CN106459418A - 高折射组合物、抗反射膜及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供高折射组合物，上述高折射组合物包含：网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，一部分硅被金属取代，从而含有金属；以及光固化性丙烯酸酯类化合物，上述金属包含选自由钛、锆以及它们的组合组成的组中的至少一个。并且，本发明提供抗反射膜及制备方法，上述抗反射膜包括通过使上述高折射组合物光固化而形成的高折射层。

Description

高折射组合物、抗反射膜及制备方法
技术领域
本发明涉及高折射组合物、抗反射膜及制备方法。
背景技术
在显示器暴露于各种照明及自然光等的外光的情况下，因反射光而无法肉眼看清在显示器的内部所形成的图像，由此，因对比度(contrast)的下降，不仅很难看清画面，还会引发眼睛疲劳或头疼。由于这种原因，对抗反射的重视逐渐增加。
在以往的抗反射膜中，在透明基材上配置抗反射层，这种抗反射层具有在透明基材上依次层叠硬涂层、折射率层及低折射率层的三层结构。
并且，通常，高折射层通过在苯乙烯类、环氧类等的粘结剂树脂包含高价的金属氧化物微粒子而成，但由于金属氧化物微粒子的费用高，因此制备费用也随之上升，而且，低折射层通过在氟系列的丙烯类树脂等包含二氧化硅粒子而成，但存在二氧化硅粒子之间的相容性差的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题
在本发明的一实例中，提供如下的高折射组合物，即，上述高折射组合物可实现整体上均匀的实现高折射率，从而具有均匀的抗反射性能及优秀的经济性。
本发明的再一实例中，提供实现均匀的抗反射性能及优秀的经济性的抗反射膜。
本发明的另一实例中，提供上述抗反射膜的制备方法。
技术方案
在本发明的一实例中，提供高折射组合物，上述高折射组合物包含：网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，一部分硅被金属取代，从而含有金属；以及光固化性丙烯酸酯类化合物，上述金属包含选自由钛、锆及它们的组合组成的组中的至少一个。
以100重量份的上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物为基准，上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的含量可以为约10重量份至约1000重量份。
上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷中的硅与金属的原子个数之比可以为约1：0.03至约1：5.90。
上述含金属有机低聚硅氧烷的网状结构可包括一部分因取代基而被开放的结构。
上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基可包含碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯类官能基。
上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基还可包含选自由碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基(acetonate group)、卤化物基(halide group)及它们的组合组成的组中的至少一个。
上述含金属有机低聚硅氧烷可以为包含下述化学式1的钛化合物、下述化学式2的锆化合物或它们的混合物以及下述化学式3的硅烷化合物的第一组合物的反应产物。
化学式1：R1 xTi(OR2)4-x
化学式2：R3 yZr(OR4)4-y
化学式3：R5 zSi(OR6)4-z
在上述化学式1至化学式3中，上述R1、R3、R5分别独立地为碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基或卤化物基，上述R2、R4、R6分别独立地为H或碳数量为1个～6个的烷基，上述x、y、z分别独立地为0、1或2。
以100重量份的上述化学式3的硅烷化合物为基准，将上述化学式1的钛化合物的含量和上述化学式2的锆化合物的含量相加的总含量可为约10重量份至约1000重量份。
上述光固化性丙烯酸酯类化合物可包含选自由丙烯酸酯类单体、低聚物、树脂及它们的组合组成的组中的至少一个。
在本发明的再一实例中，提供包括通过使上述高折射组合物光固化而形成的高折射层的抗反射膜。
本发明的抗反射膜还可包括低折射层，上述低折射层形成于上述高折射层的上部，通过使低折射组合物固化而成，上述低折射组合物包含：作为粘结剂具有网状结构的含氟有机低聚硅氧烷；以及空心二氧化硅粒子。
以100重量份的上述空心二氧化硅粒子为基准，作为粘结剂的上述网状结构的含氟有机低聚硅氧烷的含量可为约10重量份至约120重量份。
上述含氟有机低聚硅氧烷可借助化学键附着于上述空心二氧化硅粒子的表面。
上述含氟有机低聚硅氧烷的网状结构可包括一部分因取代基而被开放的结构。
上述含氟有机低聚硅氧烷中的上述取代基可包含碳数量为3个～18个的氟烷基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基或全部。
上述含氟有机低聚硅氧烷可为包含上述化学式3的硅烷化合物及下述化学式4的含氟硅烷化合物的第二组合物的反应产物。
抗反射膜：
化学式4：R7 wSi(OR8)4-w
在上述化学式4中，上述R7为碳数量为3个～18个的氟烷基，上述R8为H或碳数量为1个～10个的烷基，上述w分别独立地为0、1或2。
以100重量份的上述化学式3的硅烷化合物为基准，上述化学式4的含氟硅烷化合物的含量可为约0.1重量份至约20重量份。
上述第一组合物、上述第二组合物或它们双方同时还可包含选自由酸催化剂、水以及有机溶剂组成的组中的至少一个。
本发明的另一实例中，提供抗反射膜的制备方法，包括：形成一部分硅被金属取代而成的含有金属的网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，并且上述金属包含选自由钛、锆及它们的组合组成的组中的至少一个的步骤；以及对上述含金属有机低聚硅氧烷及光固化性丙烯酸酯类化合物进行混合并搅拌来准备高折射组合物的步骤。
可对包含下述化学式1的钛化合物、下述化学式2的锆化合物或它们的混合物以及下述化学式3的硅烷化合物的第一组合物进行搅拌来形成上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷。
化学式1：R1 xTi(OR2)4-x
化学式2：R3 yZr(OR4)4-y
化学式3：R5 zSi(OR6)4-z
在上述化学式1至化学式3中，上述R1、R3、R5分别独立地为碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基或卤化物基，上述R2、R4、R6分别独立地为H或碳数量为1个～6个的烷基，上述x、y、z分别独立地为0、1或2。
有益效果
