CN106504868B - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够抑制在线圈中发生短路的电子部件。本发明所涉及的电子部件的特征在于，定义绕规定方向依次连接第一边、第二边、第三边以及第四边而构成的四边形状的轨道，第一线圈导体层遍及第一边以及第二边，第二线圈导体层遍及第二边以及第三边，并且在第二边与第一线圈导体层连接，第三线圈导体层遍及第三边以及第四边，且在第三边与第二线圈导体层连接，在从层叠方向观察时，第一线圈导体层或者第三线圈导体层的至少任意一方未设置于由第一边和第四边形成的第一角。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及具备线圈的电子部件。

背景技术

作为以往的电子部件，例如，公知有专利文献1所记载的层叠型电子部件。图20是专利文献1所记载的层叠型电子部件的层叠体100的分解立体图。

如图20所示，层叠型电子部件具备层叠体100以及内部导体层102a～102d。应予说明，就内部导体层而言，除了内部导体层102a～102d以外，也有设置于层叠体100的内部导体层，但仅对说明所需要的内部导体层标注了参照附图标记。层叠体100从上侧向下侧层叠层叠体片材104a～104l而构成。

内部导体层102a～102d分别设置于层叠体片材104d～104g，呈L字型。更详细而言，在从上侧观察时，内部导体层102a～102d相互重合而形成长方形形状的轨道。内部导体层102a与轨道的右侧的短边以及后侧的长边重叠。内部导体层102b与轨道的后侧的长边以及左侧的短边重叠。内部导体层102c与轨道的左侧的短边以及前侧的长边重叠。内部导体层102d与轨道的前侧的长边以及右侧的短边重叠。在此，内部导体层102a～102d分别沿上下方向贯通层叠体片材104d～104g。因此，内部导体层102a与内部导体层102b在后侧的长边连接。内部导体层102b与内部导体层102c在左侧的短边连接。内部导体层102c与内部导体层102d在前侧的长边连接。由此，形成有螺旋状的线圈。

然而，在专利文献1所记载的层叠型电子部件中，存在线圈容易发生短路的问题。更详细而言，例如，内部导体层102a的右侧的短边与内部导体层102d的右侧的短边对置。但是，在这两个短边之间存在两层绝缘体层104e、104f。因此，在内部导体层102a的右侧的短边与内部导体层102d的右侧的短边之间发生短路的概率相对较低。

另一方面，内部导体层102a中的逆时针方向的上游侧的端部与内部导体层102c中的逆时针方向的下游侧的端部对置。在这两个端部之间存在1层绝缘片材104e。因此，在内部导体层102a上的逆时针方向的上游侧的端部与内部导体层102c上的逆时针方向的下游侧的端部之间发生短路的概率相对较高。这样，在专利文献1所记载的层叠型电子部件中，有可能在特定的位置线圈发生短路。

专利文献1：日本特开2010-183007号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制在线圈中发生短路的电子部件。

