CN106315178A - 电子元器件传送装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子元器件难以堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。第1磁力发生部(24a)设置于中游部(23b)的第1侧壁(22a)的侧方。中游部(23b)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔比上游部(23a)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔及下游部(23c)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔要大。第1侧壁22b平坦地通过上游部(23a)、中游部(23b)、下游部(23c)。

Description

电子元器件传送装置

技术领域

本发明涉及电子元器件传送装置。

背景技术

已知有层叠陶瓷电容器作为一种电子元器件。在层叠陶瓷电容器中，层叠有多个内部电极和陶瓷电介质层。

一般而言，将层叠陶瓷电容器安装于基板来使用。在将层叠陶瓷电容器安装于基板时，内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况、和内部电极的层叠方向与基板的表面垂直的情况存在机械强度差，有时寄生电容值不同。

此外，内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况、和内部电极的层叠方向与基板的表面垂直的情况下，有时噪声(acoustic noise)的大小不同。这里，“噪声”是指因所施加的电压变动而产生的层叠陶瓷电容器的失真导致基板发生振动，从而发出的声音。

因此，要求在将内部电极的层叠方向排列在规定的方向的状态下，将层叠陶瓷电容器安装于基板。

专利文献1中记载有将层叠陶瓷电容器排列在规定的方向上的电子元器件传送装置的一个示例。专利文献1所记载的传送装置具有第1传送路径、旋转路径及第2传送路径。旋转路径中设有第1磁体，以向电子元器件施加磁力，使得电子元器件的内部电极朝向规定的方向。旋转路径具有引导壁的间隔随着朝向与第2传送路径相连接的端部而逐渐变窄的过渡引导壁。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2011-018698号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

专利文献1所记载的电子元器件传送装置中具有如下问题：通过旋转路径的电子元器件的姿势发生倾斜，电子元器件易于堵塞。

本发明的主要目的在于，提供一种电子元器件难以堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。

解决技术问题的技术方案

本发明所涉及的电子元器件传送装置包括传送路径及第1磁力发生部。传送路径包含上游部、与上游部相连接的中游部及与中游部相连接的下游部。传送路径包含通过上游部、中游部、下游部的底面、第1侧壁、第2侧壁。第1侧壁和第2侧壁隔着间隔相对。第1磁力发生部设置于中游部的第1侧壁的侧方。中游部的第1侧壁和第2侧壁之间的间隔比上游部的第1侧壁和第2侧壁的间隔、及下游部的第1侧壁和第2侧壁的间隔要大。第1侧壁平坦地通过上游部、中游部、下游部。该情况下，电子元器件以与第1侧壁相接触的状态进行旋转，因此电子元器件的长度方向难以相对于传送方向倾斜。因此，电子元器件难以在中游部堵塞。

本发明所涉及的电子元器件传送装置优选为，中游部包含与下游部相连接的过渡部，过渡部中，第2侧壁相对于传送方向倾斜，第1侧壁和第2侧壁之间的间隔随着接近下游部而变窄。该情况下，能更有效地抑制电子元器件堵塞于中游部。

本发明所涉及的电子元器件传送装置优选为，还包括位于中游部的第2侧壁的侧方，且配置在比第1磁力发生部更靠近下游侧的第2磁力发生部，由第2磁力发生部发生的磁力比第1磁力发生部发生的磁力要弱。

本发明所涉及的电子元器件传送装置优选为，在与传送方向正交的宽度方向上，第1磁力发生部不与包含第2磁力发生部的其他磁力发生部重叠，第2磁力发生部不与包含第1磁力发生部的其他磁力发生部重叠。该情况下，电子元器件变得易于旋转。

本发明所涉及的电子元器件传送装置中，第1磁力发生部可以包含永磁体或电磁体。

本发明所涉及的电子元器件传送装置中，传送路径可以是沿着长度方向对包含层叠的多个内部导体的长方体状的电子元器件进行传送的路径。

发明效果

根据本发明，能提供一种电子元器件难以堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性立体图。

图2是表示本发明的一实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性俯视图。

图3是本发明的一实施方式中传送的电子元器件的示意性立体图。

图4是图3的线IV-IV处的示意性剖视图。

图5是本发明的一实施方式中制造的编带电子元器件串列的示意性剖视图。

具体实施方式

下面，对实施本发明的优选实施方式的一个示例进行说明。但是，下述实施方式仅仅是一个示例。本发明并不限于下述任一实施方式。

此外，在实施方式等所参照的各附图中，以相同的标号来参照实质上具有相同功能的构件。另外，实施方式等所参照的附图是示意性的记载。附图中绘制的物体的尺寸比例等有时与现实物体的尺寸比例等不同。附图相互间的物体的尺寸比例等也可能不同。具体的物体的尺寸比例等应当参考以下的说明来判断。

