TW201609350A - 光學裝置用熱熔型可固化聚矽氧組合物之壓印方法 - Google Patents

光學裝置用熱熔型可固化聚矽氧組合物之壓印方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種製造光學總成之方法。將光學裝置固定於固定件中，該光學裝置具有光學表面，其中相對於該光學表面置放聚矽氧膜，該聚矽氧膜具有相對於該光學表面之遠端表面。該方法包括壓印該聚矽氧膜之該遠端表面以在該聚矽氧膜之該遠端表面中產生表面印痕以及其他特徵。

Description

光學裝置用熱熔型可固化聚矽氧組合物之壓印方法
諸如光學發射器、光學偵測器、光學放大器及其類似物之光學裝置可經由光學表面發射或接收光。對於各種此類裝置，光學表面可為或可包括可能對環境條件敏感之電子組件或其他組件。某些光學裝置，諸如一般包括發光二極體(LED)、雷射二極體及光感測器之光學電子裝置可包括(若不受保護)可能對電短路或來自環境條件之其他損害敏感的固態電子組件。若不受保護，則甚至可能不立即敏感之光學裝置可隨時間退化。因此，已研發出針對環境要素向光學表面提供至少一些保護之膜。
已研發出一種保護膜及一種製造此類保護膜之方法，其可輔助自光學裝置提取光。特定言之，已研發出在聚矽氧膜上產生印痕之方法，其可改良自光學裝置提取光。印痕可在藉由將具有相關印痕之離型襯墊壓印至聚矽氧膜上來製造包括光學裝置及聚矽氧膜之光學總成期間產生。如本文中所揭示，聚矽氧可為熱熔型聚矽氧組合物。離型襯墊之壓印可在加熱過程期間，諸如層壓期間進行。因此，聚矽氧膜之壓印可與將聚矽氧膜層壓至光學裝置同時進行，產生「一次」製造方法，使得各種組件在固定件(諸如真空腔室)中相對於彼此置放，且最終產生光學總成。
100‧‧‧光學總成
102‧‧‧光學裝置
104‧‧‧電導線
106‧‧‧光學表面
108‧‧‧聚矽氧膜
110‧‧‧遠端表面
112‧‧‧突起
200‧‧‧固定件
202‧‧‧真空腔室
204‧‧‧薄膜
206‧‧‧熱源
208‧‧‧離型襯墊
208A‧‧‧離型襯墊
208B‧‧‧離型襯墊
210‧‧‧第一側
211‧‧‧印痕表面
212‧‧‧第二側
300‧‧‧支柱
302‧‧‧表面
304‧‧‧微型網格圖案
圖1為一實例實施例中之光學總成100之側剖面。
圖2A-2E為一實例實施例中之製造光學總成100之方法的圖示。
圖3A及3B為各種實例實施例中之例示性離型襯墊之頂剖面。
圖4為一實例實施例中之製造光學總成之流程圖。
圖1為一實例實施例中之光學總成100之側剖面。在各種實例實施例中，光學總成包括光學裝置102及經構形以提供與光學裝置102之電連接性的電導線104，以便提供使LED照明之電流或偵測來自光學偵測器之輸出。光學裝置102包括光學表面106，可自其發射或偵測光。光學裝置102及電導線104密封於在各種實例中可根據本文中所揭示之方法塗覆之聚矽氧膜108中。當用具有特殊性之如本文中所揭示之各種材料製造聚矽氧膜時，聚矽氧膜108可為或可包括當前存在或可經研發之任何適合封裝。
聚矽氧膜108包括相對於光學表面106在遠端之遠端表面110。遠端表面110已經壓印產生突起112之圖案。突起112可為凸塊、波紋、隆脊或其他相關突出物。雖然如所說明之突起112呈圖案形式且具有規則形狀，但突起112可不經圖案化且可具有不規則形狀。此外，一些或所有突起112可用遠端表面110中之凹痕、凹陷或其他壓痕替換。
圖2A-2E為一實例實施例中之製造光學總成100之方法的圖示。當該方法關於光學總成100描述時，應理解本文中所描述之原理可應用於製造各種光學總成中之任一者。
在圖2A中，固定件200做好準備接收光學裝置102及聚矽氧膜108。在所說明之實例中，固定件為真空層壓機，包括真空腔室202、薄膜204及熱源206，諸如熱板台。薄膜204可由任何適合材料製成，包括(但不限於)橡膠。在各種實例中，固定件200不必包括組件202、 204、206中之一些或所有，且可實際上包括用於固定光學裝置102之機構及按壓機構，諸如活塞或其他可用於將物件按壓至聚矽氧膜108中之裝置，如本文中將揭示。
在圖2B中，光學裝置102及聚矽氧膜108置放於固定件200內，且離型襯墊208置放於聚矽氧膜108之遠端表面110與薄膜204之間。印痕表面211面向聚矽氧膜108之遠端表面110。在各種實例中，離型襯墊208由塑膠，諸如乙烯四氟乙烯(ETFE)形成。在各種實例中，聚矽氧膜108不在此點附接或以其他方式實質上固定至光學裝置102；此類固定可來自層壓或如本文中所揭示之其他方法。因而，聚矽氧膜108可相對於光學裝置102不固定，或可輕微地或以其他方式相對於光學裝置102非永久固定，諸如用扣件或黏著劑固定。或者，聚矽氧膜108可已諸如經由先前層按壓程或其他機構固定至光學裝置102，聚矽氧膜108可藉此長期或永久固定至光學裝置102。
在圖2C中，固定件200閉合且於薄膜204之第一側210與第二側212上施加真空。在所說明之實例中，薄膜204用以相對於彼此分隔第一側210與第二側212，使真空在各側210、212上獨立地拉吸。
在圖2D中，在第一側210上釋放而在第二側212上維持真空。在第一側210上釋放真空使薄膜204按壓離型襯墊208，使離型襯墊208上之印痕圖案賦予至聚矽氧膜108上。
在一實例中，固定件200保持於真空中大致四(4)分鐘至大致二十(20)分鐘，且保持於大致一百三十五(135)℃之溫度下。在一些實例中，固定件在大致一百五十(150)℃之溫度下保持於真空中大致十(10)分鐘。
在圖2E中，在第二側212上釋放真空且打開固定件200。光學總成100包括聚矽氧膜108，該聚矽氧膜包括如由離型襯墊208賦予之圖案。
當所說明固定件200包括用於一(1)個光學裝置102及所得光學總成100之空間時，固定件200可具有用於多個光學裝置102之容量且同時產生多個光學總成100。在一實例中，光學裝置102之尺寸為兩百六十(260)微米×五百八十五(585)微米且厚度為九十(90)微米。光學裝置102可為包括多個光學裝置102之板，諸如包括一百(100)個光學裝置102之五十(50)×五十(50)毫米板之一部分。在此類實例中，固定件200可經構形以接收光學裝置102之整個板。在一實例中，聚矽氧膜108為大致四百(400)微米厚。聚矽氧膜108及/或離型襯墊208可為覆蓋一些或所有光學裝置102之光學表面106的單片，或可分散用於各光學裝置102。在聚矽氧膜108為單片之實例中，該片之直徑可為大致三十五(35)毫米。
在各種實例中，固定件200可用以下替換或補充有以下：將允許相對於聚矽氧膜108按壓離型襯墊208以將印痕賦予至聚矽氧膜108上的各種按壓機構中之任一者。此類按壓機構可直接作用於離型襯墊208，亦即藉由使光學裝置102及/或聚矽氧膜108實質上平穩且主動地相對於聚矽氧膜108按壓離型襯墊208；可直接作用於光學裝置102及/或聚矽氧膜108，亦即藉由使離型襯墊208實質上平穩且主動地相對於離型襯墊按壓光學裝置102及/或聚矽氧膜108；或可直接作用於離型襯墊208與光學裝置102及/或聚矽氧膜108兩者。此外如上文所指出，在各種實例中，固定件200不包括熱源206，且不必層壓或以其他方式將聚矽氧膜108固定或附接至光學裝置102。實際上，在各種實例中，固定件200可簡單地為加壓機用於將印痕賦予至聚矽氧膜108上。
圖3A及3B分別為各種實例實施例中之例示性離型襯墊208A及208B之頂剖面。所示離型襯墊208A、B呈現為代表性實例且非限制性的。
離型襯墊208A包括表面302上之支柱300之規則圖案，當聚矽氧 膜108及離型襯墊208A置放於固定件200中時，該表面經構形以面向聚矽氧膜108之遠端表面110。離型襯墊208A可用於製造如圖1中所示之聚矽氧膜108之突起112。在一實例中，離型襯墊208A由φ為大致兩百三十(230)奈米、支柱高度為大致兩百(200)奈米、支柱間距為大致四百(400)奈米且膜厚度為大致200微米之環烯烴聚合物(COP)形成。
當使用離型襯墊208A時，可於一百三十五(135)℃下在真空中相對於聚矽氧膜108按壓離型襯墊208A大致二十(20)分鐘。所得光學總成100可具有深度為大致一百二十(120)至大致一百六十(160)奈米之突起112。
離型襯墊208B包括微型網格圖案304。在各種實例中，微型網格圖案之網格數量為三百二十五且線直徑為大致兩百八十(280)微米。微型網格圖案304可藉由將金屬微型網格熱壓至如本文中所揭示之離型襯墊208B之材料上而形成，諸如在一百五十(150)℃下持續一(1)分鐘。另外或可替代地，離型襯墊208B可為金屬微型網格且可直接塗覆於如本文中所揭示之聚矽氧膜108。
可設想各種其他離型襯墊208。在一實例中，離型襯墊208包括經構形以在聚矽氧膜108上產生突起112之無規排列的空腔之無規或者不規則排列。離型襯墊可包括蛾眼圖案且由金屬形成。空腔之深度可為大致兩百一十二(212)奈米，且間距為大致一百三十(130)奈米。在各種實例中，相較於大致1,740毫瓦之無聚矽氧膜108之光學裝置102之LOP，包括具有所得突起112排列之聚矽氧膜108的光學總成100之LOP可為大致1,772毫瓦，或改良大致1.8%。
圖4為一實例實施例中之製造光學總成之流程圖。在各種實例中，光學總成為光學總成100。另外或可替代地，本方法可用於製造任何適合光學總成。
在操作400中，將光學裝置固定於固定件中，該光學裝置具有光 學表面，其中相對於該光學表面置放聚矽氧膜，該聚矽氧膜具有相對於該光學表面之遠端表面。在一實例中，聚矽氧膜包含含聚矽氧熱熔型組合物。在一實例中，含聚矽氧熱熔型組合物包含有機矽氧烷嵌段共聚物。
在一實例中，聚矽氧膜之厚度大於光學裝置之厚度。
在操作402中，以襯墊表面面向聚矽氧膜置放離型襯墊，該離型襯墊在該襯墊表面上包括印痕。在一實例中，離型襯墊之印痕包含主尺寸為大致十(10)奈米至大致五百(500)微米之至少一個支柱或一個空腔。在一實例中，離型襯墊之印痕包含複數個實質上大小相等之空腔或支柱。空腔形成實質上規則圖案。在一實例中，離型襯墊由金屬及塑膠中之至少一者構成。
在操作404中，相對於聚矽氧膜按壓離型襯墊，藉此使離型襯墊之印痕賦予至聚矽氧膜之遠端表面，在遠端表面中產生表面印痕。在一實例中，固定件包括真空腔室及薄膜，且其中用真空腔室按壓離型襯墊包含在薄膜之第一側與薄膜之第二側之間產生壓差，且使薄膜相對於聚矽氧膜按壓離型襯墊。對薄膜之材料無限制。有機膜、圖案化膜及金屬膜、離型襯墊適用作薄膜。
在操作406中，用熱源向聚矽氧膜施加熱量以將聚矽氧膜層壓至光學裝置。在一實例中，施加熱量至少部分地與按壓離型襯墊同時進行。
聚矽氧組合物
一般而言，當未反應A階段中之熱固性樹脂之一部分反應時，樹脂可進入B階段，其中可交聯官能基之一部分反應。在A階段及B階段中，樹脂之黏度可經由加熱降低、軟化或液化。若反應繼續，則樹脂進入完全固化C階段。根據本發明各種實施例之可固化聚矽氧組合物呈對應於「A階段」或「B階段」之狀態，且特定言之為熱塑性的， 因為使用包含在室溫下為固體之組分的可固化聚矽氧組合物。因此根據本發明，有可能「塑性」加工熱熔型可固化聚矽氧組合物用於層壓。
