CN106462056A - 用于光学器件的热熔型可固化有机硅组合物的压印工艺 - Google Patents

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Abstract

本公开内容涉及制造光学组件的方法。光学器件被固定在夹具中，所述光学器件具有光学表面，其中有机硅薄膜关于光学表面被定位，有机硅薄膜具有相对于光学表面的远侧表面。方法除了其他特征还包括压印有机硅薄膜的远侧表面以在有机硅薄膜的远侧表面中产生表面印记。

Description

用于光学器件的热熔型可固化有机硅组合物的压印工艺
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年6月4日提交的美国临时申请序号62/007,554的权益，该美国临时申请的全部公开内容通过引用并入，如同完全地在本文中陈述一样。
背景
光学器件，例如光学发射器、光学检测器、光学放大器及类似器件，可以经由光学表面发射或接收光。对于多种这样的器件，光学表面可以是或可以包括电子部件或可以对环境条件敏感的其他部件。通常包括发光二极管(LED)、激光二极管和光传感器的诸如光电子学的某些光学器件可以包括固态电子部件，该固态电子部件如果未被保护可以对电短路或来自环境条件的其他损害是易感的。即使可能不是即刻易感的光学器件如果未被保护也可能随时间而劣化。因此，已经开发了对光学表面提供至少一些保护以免于环境因素影响的薄膜。
概述
已经开发了防护膜和用于制造这样的防护膜的方法，该防护膜可以有助于从光学器件中的光萃取(light extraction)。特别地，已经开发了在有机硅薄膜上产生印记的工艺，这可以改进从光学器件中的光萃取。印记可以在通过将具有相关的印记的释放衬垫压制到有机硅薄膜上来制造包含光学器件和有机硅薄膜的光学组件期间产生。有机硅可以是热熔性有机硅组合物，如本文公开的。释放衬垫的压制可以是在加热工艺期间例如在层压期间。因此，有机硅薄膜的压印可以与有机硅薄膜至光学器件的层压同时发生，这导致“一次(one-time)”生产工艺，允许各种部件相对于彼此被定位在夹具中，例如真空室，并且输出端(output)产生光学组件。
图1是在示例性实施方案中的光学组件100的侧部断面图(side profile)。
图2A-2E是在示例性实施方案中的用于制造光学组件100的工艺的图示。
图3A和图3B是在各个示例性实施方案中的示例性释放衬垫的顶部断面图。
图4是在示例性实施方案中的用于制造光学组件的流程图。
详述
图1是在示例性实施方案中的光学组件100的侧部断面图。在各个示例性实施方案中，光学组件包括光学器件102和电引线104，电引线104被构造成提供与光学器件102的电连接性，例如以提供电流以导致LED发光或检测来自光学检测器的输出。光学器件102包括光学表面106，光可以从光学表面106被发射或被检测。光学器件102和电引线104被封装在有机硅薄膜108中，有机硅薄膜108在各个实例中可以根据本文公开的方法被应用。虽然有机硅薄膜特别地由如本文公开的各种材料制成，但有机硅薄膜108可以是或可以包括当前存在的或可以被开发的任何合适的封装剂。
有机硅薄膜108包括相对于光学表面106是远侧的远侧表面110。远侧表面110已经被压印以产生突出物112的图案。突出物112可以是隆起、波纹、脊或其他相关的凸出部。虽然如所图示的突出物112是呈图案并且具有规则的形状，但突出物112可以是未被图案化的并且可以具有不规则的形状。此外，突出物112中的某些或全部可以被在远侧表面110中的浅凹(dimple)、凹坑(divot)、或其他凹口替换。
图2A-2E是在示例性实施方案中的用于制造光学组件100的工艺的图示。虽然工艺关于光学组件100被描述，但应理解，本文描述的原理可以应用于制造多种光学组件中的任何光学组件。
在图2A中，使夹具200准备好接纳光学器件102和有机硅薄膜108。在图示的实例中，夹具是真空层压机，真空层压机包括真空室202、膜204和热源206，例如加热板工作台(hotplate table)。膜204可以由任何合适的材料制成，包括但不限于橡胶。在各个实例中，夹具200不必包括部件202、204、206中的某些或全部，并且代替地，可以包括用于固定光学器件102的机构和压制机构，例如柱塞或可以被用于将物体压制到有机硅薄膜108中的其他器件，如本文中将公开的。
在图2B中，光学器件102和有机硅薄膜108被定位在夹具200内并且释放衬垫208被定位在有机硅薄膜108的远侧表面110与膜204之间。压印表面211面向有机硅薄膜108的远侧表面110。在各个实例中，释放衬垫208由塑料形成，例如乙烯四氟乙烯(ETFE)。在各个实例中，有机硅薄膜108在这一点上不被附接至或以其他方式大体上固定至光学器件102；这样的固定可以来自层压或如本文公开的其他工艺。因此，有机硅薄膜108可以相对于光学器件102是松散的或可以相对于光学器件102被轻微地或以其他方式被非永久地固定，例如采用紧固件或粘合剂。可选择地，有机硅薄膜108可以已经被固定至光学器件102，例如通过现有的层压工艺或其他机构，通过该其他机构，有机硅薄膜108可以在长期内或永久地被固定至光学器件102。
在图2C中，夹具200被关闭并且真空被应用于膜204的第一侧210和第二侧212两者上。在所图示的实例中，膜204用来将第一侧和第二侧210、212相对于彼此隔离，这允许真空在每一侧210、212上独立地拉动。
在图2D中，真空在第一侧210上被释放而在第二侧212上被维持。在第一侧210上释放真空导致膜204压在释放衬垫208上，这导致在释放衬垫208上的压印图案被赋予至有机硅薄膜108上。
在实例中，夹具200被保持在真空下持续从约四(4)分钟至约二十(20)分钟的时间并且在约一百三十五(135)℃的温度下。在某些实例中，夹具在真空下、在约一百五十(150)℃的温度下被保持持续约十(10)分钟。
在图2E中，真空在第二侧212上被释放并且夹具200打开。光学组件100包括有机硅薄膜108，有机硅薄膜108包括如从释放衬垫208所赋予的图案。
虽然所图示的夹具200包括用于一(1)个光学器件102和所得的光学组件100的空间，但夹具200可以具有用于多个光学器件102的容量并且以同时地产生多个光学组件100。在实例中，光学器件102具有二百六十(260)微米乘五百八十五(585)微米的尺寸和九十(90)微米的厚度。光学器件102可以是包括多个光学器件102的板的部分，例如包括一百(100)个光学器件102的五十(50)乘五十(50)毫米的板。在这样的实例中，夹具200可以被构造成接纳光学器件102的整个板。在实例中，有机硅薄膜108是约四百(400)微米厚。有机硅薄膜108和/或释放衬垫208可以是单个片材以覆盖光学器件102中的某些或全部的光学表面106，或可以对于每个光学器件102是分立的。在其中有机硅薄膜108是单个片材的实例中，片材可以具有约三十五(35)毫米的直径。
在多个实例中，夹具200可以被替换为或补充有多个压制机构中的任何压制机构，该压制机构将允许抵靠有机硅薄膜108压制释放衬垫208以在有机硅薄膜108上赋予印记。这样的压制机构可以直接作用于释放衬垫208，即，通过使光学器件102和/或有机硅薄膜108大体上固定并且抵靠有机硅薄膜108主动地压制释放衬垫208；可以直接作用于光学器件102和/或有机硅薄膜108，即，通过使释放衬垫208大体上固定并且抵靠释放衬垫主动压制光学器件102和/或有机硅薄膜108；或可以直接作用于释放衬垫208和光学器件102和/或有机硅薄膜108二者。此外，如上文所提到的，在各个实例中，夹具200不包括热源206并且不必将有机硅薄膜108层压或以其他方式固定或附接至光学器件102。更确切地说，在各个实例中，夹具200可以仅仅是用于将印记赋予至有机硅薄膜108上的压机。
图3A和图3B分别是在各个示例性实施方案中的示例性释放衬垫208A和208B的顶部断面图。所图示的释放衬垫208A、208B作为代表性的实例被提供并且是非限制性的。
释放衬垫208A包括在表面302上的柱300的规则图案，表面302被构造成当有机硅薄膜108和释放衬垫208A被定位在夹具200中时面向有机硅薄膜108的远侧表面110。释放衬垫208A可以被用于制造如图1中所图示的有机硅薄膜108的突出物112。在实例中，释放衬垫208A由环烯烃聚合物(COP)形成，环烯烃聚合物具有约二百三十(230)纳米的Φ(phi)、约二百(200)纳米的柱高度、约四百(400)纳米的柱节距(pillar pitch)、和约200微米的薄膜厚度。
当释放衬垫208A被使用时，释放衬垫208A可以在真空中、在一百三十五(135)℃下抵靠有机硅薄膜108被压制持续约二十(20)分钟。所得光学组件100可以具有约一百二十(120)纳米至约一百六十(160)纳米的深度的突出物112。
释放衬垫208B包括微网眼图案(micro mesh pattern)304。在各个实例中，微网眼图案具有三百二十五的网眼计数和约二百八十(280)微米的线径(wire diameter)。微网眼图案304可以通过在一百五十(150)℃下将金属微网眼热压至如本文公开的释放衬垫208B的材料上例如持续一(1)分钟来形成。另外或可选择地，释放衬垫208B可以是金属微网眼并且可以被直接应用于如本文公开的有机硅薄膜108。
多种其他的释放衬垫208被预期。在实例中，释放衬垫208包括随机的或以其他方式不规则排列的空腔，该空腔被构造成在有机硅薄膜108上产生随机排列的突出物112。释放衬垫可以包括蛾眼型图案并且由金属形成。空腔可以具有约二百一十二(212)纳米的深度和约一百三十(130)纳米的节距。在多个实例中，与没有有机硅薄膜108的光学器件102的约1,740毫瓦特的LOP相比，包括具有所得排列的突出物112的有机硅薄膜108的光学组件100可以具有约1,772毫瓦特的LOP，或约1.8％的改进。
图4是在示例性实施方案中的用于制造光学组件的流程图。在多个实例中，光学组件是光学组件100。另外或可选择地，方法可以被应用于制造任何合适的光学组件。
在操作400处，光学器件被固定在夹具中，光学器件具有光学表面，其中有机硅薄膜关于光学表面被定位，有机硅薄膜具有相对于光学表面的远侧表面。在实例中，有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物。在实例中，含有机硅的热熔性组合物包含有机硅氧烷嵌段共聚物。
在实例中，有机硅薄膜的厚度大于光学器件的厚度。
在操作402处，释放衬垫被定位，其中衬垫表面面向有机硅薄膜，释放衬垫包括在衬垫表面上的印记。在实例中，释放衬垫的印记包括至少一个柱或一个空腔，柱或空腔具有从约十(10)纳米至约五百(500)微米的主要尺寸(primary dimension)。在实例中，释放衬垫的印记包括多个大体上相等大小的空腔或柱，空腔形成大体上规则的图案。在实例中，释放衬垫包括金属和塑料中的至少一种。
在操作404处，释放衬垫抵靠有机硅薄膜被压制，从而导致释放衬垫的印记被赋予至有机硅薄膜的远侧表面，在远侧表面中产生表面印记。在实例中，夹具包括真空室和膜，并且其中压制释放衬垫包括采用真空室在膜的第一侧与膜的第二侧之间产生压差并且导致膜抵靠有机硅薄膜压制释放衬垫。对膜的材料没有限制。有机薄膜、图案化的薄膜和金属薄膜，释放衬垫是作为膜可适用的。