图1是表示本实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性立体图。图2是表示本实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性俯视图。图1及图2所示的电子元器件传送装置2是对电子元器件1进行传送的装置。所传送的电子元器件1是长方体状的即可，并无特别限定。

具体而言，本实施方式中，对利用电子元器件传送装置2来传送图3及图4所示的电子元器件1的示例进行说明。

图3是本实施方式中传送的电子元器件1的示意性立体图。图4是图3的线IV-IV处的示意性剖视图。

图3及图4所示的电子元器件1是长方体状的电容器。具体而言，电子元器件1是长方体状的层叠陶瓷电容器。本发明适用于易于发生噪声且具有较大的静电电容的电子元器件1，尤其适用于静电电容为1μF以上或10μF以上的电子元器件1。

但是，本发明的电子元器件并不限于电容器。本发明的电子元器件也可以是热敏电阻、电感器等。

电子元器件1包括电子元器件主体10。电子元器件主体10呈近似长方体状。另外，近似长方体除了长方体以外还包含长方体的角部、棱线部为圆形的情况。

电子元器件主体10具有第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、第1及第2端面10e、10f(参照图4。)。第1及第2主面10a、10b分别沿着长度方向L及宽度方向W延伸。长度方向L和宽度方向W正交。第1及第2侧面10c、10d分别沿着长度方向L及厚度方向T延伸。厚度方向T分别与长度方向L及宽度方向W正交。第1及第2端面10e、10f分别沿着宽度方向W及厚度方向T延伸。

沿着电子元器件主体10的长度方向L的尺寸比沿着宽度方向W及厚度方向T的尺寸要大。沿着电子元器件主体10的宽度方向W的尺寸与沿着电子元器件主体10的厚度方向T的尺寸实质相等。具体而言，沿着电子元器件主体10的宽度方向W的尺寸是沿着电子元器件主体10的厚度方向T的尺寸的0.8倍以上1.2倍以下。

具体而言，作为易于利用磁力使电子元器件1旋转的尺寸，本实施方式中，电子元器件主体10的沿着长度方向L的尺寸优选为0.6mm以上2.0mm以下。电子元器件主体10的沿着宽度方向W的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。电子元器件主体10的沿着厚度方向T的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。

为了获得较大的静电电容，电子元器件主体10由强电介质陶瓷构成。作为电介质陶瓷的具体例，例举出例如BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃等。可以根据电子元器件1所要求的特性，在电子元器件主体10中适当添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分。强电介质陶瓷的相对介电常数优选为2000以上，进一步优选为3000以上。该情况下，能在上述电子元器件主体10的尺寸范围内实现1μF以上或10μF以上的静电电容。上述电子元器件1易于产生噪声，能适用于本发明。

如图4所示，在电子元器件主体10的内部作为内部导体设有多个第1内部电极11和多个第2内部电极12。

第1内部电极11和第2内部电极12沿着厚度方向T交替层叠，在厚度方向T上隔着陶瓷部10g相对。从增多内部电极11、12的片数的观点出发，陶瓷部10g的厚度优选为1μm以下。然而，若陶瓷部10g过薄，则有时耐电压性会变低。因此，陶瓷部10g的厚度优选为0.3μm以上。内部电极11、12的合计片数优选为350片以上。

第1内部电极11沿着长度方向L及宽度方向W而设置。第1内部电极11被引出至第1端面10e。第1内部电极11未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、以及第2端面10f。

第2内部电极12沿着长度方向L及宽度方向W而设置。第2内部电极12被引出至第2端面10f。第2内部电极12未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、以及第1端面10e。

第1及第2内部电极11、12分别含有金属，特别是强磁性金属。作为优选使用的强磁性金属的具体例，例举出例如包含Ni、Fe、包含Ni及Fe中的至少一种的合金等。

第1端面10e设有第1外部电极13。第1外部电极13从第1端面10e起到达第1及第2主面10a、10b和第1及第2侧面10c、10d的一部分。第1外部电极13在第1端面10e上与第1内部电极11相连接。

第2端面10f设有第2外部电极14。第2外部电极14从第2端面10f起到达第1及第2主面10a、10b和第1及第2侧面10c、10d的一部分。第2外部电极14在第2端面10f上与第2内部电极12相连接。

