CN106504892A - 陶瓷电子部件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制外部电极的缘端的圆角的陶瓷电子部件的制造方法。本发明的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，包括：对包含陶瓷和有机物的芯片的表面赋予改性材料的工序；在被赋予了上述改性材料的上述芯片的上述表面涂敷导电性膏的工序；以及对上述芯片和涂敷在上述芯片的上述导电性膏一起进行烧成的工序。

Description

陶瓷电子部件的制造方法
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件的制造方法。
背景技术
具备主体和设置在主体的表面的至少两个外部电极的电子部件通过在主体涂敷成为外部电极的导电性膏来制造。在主体涂敷成为外部电极的导电性膏时，导电性膏扩展到主体的表面的一部分。扩展到主体的表面的一部分的导电性膏的缘端受到表面张力、粘度等的影响而变圆。由此，得到的外部电极的缘端变圆。因此，难以兼顾确保两个外部电极的间隔和确保外部电极的表面积足够大。
在专利文献1公开了为了降低主体的表面与导电性膏包含的溶剂的亲和性而在将导电性膏涂敷到主体之前对主体的表面进行改性(表面改性)的方法。在使用该方法的情况下，能够抑制导电性膏在主体的表面上的扩展，能够抑制外部电极的缘端的圆角。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-197666号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1中对层叠陶瓷电容器的主体进行表面改性。专利文献1中的作为表面改性的对象物的“主体”由在高温进行烧成的陶瓷构成，因此成为表面改性的对象的表面是由进行烧成的陶瓷构成的面。
但是，在专利文献1中用于表面改性的材料与陶瓷的亲和性并不高，因此在专利文献1所记载的方法中，通过短时间的表面改性处理并不能得到多大的表面改性的效果。因此，要求能够抑制外部电极的缘端的圆角的其它方法。
本发明是为了解决上述的课题而完成的，其目的在于提供一种具备陶瓷主体和设置在陶瓷主体的表面的外部电极的电子部件的制造方法，特别是提供一种能够抑制外部电极的缘端的圆角的陶瓷电子部件的制造方法。
用于解决课题的技术方案
即，为了达到上述目的，本发明的陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，包括：对包含陶瓷和有机物的芯片的表面赋予改性材料的工序；在被赋予了上述改性材料的上述芯片的上述表面涂敷导电性膏的工序；以及对上述芯片和涂敷在上述芯片的上述导电性膏一起进行烧成的工序。
在本发明的陶瓷电子部件的制造方法中，在赋予上述改性材料的工序中，优选将上述芯片浸渍于包含上述改性材料的溶液。
在本发明的陶瓷电子部件的制造方法中，在赋予上述改性材料的工序中，优选通过游离基反应使上述改性材料化学吸附于上述芯片所包含的上述有机物。
在本发明的陶瓷电子部件的制造方法中，上述改性材料优选为硅化合物。此外，在本发明的陶瓷电子部件的制造方法中，上述改性材料优选为氟化合物。
在本发明的陶瓷电子部件的制造方法中，上述芯片是具有主表面和与该主表面相交且与长度方向正交的端面的大致长方体形状，包括埋设在上述芯片且在上述端面露出的内部电极层，在涂敷上述导电性膏的工序中，优选在上述芯片的上述端面和上述主表面的一部分涂敷上述导电性膏，使得上述主表面上的上述导电性膏的长度方向上的尺寸大于上述芯片的高度方向上的尺寸。
发明效果
在本发明的陶瓷电子部件的制造方法中，对包含有机物的芯片赋予改性材料。与作为无机物的陶瓷相比，有机物更容易吸附改性材料，因此能够通过对包含陶瓷和有机物的芯片的表面赋予改性材料，从而更可靠地进行芯片表面的改性。其结果是，能够抑制得到的外部电极的缘端的圆角。
附图说明
图1是示意性地示出通过本发明的陶瓷电子部件的制造方法制造的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。
图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的LH剖视图。