本发明的第一方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：

层叠体，其在层叠方向层叠多个绝缘体层而构成；以及

线圈，其设置于上述层叠体，包括从上述层叠方向的一侧向另一侧依次排列的第一线圈导体层、第二线圈导体层以及第三线圈导体层，

定义在从上述层叠方向观察时，绕规定方向依次连接第一边、第二边、第三边以及第四边而构成的四边形状的轨道，

上述第一线圈导体层遍及上述第一边以及上述第二边，

上述第二线圈导体层遍及上述第二边以及上述第三边，并且在该第二边与上述第一线圈导体层连接，

上述第三线圈导体层遍及上述第三边以及上述第四边，并且在该第三边与上述第二线圈导体层连接，

在从上述层叠方向观察时，上述第一线圈导体层或者上述第三线圈导体层的至少任意一方未设置于由上述第一边和上述第四边形成的第一角。

本发明的第二方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：

层叠体，其在层叠方向层叠多个绝缘体层而构成；以及

线圈，其设置于上述层叠体，包括从上述层叠方向的一侧向另一侧依次排列的第一线圈导体层、第二线圈导体层、第三线圈导体层以及第四线圈导体层，

定义在从上述层叠方向观察时，绕规定方向依次连接第一边、第二边、第三边以及第四边而构成的四边形状的轨道，

上述第一线圈导体层以及上述第二线圈导体层遍及上述第一边以及上述第二边，并且在该第一边以及该第二边相互连接，

上述第三线圈导体层遍及上述第二边以及上述第三边，并且在该第二边与上述第二线圈导体层连接，

上述第四线圈导体层遍及上述第三边以及上述第四边，并且在该第三边与上述第三线圈导体层连接，

在从上述层叠方向观察时，上述第二线圈导体层或者上述第四线圈导体层的至少任意一方未设置于由上述第一边和上述第四边形成的第一角。

根据本发明，能够抑制在线圈中发生短路。

附图说明

图1是电子部件10、10a～10f的外观立体图。

图2是电子部件10的层叠体12的分解立体图。

图3A是从上侧观察轨道R的图。

图3B是从上侧观察其它例子所涉及的轨道R的一部分的图。

图4A是示出电子部件10中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。

图4B是图1所示的电子部件10a在A-A方向上的剖面构造图。

图5是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。

图6是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。

图7是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。

图8是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。

图9是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。

图10是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。

图11A是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。

图11B是示出比较例所涉及的电子部件300中的线圈导体层318a～318f的位置关系的图。

图12是第一变形例所涉及的电子部件10a的层叠体12的分解立体图。

图13是示出第一变形例所涉及的电子部件10a中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。

图14是示出第二变形例所涉及的电子部件10b中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。

图15是示出第三变形例所涉及的电子部件10c中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。

图16是示出第四变形例所涉及的电子部件10d中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。

图17是示出第五变形例所涉及的电子部件10e中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。

图18是第六变形例所涉及的电子部件10f的层叠体12的分解立体图。

图19是示出第六变形例所涉及的电子部件10f中的线圈导体层18a～18i的位置关系的图。

图20是专利文献1所记载的层叠型电子部件的层叠体100的分解立体图。

附图标记说明

10、10a～10f…电子部件；12…层叠体；14a、14b…外部电极；16a～16k…绝缘体层；18a～18i…线圈导体层；20a～20i、22a～22i…部分；L1～L4…边；24a、24b…引出导体层；30b～30g…磁性部；32b～32k…非磁性部；C1～C4…角；L…线圈；R…轨道。

具体实施方式

(电子部件的结构)

以下，参照附图对本发明的一实施方式所涉及的电子部件的结构进行说明。图1是电子部件10、10a～10f的外观立体图。图2是电子部件10的层叠体12的分解立体图。图3A是从上侧观察轨道R的图。图3B是从上侧观察其它例子所涉及的轨道R的一部分的图。图4A是示出电子部件10中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。图4B是图1所示的电子部件10a在A-A方向上的剖面构造图。

以下，将电子部件10的层叠方向定义为上下方向(上侧是层叠方向的一侧的一个例子，下侧是层叠方向的另一侧的一个例子)。另外，将在从上侧观察电子部件10时，电子部件10的长边延伸的方向定义为左右方向，将电子部件10的短边延伸的方向定义为前后方向。上下方向、前后方向以及左右方向相互正交。

如图1以及图2所示，电子部件10具备层叠体12、外部电极14a、14b、引出导体层24a、24b、以及线圈L。如图2所示，层叠体12呈长方体状，以从上侧向下侧依次排列的方式层叠绝缘体层16a～16h而构成。

绝缘体层16a、16h由具有磁性的铁素体(例如，Ni-Zn-Cu铁素体或者Ni-Zn铁素体等)制作而成，在从上侧观察时，是长方形形状的绝缘层。绝缘体层16b～16g分别包括磁性部30b～30g以及非磁性部32b～32g。磁性部30b～30g由具有磁性的铁素体(例如，Ni-Zn-Cu铁素体或者Ni-Zn铁素体等)制作而成。非磁性部32b～32g由非磁性(即，磁导率为1)的铁素体(例如，Zn-Cu铁素体)制作而成。其中，也可以代替非磁性部32b～32g，设置具有比磁性部30b～30g的磁导率低的磁导率的低磁性部。在对磁性部30b～30g以及非磁性部32b～32g的形状进行说明之前，参照图3A以及图3B对轨道R进行说明。

如图3A所示，对电子部件10定义了轨道R。轨道R在从上侧观察时，呈四边形状(在本实施方式中是长方形形状)的框型，按顺时针方向(规定方向的一个例子)依次连接边L1(第一边的一个例子)、L2(第二边的一个例子)、L3(第三边的一个例子)、L4(第四边的一个例子)而构成。对轨道R的角实施了倒角。边L1、L3是沿前后方向延伸的短边，边L2、L4是沿左右方向延伸的长边。

另外，将由边L1和边L4形成的角定义为角C1(第一角的一个例子)。将由边L1和边L2形成的角定义为角C2(第二角的一个例子)。将由边L2和边L3形成的角定义为角C3(第三角的一个例子)。将由边L3和边L4形成的角定义为角C4(第四角的一个例子)。

在此，对边L1～L4以及角C1～C4的边界进行说明。对轨道R的角C1～C4实施了倒角。角C1是图3A中的被粗线围起的区域，具体而言，是被轨道R的外侧的外缘的圆弧部c1、轨道R的内侧的外缘的圆弧部c2、连接圆弧部c1的一端和圆弧部c2的一端的直线部l1、以及连接圆弧部c1的另一端和圆弧部c2的另一端的直线部l2围起的区域。其中，对于角C2～C4，由于与角C1相同所以省略其说明。

此外，在没有对轨道R的角C1～C4实施倒角的情况下，如图3B所示，角C1是被直线部l1～l4围起的区域。直线部l1是从轨道R的内侧的角向左侧延伸的直线。直线部l2是从轨道R的内侧的角向前侧延伸的直线。直线部l3是从轨道R的外侧的角向右侧延伸的直线。直线部l4是从轨道R的外侧的角向后侧延伸的直线。

另外，角C1的左后一半是边L1的前端，角C2的左前一半是边L1的后端。角C2的右后一半是边L2的左端，角C3的左后一半是边L2的右端。角C3的右前一半是边L3的后端，角C4的右后一半是边L3的前端。角C4的左前一半是边L4的右端，角C1的右前一半是边L4的左端。

返回到磁性部30b～30g以及非磁性部32b～32g的形状的说明。如图2以及图3A所示，非磁性部32b设置于边L2的右端附近、边L3、边L4以及角C1的左后一半(即，边L1的前端)。边L2的右端附近意味着边L2的右端(即，角C3的左后一半)以及与边L2的右端相邻的部分。如图2以及图3A所示，非磁性部32c设置于角C4的右后一半、边L4、边L1以及边L2的左端附近。如图2以及图3A所示，非磁性部32d设置于边L4的左端附近、边L1、边L2以及角C3的右前一半(即，边L3的后端)。如图2以及图3A所示，非磁性部32e设置于角C2的左前一半、边L2、边L3以及边L4的右端附近。如图2以及图3A所示，非磁性部32f设置于边L2的右端附近、边L3、边L4以及角C1的左后一半(即，边L1的前端)。如图2以及图3A所示，非磁性部32g设置于角C4的右后一半(即，边L3的前端)、边L4、边L1以及边L2的左端附近。

