CN106516757A - 电子部件的输送装置以及电子部件串的制造方法 - Google Patents

电子部件的输送装置以及电子部件串的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电子部件在输送路径中不易堵塞的电子部件的输送装置。电子部件的输送装置(2)具备旋转路径(21)和第一磁力产生部(24a)。旋转路径(21)沿着大致长方体状的电子部件(1)的输送方向延伸。旋转路径(21)相对于水平方向倾斜。旋转路径(21)包括彼此相交的第一面(21a)和第二面(21b)。第一磁力产生部(24a)配置在旋转路径(21)的侧方。

Description

电子部件的输送装置以及电子部件串的制造方法
技术领域
本发明涉及电子部件的输送装置以及电子部件串的制造方法。
背景技术
作为电子部件的一种,已知有层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器中,层叠有多个内部电极和陶瓷电介质层。
层叠陶瓷电容器一般安装于基板进行使用。在层叠陶瓷电容器安装于基板时,在内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况和垂直的情况下,存在机械强度有差异或者寄生电容值不同的情况。
此外,在内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况和垂直的情况下,存在噪音(acoustic noise)的大小不同的情况。在此,“噪音”是指,由于起因于所施加的电压的变动而产生的层叠陶瓷电容器的形变,使基板振动而产生的声音。
因此,要求以使内部电极的层叠方向对准规定的方向的状态将层叠陶瓷电容器安装于基板。
在专利文献1记载了使层叠陶瓷电容器对准规定的方向的电子部件的输送装置的一个例子。专利文献1记载的输送装置具有第一输送路径、旋转路径以及第二输送路径。在旋转路径中设置有第一磁铁,以便对电子部件施加磁力,使得电子部件的内部电极朝向规定的方向。旋转路径具有移送引导壁,引导壁的间隔朝向与第二输送路径连接的端部逐渐变窄。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-018698号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1记载的电子部件的输送装置中,存在通过旋转路径的电子部件的姿势倾斜而使电子部件容易堵塞的问题。
本发明的主要目的在于,提供一种电子部件在输送路径中不易堵塞的电子部件的输送装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的第一电子部件的输送装置具备旋转路径和第一磁力产生部。旋转路径沿着大致长方体状的电子部件的输送方向延伸。旋转路径相对于水平方向倾斜。旋转路径包括彼此相交的第一面和第二面。第一磁力产生部配置在旋转路径的侧方。
在本发明涉及的第一电子部件的输送装置中,优选第一面与第二面所成的角不是90°。
在本发明涉及的第一电子部件的输送装置中,优选第一面与第二面所成的角大于90°。
在本发明涉及的第一电子部件的输送装置中,优选第一磁力产生部配置在旋转路径的第一面的侧方,并且第一面相对于水平方向的倾斜角大于第二面相对于水平方向的倾斜角。
在本发明涉及的第一电子部件的输送装置中,优选第一磁力产生部的通过N极和S极的中心线通过第一面,在将中心线与第一面的交点到第一面与第二面的交叉点的最短距离设为L1、并将电子部件的宽度和高度中的较大的尺寸设为D时,L1>D/2。
本发明涉及的第一电子部件的输送装置优选还具备第二磁力产生部,该第二磁力产生部配置在旋转路径的第二面的侧方,且配置在第一磁力产生部的下游。
本发明涉及的第一电子部件的输送装置优选具备覆盖旋转路径的罩。
本发明涉及的第二电子部件的输送装置具备旋转路径和第一磁力产生部。旋转路径具备第一路径部和第二路径部。第一路径部沿着电子部件的输送方向延伸。第一路径部相对于水平方向倾斜。第一路径部包括彼此相交的第一面和第二面。第二路径部沿着输送方向延伸。第二路径部相对于水平方向倾斜。第二路径部包括彼此相交的第三面和第四面。第二路径部位于第一路径部的第一面侧。第一面的上端与第四面的上端连接。第一面的下端与上端的最短距离比所输送的电子部件的宽度和高度中的较大的尺寸短。第一磁力产生部配置在旋转路径的第三面的侧方。
