CN106433452A - 硅树脂薄膜、可固化硅树脂组成物、光学半导体装置及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种硅树脂薄膜、可固化硅树脂组成物、光学半导体装置及其封装方法，硅树脂薄膜包含离形基材以及硅树脂涂层，其由涂布可固化硅树脂组成物于该离形基材经固化而成，其中该可固化硅树脂组成物包含10至25重量份的线性聚硅氧烷；40至55重量份的第一硅树脂，其中用于表示第一硅树脂的平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，且该R1SiO3/2单体于平均单元结构式中所占的摩尔分率为0.60至0.75；15至30重量份的第二硅树脂；15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷；铂族金属催化剂以及萤光粉。本发明的硅树脂薄膜具有优异的热软化特性及良好的硬度特性。
Description
技术领域
本发明有关于一种硅树脂薄膜，其可用以封装光学半导体装置，特别是应用于发光二极体LED(Light Emitting Diode)的封装。
背景技术
传统用于发光二极体(Light Emitting Diode,LED)的点胶封装制程或模压封装制程，其在封装过程中，皆必须先将液态的封装胶与萤光粉混合后，再进行点胶或倒入模具等步骤，最后再经由固化以完成LED晶片的封装，因此在多步骤的制程下，萤光粉易分布不均或沉淀，因而造成出光效率不佳或光色不纯等缺点。再者，于点胶或模压的封装制程中，晶片所发射出的激发光通过每个萤光粉粒子的行径路径不同，因此亦产生色偏等现象。
为了改善上述缺点及提高LED封装效率，市面上已开发出一种含萤光粉的硅树脂薄膜，其将萤光粉及硅树脂均匀混合后，进行成膜。当进行LED封装时，仅需将所形的硅树脂薄膜置于光学半导体中的晶片上，进行热压合步骤，最后再依客户需求进行切割晶片即可完成封装。
发明内容
本发明提出一种硅树脂薄膜，此硅树脂薄膜具有优异的热软化特性，经热压合后即可完整地包覆晶片，无压合气泡产生，且不会沾粘至压合设备上，且该硅树脂薄膜具有良好的硬度特性，因此于切割晶片时不易产生变形或脆裂，可提升生产良率。
本发明提出的硅树脂薄膜，其包含离形基材以及硅树脂涂层，硅树脂涂层经由涂布可固化硅树脂组成物于该离形基材上经固化而成，其中该可固化硅树脂组成物包含10至25重量份的线性聚硅氧烷，其平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基；40至55重量份的第一硅树脂，其平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，其中R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基，且于第一硅树脂的平均单元结构式中，该R1SiO3/2单体所占的摩尔分率为0.60至0.75，硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为0.03至0.15；15至30重量份的第二硅树脂，其平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R4 3SiO1/2的单体，其中R3及R4为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷，其化学结构式为：HR5 2SiO(SiR6 2O)nSiR5 2H，其中R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，n为大于等于0的整数；铂族金属催化剂以及萤光粉。
根据本发明的一实施方式，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，线性聚硅氧烷的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.4。
根据本发明的一实施方式，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，用于表示第一硅树脂的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.48。
根据本发明的一实施方式，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，用于表示第二硅树脂的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.25。
根据本发明的一实施方式，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，铂族金属催化剂的添加量为1ppm至50ppm。
根据本发明的一实施方式，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，萤光粉的添加量为1重量份至300重量份。
根据本发明的一实施方式，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，进一步包括接着剂、抑制剂、触变剂、抗沉降剂、无机填料或其组合。
根据本发明的一实施方式，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，使用的无机填料包括气相二氧化硅。
根据本发明的一实施方式，相对于100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，气相二氧化硅的添加量为0.1重量份至5重量份。
根据本发明的一实施方式，定义损失模数/储存模数为tanδ，硅树脂薄膜于100℃至160℃的温度范围的最大tanδ范围为0.5至2.5。
根据本发明的一实施方式，硅树脂薄膜于100℃至160℃的温度范围的最小储存模数(G’)范围为1.0×102至9.9×104。
根据本发明的一实施方式，硅树脂薄膜中的硅树脂涂层的固化温度为80℃至140℃，固化时间为10分钟至100分钟。
本发明另提出一种光学半导体装置，其中此光学半导体装置利用前述硅树酯薄膜封装而成。
本发明亦提出一种光学半导体装置的封装方法，其包含将前述硅树脂薄膜配置于光学半导体元件表面，接着进行热压合步骤，最后撕除该离形基材以完成封装。
本发明提出一种可固化硅树脂组成物，其包含10至25重量份的线性聚硅氧烷，其平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基；40至55重量份的第一硅树脂，其平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，其中R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基，且于第一硅树脂的平均单元结构式中，该R1SiO3/2单体所占的摩尔分率为0.60至0.75，硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为0.03至0.15；15至30重量份的第二硅树脂，其平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R4 3SiO1/2的单体，其中R3及R4为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷，其化学结构式为：HR5 2SiO(SiR6 2O)nSiR5 2H，其中R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，n为大于等于0的整数；铂族金属催化剂以及萤光粉。