磁性部30c～30f是绝缘体层16c～16f中的轨道R以外的部分。磁性部30b是绝缘体层16b中的轨道R以及后述的引出导体层24a以外的部分。磁性部30g是绝缘体层16g中的轨道R以及后述的引出导体层24b以外的部分。

如图2所示，线圈L包括线圈导体层18a～18f，在从上方观察时，呈按顺时针方向旋转并且从上侧向下侧行进的螺旋状。线圈导体层18a～18f设置于层叠体12，从上侧向下侧依次排列。在从上侧观察时，线圈导体层18a～18f相互重合形成轨道R。以下，参照图2以及图4A对线圈导体层18a～18f的详细内容进行说明。在图4A中，线圈导体层18a～18f的两端成为白圈意味着在角C1～C4未设置线圈导体层18a～18f。此外，在后述的图11B等中，线圈导体层18a～18f的两端成为黑圈意味着在角C1～C4设置有线圈导体层18a～18f。

如图2以及图4A所示，在从上侧观察时，线圈导体层18a(第一线圈导体层的一个例子)遍及边L1、L2，呈L字型。另外，线圈导体层18a设置于绝缘体层16b，沿上下方向贯通绝缘体层16b。即，线圈导体层18a的厚度与绝缘体层16b的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16b时以及在从下侧观察绝缘体层16b时，从绝缘体层16b露出L字型的线圈导体层18a。

线圈导体层18a设置于边L1的除去角C1的部分、以及边L2的除去右端附近的部分。因此，如图2以及图4A所示，线圈导体层18a未设置于角C1、C3。以下，将线圈导体层18a中与边L1重叠的部分称为部分20a，将线圈导体层18a中与边L2重叠的部分称为部分22a。如图2所示，由于部分22a(即，线圈导体层18a)设置于边L2的除去右端附近的部分，所以不与角C3接触。即，在部分22a的右端与角C3之间存在非磁性部32b。通过将像以上那样的线圈导体层18a与非磁性部32b组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。

如图2以及图4A所示，在从上侧观察时，线圈导体层18b(第二线圈导体层的一个例子)遍及边L2、L3，呈L字型。另外，线圈导体层18b设置于绝缘体层16c，沿上下方向贯通绝缘体层16c。即，线圈导体层18b的厚度与绝缘体层16c的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16c时以及在从下侧观察绝缘体层16c时，从绝缘体层16c露出L字型的线圈导体层18b。

线圈导体层18b设置于边L2的除去左端附近的部分、以及边L3的除去角C4的部分。因此，如图2以及图4A所示，线圈导体层18b未设置于角C2、C4。以下，将在线圈导体层18b中与边L2重叠的部分称为部分20b，将在线圈导体层18b中与边L3重叠的部分称为部分22b。如图2所示，由于部分20b(即，线圈导体层18b)设置于边L2的除去左端附近的部分，所以不与角C2接触。即，在部分20b的左端与角C2之间存在非磁性部32c。通过将像以上那样的线圈导体层18b与非磁性部32c组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18b在部分20b与部分22a(线圈导体层18a)连接。

如图2以及图4A所示，在从上侧观察时，线圈导体层18c(第三线圈导体层的一个例子)遍及边L3、L4，呈L字型。另外，线圈导体层18c设置于绝缘体层16d，沿上下方向贯通绝缘体层16d。即，线圈导体层18c的厚度与绝缘体层16d的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16d时以及在从下侧观察绝缘体层16d时，从绝缘体层16d露出L字型的线圈导体层18c。

线圈导体层18c设置于边L3的除去角C3的部分、以及边L4的除去左端附近的部分。因此，如图2以及图4A所示，线圈导体层18c未设置于角C1、C3。以下，将在线圈导体层18c中与边L3重叠的部分称为部分20c，将在线圈导体层18c中与边L4重叠的部分称为部分22c。如图2所示，由于部分22c(即，线圈导体层18c)设置于边L4的除去左端附近的部分，所以不与角C1接触。即，在部分22c的左端与角C1之间存在非磁性部32d。通过将像以上那样的线圈导体层18c与非磁性部32d组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18c在部分20c与部分22b(线圈导体层18b)连接。

如图2以及图4A所示，在从上侧观察时，线圈导体层18d(第四线圈导体层的一个例子)遍及边L4、L1，呈L字型。另外，线圈导体层18d设置于绝缘体层16e，沿上下方向贯通绝缘体层16e。即，线圈导体层18d的厚度与绝缘体层16e的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16e时以及在从下侧观察绝缘体层16e时，从绝缘体层16e露出L字型的线圈导体层18d。

线圈导体层18d设置于边L4的除去右端附近的部分、以及边L1的除去角C2的部分。因此，如图2以及图4A所示，线圈导体层18d未设置于角C2、C4。以下，将在线圈导体层18d中与边L4重叠的部分称为部分20d，将在线圈导体层18d中与边L1重叠的部分称为部分22d。如图2所示，由于部分20d(即，线圈导体层18d)设置于边L4的除去右端附近的部分，所以不与角C4接触。即，在部分20d的右端与角C4之间存在非磁性部32e。通过将像以上那样的线圈导体层18d与非磁性部32e组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18d在部分20d与部分22c(线圈导体层18c)连接。