如本文中所使用，術語「熱熔型」及「可熱熔」一般係指在室溫(25℃)下為固體，但在加熱時軟化或熔融而進入黏性、流體或液體狀態之物質，諸如由基於乙烯乙酸乙烯酯之黏著劑代表之熱熔型黏著劑。
本發明各種實施例之組合物為「熱熔型」組合物或含聚矽氧「熱熔型」組合物，且因此在室溫(25℃)下可為固體。對本發明組合物之形式無特定限制；舉例而言，其可呈粉末、顆粒、集結粒、錠狀物、膜或片形式。
在一些實施例中，如由JIS K 6253所定義，本發明各種實施例之組合物在25℃下之A型硬度計硬度為至少50、至少60或至少70。在一些實施例中，本發明組合物在100℃下為流體或在100℃下其A型硬度計硬度不超過10、不超過5或不超過1。若組合物在100℃下為流體，則對其黏度無特定限制；最小值為0.01Pa˙s或0.1Pa˙s。若組合物在100℃下為流體，則最大黏度可為1,000Pa˙s、100Pa˙s或10Pa˙s。或者，若組合物在100℃下為流體，則當根據JIS K 6300-2「Rubber,unvulcanized--Physical property--Part 2：Determination of cure characteristics with oscillating curemeters」使用例如移動模流變儀(MDR)在至少100℃之溫度下量測時，閉合模後即刻(固化時間：0秒)直至300秒之最小轉矩值不超過1kgf˙cm或不超過0.1kgf˙cm。因此，本發明組合物宜用作加熱時變形之熱塑性膜或片。
本發明各種實施例之組合物在加熱時能夠經歷交聯及固化。在一些實施例中，最小加熱溫度為約50℃、約80℃或約100℃。在一些實施例中，最大加熱溫度為約200℃或約150℃。為使封口形狀穩定， 本發明各種實施例之組合物具有固化特性，以使得當使用移動模流變儀(MDR)在加熱溫度範圍內量測時，開始量測後即刻直至達至1kgf˙cm之轉矩的時間不超過5分鐘、不超過3分鐘或不超過1分鐘。可根據遵守JIS K 6300-2「Rubber,unvulcanized--Physical property--Part 2：Determination of cure characteristics with oscillating curemeters」之方法使用MDR進行量測。
在一些實施例中，本發明各種實施例之組合物本身或其固化產物之折射率為至少1.40。折射率可例如使用阿貝折射計(Abbe refractometer)量測。在此類情況下，可更改用於阿貝折射計之光源之波長以在所要波長下量測折射率。在一些實施例中，可固化聚矽氧組合物或其固化產物在可見光波長(589nm)下之折射率(在25℃下)為1.40或1.40以上、約1.50至約1.70或約1.55至約1.60。
本發明組合物本身或其固化產物之光穿透率(在25℃下)可為至少約80%、至少約90%或至少約95%(例如，約80%至約100%、約80%至約95%、約90%至約100%或約95%至約100%)。此光穿透率可例如藉由使用0.2cm之光路距離及450nm之波長，使用光穿透率(在25℃下)分光光度計量測本發明組合物或其固化產物來計算。
在一些實施例中，本發明組合物為例如包含固體有機聚矽氧烷且在室溫下為固體之A階段聚矽氧組合物，或可經由矽氫化反應交聯及固化之B階段聚矽氧組合物。特定言之，在一些實施例中，本發明之B階段組合物經由矽氫化反應部分交聯，在室溫下形成具有高硬度，尤其硬橡膠狀狀態之固體，且在諸如100℃之高溫下呈顯著軟化形式，尤其軟橡膠狀狀態或經液化。
在一些實施例中，本發明組合物可經由矽氫化反應交聯及固化。在一些實施例中，組合物選自由以下組成之群：(1)未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物； (2)藉由使未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物部分地交聯所獲得之矽氫化可固化聚矽氧組合物；及(3)包含以下之矽氫化可固化聚矽氧組合物：具有矽原子鍵結之氫原子及/或烯基之交聯產物；及至少一種類型矽氫化反應性組分，該交聯產物藉由使未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物交聯而獲得。
在一些實施例中，未反應之矽氫化可固化(反應性)聚矽氧組合物包含：(A)在25℃下為固體且一個分子中具有平均兩個以上烯基之至少一種類型有機聚矽氧烷；(B)一個分子中具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結之氫原子之總莫耳濃度與組分(A)中烯基之總莫耳濃度之比在0.2至4範圍內；及(C)量足以實現矽氫化反應之矽氫化催化劑。
對組分(A)之分子結構無限制；實例包括直鏈、部分分支鏈直鏈、分支鏈、樹突狀、網狀或環狀結構。
組分(A)中之烯基之非限制性實例包括具有2至10個碳(例如，2至8個碳、2至5個碳或2至4個碳)之直鏈或分支鏈烯基，諸如乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、戊烯基及己烯基。乙烯基或烯丙基較佳，且乙烯基更佳。組分(A)可視情況在一個分子中具有平均至少三個烯基。
除烯基之外，組分(A)可包含鍵結至矽原子且具有1至20個碳原子之單價烴基。單價烴基之實例包括具有1至20個碳原子之烷基、具有6至20個碳原子之芳基及具有7至20個碳原子之芳烷基。具有1至20個碳原子之烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基及其他直鏈、分支鏈或環狀烷基。單價烴基較佳為甲基。具有6至20個碳原子 之芳基之實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基及蒽基。具有7至20個碳原子之芳烷基之實例包括苯甲基、苯乙基及苯丙基。單價烴基之氫原子之一部分可部分地經鹵素原子、羥基、環氧基或其類似基團取代。
組分(A)之實例包括在兩個分子末端處用三甲基矽烷氧基封端之甲基乙烯基聚矽氧烷；在兩個分子末端處用三甲基矽烷氧基封端之甲基乙烯基矽氧烷與二甲基矽氧烷共聚物；在兩個分子末端處用二甲基乙烯基矽烷氧基封端之甲基乙烯基聚矽氧烷；在兩個分子末端處用二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷與甲基乙烯基矽氧烷共聚物；環狀甲基乙烯基矽氧烷；環狀二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物；由式(CH3)3SiO1/2表示之矽氧烷單元、式(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元及SiO4/2表示之矽氧烷單元構成之共聚物；由式(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元與式SiO4/2表示之矽氧烷單元構成之共聚物；式(CH3)3SiO1/2表示之矽氧烷單元、式(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元、式(CH3)2SiO2/2表示之矽氧烷單元及式SiO4/2表示之矽氧烷單元之共聚物；及上述中兩者或兩者以上之混合物。在兩個分子末端處用二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基聚矽氧烷、在兩個分子末端處用三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷與甲基乙烯基矽氧烷共聚物及式SiO4/2表示之矽氧烷單元與式(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元之共聚物較佳。
在一些實施例中，組分(A)可為由以下平均單元式表示之含苯基有機聚矽氧烷：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中：R1為苯基、具有1至6個碳原子之烷基或環烷基或具有2至6個碳原子之烯基，其限制條件為60mol%至80mol%之R1為苯基且10mol%至 20mol%之R1為烯基；R2為氫原子或具有1至6個碳原子之烷基；及「a」、「b」、「c」、「d」及「e」為滿足0a0.2，0.2b0.7，0.2c0.6，0d0.2，0e0.1且a+b+c+d=1之數字。
R1之烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基。R1之環烷基之實例包括環戊基及環己基。R1之烯基之實例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基及己烯基。
在一些實施例中，R1表示苯基。在一些實施例中，苯基含量在60mol%至80mol%或65mol%至80mol%範圍內。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若苯基含量小於本文中給定範圍之最小值，則本發明各種實施例之組合物在高溫下之軟化可能不充分。若苯基含量超過本文中給定範圍之最大值，則本發明各種實施例之組合物或其固化產物之透明度亦可能損失且/或機械強度亦可能降低。
在一些實施例中，R1表示烯基。在一些實施例中，烯基含量在10mol%至20mol%範圍內。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若烯基含量小於本文中給定範圍之最小值，則其在室溫下可能不夠硬。在一些情況下，若烯基含量超過本文中給定範圍之最大值，則本發明組合物在高溫下之軟化可能不充分。
R2之烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基，其中甲基及乙基較佳。
在該式中，「a」為指示由通式R1 3SiO1/2表示之矽氧烷單元部分之數字，且「a」為滿足0a0.2且較佳0a0.1之數字。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若「a」超過本文中給定範圍之最大值，則本發明組合物在室溫下可能不夠硬。
在該式中，「b」為指示由通式R1 2SiO2/2表示之矽氧烷單元部分之數字，且「b」為滿足0.2b0.7且較佳0.4b0.7之數字。雖然不 希望受任何特定理論束縛，但咸信若「b」小於本文中給定範圍之最小值，則可導致本發明組合物在高溫下軟化不充分。在一些情況下，若「b」超過本文中給定範圍之最大值，則本發明組合物在室溫下之硬度可能不夠。
在該式中，「c」為指示由通式R1SiO3/2表示之矽氧烷單元部分之數字，且「c」為滿足0.2c0.6且較佳0.3c0.6之數字。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若「c」小於本文中給定範圍之最小值，則可能導致本發明組合物在室溫下不夠硬。在一些情況下，若「c」超過本文中給定範圍之最大值，則可能導致本發明組合物在高溫下軟化不充分。