根据本发明的一实施方式，于可固化硅树脂组成物中，进一步包括接着剂、抑制剂、触变剂、抗沉降剂、无机填料或其组合。
本发明提出一种光学半导体装置，其中此光学半导体装置中的光学半导体元件利用前述可固化硅树酯组成物封装而成。
与现有技术相比，本发明的硅树脂薄膜可同时具有优异的热软化性质且兼具高硬度的特性。此外，本发明的硅树脂薄膜于LED晶片封装时，无压合气泡产生，且硅树脂薄膜可完整包覆LED晶片而无露角情形产生。
附图说明
图1为利用实施例1所制得的硅树脂薄膜进行晶片封装所拍摄的光学显微镜影像的俯视图。
图2为利用实施例1所制得的硅树脂薄膜进行晶片封装所拍摄的光学显微镜影像的侧视图。
具体实施方式
本发明提出的硅树脂薄膜，其包含离形基材以及硅树脂涂层，硅树脂薄膜经由涂布可固化硅树脂组成物于该离形基材上经固化而成，其中，可固化硅树脂组成物包含10至25重量份的线性聚硅氧烷，线性聚硅氧烷的平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基；40至55重量份的第一硅树脂，第一硅树脂的平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，其中R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基，且于此平均单元结构式中，R1SiO3/2单体所占的摩尔分率为0.60至0.75，且与硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为0.03至0.15，其中，R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；15至30重量份的第二硅树脂，其第二硅树脂的平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R4 3SiO1/2的单体，其中，R3及R4为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷，其化学结构式为：
HR5 2SiO(SiR6 2O)nSiR5 2H，其中，R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，n为大于等于0的整数；铂族金属催化剂以及萤光粉。
于本发明的形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，藉由第一硅树脂中的R3SiO3/2单体添加量及特定比例的烯基官能基含量，搭配线性聚硅氧烷及第二硅树脂，可使得形成的硅树脂薄膜在进行热压合时具有优异的热软化特性，得以完整地包覆晶片，无压合气泡产生，且不易与压合设备产生沾粘，同时又具有良好的硬度特性及柔韧性，于切割晶片时，不易产生变形或脆裂。
为使硅树脂薄膜兼具硬度及热软化等特性，于可固化组成物中的第一硅树脂的平均单元结构式中至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，且R1SiO3/2单体于平均单元结构式中所占的摩尔分率为0.60至0.75，较佳地为0.65至0.70，且于第一硅树脂的平均单元结构式中，与硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为0.03至0.15，较佳为0.07至0.12。
若第一硅树脂的R1SiO3/2单体所占的摩尔比率及与硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为前述范围内，则由可固化树脂组成物制得的硅树脂薄膜可具有良好热软化特性并兼具高硬度及高柔韧性的特性，于进行热压合时可完整地包覆晶片，无压合气泡产生，且不易与压合设备产生沾粘，可兼具良好的硬度及高柔韧性，并于晶片切割时不易产生变形或脆裂。
第一硅树脂的平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，其中，R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基。此经取代的或未取代的芳基例如可为苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基，较佳为苯基。此经取代的或未取代的烯基例如可为乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或是己烯基，较佳为乙烯基。除了经取代的或未取代的芳基与经取代的或未取代的烯基以外，其余与硅原子键结的官能基可为经取代的或未取代的烷基，烷基例如可为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基或癸基，较佳为甲基。
为了提高硅树脂薄膜的耐热性、硬度以及折射率，故于第一硅树脂的平均单元结构式中，除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值至少为0.48以上。
于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，第一硅树脂的添加量较佳为40至55重量份，较佳为40至50重量份。当第一硅树脂的添加量过高，则由此制得的硅树脂薄膜硬度太高易产生龟裂。当添加量过低，则硅树脂薄膜的机械强度下降且硬度不足。
从制程加工性以及机械特性而言，第一硅树脂的重量平均分子量在500至200,000，较佳为1,000至190,000。
于本发明的一较佳实施例中，用于表示第一硅树脂的平均单元结构式，其由(PhSiO3/2)0.7(Me2SiO2/2)0.2(ViMeSiO2/2)0.1及用于封端的单体ViMe2SiO1/2所组成。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。
于本发明的另一较佳实施例中，用于表示第一硅树脂的平均单元结构式，其由(PhSiO3/2)0.7(Me2SiO2/2)0.15(ViMeSiO2/2)0.15及用于封端的单体ViMe2SiO1/2所组成。
又于本发明的另一较佳实施例中，用于表示第一硅树脂的平均单元结构式，其由(PhSiO3/2)0.65(Me2SiO2/2)0.2(ViMeSiO2/2)0.15及用于封端的单体ViMe2SiO1/2所组成。
再者，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，选用线性聚硅氧烷的目的为提高与第一硅树脂及第二硅树脂的这些硅树脂间的加工性与所制得的硅树脂薄膜的柔韧性。