如图2以及图4A所示，在从上侧观察时，线圈导体层18e(第五线圈导体层的一个例子)遍及边L1、L2，呈L字型。另外，线圈导体层18e设置于绝缘体层16f，沿上下方向贯通绝缘体层16f。即，线圈导体层18e的厚度与绝缘体层16f的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16f时以及在从下侧观察绝缘体层16f时，从绝缘体层16f露出L字型的线圈导体层18e。

线圈导体层18e设置于边L1的除去角C1的部分、以及边L2的除去右端附近的部分。因此，如图2以及图4A所示，线圈导体层18e未设置于角C1、C3。以下，将在线圈导体层18e中与边L1重叠的部分称为部分20e，将在线圈导体层18e中与边L2重叠的部分称为部分22e。如图2所示，由于部分22e(即，线圈导体层18e)设置于边L2的除去右端附近的部分，所以不与角C3接触。即，在部分22e的右端与角C3之间存在非磁性部32f。通过将像以上那样的线圈导体层18e与非磁性部32f组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18e在部分20e与部分22d(线圈导体层18d)连接。

如图2以及图4A所示，在从上侧观察时，线圈导体层18f(第六线圈导体层的一个例子)遍及边L2、L3，呈L字型。另外，线圈导体层18f设置于绝缘体层16g，沿上下方向贯通绝缘体层16g。即，线圈导体层18f的厚度与绝缘体层16g的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16g时以及在从下侧观察绝缘体层16g时，从绝缘体层16g露出L字型的线圈导体层18f。

线圈导体层18f设置于边L2的除去左端附近的部分、以及边L3的除去角C4的部分。因此，如图2以及图4A所示，线圈导体层18f未设置于角C2、C4。以下，将在线圈导体层18f中与边L2重叠的部分称为部分20f，将在线圈导体层18f中与边L3重叠的部分称为部分22f。如图2所示，由于部分20f(即，线圈导体层18f)设置于边L2的除去左端附近的部分，所以不与角C2接触。即，在部分20f的左端与角C2之间存在非磁性部32g。通过将像以上那样的线圈导体层18f与非磁性部32g组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18f在部分20f与部分22e(线圈导体层18e)连接。

引出导体层24a设置于绝缘体层16b，沿上下方向贯通绝缘体层16b。如图2以及图4B所示，引出导体层24a在部分20a与线圈导体层18a连接，从绝缘体层16b的左侧的边露出在层叠体12外部。

引出导体层24b设置于绝缘体层16g，沿上下方向贯通绝缘体层16g。如图2以及图4B所示，引出导体层24b在部分22f与线圈导体层18f连接，从绝缘体层16g的右侧的边露出在层叠体12外部。

像以上那样的线圈导体层18a～18f以及引出导体层24a、24b例如由以银、铜等为主要成分的导体制作而成。

如图1以及图4B所示，外部电极14a覆盖层叠体12的左表面的整个面，并且折回到层叠体12的上表面、下表面、前表面以及后表面。由此，外部电极14a与引出导体层24a连接。如图1以及图4B所示，外部电极14b覆盖层叠体12的右表面的整个面，并且折回到层叠体12的上表面、下表面、前表面以及后表面。由此，外部电极14b与引出导体层24b连接。外部电极14a、14b例如通过在由以银等为主要成分的材料形成的基底电极上实施镀Ni以及镀Sn而形成。

(制造方法)

以下，参照图5～图11A对电子部件10的制造方法进行说明。图5～图11A是从上侧俯视电子部件10的制造时的情况的图。其中，在图5～图11A中，示出一个电子部件10的制造时的情况，而在实际制造时，在制作出母层叠体后，将母层叠体切割成多个层叠体12。

制作作为绝缘体层16a、16h以及磁性部30b～30g的原料的第一陶瓷浆料。将以48.0mol％的比率称量出的氧化铁(Fe₂O₃)、以20.0mol％的比率称量出的氧化锌(ZnO)、以23.0mol％的比率称量出的氧化镍(NiO)以及以9.0mol％的比率秤量出的氧化铜(CuO)这些各种材料作为原材料投入至球磨机中，进行湿式调合。在对得到的混合物进行干燥后进行粉碎，并将得到的粉末在750℃下煅烧1小时。在用球磨机对得到的煅烧粉末进行了湿式粉碎后，进行干燥，之后使其破碎(解砕)，得到铁素体陶瓷粉末。

对该铁素体陶瓷粉末添加结合剂(醋酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)和可塑剂、湿润剂、分散剂并用球磨机进行混合，之后，通过减压进行脱泡。由此，得到作为绝缘体层16a、16h以及磁性部30b～30g的原料的第一陶瓷浆料。

接下来，制作作为非磁性部32b～32g的原料的第二陶瓷浆料。将以48.0mol％的比率称量出的氧化铁(Fe₂O₃)、以43.0mol％的比率称量出的氧化锌(ZnO)以及以9.0mol％的比率秤量出的氧化铜(CuO)这些各种材料作为原材料投入至球磨机中，进行湿式调合。在对得到的混合物进行干燥后进行粉碎，并将得到的粉末在750℃下煅烧1小时。在用球磨机对得到的煅烧粉末进行了湿式粉碎后，进行干燥，之后进行使其破碎，得到铁素体陶瓷粉末。

对该铁素体陶瓷粉末添加结合剂(醋酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)和可塑剂、湿润剂、分散剂并用球磨机进行混合，之后，通过减压进行脱泡。由此，得到作为非磁性部32b～32g的原料的第二陶瓷浆料。

