JP6798528B2

JP6798528B2 - チップ部品の整列方法

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Publication number: JP6798528B2
Application number: JP2018101253A
Authority: JP
Inventors: 誉新清; 孝太郎清水; 達哉東度
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2018-05-28
Filing date: 2018-05-28
Publication date: 2020-12-09
Anticipated expiration: 2038-05-28
Also published as: KR20190135407A; KR102268592B1; JP2019207904A

Description

本発明は、チップ部品を整列させる方法に関する。

内部電極を有し、略直方体の形状を有するチップ部品について、内部電極が所定の方向を向くように、チップ部品を整列させる方法が知られている。

特許文献１には、平面視でチップ部品の寸法よりも大きい凹状のポケットにチップ部品を収容した状態で、ポケットの底面と平行な方向に磁石を移動させることによって、内部電極の向きをポケットの底面と直交する方向に揃える方法が記載されている。すなわち、平板状の内部電極の向きがポケットの底面と平行であるチップ部品に対して、磁石を移動させて磁力線を内部電極に作用させると、チップ部品が横転することによって、内部電極の向きがポケットの底面と直交する方向に揃うと、特許文献１には記載されている。

特開２００３−７５７４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の整列方法では、図１および図２に示すように、チップ部品の長さ方向に対する磁石の着磁方向が９０°となっている。このため、内部電極の向きがポケットの底面と平行であるチップ部品の横転率はそれほど高くなく、チップ部品の整列率を向上させるために、改善の余地がある。

本発明は、上記課題を解決するものであり、チップ部品の整列率を向上させることができる技術を提供することを目的とする。

本発明のチップ部品の整列方法は、
長さ方向の寸法Ｌ１が幅方向の寸法Ｗ１および厚み方向の寸法Ｔ１よりも長い略直方体の形状を有し、磁性体であって、かつ、前記長さ方向および前記幅方向により規定される面と平行である内部電極を備えたチップ部品の整列方法であって、
底面と、第１の側壁と、前記第１の側壁と対向する第２の側壁と、前記第１の側壁に沿った面と前記第２の側壁に沿った面との間に位置する第３の側壁とを有し、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間の距離が、前記チップ部品の前記幅方向および前記厚み方向により規定される面の対角線の寸法以上であり、かつ、前記長さ方向の寸法Ｌ１以下である収容空間に、前記チップ部品を収容する工程と、
前記収容空間に収容された前記チップ部品に対して磁石を相対的に移動させることによって、前記内部電極の向きが前記底面と直交する方向を向くように前記チップ部品を整列させる工程と、
を備え、
前記チップ部品に対して前記磁石を相対的に移動させるときの着磁方向は、前記チップ部品の前記長さ方向に対して０°以上９０°未満の範囲である、
ことを特徴とする。

前記収容空間は、前記第３の側壁と対向する第４の側壁をさらに備えていてもよい。

前記収容空間は、基板に設けられている凹部であってもよい。

前記収容空間に前記チップ部品を収容した後、前記収容空間の上方を覆うように蓋をする工程をさらに備え、
前記蓋をした状態で、前記底面から前記蓋の内面までの距離は、前記チップ部品の前記幅方向および前記厚み方向により規定される面の対角線の寸法以上であってもよい。

前記蓋をした状態で、前記底面から前記蓋の内面までの距離は、前記チップ部品の前記長さ方向の寸法Ｌ１以下であってもよい。

前記収容空間に収容された前記チップ部品に対する前記磁石の相対的な移動方向は、前記磁石の着磁方向に対して０°以上９０°未満の方向であってもよい。

前記収容空間は、基板に複数設けられており、
複数の前記収容空間は、前記基板の主面と平行である第１の方向に並んでいてもよい。

前記第１の方向に並んで複数設けられている前記収容空間はさらに、前記基板の主面と平行であり、かつ、前記第１の方向と直交する、第２の方向にも並んで複数設けられていてもよい。

前記チップ部品は、前記厚み方向に積層された複数の前記内部電極を備えており、
複数の前記内部電極は、前記チップ部品の前記幅方向に対向する面である側面に露出していてもよい。

