CN106469565A - 数码产生装置、一次性可编程存储器区块与数码产生方法 - Google Patents

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CN106469565A CN201610649388.7A CN201610649388A CN106469565A CN 106469565 A CN106469565 A CN 106469565A CN 201610649388 A CN201610649388 A CN 201610649388A CN 106469565 A CN106469565 A CN 106469565A
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Abstract

本发明提供一种数码产生装置、一次性可编程存储器胞区块与数码产生方法。本发明的数码产生装置包括多个第一一次性可编程存储器胞，一参考信号供应器与一感测放大器。第一一次性可编程存储器胞耦接于一第一位线。参考信号供应器提供一参考信号。其中至少一第一一次性可编程存储器胞提供一读取电流给第一位线，感测放大器比较读取电流与参考信号以产生一输出码。参考信号电流值设置在一范围内，范围是根据对应至位计数最大值的位电流设置，这样输出码由至少一个第一一次性可编程存储器胞的制造变异(manufacturing variation)决定。

Description

数码产生装置、一次性可编程存储器区块与数码产生方法
技术领域
本发明涉及一种数码产生装置，且特别涉及一种使用多个一次性可编程(onetime programming，OTP)存储器胞的数码产生装置。
背景技术
近年来电子装置成为人们日常生活中不可获缺的工具。出于某些目的，电子装置需要提供一特定的密码，例如识别码。无论何时使用识别码创造器，识别码必须完全一致，而且可以进行加密或解密操作，例如在安全保密领域中的物理不可复制函数(physicalunclonable function，简称PUF)。有时应用上电子装置需要一个或一个以上的随机数值码。因此如何设计一个有效率的硬件以供应识别码与(或)随机数值码是目前领域一个十分重要的课题。
发明内容
本发明涉及到多个数码产生装置和用于根据多个OTP单元的制造变异提供输出码的产生方法。
本发明还涉及一种用于提供至少一个识别码和随机数值码的一次性可编程(OTP)存储器区块。
本发明的数码产生装置包括多个第一一次性可编程存储器胞，一参考信号供应器与一感测放大器。第一一次性可编程存储器胞耦接于一第一位线。参考信号供应器提供一参考信号。感测放大器耦接于第一位线与参考信号供应器，其中至少一第一一次性可编程存储器胞提供一读取电流给第一位线，感测放大器比较读取电流与参考信号以产生一输出码。参考信号电流值设置在一范围内，范围是根据多个位电流与第一一次性可编程存储器胞的多个位计数的关系决定，范围以对应至位计数最大值的位电流设置，这样输出码由至少一个第一一次性可编程存储器胞的制造变异(manufacturing variation)决定。
本发明的另一数码产生装置包括多个一次性可编程存储器胞串、一切换器与一感测放大器。各一次性可编程存储器胞串包括多个一次性可编程存储器胞，其中一次性可编程存储器胞串分别耦接于多条位线。切换器耦接于所述位线。感测放大器耦接于切换器。其中切换器选择其中两条位线分别耦接于感测放大器的第一输入端与第二输入端，感测放大器感测两条被选中的位线的信号差异以产生一输出码，输出码是由被选中的两个一次性可编程存储器胞的至少一制造变异所决定。
本发明提供一种一次性可编程存储器区块，其中一次性可编程存储器区块包括多个数码产生装置而且数码产生装置的第一部分提供至少一识别码。