图3是图1所示的层叠陶瓷电容器的顶视图。
图4是示意性地示出外部电极的缘端带有圆角的层叠陶瓷电容器的一个例子的顶视图。
图5是示出将芯片浸渍于包含改性材料的溶液的方法的一个例子的示意图。
图6是示出通过浸渍法对芯片涂敷导电性膏的工序的一个例子的示意图。
图中：1-层叠陶瓷电容器(陶瓷电子部件)，10-主体，11-第一主表面，12-第二主表面，13-第一侧面，14-第二侧面，15-第一端面，16-第二端面，20-陶瓷层，30-内部导体层，35-第一内部电极层，36-第二内部电极层，60-基底层，61-Cu镀层，100-外部电极，110-第一外部电极，120-第二外部电极，140、140′-外部电极的缘端，200-包含改性材料的溶液，210-网笼(net basket)，220-槽；300-芯片，400-导电性膏，410-底座，420-保持板。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的陶瓷电子部件的制造方法进行说明。然而，本发明不限定于以下的结构，能够在不变更本发明的要旨的范围内适当变更而进行应用。另外，将两个以上的以下记载的本发明的每个优选的结构进行组合的结构也属于本发明。
作为能够用本发明的陶瓷电子部件的制造方法制造的陶瓷电子部件，可举出电容器、电感器、压电部件、热敏电阻等。以下，作为能够用本发明的陶瓷电子部件的制造方法制造的陶瓷电子部件的例子，对电容器特别是层叠陶瓷电容器进行说明。
层叠陶瓷电容器具备长方体形状的主体和设置在主体的表面的一部分的多个外部电极。图1是示意性地示出通过本发明的陶瓷电子部件的制造方法制造的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。层叠陶瓷电容器1在主体10的表面的一部分设置外部电极100而构成。
图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的LH剖视图。
构成本发明的陶瓷电子部件的主体是长方体形状，将长方体的长度方向、宽度方向、高度方向设为在图1所示的层叠陶瓷电容器1中用双向箭头L、W、H确定的方向。在此，长度方向、宽度方向以及高度方向彼此正交。高度方向是构成主体10的多个陶瓷层20和多个内部导体层30堆积的方向。此外，长度方向是在主体的两端设置有外部电极时外部电极彼此相向的方向(在该方向上存在多个不同的外部电极的方向)。
主体10是具有6个面的长方体形状，具有在高度方向上彼此相对的第一主表面11和第二主表面12、在宽度方向上彼此相对的第一侧面13和第二侧面14、以及在长度方向上彼此相对的第一端面15和第二端面16。另外，主体的长方体形状包括形成为长方体的角的部分、成为棱线的部分形成圆角而成为曲面的形状，此外，还包括在表面形成有凹凸的形状。
将与层叠陶瓷电容器1或主体10的第一端面15或第二端面16相交、且沿着高度方向的陶瓷电子部件(层叠陶瓷电容器)或主体的剖面称为LH剖面。图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的LH剖视图。
第一侧面13、第二侧面14、第一端面15、第二端面16是可以露出内部导体层30的面，能够将这些面之中的露出内部导体层30的面中的任一个任意地确定为“主体的表面”而在该表面的一部分设置外部电极100。
主体10具有层叠的多个陶瓷层20和多个内部导体层30，多个内部导体层30具备至少在主体10的第一端面15露出且与设置在第一端面15的第一外部电极110连接的多个第一内部电极层35、和至少在主体10的第二端面16露出且与设置在第二端面16的第二外部电极120连接的多个第二内部电极层36。当是这样的结构时，能够作为层叠陶瓷电容器发挥良好的性能。
多个陶瓷层20的平均厚度例如优选为0.5μm以上4μm以下。各陶瓷层包含例如以钛酸钡(BaTiO3)、钛酸钙(CaTiO3)、钛酸锶(SrTiO3)、或锆酸钙(CaZrO3)等作为主成分的陶瓷材料。此外，各陶瓷层20也可以作为含量比主成分的含量少的副成分而包含Mn、Mg、Si、Co、Ni、或稀土类等。