上述高折射组合物可实现整体上均匀的高折射率，从而具有均匀的抗反射性能及优秀的经济性，而且，包括高折射层的上述抗反射膜可实现均匀的抗反射性能及优秀的经济性，上述高折射层通过使上述高折射组合物光固化而成。
附图说明
图1为本发明的再一实例的抗反射膜的简要剖视图。
图2为本发明另一实例的抗反射膜的制备方法的简要工序流程图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施例进行详细说明，以使本发明所属技术领域的普通技术人员能够容易地实施本发明。本发明能够以多种不同的形态实现，本发明并不局限于在此所说明的实施例。
为了明确说明本发明而省略了与说明无关的部分，在说明书全文中，对于相同或类似的结构要素，标注了相同的附图标记。
在附图中，为了明确表示多层及区域，以放大的方式示出了厚度。并且，在附图中，为了便于说明，以夸张的方式示出了部分层及区域的厚度。
以下，在基材的“上部(或下部)”或者基材“上(或下)”形成任意结构，这不仅意味着任意结构与上述基材的上部面(或下部面)相接触而成，还不局限于在上述基材与形成于基材上(或下)的任意结构之间不包括其他结构的情况。
在本发明的一实例中，提供如下的高折射组合物，即，上述高折射组合物包含：一部分硅被金属取代而成的含有金属的网状结构的含金属有机低聚硅氧烷；以及光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物，上述金属包含选自由钛、锆及它们的组合组成的组中的至少一个。
通常，以混合如苯乙烯类、环氧类等的粘结剂树脂与高折射率的金属氧化物粒子的方式来制备高折射组合物，但是，这种金属氧化物粒子很难被均匀地分散，从而无法实现均匀的折射率，而且其费用高，从而存在制备费用明显增加的问题。
并且，作为上述粘结剂树脂，在使用如苯乙烯类树脂，环氧类树脂等热固化性树脂的情况下，固化速度慢，而且，在中断热处理并经熟成工序(aging process)之后，在产品中还继续进行规定时间的热固化反应，从而存在会产生使折射率发生变化的经时变化的问题。因此，难以形成所要实现的折射率，而且在干燥条件、熟成条件等作业条件上需要非常谨慎。
对此，本发明一实例的高折射组合物包含一部分硅被金属取代而成的含有金属的网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，因此即使不包含高价的金属氧化物粒子，也可以实现整体上更均匀的高折射率，从而具有具备均匀的抗反射性能及优秀的经济性的优点。
并且，由于包含光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物，可实现快速固化，从而缩短制备时间，由此，不仅可进一步提高加工性及生产性，而且在中断光的照射并经熟成工序之后，由于不再进行光固化反应，因而可更容易地形成所要实现的折射率，并可实现长期均匀的物性。
例如，以100重量份的上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物为基准，上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的含量可以为约10重量份至约1000重量份，具体地，可以为约100重量份至约1000重量份。以上述范围内的含量包含上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，从而即使不包含高价的金属氧化物粒子，也可实现整体上均匀的高折射率，从而可与后述的低折射层一同经济地实现优秀的抗反射性能。
有机低聚硅氧烷中的硅的一部分被金属取代，从而上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷含有金属，可根据发明的目的及性质适当地调节硅被金属取代的程度，从而实现所希望的水平的高折射率。
例如，包含在上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的硅与金属的原子个数之比可以为约1:0.03至约1:5.90，具体地，可以为约1:0.3至约1:5.90。以上述范围的原子个数比包含金属，从而可实现整体上均匀的高折射率，并且，无需过于增加费用也可以实现优秀的经济性。
具体地，上述硅与金属的原子个数之比大于1:5.90的情况下，由于通过使上述高折射组合物光固化而形成的高折射层的表面的硬度低，在上述高折射层的上部形成低折射层时，可容易发生破裂或刮破等的物理损伤，由此使包含它们的抗反射膜的雾度增加，从而存在光学物性会下降的问题。
上述含金属有机低聚硅氧烷的网状结构可包括一部分因取代基而被开放的结构。具体地，上述含金属有机低聚硅氧烷包含断开上述网状结构的键的取代基，由此，上述含金属有机低聚硅氧烷可包括上述网状结构的键的一部分因上述取代基而被断开的开放结构。
上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基可包含碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯类官能基。由于包含具有上述范围内的碳数量的(甲基)丙烯酸酯类官能基，因此碳链的长度适当，从而不仅可适当地进行借助光照射的光固化反应，还可容易地进行后述的水解反应、缩合反应、脱水缩合反应、水解-重缩合反应等。
并且，上述取代基还可包含选自由碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基、卤化物基及它们的组合组成的组中的至少一个。上述卤化物基可以为F、Cl、Br、I。
上述含金属有机低聚硅氧烷为包含下述化学式1的钛化合物、下述化学式2的锆化合物或它们的混合物以及下述化学式3的硅烷化合物的第一组合物的反应产物。
化学式1：R1 xTi(OR2)4-x
化学式2：R3 yZr(OR4)4-y
化学式3：R5 zSi(OR6)4-z
在上述化学式1至化学式3中，上述R1、R3、R5分别独立地为碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基或卤化物基，上述R2、R4、R6分别独立地为H或碳数量为1个～6个的烷基，上述x、y、z分别独立地为0、1或2。
例如，上述钛化合物可包含选自由四乙氧基钛、四甲氧基钛、四异丙氧基钛、四丁氧基钛、四叔丁氧基钛(tetra tert-butoxy Titanium)、2-乙基己基氧化钛、乙酰丙酮氧化钛、二异丙氧基双乙酰丙酮钛、四氯化钛、三乙氧基氯化钛、三甲氧基氯化钛、三异丙氧基氯化钛、二甲氧基二氯化钛、二乙氧基二氯化钛、二异丙氧基二氯化钛、二丁氧基二氯化钛、二乙氧基二异丙氧基钛及它们的组合组成的组中的至少一个。并且，例如，上述第一组合物作为钛化合物，还可包含如甲氧基三氯化钛、乙氧基三氯化钛等的三烷基烷氧基钛、溴化钛、氟化钛、碘化钛等。
并且，在例示的上述钛化合物中，可包含甲氧基、乙氧基等的烷氧基及卤化物基中的至少一个被(甲基)丙烯酸酯类官能基取代的钛化合物，由此，由于作为第一组合物的反应产物的上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基可包含(甲基)丙烯酸酯类官能基而被光固化，因此制备时间缩短，从而可提高加工性及生产性。
