CN106372300B - 可制造性检测分析方法 - Google Patents

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Abstract

一种可制造性检测分析方法，包括：对版图执行整体目标值修正以进行原始版图尺寸整体修正；对修正后的版图进行冗余图形填充以调整图形密度分布；执行图形逻辑运算，对形成目标工艺前置图形的数据图形层次进行数据逻辑运算产生前置目标图形；针对局部版图执行局部目标值修正以进行局部版图尺寸修正；执行基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型处理；对基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型修正过的图形进行模拟以产生刻蚀后轮廓图形；执行轮廓图形的工艺偏差调整；执行轮廓图形切割；执行几何信息提取；对提取的几何信息进行直接分析或者带入到相应工艺模型进行工艺模拟预测；对工艺模拟预测后的结果进行可制造性检测。

Description

可制造性检测分析方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种可制造性检测分析方法。
背景技术
现有的可制造性检测(Manufacturability Check)技术通常通过直接提取产品版图的几何信息，然后将其引入到相应的工艺模型当中进行模拟预(如图1所示)或者直接对其进行统计分析，根据预测和分析结果发现产品中影响产品性能或者良率的版图设计，从而可以在产品流片前优化版图设计，提高产品验证成功率，降低产品验证周期和成本。
然而，实际的工艺前置图形在经历过多道工艺加工后与最初的版图通常会产生偏差。例如，随着工艺节点不断缩小，即使经过光学临近修正，产品版图图形10经过曝光后在实际晶片上也会产生失真的图形20，如图2所示，特别是图形的线端以及二维转角处。此外，曝光后的图形经过刻蚀以后同样也会产生偏差。
如果将直接提取的版图几何信息用于工艺模型模拟预测，如化学机械研磨工艺模型模拟预测，在进行研磨工艺时，由于版图图形经过曝光与刻蚀，与产品最初的版图已经有了偏差，最终将导致不正确的模拟预测结果。
此外，某些工艺的前置图形需通过多次曝光与刻蚀而形成，这就意味着直接引用单一光罩图形无法得到真实的工艺前置图形，从而无法得到正确的工艺模拟预测结果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够提高工艺模拟预测的精确度以及分析的可信度的可制造性检测分析方法。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种可制造性检测分析方法，包括：
第一步骤：针对版图执行整体目标值修正以进行原始版图尺寸整体修正；
第二步骤：对修正后的版图进行冗余图形填充以调整图形密度分布；
第三步骤：针对调整图形密度分布后的版图执行图形逻辑运算，其中对形成目标工艺前置图形的数据图形层次进行数据逻辑运算产生前置目标图形；
第四步骤：针对局部版图执行局部目标值修正以进行局部版图尺寸修正；
第五步骤：执行基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型处理；
第六步骤：对基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型修正过的图形进行模拟以产生刻蚀后轮廓图形；
第七步骤：执行轮廓图形的工艺偏差调整；
第八步骤：执行轮廓图形切割；
第九步骤：执行几何信息提取；
第十步骤：对提取的几何信息进行直接分析或者带入到相应工艺模型进行工艺模拟预测；
第十一步骤：对工艺模拟预测后的结果进行可制造性检测。
优选地，在第一步骤中，对产品原始版图尺寸数据按照预定百分比进行整体放大或者缩小，或将产品原始版图尺寸数据整体加上或者减去预定值，从而得到目标版图。
优选地，在第一步骤中，所述预定百分比是大于0的任意值。
优选地，执行几何信息提取包括：提取周长、密度、权重图形线宽、权重图形间距以及平均分布中心。
优选地，几何信息的直接分析包括线宽、线间距、密度、周长以及表面积的分布分析和线宽、线间距、密度、周长和表面积的梯度分布分析。
优选地，工艺模拟预测包括化学机械研磨工艺模拟、刻蚀工艺模拟以及薄膜沉积工艺模拟。
优选地，所述逻辑运算包括图形的逻辑与、逻辑或、逻辑非、逻辑异或运算中的一种或多种。
优选地，所述局部版图包括版图的局部区域或者版图的特定尺寸图形。
优选地，在第四步骤，对前置目标版图的特定区域目标值进行修正，按照特定百分比对特定区域目标值进行整体放大或者缩小，或者将特定区域目标值整体加上或者减去特定值。
优选地，在第七步骤，对轮廓图形进行整体放大或者缩小，或者整体加上或者减去预定数值。
优选地，基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型是以刻蚀后图形为修正目标的光学临近效应模型。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据现有技术的可制造性检测流程。
图2示意性地示出了根据现有技术的可制造性检测流程得到的产品原始版图与实际晶片上图形的示意。