本发明提供一种一次性可编程存储器区块，其中一次性可编程存储器区块包括多个数码产生装置而且数码产生装置的第一部分提供至少一随机数值码。
本发明提供一种用于产生输出码的方法，而且此输出码适用于物理不可复制函数技术。此方法包括：选择至少一个一次性可编程存储器胞而且根据被选中的一次性可编程存储器胞提供一读取电流；决定多个位电流与多个一次性可编程存储器胞的位计数之间关系；藉由相对应至位计数最大值的位电流设置一范围；在所述范围内，在一预先设置电流值上设置一参考信号。其中输出码由被选中的一次性可编程存储器胞的制造变异所决定。
本发明提供一种用于产生输出码的方法，而且此输出码是安全信息。此方法包括：提供多个存储器胞；用预定程序偏压编程存储器胞，其中编程偏压被设置用以放大存储器胞的至少一制造变异；以及根据至少一个存储器胞产生一安全码。
基于上述，输出码由各一次性可编程存储器胞的制造变异决定，输出码也可以藉由调节参考信号来调整。因此，由数码产生装置产生的输出码对数码产生装置的一次性可编程存储器区块来说可被视为硬件既有识别码。此外，一随机数值码产生器也可以由本发明的数码产生装置实现。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例的一种数码产生装置的示意图。
图2是依照本发明另一实施例的一种数码产生装置的示意图。
图3是依照本发明一实施例绘示用于设置参考信号Iref的方案。
图4是依照本发明另一实施例绘示用于设置参考信号Iref的方案。
图5绘示了编程电压、位计数的数目与OTP存储器胞供应的读取电流之间的关系图
图6是依照本发明另一实施例的一种数码产生装置的示意图。
图7A至图7C依照本发明一实施例分别绘示了OTP存储器胞的电路图、俯视图与侧面图。
图8A是依照本发明一实施例的OTP存储器区块的方块图。
图8B是依照本发明另一实施例的OTP存储器区块的方块图。
【符号说明】
100、200、600：数码产生装置
111、112、211、212、221、222、611、612、631、632：OTP存储器胞
SA：感测放大器
BL_n、BL_n+1、BL_m、BL：位线
Iref：参考信号
OC：输出码
AF_a、AF_b：编程信号
WL_a、WL_b：字线信号
WL：字线
PT1：通道晶体管
CT1：晶体管电容
I1、I2：输入端
PG：多晶硅栅极
130、230：参考信号供应器
240、610：切换器
250、620：编码器
MBC1：位数的最大值
SBC1：位电流
EOC：编码输出码
IrefR：范围
T1、晶体管
601、602、60A：OTP存储器胞串
800：OTP存储器区块
810：第一子区块
820：第二子区块
830：第三子区块
850：MTP存储器区块
具体实施方式
根据本发明的一实施例，图1绘示了一数码产生装置的示意图。码产生器100包含多个一次性可编程(OTP)存储器胞111-112、参考信号供应器130以及感测放大器SA。一次性可编程存储器胞111-112耦接串联，全部的一次性可编程存储器胞111-112耦接到一位线BL_n。感测放大器SA有两个输入端，感测放大器SA的其中一个输入端耦接于位线BL_n，另一个输入端耦接于参考信号供应器130。参考信号供应器130提供一参考信号Iref给感测放大器SA，在本实施例中，参考信号Iref可以是一个参考电流。感测放大器SA可以感测位线的信号与参考信号Iref的差值以产生一输出码OC。
另一方面在本实施例中，OTP存储器胞111-112分别收到编程信号AF_a与AF_b以用于编程操作，并且分别接收字线信号WL_a与WL_b以进行读取操作。