并且，在例示的上述钛化合物中，可包含甲氧基、乙氧基等的烷氧基及卤化物基中的至少一个被烷基、烯基、芳基或其他卤化物基取代的钛化合物。
例如，上述锆化合物可包含选自由四甲氧基锆、四乙氧基锆、四丙氧基锆、四丁氧基锆、四叔丁氧基、四异丙氧基锆、四乙酰丙酮锆及它们的组合组成的组中的至少一个。并且，例如，上述第一组合物作为锆化合物，还可包含三烷基烷氧基锆、氯化锆、溴化锆、氟化锆、碘化锆、丙烯酸锆、羧乙基丙烯酸锆等。
并且，在例示的上述锆化合物中，可包含甲氧基、乙氧基等的烷氧基及卤化物基中的至少一个被(甲基)丙烯酸酯类官能基取代的锆化合物，由此，由于作为第一组合物的反应产物的上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基可包含(甲基)丙烯酸酯类官能基而被光固化，因此制备时间缩短，从而可提高加工性及生产性。
并且，在例示的锆化合物中，可包含甲氧基、乙氧基等的烷氧基及卤化物基中的至少一个被烷基、烯基、芳基或其他卤化物基取代的锆化合物。
例如，上述硅烷化合物可包含选自由四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷、四-叔丁氧基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、甲基三氯硅烷、氯甲基三氯硅烷、二氯甲基三氯硅烷、四氯硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、辛基三氯硅烷、丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧甲基三乙氧基硅烷、(甲基丙烯酰氧甲基)甲基二甲氧基硅烷、(甲基丙烯酰氧甲基)甲基二乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基甲基二乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基二甲基甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧丙基二甲基乙氧基硅烷及它们的组合组成的组中的至少一个。并且，例如，上述第一组合物作为硅烷化合物，还可包含三烷基烷氧基硅烷等。
并且，在例示的上述硅烷化合物中，可包含甲氧基、乙氧基等的烷氧基及卤化物基中的至少一个被(甲基)丙烯酸酯类官能基取代的硅烷化合物，由此，由于作为第一组合物的反应产物的上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基可包含(甲基)丙烯酸酯类官能基而被光固化，因此制备时间缩短，从而可提高加工性及生产性。
并且，在例示的硅烷化合物中，可包含甲氧基、乙氧基等的烷氧基及卤化物基中的至少一个被烷基、烯基、芳基或其他卤化物基取代的硅烷化合物。
如上所述，作为如聚硅氧烷等非高分子的单分子化合物，包含上述化学式3的硅烷化合物来进行反应，从而钛或锆可在上述高折射组合物中更均匀且稳定地分散，进而可实现均匀的折射率。
例如，上述第一组合物可通过进行溶胶-凝胶(sol-gel)反应形成上述含金属有机低聚硅氧烷。具体地，上述第一组合物的反应产物可包含水解反应、缩合反应或这些全部反应的产物。例如，在进行上述溶胶凝-胶反应期间，先发生烷氧基硅烷等的水解反应，在由此形成的具有羟基的硅烷化合物之间可发生缩合反应，但并不局限于此，可根据多种反应路径，进行水解反应、缩合反应等。
例如，以100重量份的上述化学式3的硅烷化合物为基准，将上述化学式1的钛化合物的含量及上述化学式2的锆化合物的含量相加的总含量可以为约10重量份至约1000重量份，具体地可以为约100重量份至约1000重量份。。
通过包含上述范围内的含量的上述化合物，可实现上述高折射组合物的高折射率，而且可通过适当地调节反应速度来抑制凝胶反应，由此还可提高储存稳定性。并且，例如，包含在上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的硅与金属的原子个数之比可以为约1:0.03至约1:5.90的水平，从而即可提高折射率，还可实现优秀的光学物性。
如上所述，上述高折射组合物包含上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物，从而可使上述高折射组合物快速固化，进而可实现优秀的加工性及生产性。
上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物可包含选自由(甲基)丙烯酸酯类单体、低聚物、树脂及它们的组合组成的组中的至少一个。
并且，例如，上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物包含多官能性(甲基)丙烯酸酯类单体，从而可提高交联性，具体地，例如，上述多官能性(甲基)丙烯酸酯类单体包含三官能以上的(甲基)丙烯酸酯类单体，从而有效地提高交联性，由此使以固化上述高折射组合物的方式形成的高折射层的交联性及硬度增加，从而可实现优秀的耐久性。
例如，上述(甲基)丙烯酸酯类单体可包含选自包含甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸乙酯，甲基丙烯酸正丙酯，甲基丙烯酸异丙酯，甲基丙烯酸正丁酯，甲基丙烯酸叔丁酯，甲基丙烯酸仲丁酯，甲基丙烯酸戊酯，甲基丙烯酸2-乙基已酯，甲基丙烯酸2-乙基丁酯，甲基丙烯酸正辛酯，甲基丙烯酸异辛酯，甲基丙烯酸异壬酯，甲基丙烯酸十二烷酯，甲基丙烯酸四癸酯，甲基丙烯酸羟乙酯及它们的组合的组中至少一个。
上述(甲基)丙烯酸酯类低聚物可包含(甲基)丙烯酸烷基酯、亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯、含羧基及不饱和双键(甲基)丙烯酸酯、含羟基(甲基)丙烯酸酯、含氮(甲基)丙烯酸酯等具有多种种类的官能团的(甲基)丙烯酸酯类低聚物，但并不局限于此。
上述(甲基)丙烯酸酯类树脂可包含选自由二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、二甘醇丙烯酸酯、三甘醇丙烯酸酯、四甘醇丙烯酸酯、六甘醇丙烯酸酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸2-乙基已酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸壬酯、双酚A二丙烯酸二缩水甘油酯、双酚A环氧丙烯酸酯、环氧乙烷加成双酚A二丙烯酸酯、2-苯氧基乙基丙烯酸酯及它们的组合组成的组中的至少一个，但并不局限于此。