在操作406处，采用热源将热应用于有机硅薄膜以将有机硅薄膜层压至光学器件。在实例中，应用热与压制释放衬垫是至少部分地同时发生的。
有机硅组合物
通常，当在未反应的A-阶段中的热固性树脂的部分发生反应时，树脂可以进入B-阶段，在B-阶段中，可交联的官能团的部分发生反应。在A-阶段和B-阶段中，树脂可以经由加热在粘度上被减小、被软化、或被液化。如果反应继续，树脂进入完全固化的C-阶段。根据本发明的多个实施方案的可固化的有机硅组合物是处于对应于“A-阶段”或“B-阶段”的状态，并且特别地，是热塑性的，因为包含在室温下是固体的组分的可固化的有机硅组合物被使用。因此可能的是，“塑性地(plastically)”加工热熔性可固化的有机硅组合物以用于根据本发明层压。
如本文使用的术语“热熔性”和“可热熔”通常指的是在室温(25℃)下是固体但在加热时软化或熔化而进入粘稠的流体或液体状态的物质，例如热熔性粘合剂，其代表为基于乙烯乙酸乙烯酯的粘合剂。
本发明的多个实施方案的组合物是“热熔性”组合物或含有机硅的“热熔性”组合物，并且因此可以在室温(25℃)下是固体。对本发明的组合物的形式没有特别的限制；例如，其可以采取粉末、粒剂、小球、片剂、薄膜或片材的形式。
在某些实施方案中，本发明的多个实施方案的组合物具有如通过JIS K6253定义的在25℃下的至少50、至少60或至少70的A型硬度计硬度(type A durometer hardness)。在某些实施方案中，本发明的组合物在100℃下是流体或在100℃下具有不大于10、不大于5或不大于1的A型硬度计硬度。如果组合物在100℃下是流体，则对其粘度没有特别的限制；最小值为0.01Pa·s或0.1Pa·s。如果组合物在100℃下是流体，则最大粘度可以是1,000Pa·s、100Pa·s或10Pa·s。可选择地，如果组合物在100℃下是流体，则从紧接关闭模具后(固化时间：0秒)直至300秒的最小扭矩值，当根据JIS K6300-2“Rubber,unvulcanized--Physical property--Part 2:Determination of cure characteristicswith oscillating curemeters”、使用例如动模流变仪(MDR)、在至少100℃的温度下测量时，为不大于1kgf·cm或不大于0.1kgf·cm。因此，本发明的组合物可以有利地被用作在加热时变形的热塑性薄膜或片材。
本发明的多个实施方案的组合物能够在加热时经历交联和固化。在某些实施方案中，最小加热温度是约50℃、约80℃或约100℃。在某些实施方案中，最大加热温度是约200℃或约150℃。为了稳定化密封物的形状，本发明的多个实施方案的组合物具有的固化性质使得，当使用动模流变仪(MDR)、在加热温度范围中测量时，从紧接开始测量以后直至达到1kgf·cm的扭矩的时间为不大于5分钟、不大于3分钟或不大于1分钟。测量可以使用MDR、根据遵照JIS K 6300-2“Rubber,unvulcanized--Physical property--Part 2:Determination of cure characteristics with oscillating curemeters”的方法来进行。
在某些实施方案中，本发明的多个实施方案的组合物自身或其固化的产物具有至少1.40的折射指数。折射指数可以使用例如阿贝折射计来测量。在这样的情况下，用于阿贝折射计的光源的波长可以被改变以测量在期望的波长下的折射指数。在某些实施方案中，可固化的有机硅组合物及其固化的产物具有1.40或更大、从约1.50至约1.70或从约1.55至约1.60的在可见光波长下(在589nm下)的折射指数(在25℃下)。
本发明的组合物自身或其固化的产物可以具有至少约80％、至少约90％或至少约95％(例如从约80％至约100％、约80％至约95％、约90％至约100％或约95％至约100％)的透光率(light transmission rate)(在25℃下)。此透光率可以例如通过使用透光率(在25℃下)分光光度计、使用0.2cm的光路距离和450nm的波长来测量本发明的组合物或其固化的产物来计算。
在某些实施方案中，本发明的组合物是例如包含固体有机聚硅氧烷并且在室温下是固体的A-阶段有机硅组合物、或可以经由氢化硅烷化反应被交联和固化的B-阶段有机硅组合物。特别地，在某些实施方案中，根据本发明的B-阶段组合物经由氢化硅烷化反应被部分地交联；在室温下形成具有高硬度的固体，特定地硬橡胶样的状态；并且在高温(例如100℃)下，呈现明显软化的形式，特定地软橡胶样的状态，或液化。
在某些实施方案中，本发明的组合物可以经由氢化硅烷化反应被交联和固化。在某些实施方案中，组合物选自由以下组成的组：
(1)未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物；
(2)通过使未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物部分地交联获得的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物；和
(3)包含以下的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物：具有结合硅原子的氢原子和/或烯基的交联产物；和至少一种类型的氢化硅烷化反应性组分，交联产物通过使未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物交联来获得。
在某些实施方案中，未反应的氢化硅烷化可固化的(反应性的)有机硅组合物包含：
(A)在25℃下是固体并且在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(B)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(A)中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.2至4的范围内的量；和
(C)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量。
对组分(A)的分子结构没有限制；实例包括直链结构、部分支化的直链结构、支链结构、树枝状结构、网状结构或环状结构。
在组分(A)中的烯基的非限制性实例包括具有从2个至10个碳(例如2个至8个碳、2个至5个碳或2个至4个碳)的直链或支链的烯基，例如乙烯基、烯丙基、丙稀基、异丙烯基、丁烯基、戊烯基和己烯基。乙烯基或烯丙基是优选的，并且乙烯基是更优选的。任选地，组分(A)可以在分子中平均具有至少三个烯基。
除了烯基，组分(A)可以包含被结合至硅原子并且具有从1个至20个碳原子的单价烃基。单价烃基的实例包括具有从1个至20个碳原子的烷基、具有从6个至20个碳原子的芳基、和具有从7个至20个碳原子的芳烷基。具有从1个至20个碳原子的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、环戊基、己基、环己基、庚基、和其他直链的、支链的或环状的烷基。单价烃基优选地是甲基。具有从6个至20个碳原子的芳基的实例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、和蒽基。具有从7个至20个碳原子的芳烷基的实例包括苄基、苯乙基、和苯丙基。单价烃基的氢原子的部分可以被卤素原子、羟基、环氧基或类似基团部分地取代。
组分(A)的实例包括：在分子的两端处用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基聚硅氧烷，在分子的两端处用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物，在分子的两端处用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基聚硅氧烷，在分子的两端处用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷与甲基乙烯基硅氧烷的共聚物，环状甲基乙烯基硅氧烷，环状二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物，通过由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷单元、由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元和由式SiO4/2代表的硅氧烷单元构成的共聚物，通过由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元和由式SiO4/2代表的硅氧烷单元构成的共聚物，由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷单元、由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元、由式(CH3)2SiO2/2代表的硅氧烷单元和由式SiO4/2代表的硅氧烷单元的共聚物，以及上文中的两种或更多种的混合物。优选的是在分子的两端处用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷、在分子的两端处用三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷与甲基乙烯基硅氧烷的共聚物、以及由式SiO4/2代表的硅氧烷单元和由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元的共聚物。
在某些实施方案中，组分(A)可以是由以下平均单元式代表的含苯基的有机聚硅氧烷：
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中：
R1是苯基、具有从1个至6个碳原子的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳原子的烯基，条件是从60mol％至80mol％的R1是苯基并且从10mol％至20mol％的R1是烯基；
R2是氢原子或具有从1个至6个碳原子的烷基；并且“a”、“b”、“c”、“d”和“e”是满足以下的数：0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.7，0.2≤c≤0.6，0≤d≤0.2，0≤e≤0.1，并且a+b+c+d＝1。
R1的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基。R1的环烷基的实例包括环戊基和环己基。R1的烯基的实例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基和己烯基。