前述线性聚硅氧烷的平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基。前述芳基可为取代的或未取代的芳基，如可为苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基，较佳为苯基。前述烯基可为经取代的或未取代的烯基，例如可为乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或是己烯基，较佳为乙烯基。除了芳基与烯基以外，其余与硅原子键结的官能基可为经取代的或未取代的烷基，烷基例如可为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基或癸基，较佳为甲基。
为了提高硅树脂薄膜的耐热性、硬度以及折射率，故于可固化硅树脂组成物中，线性聚硅氧烷的平均单元结构式中，除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.4。
且，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，线性聚硅氧烷的添加量为10至25重量份，较佳为14至20重量份。当添加量高于前述范围时，则所制得可固化硅树脂组成物的硬度较低，由此制得的硅树脂薄膜于切割制程时易产生变形或与刀具沾粘。当添加量低于前述范围时，所制得的硅树脂薄膜的柔韧性变差，于加工时易发生脆裂。
具体而言，线性聚硅氧烷于25℃的粘度未受限制，较佳范围为6,000mPa·s至10,000mPa·s。若粘度太高，则使得可固化硅树脂组成物于制程上的加工性变差及机械强度降低。若粘度太低，亦不利可固化硅树脂组成物的制程加工，且会影响可固化硅树脂组成物的柔韧性。
又，从制程加工性以及机械特性而言，线性聚硅氧烷的重量平均分子量在1,000至200,000，较佳为1,000至160,000。此重量平均分子量意指藉由凝胶渗透层析法(GelPermeation Chromatography；GPC)测量，且为相对于聚苯乙烯标准物的值。故以下内容所述的重量平均分子量，皆是同此方法测量，故不再赘述。
于本发明的一较佳实施例，用以表示线性聚硅氧烷的平均单元结构式如下所示：由(PhMeSiO2/2)0.8(Me2SiO2/2)0.1(ViMeSiO2/2)0.1及用于封端的单体ViMe2SiO1/2所组成，上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。于此实施例中，线性聚硅氧烷于25℃的粘度为6420mPa·s。
于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，用于表示第二硅树脂的平均单元结构式中至少具有R3SiO3/2以及R4 3SiO1/2的单体，其中R3为经取代的或未取代的芳基、经取代的或未取代的烷基或经取代的或未取代的烯基。R4为经取代的或未取代的芳基、经取代的或未取代的烷基或经取代的或未取代的烯基。上述经取代的或未取代的芳基例如可为苯基、甲苯基、二甲苯基、或萘基，较佳为苯基。上述经取代的或未取代的烯基例如可为乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或是己烯基，较佳为乙烯基。除了经取代的或未取代的芳基与经取代的或未取代的烯基以外，其余与硅原子键结的官能基为经取代的或未取代的烷基，例如可为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基或癸基，较佳为甲基。
为了提高硅树脂薄膜的耐热性、硬度以及折射率，故于可固化硅树脂组成物中，第二硅树脂中除封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于与硅原子键结的所有官能基的摩尔数比值为大于等于0.25。
于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，上述第二硅树脂的添加量较佳为15至30重量份，最佳为15至26重量份。当第二硅树脂的添加量过多，则所制得的硅树脂薄膜的硬度过高，于切割制程时，易产生龟裂。当第二硅树脂的添加量过少，则硅树脂薄膜的机械强度下降且硬度不足。
从制程加工性及机械特性而言，第二硅树脂的重量平均分子量为100至10,000，较佳为500至5,000。
于本发明的一较佳实施例中，用于表示第二硅树脂的平均单元结构式如以下所式：(PhSiO3/2)0.5(ViMe2SiO1/2)0.5。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。
于本发明的于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，用以表示含硅氢键的聚硅氧烷的化学结构式为：HR5 2SiO(SiR6 2O)nSiR5 2H，其中R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，且n为大于等于0的整数。
上述经取代的或未取代的芳基例如可为苯基、甲苯基、二甲苯基、或萘基，较佳为苯基。取代的或未取代的烷基例如可为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基或癸基，较佳为甲基。
为了提高硅树脂薄膜的耐候性、硬度以及折射率，故于可固化硅树酯组成物中，含硅氢键的聚硅氧中，与硅原子键结的芳基相对于与硅原子键结的所有官能基的摩尔数比值为大于等于0.24。
于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，含硅氢键的聚硅氧烷的添加量为15至25重量份。当含硅氢键的聚硅氧烷的添加量高于前述范围时，则使得可固化硅树脂制得的硅树脂薄膜硬度降低，若添加量低于前述范围，则会使硅树脂薄膜内的可聚合单体的交联反应不完全，导致乙烯基剩余过多易导致硅树脂薄膜黄化现象。
从制程加工性以及机械的特性而言，含硅氢键的聚硅氧烷的重量平均分子量在100至5,000，较佳为100至1,000。
于本发明的一较佳实施例中，用于表示含硅氢键的聚硅氧烷的平均单元结构式如下所式：(Ph2SiO2/2)1(HMe2SiO1/2)2。上述Ph表示苯基，Me表示甲基。
于本发明的可固化硅树脂组成物中，铂族金属催化剂例如包括铂-型式催化剂、铑-型式催化剂或钯-型式催化剂，较佳为铂-型式催化剂，常用的催化剂例如可为H2PtCl6·mH2O，K2PtCl6，KHPtCl6·mH2O，K2PtCl4，K2PtCl4·mH2O或PtO2·mH2O(m为正整数)等。亦或这些催化剂与链烯烃、醇或含有乙烯基的有机聚硅氧烷之间的络合物，例如可为：
铂(0)-2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基环四硅氧烷复合体溶液(Platinum(0)-2,4,6,8-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane complexsolution)或辛醇络铂化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex)，但不限于此。上述这些铂族金属催化剂可单独使用或合并使用。铂族金属催化剂的添加量为线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的重量份总和的1ppm至50ppm，较佳为3ppm至10ppm。