例如，作为上述多官能性(甲基)丙烯酸酯类单体可以为二官能型至十二官能型的(甲基)丙烯酸酯类单体，具体地，能够以1,2-乙二醇二丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二酸新戊二醇酯(neopentylglycol adipate)二(甲基)丙烯酸酯、羟基新戊酸(hydroxyl puivalic acid)新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二环戊基(dicyclopentanyl)酯、己内酯改性二(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、环氧乙烷改性二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、烯丙基(allyl)化二(甲基)丙烯酸环己基酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性六氢化邻苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性三(甲基)丙烷二甲基丙烯酸酯、金刚烷(adamantane)二(甲基)丙烯酸酯或9,9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙基氧基)苯基]芴(fluorine)等的二官能型丙烯酸酯；三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三三羟(甲基)丙烷三甲基丙烯酸酯、三官能型聚氨酯(甲基)丙烯酸酯或三甲基丙烯酰氧乙基异氰脲酸酯等的三官能型丙烯酸酯；双甘油四甲基丙烯酸酯或季戊四醇四丙烯酸酯等的四官能型丙烯酸酯；丙酸改性二季戊四醇五甲基丙烯酸酯等的五官能型丙烯酸酯；以及乙基二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或聚氨酯(甲基)丙烯酸酯(例如，异氰酸酯单体及三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯的反应物)等的六官能丙烯酸酯等为例，但并不局限于此。
上述第一组合物还可包含选自由酸催化剂、水及有机溶剂组成的组中的至少一个。
例如，上述酸催化剂可使用无机酸或有机酸，具体地，可使用硝酸、盐酸、硫酸或醋酸等。
例如，上述有机溶剂可包含选自由甲醇(methanol)、异丙醇(isoproply alcohol、IPA)、乙二醇(ethylene glycol)、丁醇(butanol)等的醇类；甲基乙基酮(methyl ethylketone)、甲基异丁基酮(methyl iso butyl ketone、MIBK)等的酮类；乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁内酯等的酯(ether)类；四氢呋喃(tetrahydrofura)、1,4-二恶烷等的乙醚(ether)类及它们的组合组成的组中的至少一个。
在一实例中，上述高折射组合物还可包含光引发剂，例如，上述高折射组合物可包含选自由1-羟基-环己基-苯酚-酮、2-甲基-1[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮、苄基二甲基酮、1-(4-十二烷基苯)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、苯甲酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、4,4'-二甲胺基苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮及它们的组合组成的组中的至少一个，但并不局限于此。
本发明的再一实例中，提供包括使上述高折射组合物光固化而成的高折射层的抗反射膜。上述高折射组合物如本发明的一实例所述。
上述抗反射膜包括使上述高折射组合物光固化而成的高折射层，上述高折射层包含上述含金属有机低聚硅氧烷，因此即使不包含高价的金属氧化物粒子，也可实现整体上均匀的高折射率，从而具有具备均匀的抗反射性能及优秀的经济性的优点。
例如，可在对上述高折射组合物进行热风干燥后，进行光固化，接着通过熟成工序来形成上述高折射层。
例如，上述光固化可以为紫外线固化等，可使用普通的金属卤化物灯(metalhalide lamp)等来执行，但并不局限于此。
通过上述热风干燥来蒸发溶剂的同时，还可进行水解反应、缩合反应等。例如，上述热风干燥可以为在约50℃至约200℃的温度下热风干燥约1分钟至10分钟的工序，但并不局限于此。
并且，通过适用上述熟成工序，还可进行残留于上述高折射组合物中的未反应化合物之间的水解反应、缩合反应等。例如，上述熟成工序可以为在约40℃至约80℃的温度下熟成处理约10小时至约100小时的工序，但并不局限于此。
例如，上述高折射层的折射率可以为约1.4至约1.73，具体地，可以为约1.51至约1.73。上述高折射层具有上述范围内的高水平的折射率，从而可与后述的低折射层共同提高在各个层的界面所反射的光的相消干涉现象等，进而在更广的波长区域可实现优秀的抗反射性能。
例如，上述高折射层的厚度可以为约50nm至约200nm。上述高折射层具有上述范围内的厚度，从而防止上述抗反射膜的厚度过厚，而且无需增加费用也可以与后述的低折射层一起实现优秀的抗反射性能。
在另一实例中，在上述抗反射膜中，在上述高折射层的上部还可包括低折射层。
例如，上述低折射层还可包括通过使低折射组合物固化而成的低折射层，上述低折射组合物包含：网状结构的含氟有机低聚硅氧烷；以及空心二氧化硅粒子。图1为简要示出包括上述高折射层110及形成于上述高折射层110的上部的上述低折射层120的上述抗反射膜100的剖视图。
上述含氟有机低聚硅氧烷可借助化学键附着于上述空心二氧化硅粒子的表面，例如，上述化学键可包含硅氧烷键，即，Si-O-Si键。
如上所述，上述低折射组合物作为粘结剂，可包含：网状结构的含氟有机低聚硅氧烷；以及空心二氧化硅粒子，网状结构的含氟有机低聚硅氧烷借助化学键附着于上述空心二氧化硅粒子的表面。
上述含氟有机低聚硅氧烷的网状结构可包括一部分因取代基而被开放的结构。具体地，上述含氟有机低聚硅氧烷包含断开上述网状结构的键的取代基，由此，上述含氟有机低聚硅氧烷可包括上述网状结构的键的一部分因上述取代基而被断开的开放结构。
上述低折射组合物作为上述粘结剂，例如，相对于100重量份的上述空心二氧化硅粒子，可包含约10重量份至约120重量份的网状结构的含氟有机低聚硅氧烷，并且，例如，相对于100重量份的上述空心二氧化硅粒子，可包含约20重量份至约100重量份的网状结构的含氟有机低聚硅氧烷。由于包含上述范围内的含量，因而不仅可防止白化现象，还使通过使上述低折射组合物固化而成的低折射层具有更低的折射率，由此可与前述的高折射层一同实现优秀的抗反射性能。
上述含氟有机低聚硅氧烷中的上述取代基可包含碳数量为3个～18个的氟烷基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基或全部。
如上所述，在上述含氟有机低聚硅氧烷中存在被至少一个氟取代的氟烷基，从而不仅可实现低折射率，而且由于存在(甲基)丙烯酸酯基，还可以进行光固化反应。