在某些实施方案中，R1代表苯基。在某些实施方案中，苯基含量是在60mol％至80mol％或从65mol％至80mol％的范围内。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果苯基含量小于本文给出的范围的最小值，则本发明的多个实施方案的组合物在高温下可能存在不足的软化。如果苯基含量超过本文给出的范围的最大值，则本发明的多个实施方案的组合物或其固化的产物可能还存在透明度的损失和/或机械强度的降低。
在某些实施方案中，R1代表烯基。在某些实施方案中，烯基含量是在10mol％至20mol％的范围内。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果烯基含量小于本文给出的范围的最小值，则在室温下可能是不足够地硬的。在某些情况下，如果烯基含量超过本文给出的范围的最大值，则本发明的组合物在高温下可能存在不足的软化。
R2的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基，其中甲基和乙基是优选的。
在式中，“a”是指示由通式R1 3SiO1/2代表的硅氧烷单元的分数的数，并且“a”是满足0≤a≤0.2且优选地0≤a≤0.1的数。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果“a”超过本文给出的范围的最大值，则本发明的组合物可能在室温下是不足够地硬的。
在式中，“b”是指示由通式R1 2SiO2/2代表的硅氧烷单元的分数的数，并且“b”是满足0.2≤b≤0.7且优选地0.4≤b≤0.7的数。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果“b”小于本文给出的范围的最小值，则可能造成本发明的组合物在高温下不足的软化。在某些情况下，如果“b”超过本文给出的范围的最大值，则本发明的组合物在室温下可能具有不足的硬度。
在式中，“c”是指示由通式R1SiO3/2代表的硅氧烷单元的分数的数，并且“c”是满足0.2≤c≤0.6且优选地0.3≤c≤0.6的数。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果“c”小于本文给出的范围的最小值，则可能造成本发明的组合物在室温下不足的硬度。在某些情况下，如果“c”超过本文给出的范围的最大值，则可能造成本发明的组合物在高温下不足的软化。
在式中，“d”是指示由通式SiO4/2代表的硅氧烷单元的分数的数，并且“d”是满足0≤d≤0.2且优选地0≤d≤0.1的数。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果“d”超过本文给出的范围的最大值，则可能造成本发明的组合物在高温下不足的软化。
在式中，“e”是指示由通式R2O1/2代表的单元的分数的数，并且“e”是满足0≤e≤0.1的数。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果“e”超过本文给出的范围的最大值，则可能造成本发明的组合物在室温下不足的硬度。此外，在式中的“a”、“b”、“c”、和“d”的和是1。
在某些实施方案中，组分(A)可以是以下的混合物：
(A-1)从60质量％至100质量％的在25℃下是固体并且在分子中平均具有多于两个烯基的支链的有机聚硅氧烷；和
(A-2)从0至40质量％的在25℃下是液体并且在分子中平均具有多于两个烯基的直链或部分支链的有机聚硅氧烷。
在某些实施方案中，组分(A-1)是组合物的主要组分，并且可以是已经被描述为组分(A)的组分。
在某些实施方案中，组分(A-2)是用于改进组合物的操控便利性和可加工性以及改变其在室温下的硬度的组分，并且优选地是由以下通式代表的含苯基的有机聚硅氧烷：
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
其中：
R3是苯基、具有从1个至6个碳原子的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳原子的烯基，条件是从40mol％至70mol％的R3是苯基并且R3中的至少一个是烯基；并且“m”是从5至100的整数。
R3的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基。R3的环烷基的实例包括环戊基和环己基。R3的烯基的实例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基和己烯基。
在某些实施方案中，R3代表苯基。在某些实施方案中，苯基含量是在40mol％至70mol％或从40mol％至60mol％的范围内。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果苯基含量小于本文给出的范围的最小值，则可能造成本发明的组合物在高温下不足的软化。在其他实施方案中，如果苯基含量超过本文给出的范围的最大值，则可能造成本发明的固化的组合物的透明度的损失和/或机械强度的降低。此外，R3中的至少一个是烯基。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果没有烯基，则可能造成组分未并入交联反应中和从本发明的组合物中渗出。
在式中，“m”是在5至100的范围内的整数，并且优选地是在10至50的范围内的整数。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果“m”小于本文给出的范围的最小值，则本发明的组合物的机械强度可能减小。在某些实施方案中，如果“m”超过本文给出的范围的最大值，则本发明的组合物的操控便利性和可加工性可能减小。
在某些实施方案中，组分(B)起交联剂的作用，该交联剂在25℃下具有在1mPa·s至1,000mPa·s的范围内、在1mPa·s至500mPa·s的范围内或在1mPa·s至100mPa·s的范围内的粘度。
对组分(B)的分子结构没有限制；实例包括直链结构、部分支化的直链结构、支链结构、树枝状结构、网状结构或环状结构。组分(B)可以任选地在分子中具有至少三个结合硅的氢原子。
除了结合硅原子的氢原子，组分(B)可以具有被结合至硅原子并且具有从1个至20个碳原子的单价烃基。单价烃基的实例包括具有从1个至20个碳原子的烷基、具有从6个至20个碳原子的芳基、和具有从7个至20个碳原子的芳烷基。在组分(B)中具有从1个至20个碳原子的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、环戊基、己基、环己基、庚基、和其他直链的、支链的或环状的烷基。单价烃基优选地是甲基。具有从6个至20个碳原子的芳基的实例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、和蒽基。具有从7个至20个碳原子的芳烷基的实例包括苄基、苯乙基、和苯丙基。单价烃基的氢原子的部分可以被卤素原子、羟基、环氧基或类似基团部分地取代。
组分(B)的实例包括在分子的两端处用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷，在分子的两端处用三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷与甲基氢硅氧烷的共聚物，在分子的两端处用二甲基氢甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷，在分子的两端处用二甲基氢甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷与甲基氢硅氧烷的共聚物，环状甲基氢硅氧烷，环状二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物，由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷单元、由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元和由式SiO4/2代表的硅氧烷单元的共聚物，由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元和由式SiO4/2代表的硅氧烷单元的共聚物，由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷单元、由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元、由式(CH3)2SiO2/2代表的硅氧烷单元和由式SiO4/2代表的硅氧烷单元的共聚物，以及这些中的两种或更多种的混合物；特别地，在分子的两端处用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷、在分子的两端处用三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷和甲基氢硅氧烷的共聚物、以及由式SiO4/2代表的硅氧烷单元和由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷单元的共聚物是优选的。
在某些实施方案中，组分(B)的单价烃基中的从30mol％至70mol％是苯基。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果苯基含量小于本文给出的范围的最小值，则可能造成本发明的组合物在高温下不足的软化。如果苯基含量超过本文给出的范围的最大值，则可能造成本发明的固化的组合物的透明度的损失和/或机械强度的降低。
在某些实施方案中，组分(B)是由以下通式代表的有机三硅氧烷：
(HR4 2SiO)2SiR4 2
在某些实施方案中，R4是苯基、或具有从1个至6个碳原子的烷基或环烷基。R4的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基。R4的环烷基的实例包括环戊基和环己基。在某些实施方案中，R4中的苯基含量是在30mol％至70mol％的范围内。
在某些实施方案中，组分(B)含量是使得其中的结合硅原子的氢原子与在组分(A)中的烯基的总量的摩尔比是在0.2至4、优选地从0.5至2、更优选地从0.8至1.8且还更优选地从0.5至1.5的范围内的量。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果组分(B)的含量在本文给出的范围以外，则可能造成本发明的组合物在室温下不足的硬度。