前記底面、前記第１の側壁、前記第２の側壁および前記第３の側壁は、非磁性体によって構成されていてもよい。

前記チップ部品に対して前記磁石を相対的に移動させる工程を複数回行ってもよい。

前記チップ部品に対する前記磁石を相対的に移動させる際の移動速度は、１００ｍｍ／ｓ以下としてもよい。

本発明のチップ部品の整列方法によれば、チップ部品の長さ方向に対する磁石の着磁方向が０°以上９０°未満の範囲となるように、チップ部品に対して磁石を相対的に移動させるので、内部電極の向きが底面と直交する方向を向いていないチップ部品の回転率が高くなり、内部電極の向きが底面と直交する方向を向く整列率を向上させることができる。

積層セラミックコンデンサを構成するセラミック素体の斜視図である。セラミック素体の幅方向および厚み方向により規定される面の対角線の寸法を説明するための図である。（ａ）は、誘電体層上に配設された第１の内部電極の形状を示す斜視図であり、（ｂ）は、誘電体層上に配設された第２の内部電極の形状を示す斜視図である。パレットの形状を示す平面図である。（ａ）は、パレットに設けられた凹部の形状を示す平面図であり、（ｂ）は、蓋をした状態の凹部の側面図である。蓋の上方において、パレットと平行な方向に磁石を移動させる様子を示す平面図である。セラミック素体に対して磁石を相対的に移動させることにより、セラミック素体を回転させて、内部電極の向きを揃える工程を説明するための図である。凹部の上方に位置する内面部分が他の内面部分に対して、厚み方向に凹んでいる形状の蓋を用いた場合の断面図である。

以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところを具体的に説明する。

まず初めに、整列させる対象のチップ部品の構成について説明する。ここでは、チップ部品の一例として、積層セラミックコンデンサを構成するセラミック素体を挙げて説明する。

（セラミック素体）
図１は、積層セラミックコンデンサを構成するセラミック素体１０の斜視図である。セラミック素体１０は、全体として略直方体の形状を有する。

ここでは、略直方体の形状を有するセラミック素体１０の最も長い辺と平行な方向を長さ方向Ｌと定義する。また、後述する内部電極２（２ａ、２ｂ）の積層方向を厚み方向Ｔと定義し、長さ方向Ｌおよび厚み方向Ｔのいずれの方向にも直交する方向を幅方向Ｗと定義する。

セラミック素体１０は、長さ方向Ｌに相対する第１の端面１１ａおよび第２の端面１１ｂと、厚み方向Ｔに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、幅方向Ｗに相対する第１の側面１３ａおよび第２の側面１３ｂとを有する。

セラミック素体１０は、角部および稜線部に丸みを帯びていることが好ましい。ここで、角部は、セラミック素体１０の３面が交わる部分であり、稜線部は、セラミック素体１０の２面が交わる部分である。上述した「略直方体の形状」には、角部や稜線部に丸みがついた形状も含まれる。

セラミック素体１０の長さ方向Ｌの寸法Ｌ１は、幅方向Ｗの寸法Ｗ１および厚み方向Ｔの寸法Ｔ１より長い。すなわち、Ｌ１＞Ｗ１およびＬ１＞Ｔ１の関係が成り立つ。

例えば、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの寸法Ｌ１は、１．１ｍｍであり、幅方向Ｗの寸法Ｗ１は０．５７ｍｍであり、厚み方向Ｔの寸法Ｔ１は０．５７ｍｍである。また、図２に示すように、セラミック素体１０の幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔにより規定される面、すなわち、セラミック素体１０を長さ方向Ｌに見たときの面の対角線の寸法Ｄ１は、例えば０．８ｍｍである。

セラミック素体１０は、誘電体層１と、第１の内部電極２ａおよび第２の内部電極２ｂとを備える。第１の内部電極２ａおよび第２の内部電極２ｂは、セラミック素体１０の長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗにより規定される面と平行に配設されている。

図３（ａ）は、誘電体層１上に配設された第１の内部電極２ａの形状を示す斜視図であり、図３（ｂ）は、誘電体層１上に配設された第２の内部電極２ｂの形状を示す斜視図である。