并且，在上述含氟有机低聚硅氧中存在至少一个光固化性(甲基)丙烯酸酯类官能基，从而可以进行光固化反应，由此可通过快速进行固化来缩短制备时间，进而可进一步提高加工性及生产性。
上述含氟有机低聚硅氧烷为包含上述化学式3的硅烷化合物、下述化学式4的含氟硅烷化合物的第二组合物的反应产物。
化学式4：R7 wSi(OR8)4-w
在上述化学式4中，上述R7为碳数量为3个～18个的氟烷基，上述R8为H或碳数量为1个～10个的烷基，上述w分别独立地为0、1或2。
上述化学式3的硅烷化合物如本发明的一实例所述。
例如，上述化学式4的含氟硅烷化合物可包含选自由三氟甲基三甲氧基硅烷、三氟甲基三乙氧基硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、三氟丙基三乙氧基硅烷、九氟丁基乙基三甲氧基硅烷、九氟丁基乙基三乙氧基硅烷、九氟己基三甲氧基硅烷、九氟己基三乙氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三乙氧基硅烷及它们的组合组成的组中的至少一个。并且，例如，上述第二组合物作为硅烷化合物，还可包含三烷基烷氧基硅烷等。
例如，以100重量份的上述化学式3的硅烷化合物为基准，上述化学式4的含氟硅烷化合物的含量可以为约0.1重量份至约20重量份，具体地，可以为约5重量份至约10重量份。由于包含上述范围内的含量，因而不仅可适当提高上述低折射层的水接触角，上述低折射层通过使上述低折射组合物固化而成，还可适当降低表面能，由此可实现低折射率及优秀的耐污染性，并具由于具有优秀的附着力，可适用于触摸板等。
上述第一组合物、上述第二组合物或它们双方同时还可包含选自由酸催化剂、水以及有机溶剂组成的组中的至少一个。上述酸催化剂及有机溶剂如本发明的一实例所述。
例如，上述空心二氧化硅粒子(hollow silica particles)可以为由硅化合物或有机硅化合物形成的二氧化硅粒子，上述二氧化硅粒子的表面、内部或这些均可存在空的空间。
例如，上述空心二氧化硅粒子作为分散在水或有机溶剂等的分散介质中的形态，能够以上述空心二氧化硅粒子的固体含量为5至40重量百分比的胶状包含。作为可用作上述分散介质的有机溶剂，可包括：甲醇(methanol)、异丙醇(isoproply alcohol、IPA)、乙二醇(ethylene glycol)、丁醇(butanol)等的醇类；甲基乙基酮(methyl ethyl ketone)、甲基异丁基酮(methyl isobutyl ketone、MIBK)等的酮类；甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)等的芳香族碳氢类；二甲基甲酰胺(dimethyl formamide)、二甲基乙酰胺(dimethylacetamide)、N-甲基吡咯烷酮(methyl pyrrolidone)等的酰胺类；乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁内酯等的酯(ester)类；四氢呋喃(tetrahydrofuran)、1,4-二氧六环等的醚(ether)类；以及它们的混合物。
例如，上述空心二氧化硅粒子的数均直径可以为约1nm至约1000nm，并且，例如，可以为约5nm至约500nm。上述空心二氧化硅粒子具有上述范围内的数均直径，从而上述抗反射膜可同时实现优秀的透明性及抗反射性能。
上述低折射组合物还可包含光引发剂，可通过使上述低折射组合物光固化来形成低折射层。例如，在对上述低折射组合物进行热风干燥后，进行光固化，接着可通过熟成工序来形成上述低折射层。有关上述光引发剂、上述热风干燥及上述熟成工序的说明如一实例所述。
例如，上述低折射层的厚度可以为约50nm至约200nm。上述低折射层具有上述范围内的厚度，从而防止上述抗反射膜的厚度过厚，且无需增加费用，而且可通过适当调节与前述的高折射层的相对厚度比来进一步提高光的相消干涉现象等，从而可实现优秀的抗反射性能。
上述低折射层的厚度与上述高折射层的厚度之比可以为约1：1至约1：4。具有上述范围内的厚度比，从而上述抗反射膜可通过进一步提高光的相消干涉现象等来实现优秀的抗反射性能。
例如，上述低折射层的水接触角可以为约40°至约80°。上述低折射层具有上述范围内的水接触角，由此通过适当降低表面能来调和耐污染性及附着力，从而可同时实现优秀的耐污染性及附着力。
上述低折射层的折射率可以为约1.20至约1.25。上述低折射层具有上述范围内的低水平的折射率，从而可与前述的高折射层一同实现优秀的抗反射性能。
上述抗反射膜的透光度可以为约94％至约98％，并且在约23℃的温度下测定的视角反射率可以为约0.2至约1.0，从而可实现优秀的透光度及抗反射性能。
图2示出本发明还有一实例的抗反射膜的制备方法的简要工序流程图。
在本发明的还有一实例中，提供抗反射膜的制备方法，上述抗反射膜的制备方法包括：步骤(S1)，形成一部分硅被金属取代而成的含有金属的网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，并且上述金属包含选自由钛、锆及它们的组合组成的组中的至少一个；以及步骤(S2)，对上述含金属有机低聚硅氧烷及光固化性丙烯酸酯类化合物进行混合并搅拌来准备高折射组合物。
根据上述制备方法来准备包含一部分硅被金属取代而成的含有金属的网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的高折射组合物，由此即使不包含高价的金属氧化物粒子，也可实现整体上更均匀的高折射率，从而具有同时具备均匀的抗反射性能及优秀的经济性的优点。
并且，由于包含光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物，可快速进行固化，从而缩短制备时间，由此可以进一步提高加工性及生产性。
可对包含下述化学式1的钛化合物、下述化学式2的锆化合物或它们的混合物以及下述化学式3的硅烷化合物的第一组合物进行搅拌来形成上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷。
化学式1：R1 xTi(OR2)4-x
化学式2：R3 yZr(OR4)4-y
化学式3：R5 zSi(OR6)4-z
在上述化学式1至化学式3中，上述R1、R3、R5分别独立地为碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基或卤化物基，上述R2、R4、R6分别独立地为H或碳数量为1个～6个的烷基，上述x、y、z分别独立地为0、1或2。
在上述制备方法中，上述化学式1的钛化合物、上述化学式2的锆化合物、上述化学式3的硅烷化合物及上述第一组合物如本发明的一实例所述。
例如，能够以如下方式准备上述第一组合物，即，以100重量份的上述化学式3的硅烷化合物为基准，将上述化学式1的钛化合物的含量与上述化学式2的锆化合物的含量相加的总含量可以为约10重量份至约1000重量份，具体地，可以为约100重量份至约1000重量份。