组分(C)是氢化硅烷化反应催化剂，其用于导致或促进组分(A)中的烯基与组分(B)中的结合硅原子的氢原子之间的氢化硅烷化反应。组分(C)的实例包括基于铂的催化剂、基于铑的催化剂和基于钯的催化剂。由于促进本组合物的固化的能力，基于铂的催化剂是优选的。基于铂的催化剂的实例包括铂细粉、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂-烯基硅氧烷络合物、铂-烯烃络合物和铂-羰基络合物，其中铂-烯基硅氧烷络合物是特别优选的。烯基硅氧烷的实例包括1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷、使这些烯基硅氧烷中的甲基的部分被乙基、苯基或类似物取代的烯基硅氧烷、以及使这些烯基硅氧烷中的乙烯基被烯丙基、己烯基或类似物取代的烯基硅氧烷。由于铂-烯基硅氧烷络合物的高稳定性，1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷是特别优选的。由于用于改进铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性的能力，推荐的是铂-烯基硅氧烷络合物与有机硅氧烷低聚物的组合，有机硅氧烷低聚物为诸如1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷、或类似的烯基硅氧烷、或二甲基硅氧烷低聚物。添加烯基硅氧烷是优选的。
对组分(C)含量没有特别的限制，只要其是足以实现或促进在组分(A)中的烯基与组分(B)中的结合硅原子的氢原子之间的氢化硅烷化反应的量，但其在某些实施方案中是使得在部分固化之前在组分中的金属元素根据质量单位相对于组合物的量是在从0.01ppm至500ppm、从0.01ppm至100ppm或从0.01ppm至50ppm的范围内的量。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果组分(C)的量小于本文描述的范围的下限，则组合物可能呈现不充分地交联的趋势。在某些情况下，如果该量超过本文描述的范围的上限，则可能发生根据本发明的组合物的变色。
通过使未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物部分地交联获得的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(2)可以通过在氢化硅烷化反应性有机硅组合物的从50％至95％转化率时停止氢化硅烷化反应来获得，所述氢化硅烷化反应性有机硅组合物包含：
(D)在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(E)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(D)中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.2至4的范围内的量；和
(F)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量。
本文描述的组分(A)至(C)可以被分别用于组分(D)至(F)。
对未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物的粘度没有特别的限制，该粘度可以在100mPa·s至1,000,000mPa·s或从500mPa·s至50,000mPa·s的范围内。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果该粘度小于本文给出的范围的最小值，则本发明的组合物的机械强度可能减小。在某些情况下，如果该粘度超过本文给出的范围的最大值，则本发明的组合物的操控便利性和可加工性可能减小。
在某些实施方案中，组分(D)包含以下的混合物：
(D-1)由以下平均单元式代表的有机聚硅氧烷：
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中R1是苯基、具有从1个至6个碳的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳的烯基，条件是从60mol％至80mol％的R1是苯基并且从10mol％至20mol％的R1是烯基；R2是氢原子或具有从1个至6个碳的烷基；并且“a”、“b”、“c”、“d”和“e”是满足以下的数：0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.7，0.2≤c≤0.6，0≤d≤0.2，0≤e≤0.1，并且a+b+c+d＝1；
和
(D-2)由以下通式代表的有机聚硅氧烷：
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
其中R3是苯基、具有从1个至6个碳的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳的烯基，条件是从40mol％至70mol％的R3是苯基并且至少一个R3是烯基；并且“m”是从5至100的整数，此组分(D-2)的量是每100重量份的组分(D-1)从0至20重量份。
组分(D-2)含量可以是在0至15重量份每100重量份的组分(D-1)的范围内的量，或在0至10重量份的范围内的量。虽然不希望受限于任何特定的理论，但相信，如果组分(D-2)含量超过本文给出的范围的最大值，则可能造成本发明的组合物在高温下不足的软化。
氢化硅烷化反应的“转化率”是组分(D)的烯基或组分(E)的结合硅原子的氢原子的消耗的程度；例如，80％转化率可以指示，组分(D)的烯基或组分(E)的结合硅原子的氢原子中的80％已经在氢化硅烷化反应中被消耗。
对用于控制转化率的方法没有特别的限制；例如，未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物可以被加热持续比较短的时间以产生从50％至95％的转化率。在某些实施方案中，加热温度是从50℃至200℃或从80℃至150℃。在某些实施方案中，加热时间是从1分钟至20分钟或从5分钟至15分钟。转化率可以相对于例如发热峰面积(heat-generatingpeak area)被测量，发热峰面积通过经由差示扫描量热法(DSC)测量未反应的组合物作为参考来获得。
氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(3)包含：
(G)通过未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物的氢化硅烷化反应获得的含烯基的交联产物，所述未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物包含：
(G-1)在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(G-2)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(G-1)中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.3至0.9的范围内的量；和
(G-3)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量；和
(H)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在交联产物中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.1至2.0的范围内的量。
上文描述的组分(A)、(B)、(C)和(E)可以分别被用于组分(G-1)、(G-2)、(G-3)和(H)。
在某些实施方案中，以下条件中的一个或更多个被满足：
(G-1)是在分子中平均具有多于两个烯基并且由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷：
R4 xSiO(4-x)/2
其中R4独立地代表被取代的或未被取代的单价烃基，条件是从0.1mol％至40mol％的R4是烯基；并且“x”是使得1≤x＜2的正数；
(G-2)是由以下通式代表的二有机聚硅氧烷：
HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
其中R5独立地代表不包含脂肪族不饱和键的被取代的或未被取代的单价烃基，并且“n”是从0至1,000的整数；
和
(H)是由以下平均组成式代表的有机氢聚硅氧烷：
R5 yHzSiO(4-y-z)/2
其中R5如上文所定义，并且“y”和“z”是满足以下的正数：0.7≤y≤2.1，0.001≤z≤1.0，并且0.8≤y+z≤2.6。
单价烃基和烯基是如本文所描述的。不包含脂肪族不饱和键的单价烃基的实例包括具有从1个至20个碳原子的烷基、具有从6个至20个碳原子的芳基、和具有从7个至20个碳原子的芳烷基。具有从1个至20个碳原子的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、环戊基、己基、环己基、庚基、和其他直链的、支链的或环状的烷基。单价烃基优选地是甲基。具有从6个至20个碳原子的芳基的实例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、和蒽基。具有从7个至20个碳原子的芳烷基的实例包括苄基、苯乙基、和苯丙基。单价烃基的氢原子的部分可以被卤素原子、羟基、环氧基或类似基团部分地取代。
在氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(3)中，在某些实施方案中，组分(G-1)与(G-2)的相对量被调整使得在组分(G-2)中的结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(G-1)中的烯基的总摩尔浓度的比率是在0.3至0.9的范围内；因此，通过使未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物(G)氢化硅烷化获得的交联产物具有未在氢化硅烷化反应中消耗的烯基。因此可能的是，由于组分(H)的存在，使氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(3)经由氢化硅烷化反应进一步交联和固化。
本发明的组合物可以包含作为任选的组分的反应阻滞剂，反应阻滞剂为例如乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、或另一种其他的炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔、或另一种烯炔化合物；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基环四硅氧烷、或苯并三唑。对反应阻滞剂含量没有限制，例如在相对于组合物的重量的1ppm至5,000ppm的范围内。