图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的可制造性检测分析方法的流程图。
图4至图11示意性地示出了根据本发明优选实施例的可制造性检测分析方法的各个步骤的具体示例。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
本发明旨在提供一种引入版图预处理(例如，包括版图图形的尺寸整体和局部修正、图形运算、特定光学临近效应修正模型处理以及基于轮廓图形的工艺偏差调整等)的可制造性检测及分析方法，从而可以得到与晶片相同或者接近的工艺前置图形，然后从中提取用于工艺模拟预测或者统计分析的几何信息，进而避免或者降低产品版图与实际工艺前置图形间的偏差，最终提高工艺模拟预测的精确度以及分析的可信度。
与现有引用直接提取的版图几何信息进行工艺模拟预测不同，本发明首先对原始版图进行预处理，得到与实际工艺前置图形相同或者接近的图形，然后进行几何信息提取，最后将提取的几何信息用于工艺模拟预测。下面将描述本发明的具体优选实施例。
图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的可制造性检测分析方法的流程图。
如图3所示，根据本发明优选实施例的可制造性检测分析方法包括：
第一步骤S1：针对版图执行整体目标值修正以进行原始版图尺寸整体修正；
例如，在第一步骤S1中，对产品原始版图尺寸数据按照预定百分比进行整体放大或者缩小，从而得到目标版图。所述预定百分比是大于0的任意值。或者，在第一步骤S1中，将产品原始版图尺寸数据整体加上或者减去预定值，从而得到目标版图。
在实际的产品版图设计中，初始设计的版图尺寸并不一定是最终形成在晶片上的尺寸，如主节点版图半节点工艺，像55nm/40nm/28nm的工艺产品，实际的产品通常是按照65nm/45nm/32nm的设计规则进行设计的，所以在产品数据导入到代工厂时，产品数据需要根据实际的设计进行版图目标值修正，对原始版图进行整体缩小。
第二步骤S2：对修正后的版图进行冗余图形填充以调整图形密度分布；
第三步骤S3：针对调整图形密度分布后的版图执行图形逻辑运算，其中对形成目标工艺前置图形的数据图形层次进行数据逻辑运算产生前置目标图形。
在实际产品加工过程中，有些工艺的前置图形由多道光罩按照一定顺序进行刻蚀等相关工序而形成的或者并不是由产品数据中某个单一层次构成的。如在金属替换栅极(RMG)工艺中，P MOS栅极AL化学机械研磨工艺的前置图形并不是由前面的多晶硅栅极图直接形成的，多晶硅栅极图形也包含了NMOS的栅极图形，要得到PMOS栅极AL化学机械研磨工艺的前置图形需要将多晶硅栅极图形与PMOS区标记图形通过逻辑与运算产生。又如后段大马士革Cu化学机械研磨工艺的前置图形是由布线主图形以及填充冗余图形通过逻辑或运算产生的。
优选地，所述逻辑运算包括图形的逻辑与、逻辑或、逻辑非、逻辑异或运算中的一种或多种。
第四步骤S4：针对局部版图执行局部目标值修正以进行局部版图尺寸修正；
优选地，所述局部版图包括版图的局部区域或者版图的特定尺寸图形。
在第四步骤S4，对前置目标版图的特定区域目标值进行修正，按照特定百分比对特定区域目标值进行整体放大或者缩小，或者将特定区域目标值整体加上或者减去特定值，从而得到修正前置目标版图。
例如，在光刻工艺中，为了改善某些特定图形(小尺寸的孤立或者半孤立图形)的工艺窗口，通常需要对其目标值进行放大。
第五步骤S5：执行基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型处理；
在第五步骤S5，对修正后的版图进行基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型处理，产生用于光学模拟的光学修正版图。其中基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型是指在光学临近效应修正过程中考虑后续刻蚀工艺所引入的图形偏差，即修正的目标为期望的刻蚀后图形。
第六步骤S6：对基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型修正过的图形进行模拟以产生刻蚀后轮廓图形；
第七步骤S7：执行轮廓图形的工艺偏差调整；
在第七步骤S7，对轮廓图形进行整体放大或者缩小，或者整体加上或者减去某个值，从而得到最终工艺前置图形。
在实际可制造性分析或者检测中，某些工艺的前置图形可能在刻蚀后还要经过其他工序，比如薄膜沉积、氧化、清洗等加工工艺。这些工艺都会改变刻蚀后图形的尺寸。在精确检测和分析中需要将其引入。
第八步骤S8：执行轮廓图形切割；一般，对经过工艺偏差调整后的轮廓图形按照一定窗口大小进行切割。
第九步骤S9：执行几何信息提取；
例如，执行几何信息提取包括：提取周长、密度、权重图形线宽、权重图形间距以及平均分布中心等几何信息。
第十步骤S10：对提取的几何信息进行直接分析或者带入到相应工艺模型进行工艺模拟预测；
例如，几何信息的直接分析包括线宽、线间距、密度、周长以及表面积的分布分析和线宽、线间距、密度、周长和表面积的梯度分布分析等等；工艺模拟预测包括化学机械研磨工艺模拟、刻蚀工艺模拟以及薄膜沉积工艺模拟等。