第１の内部電極２ａは、図３（ａ）に示すように、平面視で十字状の形状を有する。第１の内部電極２ａの、対向する一対の端部２１ｘ、２１ｙは、セラミック素体１０の第１の側面１３ａおよび第２の側面１３ｂにそれぞれ引き出されて露出している。

第２の内部電極２ｂは、図３（ｂ）に示すように、平面視で長方形の形状を有する。第２の内部電極２ｂの、対向する一対の端部２２ｘ、２２ｙは、セラミック素体１０の第１の端面１１ａおよび第２の端面１１ｂにそれぞれ引き出されて露出している。

第１の内部電極２ａと第２の内部電極２ｂは、厚み方向Ｔにおいて、誘電体層１を介して交互に配設されている。第１の内部電極２ａと第２の内部電極２ｂが誘電体層１を介して対向することにより容量が形成され、これにより、コンデンサとして機能する。

第１の内部電極２ａおよび第２の内部電極２ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、およびＡｕなどの金属、ＡｇとＰｄの合金などを含有している。第１の内部電極２ａおよび第２の内部電極２ｂは、さらに誘電体層１に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。

誘電体層１は、例えば、誘電体セラミックを主成分とする材料により構成されている。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＣａＺｒＯ₃などが挙げられる。誘電体層１には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。

上述した構成を有するセラミック素体１０を用いて、例えば三端子型の積層セラミックコンデンサを形成することができる。そのような三端子型の積層セラミックコンデンサは、上述したセラミック素体１０と、第１の端面１１ａに形成された第１の外部電極と、第２の端面１１ｂに形成された第２の外部電極と、セラミック素体１０を周回するように、第１の側面１３ａ、第２の側面１３ｂ、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに形成された帯状の第３の外部電極とを備える。

第１の外部電極は、第１の端面１１ａに引き出された第２の内部電極２ｂと電気的に接続される。第２の外部電極は、第２の端面１１ｂに引き出された第２の内部電極２ｂと電気的に接続される。また、第３の外部電極は、第１の側面１３ａおよび第２の側面１３ｂに引き出された第１の内部電極２ａと電気的に接続される。

（チップ部品の整列方法）
チップ部品の整列方法について説明する。ここでは、チップ部品が上述した構成を有するセラミック素体１０であるものとして説明する。

初めに、複数の凹部が設けられた基板としてのパレットと、パレットの蓋とを用意する。凹部は、チップ部品が収容される収容空間を構成する。パレットおよび蓋は、例えば、非磁性体のベークライトにより構成されている。

図４は、パレット４０の形状を示す平面図である。また、図５（ａ）は、パレット４０に設けられた凹部４１の形状を示す平面図であり、図５（ｂ）は、凹部４１の側面図である。図５（ｂ）は、パレット４０に蓋４２をした状態の側面図を示している。

パレット４０は、全体として平板状の形状を有し、複数の凹部４１を備える。凹部４１は、図４に示すように、平板状のパレット４０の主面と平行である第１の方向（Ｘ軸方向）に並んで複数設けられており、さらに、パレット４０の主面と平行であって、かつ、第１の方向と直交する第２の方向（Ｙ軸方向）にも並んで複数設けられている。ただし、パレット４０に設けられている凹部４１の数が図４に示す数に限定されることはない。

凹部４１は、底面４１ａと、第１の側壁４１ｂと、第２の側壁４１ｃと、第３の側壁４１ｄと、第４の側壁４１ｅとにより構成されている。第１の側壁４１ｂと第２の側壁４１ｃは、互いに対向する位置に設けられている。第３の側壁４１ｄと第４の側壁４１ｅは、互いに対向する位置に設けられている。第３の側壁４１ｄおよび第４の側壁４１ｅはそれぞれ、第１の側壁４１ｂおよび第２の側壁４１ｃと直交する。

