CN106232763B - 液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件 - Google Patents

液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件 Download PDF

Info

Publication number
CN106232763B
CN106232763B CN201580022174.0A CN201580022174A CN106232763B CN 106232763 B CN106232763 B CN 106232763B CN 201580022174 A CN201580022174 A CN 201580022174A CN 106232763 B CN106232763 B CN 106232763B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silica filler
component
package material
liquid package
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580022174.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106232763A (zh
Inventor
小川英晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Namics Corp
Original Assignee
Namics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Namics Corp filed Critical Namics Corp
Publication of CN106232763A publication Critical patent/CN106232763A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106232763B publication Critical patent/CN106232763B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)

Abstract

本发明提供兼具低热膨胀化、对半导体元件与基板之间的间隙的注入性的液状封装材，以及使用液状封装材封装封装部位的电子部件。本发明的液状封装材的特征是包含(A)液状环氧树脂、(B)硬化剂、(C)经2‑(3，4‑环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的平均粒径7～50nm的二氧化硅填料、及(D)平均粒径0.2～5μm的二氧化硅填料；相对于液状封装材的全部成分的合计100质量份，所述(C)成分的二氧化硅填料及所述(D)成分的二氧化硅填料的合计含量为45～77质量份；所述(C)成分的二氧化硅填料与所述(D)成分的二氧化硅填料的配比(质量比)为1∶10.2～1∶559。

Description

液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件
技术领域
本发明涉及适用于要求热硬化性的用途的一液型接着剂的树脂组成物。本发明的树脂组成物适合作为一液型接着剂，在作为移动电话或智能手机的相机模块使用的影像感测器模组、半导体元件、集成电路、大规模集成电路、晶体管、晶闸管、二极管、电容器等电子部件的制造时使用。并且，本发明的树脂组成物也被期待作为半导体装置制造时使用的液状封装材的用途。
背景技术
随着电子机器的小型化、轻量化、高性能化，半导体的安装形态从引线接合型向覆晶型变化。
覆晶型的半导体装置具有经凸块电极使基板上的电极部与半导体元件连接的构造。该构造的半导体装置在加入温度循环等热附加时，因环氧树脂等有机材料制的基板与半导体元件的热膨胀系数差而对凸块电极施加应力，而有凸块电极发生龟裂等不良的问题。为了抑制该不良发生，通过使用被称为底部填充料的液状封装剂封装半导体元件与基板之间的间隙，使两者相互固定来提高耐热循环性的方法被广泛实施。