关于数码产生装置100的操作细节，首先OTP存储器胞111-112依据编程信号AF_a与AF_b而被编程。编程信号AF_a与AF_b为预定的编程偏压电压。接下来，当数码产生装置100用以产生输出码OC时，OTP存储器胞111在第一时间周期内根据字线信号WL_a提供一电流至位线BL_n，感测放大器SA在第一时间周期藉由感测在位线BL_n的电流与参考信号Iref之间差值，可以产生输出码OC。在第二时间周期内，OTP存储器胞112在第二时间周期内能根据字线信号WL_b提供另一电流给位线BL_n，感测放大器SA在第二时间周期藉由感测在位线BL_n的另一电流与参考信号Iref之间的差值，并藉以产生输出码OC，其中，OTP存储器胞111在第二时间周期可以停止供应电流给位线BL_n。
在此可看出，通过打开每个串联的OTP存储器胞111-112，可以产生具有多个依序排列位的输出码OC。当然，耦接于位线BL_n的OTP存储器胞的数目不限定于2，可以等于N而N可以是任何大于1的整数。
这里应指出的是，由OTP存储器胞111和112所分别提供的电流的电流值，会依据每个OTP存储器胞111和112的工艺漂移来决定。例如栅极氧化层厚度、多晶粒大小、接面轮廓、位线BL_n的接触电阻与位线BL_n的金属临界距离(metal critical distance，metal CD)等等。除此之外，分别由OTP存储器胞111和112提供的电流值也会受编程环境与数据读取环境所决定，例如编程信号AF_a与AF_b的电压值和OTP存储器胞111和112接收到的字线信号WL_a与WL_n的电压值。参照图5，图5绘示了编程电压、位计数的数目与OTP存储器胞供应的读取电流之间的关系图。曲线51-540是在被不同的编程信号电压值所编程的情况下，位计数数目与对应的由OTP存储器胞供应的读取电流之间的关系曲线。可以看出通过设置不同的编程信号电压可以选择得到狭窄或宽阔的读取电流散布曲线。例如，如果数码产生装置100用以产生一本质识别码，可以选择曲线540，编程信号的电压就会依据曲线540而设置。反之，如果数码产生装置100用以生成一随机数值码，可以选择曲线510，编程信号的电压就会依据曲线510而设置。
本实施例中，OTP存储器胞111包含一通道晶体管(pass transistor)PT1与一晶体管电容(transistor capacitor)CT1。通道晶体管PT1的第一端耦接于位线BL_n，通道晶体管PT1的控制端接收字线信号WL_a，通道晶体管PT1的第二端耦接于晶体管电容CT1的第一端。另外，晶体管电容CT1的控制端接收一编程信号，CT1的第二端可以为浮接。
另外一方面，输出码OC可以通过调整由参考信号供应器130供应的参考信号Iref来进行调整。参照图3，根据本发明的实施例，图3绘示了用于设置参考信号Iref的方案。图3中，垂直轴表示数码产生装置中OTP存储器胞的位数数目，水平轴表示对应的OTP存储器胞所供应的电流的电流值。在本实施例，如图3所示可以得到多个位电流与OTP存储器胞111-112的多个位数的关系。参考电流Iref可以依据图3的关系来进行设置。另外参考信号供应器130可以在Iref_a、Iref_b、Iref_c或Iref_d中选择其中一个参考电流来调节参考电流Iref，输出码OC也可以相对应的被调节。此外，参考信号供应器130可以设置参考信号Iref依序等于参考电流Iref_a、Iref_b、Iref_c或Iref_d，产生有多个位依序排列的输出码OC。
这里应指出的是，参考信号Iref的电流值可以设置在某范围内，此范围可以通过对应于位数的最大值MBC1的位电流SBC1决定。此范围可以设置以包括对应位计数最大值的MBC1的位电流SBC1，而且范围宽度可以通过预先设置值来设置。