多个内部导体层30包括在高度方向上交替配置的第一内部电极层35和第二内部电极层36。第一内部电极层35具有夹着陶瓷层20与第二内部电极层36对置的对置部、和从对置部引出到第一端面15而在第一端面15露出的引出部。第二内部电极层36具有夹着陶瓷层20与第一内部电极层35的对置部对置的对置部、和从对置部引出到第二端面16而在第二端面16露出的引出部。通过第一内部电极层35、第二内部电极层36以及被它们夹着的陶瓷层20产生静电电容。另外，多个内部导体层30也可以包括第一内部电极层35和第二内部电极层36以外的、对产生静电电容实质上没有贡献的内部导电体层。在从高度方向进行俯视时，各内部导体层30是大致矩形。多个内部导体层30的平均厚度例如优选为0.2μm以上2μm以下。多个内部导体层30例如包含Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、或Au等金属材料。
多个内部导体层30和多个陶瓷层20各自的平均厚度可通过以下方式测定。首先，用扫描型电子显微镜观察通过研磨而露出的与主体的长度方向正交的剖面。接着，测定通过主体的剖面的中心的、沿着高度方向的中心线以及从该中心线向两侧呈等间隔引出的各两条线的合计5条线上的厚度。平均厚度设为该5个测定值的平均值。为了求出更准确的平均厚度，对高度方向上的上部、中央部、下部分别求出上述5个测定值，将这些测定值的平均值作为平均厚度。
关于主体10的尺寸，在将主体10的高度方向上的尺寸设为DH、将长度方向上的尺寸设为DL、将宽度方向上的尺寸设为DW时，优选是满足DH＜DW＜DL、(1/7)DW≤DH≤(1/3)DW或DH＜0.25mm那样的薄型的尺寸，当是具有这样的主体的尺寸的陶瓷电子部件时，能够更好地发挥本发明的效果。具体地，在0.05mm≤DH＜0.25mm、0.4mm≤DL≤1mm、0.3mm≤DW≤0.5mm的情况下能够更好地发挥本发明的效果。此外，优选主体的长度方向上的长度DL大于主体的宽度方向上的尺寸DW。
此外，从高度方向进行观察的情况下的外部电极的长度方向上的尺寸优选大于主体的宽度方向上的尺寸DW。由此，即使安装的陶瓷电子部件是薄型的，也能够增加与安装基板的粘着力。或者，变得容易与埋入在基板的陶瓷电子部件进行过孔连接。
在图2还示出设置在主体10的表面的第一外部电极110、第二外部电极120。以下对这些外部电极的优选的结构进行说明。第一外部电极110设置在主体10的第一端面15，且从第一端面15延伸到第一主表面11、第二主表面12、第一侧面13以及第二侧面14各自的一部分，并分别覆盖各个面。第一外部电极110在第一端面15与各第一内部电极层35连接。第二外部电极120设置在主体10的第二端面16，且从第二端面16延伸到第一主表面11、第二主表面12、第一侧面13以及第二侧面14各自的一部分，并分别覆盖各个面。第二外部电极120在第二端面16与各第二内部电极层36连接。
图2所示的方式的第一外部电极110、第二外部电极120具有包含玻璃和Ni的基底层60，并且作为镀层具有直接覆盖基底层60的Cu镀层61。Cu镀层61是第一外部电极110、第二外部电极120的最外层。作为构成基底层60的玻璃，优选使用BaO-SrO-B2O3-SiO2类玻璃粉。Cu镀层61的平均厚度优选为1μm以上15μm以下。此外，作为镀层，也可以使用包含选自Ni、Sn、Pd、Au、Ag、Pt、Bi以及Zn等的至少一种金属的镀层。
另外，镀层可以有多个。例如，镀层可以具有第一Cu镀层和直接覆盖第一Cu镀层的第二Cu镀层。在该情况下，优选第二Cu镀层的Cu粒子的平均粒径小于第一Cu镀层的Cu粒子的平均粒径。此外，作为多个镀层，也可以代替第一Cu镀层和第二Cu镀层而从基底层开始朝向外侧依次设置Cu镀层、Ni镀层以及Sn镀层。在该情况下，Sn镀层是各外部电极的最外层。此外，外部电极100也可以在第一外部电极110与第二外部电极120之间包含独立于第一外部电极110和第二外部电极120的外部电极。此外，基底层60也可以代替Ni而包含Cu。
通过本发明的陶瓷电子部件的制造方法制造的陶瓷电子部件抑制了外部电极的缘端的圆角，具有例如如图3所示的外部电极形状。图3是图1所示的层叠陶瓷电容器的顶视图。