接下来，如图5所示，通过印刷第一陶瓷浆料，形成应成为绝缘体层16h的陶瓷坯体层116h。

接下来，如图6的(1)所示，通过丝网印刷法、光刻法等方法，在陶瓷坯体层116h上涂覆以Ag、Pd、Cu、Au、它们的合金等为主要成分的导电性浆料，由此形成线圈导体层18f以及引出导体层24b。

接下来，如图6的(2)所示，通过丝网印刷法在陶瓷坯体层116h上涂覆第二陶瓷浆料，由此形成应成为非磁性部32g的陶瓷坯体部132g。

接下来，如图6的(3)所示，通过丝网印刷法在陶瓷坯体层116h上涂覆第一陶瓷浆料，由此形成应成为磁性部30g的陶瓷坯体部130g。

之后，通过反复进行图6的(1)～(3)的工序，如图7～图11A所示，形成陶瓷坯体部130b～130f、132b～132f、线圈导体层18a～18e以及引出导体层24a。

接下来，通过丝网印刷法，以覆盖陶瓷坯体部130b、132b、线圈导体层18a以及引出导体层24a的方式涂覆第一陶瓷浆料，由此形成应成为绝缘体层16a的陶瓷坯体层116a(未图示)。经过以上的工序，形成母层叠体。通过等静压机等对母层叠体实施主压接。主压接例如在45℃以及1.0t/cm²的条件下进行。

接下来，将母层叠体切割成规定尺寸(例如，3.2mm×2.5mm×0.8mm)的层叠体12。由此得到未烧制的层叠体12。之后，对未烧制的层叠体12实施脱粘合剂处理以及烧制。脱粘合剂处理例如在低氧气氛中500℃的条件下进行2小时。烧制例如在大气中890℃的条件下进行2.5小时。

通过以上的工序，得到烧制后的层叠体12。对层叠体12实施滚磨并进行层叠体12的倒角。之后，通过浸渍法等方法对层叠体12涂覆主要成分为银的电极浆料涂覆并进行烧成，形成应成为外部电极14a、14b的基底电极。基底电极的干燥在100℃下进行10分钟，基底电极的烧成在780℃下进行2.5小时。

最后，通过对基底电极的表面实施镀Ni/镀Sn，形成外部电极14a、14b。经过以上的工序，如图1所示的电子部件10完成。

(效果)

根据本实施方式所涉及的电子部件10，能够抑制在线圈L中发生短路。图11B是示出比较例所涉及的电子部件300中的线圈导体层318a～318f的位置关系的图。

比较例所涉及的电子部件300具有与专利文献1所记载的层叠型电子部件相同的构造。在这样的电子部件300中，在从上侧观察时，线圈导体层318a～318f设置于角C1～C4。因此，在角C1中，线圈导体层318a的端部与线圈导体层318c的端部隔着1层绝缘体层对置。在角C2中，线圈导体层318b的端部与线圈导体层318d的端部隔着1层绝缘体层对置。在角C3中，线圈导体层318c的端部与线圈导体层318e的端部隔着1层绝缘体层对置。在角C4中，线圈导体层318d的端部与线圈导体层318f的端部隔着1层绝缘体层对置。因此，在角C1～C4中，存在在线圈中发生短路的忧患。

另一方面，在电子部件10中，在从上侧观察时，线圈导体层18a～18f未设置于角C1～C4。由此，在角C1中，线圈导体层彼此不对置。在角C2中，线圈导体层18a与线圈导体层18e隔着3层绝缘体层对置。在角C3中，线圈导体层18b与线圈导体层18f隔着3层绝缘体层对置。在角C4中，线圈导体彼此不对置。这样，在电子部件10中，与电子部件300相比，角C1～C4的线圈导体层彼此的间隔较大。由此，在角C1～C4中，抑制在线圈L中发生短路。

此外，在电子部件10中，能够抑制线圈L的直流电阻值增大。更详细而言，在从上侧观察时，线圈导体层18a～18f未设置于角C1～C4。因此，存在在角C1～C4中线圈L的上下方向的厚度减小，线圈L的直流电阻值增大的忧患。然而，角C1～C4上的线圈导体层18a～18f的线宽比轨道R上除去角C1～C4的部分的线圈导体层18a～18f的线宽粗。因此，线圈L的直流电阻值的增大量较少。

另外，在电子部件10中，基于以下的理由，能够抑制在线圈L中发生短路，并且能够抑制在线圈L中产生断线。在比较例所涉及的电子部件300中，存在在角C1～C4中在线圈中发生短路的忧患。在这样的电子部件300中，为了抑制在线圈中发生短路，例如，对于线圈导体层18a～18f，在从上侧观察时不设置于角C1～C4即可。

然而，即使在线圈导体层18a～18f未设置于角C1～C4的情况下，若线圈导体层18a～18f与角C1～C4的外缘接触，则在角C1～C4的外缘，线圈导体层18a～18f彼此也会接近。为了消除这样的问题，可以考虑线圈导体层18a～18f的端部的全部不与角C1～C4的外缘接触。然而，该情况下，部分20a～20f、22a～22f变短。特别是，若与轨道R的短边重叠的部分22b、20c、22d、20e变短，则线圈导体层18b与线圈导体层18c的连接面积以及线圈导体层18d与线圈导体层18e的连接面积变小。结果，存在在线圈导体层18b与线圈导体层18c之间、以及线圈导体层18d与线圈导体层18e之间发生断线的忧患。