在該式中，「d」為指示由通式SiO4/2表示之矽氧烷單元部分之數字，且「d」為滿足0d0.2且較佳0d0.1之數字。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若「d」超過本文中給定範圍之最大值，則可能導致本發明組合物在高溫下軟化不充分。
在該式中，「e」為指示由通式R2O1/2表示之單元部分之數字，且「e」為滿足0e0.1之數字。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若「e」超過本文中給定範圍之最大值，則可能導致本發明組合物在室溫下不夠硬。此外，該式中「a」、「b」、「c」及「d」之總和為1。
在一些實施例中，組分(A)可為以下之混合物：(A-1)60質量%至100質量%在25℃下為固體且一個分子中具有平均兩個以上烯基之分支鏈有機聚矽氧烷；及(A-2)0質量%至40質量%在25℃下為液體且一個分子中具有平均兩個以上烯基之直鏈或部分分支鏈有機聚矽氧烷。
在一些實施例中，組分(A-1)為組合物之主要組分，且可為已描述為組分(A)之組分。
在一些實施例中，組分(A-2)為用於提高組合物之處理簡易性及可加工性且調節其在室溫下之硬度的組分，且較佳為由以下通式表示之含苯基有機聚矽氧烷：R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
其中：R3為苯基、具有1至6個碳原子之烷基或環烷基或具有2至6個碳原子之烯基，其限制條件為40mol%至70mol%之R3為苯基，且R3中之至少一者為烯基；且「m」為5至100之整數。
R3之烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基。R3之環烷基之實例包括環戊基及環己基。R3之烯基之實例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基及己烯基。
在一些實施例中，R3表示苯基。在一些實施例中，苯基含量在40mol%至70mol%或40mol%至60mol%範圍內。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若苯基含量小於本文中給定範圍之最小值，則可能導致本發明組合物在高溫下軟化不充分。在其他實施例中，若苯基含量超過本文中給定範圍之最大值，則可能導致經固化之本發明組合物之透明度損失且/或機械強度降低。另外，R3中之至少一者為烯基。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若不存在烯基，則可能導致組分無法併入交聯反應中且自本發明組合物中滲出。
在該式中，「m」為5至100範圍內之整數，且較佳為10至50範圍內之整數。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若「m」小於本文中給定範圍之最小值，則本發明組合物之機械強度可能降低。在一些實施例中，若「m」超過本文中給定範圍之最大值，則本發明組合物之處理簡易性及可加工性可能降低。
在一些實施例中，組分(B)充當在25℃下黏度在1mPa˙s至1,000mPa˙s範圍內、在1mPa˙s至500mPa˙s範圍內或在1mPa˙s至100mPa˙s 範圍內之交聯劑。
對組分(B)之分子結構無限制；實例包括直鏈、部分分支鏈直鏈、分支鏈、樹突狀、網狀或環狀結構。組分(B)可視情況在一個分子中具有至少三個矽鍵結之氫原子。
除矽原子鍵結之氫原子之外，組分(B)可具有鍵結至矽原子且具有1至20個碳原子之單價烴基。單價烴基之實例包括具有1至20個碳原子之烷基、具有6至20個碳原子之芳基及具有7至20個碳原子之芳烷基。組分(B)中具有1至20個碳原子之烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基及其他直鏈、分支鏈或環狀烷基。單價烴基較佳為甲基。具有6至20個碳原子之芳基之實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基及蒽基。具有7至20個碳原子之芳烷基之實例包括苯甲基、苯乙基及苯丙基。單價烴基之氫原子之一部分可部分地經鹵素原子、羥基、環氧基或其類似基團取代。
組分(B)之實例包括在兩個分子末端處用三甲基矽烷氧基封端之甲基氫聚矽氧烷；在兩個分子末端處用三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷與甲基氫矽氧烷共聚物；在兩個分子末端處用二甲基氫矽烷氧基封端之甲基氫聚矽氧烷；在兩個分子末端處用二甲基氫矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷與甲基氫矽氧烷共聚物；環狀甲基氫矽氧烷；環狀二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物；式(CH3)3SiO1/2表示之矽氧烷單元、式H(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元及式SiO4/2表示之矽氧烷單元之共聚物；式H(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元與式SiO4/2表示之矽氧烷單元之共聚物；式(CH3)3SiO1/2表示之矽氧烷單元、式H(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元、式(CH3)2SiO2/2表示之矽氧烷單元及式SiO4/2表示之矽氧烷單元之共聚物；及此等中兩者或兩者以上之混合物；特定言之，在兩個分子末端處用三甲基矽烷氧基封端之甲基氫聚矽氧烷、在 兩個分子末端處用三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷與甲基氫矽氧烷共聚物及式SiO4/2表示之矽氧烷單元與式H(CH3)2SiO1/2表示之矽氧烷單元之共聚物較佳。
在一些實施例中，30mol%至70mol%組分(B)之單價烴基為苯基。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若苯基含量小於本文中給定範圍之最小值，則可能導致本發明組合物在高溫下軟化不充分。若苯基含量超過本文中給定範圍之最大值，則可能導致經固化之本發明組合物之透明度損失及/或機械強度降低。
在一些實施例中，組分(B)為由以下通式表示之有機三矽氧烷：(HR4 2SiO)2SiR4 2
在一些實施例中，R4為苯基或具有1至6個碳原子之烷基或環烷基。R4之烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基。R4之環烷基之實例包括環戊基及環己基。在一些實施例中，R4之苯基含量在30mol%至70mol%範圍內。
在一些實施例中，組分(B)含量之量使得其中矽原子鍵結之氫原子與組分(A)中烯基總量之莫耳比在0.2至4、較佳0.5至2、更佳0.8至1.8且更佳0.5至1.5範圍內。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若組分(B)之含量超過本文中給定範圍，則可能導致本發明組合物在室溫下不夠硬。
組分(C)為引起或促進組分(A)之烯基與組分(B)之矽原子鍵結氫原子之間矽氫化反應的矽氫化反應催化劑。組分(C)之實例包括基於鉑之催化劑、基於銠之催化劑及基於鈀之催化劑。基於鉑之催化劑因促進本發明組合物固化之能力較佳。基於鉑之催化劑之實例包括鉑細粉、氯鉑酸、氯鉑酸之醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物及鉑-羰基錯合物，其中鉑-烯基矽氧烷錯合物尤佳。烯基矽氧烷之實例包括1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷；1,3,5,7-四甲基- 1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷；此等烯基矽氧烷之甲基之一部分經乙基、苯基或其類似基團取代之烯基矽氧烷；及此等烯基矽氧烷之乙烯基經烯丙基、己烯基或其類似基團取代之烯基矽氧烷。1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷因鉑-烯基矽氧烷錯合物之高穩定性尤佳。由於具有提高鉑-烯基矽氧烷錯合物穩定性之能力，建議鉑-烯基矽氧烷錯合物與有機矽氧烷寡聚物(諸如1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷或其類似烯基矽氧烷)或二甲基矽氧烷寡聚物之組合。添加烯基矽氧烷較佳。
對組分(C)含量無特定限制，只要其量足以實現或促進組分(A)之烯基與組分(B)之矽原子鍵結氫原子之間的矽氫化反應，但在一些實施例中，其量使得組分中相對於部分固化之前的組合物，以質量單位計之金屬元素之量在0.01ppm至500ppm、0.01ppm至100ppm或0.01ppm至50ppm範圍內。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若組分(C)之量低於本文中所描述範圍之下限，則組合物可能展現不充分交聯之傾向。在一些情況下，若該量超過本文中所描述範圍之上限，則可能出現本發明組合物之變色。
藉由使未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物部分地交聯所獲得之矽氫化可固化聚矽氧組合物(2)可藉由停止矽氫化反應性聚矽氧組合物的轉化率為50%至95%之矽氫化反應來獲得，該矽氫化反應性聚矽氧組合物包含：(D)一個分子中具有平均兩個以上烯基之至少一種類型有機聚矽氧烷；(E)一個分子中具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與組分 (D)中烯基之總莫耳濃度之比在0.2至4範圍內；及(F)量足以實現矽氫化反應之矽氫化催化劑。
本文中所描述之組分(A)至(C)分別可用於組分(D)至(F)。
對未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物之黏度無特定限制，其可在100mPa˙s至1,000,000mPa˙s或500mPa˙s至50,000mPa˙s範圍內。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信若黏度小於此處給定範圍之最小值，則本發明組合物之機械強度可能降低。在一些情況下，若黏度超過本文中給定範圍之最大值，則本發明組合物之處理簡易性及可加工性可能降低。
在一些實施例中，組分(D)包含以下之混合物：(D-1)由以下平均單元式表示之有機聚矽氧烷：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中R1為苯基、具有1至6個碳之烷基或環烷基或具有2至6個碳之烯基，其限制條件為60mol%至80mol%之R1為苯基且10mol%至20mol%之R1為烯基；R2為氫原子或具有1至6個碳之烷基；且「a」、「b」、「c」、「d」及「e」為滿足0a0.2，0.2b0.7，0.2c0.6，0d0.2，0e0.1且a+b+c+d=1之數字；及(D-2)由以下通式表示之有機聚矽氧烷：R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