在本发明的另一实施例中，数码产生装置100也可以用以提供随机数值码。参照图1与图4，图4根据本实施例绘示了另一个用于设置参考信号Iref的方案。在图4中，垂直轴表示数码产生装置中OTP存储器胞的位数数目，水平轴表示对应的OTP存储器胞所供应的电流的电流值。参考信号供应器130可以在范围IrefR内设置参考信号Iref，范围IrefR是依据图4中对应于位数最大值MBC2的位电流SBC2所设置，而且位电流SBC2可以位于范围IrefR的中心。藉由设置在范围IrefR中的参考信号Iref的电流值，数码产生装置100可以通过重复读取OTP存储器胞111-112不稳定地供应输出码OC并且获取随机数值码。图4中的范围IrefR小于图3的范围，而且在图4中，范围IrefR小于10A。
通过设定宽度狭窄的范围IrefR，感测放大器SA的比较结果都会敏感于每个OTP存储器胞111-112的电子特性，而使得每个OTP存储器胞111-112提供的位电流是否大于参考信号Iref可由每个OTP存储器胞111-112的制造变异(例如工艺变异)来决定。由此可以看出，OTP存储器胞111-112在通过预定程序偏压电压进行编程后，OTP存储器胞111-112至少其中之一的制造变异可以被放大，据此，所产生的输出码可以是一个安全码。此外，OTP存储器胞111-112的编程运作无法被使用者操作，被编程的OTP存储器胞111-112的电子特性可以不为外部的使用者所改变。
因此，输出码OC可以被OTP存储器胞111-112的工艺参数决定，而且无法被使用者修改的输出码OC也可以被用来当作识别码和/或安全码。如此一来，本发明的输出码OC可以当作一物理不可复制函数。
参照图2，图2根据本发明另一实施例绘示了数码产生装置的示意图。数码产生装置200包括多个OTP存储器胞211-212与221-222、切换器240、参考信号供应器230与感测放大器SA。OTP存储器胞211-212串联耦接，并耦接于位线BL_n。OTP存储器胞221-222串联耦接并耦接于另一条位线BL_m。与图1的数码产生装置100不同之处在于，切换器240具有两个输入端以分别耦接于位线BL_n与BL_m。切换器240也具有输出端以耦接于感测放大器SA。切换器240用以选择位线BL_n或BL_m以耦接于感测放大器SA。当位线BL_n耦接于感测放大器SA，其中OTP存储器胞211-212的其中之一可以提供一电流给感测放大器SA，而感测放大器SA通过感测来自位线BL_n的电流与参考信号Iref之间差异，可产生输出码OC。此外，当位线BL_m耦接于感测放大器SA，OTP存储器胞221-222的其中之一可以提供另一电流给感测放大器SA，而感测放大器SA通过感测来自位线BL_m的电流与参考信号Iref之间的差异，来产生输出码OC。
在本实施例中，数码产生装置200还有包括编码器250。编码器250耦接感测放大器SA的一输出端以接收输出码OC。编码器250能对输出码OC进行编码以产生编码输出码EOC。这里应注意的是，编码器250可以对输出码OC进行任何编码操作以产生编码输出码EOC，此对本领域技术人员乃是公知技术。例如，编码器250可以对具有多个位的输出码进行同位核对以产生编码输出码EOC，或是编码器250能对具有多个位的输出码进行“1”(或“0”)计数，以产生编码输出码EOC。
确保用于硬件既有识别码创造器的输出码OC一致性，一或更多ECC位可以在一开始伴随输出码OC由编码器250创造。EEC位可以存储在一OTP区块中。上述的OTP区块可以与OTP存储器胞211-212与221-222的OTP区块相同，或是上述的OTP区块也可以与OTP存储器胞211-212与221-222的OTP区块不同。还有，确保用于硬件既有识别码创造器所产生的输出码OC的可靠性，一些安全标志可以用以保护OTP存储器胞211-212与221-222，使之不受再一次的覆写动作影响。这些标志可以存储在与OTP存储器胞211-212与221-222的OTP区块一样的OTP区块，或者这些标志可以存储在与OTP存储器胞211-212与221-222的OTP区块不同的OTP区块。