在层叠陶瓷电容器1中，外部电极100的缘端140不带圆角，大体成为直线。优选是，在其正下方存在主体的部分(即，主体的宽度方向上的全部部分)外部电极的缘端不带圆角而大体成为直线。当成为这样的形状时，可确保两个外部电极间的间隔(在图3中用双向箭头d示出的距离)，且外部电极的表面积不会变得过小，可确保足够大。
图4是示意性地示出外部电极的缘端带有圆角的层叠陶瓷电容器的一个例子的顶视图。如图4所示，当外部电极的缘端带有圆角时，在想要将两个外部电极间的间隔确保为与图3中用双向箭头d示出的距离相同的程度的情况下，外部电极的表面积会减小。在图4中用附图标记140′示出外部电极的缘端，外部电极的缘端140′带有圆角，不是直线。
通过本发明的陶瓷电子部件的制造方法制造的陶瓷电子部件能够作为内置于基板的电子部件进行使用，此外，也能够作为安装在基板的表面的电子部件进行使用。在安装在基板的表面的电子部件的情况下，该外部电极的表面例如是Sn镀层。即使在安装在基板的表面的电子部件的情况下，也能够通过具备上述的各特征，从而实现抑制外部电极的形状偏差、防止墓碑现象(tombstone)的效果。
以下，作为本发明的陶瓷电子部件的制造方法的一个例子，对层叠陶瓷电容器的制造方法进行说明。通过印刷、喷涂或模涂(die coating)等将混合了陶瓷、有机物以及溶剂等的陶瓷浆呈片状涂敷在承载膜上，从而得到陶瓷片。陶瓷片中包含陶瓷、有机物以及残留溶剂。通过丝网印刷或凹版印刷等在陶瓷片上形成成为内部导体层的导电膜。层叠多片形成有导电膜的陶瓷片，从而得到层叠片。作为陶瓷片包含的有机物，可举出作为粘结剂的聚乙烯醇缩丁醛类粘结剂、邻苯二甲酸酯类粘结剂等。
通过刚体压力机(rigid body press)或等静压机(isostatic press)等对层叠片加压而进行成型，从而得到层叠块。然后，通过剪切或划片等对层叠块进行分割，从而得到多个芯片。另外，芯片只要包含陶瓷和有机物即可，也可以通过其它方法得到。
这样得到的芯片优选是具有主表面和与主表面相交且与长度方向正交的端面的大致长方体形状，并且包括埋设于芯片且在端面露出的内部电极层。具体地，可举出形状与图1所示的层叠陶瓷电容器的主体相同的芯片。
接下来，进行对芯片的表面赋予改性材料的工序。赋予改性材料的表面只要是预定以后要涂敷导电性膏的部位即可，也可以是包含该部位的芯片的整个表面。在对芯片的表面赋予改性材料的工序中，优选使用将芯片浸渍于包含改性材料的溶液的方法或通过游离基反应使改性材料化学吸附于芯片包含的有机物的方法。以下，对各方法进行说明。
图5是示出将芯片浸渍于包含改性材料的溶液的方法的一个例子的示意图。将包含改性材料的溶液200放入到槽220中，在槽220中设置网笼(芯片不能通过的网)210，在网笼210内将芯片300浸渍于包含改性材料的溶液。当使用图5所示的方法时，可对芯片300的整个表面赋予改性材料。
优选在包含改性材料的溶液中包含氟化合物或硅化合物。作为氟化合物，更优选包含碳和氟的化合物，进一步优选CF4、C2F6、C3F8等碳氟化合物。进而，也可以使用结合了氢的氢碳氟化合物。作为硅化合物，优选SiO、SiH4、Si(CH3)4等。此外，也可以并用氟化合物和硅化合物，还可以分别并用两种以上的氟化合物、两种以上的硅化合物。此外，作为构成溶液的溶剂，优选有机溶剂(异丙醇、乙醇等)。溶液中的改性材料的浓度优选为1重量％以上5重量％以下，此外，浸渍于改性材料的溶液的浸渍时间优选设为3分钟以上，并优选设为10分钟以下。也可以在将芯片浸渍于包含改性材料的溶液之后，通过搅拌或振荡溶液，从而使溶液与芯片的表面良好地接触。
优选在将芯片浸渍于包含改性材料的溶液之后，从溶液中取出芯片，进行风干或在干燥机内进行干燥，从而除去附着的溶液中的溶剂。干燥温度可以根据溶剂的种类任意地设定，优选为50℃以上200℃以下。当使用通过将芯片浸渍于包含改性材料的溶液的方法对芯片的表面赋予改性材料的方法时，无需为了对芯片的表面赋予改性材料而使用特别的装置，从这一点考虑是优选的。