其中R3為苯基、具有1至6個碳之烷基或環烷基或具有2至6個碳之烯基，其限制條件為40mol%至70mol%之R3為苯基且至少一個R3為烯基；且「m」為5至100之整數，其量使得每100重量份組分(D-1)具有0至20重量份此組分。
組分(D-2)之含量可為每100重量份組分(D-1)0至15重量份範圍內之量，或0至10重量份範圍內之量。雖然不希望受任何特定理論束 縛，但咸信若組分(D-2)之含量超過本文中給定範圍之最大值，則可能導致本發明組合物在高溫下軟化不充分。
矽氫化反應之「轉化率」為組分(D)之烯基或組分(E)之矽原子鍵結氫原子的消耗程度；舉例而言，80%轉化率可表示在矽氫化反應中已消耗80%之組分(D)之烯基或組分(E)之矽原子鍵結氫原子。
對用於控制轉化率之方法無特定限制；舉例而言，可加熱未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物持續相對較短之時間以得到50%至95%之轉化率。在一些實施例中，加熱溫度為50℃至200℃或80℃至150℃。在一些實施例中，加熱時間為1分鐘至20分鐘或5分鐘至15分鐘。可例如針對產熱峰面積量測轉化率，該產熱峰面積藉由藉助於差示掃描熱量測定法(DSC)量測未反應組合物作為參照而獲得。
矽氫化可固化聚矽氧組合物(3)含有：(G)藉由包含以下之未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物的矽氫化反應所獲得之含烯基交聯產物：(G-1)一個分子中具有平均兩個以上烯基之至少一種類型有機聚矽氧烷；(G-2)一個分子中具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與組分(G-1)中烯基之總莫耳濃度之比在0.3至0.9範圍內；及(G-3)量足以實現矽氫化反應之矽氫化催化劑；及(H)一個分子中具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與交聯產物中烯基之總莫耳濃度之比在0.1至2.0範圍內。
上文所描述之組分(A)、(B)、(C)及(E)可分別用於組分(G-1)、(G-2)、(G-3)及(H)。
在一些實施例中，滿足以下條件中之一或多者： (G-1)為一個分子中具有平均兩個以上烯基之有機聚矽氧烷且由以下平均組成式表示：R4 xSiO(4-x)/2
其中R4獨立地表示經取代或未經取代之單價烴基，其限制條件為0.1mol%至40mol%之R4為烯基；且「x」為使得1x<2之正數；(G-2)為由以下通式表示之二有機聚矽氧烷：HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
其中R5獨立地表示不包含脂族不飽和鍵之經取代或未經取代之單價烴基，且「n」為0至1,000之整數；及(H)為由以下平均組成式表示之有機氫聚矽氧烷：R5 yHzSiO(4-y-z)/2
其中R5為如上文所定義，且「y」及「z」為滿足0.7y2.1，0.001z1.0且0.8y+z2.6之正數。
單價烴基及烯基如本文中所描述。不包含脂族不飽和鍵之單價烴基之實例包括具有1至20個碳原子之烷基、具有6至20個碳原子之芳基及具有7至20個碳原子之芳烷基。具有1至20個碳原子之烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基及其他直鏈、分支鏈或環狀烷基。單價烴基較佳為甲基。具有6至20個碳原子之芳基之實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基及蒽基。具有7至20個碳原子之芳烷基之實例包括苯甲基、苯乙基及苯丙基。單價烴基之氫原子之一部分可部分地經鹵素原子、羥基、環氧基或其類似基團取代。
在一些實施例中，在矽氫化可固化聚矽氧組合物(3)中，調節組分(G-1)及(G-2)之相對量，使得組分(G-2)中矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與組分(G-1)中烯基之總莫耳濃度之比在0.3至0.9範圍內；因 此，藉由使未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物(G)矽氫化所獲得之交聯產物具有在矽氫化反應中未消耗之烯基。因此，由於組分(H)之存在，有可能經由矽氫化反應進一步交聯及固化矽氫化可固化聚矽氧組合物(3)。
本發明組合物可包含作為視情況選用之組分之反應延遲劑，諸如乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇或另一種其他炔烴醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔或另一種烯炔化合物；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷或苯并三唑。對反應延遲劑含量無限制，例如在相對於組合物之重量1ppm至5,000ppm範圍內。
本發明組合物亦可包含增黏劑以改良對各種基板之黏結性。增黏劑之實例包括(但不限於)：具有大致4至20個矽原子，具有三烷氧基矽烷氧基(例如三甲氧基矽烷氧基或三乙氧基矽烷氧基)或三烷氧基矽烷基烷基(例如三甲氧基矽烷基乙基或三乙氧基矽烷基乙基)及氫矽烷基或烯基(例如乙烯基或烯丙基)之有機矽烷或直鏈、分支鏈或環狀有機矽氧烷寡聚物；具有大致4至20個矽原子，具有三烷氧基矽烷氧基或三烷氧基矽烷基烷基及甲基丙烯醯氧基烷基(例如3-甲基丙烯醯氧基丙基)之有機矽烷或直鏈、分支鏈或環狀有機矽氧烷寡聚物；具有大致4至20個矽原子，具有三烷氧基矽烷氧基或三烷氧基矽烷基烷基及環氧基鍵結之烷基(例如3-縮水甘油氧基丙基、4-縮水甘油氧基丁基、2-(3,4-環氧環己基)乙基或3-(3,4-環氧環己基)丙基)之有機矽烷或直鏈、分支鏈或環狀有機矽氧烷寡聚物；及胺基烷基三烷氧基矽烷與環氧基鍵結之烷基三烷氧基矽烷之反應產物及含環氧基聚矽酸乙酯。增黏劑之特定實例包括：乙烯基三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、氫三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三 甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基、三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷與3-胺基丙基三乙氧基矽烷之反應產物、矽烷醇基鏈封端之甲基乙烯基矽氧烷寡聚物與3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷之縮合反應產物、矽烷醇基鏈封端之甲基乙烯基矽氧烷寡聚物與3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷之縮合反應產物及參(3-三甲氧基矽烷基丙基)異氰尿酸酯。
本發明組合物可進一步包含作為視情況選用之組分之除組分(A)至(H)以外的有機聚矽氧烷；無機填充劑，諸如二氧化矽、玻璃、氧化鋁或氧化鋅；細粉狀有機樹脂，諸如聚甲基丙烯酸酯樹脂；耐熱劑；染料；顏料；磷光體；阻燃劑；溶劑；或其類似物，至以下程度，即此類視情況選用之組分不會不利地影響本發明各種實施例之組合物的光學及物理特性以及其他特徵。
在一些實施例中，本發明各種實施例之組合物包含至少一種類型有機聚矽氧烷嵌段共聚物。在一些實施例中，有機聚矽氧烷嵌段共聚物在一些實施例中包含：40mol%至90mol%由[R6 2SiO2/2]表示之二矽烷氧基單元；10mol%至60mol%由[R7SiO3/2]表示之三矽烷氧基單元；及2mol%至25mol%由[≡SiOH]表示之矽烷醇基；其中各R6獨立地表示C1-C30烴基；各R7獨立地表示C1-C20烴基；二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]存在於包含平均10至400(例如，50至300)個二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]之直鏈嵌段中；三矽烷氧基單元存在於分子量為至少500g/mol之非直鏈嵌段 中；及各直鏈嵌段鍵結至至少一個非直鏈嵌段上。
烴基之實例包括本文中所描述之單價烴基。
有機聚矽氧烷嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為至少20,000g/mol，或者重量平均分子量為至少40,000g/mol，或者重量平均分子量為至少50,000g/mol，或者重量平均分子量為至少60,000g/mol，或者重量平均分子量為至少70,000g/mol，抑或重量平均分子量為至少80,000g/mol。在一些實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為約20,000g/mol至約250,000g/mol或約100,000g/mol至約250,000g/mol，或者重量平均分子量為約40,000g/mol至約100,000g/mol，或者重量平均分子量為約50,000g/mol至約100,000g/mol，或者重量平均分子量為約50,000g/mol至約80,000g/mol，或者重量平均分子量為約50,000g/mol至約70,000g/mol，或者重量平均分子量為約50,000g/mol至約60,000g/mol。在其他實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物之重量平均分子量為40,000g/mol至100,000g/mol、50,000g/mol至90,000g/mol、60,000g/mol至80,000g/mol、60,000g/mol至70,000g/mol、100,000g/mol至500,000g/mol、150,000g/mol至450,000g/mol、200,000g/mol至400,000g/mol、250,000g/mol至350,000g/mol或250,000g/mol至300,000g/mol。在其他實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物之重量平均分子量為40,000g/mol至60,000g/mol、45,000g/mol至55,000g/mol或約50,000g/mol。
在一些實施例中，如使用ASTM D542測定，包含至少一種類型有機聚矽氧烷嵌段共聚物之組合物之折射率為至少1.4。在一些實施例中，包含至少一種類型有機矽氧烷嵌段共聚物之組合物之折射率為約1.4至約2.5，例如約1.5至約2.5；約1.7至約2.4；約1.4至約1.7；或約1.9至約2.3。