在本发明涉及的第二电子部件的输送装置中,在与第三面垂直的方向上,在将第一磁力产生部的朝向第三面的面中的与第三面重合的部分的面积设为S1、并将与第三面不重合的部分的面积设为S2时,优选S1>S2。
本发明涉及的电子部件串的制造方法包括:使用本发明涉及的第一或第二电子部件的输送装置来对齐多个电子部件的层叠方向的工序。
本发明涉及的电子部件串的制造方法优选还包括:将被对齐了层叠方向的多个电子部件容纳于带的工序。
发明效果
根据本发明,能够提供一种电子部件在输送路径中不易堵塞的电子部件的输送装置。
附图说明
图1是表示第一实施方式涉及的电子部件的输送装置的主要部分的示意性的立体图。
图2是在第一实施方式中输送的电子部件的示意性的立体图。
图3是图2的线III-III处的示意性的剖视图。
图4是第一实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图5是第一实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图6是第一实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图7是第二实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图8是第三实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图9是第三实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图10是第三实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图11是第四实施方式涉及的电子部件的输送装置的示意性的剖视图。
图12是第五实施方式涉及的电子部件串的示意性的剖视图。
图13是图12的线XII-XII处的示意性的剖视图。
图中:1-电子部件,2、2a、2b、2c-输送装置,3-电子部件串,10-电子部件主体,10a-第一主面,10b-第二侧面,10c-第一侧面,10d-第二侧面,10e-第一端面,10f-第二端面,10g-陶瓷部,11-第一内部电极,12-第二内部电极,13-第一外部电极,14-第二外部电极,20-输送通路,21、21A、21B-旋转路径,21B1-第一路径部,21B2-第二路径部,21a-第一面,21b-第二面,21c-第三面,21d-第四面,24a-第一磁力产生部,24b-第二磁力产生部,30-罩,40-带,41-载置带,42-覆盖带,43-腔。
具体实施方式
以下,对实施本发明的优选的方式的一个例子进行说明。但是,下述的实施方式只是举例说明。本发明不受下述实施方式的任何限定。
此外,在实施方式等中参照的各图中,对实质上具有相同的功能的构件标注相同的附图标记。此外,在实施方式等中参照的图是示意性地记载的图。图中描绘的物体的尺寸的比率等有时与现实的物体的尺寸的比率等不同。有时在各图彼此之间物体的尺寸比率等也不同。具体的物体的尺寸比率等应参考以下的说明进行判断。
(第一实施方式)
图1是表示本实施方式涉及的电子部件的输送装置的主要部分的示意性的立体图。图1所示的电子部件的输送装置2是输送电子部件1的装置。输送的电子部件1只要是大致长方体状即可,没有特别限定。
具体地,在本实施方式中,对通过电子部件的输送装置2来输送图2和图3所示的电子部件1的例子进行说明。
(电子部件1)
图2是在本实施方式中输送的电子部件1的示意性的立体图。图3是图2的线III-III处的示意性的剖视图。
图2和图3所示的电子部件1是大致长方体状的电容器。具体地,电子部件1是大致长方体状的层叠陶瓷电容器。本发明适合于容易产生噪音的具有大的静电电容的电子部件1,特别适合于静电电容为1μF以上、10μF以上的电子部件1。
不过,在本发明中电子部件不限定于电容器。在本发明中,电子部件也可以是热敏电阻、电感器等。
电子部件1具备主体10。主体10是大致长方体状。另外,设大致长方体除了长方体以外还包括长方体的角部、棱线部形成有圆角的长方体。