第1及第2外部电极13、14分别含有例如Pt、Au、Ag、Cu、Ni、Cr等的至少一种。

接着，参照图1及图2对电子元器件传送装置2进行详细说明。

电子元器件传送装置2包括传送路径20。传送路径20与收容多个电子元器件1的收容部(未图示)相连接。从该收容部向传送路径20提供电子元器件1。在传送路径20内传送的电子元器件1通过未图示的插入部分别被插入到图5所示的互相隔着间隔设置于细长状的载带31的多个凹部31a中。之后，在载带31上配置盖带32。由此来制造具有载带31和盖带32的编带30、和具备收容于凹部31a的电子元器件1的编带电子元器件串列3。

如图1及图2所示，电子元器件1在传送路径20内沿着长度方向L传送。

传送路径20具有底面21、第1侧壁22a、第2侧壁22b。底面21水平设置。第1侧壁22a在底面21的宽度方向上从一个侧端朝着上方延伸。第1侧壁22a垂直于底面21。第2侧壁22b在底面21的宽度方向上从另一个侧端部朝着上方延伸。第2侧壁22b垂直于底面21。

传送路径20具有上游部23a、中游部23b、下游部23c。上游部23a、中游部23b、下游部23c从收容部侧(上游)起朝着插入部侧(下游)按该此顺序依次设置。底面21、第1侧壁22a、第2侧壁22b通过上游部23a、中游部23b及下游部23c。

在上游部23a及下游部23c，以各个电子元器件1无法以长度方向L为轴进行旋转的间隔来设置第1侧壁22a和第2侧壁22b。换言之，在上游部23a及下游部23c中，若将电子元器件1的沿着宽度方向W的尺寸设为W1、沿着厚度方向的尺寸设为T1，则第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P1、P3比W1及T1要大，比{(W1)²+(T1)²}^1/2要小。

另一方面，中游部23b的第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P2比上游部23a及下游部23c的第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P1、P3要大。详细而言，在中游部23b，以电子元器件1能以长度方向L为轴进行旋转的间隔来设置第1侧壁22a和第2侧壁22b。换言之，在中游部23b中，第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P2比{(W1)²+(T1)²}^1/2要大。

中游部23b包含与上游部23a相连接的第1过渡部23b1。第1过渡部23b1中，第2侧壁22b相对于传送方向D倾斜。另一方面，第1侧壁22a平行于传送方向D，从上游部23a到中游部23b是平坦的(平面状)。因此，第1过渡部23b1中，第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔随着远离上游部23a而逐渐变宽。

中游部23b包含与下游部23a相连接的第2过渡部23b2。第2过渡部23b2中，第2侧壁22b相对于传送方向D倾斜。另一方面，第1侧壁22a平行于传送方向D，从中游部23b到下游部23c是平坦的(平面状)。因此，第2过渡部23b2中，第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔随着接近下游部23c而逐渐变窄。

电子元器件传送装置2具有第1磁力发生部24a、第2磁力发生部24b。但本发明中，电子元器件传送装置也可以仅有第1磁力发生部。

第1磁力发生部24a和第2磁力发生部24b分别发生磁力。第1磁力发生部24a和第2磁力发生部24b可分别由例如永磁体、电磁体构成。

第1磁力发生部24a设置于第1侧壁22a的侧方。第1磁力发生部24a对电子元器件1施加磁力，使得在中游部23b中电子元器件1的多个内部电极(内部导体)11、12的层叠方向(下面有时简称为“电子元器件1中的层叠方向”。)朝向规定方向(预先设定的固定的所期望的方向、水平方向或铅直方向)。具体而言，在电子元器件1的层叠方向朝向规定方向的电子元器件1从上游部23a传送而来的情况下，即使对电子元器件1施加第1磁力发生部24a的磁力，电子元器件1的层叠方向也不发生变化(不旋转)。另一方面，在电子元器件1的层叠方向与规定方向正交的电子元器件1从上游部23a传送而来的情况下，第1磁力发生部24a的磁力施加于电子元器件1，电子元器件1以沿着长度方向L延伸的轴为中心进行旋转。其结果是，电子元器件1的层叠方向朝着规定的方向。因此，在下游部23c，以层叠方向朝着规定方向的状态来传送电子元器件1。即，在中游部23b进行使电子元器件1的层叠方向统一的工序。层叠方向经统一后的电子元器件1被传送至下游部23c。