被用作底部填充料的液状封装剂被要求注入性、接着性、硬化性、保存稳定性等优异，且不发生孔洞。另外，利用液状封装材密封的部位则被要求耐湿性、耐热循环性、耐回焊性、耐龟裂性、耐翘曲等优异。
为了满足上述要求，作为用作底部填充料的液状封装材，已广泛使用以环氧树脂作为主剂的液状封装材。
为了提高利用液状封装材封装的部位的耐湿性及耐热循环性，尤其是耐热循环性，已知有效的是通过在液状封装材中添加由如二氧化硅填料的无机物质构成的填充材(以下称为“填料”)，来进行环氧树脂等有机材料制的基板与半导体元件的热膨胀系数差的控制，或补强凸块电极(参考专利文献1)。
在覆晶型的半导体装置中，随着近年来的低-K层的微细化、焊接凸块的无铅化、Cu柱体化，为了防止因热应力所致的低-K层的破坏、或焊接凸块的龟裂的发生，而对液状封装材要求更进一步的低热膨胀化(降低液状封装材的热膨胀系数)。
其另一方面，有半导体元件与基板的间隙或凸块间的距离变窄的倾向。
使底部填充料低热膨胀化时，需要填料的高填充化(提高填料的填充率)，但随着填料的填充率上升，粘度也增加，因而底部填充料对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
并且，由于二氧化硅填料的表面存在多数的亲水基-硅烷醇基，故其与底部填充料的疏水性成分(例如，作为主剂的环氧树脂)的相溶性并非良好，而有填料在底部填充料中的分散性差的倾向。
在使填料高填充化时，需使用更微细的填料，但随着填料的微细化，使填料的表面积指数函数地增加。其结果是，因上述理由而使填料的分散性恶化，使底部填充料的粘度增加，导致底部填充料对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
另一方面，为了提高无机填充材的调配量，已知有以硅烷偶联剂对无机填料进行表面处理的方法(例如，参考专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-1731103号公报
专利文献2：日本特开平8-20673号公报
发明内容
发明要解决的问题
专利文献2所记载的发明是通过以硅烷偶联剂对无机填料进行表面处理来提高无机填充材的调配量，但以硅烷偶联剂进行表面处理的是平均粒径5～40μm的无机填料。
已知的是，将更微细的粒径为nm等级的无机填料用专利文献2所记载的硅烷偶联剂进行表面处理后，会产生使底部填充料的粘度增加、对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低、或储存稳定性及使用寿命恶化的问题。
为解决上述的先前技术的问题点，本发明的目的在于提供兼具低热膨胀化和对半导体元件与基板之间的间隙的注入性的液状封装材，以及使用液状封装材封装封装部位的电子部件。
用于解决问题的手段
本申请的发明人为达成上述目的而积极研究的结果是，获得了以下见解。
如上所述，由于二氧化硅填料的表面存在多数的亲水基—硅烷醇基，因此与底部填充料的疏水性成分(例如，作为主剂的环氧树脂)的相溶性并非良好，而有填料在底部填充料中的分散性差的倾向。这些硅烷醇基也具有作为路易斯酸作用的活性。由于随着填料的微细化，其表面积指数函数地增加，因此粒径为nm等级的二氧化硅填料的表面积变得远大于平均粒径5～40μm的二氧化硅填料。其结果是，在二氧化硅填料的表面处理时，若使用如专利文献2所记载的活性较高的以往的硅烷偶联剂，存在于二氧化硅填料表面的硅烷醇基会与硅烷偶联剂过度反应，而使底部填充料中的填料分散性恶化，使底部填充料的粘度增加，对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
本发明是基于上述见解而完成的，提供一种液状封装材，其特征是：包含(A)液状环氧树脂、(B)硬化剂、(C)经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的平均粒径7～50nm的二氧化硅填料(1)、及(D)平均粒径0.2～5μm的二氧化硅填料(2)；
相对于液状封装材的全部成分的合计100质量份，所述(C)成分的二氧化硅填料(1)及所述(D)成分的二氧化硅填料(2)的合计含量为45～77质量份；
所述(C)成分的二氧化硅填料(1)与所述(D)成分的二氧化硅填料(2)的配比(质量比)为1:10.2～1:559。
本发明的液状封装材中，优选预先混合所述(A)成分的液状环氧树脂与所述(C)成分的二氧化硅填料(1)。