如图3所示,主体10具有第一主面10a和第二主面10b、第一侧面10c和第二侧面10d、以及第一端面10e和第二端面10f。第一主面10a和第二主面10b分别沿着长度方向L延伸并且分别沿着宽度方向W延伸。长度方向L与宽度方向W正交。第一侧面10c和第二侧面10d分别沿着长度方向L延伸并且分别沿着高度方向H延伸。高度方向H与长度方向L以及宽度方向W分别正交。第一端面10e和第二端面10f分别沿着宽度方向W延伸并且分别沿着高度方向H延伸。
主体10的长度方向L上的尺寸大于宽度方向W上的尺寸,并且大于高度方向H上的尺寸。主体10的宽度方向W上的尺寸和主体10的高度方向H上的尺寸实质上相等。具体地,主体10的宽度方向W上的尺寸是主体10的高度方向H上的尺寸的0.8倍以上1.2倍以下。但是,主体10的宽度方向W上的尺寸和高度方向H上的尺寸也可以不同。本发明的电子部件的输送装置对于主体10的宽度方向W上的尺寸和高度方向H上的尺寸不同的电子部件1也能够进行应用,在这一点上,比用于在输送电子部件1的同时使其旋转的以往的输送装置更有利。
具体地,作为使电子部件1容易通过磁力进行旋转的尺寸,在本实施方式中,电子部件主体10的沿着长度方向L的尺寸优选为0.6mm以上2.0mm以下。电子部件主体10的沿着宽度方向W的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。电子部件主体10的沿着高度方向H的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。
为了得到静电电容,电子部件主体10作为主成分由电介质陶瓷构成。作为电介质陶瓷的具体例子,例如可举出BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3等。根据电子部件1要求的特性,可以在电子部件主体10中适当添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等含量比主成分少的副成分。电介质陶瓷优选是强电介质陶瓷,其相对介电常数优选为2000以上,更优选为3000以上。在该情况下,能够在上述的电子部件主体10的尺寸范围内实现1μF以上、10μF以上的静电电容。这样的电子部件1容易产生噪音,适合应用本发明。
如图3所示,在电子部件主体10的内部,作为内部导体设置有多个第一内部电极11和多个第二内部电极12。
第一内部电极11和第二内部电极12沿着高度方向H交替层叠,在高度方向H上隔着陶瓷部10g对置。从增加内部电极11、12的个数来促进基于磁力的旋转的观点出发,陶瓷部10g的厚度优选为1μm以下。但是,当陶瓷部10g过薄时,存在耐电压性降低的情况。因此,陶瓷部10g的厚度优选为0.3μm以上。内部电极11、12的合计个数优选为350个以上。
第一内部电极11沿着长度方向L和宽度方向W设置。第一内部电极11引出到第一端面10e。第一内部电极11未被引出到第一主面10a和第二主面10b、第一侧面10c和第二侧面10d、以及第二端面10f。
第二内部电极12沿着长度方向L和宽度方向W设置。第二内部电极12引出到第二端面10f。第二内部电极12未被引出到第一主面10a和第二主面10b、第一侧面10c和第二侧面10d、以及第一端面10e。
第一内部电极11和第二内部电极12分别含有金属,特别是强磁性金属。作为优选使用的强磁性金属的具体例子,例如可举出Ni、Fe、包含Ni和Fe中的至少一种的合金等。
在第一端面10e设置有第一外部电极13。第一外部电极13从第一端面10e直至第一主面10a和第二主面10b的一部分、以及第一侧面10c和第二侧面10d的一部分。第一外部电极13在第一端面10e中与第一内部电极11连接。
在第二端面10f设置有第二外部电极14。第二外部电极14从第二端面10f直至第一主面10a和第二主面10b的一部分、以及第一侧面10c和第二侧面10d的一部分。第二外部电极14在第二端面10f中与第二内部电极12连接。
第一外部电极13和第二外部电极14分别含有例如Pt、Au、Ag、Cu、Ni、Cr等中的至少一种。
(电子部件的输送装置2)
接着,参照图1以及图4~图6对电子部件的输送装置2进行详细说明。另外,图4~图6是从输送方向的上游侧进行观察时的旋转路径的示意性的剖视图。