于本发明的一较佳实施例，所使用的铂族金属催化剂为辛醇络铂化合物，其使用量为线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的重量份总和的4.3ppm。
于本发明的于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，萤光粉是用以调控LED发光的颜色，根据所需求的发光波长，可添加不同种类的萤光粉。例如可为YAG萤光粉(Y3Al5O12:Ce；钇铝石榴石)、铝酸盐(Aluminate)、硅酸盐(Silicate)、磷酸盐(Phosphate)、含硫系列、氮化物(Nitride)以及氮氧化物(Oxynitride)。
于本发明的一较佳实施例，相对于100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的重量份的总和，萤光粉的添加量为1重量份至300重量份。
另，于本发明的形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，进一步还可包括接着剂、触变剂、抑制剂、抗沉降剂、无机填料或其组合。
上述接着剂是用以增加硅树脂薄膜与支架或基材的粘着性，例如可为三烯丙基异氰脲酸酯、1,3,5-三缩水甘油-S-三嗪三酮、1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]异氰脲酸酯、1,3,5-三[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮或类似有机硅氧烷改性异氰脲酸酯化合物、环氧丙氧基丙基、3,4-环氧环己基乙基、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷或类似有机硅氧烷改性环氧化合物。上述这些接着剂可单独使用或合并使用。且相对于100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，接着剂的使用量占0.1重量百分比至3重量百分比，较佳为0.1重量百分比至1.0重量百分比。
于本发明的一较佳实施例中，所使用的接着剂为1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]异氰脲酸酯，其使用量为100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和的0.6重量百分比。
上述抑制剂有利于硅树脂薄膜的储存，例如可为1-乙炔基环己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol)、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇或类似炔基醇、3-甲基-3-戊烯-1-炔、35-二甲基-3-己烯-1-炔或类似烯炔化合物。相对于100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，此抑制剂使用量为100ppm至2,000ppm，较佳为500ppm至1,500ppm。
于本发明的一实施例中，所使用的抑制剂为1-乙炔环己醇，相对于100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，1-乙炔环己醇的添加量为的1,000ppm。
上述触变剂是用以改善及稳定硅树脂薄膜的触变性能。触变剂例如可为德国毕克化学公司(BYK)的相关产品：BYK@-405、BYK@-R 605或BYK@-R 606。
上述无机填料是用以增加硅树脂薄膜的耐热性，亦可作为防止萤光粉沈降的抗沈降剂，此外，也作为反射粒子的用途。无机填料例如可为气相法二氧化硅、气相法二氧化钛等增强型无机填充剂以及碳酸钙、硅酸钙、二氧化钛、氧化钛、氧化锌等非增强型无机填充剂。
于本发明的一实施例中，于形成硅树脂薄膜的可固化硅树脂组成物中，其包括气相二氧化硅，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，气相二氧化硅添加量为0.1至5重量份。
本发明所提出的硅树脂薄膜，其具有良好的热软化特性，意指于100℃至160℃的温度范围的最低储存模数(G’)为1.0×102至9.9×104，较佳为1.0×102至9.9×103，定义损失模数/储存模数为tanδ，而最大tanδ为0.5至2.5，较佳为1至2。故此硅树脂薄膜经加热后，可以随基板及晶片的形状形变，以完整地包覆晶片，无压合气泡产生，且又不易与设备产生沾粘，可以提高生产良率。
关于前述的硅树脂薄膜的制造方法，例如可于离形基材上涂布可固化硅树脂组成物后，经固化以形成硅树脂涂层。为了保护硅树脂涂层，亦可于该涂层表面贴合另一离形基材。
涂布方式所属技术领域中具有通常知识者所熟知，例如可为含浸涂布法、狭缝涂布法、滚轮涂布法、间歇涂布法、旋转涂布法，但并不限于此。
离形基材例如可为聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯膜、聚丙烯膜、氟系聚对苯二甲酸乙二酯或含氟树脂膜等，离形基材的厚度可为1um至300um，较佳为25um至150um，但不限于此。
涂布于离形基材上的硅树脂薄膜的厚度(不包括离形膜)为1um至500um，较佳为10um至300um，最佳为50um至100um。此可依照光学半导体的特性需求而作适当地调整，并不限于此。
固化条件包括固化温度和固化时间，固化温度80℃至140℃，固化时间为10分钟至100分钟。根据不同的光学半导体封装类型及组成成分的不同，所需的固化条件也不同。
本发明提出一种光学半导体装置，其中此光学半导体装置利用前述硅树脂薄膜封装而成。
又，本发明提出一种光学半导体装置的封装方法，其包含将前述硅树脂薄膜配置于光学半导体元件的表面，接着进行热压合步骤，最后撕除离形基材以完成光学半导体装置的封装。
根据所封装光学半导体的类型，可于硅树脂薄膜上的离形基材撕除后，再进行第二次热压合步骤，以使得硅树脂薄膜与光学半导体元件接着更为密合。
前述第二次热压合步骤的温度可为30℃至120℃，加热时间可为1秒至100秒。于热压合步骤中，可一并使用真空装置可使软化的硅树脂薄膜与晶片更紧密地贴合，加速晶片封装的效率。
又，于硅树脂薄膜进行热压合步骤之前，亦可对硅树脂薄膜进行前处理步骤，前处理步骤例如可为加热50℃至60℃，加热时间可为5分钟至10分钟。
本发明提出一种可固化硅树脂组成物，其包含10至25重量份的线性聚硅氧烷，其平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基；40至55重量份的第一硅树脂，其平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，其中R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基，于此平均单元结构式中，R1SiO3/2单体所占的摩尔分率为0.60至0.75，且硅原子键结之烯基相对于所有与硅键结之官能基之摩尔数比值为0.03至0.15；15至30重量份的第二硅树脂，其平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R4 3SiO1/2的单体，其中R3及R4为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷，其化学结构式为：HR5 2SiO(SiR6 2O)nSiR5 2H，R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，n为大于等于0的整数；铂族金属催化剂以及萤光粉。