第十一步骤S11：对工艺模拟预测后的结果进行可制造性检测。其中，例如，对工艺模拟预测的结果进行过滤，找出工艺热点，然后反馈给设计部门进行版图优化。
其中，第一步骤S1至第七步骤S7可以以实际版图处理过程及工艺流程为依据进行选取、排列和组合。
图4至图11示意性地示出了根据本发明优选实施例的可制造性检测分析方法的各个步骤的具体示例。
下面参考图4至图11，以40nm工艺平台STI(浅沟槽隔离)化学机械研磨工艺可制造性检测为例说明本发明的流程及方法。
首先，导入的有源区层版图数据是根据主节点45nm设计规则进行设计的，如图4所示的主版图图形100所示，所以首先对原始版图按照比例因子0.9进行整体缩小产生图5所示修正后的版图200。对修正后的版图进行冗余图形30的填充，如图6所示。然后，将处在不同层次的有源区主版图以及有源区冗余图形进行逻辑或运算产生图7所示的新版图300。
其次，对逻辑运算所产生版图中的特定图形目标值进行局部尺寸修正，如图8所示的逻辑运算后图形400所示。
然后对局部尺寸修正后的有源区版图使用基于刻蚀偏差的光学临近修正模型进行处理(图9的图形500)并模拟得到刻蚀后的有源区轮廓图形600(图10)。
由于刻蚀后的有源区沟槽在沉积STI氧化物前需要经过衬里氧化(lineroxidation)或者进行氮化硅回刻(pull back)，有源区的尺寸会因此缩小，所以最后将前面的有源区轮廓图形进行整体尺寸调整得到衬里氧化后或氮化硅回刻后的轮廓图形700，如图11所示，即STI(浅沟槽)化学机械研磨工艺的前置图形，然后对其提取用于STI化学机械研磨工艺可制造性检测的几何信息：周长、密度以及权重线宽。
因为提取的几何信息基于实际的工艺前置轮廓图形而不是原始版图，因而后续的研磨工艺预测结果更加精确可信。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种可制造性检测分析方法，其特征在于包括：
第一步骤：针对版图执行整体目标值修正以进行原始版图尺寸整体修正；
第二步骤：对修正后的版图进行冗余图形填充以调整图形密度分布；
第三步骤：针对调整图形密度分布后的版图执行图形逻辑运算，其中对形成目标工艺前置图形的数据图形层次进行数据逻辑运算产生前置目标图形；
第四步骤：针对局部版图执行局部目标值修正以进行局部版图尺寸修正；
第五步骤：执行基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型处理；
第六步骤：对基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型修正过的图形进行模拟以产生刻蚀后轮廓图形；
第七步骤：执行轮廓图形的工艺偏差调整；
第八步骤：执行轮廓图形切割；
第九步骤：执行几何信息提取；
第十步骤：对提取的几何信息进行直接分析或者带入到相应工艺模型进行工艺模拟预测；
第十一步骤：对工艺模拟预测后的结果进行可制造性检测。
2.根据权利要求1所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，在第一步骤中，对产品原始版图尺寸数据按照预定百分比进行整体放大或者缩小，或者将产品原始版图尺寸数据整体加上或者减去预定值，从而得到目标版图。
3.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，执行几何信息提取包括：提取周长、密度、权重图形线宽、权重图形间距以及平均分布中心。
4.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，几何信息的直接分析包括线宽、线间距、密度、周长以及表面积的分布分析和线宽、线间距、密度、周长和表面积的梯度分布分析。
5.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，工艺模拟预测包括化学机械研磨工艺模拟、刻蚀工艺模拟以及薄膜沉积工艺模拟。
6.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，所述逻辑运算包括图形的逻辑与、逻辑或、逻辑非、逻辑异或运算中的一种或多种。
7.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，所述局部版图包括版图的局部区域或者版图的特定尺寸图形。
8.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，在第四步骤，对前置目标版图的特定区域目标值进行修正，按照特定百分比对特定区域目标值进行整体放大或者缩小，或者将特定区域目标值整体加上或者减去特定值。
9.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，在第七步骤，对轮廓图形进行整体放大或者缩小，或者整体加上或者减去预定数值。
10.根据权利要求1或2所述的可制造性检测分析方法，其特征在于，其中基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型是以刻蚀后图形为修正目标的光学临近效应模型。
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