电子部件的输送装置2具备输送通路20(参照图1)。输送通路20与容纳有多个电子部件1的容纳部(未图示)连接。从该容纳部向输送通路20供给电子部件1。在输送通路20内输送的电子部件1被存入到存入电子部件1的存入部(未图示)。
在输送通路20内沿着电子部件1的长度方向L输送电子部件1。在输送通路20设置有旋转路径21。
如图4所示,旋转路径21具有第一面21a和第二面21b。第一面21a沿着电子部件1的输送方向延伸,并且相对于水平方向倾斜。即,第一面21a相对于水平方向不是0°,也不是90°。第二面21b沿着电子部件1的输送方向延伸,并且相对于水平方向倾斜。即,第二面21b相对于水平方向不是0°,也不是90°。第一面21a从上端到下端朝向第二面21b延伸。第二面21b从上端到下端朝向第一面21a延伸。第一面21a和第二面21b彼此相交。即,通过第一面21a和第二面21b,在相对于输送方向和铅垂方向正交的剖面中形成有大致V字状的槽。第一面21a和第二面21b分别是平面。第一面21a与第二面21b所成的角θ大于90°。
在将用锐角规定的第一面21a相对于水平方向的角设为θ1、并将用锐角规定的第二面21b相对于水平方向的角设为θ2时,θ1与θ2可以相同,也可以不同,优选θ1大于θ2。θ1例如优选为20°以上55°以下,更优选为30°以上45°以下。θ2例如优选为10°以上45°以下,更优选为20°以上35°以下。θ1与θ2之差优选为1°以上30°以下,更优选为10°以上20°以下。
在旋转路径21的一侧的侧方配置有第一磁力产生部24a。具体地,第一磁力产生部24a配置在第一面21a的侧方(x1侧)。更具体地,第一磁力产生部24a配置为通过第一磁力产生部24a的N极和S极的中心线相对于水平方向倾斜,并且配置为第一磁力产生部24a的S极或N极中的一方的面与第一面21a平行。第一磁力产生部24a配置为通过N极和S极的中心线与第一面21a垂直。
在旋转路径21的另一侧的侧方配置有第二磁力产生部24b。具体地,第二磁力产生部24b配置在第二面21b的侧方(x2侧)。更具体地,第二磁力产生部24b配置为通过第二磁力产生部24b的N极和S极的中心线相对于水平方向倾斜,并且配置为第二磁力产生部24b的S极或N极中的一方的面与第二面21b平行。第二磁力产生部24b配置为通过N极和S极的中心线与第一面21a垂直。第二磁力产生部24b在电子部件1的输送方向上配置在第一磁力产生部24a的下游。第二磁力产生部24b的磁力比第一磁力产生部24a的磁力弱。在从电子部件1的输送方向进行观察时,通过第一磁力产生部24a的N极和S极的中心线通过第二磁力产生部24b。通过第二磁力产生部24b的N极和S极的中心线通过第一磁力产生部24a。第一磁力产生部24a的中心线和第二磁力产生部24b的中心线位于一条直线上。
不过,在本发明中也可以只设置第一磁力产生部。
第一磁力产生部24a和第二磁力产生部24b分别产生磁力。第一磁力产生部24a和第二磁力产生部24b分别例如能够由永久磁铁、电磁铁构成。
在旋转路径21内,例如通过使电子部件1振动而从上游向下游输送电子部件1。电子部件1以第一主面10a和第二主面10b以及第一侧面10c和第二侧面10d中的任一面沿着第一面21a或第二面21b的状态进行输送。在θ1大于θ2的情况下,电子部件1容易以第一主面10a和第二主面10b以及第一侧面10c和第二侧面10d中的任一面沿着第二面21b的状态进行输送。从使电子部件1以沿着第二面21b的状态更容易地进行输送的观点出发,优选θ1比θ2大1°以上,更优选大10°以上。
如图4所示,在输送到旋转路径21的电子部件1的内部电极11、12的层叠方向与第二面21b平行的情况下,即,在电子部件1的第一侧面10c或第二侧面10d中的任一面沿着第二面21b的情况下,由于在第一磁力产生部24a产生的磁力,电子部件1会以长度方向L为轴进行旋转。然后如图5所示,最终电子部件1的第一侧面10c或第二侧面10d中的任一面沿着第一面21a,并且内部电极11、12的层叠方向与第一磁力产生部24a的S极和N极中的一方的面平行。通过了旋转路径21的电子部件1以沿着第一面21a的状态被输送到输送通路20的下游。