本发明的液状封装材中，优选地，所述(B)成分的硬化剂为胺系硬化剂。
本发明的液状封装材中，所述(D)成分的二氧化硅填料(2)也可以用硅烷偶联剂予以表面处理。
本发明的液状封装材中，也可以进而含有(E)路易斯碱或其盐。所述(E)成分优选为三苯基膦。
并且，本发明提供一种半导体装置，其具有使用本发明的液状封装材封装的覆晶型半导体元件。
发明的效果
本发明的液状封装材对半导体元件与基板之间的间隙的注入性良好。
并且，本发明的液状封装材由于经低热膨胀化，因此使用本发明的液状封装材封装的半导体装置中，可抑制因热应力所致的低-K层的破坏及在焊接凸块时的龟裂的发生。
具体实施方式
以下，针对本发明的液状封装材加以详细说明。
本发明的树脂组成物含有以下所示的(A)～(D)成分作为必须成分。
(A)液状环氧树脂
(A)成分的液状环氧树脂是作为本发明的液状封装材的主剂的成分。
本发明中，液状环氧树脂意指在常温下为液状的环氧树脂。
本发明中的液状环氧树脂可例示的有：双酚A型环氧树脂的平均分子量约400以下的；如对-缩水甘油氧基苯基二甲基三双酚A缩水甘油醚的分支状多官能双酚A型环氧树脂；双酚F型环氧树脂；酚酚醛清漆型环氧树脂的平均分子量约570以下的；如乙烯基(3,4-环己烯基)二氧化物、3,4-环氧基环己基羧酸(3,4-环氧基环己基)甲酯、己二酸双(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酯)、2-(3,4-环氧基环己基)5,1-螺(3,4-环氧基环己基)-间-二氧化物的脂环式环氧树脂；3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二缩水甘油氧基联苯的联苯型环氧树脂；如六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、3-甲基六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、六氢对苯二甲酸缩水甘油酯的缩水甘油酯型环氧树脂；如二缩水甘油基苯胺、二缩水甘油基甲苯胺、三缩水甘油基-对-胺基苯酚、四缩水甘油基-间-二甲苯基二胺、四缩水甘油基双(胺基甲基)环己烷的缩水甘油基胺型环氧树脂；以及如1,3-二缩水甘油基-5-甲基-5-乙基乙内酰脲的乙内酰脲型环氧树脂；含萘环的环氧树脂。并且，可使用如1,3-双(3-缩水甘油氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的具有硅氧骨架的环氧树脂。再者，也例示有：如(聚)乙二醇二缩水甘油醚、(聚)丙二醇二缩水甘油醚、丁二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、二环己烷二甲醇二缩水甘油醚的二环氧化物化合物；如三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、丙三醇三缩水甘油醚的三环氧化物化合物等。
其中较好为液状双酚型环氧树脂、液状胺基酚型环氧树脂、聚硅氧改性环氧树脂、萘型环氧树脂。进而优选为液状双酚A型环氧树脂、液状双酚F型环氧树脂、对-胺基酚型液状环氧树脂、1,3-双(3-缩水甘油氧基丙基)四甲基二硅氧烷。
作为(A)成分的液状环氧树脂可以单独使用也可以并用2种以上。
并且，即使是常温下为固体的环氧树脂，通过与液状环氧树脂并用混合物呈液状的情况下，也可以使用。
(B)硬化剂
(B)成分的硬化剂，只要是环氧树脂的硬化剂，则无特别限定，可使用公知的，可以使用酸酐系硬化剂、胺系硬化剂及酚系硬化剂的任一种。
作为酸酐系硬化剂的具体例，可例示的有：甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐等烷基化四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、甲基降冰片烯二酸酐、经烯基取代的琥珀酸酐、甲基纳迪克酸酐、戊二酸酐等。