ここでは、凹部４１の底面を構成する辺のうち、最も長い辺と平行な方向、すなわち、第３の側壁４１ｄと第４の側壁４１ｅとが対向する方向を、凹部４１の長さ方向と呼ぶ。また、凹部４１の底面を構成する辺のうち、最も短い辺と平行な方向、すなわち、第１の側壁４１ｂと第２の側壁４１ｃとが対向する方向を、凹部４１の幅方向と呼ぶ。また、底面４１ａと直交する方向を、凹部４１の深さ方向と呼ぶ。

凹部４１の長さ方向の寸法Ｌ２は、幅方向の寸法Ｗ２および深さ方向の寸法Ｔ２より長い。すなわち、Ｌ２＞Ｗ２およびＬ２＞Ｔ２の関係が成り立つ。

凹部４１の長さ方向の寸法Ｌ２は、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの寸法Ｌ１よりも長い。凹部４１の幅方向の寸法Ｗ２は、セラミック素体１０の幅方向Ｗの寸法Ｗ１および厚み方向Ｔの寸法Ｔ１よりも長い。

また、凹部４１の幅方向の寸法Ｗ２は、セラミック素体１０の幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔにより規定される面の対角線の寸法Ｄ１（図２参照）以上であり、かつ、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの寸法Ｌ１以下である。

凹部４１の上方を塞ぐように、パレット４０に蓋４２をした状態で、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面４２ａまでの距離は、セラミック素体１０の幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔにより規定される面の対角線の寸法Ｄ１（図２参照）以上である。本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面４２ａまでの距離は、凹部４１の深さ方向の寸法Ｔ２と同じである。

また、蓋４２をした状態で、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面４２ａまでの距離は、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの寸法Ｌ１以下である。

セラミック素体１０の寸法が上述した寸法、すなわち、長さ方向Ｌの寸法Ｌ１は１．１ｍｍ、幅方向Ｗの寸法Ｗ１は０．５７ｍｍ、厚み方向Ｔの寸法Ｔ１は０．５７ｍｍの場合、凹部４１の寸法の一例は以下の通りである。すなわち、凹部４１の長さ方向の寸法Ｌ２は、例えば１．３ｍｍであり、幅方向の寸法Ｗ２は、例えば０．９ｍｍである。また、凹部４１の深さ方向の寸法Ｔ２、すなわち、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面４２ａまでの距離は、例えば１．０ｍｍである。

用意したパレット４０の凹部４１に、セラミック素体１０を投入する。セラミック素体１０および凹部４１の寸法が上述した関係を有することにより、凹部４１に投入されたセラミック素体１０の第１の端面１１ａおよび第２の端面１１ｂのうちの一方は、凹部４１の第３の側壁４１ｄと対向し、他方は第４の側壁４１ｅと対向する。

続いて、凹部４１に収容されたセラミック素体１０の上方を覆うように、パレット４０の上部に蓋４２を配置する。

続いて、セラミック素体１０の長さ方向Ｌに対する磁石の着磁方向が０°以上９０°未満の範囲にある状態で、凹部４１に収容されたセラミック素体１０に対して磁石を相対的に移動させる。ここで、「セラミック素体１０に対して磁石を相対的に移動させる」方法には、パレット４０を動かさずに磁石を移動させる方法、磁石を動かさずにパレット４０を移動させる方法、パレット４０と磁石を共に移動させる方法がある。すなわち、上述した３つの方法のうちのいずれか一つの方法によって、セラミック素体１０に対して磁石を相対的に移動させればよい。

本実施形態では、パレット４０を動かさずに、磁石を移動させる。具体的には、図６に示すように、蓋４２の上方を、平板状のパレット４０の主面と平行な方向に、磁石５０を移動させる。磁石５０は、パレット４０の全ての凹部４１にそれぞれ収容されているセラミック素体１０の上方を通過するように移動させる。

磁石５０は、例えばネオジム磁石である。図６に示す磁石５０は、平面視で長方形の形状を有し、その着磁方向（磁化方向）Ｋは、磁石５０の長さ方向と直交する幅方向である。

上述したように、セラミック素体１０に対して相対的に磁石５０を移動させる際、磁石５０の着磁方向Ｋは、セラミック素体１０の長さ方向Ｌに対して、０°以上９０°未満の範囲にある。すなわち、セラミック素体１０の長さ方向Ｌと磁石５０の着磁方向Ｋとの間の角度θは、０°以上９０°未満である（図６参照）。なお、図６では、セラミック素体１０の長さ方向ＬがＹ軸方向と一致しているときの角度θを示している。