如图6所示,在输送到旋转路径21的电子部件1以内部电极11、12的层叠方向与第二面21b垂直的方向进行输送的情况下,电子部件1也会由于第一磁力产生部24a产生的磁力而以长度方向L为轴稍微进行旋转,从而如图5所示,电子部件1以沿着第一面21a的状态被输送到输送通路20的下游侧。像这样,在电子部件的输送装置2中,无论是在输送到旋转路径21的电子部件1的内部电极11、12的层叠方向与第二面21b平行的情况下,还是在垂直的情况下,均会如图5所示,电子部件1以内部电极11、12的层叠方向相对于第一面21a平行的状态被输送,即,电子部件1以第一侧面10c或第二侧面10d中的任一面沿着第一面21a的状态被输送。
另外,在输送到旋转路径21的电子部件1与第一面21a接触、且电子部件1的第一侧面10c或第二侧面10d中的任一面沿着第一面21a的情况下,在旋转路径21中电子部件1将不旋转。
如上所述,在电子部件的输送装置2中,即使不设置用于使电子部件1旋转的间隙,电子部件1也会旋转,使电子部件1的内部电极11、12的层叠方向在旋转路径21中对齐。在到达设置有第一磁力产生部24a的区域之前,电子部件1沿着沿输送方向延伸的第一面21a或第二面21b进行输送,并且无论是在旋转路径21中进行旋转的电子部件1还是未进行旋转的电子部件1均沿着第一面21a在旋转路径21内进行输送。因此,电子部件1的长度方向L相对于输送方向不易倾斜。因此,电子部件1在旋转路径21中不易堵塞。
电子部件的输送装置2除了第一磁力产生部24a以外还具备第二磁力产生部24b。第二磁力产生部24b配置在第一磁力产生部24a的下游。因此,通过了旋转路径21的电子部件1的内部电极11、12的层叠方向会更可靠地对齐。此外,在旋转路径21中电子部件1能够保持沿着第一面21a的状态。因此,在旋转路径21中电子部件1更不易堵塞。
从使电子部件1容易旋转的观点出发,优选第一面21a与第二面21b所成的角θ大于90°,且优选θ1大于θ2。在该情况下,电子部件1容易沿着第二面21b输送到旋转路径21,成为第一面21a与电子部件1分离的状态,因此电子部件1容易旋转。
从使电子部件1更容易旋转的观点出发,θ优选为91°以上,更优选为100°以上。但是,当θ过大时,电子部件1在输送中途容易倾斜。因此,θ优选为120°以下,更优选为110°以下。
从使电子部件1更容易旋转的观点出发,如图5所示,优选第一磁力产生部24a配置为通过第一磁力产生部24a的N极和S极的中心线S通过第一面21a。具体地,优选中心线S与第一面21a的交点到第一面和第二面的交点的最短距离L1与电子部件1的高度H的关系为L1>H/2。
电子部件的输送装置2具备罩30。因此,能够抑制输送的电子部件1从旋转路径21内飞出、在旋转路径21内产生不必要的位移。
以下,对本发明的优选的实施方式的其它例子进行说明。在以下的说明中,对实质上与上述第一实施方式具有共同的功能的构件标注共同的附图标记,并省略说明。
(第二实施方式)
图7是第二实施方式中的旋转路径21A的示意性的剖视图。详细地,图7是从输送方向的上游进行观察时的旋转路径21A的示意性的剖视图。本实施方式涉及的输送装置2a与第一实施方式涉及的输送装置2的不同点在于,第一面21a与第二面21b所成的角θ小于90°。
在本实施方式中,第一面21a与第二面21b所成的角θ小于90°。在该情况下,电子部件1以与第一面21a和第二面21b这两者接触的状态进行输送,具体地,实质上以点接触的状态进行输送。因此,可限制电子部件1在输送中途在水平方向上产生位移,能够抑制电子部件1的长度方向L相对于输送方向倾斜。因此,电子部件1在输送通路20内不易堵塞。此外,因为第一面21a与第二面21b所成的角小于90°,所以电子部件1与旋转路径21A的接触面积小。因此,能够容易地使电子部件1旋转。
从更有效地抑制电子部件1的堵塞的观点出发,θ优选为89°以下,更优选为75°以下。但是,当θ过小时,存在过度旋转的情况。因此,θ优选为30°以上,更优选为45°以上。
另外,在第一实施方式中对θ大于90°的情况进行了说明,在第二实施方式中对θ小于90°的情况进行了说明。但是,本发明不限定于此。θ也可以是90°。
(第三实施方式)
图8~10是第三实施方式涉及的电子部件的输送装置2b的示意性的剖视图。另外,图8~10是从输送方向的上游进行观察的旋转路径的示意性的剖视图。