胺系硬化剂的具体例举例为：如三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、间-二甲苯二胺、三甲基六亚甲基二胺、2-甲基五亚甲基二胺等脂肪族聚胺；如异佛尔酮二胺、1,3-双胺基甲基环己烷、双(4-胺基环己基)甲烷、降冰片烯二胺、1,2-二胺基环己烷等脂环式聚胺；如N-胺基乙基哌嗪、1,4-双(2-胺基-2-甲基丙基)哌嗪等哌嗪型聚胺；如二乙基甲苯二胺、二甲硫基甲苯二胺、4,4’-二胺基-3,3’-二乙基二苯基甲烷、双(甲硫基)甲苯二胺、二胺基二苯基甲烷、间-苯二胺、二胺基二苯基砜、二乙基甲苯二胺、三亚甲基双(4-胺基苯甲酸酯)、聚四亚甲基氧化物-二-对-胺基苯甲酸酯等芳香族聚胺类。并且，作为市售品举例为T-12(商品名，三洋化成工业制)(胺当量116)。
作为酚系硬化剂的具体例，是指具有酚性羟基的单体、寡聚物、聚合物全部，举例有：例如酚酚醛清漆树脂及其烷化物或烯丙化物、甲酚酚醛清漆树脂、酚芳烷基(包含伸苯基、联伸苯基骨架)树脂、萘酚芳烷基树脂、三酚甲烷树脂、二环戊二烯型酚树脂等。
这些硬化剂中，胺系硬化剂由于耐湿性及耐热循环性优异，故而较佳。其中，二乙基甲苯二胺、二甲硫基甲苯二胺、4,4’-二胺基-3,3’-二乙基二苯基甲烷，基于耐热性、机械特性、密着性、电特性、耐湿性的观点而言为较佳。并且，基于常温下呈现液状这一点而言，作为液状封装材的硬化剂也较佳。
(B)成分的硬化剂可以单独使用，也可以并用2种以上。
本发明的液状封装材中，(B)成分的硬化剂的配比并未特别限定，但较好相对于(A)成分的液状环氧树脂的环氧基1当量，为0.5～1.6当量，更好为0.6～1.3当量。
(C)：二氧化硅填料(1)
(D)：二氧化硅填料(2)
(C)成分的二氧化硅填料(1)及(D)成分的二氧化硅填料(2)是基于提高封装的部位的耐湿性及耐热循环性，尤其是耐热循环性为目的而添加在液状封装材中的。通过添加二氧化硅填料来提高耐热循环性，是通过降低线膨胀系数，而可抑制因热循环所致的液状封装材的硬化物的膨胀·收缩。
本发明的液状封装材中，并用作为(C)成分的平均粒径为7～50nm的二氧化硅填料(1)与作为(D)成分的平均粒径为0.2～5μm的二氧化硅填料(2)的平均粒径互不相同的2种二氧化硅填料。并用平均粒径互不相同的2种二氧化硅填料的理由如下。
仅着眼于二氧化硅填料，考虑二氧化硅填料接近最密填充状态时，并用平均粒径互不相同的2种二氧化硅填料，即使用多成分粒径的二氧化硅填料时比仅使用平均粒径为相同范围的二氧化硅填料即单一粒径的二氧化硅填料更佳。这是因为，粒径更小的二氧化硅填料会进入粒径较大的二氧化硅填料彼此的间隙中，藉此能够更密地填充二氧化硅填料。作为二氧化硅填料单体，所谓接近最密填充状态是指在以该二氧化硅填料作为成分的液状封装材中，由于二氧化硅填料彼此的间隙扩大而提高分散性。这是因为有助于液状封装材的流动性的树脂成分变多。结果使液状封装材粘度变低，而对半导体元件与基板之间的间隙的注入性提高。基于上述理由，(C)成分的二氧化硅填料(1)与(D)成分的二氧化硅填料(2)的平均粒径的差较大较好。
(C)成分的二氧化硅填料(1)由于平均粒径为7～50nm，因此为了提高在液状封装材中的分散性，必须使用以硅烷偶联剂预先进行表面处理的二氧化硅填料。但如上述，粒径为nm等级的二氧化硅填料与专利文献2所记载的平均粒径5～40μm的二氧化硅填料相比，其表面积远远较大，因此在使用如专利文献2所记载的活性较高的先前硅烷偶联剂时，存在于二氧化硅填料表面的硅烷醇基会与硅烷偶联剂过度反应，而使液装封装材中的二氧化硅填料的分散性恶化，使液状封装材的粘度增加，且对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
相对于此，本发明的液状封装材中，作为(C)成分的二氧化硅填料(1)，使用经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷预先表面处理的二氧化硅填料。
2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷具有下述式所示的构造，在末端存在环状环。
[化1]
由于该环状环所致的立体障碍，其活性比专利文献2所记载的先前使用的缩水甘油醚型硅烷偶联剂的缩水甘油基更受到限制。因此，二氧化硅填料的表面所存在的硅烷醇基与作为硅烷偶联剂的2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷可适度反应，而使液状封装材中的分散性良好。因此，液状封装材的粘度不会增加，而对半导体元件与基板之间的间隙的注入性良好。
作为硅烷偶联剂，使用2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷对二氧化硅填料进行表面处理的方法并未特别限定，例如可以通过搅拌法、湿式法、干式法等来实施。