セラミック素体１０に対する磁石５０の相対的な移動方向は、磁石５０の着磁方向Ｋに対して０°以上９０°未満の方向とする。本実施形態では、Ｙ軸方向に磁石５０を移動させる。セラミック素体１０の長さ方向ＬがＹ軸方向と一致している場合、磁石５０の移動方向と着磁方向Ｋとの間の角度は、上述したセラミック素体１０の長さ方向Ｌと磁石５０の着磁方向Ｋとの間の角度θと同じである。なお、セラミック素体１０に対する磁石５０の相対的な移動方向は、基板としてのパレット４０の主面に沿った方向であることが好ましい。

本実施形態では、セラミック素体１０に対して磁石５０を相対的に移動させることにより、内部電極２の向きが凹部４１の底面４１ａと平行な向きであるセラミック素体１０を回転させて、内部電極２の向きを、凹部４１の底面４１ａと直交する向きに揃える。内部電極２の向きとは、平板状の内部電極２と平行な方向である。

すなわち、内部電極２の向きが凹部４１の底面４１ａと平行な向きであるセラミック素体１０（図７（ａ）参照）に対して、磁石５０を相対的に移動させることによって、磁石５０の磁力線を内部電極２に作用させる。図７（ａ）に示すセラミック素体１０の長さ方向Ｌは、Ｙ軸方向である。

磁石５０の磁力線を内部電極２に作用させることにより、図７（ｂ）に示すように、セラミック素体１０の長さ方向Ｌと平行な方向の軸を回転軸として、セラミック素体１０は回転する。そして、図７（ｃ）に示すように、内部電極２の向きが凹部４１の底面４１ａと直交する向きに揃えられる。

本実施形態におけるチップ部品の整列方法によれば、チップ部品であるセラミック素体１０の長さ方向Ｌに対する磁石５０の着磁方向Ｋが０°以上９０°未満の範囲となるように、セラミック素体１０に対して磁石５０を相対的に移動させるので、内部電極２の向きが凹部４１の底面４１ａと平行であるセラミック素体１０の回転率が高くなり、整列率を向上させることができる。

上述したように、凹部４１の幅方向の寸法Ｗ２は、セラミック素体１０の幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔにより規定される面の対角線の寸法Ｄ１（図２参照）以上であり、かつ、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの寸法Ｌ１以下である。これにより、セラミック素体１０が凹部４１の底面４１ａと直交する軸を回転軸として回転することを防ぎ、かつ、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの軸を回転軸として、セラミック素体１０を回転させることができる。

また、凹部４１は、底面４１ａ以外に、第１の側壁４１ｂと、第２の側壁４１ｃと、第３の側壁４１ｄと、第４の側壁４１ｅとを備えるので、セラミック素体１０が底面４１ａと平行な方向における外部に飛び出すことがない。これにより、セラミック素体１０に対して、磁石５０を相対的に往復移動させることができ、後述するように、整列率を向上させることができる。

また、パレット４０の凹部４１の上方を塞ぐように蓋４２をすることにより、セラミック素体１０が外に飛び出すことを防ぐことができる。蓋４２をした状態で、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面までの距離は、セラミック素体１０の幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔにより規定される面の対角線の寸法Ｄ１以上であるため、蓋４２をした状態でも、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの軸を回転軸として、セラミック素体１０を回転させることができる。

また、蓋４２をした状態で、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面までの距離は、セラミック素体１０の長さ方向Ｌの寸法Ｌ１以下であるので、第１の端面１１ａまたは第２の端面１１ｂを下として、セラミック素体１０が立つ状態になることを防ぐことができる。