在使用通过游离基反应使改性材料化学吸附于芯片包含的有机物的方法的情况下，优选利用使用了等离子体的游离基反应。当对包含有机物的芯片和改性材料进行等离子体处理时，通过游离基反应，有机物表面进行反应，作为改性材料的气体也进行反应，从而分别进行化学吸附。在使用等离子体进行处理的情况下，一边在减压下投入成为改性材料的气体一边对气体施加高频的电压，从而使电子与气体的分子碰撞。然后，生成来源于气体的单体，并将该单体赋予给芯片的表面。在进行等离子体处理的情况下，例如优选分别将等离子体功率设定为30W以上250W以下、将气体流量设定为10sccm以上250sccm以下、将处理时间设定为10秒钟以上10分钟以下。
即使利用等离子体对像将芯片进行烧成而得到的主体那样不包含有机物的陶瓷进行处理，也不会产生化学吸附，单体只会进行物理吸附。与物理吸附相比，化学吸附更容易残留氟化合物或硅化合物，能够更可靠地对芯片的表面进行改性。此外，能够在短时间进行改性。因此，优选采用通过游离基反应使改性材料化学吸附于芯片包含的有机物的方法。
作为成为改性材料的气体，优选是氟化合物或硅化合物。作为氟化合物，更优选包含碳和氟的化合物，进一步优选CF4、C2F6、C3F8等碳氟化合物。进而也可以使用结合了氢的氢碳氟化合物。作为硅化合物，优选SiO、SiH4、Si(CH3)4等。可以并用氟化合物和硅化合物，也可以分别并用两种以上的氟化合物、两种以上的硅化合物。
关于被赋予了改性材料的芯片的表面，通过表面的改性，优选对纯净水的接触角为100°以上200°以下。此外，优选对有机溶剂(萜品醇)的接触角为30°以上100°以下。在未进行表面改性的芯片中，对纯净水的接触角通常为50°以上100°以下。对有机溶剂(萜品醇)的接触角通常为5°以上30°以下。
另外，吸附在芯片的表面的改性材料大部分会在对芯片进行烧成时由于挥发等而脱落，所以对得到的陶瓷电子部件的安装可靠性没有影响。
接着，在赋予了改性材料的芯片的表面涂敷导电性膏。导电性膏是用于形成外部电极的膏，例如能够使用浸渍法进行涂敷。图6是示出通过浸渍法对芯片涂敷导电性膏的工序的一个例子的示意图。
在图6所示的工序中，将导电性膏400涂在底座410，并且用保持板420保持芯片300并对齐芯片300的方向。然后，使保持板420接近底座410，从而使芯片300与导电性膏400接触。由此，在芯片300的规定的位置涂敷导电性膏400。在用保持板420保持芯片300时，将芯片的方向对齐为芯片300的端面与导电性膏400接触的方向而进行保持。
在涂敷导电性膏的工序中，优选从芯片的端面到主表面的一部分涂敷导电性膏，使得主表面上的外部电极的长度方向上的尺寸大于芯片的高度方向上的尺寸。即，优选调整将芯片浸渍于导电性膏的深度来进行浸渍，使得主表面上的外部电极的长度方向上的尺寸大于芯片的高度方向上的尺寸。在本发明的陶瓷电子部件的制造方法中，可抑制外部电极的缘端的圆角，因此通过满足上述条件，从而可充分确保主表面上的外部电极的表面积，且可充分确保外部电极间的距离。
与导电性膏400接触的芯片300的表面是被赋予了改性材料的表面。因此，可抑制导电性膏在芯片300的表面上扩展。
作为导电性膏，可以优选使用在有机溶剂中添加了金属粉末和陶瓷的膏。作为有机溶剂，可使用乙基纤维素树脂(ethyl cellulose)、丁醛树脂、有机溶剂(萜品醇、二氢松油醇)等。作为金属粉末，优选使用Cu粉末或Ni粉末。此外，作为陶瓷，能够使用玻璃，作为玻璃，优选使用BaO-SrO-B2O3-SiO2类玻璃粉。
导电性膏中的有机溶剂、金属粉末以及陶瓷的优选的比例如下，即，有机溶剂为30重量％以上50重量％以下，金属粉末为30重量％以上50重量％以下，陶瓷为10重量％以上30重量％以下。此外，导电性膏的粘度(使用E型粘度计以转速lrpm测定的粘度，测定温度为25℃)优选为10Pa·s以上80Pa·s以下。
此外，对芯片的两端面进行同样的操作，从而在芯片的两端面涂敷导电性膏。
然后，通过对被涂敷了导电性膏的芯片进行烧成，从而芯片成为构成陶瓷电子部件的主体，导电性膏成为作为外部电极的一部分的基底层。此外，通过烧成，构成芯片的导电膜成为内部导体层，陶瓷片成为陶瓷层。通过烧成，芯片包含的有机物会挥发、碳化或消失。
然后，通过镀敷处理在基底层上形成镀层，从而形成外部电极。经过这些工序，能够制造作为陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器。
[实施例]