搅拌法是预先将硅烷偶联剂与二氧化硅填料置于搅拌装置中，以适当条件搅拌的方法，作为上述搅拌装置，可使用亨歇尔混合机等可高速旋转而搅拌·混合的混合机，但未特别限定。
湿式法是通过将相对于欲进行表面处理的二氧化硅填料的表面积为足量的硅烷偶联剂溶解在水或有机溶剂中，然后将作为硅烷偶联剂的化合物即2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷水解，而成为表面处理溶液。对于所得表面处理溶液添加二氧化硅填料，搅拌成为浆状。通过搅拌使硅烷偶联剂与二氧化硅填料充分反应后，通过过滤或离心分离等方法，使二氧化硅填料从表面处理溶液分离，并加热干燥。
干式法是使硅烷偶联剂的原液或溶液均一分散在利用搅拌装置高速搅拌着的二氧化硅填料中而处理的方法。作为上述搅拌装置，可以使用亨歇尔混合机等可高速旋转而搅拌·混合的混合机，但未特别限定。
并且，上述搅拌法、湿式法、干式法以外，也可以适用例如将硅烷偶联剂直接添加于将二氧化硅填料分散于溶剂中而成的二氧化硅填料分散液中，使二氧化硅填料表面改性的整体掺混法。
(C)成分的二氧化硅填料(1)的平均粒径未达7nm时，由于该二氧化硅填料的比表面积指数函数地增加，故液状封装材中的(C)成分的二氧化硅填料(1)的分散性恶化，对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
另一方面，(C)成分的二氧化硅填料(1)的平均粒径超过50nm时，由于与(D)成分的二氧化硅填料(2)的平均粒径之差变小，故液状封装材中(C)成分的二氧化硅填料(1)与(D)成分的二氧化硅填料(2)两者的分散性降低，对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
(C)成分的二氧化硅填料(1)的平均粒径优选为7～15nm。
(C)成分的二氧化硅填料(1)的形状并未特别限定，可以为粒状、粉末状、鳞片状等任一形态。并且，二氧化硅填料的形状为粒状以外时，所谓二氧化硅填料的平均粒径意指二氧化硅填料的平均最大径。
但是，基于在液状封装材中的二氧化硅填料的分散性及液状封装材的注入性提高，并且二氧化硅填料更接近最密填充状态的观点而言，成为真球度0.8以上的略真球状的形状为较佳。本说明书中的“真球度”定义为“粒子的最小径相对于最大径之比”。例如，以扫描型电子显微镜(SEM)观察的结果，只要所观测的最小径相对于最大径之比为0.8以上即可。(C)成分的二氧化硅填料的真球度优选为0.9以上。
(D)成分的二氧化硅填料(2)由于平均粒径为0.2～5μm，因此即使未经表面处理，在液状封装材中的分散性也不成问题。但是，使用经硅烷偶联剂预先表面处理的二氧化硅填料时，由于提高在液状封装材中的分散性，故适宜于增加(D)成分的二氧化硅填料(2)的含量。
(D)成分的二氧化硅填料(2)的表面处理可以使用乙烯系、缩水甘油氧系、甲基丙烯酸系、胺系、硫醇系等各种硅烷偶联剂。
关于利用硅烷偶联剂的二氧化硅填料的表面处理方法，与关于(C)成分的二氧化硅填料(1)所记载的相同。
(D)成分的二氧化硅填料(2)的平均粒径未达0.2μm时，由于如前述比表面积指数函数地增加，因此液状封装材的粘度升高，对半导体元件与基板的间隙的注入性降低。
另一方面，(D)成分的二氧化硅填料(2)的平均粒径超过5μm时，由于相对于半导体元件与基板的间隙二氧化硅填料的尺寸过大，在注入时夹带孔洞成为问题。
(D)成分的二氧化硅填料(2)的平均粒径更优选为0.25～0.6μm。
关于(D)成分的二氧化硅填料(2)的形状与关于(C)成分的二氧化硅填料(1)所记载的相同。
本发明的液状封装材中，相对于液状封装材的全部成分的合计100质量份，(C)成分的二氧化硅填料(1)与(D)成分的二氧化硅填料(2)的合计含量为45～77质量份。
二氧化硅填料(1)、(2)的合计含量未达45质量份时，液状封装材的线膨胀系数变大，经液状封装材封装的部位的耐热循环性降低。
另一方面，二氧化硅填料(1)、(2)的合计含量超过77质量份时，液状封装材的粘度增加，对半导体元件与基板的间隙的注入性降低。
二氧化硅填料(1)、(2)的合计含量更优选为50～70质量份。
本发明的液状封装材中，(C)成分的二氧化硅填料(1)与(D)成分的二氧化硅填料(2)的配比(质量比)为1:10.2～1:559。