第2磁力发生部24b配置在构成第2侧壁22b的中游部23b的部分的侧方，且配置在比第1磁力发生部24a更靠近下游侧。由第2磁力发生部24b发生的磁力比由第1磁力发生部24a发生的磁力要弱。通过设置该第2磁力发生部24b，通过了第1磁力发生部24a的横向的电子元器件1因第2磁力发生部24b的引力而易于远离第1侧壁22a，从而电子元器件1易于旋转。为了如上所述那样使电子元器件1易于旋转，优选为第1磁力发生部24a和第2磁力发生部24b彼此不相对，即、在与传送方向D正交的宽度方向上不重叠。具体而言，优选为第1磁力发生部24a不与包含第2磁力发生部24b在内的其他磁力发生部重叠，优选为第2磁力发生部24b不与包含第1磁力发生部24a在内的其他磁力发生部重叠。

然而，如专利文献1所记载的那样，在第1侧壁和第2侧壁双方相对于传送方向D倾斜的情况下，电子元器件有时会堵塞于中游部。本发明人通过潜心研究想到其原因在于，被磁力发生部所吸引而处于与侧壁相接状态的电子元器件1通过倾斜的侧壁时，电子元器件1的长度方向与传送方向D发生偏离，并且会旋转。

电子元器件传送装置2中，电子元器件1被第1磁力发生部24a吸引至第1侧壁22a侧。本实施方式中，该第1侧壁22a为平面状(平坦)。详细而言，从上游部23a到下游部23c的第1侧壁22a为平面状。位于第1侧壁22a的上游部23a和下游部23c之间的部分没有阶差部及倾斜部。因此，电子元器件1在第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d与相对于传送方向D平行的平面状的第1侧壁22a相接触的状态下，以长度方向L为轴进行旋转。此外，在电子元器件1进行旋转时，电子元器件1的长度方向L难以相对于传送方向D倾斜。因此，旋转后的电子元器件1难以堵塞在中游部23b。

从更有效地抑制旋转后的电子元器件1在中游部23b发生堵塞的观点出发，优选为在第1过渡部23b1中第2侧壁22b相对于传送方向D倾斜，使得第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔逐渐变窄。

进行了实际实验后，发现以8000个/分以下的速度用电子元器件传送装置2来传送尺寸为1.0mm×0.5mm×0.5mm、电容为2.2μF的电子元器件时，没有发生电子元器件的堵塞。另一方面，在将第1侧壁和第2侧壁双方配置于中游部的外侧以加宽中游部的情况下，发生了电子元器件的堵塞。

标号说明

1电子元器件

2电子元器件传送装置

3编带电子元器件串列

10电子元器件主体

10a第1主面

10b第2主面

10c第1侧面

10d第2侧面

10e第1端面

10f第2端面

10g陶瓷部

11第1内部电极

12第2内部电极

13第1外部电极

14第2外部电极

20传送路径

21底面

22a第1侧壁

22b第2侧壁

23a上游部

23b中游部

23c下游部

23b1第1过渡部

23b2第2过渡部

24a第1磁力发生部

24b第2磁力发生部

30编带

31载带

31a凹部

32盖带

D传送方向

Claims (6)

1.一种电子元器件传送装置，其特征在于，包括：

传送路径；以及

第1磁力发生部，

所述传送路径包含上游部、与所述上游部相连接的中游部及与所述中游部相连接的下游部，

所述传送路径包含通过所述上游部、所述中游部、所述下游部的底面、第1侧壁、及第2侧壁，所述第1侧壁和所述第2侧壁隔着间隔相对，

所述第1磁力发生部设置于所述中游部的所述第1侧壁的侧方，

所述中游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔比所述上游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔、及所述下游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔要大，

所述第1侧壁平坦地通过所述上游部、所述中游部、所述下游部。

2.如权利要求1所述的电子元器件传送装置，其特征在于，

所述中游部包含与所述下游部相连接的过渡部，

所述过渡部中，所述第2侧壁相对于传送方向倾斜，所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔随着接近所述下游部而变窄。

3.如权利要求1或2所述的电子元器件传送装置，其特征在于，

还包括位于所述中游部的所述第2侧壁的侧方，且配置在比所述第1磁力发生部更靠近下游侧的第2磁力发生部，

由所述第2磁力发生部发生的磁力比由所述第1磁力发生部发生的磁力要弱。

4.如权利要求1至3的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，

在与传送方向正交的宽度方向上，所述第1磁力发生部不与包含所述第2磁力发生部的其他磁力发生部重叠，所述第2磁力发生部不与包含所述第1磁力发生部的其他磁力发生部重叠。

5.如权利要求1至4的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，

所述第1磁力发生部包含永磁体或电磁体。

6.如权利要求1至5的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，

所述传送路径沿着长度方向对包含层叠的多个内部导体的长方体状的电子元器件进行传送。