上述したように、本実施形態におけるチップ部品の整列方法では、凹部４１に収容されたセラミック素体１０に対する磁石５０の相対的な移動方向は、磁石５０の着磁方向Ｋに対して０°以上９０°未満の方向である。磁石５０の相対的な移動方向を、磁石５０の着磁方向Ｋに対して９０°の方向とすると、セラミック素体１０の回転率が低くなるため、磁石５０の着磁方向Ｋに対して０°以上９０°未満の方向とすることにより、セラミック素体１０の回転率を向上し、整列率を向上させることができる。

（実施例１）
長さ方向Ｌの寸法Ｌ１は１．１ｍｍ、幅方向Ｗの寸法Ｗ１は０．５７ｍｍ、厚み方向Ｔの寸法Ｔ１は０．５７ｍｍのセラミック素体１０を複数用意した。この積層セラミックコンデンサの幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔにより規定される面の寸法Ｄ１は、約０．８ｍｍである。

また、長さ方向の寸法Ｌ２は１．３ｍｍ、幅方向の寸法Ｗ２は０．９ｍｍ、凹部４１の深さ方向の寸法Ｔ２は１．０ｍｍである凹部を複数備えたパレットを用意した。

そして、パレットの複数の凹部に、積層セラミックコンデンサを投入した後、蓋をした。

その後、予め用意したネオジム磁石（以下、単に磁石と呼ぶ）を、蓋の上方で、平板状のパレットと平行な方向に移動させた。磁石は、長さ２４０ｍｍ、幅２０ｍｍ、高さ１５ｍｍの直方体の形状を有する。磁石は、パレットと蓋が接している面から１５ｍｍの距離の位置において、１００ｍｍ／ｓの速度で移動させた。磁石の移動方向は、着磁方向と同一方向とした。

ここでは、パレットの凹部に投入された５４６個のセラミック素体を対象として、セラミック素体の長さ方向Ｌと磁石の着磁方向Ｋとの間の角度θを変えることによって、セラミック素体の内部電極の向きが、凹部の底面と直交する方向に揃う整列率を調べた。

セラミック素体の幅方向Ｗの寸法Ｗ１と厚み方向の寸法Ｔ１は同じであるため、セラミック素体をパレットの凹部に投入したときに、内部電極の向きが凹部の底面と平行な向きになる確率と、凹部の底面と直交する向きになる確率は同じである。したがって、セラミック素体をパレットの凹部に投入した状態の整列率は５０％である。

表１に、セラミック素体の長さ方向Ｌと磁石の着磁方向Ｋとの間の角度θと、整列率との関係を示す。整列率は、パレットに対して磁石を相対的に１回移動させてから整列率を求める工程を３回行い、３回の整列率の平均値とした。

表１に示すように、セラミック素体の長さ方向Ｌと磁石の着磁方向Ｋとの間の角度θは、０°に近いほど整列率が高くなった。本実施例では、上記角度θが５°のときに、整列率が１００％となり、最も整列率が高くなった。また、上記角度θが６０°以上のときに、整列率は８５％以上となった。

表１に示すように、上記角度θが９０°のときに、整列率が８０％未満となり、最も整列率が低くなった。これは、上記角度θが９０°のときには、セラミック素体の長さ方向Ｌの両端にほぼ等しい磁力が作用し、回転力が生じにくいからと推測される。

すなわち、本実施形態のように、セラミック素体の長さ方向Ｌと磁石の着磁方向Ｋとの間の角度θを０°以上９０°未満とした状態で、セラミック素体に対して磁石を相対的に移動させることにより、内部電極の向きを凹部の底面と直交する方向に揃える整列率を向上させることができる。

特に、セラミック素体の長さ方向Ｌと磁石の着磁方向Ｋとの間の角度θを０°以上６０°以下とすることにより、整列率を８５％以上とすることができるので、好ましい。

（実施例２）
パレットに対して相対的に磁石を移動させる際の移動速度Ｖを変えることによって、セラミック素体の内部電極の向きが、凹部の底面と直交する方向に揃う整列率を調べた。セラミック素体およびパレットのサイズ等は、実施例１と同じである。ただし、セラミック素体の長さ方向Ｌと磁石の着磁方向Ｋとの間の角度θは１°とした。