可接受有機聚矽氧烷嵌段共聚物之實例包括WO2012/040457、WO2012/040453、WO2012/040367、WO2012/040305及WO2012/040302中揭示之彼等者，該等專利如同在本文中完全闡述一般以引用之方式併入。
在一些實施例中，本發明係關於一種包含本發明組合物之聚矽氧膜。至少20重量%之本發明聚矽氧膜由組合物構成，在一些實施例中，至少50重量%、至少70重量%、至少90重量%或該膜僅由組合物構成。
本發明之組合物及聚矽氧膜可包含至少一種類型磷光體。亦可使用兩種或兩種以上類型磷光體之組合。舉例而言，若本發明各種實施例之組合物或聚矽氧膜用於密封發光體(諸如LED)，則藉此有可能允許轉換發射之光之波長，且調節由LED或其類似物發射之光之顏色。另外，由於磷光體包含於片內，因此LED或其他發光體可易於置放且其顏色易於調節。亦可在將發光顏色調節至有效獲得封口之後立即進行壓縮成型或層壓。另外，由於磷光體不以液體形式存在，因此在儲存期間不存在可能導致不均勻濃度分佈之磷光體沈降。
磷光體可為任何已知磷光體，且為了增加單層片之厚度及有利地轉換波長，在一些實施例中，相對於本發明組合物或聚矽氧膜之總重量，磷光體之最小含量為至少0.01重量%，至少0.1重量%或至少1重量%。在其他實施例中，為了轉換波長同時降低單層片之厚度，在一些實施例中，磷光體之最小含量為10重量%、20重量%或50重量%。在其他實施例中，為了轉換波長同時降低單層片之厚度，在一些實施例中，磷光體之最大含量為95重量%、90重量%、80重量%或50重量%。在其他實施例中，為了轉換波長同時增加單層片之厚度，磷光體之最大含量為30重量%、20重量%或10重量%。磷光體具有如例如使用CILAS雷射量測裝置或其類似裝置，經由雷射光繞射法在粒子 分佈量測中量測之粒度範圍，以使得在一些實施例中，粒度為至少10nm、10nm至100μm或100nm至30μm。
對本發明聚矽氧膜之厚度無特定限制；舉例而言，10μm至10mm或20μm至5mm。
磷光體可為能夠吸收例如來自LED之光且將該光轉換為不同波長之任何磷光體。實例包括主要由鑭系元素(諸如銪或鈰)活化之氮化物及氮氧化物磷光體、主要由鑭系元素(諸如銪)或過渡金屬元素(諸如錳)活化之鹼土鹵素磷灰石磷光體、鹼土金屬硼酸鹵素磷光體、鹼土金屬鋁酸鹽磷光體、鹼土矽酸鹽磷光體、鹼土硫化物磷光體、鹼土硫代鎵酸鹽磷光體、鹼土氮化矽磷光體、錯酸鹽磷光體、主要由鑭系元素(諸如鈰)活化之稀土發光磷光體、稀土矽酸鹽磷光體、主要由鑭系元素(諸如銪)活化之有機及有機錯合物磷光體及基於Ca-Al-Si-O-N之氮氧化物玻璃磷光體中之一或多者。可接受磷光體之特定實例列於下文，但本發明不限於此。
主要由鑭系元素(諸如銪或鈰)活化之氮化物磷光體之實例包括M2Si5N8：Eu(其中M為選自鍶、鈣、鋇、鎂及鋅之至少一者)。除M2Si5N8：Eu之外，其他實例包括MSi7N10：Eu、M1.8Si5O0.2N8：Eu及M0.9Si7O0.1N10：Eu(其中M為選自鍶、鈣、鋇、鎂及鋅之至少一者)。
主要由鑭系元素(諸如銪或鈰)活化之氮氧化物磷光體之實例包括MSi2O2N2：Eu(其中M為選自鍶、鈣、鋇、鎂及鋅之至少一者)。
主要由鑭系元素(諸如銪)或過渡金屬元素(諸如錳)活化之鹼土鹵素磷灰石磷光體之實例包括M5(PO4)3X：R(其中M為選自鍶、鈣、鋇、鎂及鋅之至少一者；X為選自氟、氯、溴及碘之至少一者；且R為選自銪、錳或銪及錳之至少一者)。
鹼土金屬硼酸鹵素磷光體之實例包括M2B5O9X：R(其中M為選自鍶、鈣、鋇、鎂及鋅之至少一者；X為選自氟、氯、溴及碘之至少一 者；且R為選自銪、錳或銪及錳之至少一者)。
鹼土金屬鋁酸鹽磷光體之實例包括SrAl2O4：R、Sr4Al14O25：R、CaAl2O4：R、BaMg2Al16O27：R、BaMg2Al16O12：R、BaMgAl10O17：R(其中R為選自銪、錳或銪及錳之至少一者)。
鹼土硫化物磷光體之實例包括La2O2S：Eu、Y2O2S：Eu及Gd2O2S：Eu。
主要由鑭系元素(諸如鈰)活化之稀土鋁酸鹽磷光體之實例包括由組成式Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce及(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12表示之YAG磷光體。其他實例包括釔部分或完全經鋱、鎦或其類似元素取代之磷光體，諸如Tb3Al5O12：Ce及Lu3Al5O12：Ce。
其他磷光體包括ZnS：Eu、Zn2GeO4：Mn及MGa2S4：Eu(其中M為選自總、鈣、鋇、鎂及鋅之至少一者；且X為選自氟、氯、溴及碘之至少一者)。
代替銪或除銪之外，上述磷光體亦可含有選自鋱、銅、銀、金、鉻、釹、鏑、鈷、鎳及鈦之至少一者。
基於Ca-Al-Si-O-N之氮氧化物玻璃磷光體為由作為基質材料之氮氧化物玻璃構成且包含20mol%至50mol%之CaCO3(以CaO計)、0mol%至30mol%之Al2O3、25mol%至60mol%之SiO、5mol%至50mol%之AlN及0.1mol%至20mol%之稀土氧化物或過渡金屬氧化物的磷光體，五種組分總計為100mol%。由作為基質材料之氮氧化物玻璃構成之磷光體含有不超過15重量%氮氣，且除稀土氧化物離子之外，螢光玻璃較佳含有0.1mol%至10mol%之構成敏化劑之另一稀土元素離子，如作為共活化劑之稀土氧化物。
亦可使用除上文所描述者之外且具有類似特性及作用之另一磷光體。
本發明各種實施例之組合物或聚矽氧膜可藉由將本發明組合物與一或多種無機粒子及/或(視需要)上文所描述之磷光體混合，且加熱所獲得之混合物持續相對較短時間以使其部分地交聯來製造。加熱溫度為50℃至200℃或80℃至150℃。加熱時間為1分鐘至20分鐘或5分鐘至15分鐘。本發明組合物或其混合物形成本發明之聚矽氧膜，其經由矽氫化反應部分地交聯且在室溫下為具有高硬度之固體，且其為在高溫(諸如100℃或高於100℃)下軟化或液化之交聯產物。
本發明亦關於一種包含含本發明組合物之至少一個層的疊層，例如包含聚矽氧膜及至少另一片之疊層。
對本發明疊層之厚度無特定限制；舉例而言，10μm至10mm或100μm至8mm或0.5mm至5mm。
對另一片之厚度無特定限制，若存在，則其可具有與本發明聚矽氧膜相同之厚度，或視需要可更薄，在此情況下其厚度為例如0.1μm至3mm或1μm至2mm。
若存在，則另一片可為用於支撐聚矽氧膜之支撐物片。支撐物片可為單層片或其中複數個膜成層之多層片。另一片亦可為防止灰塵及其類似物附著至聚矽氧膜之保護片。對支撐物片之材料無特定限制，只要其能夠支撐聚矽氧膜。對保護片之材料無特定限制，只要其能夠自聚矽氧膜剝離。支撐物片及保護片材料之實例包括聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸伸乙酯、聚對苯二甲酸伸丁酯、聚醯胺、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚醯亞胺、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物樹脂、三乙酸纖維素及其類似物。可將諸如含氟脫模劑或含聚矽氧脫模劑之表面處理劑塗覆於支撐物片或保護片之表面。支撐物片可在壓縮成型或層壓之前或期間剝離。支撐物片可與聚矽氧組合物層同時加工；在此類情況下，該片可在加工後自聚矽氧組合物層剝離，或可仍黏結至聚矽氧組合物層。
若存在，則另一片可包含至少一種類型非熱熔型可固化聚矽氧組合物，諸如2014年12月20日申請之PCT申請案第PCT/US2013/077074號中描述之彼等物，該專利之全部揭示內容如同在本文中完全闡述一般以引用之方式併入。
實例
本文中描述三種非限制性類型之模具。
A型模具：奈米支柱圖案模具COP(環烯烴聚合物)膜FLP230/200/460-120(φ 230nm，圖案高度200nm，間距400nm，膜厚0.2mm，購自Kyodo International,Inc)。
B型模具：無規蛾眼圖案金屬模具，(由Tokai Seimitsu Kogyo Co.,LTD製造，高度：212nm，圖案間距：130nm)。
C型模具：微型網格，(網格數325，線直徑280μm)。
下文在各種非限制性實例中所描述之LED裝置為MA5050-A2，(尺寸：50×50mm，板上具有100個LED晶片)，不具有圍繞LED晶片區之白色圓頂。LED裝置MA5050上之LED晶片之大小為260μm×585μm，厚90μm。
下表1概括本文中呈現之各種非限制性實例中描述之圖案化表面。
實例1：熱熔型聚矽氧膜1
使2L之3頸圓底燒瓶裝有544g甲苯及216公克苯基-T樹脂(FW=136.6g/mol Si；35.0g，0.256莫耳Si)。使燒瓶裝備有溫度計、特富龍攪拌槳(Teflon stir paddle)及預填充有甲苯且附接至水冷式冷凝器之迪恩斯塔克設備(Dean Stark apparatus)。接著施加氮氣層。在回流下使用油浴加熱燒瓶30分鐘。隨後，將燒瓶冷卻至約108℃(釜溫度)。
接著製備甲苯(176g)與矽烷醇封端之PhMe矽氧烷(140dp，FW=136.3g/mol Si，1.24莫耳% SiOH，264g)之溶液，且在手套箱(同一天)中於氮氣下藉由向矽氧烷添加50/50 MTA/ETA且在室溫下混合2小時來用50/50 MTA/ETA(平均FW=231.2g/mol Si，4.84g，0.0209莫耳Si)封端矽氧烷。接著在108℃下向苯基-T樹脂/甲苯溶液中添加封端之矽氧烷且回流約2小時。
回流之後，使溶液冷卻回約108℃且添加額外量50/50 MTA/ETA(平均FW=231.2g/mol Si，38.32g，0.166莫耳Si)，且接著使溶液再回流2小時。
接著使溶液冷卻至90℃且添加33.63g去離子水。接著在回流下加熱溶液一小時，且經由共沸蒸餾移除水。接著再加熱溶液3小時，且隨後冷卻至100℃。隨後，添加4.8公克Darco G60碳黑，且在攪拌下使溶液冷卻至室溫且在室溫下攪拌隔夜。且接著經由5.0μm過濾器進行壓力過濾以分離固體組合物。
接著使50.01g固體組合物溶解於甲苯中，形成58.2%固體溶液。接著添加0.15公克1重量百分比之DBU催化劑/甲苯溶液，且在30℃及13托下蒸餾該溶液2小時，獲得36.05g(80.7%固體溶液)。隨後，將此溶液澆鑄於約1mm厚PET膜上，之後在氮氣下乾燥4天。接著於真空烘箱中在真空、50℃下進一步移除過量溶劑2小時。藉由在80℃下按壓固體組合物獲得厚度為400μm之熱熔型聚矽氧膜1。
實例2：熱熔型聚矽氧膜2(B階段)