以下，示出更具体地公开了作为本发明的陶瓷电子部件的例子的层叠陶瓷电容器的实施例。另外，本发明不限定于这些实施例。
(实施例1)
1)层叠块的制作
在作为陶瓷原料的BaTiO3中加入聚乙烯醇缩丁醛类粘结剂、可塑剂以及作为有机溶剂的乙醇，利用球磨机对它们进行湿式混合，从而制作陶瓷浆。接下来，通过唇模挤出方式(lip method)将该陶瓷浆成型为片状，从而得到矩形的陶瓷片。接着，在上述陶瓷片上对含有Ni的导电性膏进行丝网印刷，形成以Ni作为主成分的应成为内部导体层的导电膜。接着，层叠多片形成了导电膜的陶瓷片，使得导电膜的被引出的一侧彼此不同，从而得到层叠片。接着，对该层叠片进行加压成型，通过划片进行分割而得到芯片。得到的芯片的尺寸如下，即，长度方向(DL)为1.2mm、宽度方向(DW)为0.7mm、高度方向(DH)为0.3mm。
2)改性材料的赋予
对芯片表面作为改性材料赋予了氟化合物。
3)导电性膏的涂敷
作为导电性膏准备了以下组成的膏。导电性膏的粘度(使用E型粘度计以转速1rpm测定的粘度，测定温度为25℃)为30Pa·s。
有机溶剂：合起来40wt％的乙基纤维素树脂和萜品醇类的有机溶剂
金属粉末：40wt％的Ni
共通材料(Common material)：20wt％的陶瓷
然后，通过浸渍法将上述导电性膏涂敷到芯片的表面。
4)芯片的烧成
将涂敷了导电性膏的芯片在N2环境中进行加热而使粘结剂燃烧，然后在包含H2、N2以及H2O气体的还原性环境中进行烧成，从而得到被涂敷导电性膏进行烧成的主体。
(比较例1)
在实施例1中，在不进行“2)改性材料的赋予”工序的情况下对芯片涂敷导电性膏，并且对芯片进行烧成，从而得到被涂敷导电性膏进行烧成的主体。
(比较例2)
在实施例1中，在不进行“2)改性材料的赋予”工序和“3)导电性膏的涂敷”工序的情况下对芯片进行烧成而得到主体。然后，与“2)改性材料的赋予”工序同样地对进行了烧成的主体的表面赋予改性材料，与“3)导电性膏的涂敷”工序同样地将导电性膏涂敷到主体的表面。然后，以与“4)芯片的烧成”相同的条件再次进行烧成，从而得到被涂敷导电性膏进行烧成的主体。
＜外部电极的缘端的观察>
在实施例1中，外部电极的缘端不带圆角，成为直线。另一方面，在比较例1中外部电极的缘端带有圆角。在比较例2中外部电极的缘端的形状产生了偏差。可以认为在比较例2中芯片的表面未被充分改性。即，当采用对包含有机物的芯片赋予改性材料的实施例1的方法时，能够可靠地进行芯片表面的改性，其结果是，能够抑制得到的外部电极的缘端的圆角。

Claims (6)

1.一种陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，包括：
对包含陶瓷和有机物的芯片的表面赋予改性材料的工序；
在被赋予了所述改性材料的所述芯片的所述表面涂敷导电性膏的工序；以及
对所述芯片和涂敷在所述芯片的所述导电性膏一起进行烧成的工序。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
在赋予所述改性材料的工序中，将所述芯片浸渍于包含所述改性材料的溶液。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
在赋予所述改性材料的工序中，通过游离基反应使所述改性材料化学吸附于所述芯片所包含的所述有机物。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述改性材料是硅化合物。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述改性材料是氟化合物。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述芯片是具有主表面和与该主表面相交且与长度方向正交的端面的大致长方体形状，包括埋设在所述芯片且在所述端面露出的内部电极层，
在涂敷所述导电性膏的工序中，
在所述芯片的所述端面和所述主表面的一部分涂敷所述导电性膏，使得所述主表面上的所述导电性膏的长度方向上的尺寸大于所述芯片的高度方向上的尺寸。
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