在某些实施例中，标志也可以用以保护OTP区块，使之免受于任何读取操作。故此，藉由这些标志，输出码OC在没有经过授权的条件下就无法被读取。
编码器250可以是藉由一或是更多逻辑门实现的逻辑电路，或者编码器250也可以通过处理器藉由执行一或者是多个算法来实现。
参照图6，图6根据本发明另一实施例绘示数码产生装置的示意图。数码产生装置600包括多个OTP存储器胞串601-60A，切换器610、感测放大器SA与编码器620。每个OTP存储器胞串601-60A都包括多个OTP存储器胞。例如，OTP存储器胞串601包括OTP存储器胞611-612，OTP存储器胞串60A包括OTP存储器胞631-632。此外，OTP存储器胞串601-60A分别耦接于多个位线。例如，OTP存储器胞串601与602分别耦接于位线BL_n与BL_n+1，OTP存储器胞串60A耦接于位线BL_m。切换器610耦接于位线BL_n、BL_n+1…BL_m，切换器610也耦接到感测放大器SA。切换器610选择BL_n、BL_n+1…BL_m其中一条位线去耦接感测放大器SA的第一输入端I1，选择BL_n、BL_n+1…BL_m其中另一条位线耦接感测放大器SA的第二输入端I2。
感测放大器SA感测到两条被选择的位线上的信号差以产生输出码OC。在本发明的实施例，感测放大器SA可以比较两条被选择的位线上的电流以产生一输出码OC。
编码器620耦接于感测放大器SA的输出端。编码器620接收到输出码OC且对输出码进行编码以产生编码输出码EOC。
这里值得注意的是，数码产生装置600的OTP存储器胞611、612、631与632是已被编程的。在本实施例中，OTP存储器胞611与631可以形成一对OTP存储器胞配对，OTP存储器胞612与632形成另一对OTP存储器胞配对。在每一对OTP配对的OTP存储器胞可以同时被编程，在每一对OTP配对的OTP存储器胞也可以同时被读取。在图6中，OTP存储器胞611与631接收相同的字线信号WL_a跟相同的编程信号AF_a，OTP存储器胞612与632接收相同的字线信号WL_b跟相同的编程信号AF_b。
如果位线BL_n与BL_m是选中的两条位线，提供给位线BL_n与BL_m的读取电流可以分别依据制造变异(例如本质工艺变异)与OTP存储器胞611与631或OTP存储器胞612与632的编程环境决定，输出码OC可以根据本质工艺变异与OTP存储器胞611与631或OTP存储器胞612与632的编程环境来获取。
参照图7A至图7C，图7A至图7C根据本发明的实施例分别绘示了OTP存储器胞的电路图、俯视图与侧面图。图7A中，OTP存储器胞也可以藉由具有双重栅极氧化厚度的晶体管T1实现。晶体管T1具有耦接于位线BL的第一端，接收字线信号WL的控制端，浮动的第二端。晶体管T1的栅极氧化层有双重厚度，栅极氧化层邻近位线信号BL的一侧的厚度比栅极氧化层的另一侧厚。
在图7B，在A1区域的氧化层厚度厚于A1区域外面的氧化层厚度。在图7C，有双重厚度的多晶硅栅极(poly gate)PG覆盖在晶体管T1的通道上，多晶硅栅极PG接收字线信号WL。其中一个晶体管T1的N型扩散区耦接到位线BL。
这里值得注意的是，此处有许多其他结构也可以用来实现本发明的OTP存储器胞。例如，具有一个通道晶体管与两个金属氧化物半导体导场效晶体管(MOS)电容的反熔丝单元、具有在单一侧边的两个通道晶体管与一个MOS电容的反熔丝单元、在两侧各具有一通道晶体管以及具有一个MOS电容位于两通道晶体管间的反熔丝单元、具有一通道晶体管、一MOS电容与一个绝缘型晶体管的反熔丝单元与具有一通道晶体管跟一浮动栅极晶体管的OTP存储器胞，其中的浮动栅极晶体管的OTP存储器胞用于存储电荷。