因此，在电子部件10中，在从上侧观察时，线圈导体层18a与角C1接触，不与角C3接触。在从上侧观察时，线圈导体层18b与角C4接触，不与角C2接触。在从上侧观察时，线圈导体层18c与角C3接触，不与角C1接触。在从上侧观察时，线圈导体层18d与角C2接触，不与角C4接触。在从上侧观察时，线圈导体层18e与角C1接触，不与角C3接触。在从上侧观察时，线圈导体层18f与角C4接触，不与角C2接触。由此，与轨道R的长边重叠的部分22a、20b、22c、20d、22e、20f变短，与轨道R的短边重叠的部分22b、20c、22d、20e不变短。其中，部分22a、20b、22c、20d、22e、20f具有足够的长度，因此在线圈导体层18a与线圈导体层18b之间、线圈导体层18c与线圈导体层18d之间、以及线圈导体层18e与线圈导体层18f之间发生断线的可能性较低。综上，在电子部件10中，能够抑制在线圈L中发生短路，并且能够抑制在线圈L中发生断线。此外，该构成不会妨碍线圈导体层18a～18f的端部与角C1～C4接触。

另外，在电子部件10中，通过非磁性部32b～32g与线圈导体层18a～18f相互组合，形成有轨道R。结果，在轨道R中，如图4B所示，线圈导体层18a～18f与非磁性部32b～32g在上下方向上交替排列。结果，抑制电流值较小的区域中的线圈L的电感值的降低。

此外，在电子部件10中，非磁性部32仅设置于与轨道R重叠的位置，但也可以从轨道R突出。即，在从上侧观察时，也可以非磁性部32也可以设置于线圈L的内侧及/或外侧。由此，抑制电流值较小的区域中的线圈L的电感值的降低。

(第一变形例)

以下，参照附图对第一变形例所涉及的电子部件进行说明。图12是第一变形例所涉及的电子部件10a的层叠体12的分解立体图。图13是示出第一变形例所涉及的电子部件10a中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。对于电子部件10a的外观立体图，参照图1。

电子部件10a在线圈导体层18a～18f的形状上与电子部件10不同。以下，以这样的不同点为中心对电子部件10a进行说明。

在电子部件10a中，如图12以及图13所示，在从上侧观察时，线圈导体层18a、18e被设置于角C1，未设置于角C3。在从上侧观察时，线圈导体层18b、18f被设置于角C4，未设置于角C2。在从上侧观察时，线圈导体层18c被设置于角C3，未设置于角C1。在从上侧观察时，线圈导体层18d被设置于角C2，未设置于角C4。

在电子部件10a中，与电子部件10相同，能够抑制在线圈L中发生短路。更详细而言，在角C1中，线圈导体层18a与线圈导体层18d隔着2层绝缘体层对置。在角C2中，线圈导体层18a与线圈导体层18d隔着2层绝缘体层对置。在角C3中，线圈导体层18c与线圈导体层18f隔着2层绝缘体层对置。在角C4中，线圈导体层18c与线圈导体层18f隔着2层绝缘体层对置。这样，在电子部件10a中，与电子部件300相比，角C1～C4中的线圈导体层彼此的间隔较大。由此，在角C1～C4中，抑制在线圈L中发生短路。

此外，电子部件10a基于与电子部件10相同的理由，能够抑制在线圈L中发生短路，并且能够抑制在线圈L中发生断线。

(第二变形例至第五变形例)

以下，参照附图对第二变形例至第五变形例所涉及的电子部件进行说明。图14是示出第二变形例所涉及的电子部件10b中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。图15是示出第三变形例所涉及的电子部件10c中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。图16是示出第四变形例所涉及的电子部件10d中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。图17是示出第五变形例所涉及的电子部件10e中的线圈导体层18a～18f的位置关系的图。其中，对于电子部件10b～10e的外观立体图，参照图1。

电子部件10b在线圈导体层18a～18f的形状上与电子部件10不同。以下，以这样的不同点为中心对电子部件10b进行说明。

在电子部件10b中，如图14所示，在从上侧观察时，线圈导体层18a、18e设置于角C1、C3。在从上侧观察时，线圈导体层18b、18f设置于角C2、C4。在从上侧观察时，线圈导体层18c设置于角C3，未设置于角C1。在从上侧观察时，线圈导体层18d设置于角C2、C4。

在电子部件10a中，与电子部件10相同，能够抑制在线圈L中发生短路。更详细而言，在角C1中，线圈导体层18a与线圈导体层18d隔着2层绝缘体层对置。因此，在角C1中，不会有线圈导体层18a与线圈导体层18c隔着1层绝缘体层对置的情况，抑制在线圈导体层18a与线圈导体层18c之间发生短路。

如上述那样，也可以不是在全部的角C1～C4均能够抑制线圈L发生短路，能够在角C1～C4的至少一个角抑制线圈L发生短路即可。以下，将能够在角C1抑制线圈L发生短路的条件作为条件1，将能够在角C2抑制线圈L发生短路的条件作为条件2，将能够在角C3抑制线圈L发生短路的条件作为条件3，将能够在角C4抑制线圈L发生短路的条件作为条件4。

＜条件1＞

为了抑制在线圈导体层18a(第一线圈导体层的一个例子)与线圈导体层18c(第三线圈导体层的一个例子)之间(即，在角C1)发生短路，在从上侧观察时，线圈导体层18a或者线圈导体层18c的至少任意一方未设置于角C1即可。

＜条件2＞

为了抑制在线圈导体层18b(第一线圈导体层或者第二线圈导体层的一个例子)与线圈导体层18d(第三线圈导体层或者第四线圈导体层的一个例子)之间(即，在角C2)发生短路，在从上侧观察时，线圈导体层18b或者线圈导体层18d的至少任意一方未设置于角C2即可。