以上述范围内的含量混合上述化合物来准备上述第一组合物，从而可实现上述高折射组合物的高折射率的同时，可适当调节反应速度来抑制凝胶反应，由此可提高储存稳定性。并且，例如，包含在上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的硅与金属的原子个数之比为约1:0.03至约1:5.90的水平，从而不仅可提高折射率，还可实现优秀的光学物性。
上述第一组合物还可包含选自由酸催化剂、水及有机溶剂组成的组中的至少一个。
例如，可在约20℃至约60℃的温度下，搅拌上述第一组合物约3小时至约40小时，由此，例如，可对上述第一组合物进行溶胶-凝胶反应。具体地，在上述范围内的温度及时间的条件下，通过搅拌来使上述第一组合物充分进行水解反应、缩合反应，脱水缩合反应、水解-重缩合反应等，从而可容易地形成网状结构的含金属有机低聚硅氧烷。
如上所述，可通过混合包含上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的第一组合物与光固化性丙烯酸酯类化合物并进行搅拌，来准备上述高折射组合物。上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷如本发明的一实例所述。
上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物可包含(甲基)丙烯酸酯类单体、低聚物、树脂及它们的组合组成的组中的至少一个，具体地，上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物包含通过多官能性(甲基)丙烯酸酯类单体来提高交联性。
并且，具体地，上述多官能性(甲基)丙烯酸酯类单体通过包含三官能以上的(甲基)丙烯酸酯类单体来进一步提高交联性，从而可实现优秀的交联密度及硬度。上述光固化性丙烯酸酯类化合物如本发明的一实例所述。
在上述抗反射膜的制备方法中，还可包括准备低折射组合物的步骤，上述低折射组合物包含网状结构的含氟有机低聚硅氧烷及空心二氧化硅粒子。
并且，在上述抗反射膜的制备方法中，还可包括对第二组合物进行反应来形成上述网状结构的含氟有机低聚硅氧烷的步骤，上述第二组合物包含上述化学式3的硅烷化合物及下述化学式4的含氟硅烷化合物。
化学式4：R7 wSi(OR8)4-w
在上述化学式4中，上述R7为碳数量为3个～18个的氟烷基，上述R8为H或碳数量为1个～10个的烷基，上述w分别独立地为0、1或2。
上述化学式4的含氟硅烷化合物及上述第二组合物如本发明的一实例所述。
上述第一组合物、上述第二组合物或它们双方同时还可包含选自由酸催化剂、水以及有机溶剂组成的组中的至少一个。上述酸催化剂及有机溶剂如本发明的一实例所述。
例如，可在约20℃至约60℃的温度下，搅拌上述第二组合物约4小时至约80小时，由此，例如，可对上述第二组合物进行溶胶-凝胶反应。具体地，在上述范围内的温度及时间的条件下，通过搅拌来使上述第二组合物充分进行水解反应、缩合反应，脱水缩合反应、水解-重缩合反应等，从而可容易地形成网状结构的含氟有机低聚硅氧烷。上述网状结构的含氟有机低聚硅氧烷如本发明的一实例所述。
如上所述，可混合包含上述网状结构的含氟有机低聚硅氧烷的第二组合物与上述空心二氧化硅粒子，并在约20℃至约40℃的温度下搅拌约5小时至约50小时，来准备低折射组合物。在上述范围内的温度及时间的条件下进行搅拌，从而可使上述含氟有机低聚硅氧烷借助化学键适当地附着于上述空心二氧化硅粒子的表面，例如，上述化学键可为硅氧烷键，即，Si-O-Si键。
由此，上述低折射组合物作为粘结剂，可包含：网状结构的含氟有机低聚硅氧烷；以及空心二氧化硅粒子，网状结构的含氟有机低聚硅氧烷借助化学键表面附着于上述空心二氧化硅粒子。
在上述抗反射膜的制备方法中，还可包括在基材膜的至少一面涂敷上述高折射组合物并进行光固化来形成高折射层的步骤。
对于上述基材，没有特别限制，可使用在本技术领域公知的多种种类的透明基板、透明树脂层叠体等，例如，可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚丙烯(poly propylene，PP)、降冰片烯类树脂等，但并不局限于此。
并且，在上述抗反射膜的制备方法中，还可包括在上述高折射层的上部涂敷上述低折射组合物并进行光固化来形成低折射层的步骤。上述高折射层及上述低折射层如本发明的一实例所述。
例如，在涂敷上述高折射组合物及上述低折射组合物时，可使用凹版(gravure)涂布法、狭缝挤出(slot die)涂布法、旋涂法、喷涂法、棒涂布法、浸渍涂布法等方法，但并不局限于此。
例如，上述光固化可以为紫外线固化等，可使用普通的金属卤化物灯等来执行，但并不局限于此。
例如，在对上述高折射组合物进行热风干燥后，通过光固化来形成高折射层，接着在上述高折射层的上部涂敷上述低折射组合物并进行热风干燥后，在通过光固化来形成低折射层之后，可通过熟成工序来形成抗反射膜。
通过上述热风干燥来蒸发溶剂的同时，还可进行水解反应、缩合反应等。例如，在约50℃至约200℃的温度下可热风干燥约1分钟至10分钟，但并不局限于此。
通过适用上述熟成工序，还可进行残留于上述高折射组合物中的未反应化合物之间的水解反应、缩合反应等。例如，在约40℃至约80℃的温度下可熟成处理约10小时至约100小时，但并不局限于此。
例如，在上述紫外线固化中，可通过照射约100mJ/cm2至约1000mJ/cm2的紫外线来充分进行光固化，但并不局限于此。
在通过上述制备方法来制备的抗反射膜中，上述抗反射膜的透光度可以为约94％至约98％，并且在约23℃的所温度下测定的视角反射率可以为约0.2至约1.0，从而可实现优秀的透光度及抗反射性能。
以上，对本发明的优选实例进行了详细说明，但本发明的保护范围并不局限于此，而且本发明所属技术领域的普通技术人员利用发明要求保护范围中所定义的本发明的基本概念进行的多种变形及改良形态也属于本发明的保护范围内。
以下，对本发明的实施例进行说明。下述的这些实施例仅为本发明的一实施例，本发明并不局限于以下的实施例。
实施例
实施例1
混合100重量份的四乙氧基正硅酸盐、250重量份的钛酸四异丙酯、200重量份的水、200重量份的乙醇及1重量份的1M的硝酸，并在25℃的温度下，通过搅拌48小时来准备包含含金属有机低聚硅氧烷的第一组合物，接着，在上述第一组合物中还混合季戊四醇三丙烯酸酯(pentaeritriol triacrylate，PETA)及光引发剂(Igacure 184)并进行搅拌，来准备高折射组合物。在上述高折射组合物中，以100重量份的季戊四醇三丙烯酸酯为基准，含金属有机低聚硅氧烷的含量为400重量份。
并且，混合100重量份的四乙氧基正硅酸盐、10重量份的3，3，3-三氯丙基三甲氧基硅烷、100重量份的水及100重量份异丙醇，并在60℃的温度下，通过搅拌3小时来准备作为粘结剂溶液的包含含氟有机低聚硅氧烷的第二组合物，以100重量份的上述第二组合物为基准，在上述第二组合物中还混合数均直径为60nm的60重量份的空心二氧化硅粒子-甲基异丁基酮分散溶胶(20％w/w，JGC C&C公司，Thrulya 4320)及光引发剂(Igacure 184)，在常温条件下，搅拌24小时后，利用甲基乙基酮稀释，来准备固体含量为3％的低折射组合物。