本发明的组合物还可以包含助粘剂以便改进与各种基底的结合能力。助粘剂的实例包括但不限于：具有约4个至20个硅原子、具有三烷氧基甲硅烷氧基(例如三甲氧基甲硅烷氧基或三乙氧基甲硅烷氧基)或三烷氧基甲硅烷基烷基(例如三甲氧基甲硅烷基乙基或三乙氧基甲硅烷基乙基)和氢甲硅烷基(hydrosilyl)或烯基(例如乙烯基或烯丙基)的有机硅烷类或直链、支链或环状的有机硅氧烷低聚物；具有约4个至20个硅原子、具有三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基、和甲基丙烯酰氧基烷基(例如3-甲基丙烯酰氧基丙基)的有机硅烷类或直链、支链或环状的有机硅氧烷低聚物；具有约4个至20个硅原子、具有三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基和结合环氧基的烷基(例如3-缩水甘油醚氧基丙基、4-缩水甘油醚氧基丁基、2-(3,4-环氧环己基)乙基、或3-(3,4-环氧环己基)丙基)的有机硅烷类或直链、支链或环状的有机硅氧烷低聚物；以及氨基烷基三烷氧基硅烷与结合环氧基的烷基三烷氧基硅烷的反应产物、和含环氧基的聚硅酸乙酯(ethylpolysilicate)。助粘剂的具体实例包括：乙烯基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、氢三乙氧基硅烷(hydrogen triethoxysilane)、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷与3-氨基丙基三乙氧基硅烷的反应产物、硅烷醇基团链封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物与3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷的缩合反应产物、硅烷醇基团链封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物与3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷的缩合反应产物以及三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯。
本发明的组合物还可以包含以下作为任选的组分：不同于组分(A)至(H)的有机聚硅氧烷；无机填料，例如二氧化硅、玻璃、矾土或氧化锌；细粉状有机树脂，例如聚甲基丙烯酸酯树脂；耐热剂；染料；颜料；磷光剂；阻燃剂；溶剂；或类似物，至这样的任选的组分没有不利地影响本发明的多个实施方案的组合物的除了其他特征以外的光学性质和物理性质的程度。
在某些实施方案中，本发明的多个实施方案的组合物包含至少一种类型的有机聚硅氧烷嵌段共聚物。在某些实施方案中，有机聚硅氧烷嵌段共聚物在某些实施方案中包含：
从40mol％至90mol％的由[R6 2SiO2/2]代表的二甲硅烷氧基单元；
从10mol％至60mol％的由[R7SiO3/2]代表的三甲硅烷氧基单元；和
从2mol％至25mol％的由[≡SiOH]代表的硅烷醇基团；
其中
每个R6独立地代表C1-C30烃基；
每个R7独立地代表C1-C20烃基；
二甲硅烷氧基单元[R6 2SiO2/2]存在于平均包含从10个至400个(例如50个至300个)二甲硅烷氧基单元[R6 2SiO2/2]的直链嵌段中；
三甲硅烷氧基单元存在于具有至少500g/mol的分子量的非直链嵌段中；并且
每个直链嵌段被结合至至少一个非直链嵌段。
烃基的实例包括本文描述的单价烃基。
有机聚硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/摩尔的重均分子量(Mw)，可选择地至少40,000g/摩尔的重均分子量，可选择地至少50,000g/摩尔的重均分子量，可选择地至少60,000g/摩尔的重均分子量，可选择地至少70,000g/摩尔的重均分子量，或可选择地至少80,000g/摩尔的重均分子量。在某些实施方案中，有机硅氧烷嵌段共聚物具有从约20,000g/摩尔至约250,000g/摩尔或从约100,000g/摩尔至约250,000g/摩尔的重均分子量(Mw)，可选择地从约40,000g/摩尔至约100,000g/摩尔的重均分子量，可选择地从约50,000g/摩尔至约100,000g/摩尔的重均分子量，可选择地从约50,000g/摩尔至约80,000g/摩尔的重均分子量，可选择地从约50,000g/摩尔至约70,000g/摩尔的重均分子量，可选择地从约50,000g/摩尔至约60,000g/摩尔的重均分子量。在还其他实施方案中，有机硅氧烷嵌段共聚物的重均分子量是从40,000至100,000、从50,000至90,000、从60,000至80,000、从60,000至70,000、或从100,000至500,000、或从150,000至450,000、或从200,000至400,000、或从250,000至350,000、或从250,000至300,000g/摩尔。在还其他实施方案中，有机硅氧烷嵌段共聚物具有从40,000至60,000、从45,000至55,000或约50,000g/摩尔的重均分子量。
在某些实施方案中，包含至少一种类型的有机聚硅氧烷嵌段共聚物的组合物具有至少1.4的折射指数，如使用ASTM D542确定的。在某些实施方案中，包含至少一种类型的有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物具有从约1.4至约2.5，例如，从约1.5至约2.5；从约1.7至约2.4；从约1.4至约1.7；或从约1.9至约2.3的折射指数。
可接受的有机聚硅氧烷嵌段共聚物的实例包括在WO2012/040457、WO2012/040453、WO2012/040367、WO2012/040305和WO2012/040302中公开的那些，它们通过引用并入，如同完全地在本文中陈述。
在某些实施方案中，本发明涉及包含本发明的组合物的有机硅薄膜。至少20重量％的本发明的有机硅薄膜由所述组合物构成，至少50重量％、至少70重量％、至少90重量％的薄膜由所述组合物构成，或在某些实施方案中，所述薄膜仅由所述组合物构成。
根据本发明的组合物和有机硅薄膜可以包含至少一种类型的磷光剂。两种或更多种类型的磷光剂的组合也可以被使用。因此可能的是，如果例如根据本发明的多个实施方案的组合物或有机硅薄膜被用于密封发光体例如LED，则允许发射的光的波长被转换，并且由LED或类似物发射的光的颜色被调整。此外，因为磷光剂被包括在片材内，所以LED或其他发光体可以容易地被定位，并且其颜色容易地被调整。还可以在紧接调整发光颜色之后进行压缩模制或层压以有效地获得密封物。此外，因为磷光剂不存在于液体中，所以在储存期间没有磷光剂的沉降，沉降将导致不均匀的浓度分布。
磷光剂可以是任何已知的磷光剂，并且为了增加单层片材的厚度和有利地转换波长，在某些实施方案中，磷光剂的最小含量是相对于根据本发明的组合物或有机硅薄膜的总重量的至少0.01重量％、至少0.1重量％或至少1重量％。在其他实施方案中，为了转换波长同时减小单层片材的厚度，在某些实施方案中，磷光剂的最小含量是10重量％、20重量％或50重量％。在还其他实施方案中，为了转换波长同时减小单层片材的厚度，在某些实施方案中，磷光剂的最大含量是95重量％、90重量％、80重量％或50重量％。在又其他实施方案中，为了转换波长同时增加单层片材的厚度，磷光剂的最大含量是30重量％、20重量％或10重量％。磷光剂具有的粒度范围使得在某些实施方案中，粒度是至少10nm、从10nm至100μm或100nm至30μm，所述粒度范围是如例如经由激光衍射法利用CILAS激光测量器件或类似物在颗粒分布测量中测量的。
对根据本发明的有机硅薄膜的厚度没有特别的限制；例如，从10μm至10mm或从20μm至5mm。
磷光剂可以是能够例如从LED吸收光并且将光转变成不同的波长的任何磷光剂。实例包括以下中的一种或更多种：主要通过镧系元素例如铕或铈来活化的氮化物和氮氧化物磷光剂、主要通过镧系元素例如铕或过渡金属元素例如锰来活化的碱土卤素磷灰石磷光剂、碱土金属硼酸卤素磷光剂、碱土金属铝酸盐磷光剂、碱土硅酸盐磷光剂、碱土硫化物磷光剂、碱土硫代镓酸盐磷光剂、碱土氮化硅磷光剂、锗酸盐磷光剂、主要通过镧系元素例如铈来活化的稀土铝酸盐磷光剂、稀土硅酸盐磷光剂、主要通过镧系元素例如铕来活化的有机和有机络合物磷光剂、以及基于Ca-Al-Si-O-N的氮氧化物玻璃磷光剂。可接受的磷光剂的具体实例在下文中列出，但本发明不限于此。
主要通过镧系元素例如铕或铈来活化的氮化物磷光剂的实例包括M2Si5N8:Eu(其中M是选自锶、钙、钡、镁和锌的至少一种)。除了M2Si5N8:Eu，其他实例包括MSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu和M0.9Si7O0.1N10:Eu(其中M是选自锶、钙、钡、镁和锌的至少一种)。
主要通过镧系元素例如铕或铈来活化的氮氧化物磷光剂的实例包括MSi2O2N2:Eu(其中M是选自锶、钙、钡、镁和锌的至少一种)。
主要通过镧系元素例如铕或过渡金属元素例如锰来活化的碱土卤素磷灰石磷光剂的实例包括M5(PO4)3X:R(其中M是选自锶、钙、钡、镁和锌的至少一种；X是选自氟、氯、溴和碘的至少一种；并且R是选自铕、锰、或铕和锰的至少一种)。
碱土金属硼酸卤素磷光剂的实例包括M2B5O9X:R(其中M是选自锶、钙、钡、镁和锌的至少一种；X是选自氟、氯、溴和碘的至少一种；并且R是选自铕、锰、或铕和锰的至少一种)。
碱土金属铝酸盐磷光剂的实例包括SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(其中R是选自铕、锰、或铕和锰的至少一种)。
碱土硫化物磷光剂的实例包括La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu和Gd2O2S:Eu。
主要通过镧系元素例如铈来活化的稀土铝酸盐磷光剂的实例包括由以下组成式代表的YAG磷光剂：Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce和(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12。其他实例包括其中钇被铽、镥或类似物部分地或完全地取代的磷光剂，例如Tb3Al5O12:Ce和Lu3Al5O12:Ce。
其他磷光剂包括ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn和MGa2S4:Eu(其中M是选自锶、钙、钡、镁和锌的至少一种；并且X是选自氟、氯、溴和碘的至少一种)。
代替铕或除了铕之外，上文提及的磷光剂可以还包含选自以下的至少一种：铽、铜、银、金、铬、钕、镝、钴、镍和钛。
基于Ca-Al-Si-O-N的氮氧化物玻璃磷光剂是由作为基质材料的氮氧化物玻璃构成并且包含根据CaO的从20mol％至50mol％CaCO3、从0mol％至30mol％Al2O3、从25mol％至60mol％SiO、从5mol％至50mol％AIN和从0.1mol％至20mol％的稀土氧化物或过渡金属氧化物(这五种组分的总和是100mol％)的磷光剂。由作为基质材料的氮氧化物玻璃构成的磷光剂包含不大于15重量％的氮，并且荧光玻璃优选地除了稀土氧化物离子还包含从0.1mol％至10mol％的另一种稀土元素离子，其构成作为助活化剂的稀土氧化物的敏化剂。
还可以使用不同于上文描述的并且具有类似的性质和作用的另一种磷光剂。