＜条件3＞

为了抑制在线圈导体层18c(第一线圈导体层或者第三线圈导体层的一个例子)与线圈导体层18e(第三线圈导体层或者第五线圈导体层的一个例子)之间(即，在角C3)发生短路，在从上侧观察时，线圈导体层18c或者线圈导体层18e的至少任意一方未设置于角C3即可。

＜条件4＞

为了抑制在线圈导体层18d(第一线圈导体层或者第四线圈导体层的一个例子)与线圈导体层18f(第三线圈导体层或者第六线圈导体层的一个例子)之间(即，在角C4)发生短路，在从上侧观察时，线圈导体层18d或者线圈导体层18f的至少任意一方未设置于角C4即可。

满足以上的条件1至条件4中的至少任意一个即可。此外，作为满足条件1～条件4的全部的电子部件，例如，可举出第三变形例至第五变形例所涉及的电子部件10c～10e(参照图15至图17)。在电子部件10c～10e中，在全部的角C1～C4抑制线圈L发生短路。

(第六变形例)

以下，参照附图对第六变形例所涉及的电子部件进行说明。图18是第六变形例所涉及的电子部件10f的层叠体12的分解立体图。图19是示出第六变形例所涉及的电子部件10f中的线圈导体层18a～18i的位置关系的图。其中，对于电子部件10f的外观立体图，参照图1。

电子部件10f在还具备绝缘体层16i～16k以及线圈导体层18g～18i的点上与电子部件10不同。以下，以这样的不同点为中心对电子部件10f进行说明。

由于电子部件10f的绝缘体层16a～16h与电子部件10的绝缘体层16a～16h相同，所以省略其说明。

绝缘体层16i层叠在绝缘体层16b与绝缘体层16c之间。绝缘体层16i的构造与绝缘体层16b的构造相同。但是，在绝缘体层16i没有设置引出导体层24a，而在与引出导体层24a相当的部分设置有磁性部30i。绝缘体层16j层叠在绝缘体层16d与绝缘体层16e之间。绝缘体层16j的构造与绝缘体层16d的构造相同。绝缘体层16k层叠在绝缘体层16f与绝缘体层16g之间。绝缘体层16k的构造与绝缘体层16f的构造相同。

线圈L包括从上侧向下侧依次排列的线圈导体层18a、18g、18b、18c、18h、18d、18e、18i、18f。由于电子部件10f的线圈导体层18a～18f与电子部件10的线圈导体层18a～18f相同，所以省略其说明。

如图18以及图19所示，在从上侧观察时，线圈导体层18g(第二线圈导体层的一个例子)遍及边L1、L2，呈L字型。另外，线圈导体层18g设置于绝缘体层16i，沿上下方向贯通绝缘体层16i。即，线圈导体层18g的厚度与绝缘体层16i的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16i时以及在从下侧观察绝缘体层16i时，从绝缘体层16i露出L字型的线圈导体层18g。

线圈导体层18g设置于边L1的除去角C1的部分、以及边L2的除去右端附近的部分。因此，如图18以及图19所示，线圈导体层18g未设置于角C1、C3。以下，将在线圈导体层18g中与边L1重叠的部分称为部分20g，将在线圈导体层18g中与边L2重叠的部分称为部分22g。如图18所示，由于部分22g(即，线圈导体层18g)设置于边L2的除去右端附近的部分，所以不与角C3接触。即，在部分22g的右端与角C3之间存在非磁性部32i。通过将像以上那样的线圈导体层18g与非磁性部32i组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18g在部分20g、22g与部分20a、22a(线圈导体层18a)连接。而且，线圈导体层18g在部分22g与部分20b(线圈导体层18b(第三线圈导体层的一个例子))连接。

另外，线圈导体层18c(第四线圈导体层的一个例子)在部分20c与线圈导体层18b连接。

如图18以及图19所示，在从上侧观察时，线圈导体层18h(第五线圈导体层的一个例子)遍及边L3、L4，呈L字型。另外，线圈导体层18h设置于绝缘体层16j，沿上下方向贯通绝缘体层16j。即，线圈导体层18h的厚度与绝缘体层16j的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16j时以及在从下侧观察绝缘体层16j时，从绝缘体层16j露出L字型的线圈导体层18h。

线圈导体层18h设置于边L3的除去角C3的部分、以及边L4的除去左端附近的部分。因此，如图18以及图19所示，线圈导体层18h未设置于角C1、C3。以下，将在线圈导体层18h中与边L3重叠的部分称为部分20h，将在线圈导体层18h与边L4重叠的部分称为部分22h。如图18所示，由于部分22h(即，线圈导体层18h)设置于边L4的除去左端附近的部分，所以不与角C1接触。即，在部分22h的左端与角C1之间存在非磁性部32j。通过将以上那样的线圈导体层18h与非磁性部32j组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18h在部分20h、22h与部分20c、22c(线圈导体层18c)连接。而且，线圈导体层18h在部分22h与部分20d(线圈导体层18d)连接。

另外，线圈导体层18d在部分22d与线圈导体层18e连接。

如图18以及图19所示，在从上侧观察时，线圈导体层18i遍及边L1、L2，呈L字型。另外，线圈导体层18i设置于绝缘体层16k，沿上下方向贯通绝缘体层16k。即，线圈导体层18i的厚度与绝缘体层16k的厚度实质相等。由此，在从上侧观察绝缘体层16k时以及在从下侧观察绝缘体层16k时，从绝缘体层16k露出L字型的线圈导体层18i。