于本发明的一较佳实施例的形成可固化硅树脂组成物中，线性聚硅氧烷的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.4。
于本发明的一较佳实施例的形成可固化硅树脂组成物中，用于表示第一硅树脂的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.48。
于本发明的一较佳实施例的形成可固化硅树脂组成物中，用于表示第二硅树脂的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.25。
于本发明的一较佳实施例的形成可固化硅树脂组成物中，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键之聚硅氧烷的总和，铂族金属催化剂的添加量为1ppm至50ppm。
于本发明的一较佳实施例的形成可固化硅树脂组成物中，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键之聚硅氧烷之总和，萤光粉的添加量为1重量份至300重量份。
于本发明的一较佳实施例的可固化硅树脂组成物中，可固化硅树脂组成物进一步包括接着剂、抑制剂、触变剂、抗沉降剂、无机填料或其组合。
于本发明的一较佳实施例的可固化硅树脂组成物中包括气相二氧化硅，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键之聚硅氧烷之总和，气相二氧化硅添加量为0.1至5.0重量份。
前述可固化硅树脂组成物可用以形成本发明所提出的硅树脂薄膜。
且，本发明提出一种光学半导体装置，其中此光学半导体装置利用前述可固化树脂组成物封装而成。
以下，将本发明所提出的硅树脂薄膜依照下列方法进行评估测试，评估结果请参考表2。
折射率测试：利用阿贝式折射仪(ATAGO-DR-A1)，于光源波长为589nm，温度20℃进行测试。
硬度测试：依据ASTMD2240，使用邵式硬度计测试(Shore Hardness test)硅树脂薄膜的硬度。
储存模数测试(G’)及tanδ(损失模数/储存模数)测试：于流变仪(AdvancedRheometer 2000)中，设定初始温度为25℃，升温速度25℃/min加热至180℃，并于载荷(Normal force)为0N的条件进行硅树脂薄膜的流变测试，以量测计算最低储存模数(G’)及最大tanδ(损失模数/储存模数)。
晶片封装测试：将硅树脂薄膜设置于LED晶片上，进行热压合，热压合温度为30℃至50℃，热压合时间为20至100秒，之后将离形基材撕除，并进行第二次热压合步骤以完成封装，第二次热压合的温度为60℃至100℃，热压合时间为1秒至20秒。最后以光学显微镜拍摄已封装LED晶片的外观。当外观无气泡产生，且LED晶片亦无露角情形，以「○」表示。当外观有气泡产生或LED晶片出现露角情形，以「×」表示。
关于形成本发明的硅树脂薄膜的各组分制备方法详述如下：
制备实施例1
线性聚硅氧烷(化合物1)的制备方法
将3499.92克(19.13mole)的甲基苯基二甲氧基硅烷(phenylmethyldimethoxysilane，购自恒桥产业股份有限公司，台湾)，288.48克(2.4mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，购自恒桥产业股份有限公司，台湾)，以及317.28克(2.4mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，购自六和化工股份有限公司，台湾)加至反应槽中并于室温下搅拌形成均匀混和溶液。将此混和溶液滴入质量浓度5％的硫酸水溶液(5337.4克)中得到反应溶液，接着将此反应溶液加热至75℃以进行水解，待反应完全后以去离子水进行萃取使有机层达到PH值中性，最后移除溶剂以制得水解产物。
将上述水解产物、69.52克(0.374mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，购自六和化工股份有限公司，台湾)以及5.88克的四甲基氢氧化铵(Tetramethyl ammonium hydroxide，商品名L09658，购自AlfaAesar，美国)置于反应槽中，于反应槽中通入氮气，并于室温下均匀搅拌以制得反应溶液。将此反应溶液加热至95℃，待反应完全后，进行除碱以完成线性聚硅氧烷(化合物1)的制备。化合物1的平均单元结构式由(PhMeSiO2/2)0.8(Me2SiO2/2)0.1(ViMeSiO2/2)0.1及用于封端的单体ViMe2SiO1/2所组成。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。
制备实施例2
第一硅树脂(化合物2)的制备方法
将2685克(13.5mole)的苯基三甲氧基硅烷(phenyl-trimethoxysilane，购自六和股份有限公司，台湾)，349克(2.9mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，购自恒桥产业股份有限公司，台湾)，以及384克(2.9mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，购自六和化工股份有限公司，台湾)置于反应槽中，于室温下搅拌以制得均匀混合溶液。将混和溶液滴入质量浓度5％的硫酸水溶液(4579克)中以制得反应溶液，接着将此反应溶液加热至75℃进行水解，待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以制得水解产物。
将上述水解产物、21.39克(0.11mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，购自六和化工股份有限公司，台湾)、22.74克的氢氧化钾以及2274克的甲苯置于反应槽中，于反应槽中通入氮气，并于室温下搅拌以制得反应溶液。接着将此反应溶液加热至95℃。待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以完成第一硅树脂(化合物2)的制备。化合物2的平均单元结构式由(PhSiO3/2)0.7(Me2SiO2/2)0.2(ViMeSiO2/2)0.15及用于封装的单体ViMe2SiO1/2所组成。
制备实施例3
第一硅树脂(化合物3)的制备方法
将2776克(14mole)的苯基三甲氧基硅烷(phenyl-trimethoxysilane，购自六和股份有限公司，台湾)，480.88克(4mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，购自恒桥产业股份有限公司，台湾)，以及264.46克(2mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，购自六和化工股份有限公司，台湾)置于反应槽中，于室温下搅拌以制得均匀混合溶液。将混和溶液滴入质量浓度5％的硫酸水溶液中以制得反应溶液，接着将此反应溶液加热至75℃进行水解，待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以制得水解产物。