添加75質量份由平均單元式(MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45表示之甲基乙烯基聚矽氧烷；25質量份由式(HMe2SiO)2SiPh2表示之三矽氧烷；10質量份由ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiViMe2表示之甲基苯基聚矽氧烷；鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(其量使得相對於組合物之總量存在以質量計40ppm之金屬鉑)；及乙炔基己醇(相對於組合物之總量，其量相當於以質量計600ppm)，且混合至均質以製備在25℃下黏度為8,630mPa．s之液體矽氫化可固化聚矽氧組合物。將所獲得之聚矽氧組合物傾入1cm厚模具中，在壓機中於100℃下加熱30分鐘且冷卻，其後在25℃下量測A型硬度，得到68之結果。在熱壓機中於100℃下加熱所獲得之聚矽氧組合物30分鐘，獲得400微米厚之透明熱熔型聚矽氧膜2。
實例3：熱熔型聚矽氧膜3
使35質量份由以下平均單元式表示之有機聚矽氧烷：(Me2ViSiO1/2)0.08(Me3SiO1/2)0.44(SiO4/2)0.52
其在25℃下為固體；11質量份由下式表示之有機聚矽氧烷：Me2ViSiO(SiMe2O)80SiMe2Vi
其在25℃下為液體；及4質量份由下式表示之有機聚矽氧烷：Me2HSiO(SiMe2O)30SiMe2H
其在25℃下為液體，溶解於50質量份二甲苯中。添加鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(其量使得金屬鉑之量相對於組合物之總量為以質量計5ppm)，且於100℃下在燒瓶中加熱6小時。未經由FT-IR偵測到矽原子鍵結之氫原子，確認矽氫化反應過程。將四質量份由以下均式表示之有機聚矽氧烷：Me3SiO(SiMeHO)20SiMe3
其在25℃下為液體；及乙炔基己醇(相對於組合物之總量，其量相當於以質量計1,000ppm)添加至所獲得之溶液中，且混合整體，其後在80℃下使用旋轉式蒸發器移除二甲苯，製備矽氫化可固化聚矽氧組合物。藉由在100℃下按壓液體矽氫化可固化聚矽氧組合物獲得厚度為400μm之熱熔型聚矽氧膜3。
實例4：熱熔型聚矽氧膜4
使43質量份由以下平均單元式表示之有機聚矽氧烷：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75
其在25℃下為固體；及在25℃下為液體之7質量份1,1,5,5-六甲基-3,3-二苯基三矽氧烷溶解於50質量份甲苯中。添加鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(其量使得金屬鉑之量相對於組合物之總量為以質量計5ppm)，且於100℃下在燒瓶中加熱6小時。未經由FT-IR偵測到矽原子鍵結之氫原子，確認矽氫化反應過程。將六質量份由以下平均單元式表示之有機聚矽氧烷：(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
其在25℃下為液體；及乙炔基己醇(相對於組合物之總量，其量相當於以質量計1,000ppm)添加至所獲得之溶液中，且混合整體，其後在80℃下使用旋轉式蒸發器移除甲苯，製備矽氫化可固化聚矽氧組合物。藉由在100℃下按壓液體矽氫化可固化聚矽氧組合物獲得厚度為400μm之熱熔型聚矽氧膜4。
實例5：熱熔型聚矽氧膜5(A階段)
使43質量份由以下平均單元式表示之有機聚矽氧烷：(MeViSiO2/2)0.10(Me2SiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75
其在25℃下為固體；及7質量份由下式表示之有機聚矽氧烷：(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
其在25℃下為液體，溶解於50質量份甲苯中。添加鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(其量使得金屬鉑之量相對於組合物之總量為以質量計5ppm)及0.001質量份1,3-雙(二苯膦基)丙烷且混合，其後在60℃下使用旋轉式蒸發器移除甲苯，藉此製備固體矽氫化可固化聚矽氧組合物。使用100℃加壓機壓縮所獲得之固體矽氫化可固化聚矽氧組合物，獲得400微米厚之熱熔型聚矽氧膜5。
實例6
使熱熔型聚矽氧膜1接觸至LED裝置MA5050-A2(大小：50×50mm，板上具有100個LED晶片，不具有圍繞LED晶片區之白色圓頂)上。將LED裝置及熱熔型聚矽氧膜1安置於真空層壓機(產品名稱：層壓機0505S，由Nisshinbo Mechatronics Inc.製造)中。將圖案化COP膜(A型模具)置放於熱熔型聚矽氧膜1上，其中COP膜上之圖案面向熱熔型聚矽氧膜1。接著，抽空第一腔室及第二腔室之空氣。使第二腔室通風時，在135℃下將熱熔型聚矽氧膜1層壓於經圖案化COP膜按壓之LED裝置上持續20分鐘。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝1。釋放圖案化COP膜之後，在聚矽氧封裝1上觀察到奈米圖案化表面之特殊特徵之淡藍光或綠光反射。藉由SPM(掃描探針顯微鏡)掃描聚矽氧封裝1之表面。所獲得之SPM影像展示表面具有許多奈米尺寸凹痕。藉由SEM(掃描電子顯微鏡)觀測聚矽氧封裝1之橫截面。經壓印凹痕之深度為約120nm至160nm。
實例7
藉由於150℃下藉由真空熱壓機在ETFE離型膜上按壓無規蛾眼圖案金屬模具(B型模具)獲得ETFE離型膜1。使熱熔型聚矽氧膜1接觸至LED裝置MA5050-A2(大小：50×50mm，板上具有100個LED晶片，不具有圍繞LED晶片區之白色圓頂)上。將LED裝置及熱熔型聚矽氧 膜1安置於真空層壓機(產品名稱：層壓機0505S，由Nisshinbo Mechatronics Inc.製造)中。將ETFE離型膜1置放於熱熔型聚矽氧膜1上，其中ETFE離型膜1之圖案面向熱熔型聚矽氧膜1。接著，抽空第一腔室及第二腔室之空氣。使第二腔室通風時，在135℃下將熱熔型聚矽氧膜1層壓於經ETFE離型膜1按壓之LED裝置上持續20分鐘。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝2。釋放離型膜之後，藉由SPM觀測聚矽氧封裝2之經壓印表面圖案。
實例8
使熱熔型聚矽氧膜1接觸至LED裝置MA5050-A2(大小：50×50mm，板上具有100個LED晶片，不具有圍繞LED晶片區之白色圓頂)上。將LED裝置及熱熔型聚矽氧膜1安置於真空層壓機(產品名稱：層壓機0505S，由Nisshinbo Mechatronics Inc.製造)中。將平坦ETFE膜置放於熱熔型聚矽氧膜1上。接著，抽空第一腔室及第二腔室之空氣。使第二腔室通風時，在135℃下將熱熔型聚矽氧膜1層壓於經ETFE膜按壓之LED裝置上持續20分鐘。釋放ETFE膜之後，於170℃下在烘箱中固化所獲得之LED總成持續3小時。將金屬網格(C型模具)置放於聚矽氧封裝上，接著在135℃下藉由真空層壓機按壓網格。釋放金屬網格之後，獲得LED總成中之聚矽氧封裝3。藉由光學顯微鏡觀測聚矽氧封裝3之經壓印表面圖案。
實例9
藉由於150℃下藉由真空熱壓機在ETFE離型膜上按壓微型網格(C型模具)獲得ETFE離型膜2。使熱熔型聚矽氧膜1接觸至LED裝置MA5050-A2(大小：50×50mm，板上具有100個LED晶片，不具有圍繞LED晶片區之白色圓頂)上。將LED裝置及熱熔型聚矽氧膜1安置於真空層壓機(產品名稱：層壓機0505S，由Nisshinbo Mechatronics Inc.製造)中。將ETFE離型膜2置放於熱熔型聚矽氧膜1上，其中ETFE離型 膜2之圖案面向熱熔型聚矽氧膜1。接著，抽空第一腔室及第二腔室之空氣。使第二腔室通風時，在135℃下將熱熔型聚矽氧膜1層壓於經ETFE離型膜2按壓之LED裝置上持續20分鐘。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝4。釋放離型膜之後，藉由SPM觀測聚矽氧封裝4之經壓印表面圖案。
實例10
藉由與實例9中描述之相同方法，在150℃下將熱熔型聚矽氧膜2而非熱熔型聚矽氧膜1層壓於LED裝置上持續10分鐘。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝5。釋放離型膜之後，藉由SPM觀測聚矽氧封裝5之經壓印表面圖案。
實例11
藉由與實例9中描述之相同方法，在150℃下將熱熔型聚矽氧膜3而非熱熔型聚矽氧膜1層壓於LED裝置上持續10分鐘。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝6。釋放離型膜之後，藉由SPM觀測聚矽氧封裝6之經壓印表面圖案。
實例12
藉由與實例9中描述之相同方法，在150℃下將熱熔型聚矽氧膜4而非熱熔型聚矽氧膜1層壓於LED裝置上持續10分鐘。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝7。釋放離型膜之後，藉由SPM觀測聚矽氧封裝7之經壓印表面圖案。
實例13
藉由與實例9中描述之相同方法，在150℃下將熱熔型聚矽氧膜5而非熱熔型聚矽氧膜1層壓於LED裝置上持續10分鐘。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝8。釋放離型膜之後，藉由SPM觀測聚矽氧封裝8之經壓印表面圖案。
參考實例1
藉由與實例6中描述之相同方法，藉由平坦ETFE膜而非圖案化COP膜層壓熱熔型聚矽氧膜1。獲得LED裝置上之聚矽氧封裝9。釋放ETFE膜之後，藉由SPM觀測聚矽氧封裝9之平坦表面。
實例13：光輸出(LOP)量測
藉由HalfMoon(由Otsuka Electronics Co.,LTD製造)量測實例7及參考實例1中獲得之LED總成之LOP。層壓製程之前，在電流700mA下用於實例7及參考實例1之LED裝置之LOP分別為1740mW及1744mW。層壓之後，彼等LOP分別為1772mW及1762mW。計算LOP比(層壓後/層壓前之LOP)。實例7中之LED總成之LOP優於參考實例1中之LED總成之LOP。
本文中所描述及主張之本發明實施例不欲由本文中所揭示之特定實施例範疇所限制，因為此等實施例意欲作為本發明若干態樣之說明。任何等效實施例意欲在本發明之範疇內。實際上，根據前述說明，除本文中所展示及描述之修改以外，實施例之各種修改對熟習此項技術者而言將變得顯而易見。此等修改亦意欲落入所附申請專利範圍之範疇內。
已在本文中廣泛且大體地描述本發明。落入一般揭示內容之較狹義種類及亞屬分組中之每一者亦形成本發明之一部分。此包括本發明之一般描述，其限制條件或消極限制自該類移除任何標的物，無論所刪除之材料是否在本文中特定敍述。此外，在本發明之特徵或態樣以馬庫西組(Markush group)方式進行描述之情況下，熟習此項技術者將認識到本發明亦藉此以馬庫西組之任何個別成員或成員子組之形式 進行描述。
除非上下文另外明確指示，否則如本說明書及所附申請專利範圍中所使用，單數形式「一(a/an)」及「該」包括複數個指示物。因此，例如提及「反應器」包括複數個反應器，諸如一系列反應器。在此文件中，術語「或」用以指非排他性或使得除非另外指示，否則「A或B」包含「A而非B」、「B而非A」以及「A及B」。
