二酮,1-[4-(苯硫基)-,2-(O-苯甲醯肟)](巴斯夫(BASF)(股)製造)
(D)成分
HAT-L:5-胺基-1H-四唑(東洋紡績(股)製造)的水合物結晶
HAT:5-胺基-1H-四唑(東洋紡績(股)製造)
AMT-L:3-胺基-5-巰基三唑(和光純藥(股)製造)的水合物結晶
AMT:3-胺基-5-巰基三唑(和光純藥(股)製造)
ATT-L:2-胺基-5-巰基-1,3,4-噻二唑(和光純藥(股)製造)的水合物結晶
ATT:2-胺基-5-巰基-1,3,4-噻二唑(和光純藥(股)製造)
其他
W-500:安他各(Antage)W-500,2,2’-亞甲基-雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)(川口化學(股)製造)
PM21:包含光聚合性不飽和鍵的磷酸酯(日本化藥(股)製造)
SH30:八甲基環四矽氧烷(東麗道康寧(Dow Corning Toray)(股)製造)
MEK:甲基乙基酮(東燃化學(股)製造)
如表2所示,實施例1~實施例7中,氯含量、鹽水噴霧試驗、可見光透過率中的任一評估中均為良好的結果。藉由將實施例1~實施例7的保護膜作為包覆透明電極的保護膜而使用,而可獲得具有更優異防銹性的觸碰面板。
101‧‧‧透明基板
102‧‧‧觸碰畫面
103‧‧‧透明電極(X位置座標)
104‧‧‧透明電極(Y位置座標)
105‧‧‧引出配線
106‧‧‧連接電極
107‧‧‧連接端子
122‧‧‧保護膜
C‧‧‧部分
X、Y‧‧‧位置座標

Claims (33)

  1. 一種觸碰面板,包括:基板;透明電極,設置於該基板的表面;以及樹脂膜,至少被覆上述透明電極的一部分或全部。
  2. 一種觸碰面板,包括:基板;透明電極,設置於該基板的表面;引出配線,設置於上述基板的表面;以及樹脂膜,至少被覆上述透明電極的一部分或全部及上述引出配線的一部分或全部。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為由感光性樹脂組成物的硬化物形成的膜。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為50 ppm以下的膜。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為45 ppm以下的膜。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為30 ppm以下的膜。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為25 ppm以下的膜。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述透明電極為含有氧化銦錫的電極。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中 上述透明電極為含有金屬奈米線的電極。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述透明電極為含有銀奈米線的電極。
  12. 如申請專利範圍第2項所述的觸碰面板,其中上述引出配線為含有銅或銀的配線。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜的400 nm~700 nm下的可見光透過率的最小值為90%以上。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述基板、上述透明電極及上述樹脂膜重疊的積層體的400 nm~700 nm下的可見光透過率的最小值為90%以上。
  15. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述基板為聚對苯二甲酸乙二酯膜,聚碳酸酯膜或環烯烴聚合物膜。
  16. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜的厚度為10 μm以下。
  17. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜的厚度為8 μm以下。
  18. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜的厚度為5 μm以下。
  19. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜的厚度為3 μm以下。
  20. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,該膜由感光性樹脂組成物的硬化物形成。
  21. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述透明電極為含有氧化銦錫的電極。
  22. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述透明電極為含有金屬奈米線的電極。
  23. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述透明電極為含有銀奈米線的電極。
  24. 如申請專利範圍第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述引出配線為含有銅或銀的配線。
  25. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,且400 nm~700 nm下的可見光透過率的最小值為90%以上。
  26. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述基板、上述透明電極及上述樹脂膜重疊的積層體的400 nm~700 nm下的可見光透過率的最小值為90%以上。
  27. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述基板為聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜或環烯烴聚合物膜。
  28. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述樹脂膜的厚度為10 μm以下。
  29. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述樹脂膜的厚度為8 μm以下。
  30. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述樹脂膜的厚度為5 μm以下。
  31. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸碰面板,其中上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,上述樹脂膜的厚度為3 μm以下。
  32. 如申請專利範圍第1項所述的觸碰面板,其中上述基板為聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜或環烯烴聚合物膜,上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,該膜由感光性樹脂組成物的硬化物形成,上述樹脂膜的厚度為10 μm以下,上述基板、上述透明電極及上述樹脂膜重疊的積層體的400 nm~700 nm下的可見光透過率的最小值為90%以上。
  33. 如申請專利範圍第2項所述的觸碰面板,其中上述基板為聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜或環烯烴聚合物膜,上述引出配線為含有銅或銀的配線,上述樹脂膜為氯含量為80 ppm以下的膜,該膜由感光性樹脂組成物的硬化物形成,上述樹脂膜的厚度為10 μm以下,上述基板、上述透明電極及上述樹脂膜重疊的積層體的400 nm~700 nm下的可見光透過率的最小值為90%以上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI565380B (zh) * 2014-09-30 2017-01-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
TWI576751B (zh) * 2014-07-15 2017-04-01 Hitachi Chemical Co Ltd A display device for a touch panel input device with an electrostatic capacitance coupling method

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