接着，将上述高折射组合物涂敷于厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一面后，在120℃的温度下，热风干燥2分钟，并照射300mJ/cm2的紫外线来形成厚度为120nm的高折射层。
将上述低折射组合物涂敷于上述高折射层的上部面后，在130℃的温度下，热风干燥2分钟，并照射300mJ/cm2的紫外线来形成厚度为90nm的低折射层。
并且，接着，在60℃的烘箱对依次层叠上述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、上述高折射层、上述低折射层层叠而成的层叠体执行熟成工序48小时，来制备抗反射膜。
实施例2
除了通过混合1000重量份的钛酸四异丙酯来准备第一组合物之外，以与实施例1相同的方法及条件制备抗反射膜。
比较例1
除了通过混合100重量份的季戊四醇三丙烯酸酯、100重量份的多官能聚氨酯丙烯酸酯、50重量份的氧化锆粒子分散溶胶及光引发剂(Igacure 184)并进行搅拌来准备高折射组合物之外，以与实施例1相同的方法及条件制备抗反射膜。
比较例2
对包含100重量份的丙烯类多元醇(拜耳聚酯树脂(Desmophen)A 265)及60重量份的聚二乙二醇己二酸酯(Isophorondiisocyanate，IPDI)的组合物进行热处理来对作为热固化性树脂的聚氨酯类树脂进行聚合，接着，相对于100重量份包含经聚合的上述聚氨酯类树脂的组合物，添加50重量份的氧化锆粒子分散溶胶，并进行混合及搅拌来准备高折射组合物。
并且，以与实施例1相同的方法及条件准备低折射组合物。
接着，在厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一面涂敷上述高折射组合物后，在120℃的温度下，通过热风干燥10分钟来形成厚度为120nm的高折射层。
在上述高折射层的上部面涂敷上述低折射组合物后，在130℃的温度下，热风干燥2分钟，并照射300mJ/cm2的紫外线来形成厚度为90nm的低折射层。
并且，接着，在60℃的烘箱中对依次层叠上述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、上述高折射层、上述低折射层的层叠体执行48小时的熟成工序，从而制备抗反射膜。
评价
对上述实施例1、2及上述比较例1、2的抗反射膜的各个低折射层及高折射层的折射率进行测定，对各个抗反射膜的透光率及视角反射率、最低反射率进行测定，并记载在表1。
折射率
测定方法：利用棱镜耦合器在532nm、632.8nm、830nm的波长测定反射率，作为折射率波长分散的近似式，使用cauchy分布式并通过曲线拟合算法(curve fitting)来计算上述cauchy分布式的光学常数，并在550nm的波长及23℃的温度下，测定折射率。
透光率
测定方法：使用混浊度测量仪(hazemeter，Nippon Denshoku公司，NDH5000)对厚度为约50μm的抗反射膜进行测定。
视角反射率及最低反射率
测定方法：将用于防止上述抗反射膜的双面反射的黑色胶带贴在上述聚对苯二甲酸乙二醇酯基材的与形成有上述高折射层的面相反的面，即，下部面，使用分光光度计(Spectrophotometer，Konica Minolta公司，CM-5)，并在23℃的温度下，对低折射率层的表面的视角反射率(D65)及最低反射率进行评价。
上述视角反射率及最低反射率越小，抗反射膜的抗反射性能越优秀。
是否发生经时变化
测定方法：分别将上述实施例1、2及上述比较例1、2的抗反射膜放置于60℃的高温室48小时后再取出。
具体地，在放入上述高温室之前，在常温下，测定初期视角反射率，接着，放入上述高温室并放置48小时，在取出后的第一时间，在常温下，测定后期视角反射率，将上述初期视角反射率及上述后期视角反射率代入计算式1中来计算反射率变化量。
计算式1
反射率变化量(％)＝后期视角反射率(％)－初期视角反射率(％)
在上述反射率变化量小于0.2％的情况下，评价出几乎不发生经时变化，以“Ⅹ”表示，在上述反射率变化量大于0.2％的情况下，评价出发生经时变化，以“○”表示。
以与在评价上述视角反射率及最低反射率时所使用的方法相同的方法测定上述初期视角反射率及上述后期视角反射率。
表1
实施例1及实施例2以低费用也可以实现高折射层的高水平的折射率，从而具有优秀的抗反射性能，与此相反，在比较例1中确认到，虽然使用了高费用的金属氧化物粒子，但高折射层的折射率低且抗反射性能差，并且，由于作为粒子包含于其中，因此可预测到雾度更高。
而且，在比较例2的情况下，由于包含热固化性树脂，可清楚地确认到会发生经时变化，并且固化速度相对慢，从而可预测到生产性更低。
附图标记的说明
100：抗反射膜
110：高折射层
120：低折射层

Claims (20)

1.一种高折射组合物，其特征在于，包含：
网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，一部分硅被金属取代，从而含有金属；以及
光固化性丙烯酸酯类化合物，
上述金属包含选自由钛、锆以及它们的组合组成的组中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的高折射组合物，其特征在于，以100重量份的上述光固化性(甲基)丙烯酸酯类化合物为基准，上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷的含量为10重量份至1000重量份。
3.根据权利要求1所述的高折射组合物，其特征在于，上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷中的硅与金属的原子个数之比为1:0.03至1:5.90。
4.根据权利要求1所述的高折射组合物，其特征在于，上述含金属有机低聚硅氧烷的网状结构包括一部分因取代基而被开放的结构。
5.根据权利要求4所述的高折射组合物，其特征在于，上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基包含碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯类官能基。
6.根据权利要求5所述的高折射组合物，其特征在于，上述含金属有机低聚硅氧烷中的上述取代基还包含选自由碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基、卤化物基以及它们的组合组成的组中的至少一个。
7.根据权利要求1所述的高折射组合物，其特征在于，上述含金属有机低聚硅氧烷为包含下述化学式1的钛化合物、下述化学式2的锆化合物或它们的混合物以及下述化学式3的硅烷化合物的第一组合物的反应产物，
化学式1：R1 xTi(OR2)4-x
化学式2：R3 yZr(OR4)4-y
化学式3：R5 zSi(OR6)4-z
在上述化学式1至化学式3中，上述R1、R3、R5分别独立地为碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基或卤化物基，上述R2、R4、R6分别独立地为H或碳数量为1个～6个的烷基，上述x、y、z分别独立地为0、1或2。