表２に、磁石の移動速度Ｖと整列率との関係を示す。整列率は、実施例１と同様に、パレットに対して磁石を相対的に１回移動させてから整列率を求める工程を３回行い、３回の整列率の平均値とした。

表２に示すように、磁石の移動速度Ｖを６７．５ｍｍ／ｓ、８５ｍｍ／ｓ、１１２．５ｍｍ／ｓと変えたが、いずれも整列率は９０％以上と高い数値となった。特に、磁石の移動速度Ｖを１００ｍｍ／ｓ以下とすると、移動速度Ｖが１００ｍｍ／ｓ未満の場合と比べて整列率がより高くなるので、セラミック素体に対して磁石を相対的に移動させる際の移動速度Ｖは、１００ｍｍ／ｓ以下とすることが好ましい。

また、磁石の移動速度Ｖを１１２．５ｍｍ／ｓとして、パレットに対して磁石を相対的にＮ回移動させたときの整列率を調べた。表３に、磁石の移動回数Ｎと、整列率との関係を示す。

表３に示すように、磁石の移動回数Ｎが１回のときの整列率は９６．５％であり、パレットに対して磁石を相対的に移動させる回数Ｎが増えるほど、整列率は高くなって１００％に近づいた。すなわち、パレットに対して磁石を相対的に移動させる回数Ｎが増えるほど、整列率は向上する。また、パレットに対して磁石を相対的に移動させる回数Ｎが増えても、内部電極の向きが凹部の底面と直交する方向と一致しているセラミック素体が回転して、内部電極の向きが凹部の底面と平行な方向となる可能性は低い。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

例えば、内部電極の向きを、凹部の底面と直交する方向に揃える対象であるチップ部品の構成が図１に示す構成に限定されることはない。例えば、整列させる対象のチップ部品は、焼成前のチップ部品であってもよいし、外部電極を有するチップ部品、例えば積層セラミックコンデンサであってもよい。

上述した実施形態では、セラミック素体１０に対して磁石５０を相対的に移動させるために、凹部４１にセラミック素体１０が収容されたパレット４０を動かさずに、磁石５０を移動させるものとして説明した。しかし、磁石５０を動かさずに、パレット４０を動かすようにしてもよいし、パレット４０と磁石５０をともに動かすようにしてもよい。

上述した実施形態では、チップ部品の収容空間は、底面４１ａと、第１の側壁４１ｂと、第２の側壁４１ｃと、第３の側壁４１ｄと、第４の側壁４１ｅとにより構成された凹部４１であるものとして説明した。しかし、収容空間は、少なくとも底面と、第１の側壁と、第２の側壁と、第３の側壁とを有していればよい。例えば、底面上に、第１の側壁を形成する柱と、第２の側壁を形成する柱と、第３の側壁を形成する柱とが配置されることで収容空間が形成されていてもよい。

また、上述した実施形態では、第３の側壁４１ｄは、第１の側壁４１ｂおよび第２の側壁４１ｃと直交する態様で設けられているが、少なくとも第１の側壁４１ｂに沿った面と第２の側壁４１ｃに沿った面との間に位置していればよい。ここで、「第１の側壁４１ｂに沿った面」には、第１の側壁４１ｂの表面だけではなく、第１の側壁４１ｂの表面の延長上の面も含まれる。「第２の側壁４１ｃに沿った面」についても同様である。その場合、第１の側壁４１ｂ、第２の側壁４１ｃ、および第３の側壁４１ｄの表面が平面である必要はない。ただし、上述した実施形態のように、第３の側壁４１ｄは、第１の側壁４１ｂおよび第２の側壁４１ｃと直交する態様で設けられていることが好ましい。

上述した実施形態において、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面４２ａまでの距離は、凹部４１の深さ方向の寸法Ｔ２と同じであるが、異なっていてもよい。例えば、図８に示す蓋４２Ａは、その内面のうち、凹部４１の上方に位置する部分４２１がその他の部分４２２と比べて、蓋４２Ａの厚み方向に凹んでいる。したがって、凹部４１の底面４１ａから蓋４２の内面までの距離Ｔ３は、凹部４１の深さ方向の寸法Ｔ２より長い。