如图8~图10所示,在第三实施方式中,旋转路径21B具备第一路径部21B1和第二路径部21B2。
第一路径部21B1具备彼此相交的第一面21a和第二面21b。第一面21a和第二面21b分别沿着电子部件1的输送方向延伸,并且相对于水平方向倾斜。即,第一面21a和第二面21b分别相对于水平方向不是0°,也不是90°。第一面21a从上端到下端朝向第二面21b延伸。第二面21b从上端到下端朝向第一面21a延伸。第一面21a与第二面21b彼此相交。即,通过第一面21a和第二面21b,在相对于输送方向和铅垂方向正交的横剖面中形成有大致V字状的槽。第一面21a和第二面21b分别是平面。第一面21a与第二面21b所成的角优选为大致90°。
第二路径部21B2位于第一路径部21B1的侧方(x1侧)。第二路径部21B2具备彼此相交的第三面21c和第四面21d。第三面21c和第四面21d分别沿着电子部件1的输送方向延伸,并且相对于水平方向倾斜。即,第三面21c和第四面21d分别相对于水平方向不是0°,也不是90°。第三面21c从上端到下端朝向第四面21d延伸。第四面21d从上端到下端朝向第三面21c延伸。第三面21c与第四面21d彼此相交。即,通过第三面21c和第四面21d,在相对于输送方向和铅垂方向正交的横剖面中形成有大致V字状的槽。第三面21c和第四面21d分别是平面。第三面21c与第四面21d所成的角优选为大致90°。
第二路径部21B2的第四面21d的上端与第一路径部21B1的第一面21a的上端连接。
第一面21a的下端与上端的最短距离比所输送的电子部件1的宽度和高度中的较大的尺寸D短。
在旋转路径21B的第三面21c侧的侧方配置有第一磁力产生部24a。具体地,第一磁力产生部24a配置为S极或N极中的一方的面与第三面21c平行。第一磁力产生部24a配置为通过N极和S极的中心线与第三面21c垂直。在本实施方式中,只设置有第一磁力产生部24a,未设置第二磁力产生部。
如图8所示,电子部件1从上游通过第一路径部21B1进行输送。到达旋转路径21B的电子部件1在内部电极11、12的层叠方向朝向所需的方向的情况下,在第一路径部21B1内进行输送。此时,电子部件1以与第一面21a和第二面21b接触的状态进行输送。因此,电子部件1以长度方向L沿着输送方向的状态进行输送。或者,也存在电子部件1向第二路径部21B2移动并以内部电极11、12的层叠方向朝向所需的方向的状态在第二路径部21B2内进行输送的情况。
如图9所示,在到达旋转路径21B的电子部件1的内部电极11、12的层叠方向未朝向所需的方向的情况下,电子部件1会如图10所示,一边通过由第一磁力产生部24a产生的磁力进行旋转一边向第二路径部21B2移动。向第二路径部21B2移动的电子部件1在第二路径部21B2内进行输送。此时,电子部件1以与第三面21c和第四面21d接触的状态进行输送。因此,电子部件1以长度方向L沿着输送方向的状态进行输送。
像这样,电子部件1在沿着输送方向延伸的第一路径部21B1或第二路径部21B2内进行输送。因此,电子部件1的长度方向L相对于输送方向不易倾斜。因此,能够抑制电子部件1在输送通路20中堵塞。
从使电子部件1容易在所需的方向旋转的观点出发,在与第三面21c垂直的方向上,在将第一磁力产生部24a的朝向第三面21c的面中的与第三面21c重合的部分的面积设为S1、并将与第三面21c不重合的部分的面积设为S2时,优选S1>S2。
(第四实施方式)
图11是第四实施方式中的输送装置2c的示意性的剖视图。另外,图11是从电子部件1的输送方向的上游侧进行观察的图。
在本发明中,第一磁力产生部24a和第二磁力产生部24b只要配置为使磁力线通过电子部件1即可,该电子部件1通过旋转路径21。在第一~第三实施方式中,关于第一磁力产生部24a和第二磁力产生部24b,对它们分别配置为通过N极和S极的中心线与对置的面垂直的例子进行了说明。但是,本发明不限定于该结构。
在第四实施方式中,如图11所示,第一磁力产生部24a配置为S极或N极中的一方的面与第一面21a垂直,第二磁力产生部24b配置为S极或N极中的一方的面与第二面21b垂直。第一磁力产生部24a和第二磁力产生部24b分别配置为通过N极和S极的中心线与对置面平行。即使在这种情况下,也能够使电子部件1旋转,使得电子部件1的内部电极11、12的层叠方向朝向所需的方向。