8.根据权利要求7所述的高折射组合物，其特征在于，以100重量份的上述化学式3的硅烷化合物为基准，将上述化学式1的钛化合物的含量和上述化学式2的锆化合物的含量相加的总含量为10重量份至1000重量份。
9.根据权利要求1所述的高折射组合物，其特征在于，上述光固化性丙烯酸酯类化合物包含选自由丙烯酸酯类单体、低聚物、树脂以及它们的组合组成的组中的至少一个。
10.一种抗反射膜，其特征在于，包括通过使根据权利要求1至9中任一项所述的高折射组合物光固化而形成的高折射层。
11.根据权利要求10所述的抗反射膜，其特征在于，
还包括低折射层，形成于上述高折射层的上部，通过使低折射组合物固化而成，
上述低折射组合物包含：
作为粘结剂的网状结构的含氟有机低聚硅氧烷；以及
空心二氧化硅粒子。
12.根据权利要求11所述的抗反射膜，其特征在于，以100重量份的上述空心二氧化硅粒子为基准，作为粘结剂的上述网状结构的含氟有机低聚硅氧烷的含量为10重量份至120重量份。
13.根据权利要求11所述的抗反射膜，其特征在于，上述含氟有机低聚硅氧烷借助化学键附着于上述空心二氧化硅粒子的表面。
14.根据权利要求11所述的抗反射膜，其特征在于，上述含氟有机低聚硅氧烷的网状结构包括一部分因取代基而被开放的结构。
15.根据权利要求11所述的抗反射膜，其特征在于，上述含氟有机低聚硅氧烷中的上述取代基包含碳数量为3个～18个的氟烷基、碳数量为4个～18个的甲基丙烯酸酯基或全部。
16.根据权利要求11所述的抗反射膜，其特征在于，上述含氟有机低聚硅氧烷为包含上述化学式3的硅烷化合物以及下述化学式4的含氟硅烷化合物的第二组合物的反应产物，
化学式4：R7 wSi(OR8)4-w
在上述化学式4中，上述R7为碳数量为3个～18个的氟烷基，上述R8为H或碳数量为1个～10个的烷基，上述w分别独立地为0、1或2。
17.根据权利要求16所述的抗反射膜，其特征在于，以100重量份的上述化学式3的硅烷化合物为基准，上述化学式4的含氟硅烷化合物的含量为0.1重量份至20重量份。
18.根据权利要求16所述的抗反射膜，其特征在于，上述第一组合物、上述第二组合物或它们双方同时还包含选自由酸催化剂、水以及有机溶剂组成的组中的至少一个。
19.一种抗反射膜的制备方法，其特征在于，包括：
形成一部分硅被金属取代而成的含有金属的网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，并且上述金属包含选自由钛、锆以及它们的组合组成的组中的至少一个的步骤；以及
对上述含金属有机低聚硅氧烷以及光固化性丙烯酸酯类化合物进行混合并搅拌来准备高折射组合物的步骤。
20.根据权利要求19所述的抗反射膜的制备方法，其特征在于，对包含下述化学式1的钛化合物、下述化学式2的锆化合物或它们的混合物以及下述化学式3的硅烷化合物的第一组合物进行搅拌来形成上述网状结构的含金属有机低聚硅氧烷，
化学式1：R1 xTi(OR2)4-x
化学式2：R3 yZr(OR4)4-y
化学式3：R5 zSi(OR6)4-z
在上述化学式1至化学式3中，上述R1、R3、R5分别独立地为碳数量为1个～10个的烷氧基、碳数量为1个～18个的烷基、碳数量为2个～10个的烯基、碳数量为4个～18个的(甲基)丙烯酸酯基、碳数量为6个～18个的芳基、碳数量为3个～8个的丙酮基或卤化物基，上述R2、R4、R6分别独立地为H或碳数量为1个～6个的烷基，上述x、y、z分别独立地为0、1或2。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106752627B (zh) * 2016-12-09 2019-03-29 广东工业大学 一种硅基杂化材料涂层的制备方法及其应用
KR102594548B1 (ko) * 2019-01-02 2023-10-27 삼성디스플레이 주식회사 윈도우, 윈도우의 제조 방법 및 윈도우를 포함하는 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201350983A (zh) * 2012-05-21 2013-12-16 Lg Hausys Ltd 具有混合底塗層的透明傳導膜及其製備方法，利用該透明傳導膜的觸控板
TW201410806A (zh) * 2012-09-04 2014-03-16 Lg Hausys Ltd 包含矽氧烷化合物之抗反射塗敷組合物及使用其之抗反射膜
TW201420351A (zh) * 2012-11-21 2014-06-01 Lg Hausys Ltd 包含硬塗層之光特性優良的抗反射膜

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005091990A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Konica Minolta Opto Inc 反射防止膜形成用塗布液及び反射防止積層体
JP2005272755A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Konica Minolta Opto Inc 反射防止フィルム用塗布組成物、中屈折率層用塗布組成物、高屈折率層用塗布組成物、反射防止フィルム、偏光板及び表示装置
KR20080009532A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 주식회사 옴니켐 반사방지 플라스틱 투명시트 및 이의 제조방법
CN101573468B (zh) * 2006-12-29 2013-10-30 3M创新有限公司 制备无机或无机/有机复合膜的方法
KR20090049518A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 엘지화학 반사방지 코팅 조성물 및 이것을 이용하여 제조된 반사방지필름
KR101172804B1 (ko) * 2009-09-03 2012-08-09 한국전기연구원 킬레이팅 티타니아나노졸을 이용한 고굴절 박막의 제조방법 및 그 티타니아나노졸을 이용한 고굴절 박막

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201350983A (zh) * 2012-05-21 2013-12-16 Lg Hausys Ltd 具有混合底塗層的透明傳導膜及其製備方法，利用該透明傳導膜的觸控板
TW201410806A (zh) * 2012-09-04 2014-03-16 Lg Hausys Ltd 包含矽氧烷化合物之抗反射塗敷組合物及使用其之抗反射膜
TW201420351A (zh) * 2012-11-21 2014-06-01 Lg Hausys Ltd 包含硬塗層之光特性優良的抗反射膜

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