以範圍形式表示之值應以靈活方式解釋為不僅包括如範圍限制明確敍述之數值，且亦包括該範圍內所涵蓋之所有個別數值或子範圍，如同明確敍述各數值及子範圍一般。舉例而言，範圍「約0.1%至約5%」或「約0.1%至5%」應解釋為不僅包括約0.1%至約5%，且亦包括指定範圍內之個別值(例如1%、2%、3%及4%)及子範圍(例如0.1%至0.5%、1.1%至2.2%、3.3%至4.4%)。除非另外指示，否則陳述「約X至Y」之意義與「約X至約Y」相同。類似地，除非另外指示，否則陳述「約X、Y或約Z」之意義與「約X、約Y或約Z」相同。
在本文所描述之方法中，除在明確敍述時間或操作順序時之外，可在不背離本發明原理之情況下以任何次序進行步驟。此外，指定步驟可同時進行，除非明確之申請專利範圍語言敍述其應單獨地進行。舉例而言，可在單個操作內同時進行所主張之進行X之步驟及所主張之進行Y之步驟，且所得方法將落入所主張方法之文字範疇內。
如本文中所使用之術語「約」可允許值或範圍之一定程度之變化，例如在所陳述之值或所陳述之範圍限值之10%以內、5%以內或1%以內。
本說明書中所提及之所有公開案，包括非專利文獻(例如科學期刊文章)、專利申請公開案及專利均以引用之方式併入，如同特定且單獨指示各者以引入之方式併入一般。
100‧‧‧光學總成
102‧‧‧光學裝置
104‧‧‧電導線
106‧‧‧光學表面
108‧‧‧聚矽氧膜
110‧‧‧遠端表面
112‧‧‧突起

Claims (41)

  1. 一種製造光學總成之方法，其包含：將光學裝置固定於固定件中，該光學裝置具有光學表面，其中相對於該光學表面置放聚矽氧膜，該聚矽氧膜具有相對於該光學表面之遠端表面；以襯墊表面面向該聚矽氧膜置放離型襯墊，該離型襯墊在該襯墊表面上包括印痕；及相對於該聚矽氧膜按壓該離型襯墊，藉此使該離型襯墊之該印痕賦予至該聚矽氧膜之該遠端表面，在該遠端表面中產生表面印痕。
  2. 如請求項1之方法，其中該聚矽氧膜包含含聚矽氧熱熔型組合物。
  3. 如請求項2之方法，其中該含聚矽氧熱熔型組合物包含有機矽氧烷嵌段共聚物。
  4. 如請求項3之方法，其中該有機矽氧烷嵌段共聚物包含：40mol%至90mol%由[R6 2SiO2/2]表示之二矽烷氧基單元；10mol%至60mol%由[R7SiO3/2]表示之三矽烷氧基單元；及2mol%至25mol%由[≡SiOH]表示之矽烷醇基；各R6獨立地表示C1-C30烴基；各R7獨立地表示C1-C20烴基；該二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]存在於包含平均50至300個二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]之直鏈嵌段中；該三矽烷氧基單元存在於分子量為至少500g/mol之非直鏈嵌段中；及各直鏈嵌段係鍵結至至少一個非直鏈嵌段上。
  5. 如請求項4之方法，其中該嵌段共聚物之分子量為至少50,000g/mol。
  6. 如請求項4之方法，其中該嵌段共聚物之折射率為至少1.4。
  7. 如請求項1之方法，其中該聚矽氧膜包含選自由以下組成之群的含聚矽氧熱熔型組合物：(1)未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物；(2)藉由使未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物部分地交聯所獲得之矽氫化可固化聚矽氧組合物；及(3)包含以下之矽氫化可固化聚矽氧組合物：具有矽原子鍵結之氫原子及/或烯基之交聯產物；及至少一種類型矽氫化反應性組分，該交聯產物係藉由使未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物交聯而獲得。
  8. 如請求項7之方法，其中該聚矽氧膜包含含聚矽氧熱熔型組合物，該含聚矽氧熱熔型組合物包含：(A)在25℃下為固體且一個分子中具有平均兩個以上烯基之至少一種類型有機聚矽氧烷；(B)一個分子中含有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與組分(A)中烯基之總莫耳濃度之比在0.2至4範圍內；及(C)量足以實現矽氫化反應之矽氫化催化劑。
  9. 如請求項8之方法，其中組分(A)包含以下之混合物：(A-1)60質量%至100質量%在25℃下為固體且一個分子中具有平均兩個以上烯基之分支鏈有機聚矽氧烷；及(A-2)0質量%至40質量%在25℃下為液體且一個分子中具有平均至少兩個烯基之直鏈或部分分支鏈有機聚矽氧烷。
  10. 如請求項7之方法，其中該聚矽氧膜包含含聚矽氧熱熔型組合 物，其包含藉由使未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物部分地交聯所獲得之矽氫化可固化聚矽氧組合物(2)，該未反應之矽氫化可固化聚矽氧組合物藉由停止矽氫化反應性聚矽氧組合物的轉化率為50%至95%之矽氫化反應來獲得，該矽氫化反應性聚矽氧組合物包含：(D)一個分子中具有平均兩個以上烯基之至少一種類型有機聚矽氧烷；(E)一個分子中具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與組分(D)中烯基之總莫耳濃度之比在0.2至4範圍內；及(F)量足以實現矽氫化反應之矽氫化催化劑。
  11. 如請求項10之方法，其中組分(D)包含以下之混合物：(D-1)由以下平均單元式表示之有機聚矽氧烷：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e其中R1為苯基、具有1至6個碳之烷基或環烷基或具有2至6個碳之烯基，其限制條件為60mol%至80mol%之R1為苯基且10mol%至20mol%之R1為烯基；R2為氫原子或具有1至6個碳之烷基；且「a」、「b」、「c」、「d」及「e」為滿足0a0.2，0.2b0.7，0.2c0.6，0d0.2，0e0.1且a+b+c+d=1之數字；及(D-2)由以下通式表示之有機聚矽氧烷：R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3其中R3為苯基、具有1至6個碳之烷基或環烷基或具有2至6個碳之烯基，其限制條件為40mol%至70mol%之R3為苯基且至少一個R3為烯基；且「m」為5至100之整數，其量使得每100重量份組分(D-1)具有0至20重量份此組分。
  12. 如請求項7之方法，其中該矽氫化可固化聚矽氧組合物(3)包含：(G)藉由包含以下之未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物的矽氫化反應所獲得之含烯基交聯產物：(G-1)一個分子中具有平均兩個以上烯基之至少一種類型有機聚矽氧烷；(G-2)一個分子中具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與組分(G-1)中烯基之總莫耳濃度之比在0.3至0.9範圍內；及(G-3)量足以實現矽氫化反應之矽氫化催化劑；及(H)一個分子中具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子的至少一種類型有機聚矽氧烷，其量使得矽原子鍵結氫原子之總莫耳濃度與交聯產物中烯基之總莫耳濃度之比在0.1至2.0範圍內。
  13. 如請求項12之方法，其中滿足以下條件中之一者：(G-1)為一個分子中具有平均兩個以上烯基之有機聚矽氧烷且由以下平均組成式表示：R4 xSiO(4-x)/2其中R4各自獨立地表示經取代或未經取代之單價烴基，其限制條件為0.1mol%至40mol%之R4為烯基；且「x」為滿足1x<2之正數；(G-2)為由以下通式表示之二有機聚矽氧烷：HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH其中R5各自獨立地表示不具有脂族不飽和鍵之經取代或未經取代之單價烴基，且「n」為0至1,000之整數；及(H)為由以下平均組成式表示之有機氫聚矽氧烷：R5 yHzSiO(4-y-z)/2其中R5為如上文所定義，且「y」及「z」為滿足0.7y 2.1，0.001z1.0且0.8y+z2.6之正數。
  14. 如請求項1之方法，其中該聚矽氧膜之厚度大於該光學裝置之厚度。
  15. 如請求項1之方法，其中該離型襯墊之該印痕包含主尺寸為大致十(10)奈米至大致五百(500)微米之至少一個空腔。
  16. 如請求項15之方法，其中該離型襯墊之該印痕包含複數個實質上大小相等之空腔。
  17. 如請求項16之方法，其中該等空腔形成實質上規則圖案。
  18. 如請求項15之方法，其中該離型襯墊包含金屬及塑膠中之至少一者。
  19. 如請求項1之方法，其進一步包含用熱源向該聚矽氧膜施加熱量以將該聚矽氧膜層壓至該光學裝置。
  20. 如請求項19之方法，其中施加熱量至少部分地與按壓該離型襯墊同時進行。
  21. 如請求項20之方法，其中該固定件包括真空腔室及薄膜，且其中用該真空腔室按壓該離型襯墊包含在該薄膜之第一側與該薄膜之第二側之間產生壓差，且使該薄膜相對於該聚矽氧膜按壓該離型襯墊。
  22. 一種光學總成，其包括具有光學表面及安置於該光學表面上之聚矽氧膜的光學裝置，該聚矽氧膜在該光學表面之遠端表面上具有經壓印表面，該經壓印表面藉由包含以下之方法產生：將該光學裝置固定於固定件中，其中相對於該光學表面置放該聚矽氧膜；以襯墊表面面向該聚矽氧膜置放離型襯墊，該離型襯墊在該襯墊表面上包括印痕；及相對於該聚矽氧膜按壓該離型襯墊，藉此使該離型襯墊之該 印痕賦予至該聚矽氧膜之該遠端表面，在該遠端表面中產生該經壓印表面。
  23. 如請求項22之光學總成，其中該聚矽氧膜包含含聚矽氧熱熔型組合物。
  24. 如請求項23之光學總成，其中該聚矽氧膜之厚度大於該光學裝置之厚度。
  25. 如請求項22之光學總成，其中該離型襯墊之該印痕包含主尺寸為大致十(10)奈米至大致五百(500)微米之至少一個空腔。
  26. 如請求項25之光學總成，其中該離型襯墊之該印痕包含複數個實質上大小相等之空腔。
  27. 如請求項26之光學總成，其中該等空腔形成實質上規則圖案。
  28. 如請求項25之光學總成，其中該離型襯墊包含金屬及塑膠中之至少一者。
  29. 如請求項22之光學總成，其進一步包含用熱源向該聚矽氧膜施加熱量以將該聚矽氧膜層壓至該光學裝置。
  30. 如請求項29之光學總成，其中施加熱量至少部分地與按壓該離型襯墊同時進行。
  31. 如請求項30之光學總成，其中該固定件包括真空腔室及薄膜，且其中用該真空腔室按壓該離型襯墊包含在該薄膜之第一側與該薄膜之第二側之間產生壓差，且使該薄膜相對於該聚矽氧膜按壓該離型襯墊。
  32. 一種用於製造光學總成之系統，其包含：經構形以固定光學裝置且使聚矽氧膜相對於該光學表面置放之固定件；襯墊表面經構形以面向該聚矽氧膜之離型襯墊，該離型襯墊在該襯墊表面上包括印痕；及 經構形以相對於該聚矽氧膜按壓該離型襯墊之按壓機構，藉此使該離型襯墊之該印痕賦予至該聚矽氧膜之該遠端表面，在該遠端表面上產生經壓印表面。
  33. 如請求項32之系統，其中該聚矽氧膜包含含聚矽氧熱熔型組合物。