二氧化硅填料(1)的配比若多于1:10.2，则液状封装材中的二氧化硅填料(1)的分散性恶化，液状封装材的粘度增加，对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
另一方面，二氧化硅填料(1)的配比若少于1:559，则液状封装材中的二氧化硅填料(1)、(2)的分散性恶化，或二氧化硅填料(2)的分散性恶化，对半导体元件与基板之间的间隙的注入性降低。
二氧化硅填料(1)、(2)的配比更优选为1:17.7～1:111，进一步优选为1:17.7～1:76。
本发明的液状封装材中，除上述(A)～(D)成分以外，也可以根据需要含有以下所述的成分。
(E)：路易斯碱或其盐
本发明的液状封装材也可以含有路易斯碱或其盐作为(E)成分。
如上述，(C)成分的二氧化硅填料(1)及(D)成分的二氧化硅填料(2)的表面存在多数亲水基—硅烷醇基。这些硅烷醇基也具有作为路易斯酸作用的活性。
通过含有路易斯碱或其盐作为(E)成分，而抑制二氧化硅填料(1)、(2)的表面存在的硅烷醇基的路易斯酸活性。藉此，进一步提高液状封装材中的二氧化硅填料(1)、(2)的分散性。藉此，进一步提高对半导体元件与基板之间的间隙的注入性。
作为(E)成分的路易斯碱或其盐，可使用咪唑类、二氮杂双环壬烯、二氮杂双环十一碳烯等胺化合物或它们的盐、三苯基膦、二苯基膦、苯基膦等膦化合物或它们的盐。
其中，三苯基膦由于可对二氧化硅填料表面的硅烷醇基有效作用，且液状封装材的储存稳定性优异故而较佳。
作为(E)成分，含有路易斯碱时，本发明的液状封装材中的路易斯碱的含量，相对于(C)成分的二氧化硅填料(1)及(D)成分的二氧化硅填料(2)的合计量100质量份，优选为0.1～0.8质量份，更优选为0.2～0.5质量份。
(其他调配剂)
本发明的液状封装材也可以根据需要进而含有上述成分(A)～(E)成分以外的成分。作为这种成分的具体例，可以调配弹性体、硬化促进剂、金属错合物、调平剂、着色剂、离子捕捉剂、消泡剂、难燃剂等。各调配剂的种类、调配量如常用方法。
(液状封装材的调制)
本发明的液状封装材通过混合上述(A)～(D)成分、和(E)成分(若含有时进一步添加)、以及进而根据需要调配的其他调配剂，并搅拌而调制。
混合搅拌可使用辊磨机进行，但是，当然未限定于此。(A)成分的环氧树脂为固形时，优选通过加热等使其液状化或流动化后予以混合。
各成分可以同时混合，也可以先混合一部分，随后混合其余成分等，也可以适当变更。对于(A)成分的液状环氧树脂，(C)成分的二氧化硅填料(1)难以均一分散时，也可以先混合(A)成分的液状环氧树脂与(C)成分的二氧化硅填料(1)，随后混合其余成分，也可以先混合(A)成分的液状环氧树脂与(C)成分的二氧化硅填料(1)，随后混合其余成分。
接着描述本发明的液状封装材的特性。
优选地，本发明的液状封装材(1)、(2)在常温(25℃)的粘度为200Pa·s以下，作为底部填充料使用时的注入性良好。
更优选地，本发明的液状封装材在常温(25℃)的粘度为100Pa·s以下。
并且，本发明的液状封装材作为底部填充料使用时，利用毛细管流动的注入性良好。具体而言，以后述实施例所记载的顺序评价对间隙的注入性时，优选地，注入时间为1200秒以下。
接着，举例作为底部填充料的使用，来说明本发明的液状封装材的使用方法。
本发明的液状封装材作为底部填充料使用时，按以下顺序在基板与半导体元件之间的间隙填充本发明的液状封装材。
边将基板加热至例如70～130℃，边在半导体元件的一端涂布本发明的液状封装材时，通过毛细管现象，本发明的液状封装材被填充到基板与半导体元件之间的间隙。此时，为了缩短本发明的液状封装材填充所需的时间，也可以使基板倾斜，在该间隙内外产生压力差。
在该间隙中填充本发明的液状封装材后，使该基板在特定温度加热特定时间，具体而言在80～200℃加热0.2～6小时，使液状封装材加热硬化，而封装该间隙。
本发明的半导体装置使用本发明的液状封装材作为底部填充料，按上述顺序对封装部位即基板与半导体元件之间的间隙予以封装。此处，作为进行封装的半导体元件，为集成电路、大规模集成电路、晶体管、晶闸管及二极管及电容器等，而未特别限定。
实施例
以下，通过实施例详细说明本发明，但本发明并非限定于这些。
(实施例1～15、比较例1～6)