参照图8A，图8A根据本发明另一实施例绘示一次性可编程存储器区块的方块图。OTP存储器区块800有多个数码产生装置，而且每一个数码产生装置都能藉由数码产生装置100、200或600实现。在图8A中，OTP存储器区块800有第一子区块810与第二子区块820。第一子区块810可以包括数码产生装置的第一部分，数码产生装置的第一部分用以供应至少一个识别码。第二子区块820包括数码产生装置的第二部分，数码产生装置的第二部分用以供应至少一个随机数值码，或者，在某些实施例中，第二子区块820用于作为正常数据存储。
在某些实施例中，OTP存储器区块800可以耦接于至少一个多次编程存储器(multiple time program，MTP)区块850，此刻MTP存储器区块850可用于作为正常数据存储。
参照图8B，图8B根据本发明另一实施例绘示一次性可编程存储器区块的方块图。在图8B中，OTP存储器区块800有第一子区块810与第二子区块820，甚至还有第三子区块830。第一子区块810可以包括数码产生装置的第一部分，数码产生装置的第一部分用以供应至少一个识别码。第二子区块820可以包括数码产生装置的第二部分，数码产生装置的第二部分用以供应至少一个随机数值。第二子区块830可以包括数码产生装置的第三部分，第三子区块830可以用于作为正常数据存储。
这里值得注意的是，当子区块分别用以提供识别码，在不同区块之间的输出码会不相同，而且对每个子区块来说，每一个输出码都被视为硬件既有识别。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附权利要求书界定范围为准。

Claims (25)

1.一种数码产生装置，包括：
多个第一一次性可编程存储器胞，耦接于第一位线；
参考信号供应器，提供参考信号；
感测放大器，耦接至所述第一位线与所述参考信号供应器；
其中所述第一一次性可编程存储器胞的至少其中之一提供一读取电流至所述第一位线，所述感测放大器比较所述读取电流与所述参考信号以产生输出码；以及
其中所述参考信号的电流值被设置在一范围内，所述范围根据多个位电流与所述第一一次性可编程存储器胞的多个位数的关系来决定，且所述范围依据所述位数中的最大值对应的位电流来设置，以使所述输出码由所述第一一次性可编程存储器胞的至少其中之一的制造变异(manufacturing variation)来决定。
2.如权利要求1所述的数码产生装置，其中各所述一次性可编程存储器胞依序提供所述读取电流，所述感测放大器通过依序比较所述读取电流与所述参考信号产生含有多个位的所述输出码。
3.如权利要求2所述的数码产生装置，还包括：
编码器，耦接于所述感测放大器的输出端，针对所述输出码的位进行编码以产生编码输出码。
4.如权利要求1所述的数码产生装置，其中所述参考信号供应器调整所述参考信号，且所述感测放大器对应至所述参考信号的调整来对所述输出码进行调整。
5.如权利要求1所述的数码产生装置，还包括：
多个第二一次性可编程存储器胞，耦接于第二位线；以及
切换器，具有第一输入端耦接于所述第一位线，第二输入端耦接于所述第二位线与输出端耦接于所述感测放大器；
其中所述切换器选择所述第一位线或所述第二位线以耦接至所述感测放大器。
6.如权利要求1所述的数码产生装置，其中各所述第一一次性可编程存储器胞包括：
通道晶体管，具有第一端耦接于所述第一位线，控制端接收字线信号；以及
晶体管电容，具有一第一端耦接于所述通道晶体管的第二端，控制端接收编程信号与浮接的第二端。
7.如权利要求1所述的数码产生装置，其中各所述第一一次性可编程存储器胞包括：
晶体管，具有双重栅极氧化层厚度，具有第一端耦接于所述第一位线，一控制端接收字线信号与浮接的第二端。
8.如权利要求1所述的数码产生装置，其中所述第一一次性可编程存储器胞都是编程过的一次性可编程存储器胞。
9.一种一次性可编程存储器区块，包括：
多个如权利要求1所述的数码产生装置；