将上述水解产物、21.39克(0.11mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，购自六和化工股份有限公司，台湾)、22.74克的氢氧化钾以及2274克的甲苯置于反应槽中，于反应槽中通入氮气，并于室温下搅拌以制得反应溶液。接着将此反应溶液加热至95℃。待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以完成第一硅树脂(化合物3)的制备。化合物3的平均单元结构式由(PhSiO3/2)0.7(Me2SiO2/2)0.2(ViMeSiO2/2)0.1及用于封装的单体ViMe2SiO1/2所组成。
制备实施例4
第一硅树脂(化合物4)的制备方法
将2578克(13mole)的苯基三甲氧基硅烷(phenyl-trimethoxysilane，购自六和股份有限公司，台湾)481克(4mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，购自恒桥产业股份有限公司，台湾)，以及397克(3mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，购自六和化工股份有限公司，台湾)置于反应槽中，于室温下搅拌以制得均匀混合溶液。将混和溶液滴入质量浓度5％的硫酸水溶液(4579克)中以制得反应溶液，接着将此反应溶液加热至75℃进行水解，待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以制得水解产物。
将上述水解产物、21.39克(0.11mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，购自六和化工股份有限公司，台湾)、22.74克的氢氧化钾以及2274克的甲苯置于反应槽中，于反应槽中通入氮气，并于室温下搅拌以制得反应溶液。接着将此反应溶液加热至95℃。待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以完成第一硅树脂(化合物4)的制备。化合物4的平均单元结构式由(PhSiO3/2)0.65(Me2SiO2/2)0.2(ViMeSiO2/2)0.15及用于封装的单体ViMe2SiO1/2所组成。
制备实施例5
第二硅树脂(化合物5)的制备方法
将2379.4克(12mole)的苯基三甲氧基硅烷(Phenyltrimethoxysilane，购自六和化工股份有限公司，台湾)，以及1118.4克(6mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，购自六和化工股份有限公司，台湾)置于反应槽中，于室温下搅拌以制得均匀混和溶液。将此混和溶液滴入质量浓度5％的硫酸水溶液(4547.16克)中以制得反应溶液，接着将此反应溶液加热至75℃，以进行水解，待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以制得水解产物。
将上述水解产物、1998克的甲苯以及10克的氢氧化钾置于反应槽中，于反应槽中通入氮气，并于室温下均匀搅拌以制得反应溶液。将此反应溶液进行加热至85℃。待反应完全后，以去离子水进行萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以完成第二硅树脂(化合物5)的制备。化合物5的平均单元结构式为(PhSiO3/2)0.5(ViMe2SiO1/2)0.5。
制备实施例6
含硅氢键的聚硅氧烷(化合物6)的制备方法
将3432.04克(14mole)的二苯基二甲氧基硅烷(Diphenyldimethoxysilane，购自六和化工股份有限公司，台湾)，以及1880.62克(14mole)的四甲基二硅氧烷(1,1,3,3-Tetramethyldisiloxane，购自恒桥产业有限公司，台湾)置于反应槽中，于室温下搅拌以制得均匀混和溶液。将混和溶液滴入质量浓度50％的硫酸水溶液(2669克)中以制得反应溶液，接着将此反应溶液于室温下反应4小时以进行水解。待反应完全后，以去离子水萃取使有机层达到PH值为中性，最后移除溶剂以完成含硅氢键的聚硅氧烷(化合物6)的制备。化合物6的平均单元结构式为(Ph2SiO2/2)1(HMe2SiO1/2)2。
关于实施例1至实施例5的硅树脂薄膜的制备方法，详述如下，实施例1至实施例5的硅树脂薄膜的详细组分请一并参考表1。
实施例1
首先，先于反应瓶中置入40克的化合物3、25.7克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相对于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的总和)的1-乙炔基环己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，购自Acros)作为抑制剂、0.6wt％(相对于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的总和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]异氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，购自Simga-Aldrich)作为接着剂，以及1.5重量份的气相二氧化硅(商品名TS-720，购自CabotCorp.，美国)以制得第一溶液。于另一反应瓶中置入14.3克的化合物1，以及4.3ppm(相对于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的总和)的辛醇络铂化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，购自Gelest，美国)以形成第二溶液。将第一溶液、第二溶液及100克的萤光粉(商品名为NYAG4454-EL，购自美国Intematix Corporation)混合，于室温下搅拌均匀，并于第一离形基材上进行涂布，经固化形成硅树脂涂层以制得硅树脂薄膜。固化温度为90℃，固化时间为80分钟。最后于硅树脂薄膜的硅树脂涂层的远离第一离形基材的表面贴合第二离形基材。
实施例2