根据本发明的多个实施方案的组合物或有机硅薄膜可以通过以下制造：将根据本发明的组合物与一种或更多种的无机颗粒和/或必要时的上述磷光剂混合，并且加热获得的混合物持续比较短的时间以使其部分地交联。加热温度是从50℃至200℃或从80℃至150℃。加热时间是从1分钟至20分钟或从5分钟至15分钟。根据本发明的组合物或混合物形成本发明的有机硅薄膜，该有机硅薄膜经由氢化硅烷化反应被部分地交联并且在室温下是具有高硬度的固体，并且是交联产物，该交联产物在高温下，例如100℃或高于100℃，软化或液化。
本发明还涉及包含至少一个包含根据本发明的组合物的层的层压材料，例如包含有机硅薄膜和至少一个其他片材的层压材料。
对根据本发明的层压材料的厚度没有特别的限制；例如，从10μm至10mm、从100μm至8mm或从0.5mm至5mm。
对其他片材(当存在时)的厚度没有特别的限制，其可以具有与根据本发明的有机硅薄膜相同的厚度，或按需要可以是较薄的，在此情况下厚度为，例如，从0.1μm至3mm或从1μm至2mm。
其他片材(当存在时)可以是用于支撑有机硅薄膜的支撑体片材。支撑体片材可以是单层的片材、或多层的片材，其中多个薄膜被分层。该其他片材还可以是用于防止尘土和类似物以免附着至有机硅薄膜的防护片材。对支撑体片材的材料没有特别的限制，只要其能够支撑有机硅薄膜。对防护片材的材料没有特别的限制，只要其能够从有机硅薄膜被剥离。支撑体片材材料和防护片材材料的实例包括聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚酰胺、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物树脂、三乙酸纤维素及类似物。表面处理剂例如含氟的脱模剂或含有机硅的脱模剂可以被应用于支撑体片材或防护片材的表面。支撑体片材可以在压缩模制或层压之前或期间被剥离。支撑体片材可以与有机硅组合物层同时被机械加工；在此情况下，片材可以在机械加工之后从有机硅组合物层被剥离，或可以使其结合至有机硅组合物层。
该其他片材，当存在时，可以包含至少一种类型的非热熔性可固化的有机硅组合物，例如在2014年12月20日提交的PCT申请第PCT/US2013/077074号中描述的有机硅组合物，该PCT申请的全部公开内容通过引用并入，如同完全地在本文中陈述。
实施例
在本文中描述三种非限制性类型的模具。
模具类型-A：纳米柱图案模具COP(环烯烃聚合物)薄膜FLP230/200/460-120(Φ230nm，图案高度200nm，节距400nm，0.2mm薄膜厚度，购自Kyodo International,Inc)。
模具类型-B：随机的蛾眼型图案金属模具，(由Tokai Seimitsu Kogyo Co.,LTD生产，图案高度：212nm，图案节距：130nm)。
模具类型-C：微网眼,(网眼计数325，线径280μm)。
下文在多个非限制性实施例中描述的LED器件是MA5050-A2，(大小：50×50mm，在板上具有100个LED晶片)，而没有围绕LED晶片区域的白色的罩。在LED器件MA5050上的LED晶片的大小是260μm×585μm，90μm厚。
以下的表1总结了在本文提供的多个非限制性实施例中描述的图案化的有机硅薄膜。
表1
实施例1：热熔性有机硅薄膜1
2L的3颈圆底烧瓶装载有544g甲苯和216克的苯基-T树脂(Phenyl-T Resin)(FW＝136.6g/摩尔Si；35.0g,0.256摩尔Si)。烧瓶配备有温度计、Teflon搅拌桨和迪安-斯达克装置，迪安-斯达克装置被预装填有甲苯并且被附接至水冷的冷凝器。然后应用氮气层。油浴被用于加热烧瓶在回流下持续30分钟。随后，烧瓶被冷却至约108℃(罐温度(pottemperature))。
然后制备甲苯(176g)与硅烷醇封端的PhMe硅氧烷(140dp,FW＝136.3g/摩尔Si,1.24摩尔％SiOH,264g)的溶液并且该硅氧烷用50/50MTA/ETA(平均FW＝231.2g/摩尔Si,4.84g,0.0209摩尔Si)、在手套箱中(同一天)、在氮气下通过将50/50MTA/ETA添加至该硅氧烷并且在室温下混合持续2小时来封端。然后在108℃下将封端的硅氧烷添加至苯基-T树脂/甲苯溶液并且回流持续约2小时。
在回流之后，使溶液冷却回至约108℃并且添加另外的量的50/50MTA/ETA(平均FW＝231.2g/摩尔Si,38.32g,0.166摩尔Si)，并且然后使溶液回流持续另外的2小时。
然后使溶液冷却至90℃并且添加33.63g的DI水。然后将溶液在回流下加热持续一小时并且经由共沸蒸馏除去水。然后加热溶液持续另外的3小时并且然后冷却至100℃。随后，添加4.8克的Darco G60炭黑并且将溶液在搅拌下冷却至室温并且在室温下搅拌过夜。并且然后通过5.0μm过滤器被压力过滤以分离固体组合物。
然后将固体组合物，50.01g，溶解于甲苯中以形成58.2％固体溶液。然后添加0.15克的1重量百分数的DBU催化剂/甲苯溶液并且该溶液在30℃和13托下蒸馏持续2小时以获得36.05g(80.7％固体溶液)。随后，此溶液以约1mm厚度被浇铸在PET薄膜上，接着在氮气下干燥超过4天。然后，在真空烘箱中将过量的溶剂在真空下、在50℃下进一步除去持续2小时。通过在80℃下压制该固体组合物获得具有400μm厚度的热熔性有机硅薄膜1。
实施例2：热熔性有机硅薄膜2(B-阶段的)
添加75质量份的由平均单元式(MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45代表的甲基乙烯基聚硅氧烷、25质量份的由式(HMe2SiO)2SiPh2代表的三硅氧烷、10质量份的由ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiViMe2代表的甲基苯基聚硅氧烷、铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量为使得存在根据质量的相对于组合物的总量的40ppm的金属铂)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液、和乙炔基己醇(其量相当于根据质量的相对于组合物的总量的600ppm)，并且混合至均匀以制备在25℃下具有8,630mPa·s的粘度的液体氢化硅烷化可固化的有机硅组合物。将所获得的有机硅组合物倾倒至1cm厚的模具中，在压机中、在100℃下加热持续30分钟，并且冷却，这之后，在25℃下的A型硬度的测量得到的结果为68。将所获得的有机硅组合物在热压机中、在100℃下加热持续30分钟以获得400微米厚的透明的热熔性有机硅薄膜2。
实施例3：热熔性有机硅薄膜3
将在25℃下是固体的35质量份的由以下平均单元式代表的有机聚硅氧烷：
(Me2ViSiO1/2)0.08(Me3SiO1/2)0.44(SiO4/2)0.52、
在25℃下是液体的11质量份的由下式代表的有机聚硅氧烷：
Me2ViSiO(SiMe2O)80SiMe2Vi
和在25℃下是液体的4质量份的由下式代表的有机聚硅氧烷：
Me2HSiO(SiMe2O)30SiMe2H
溶解于50质量份的二甲苯中。添加铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量为使得金属铂的量为根据质量的相对于组合物的总量的5ppm)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液，并且在烧瓶中在100℃下加热持续6小时。经由FT-IR，没有检测到结合硅原子的氢原子，这确证氢化硅烷化反应的进程。将在25℃下是液体的四质量份的由以下平均式代表的有机聚硅氧烷：
Me3SiO(SiMeHO)20SiMe3
和乙炔基己醇(其量相当于根据质量的相对于组合物的总量的1,000ppm)添加至获得的溶液，并且将全部混合，这之后，使用旋转蒸发仪在80℃下除去二甲苯以制备氢化硅烷化可固化的有机硅组合物。通过在100℃下压制该液体氢化硅烷化可固化的有机硅组合物来获得具有400μm厚度的热熔性有机硅薄膜3。
实施例4：热熔性有机硅薄膜4
将在25℃下是固体的43质量份的由以下平均单元式代表的有机聚硅氧烷：
(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75
和在25℃下是液体的7质量份的1,1,5,5-六甲基-3,3-二苯基三硅氧烷溶解于50质量份的甲苯中。添加铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量为使得金属铂的量为根据质量的相对于组合物的总量的5ppm)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液，并且在烧瓶中在100℃下加热持续6小时。经由FT-IR，没有检测到结合硅原子的氢原子，这确证氢化硅烷化反应的进程。将在25℃下是液体的六质量份的由以下平均单元式代表的有机聚硅氧烷：
(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
和乙炔基己醇(其量相当于根据质量的相对于组合物的总量的1,000ppm)添加至获得的溶液，并且将全部混合，这之后，使用旋转蒸发仪在80℃下除去甲苯以制备氢化硅烷化可固化的有机硅组合物。通过在100℃下压制该液体氢化硅烷化可固化的有机硅组合物来获得具有400μm厚度的热熔性有机硅薄膜4。
实施例5：热熔性有机硅薄膜5(A-阶段的)
将在25℃下是固体的43质量份的由以下平均单元式代表的有机聚硅氧烷：
(Me2ViSiO2/2)0.10(Me2SiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75
和在25℃下是液体的7质量份的由下式代表的有机聚硅氧烷：
(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
溶解于50质量份的甲苯中。添加铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量为使得金属铂的量为根据质量的相对于组合物的总量的5ppm)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液和0.001质量份的1,3-双(二苯基膦基)丙烷并且混合，这之后，使用旋转蒸发仪在60℃下除去甲苯，从而制备固体氢化硅烷化可固化的有机硅组合物。所获得的固体氢化硅烷化可固化的有机硅组合物使用100℃压机压缩以获得400微米厚的热熔性有机硅薄膜5。
实施例6
在LED器件MA5050-A2(大小：50×50mm，在板上具有100个LED晶片，而没有围绕LED晶片区域的白色的罩)上接触热熔性有机硅薄膜1。LED器件和热熔性有机硅薄膜1被设定在真空层压机(产品名称：Laminator0505S,由Nisshinbo Mechatronics Inc.生产)中。将图案化的COP薄膜(模具类型-A)定位在热熔性有机硅薄膜1上，其中在COP薄膜上的图案面向热熔性有机硅薄膜1。然后，第一室和第二室的空气被抽真空。当第二室被通风时，热熔性有机硅薄膜1被层压在LED器件上，通过图案化的COP薄膜在135℃下压制持续20分钟。获得在LED器件上的有机硅封装剂1。在释放图案化的COP薄膜后，在有机硅封装剂1上观察到纳米图案化的表面的具有特定特性的弱的蓝色或绿色光反射。有机硅封装剂1的表面通过SPM(扫描探针显微镜)扫描。获得的SPM图像示出，表面具有许多纳米大小的浅凹。有机硅封装剂1的横截面通过SEM(扫描电镜)观察。压印的浅凹的深度为约120nm至160nm。