此外,连结第一磁力产生部24a的S极或N极的直线也可以沿着电子部件1的输送方向。
(第五实施方式)
图12和图13所示的电子部件串3是用带包裹多个电子部件1而成的。电子部件串3具有长条状的带40。如图13所示,带40具有长条状的载置带41和长条状的覆盖带42。载置带41具有沿着长边方向彼此隔开间隔设置的多个腔43。覆盖带42设置为在载置带41上覆盖多个腔43。多个腔43的每一个中容纳有电子部件1。例如,多个电子部件1配置为第二主面10b朝向腔43的底面侧,使得安装为内部电极11、12的层叠方向相对于布线基板的法线方向平行。因此,对于用带包裹的电子部件串3的多个电子部件1,在第一主面10a被吸附并被保持,并被安装为第二主面10b朝向布线基板。或者,多个电子部件1配置为第二侧面10c朝向腔43的底面,使得安装为内部电极11、12的层叠方向相对于布线基板的法线方向正交。因此,对于电子部件串3的多个电子部件1,在第一侧面10c被吸附并被保持,并被安装为第一侧面10c朝向布线基板。另外,载置带40可以是树脂制的,也可以是纸制的。
电子部件串3可通过以下方式制造。例如,使用电子部件1的输送装置2将多个电子部件1的层叠方向对其。接下来,分别容纳于载置带41的多个腔43。然后,用覆盖带42覆盖容纳有电子部件1的各腔43。由此,制造电子部件串3。

Claims (11)

1.一种电子部件的输送装置,具备:
旋转路径,沿着大致长方体状的电子部件的输送方向延伸,并且相对于水平方向倾斜,包括彼此相交的第一面和第二面;以及
第一磁力产生部,被配置在所述旋转路径的侧方。
2.根据权利要求1所述的电子部件的输送装置,其中,
所述第一面与所述第二面所成的角不是90°。
3.根据权利要求1所述的电子部件的输送装置,其中,
所述第一面与所述第二面所成的角大于90°。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的电子部件的输送装置,其中,
所述第一磁力产生部被配置在所述旋转路径的所述第一面的侧方,
所述第一面相对于水平方向的倾斜角大于所述第二面相对于水平方向的倾斜角。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的电子部件的输送装置,其中,
通过该第一磁力产生部的N极和S极的中心线通过所述第一面,
在将所述中心线与所述第一面的交点到所述第一面与所述第二面的交叉点的最短距离设为L1、并将所述电子部件的宽度和高度中的较大的尺寸设为D时,
L1>D/2。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的电子部件的输送装置,其中,
该电子部件的输送装置还具备:第二磁力产生部,被配置在所述旋转路径的所述第二面的侧方,且配置在所述第一磁力产生部的下游。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的电子部件的输送装置,其中,
该电子部件的输送装置具备:罩,覆盖所述旋转路径。
8.一种电子部件的输送装置,具备:
旋转路径,包括:第一路径部,沿着电子部件的输送方向延伸,并且相对于水平方向倾斜,具有彼此相交的第一面和第二面;以及第二路径部,位于所述第一路径部的所述第一面侧,沿着所述输送方向延伸,并且相对于水平方向倾斜,具有彼此相交的第三面和第四面,所述第一面的上端与所述第四面的上端连接,所述第一面的下端与上端的最短距离比所输送的电子部件的宽度和高度中的较大的尺寸短;以及
第一磁力产生部,被配置在所述旋转路径的所述第三面的侧方。
9.根据权利要求8所述的电子部件的输送装置,其中,
在与所述第三面垂直的方向上,在将所述第一磁力产生部的朝向所述第三面的面中的与所述第三面重合的部分的面积设为S1、并将与所述第三面不重合的部分的面积设为S2时,
S1>S2。
10.一种电子部件串的制造方法,包括:
使用权利要求1~9中的任一项所述的电子部件的输送装置来将多个电子部件的层叠方向对齐的工序。
11.根据权利要求10所述的电子部件串的制造方法,还包括:
将被对齐了所述层叠方向的所述多个电子部件容纳于带的工序。
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