首先，先于反应瓶中置入40克的化合物3、20克的化合物5、20克的化合物6及1000ppm(相对于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的总和)的1-乙炔基环己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，购自Acros)作为抑制剂、0.6wt％(相对于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的总和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]异氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，购自Simga-Aldrich)作为接着剂，以及1.5克的气相二氧化硅(商品名TS-720，购自CabotCorp.，美国)以制得第一溶液。于另一反应瓶中置入20克的化合物1，以及4.3ppm(相对于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的总和)的辛醇络铂化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，购自Gelest，美国)以形成第二溶液。将第一溶液、第二溶液及100克的萤光粉(商品名为NYAG4454-EL，购自美国Intematix Corporation)混合，于室温下搅拌均匀，并于第一离形基材上进行涂布，经固化形成硅树脂涂层以制得硅树脂薄膜。固化温度为90℃，固化时间为35分钟。最后于硅树脂薄膜的硅树脂涂层的远离第一离形基材的表面贴合第二离形基材。
实施例3
首先，先于反应瓶中置入40克的化合物4、25.7克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相对于100克的化合物1、化合物4、化合物5及化合物6的总和)的1-乙炔基环己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，购自Acros)作为抑制剂、0.6wt％(相对于100克的化合物1、化合物4、化合物5及化合物6的总和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]异氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，购自Simga-Aldrich)作为接着剂，以及1.5克的气相二氧化硅(商品名TS-720，购自CabotCorp.，美国)，以制得第一溶液。于另一反应瓶中置入14.3克的化合物1，以及4.3ppm(相对于100克的化合物1、化合物4、化合物5及化合物6的总和)的辛醇络铂化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，购自Gelest，美国)以形成第二溶液。将第一溶液、第二溶液及100克的萤光粉(商品名为NYAG4454-EL，购自美国Intematix Corporation)混合，于室温下搅拌均匀，并于第一离形基材上进行涂布，经固化形成硅树脂涂层以制得硅树脂薄膜。固化温度为110℃，固化时间为100分钟。最后于硅树脂薄膜的硅树脂涂层的远离第一离形基材的表面贴合第二离形基材。
实施例4
首先，先于反应瓶中置入40克的化合物2、25.7克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相对于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的总和)的1-乙炔基环己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，购自Acros)作为抑制剂、0.6wt％(相对于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的总和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]异氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，购自Simga-Aldrich)作为接着剂，以及1.5克的气相二氧化硅(商品名TS-720，购自CabotCorp.，美国)以制得第一溶液。于另一反应瓶中置入14.3克的化合物1，以及4.3ppm(相对于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的总和)的辛醇络铂化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，购自Gelest，美国)以形成第二溶液。将第一溶液、第二溶液及100克的萤光粉(商品名为NYAG4454-EL，购自美国Intematix Corporation)混合，于室温下搅拌均匀，于室温下搅拌均匀，并于第一离形基材上进行涂布，经固化形成硅树脂涂层以制得一硅树脂薄膜。固化温度为110℃，固化时间为80分钟。最后于该硅树脂薄膜的硅树脂涂层的远离第一离形基材的表面贴合第二离形基材。
实施例5
首先，先于反应瓶中置入47.3克的化合物2、18.4克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相对于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的总和)的1-乙炔基环己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，购自Acros)作为抑制剂、0.6wt％(相对于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的总和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]异氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，购自Simga-Aldrich)作为接着剂，以及1.5克的气相二氧化硅(商品名TS-720，购自CabotCorp.，美国)以制得第一溶液。于另一反应瓶中置入14.3重量份的化合物1，以及4.3ppm(相对于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的总和)的辛醇络铂化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，购自Gelest，美国)以形成第二溶液。将第一溶液、第二溶液及100克的萤光粉(商品名为NYAG4454-EL，购自美国Intematix Corporation)混合，于室温下搅拌均匀，于室温下搅拌均匀，并于第一离形基材上进行涂布，经固化形成硅树脂涂层以制得硅树脂薄膜。固化温度为105℃，固化时间为80分钟。最后于硅树脂薄膜的硅树脂涂层的远离第一离形基材的表面贴合第二离形基材。
关于上述实施例1至实施例5的硅树脂薄膜的外观及特性的详细测试结果如表2所示。
于表2所列测试结果，实施例1至实施例5的折射率皆高达1.53，硬度皆大于50D，其中，实施例1及实施例3的硬度高达66D。且实施例1至实施例5的tanδ(损失模数/储存模数)为1.2至1.6，储存模数范围约为6.6×102至1.9×103之间，故本发明的硅树脂薄膜可同时具有优异的热软化性质且兼具高硬度的特性。