  34. 如請求項33之系統，其中該聚矽氧膜之厚度大於該光學裝置之厚度。
  35. 如請求項32之系統，其中該印痕包含主尺寸為大致十(10)奈米至大致五百(500)微米之至少一個空腔。
  36. 如請求項35之系統，其中該印痕包含複數個實質上大小相等之空腔。
  37. 如請求項36之系統，其中該等空腔形成實質上規則圖案。
  38. 如請求項37之系統，其中該離型襯墊包含金屬及塑膠中之至少一者。
  39. 如請求項32之系統，其進一步包含經構形以向該聚矽氧膜施加熱量以將該聚矽氧膜層壓至該光學裝置之熱源。
  40. 如請求項39之系統，其中該熱源經構形以施加熱量，其至少部分地與該按壓機構相對於該聚矽氧膜按壓該離型襯墊同時進行。
  41. 如請求項40之系統，其中該固定件包括真空腔室且該按壓機構包括薄膜，其中該真空腔室經構形以在該薄膜之第一側與該薄膜之第二側之間產生壓差，且使該薄膜相對於該聚矽氧膜按壓該離型襯墊。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9853193B2 (en) 2014-06-04 2017-12-26 Dow Corning Corporation Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices
TWI762649B (zh) * 2017-06-26 2022-05-01 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 黏晶用固化性矽組合物

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018112702A1 (zh) * 2016-12-19 2018-06-28 陈强 一种热熔敷加工装置
TW201911610A (zh) * 2017-07-27 2019-03-16 美商羅門哈斯電子材料有限公司 聚矽氧組合物及控制光之物件
TWI787326B (zh) * 2017-09-08 2022-12-21 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 密封光半導體元件的製造方法
JP7017359B2 (ja) * 2017-09-29 2022-02-08 Hoya株式会社 光半導体装置
JP7087116B2 (ja) * 2018-06-08 2022-06-20 エルケム・シリコーンズ・シャンハイ・カンパニー・リミテッド 硬化性シリコーン組成物
JP7037070B2 (ja) * 2019-01-11 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7260828B2 (ja) * 2019-01-11 2023-04-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11437551B2 (en) * 2019-03-19 2022-09-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
DE102019109586A1 (de) * 2019-04-11 2020-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches bauelement und verfahren zur montage eines elektronischen bauelements
JP2021161400A (ja) * 2020-03-30 2021-10-11 ダウ・東レ株式会社 硬化性ホットメルトシリコーン組成物、その硬化物、及び前記組成物又は硬化物を含む積層体
EP3929658A1 (en) * 2020-06-23 2021-12-29 Koninklijke Philips N.V. Imprinting method and patterned layer

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255806A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US6183929B1 (en) * 1999-08-02 2001-02-06 Xerox Corporation Functional fusing agent
JP2007502886A (ja) * 2003-08-20 2007-02-15 ダウ・コーニング・コーポレイション カルバゾリル官能基含有ポリシロキサン樹脂、シリコーン組成物、及び有機発光ダイオード
JP2006063092A (ja) * 2004-07-29 2006-03-09 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化方法、光半導体装置および接着促進剤
JP4519762B2 (ja) * 2005-11-21 2010-08-04 リンテック株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
CN101393391B (zh) * 2008-11-06 2011-02-16 上海交通大学 纳米压印装置
SG172062A1 (en) * 2009-01-08 2011-07-28 Asahi Glass Co Ltd Mold-releasing film and method for manufacturing light emitting diode
JP2012061599A (ja) 2009-01-21 2012-03-29 Nissan Chem Ind Ltd ベンゾシクロブテン樹脂のインプリント技術への適用及び当該技術によるパターン形成方法
JP5190996B2 (ja) * 2009-02-17 2013-04-24 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP5671302B2 (ja) * 2009-11-10 2015-02-18 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
WO2011088588A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Honeywell International, Inc. Reactor for quantitative analysis of nucleic acids
JP2013004734A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Asahi Glass Co Ltd 発光装置
JP5992666B2 (ja) * 2011-06-16 2016-09-14 東レ・ダウコーニング株式会社 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物
TWI556473B (zh) * 2011-11-28 2016-11-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝及製作發光二極體封裝之方法
US9006006B2 (en) * 2011-11-29 2015-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method for light-emitting device comprising multi-step cured silicon resin
WO2013109607A1 (en) 2012-01-16 2013-07-25 Dow Corning Corporation Optical article and method of forming
US8841689B2 (en) * 2012-02-03 2014-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method
EP2827361A4 (en) * 2012-03-12 2015-04-15 Asahi Kasei E Materials Corp FORM, PAINT COATING AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR AND MICRORELIEF STRUCTURE
JP6139515B2 (ja) * 2012-05-25 2017-05-31 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP6046395B2 (ja) * 2012-06-29 2016-12-14 東レ・ダウコーニング株式会社 反応性シリコーン組成物、反応性熱可塑体、硬化物、および光半導体装置
JP5960014B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-02 日東電工株式会社 蛍光接着シート、光半導体素子−蛍光体層感圧接着体および光半導体装置
JP6070498B2 (ja) * 2012-12-21 2017-02-01 信越化学工業株式会社 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
CA2907398A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Gary W. Jones Ambient spectrum light conversion device
EP3152619B1 (en) 2014-06-04 2018-03-28 Dow Corning Corporation Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9853193B2 (en) 2014-06-04 2017-12-26 Dow Corning Corporation Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices
TWI762649B (zh) * 2017-06-26 2022-05-01 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 黏晶用固化性矽組合物
US11384268B2 (en) 2017-06-26 2022-07-12 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Curable silicone composition for die bonding use

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