线圈导体层18i设置于边L1的除去角C1的部分、以及边L2的除去右端附近的部分。因此，如图18以及图19所示，线圈导体层18i未设置于角C1、C3。以下，将在线圈导体层18i中与边L1重叠的部分称为部分20i，将在线圈导体层18i中与边L2重叠的部分称为部分22i。如图18所示，由于部分22i(即，线圈导体层18i)设置于边L2的除去右端附近的部分，所以不与角C3接触。即，在部分22i的右端与角C3之间存在非磁性部32k。通过将像以上那样的线圈导体层18i与非磁性部32k组合，在从上侧观察时，形成有轨道R。另外，线圈导体层18i在部分20i、22i与部分20e、22e(线圈导体层18e)连接。而且，线圈导体层18i在部分22i中与部分20f(线圈导体层18f)连接。

像以上那样的电子部件10f能够起到与电子部件10相同的作用效果。

另外，在电子部件10f中，具有相同形状的线圈导体层18a、18g相连接。具有相同形状的线圈导体层18c、18h相连接。具有相同形状的线圈导体层18e、18i相连接。由此，实现线圈L的直流电阻值的减少。

(其它实施方式)

本发明所涉及的电子部件并不局限于电子部件10、10a～10f，能够在其主旨的范围内进行变更。

其中，也可以对电子部件10、10a～10f的结构进行任意组合。

其中，在电子部件10、10a～10f中，层叠体12也可以全部由磁性体材料来制作。

其中，在电子部件10中，设置至少3个以上线圈导体层即可。这是因为，例如若设置3个线圈导体层18a～18c，则如图4A所示，在角C1，线圈导体层18a与线圈导体层18c能够隔着1层绝缘体层对置。

如上所述，本发明对于电子部件有用，特别是在能够抑制在线圈中发生短路这一点上较优异。

Claims (8)

1.一种电子部件，其特征在于，

具备：

层叠体，其在层叠方向层叠多个绝缘体层而构成；以及

线圈，其设置于所述层叠体，包括从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列的第一线圈导体层、第二线圈导体层以及第三线圈导体层，

定义在从所述层叠方向观察时，绕规定方向依次连接第一边、第二边、第三边以及第四边而构成的四边形状的轨道，

所述第一线圈导体层遍及所述第一边以及所述第二边，

所述第二线圈导体层遍及所述第二边以及所述第三边，并且在该第二边与所述第一线圈导体层连接，

所述第三线圈导体层遍及所述第三边以及所述第四边，并且在该第三边与所述第二线圈导体层连接，

在从所述层叠方向观察时，所述第一线圈导体层或者所述第三线圈导体层的至少任意一方未设置于由所述第一边和所述第四边形成的第一角。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，

在从所述层叠方向观察时，所述第一线圈导体层以及所述第三线圈导体层未设置于所述第一角。

3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，

所述线圈还包括第四线圈导体层，

所述第一线圈导体层至所述第四线圈导体层从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列，

所述第四线圈导体层遍及所述第四边以及所述第一边，且在该第四边与所述第三线圈导体层连接，

在从所述层叠方向观察时，所述第二线圈导体层或者所述第四线圈导体层的至少任意一方未设置于由所述第一边和所述第二边形成的第二角。

4.根据权利要求3所述的电子部件，其特征在于，

所述线圈还包括第五线圈导体层，

所述第一线圈导体层至所述第五线圈导体层从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列，

所述第五线圈导体层遍及所述第一边以及所述第二边，且在该第一边与所述第四线圈导体层连接，

在从所述层叠方向观察时，所述第三线圈导体层或者所述第五线圈导体层的至少任意一方未设置于由所述第二边和所述第三边形成的第三角。

5.根据权利要求4所述的电子部件，其特征在于，

所述线圈还包括第六线圈导体层，

所述第一线圈导体层至所述第六线圈导体层从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列，

所述第六线圈导体层遍及所述第二边以及所述第三边，且在该第二边与所述第五线圈导体层连接，

在从所述层叠方向观察时，所述第四线圈导体层或者所述第六线圈导体层的至少任意一方未设置于由所述第三边和所述第四边形成的第四角。

6.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，

所述轨道呈长方形形状，

所述第一边以及所述第三边是短边，所述第二边以及所述第四边是长边，

所述第一线圈导体层不与由所述第二边和所述第三边形成的第三角接触。

7.一种电子部件，其特征在于，

具备：

层叠体，其在层叠方向层叠多个绝缘体层而构成；以及

线圈，其设置于所述层叠体，包括从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列的第一线圈导体层、第二线圈导体层、第三线圈导体层以及第四线圈导体层，

定义在从所述层叠方向观察时，绕规定方向依次连接第一边、第二边、第三边以及第四边而构成的四边形状的轨道，

所述第一线圈导体层以及所述第二线圈导体层遍及所述第一边以及所述第二边，并且在该第一边以及该第二边相互连接，

所述第三线圈导体层遍及所述第二边以及所述第三边，并且在该第二边与所述第二线圈导体层连接，

所述第四线圈导体层遍及所述第三边以及所述第四边，并且在该第三边与所述第三线圈导体层连接，

在从所述层叠方向观察时，所述第二线圈导体层或者所述第四线圈导体层的至少任意一方未设置于由所述第一边和所述第四边形成的第一角。

8.根据权利要求7所述的电子部件，其特征在于，

所述线圈还包括第五线圈导体层，

所述第一线圈导体层至所述第五线圈导体层从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列，

所述第五线圈导体层遍及所述第三边以及所述第四边，且在该第三边以及该第四边与所述第四线圈导体层连接。