图1，其利用实施例1所制得的硅树脂薄膜进行晶片封装所拍摄的光学显微镜影像的俯视图。图2，其利用实施例1所制得的硅树脂薄膜进行晶片封装所拍摄的光学显微镜影像的侧视图。由图1及图2可证实本发明的硅树脂薄膜于LED晶片封装时，无压合气泡产生，且硅树脂薄膜可完整包覆LED晶片而无露角情形产生。另由晶片封装测试结果显示，实施例2至实施例5的硅树脂薄膜的表现与实施例1一样具有良好的热软化特性。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
表1：实施例1至实施例5的详细组成
表2：实施例1至实施例5的特性测试结果
Claims (17)
1.一种硅树脂薄膜，其特征在于，该硅树脂薄膜包含：
离形基材；以及
硅树脂涂层，其经由涂布可固化硅树脂组成物于该离形基材上经固化而成，其中，该可固化硅树脂组成物包含：
10至25重量份的线性聚硅氧烷，其平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基；
40至55重量份的第一硅树脂，其平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，其中R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基，于该第一硅树脂的平均单元结构式中，该R1SiO3/2单体所占的摩尔分率为0.60至0.75，且硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为0.03至0.15；
15至30重量份的第二硅树脂，其平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R4 3SiO1/2的单体，其中R3及R4为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；
15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷，其化学结构式为：
HR5 2SiO(SiR6 2O)nSiR5 2H，其中，R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，n为大于等于0的整数；
铂族金属催化剂；以及
萤光粉。
2.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该可固化硅树脂成物中，该线性聚硅氧烷的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.4。
3.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该可固化硅树脂成物中，用于表示第一硅树脂的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.48。
4.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该可固化硅树脂成物中，用于表示第二硅树脂的平均单元结构式除了封端基单体以外，与硅原子键结的芳基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为大于等于0.25。
5.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该可固化硅树脂成物中，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，该铂族金属催化剂的添加量为1ppm至50ppm。
6.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该可固化硅树脂成物中，相对100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，该萤光粉添加量为1重量份至300重量份。
7.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该可固化硅树脂成物还包括接着剂、抑制剂、触变剂、抗沉降剂、无机填料或其组合。
8.如权利要求7的硅树脂薄膜，其特征在于，该可固化硅树脂成物中的该无机填料包括气相二氧化硅。
9.如权利要求8的硅树脂薄膜，其特征在于，相对于100重量份的线性聚硅氧烷、第一硅树脂、第二硅树脂及含硅氢键的聚硅氧烷的总和，该气相二氧化硅的添加量为0.1重量份至5重量份。
10.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该硅树脂薄膜于100℃至160℃的温度范围的储存模数(G’)的最小值范围为1.0×102Pa至9.9×104Pa。
11.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该硅树脂薄膜于100℃至160℃的温度范围的损失模数/储存模数的最大值范围为0.5至2.5。
12.如权利要求1的硅树脂薄膜，其特征在于，该硅树脂涂层的固化温度为80℃至140℃，固化时间为10分钟至100分钟。
13.一种光学半导体装置，其特征在于，该光学半导体装置由权利要求1至权利要求12中任一项中所述的硅树脂薄膜封装而成。
14.一种光学半导体装置的封装方法，其特征在于，该封装方法包含：
将如权利要求1至权利要求12中任一项所述的硅树脂薄膜配置于光学半导体元件表面进行热压合步骤；以及
撕除该硅树脂薄膜的该离形基材以完成封装。
15.一种可固化硅树脂组成物，其特征在于，该可固化硅树脂组成物包含：
10至25重量份的线性聚硅氧烷，其平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基；
40至55重量份的第一硅树脂，其平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R2 2SiO2/2单体，其中R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基，于第一硅树脂的平均单元结构式中，该R1SiO3/2单体所占的摩尔分率为0.60至0.75，且硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为0.03至0.15；
15至30重量份的第二硅树脂，其平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R4 3SiO1/2的单体，其中R3及R4为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；
15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷，其化学结构式为：
HR5 2SiO(SiR6 2O)nSiR5 2H，其中R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，n为大于等于0的整数；
铂族金属催化剂；以及
萤光粉。
16.如权利要求15的可固化硅树脂组成物，其特征在于，该可固化硅树脂组成物还包括接着剂、抑制剂、触变剂、抗沉降剂、无机填料或其组合。
17.一种光学半导体装置，其特征在于，该光学半导体装置由权利要求15或权利要求16的可固化硅树脂组成物封装而成。
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