实施例7
通过经由真空热压机、在150℃下、在ETFE释放薄膜上压制随机的蛾眼型图案金属模具(模具类型B)来获得ETFE释放薄膜1。在LED器件MA5050-A2(大小：50×50mm，在板上具有100个LED晶片，而没有围绕LED晶片区域的白色的罩)上接触热熔性有机硅薄膜1。LED器件和热熔性有机硅薄膜1被设定在真空层压机(产品名称：Laminator 0505S,由NisshinboMechatronics Inc.生产)中。将ETFE释放薄膜1定位在热熔性有机硅薄膜1上，其中ETFE释放薄膜1的图案面向热熔性有机硅薄膜1。然后，第一室和第二室的空气被抽真空。当第二室被通风时，热熔性有机硅薄膜1被层压在LED器件上，通过ETFE释放薄膜1在135℃下压制持续20分钟。获得在LED器件上的有机硅封装剂2。在将释放薄膜释放后，通过SPM观察到有机硅封装剂2的压印的表面图案。
实施例8
在LED器件MA5050-A2(大小：50×50mm，在板上具有100个LED晶片，而没有围绕LED晶片区域的白色的罩)上接触热熔性有机硅薄膜1。LED器件和热熔性有机硅薄膜1被设定在真空层压机(产品名称：Laminator0505S,由Nisshinbo Mechatronics Inc.生产)中。将平坦的ETFE薄膜定位在热熔性有机硅薄膜1上。然后，第一室和第二室的空气被抽真空。当第二室被通风时，热熔性有机硅薄膜1被层压在LED器件上，通过ETFE薄膜在135℃下压制持续20分钟。在将ETFE薄膜释放后，所获得的LED组件在烘箱中、在170℃下固化持续3小时。将金属网眼(模具类型-C)置于有机硅封装剂上，然后将该网眼通过真空层压机在135℃下压制。在将金属网眼释放后，获得在LED组件中的有机硅封装剂3。通过光学显微镜观察到有机硅封装剂3的压印的表面图案。
实施例9
通过经由真空热压机、在150℃下、在ETFE释放薄膜上压制微网眼(模具类型C)来获得ETFE释放薄膜2。在LED器件MA5050-A2(大小：50×50mm，在板上具有100个LED晶片，而没有围绕LED晶片区域的白色的罩)上接触热熔性有机硅薄膜1。LED器件和热熔性有机硅薄膜1被设定在真空层压机(产品名称：Laminator 0505S,由Nisshinbo Mechatronics Inc.生产)中。将ETFE释放薄膜2定位在热熔性有机硅薄膜1上，其中ETFE释放薄膜2的图案面向热熔性有机硅薄膜1。然后，第一室和第二室的空气被抽真空。当第二室被通风时，热熔性有机硅薄膜1被层压在LED器件上，通过ETFE释放薄膜2在135℃下压制持续20分钟。获得在LED器件上的有机硅封装剂4。在将释放薄膜释放后，通过SPM观察到有机硅封装剂4的压印的表面图案。
实施例10
通过与实施例9中描述的相同的工艺，代替热熔性有机硅薄膜1，热熔性有机硅薄膜2在150℃下被层压在LED器件上持续10分钟。获得在LED器件上的有机硅封装剂5。在将释放薄膜释放后，通过SPM观察到有机硅封装剂5的压印的表面图案。
实施例11
通过与实施例9中描述的相同的工艺，代替热熔性有机硅薄膜1，热熔性有机硅薄膜3在150℃下被层压在LED器件上持续10分钟。获得在LED器件上的有机硅封装剂6。在将释放薄膜释放后，通过SPM观察到有机硅封装剂5的压印的表面图案。
实施例12
通过与实施例9中描述的相同的工艺，代替热熔性有机硅薄膜4，热熔性有机硅薄膜3在150℃下被层压在LED器件上持续10分钟。获得在LED器件上的有机硅封装剂7。在将释放薄膜释放后，通过SPM观察到有机硅封装剂7的压印的表面图案。
实施例13
通过与实施例9中描述的相同的工艺，代替热熔性有机硅薄膜5，热熔性有机硅薄膜5在150℃下被层压在LED器件上持续10分钟。获得在LED器件上的有机硅封装剂8。在将释放薄膜释放后，通过SPM观察到有机硅封装剂8的压印的表面图案。
参考实施例1
通过与实施例6中描述的相同的工艺，代替图案化的COP薄膜，热熔性有机硅薄膜1通过平坦的ETFE薄膜被层压。获得在LED器件上的有机硅封装剂9。在将ETFE薄膜释放后，通过SPM观察到有机硅封装剂9的平坦的表面。
实施例13：光输出(LOP)测量
在实施例7和参考实施例1中获得的LED组件的LOP通过HalfMoon(由OtsukaElectronics Co.,LTD生产)测量。在层压工艺前，在实施例7和参考实施例1中使用的LED器件的LOP在电流700mA下分别为1740mW和1744mW。在层压后，LOP分别为1772和1762。计算LOP比率(层压后的LOP/层压前的LOP)。在实施例7中的LED组件的LOP比在参考实施例1中的LOP更好。
表2
参考实施例1 实施例7
层压前的LOP(mW) 1744 1740
层压后的LOP(mW) 1762 1772
LOP的比率(层压后/层压前)(％) 101.0 101.8
本文中描述并且要求保护的本发明的实施方案不应当被限制在本文公开的具体实施方案的范围中，因为这些实施方案意图作为本公开内容的若干方面的说明。任何等效的实施方案意图在本公开内容的范围内。事实上，除了本文中示出和描述的实施方案以外，实施方案的多种修改将从前述的描述中对本领域技术人员变得明显。这样的修改也意图落在所附权利要求的范围内。
本发明在本文中已经被宽泛地且一般地描述。落在一般的公开内容内的每种较窄的种类和亚属分组(subgeneric grouping)也形成本发明的部分。这包括本发明的一般性描述，条件是或负面限制是，从种属(genus)中移除任何主题而不管被删除的材料是否在本文中被明确地列举。此外，在本发明的特征或方面关于马库什组被描述的情况下，本领域技术人员将认识到，本发明因此还关于马库什组中的任何单独的成员或成员的亚组被描述。
如本文中和所附权利要求中使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”、和“该(the)”包括复数指示物，除非上下文另外清楚地指出。因此，例如，提及“反应器(a reactor)”，包括多个反应器，例如一系列的反应器。在此文件中，术语“或”被用于指非排他性的或，使得“A或B”包括“A但没有B”、“B但没有A”和“A和B”，除非另有指示。
以范围格式表达的值应以灵活的方式解释为不仅包括作为范围的极限值明确叙述的数值，而且包括该范围内涵盖的所有单独的数值或子范围，如同每个数值和子范围被明确地叙述。例如，“约0.1％至约5％”或“约0.1％至5％”的范围应被解释为不仅包括约0.1％至约5％，而且包括在指示的范围内的单独的值(例如，1％、2％、3％和4％)和子范围(例如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。陈述“约X至Y”具有与“约X至约Y”相同的含义，除非另有指示。类似地，陈述“约X、Y或约Y”具有与“约X、约Y或约Z”相同的含义，除非另有指示。
在本文描述的方法中，步骤可以以任何顺序进行而不偏离本发明的原理，除非当时间次序或操作次序被清楚地叙述。此外，指明的步骤可以同时进行，除非明确的权利要求语言叙述了它们分开进行。例如，要求保护的进行X的步骤和要求保护的进行Y的步骤可以在单个操作内同时进行，并且所得工艺将落在要求保护的工艺的字面上的范围内。
如本文使用的术语“约”可以允许所陈述的值或所陈述的范围极限的例如在10％内、在5％内或在1％内的值或范围的可变性程度。
在本说明书中提及的所有出版物，包括非专利文献(例如，科学期刊文章)、专利申请公布和专利，通过引用并入，如同每个被明确地且单独地指示为通过引用并入。

Claims (41)

1.一种制造光学组件的方法，包括：
将光学器件固定在夹具中，所述光学器件具有光学表面，其中有机硅薄膜关于所述光学表面被定位，所述有机硅薄膜具有相对于所述光学表面的远侧表面；
定位释放衬垫，其中衬垫表面面向所述有机硅薄膜，所述释放衬垫包括在所述衬垫表面上的印记；和
抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫，从而导致所述释放衬垫的所述印记被赋予至所述有机硅薄膜的所述远侧表面，在所述远侧表面上产生表面印记。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述含有机硅的热熔性组合物包含有机硅氧烷嵌段共聚物。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：
从40mol％至90mol％的由[R6 2SiO2/2]代表的二甲硅烷氧基单元；
从10mol％至60mol％的由[R7SiO3/2]代表的三甲硅烷氧基单元；和
从2mol％至25mol％的由[≡SiOH]代表的硅烷醇；
每个R6独立地代表C1-C30烃基；
每个R7独立地代表C1-C20烃基；
所述二甲硅烷氧基单元[R6 2SiO2/2]存在于平均包含从50个至300个二甲硅烷氧基单元[R6 2SiO2/2]的直链嵌段中；
所述三甲硅烷氧基单元存在于具有至少500g/mol的分子量的非直链嵌段中；并且
每个直链嵌段被结合至至少一个非直链嵌段。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述嵌段共聚物具有至少50,000g/mol的分子量。
6.如权利要求4所述的方法，其中所述嵌段共聚物具有至少1.4的折射指数。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物，所述含有机硅的热熔性组合物选自由以下组成的组：
(1)未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物；
(2)通过使未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物部分地交联获得的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物；和
(3)包含以下的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物：具有结合硅原子的氢原子和/或烯基的交联产物；和至少一种类型的氢化硅烷化反应性组分，所述交联产物通过使未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物交联来获得。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物，所述含有机硅的热熔性组合物包含：
(A)在25℃下是固体并且在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(B)在分子中包含至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(A)中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.2至4的范围内的量；和