其中所述数码产生装置的第一部分提供至少一识别码。
10.如权利要求9所述的一次性可编程存储器区块，其中所述数码产生装置的第二部分提供至少一随机数值码。
11.如权利要求10所述的一次性可编程存储器区块，其中所述数码产生装置的第三部分用以进行正常数据存储。
12.如权利要求10所述的一次性可编程存储器区块，其中所述一次性可编程存储器区块还耦接于至少一多次编程存储器区块，所述多次编程存储器区块用以作为正常数据存储。
13.一种一次性可编程存储器区块，包括：
多个如权利要求1所述的数码产生装置；
其中所述数码产生装置的第一部分提供至少一随机数值码。
14.如权利要求13所述的一次性可编程存储器区块，其中所述数码产生装置的第二部分用以进行正常数据存储。
15.一种数码产生装置，包括：
多个一次性可编程存储器胞串，各所述一次性可编程存储器胞串包括多个一次性可编程存储器胞，其中所述一次性可编程存储器胞串分别耦接于多条位线；
切换器，耦接于所述位线；以及
感测放大器，耦接于所述切换器；
其中所述多个一次性可编程存储器胞都是已编程而且所述切换器选择其中两条所述位线以分别耦接至所述感测放大器的第一输入端与第二输入端，所述感测放大器感测所述两条被选中的位线的信号差以产生一输出码；以及
其中所述输出码由两个被选中的所述一次性可编程存储器胞的至少一制造变异所决定。
16.如权利要求15所述的数码产生装置，其中在不同所述一次性可编程存储器胞串中的所述两个被选中的一次性可编程存储器胞分别提供两读取电流给被选中的所述位线，而且所述感测放大器通过比较所述读取电流以产生所述输出码。
17.如权利要求15所述的数码产生装置，还包括：
编码器，耦接于所述感测放大器的一输出端，对所述输出码进行编码以产生编码输出码。
18.一种一次性可编程存储器区块，包括：
多个如权利要求15所述的数码产生装置；
其中所述数码产生装置的第一部分提供至少一识别码。
19.如权利要求18所述的一次性可编程存储器区块，其中所述数码产生装置的第二部分提供至少一随机数值码。
20.如权利要求19所述的一次性可编程存储器区块，其中所述数码产生装置的第三部分用以作为正常数据存储。
21.一种一次性可编程存储器区块，包括：
多个如权利要求14所述的数码产生装置；
其中所述数码产生装置的第一部分提供至少一随机数值码。
22.一种用于产生适用于物理不可复制函数技术的输出码的方法，包括：
从多个一次性可编程存储器胞中选择至少一个而且根据被选中的所述一次性可编程存储器胞提供一读取电流；
决定多个位电流与所述一次性可编程存储器胞的多个位数之间关系，
依据对应所述位数中的最大值的所述位电流来设置一范围；
在所述范围内，设置参考信号等于预先设置电流值；以及
比较所述读取电流与所述参考电流以产生适用于物理不可复制函数技术的一输出码，
其中所述输出码由被选中的所述一次性可编程存储器胞的制造变异所决定。
23.一种用于产生安全信息的方法，包括：
提供多个存储器胞；
用预定程序偏压编程所述存储器胞，其中所述编程偏压被设置用以放大所述存储器胞的至少一制造变异；以及
根据至少一个所述存储器胞产生安全码。
24.如权利要求23所述的用于产生安全信息的方法，其中所述安全码为物理不可复制函数技术的码。
25.如权利要求23所述的用于产生安全信息的方法，其中根据至少一个所述存储器胞产生所述安全码的步骤还包括：
决定多个所述位电流与多个所述存储器胞的位数之间关系；
依据对应所述位数的最大值的所述位电流来设置一范围；
在所述范围内，在设置一参考信号为预先设置电流值上；以及
在所述存储器胞中选择一个存储器胞，并且比较被选中的所述存储器胞的读取电流与所述参考电流以产生s安全码，
其中所述安全码是根据被选中的所述存储器胞的一制造变异决定。
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