上述した実施形態では、図６に示すように、蓋４２の上方を、平板状のパレット４０と平行な方向に、磁石５０を移動させるものとして説明したが、パレット４０の下方を、平板状のパレット４０と平行な方向に、磁石５０を移動させるようにしてもよい。

１誘電体層
２ａ第１の内部電極
２ｂ第２の内部電極
１０セラミック素体
１１ａ第１の端面
１１ｂ第２の端面
１２ａ第１の主面
１２ｂ第２の主面
１３ａ第１の側面
１３ｂ第２の側面
４０パレット
４１凹部
４１ａ凹部の底面
４１ｂ第１の側壁
４１ｃ第２の側壁
４１ｄ第３の側壁
４１ｅ第４の側壁
４２蓋
５０磁石

Claims

長さ方向の寸法Ｌ１が幅方向の寸法Ｗ１および厚み方向の寸法Ｔ１よりも長い略直方体の形状を有し、磁性体であって、かつ、前記長さ方向および前記幅方向により規定される面と平行である内部電極を備えたチップ部品の整列方法であって、
底面と、第１の側壁と、前記第１の側壁と対向する第２の側壁と、前記第１の側壁に沿った面と前記第２の側壁に沿った面との間に位置する第３の側壁とを有し、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間の距離が、前記チップ部品の前記幅方向および前記厚み方向により規定される面の対角線のｄ寸法以上であり、かつ、前記長さ方向の寸法Ｌ１以下である収容空間に、前記チップ部品を収容する工程と、
前記収容空間に収容された前記チップ部品に対して磁石を相対的に移動させることによって、前記内部電極の向きが前記底面と直交する方向を向くように前記チップ部品を整列させる工程と、
を備え、
前記チップ部品に対して前記磁石を相対的に移動させるときの着磁方向は、前記チップ部品の前記長さ方向に対して０°以上９０°未満の範囲である、
ことを特徴とするチップ部品の整列方法。
前記収容空間は、前記第３の側壁と対向する第４の側壁をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のチップ部品の整列方法。
前記収容空間は、基板に設けられている凹部であることを特徴とする請求項１または２に記載のチップ部品の整列方法。
前記収容空間に前記チップ部品を収容した後、前記収容空間の上方を覆うように蓋をする工程をさらに備え、
前記蓋をした状態で、前記底面から前記蓋の内面までの距離は、前記チップ部品の前記幅方向および前記厚み方向により規定される面の対角線の寸法以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のチップ部品の整列方法。
前記蓋をした状態で、前記底面から前記蓋の内面までの距離は、前記チップ部品の前記長さ方向の寸法Ｌ１以下であることを特徴とする請求項４に記載のチップ部品の整列方法。
前記収容空間に収容された前記チップ部品に対する前記磁石の相対的な移動方向は、前記磁石の着磁方向に対して０°以上９０°未満の方向であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のチップ部品の整列方法。
前記収容空間は、基板に複数設けられており、
複数の前記収容空間は、前記基板の主面と平行である第１の方向に並んでいることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のチップ部品の整列方法。
前記第１の方向に並んで複数設けられている前記収容空間はさらに、前記基板の主面と平行であり、かつ、前記第１の方向と直交する、第２の方向にも並んで複数設けられていることを特徴とする請求項７に記載のチップ部品の整列方法。
前記チップ部品は、前記厚み方向に積層された複数の前記内部電極を備えており、
複数の前記内部電極は、前記チップ部品の前記幅方向に対向する面である側面に露出していることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のチップ部品の整列方法。
前記底面、前記第１の側壁、前記第２の側壁および前記第３の側壁は、非磁性体によって構成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のチップ部品の整列方法。
前記チップ部品に対して前記磁石を相対的に移動させる工程を複数回行うことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のチップ部品の整列方法。
前記チップ部品に対する前記磁石を相対的に移動させる際の移動速度は、１００ｍｍ／ｓ以下であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のチップ部品の整列方法。