(C)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量。
9.如权利要求8所述的方法，其中组分(A)包含以下的混合物：
(A-1)从60质量％至100质量％的在25℃下是固体并且在分子中平均具有多于两个烯基的支链的有机聚硅氧烷；和
(A-2)从0质量％至40质量％的在25℃下是液体并且在分子中平均具有至少两个烯基的直链或部分支链的有机聚硅氧烷。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物，所述含有机硅的热熔性组合物包含通过使未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物部分地交联获得的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(2)，所述未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物通过在氢化硅烷化反应性有机硅组合物的从50％至95％转化率时停止氢化硅烷化反应来获得，所述氢化硅烷化反应性有机硅组合物包含：
(D)在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(E)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(D)中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.2至4的范围内的量；和
(F)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量。
11.如权利要求10所述的方法，其中组分(D)包含以下的混合物：
(D-1)由以下平均单元式代表的有机聚硅氧烷：
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中R1是苯基、具有从1个至6个碳的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳的烯基，条件是从60mol％至80mol％的R1是苯基并且从10mol％至20mol％的R1是烯基；R2是氢原子或具有从1个至6个碳的烷基；并且“a”、“b”、“c”、“d”和“e”是满足以下的数：0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.7，0.2≤c≤0.6，0≤d≤0.2，0≤e≤0.1，并且a+b+c+d＝1；并且
(D-2)由以下通式代表的有机聚硅氧烷：
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
其中R3是苯基、具有从1个至6个碳的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳的烯基，条件是从40mol％至70mol％的R3是苯基并且至少一个R3是烯基；并且“m”是从5至100的整数，此组分(D-2)的量是每100重量份的组分(D-1)从0至20重量份。
12.如权利要求7所述的方法，其中所述氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(3)包含：
(G)通过未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物的氢化硅烷化反应获得的含烯基的交联产物，所述未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物包含：
(G-1)在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(G-2)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(G-1)中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.3至0.9的范围内的量；和
(G-3)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量；和
(H)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在所述交联产物中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.1至2.0的范围内的量。
13.如权利要求12所述的方法，其中以下条件中的一个被满足：
(G-1)是在分子中平均具有多于两个烯基并且由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷：
R4 xSiO(4-x)/2
其中R4各自独立地代表被取代的或未被取代的单价烃基，条件是从0.1mol％至40mol％的R4是烯基；并且“x”是满足以下的正数：1≤x<2；
(G-2)是由以下通式代表的二有机聚硅氧烷：
HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
其中R5各自独立地代表不具有脂肪族不饱和键的被取代的或未被取代的单价烃基，并且“n”是从0至1,000的整数；并且
(H)是由以下平均组成式代表的有机氢聚硅氧烷：
R5 yHzSiO(4-y-z)/2
其中R5如上文所定义，并且“y”和“z”是满足以下的正数：0.7≤y≤2.1，0.001≤z≤1.0，并且0.8≤y+z≤2.6。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅薄膜的厚度大于所述光学器件的厚度。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述释放衬垫的所述印记包括至少一个空腔，所述至少一个空腔具有从约十(10)纳米至约五百(500)微米的主要尺寸。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述释放衬垫的所述印记包括多个大体上相等大小的空腔。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述空腔形成大体上规则的图案。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述释放衬垫包括金属和塑料中的至少一种。
19.如权利要求1所述的方法，还包括采用热源将热应用于所述有机硅薄膜以将所述有机硅薄膜层压至所述光学器件。
20.如权利要求19所述的方法，其中应用热与压制所述释放衬垫是至少部分地同时发生的。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述夹具包括真空室和膜，并且其中压制所述释放衬垫包括采用所述真空室在所述膜的第一侧与所述膜的第二侧之间产生压差并且导致所述膜抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫。
22.一种光学组件，包括具有光学表面的光学器件和被布置在所述光学表面上的有机硅薄膜，所述有机硅薄膜在所述光学表面的远侧表面上具有压印的表面，所述光学组件通过包括以下的工艺产生：
将所述光学器件固定在夹具中，其中所述有机硅薄膜关于所述光学表面被定位；
定位释放衬垫，其中衬垫表面面向所述有机硅薄膜，所述释放衬垫包括在所述衬垫表面上的印记；和
抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫，从而导致所述释放衬垫的所述印记被赋予至所述有机硅薄膜的所述远侧表面，在所述远侧表面中产生所述压印的表面。
23.如权利要求22所述的光学组件，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物。
24.如权利要求23所述的光学组件，其中所述有机硅薄膜的厚度大于所述光学器件的厚度。
25.如权利要求22所述的光学组件，其中所述释放衬垫的所述印记包括至少一个空腔，所述至少一个空腔具有从约十(10)纳米至约五百(500)微米的主要尺寸。
26.如权利要求25所述的光学组件，其中所述释放衬垫的所述印记包括多个大体上相等大小的空腔。
27.如权利要求26所述的光学组件，其中所述空腔形成大体上规则的图案。
28.如权利要求25所述的光学组件，其中所述释放衬垫包括金属和塑料中的至少一种。
29.如权利要求22所述的光学组件，还包括采用热源将热应用于所述有机硅薄膜以将所述有机硅薄膜层压至所述光学器件。
30.如权利要求29所述的光学组件，其中应用热与压制所述释放衬垫是至少部分地同时发生的。
31.如权利要求30所述的光学组件，其中所述夹具包括真空室和膜，并且其中压制所述释放衬垫包括采用所述真空室在所述膜的第一侧与所述膜的第二侧之间产生压差并且导致所述膜抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫。
32.一种用于制造光学组件的系统，包括：
夹具，所述夹具被构造成固定光学器件并且允许有机硅薄膜关于光学表面被定位；
释放衬垫，其中衬垫表面被构造成面向所述有机硅薄膜，所述释放衬垫包括在所述衬垫表面上的印记；和
压制机构，所述压制机构被构造成抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫，从而导致所述释放衬垫的所述印记被赋予至所述有机硅薄膜的远侧表面，在所述远侧表面中产生压印的表面。
33.如权利要求32所述的系统，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物。
34.如权利要求33所述的系统，其中所述有机硅薄膜的厚度大于所述光学器件的厚度。
35.如权利要求32所述的系统，其中所述印记包括至少一个空腔，所述至少一个空腔具有从约十(10)纳米至约五百(500)微米的主要尺寸。
36.如权利要求35所述的系统，其中所述印记包括多个大体上相等大小的空腔。
37.如权利要求36所述的系统，其中所述空腔形成大体上规则的图案。
38.如权利要求37所述的系统，其中所述释放衬垫包括金属和塑料中的至少一种。
39.如权利要求32所述的系统，还包括热源，所述热源被构造成将热应用于所述有机硅薄膜以将所述有机硅薄膜层压至所述光学器件。
40.如权利要求39所述的系统，其中所述热源被构造成应用热与所述压制机构抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫至少部分地同时发生。
41.如权利要求40所述的系统，其中所述夹具包括真空室并且所述压制机构包括膜，其中所述真空室被构造成在所述膜的第一侧与所述膜的第二侧之间产生压差并且导致所述膜抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫。
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