按照下述表中所示的配比，使用辊混合机捏合原料，调制实施例1～15、比较例1～6的液状封装材。但先混合(A)成分的液状环氧树脂与(C)成分的二氧化硅填料(1)，随后混合其余成分。并且，表中各组成有关的数值表示质量份。
(A)环氧树脂
环氧树脂A-1：双酚F型环氧树脂，制品名YDF8170，新日铁化学株式会社制，环氧当量158
环氧树脂A-2：胺基酚型环氧树脂，制品名jER630，三菱化学株式会社制，环氧当量94g/eq
环氧树脂A-3：1,4-己烷二甲醇二缩水甘油醚，制品名EP-4085S，株式会社ADEKA制，环氧当量135g/eq
(B)硬化剂
硬化剂B-1：4,4’-二胺基-3,3’-二乙基二苯基甲烷，制品名KAYAHARD A-A，日本化药株式会社制
硬化剂B-2：二乙基甲苯二胺，制品名ETHACURE 100，Albemarle日本株式会社制
硬化剂B-3：二甲硫基甲苯二胺，制品名HARTCURE30，Jonson Fine Chemical制
(C)二氧化硅填料(1)
二氧化硅填料C-1：经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的二氧化硅填料(平均粒径：7nm)，制品名YN010A-JGP，株式会社ADMATECHS制
二氧化硅填料C-2：经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的二氧化硅填料(平均粒径：10nm)，制品名YA010A-JGP，株式会社ADMATECHS制
二氧化硅填料C-3：经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的二氧化硅填料(平均粒径：50nm)，制品名YA050A-JGP，株式会社ADMATECHS制
二氧化硅填料C-4：经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的二氧化硅填料(平均粒径：100nm)，制品名YC100A-JGP，株式会社ADMATECHS制
二氧化硅填料C-5：表面未处理的二氧化硅填料(平均粒径12nm)，制品名R200，Evonik Industries AG制
二氧化硅填料C-6：经三甲基硅烷基表面处理的二氧化硅填料(平均粒径12nm)，制品名RX200，Evonik Industries AG制
二氧化硅填料C-7：经辛基硅烷基表面处理的二氧化硅填料(平均粒径12nm)，制品名R805，Evonik Industries AG制
(D)二氧化硅填料(2)
二氧化硅填料D-1：表面未处理的二氧化硅填料(平均粒径：0.3μm)，制品名SP-03B，扶桑化学株式会社制
二氧化硅填料D-2：经硅烷偶联剂(3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷)表面处理的二氧化硅填料(平均粒径：0.25μm)，制品名SE1053-SEO，株式会社ADMATECHS制
二氧化硅填料D-3：经硅烷偶联剂(3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷)表面处理的二氧化硅填料(平均粒径：0.5μm)，制品名SE2200-SEE，株式会社ADMATECHS制
二氧化硅填料D-4：经硅烷偶联剂(3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷)表面处理的二氧化硅填料(平均粒径：1.5μm)，制品名SE5050-SEJ，株式会社ADMATECHS制
(E)路易斯碱
路易斯碱E-1：三苯基膦，制品名TPP，北兴化学工业株式会社制
将所调制的液状封装材作为评价用试料实施以下评价。
(粘度)
使用Brookfield粘度计，在液温25℃、50rpm下测定刚调制后的评价用试料的粘度。
(触变指数(T.I.))
使用Brookfield公司制的旋转粘度计HBDV-1(使用转子SC4-14)，在5rpm测定25℃的粘度(Pa·s)及在50rpm测定25℃的粘度(Pa·s)，将在5rpm测定的粘度的测定值除以在50rpm测定的粘度的测定值所得的值(5rpm的粘度相对于50rpm的粘度之比)表示为触变指数。
(注入性)
在有机基板(FR-4基板)上，设置20μm或50μm的间隙，代替半导体元件而固定玻璃板制作试验片。将该试验片置于设定在110℃的加热板上，在玻璃板的一端侧涂布液状封装材，测定注入距离达到20mm的时间。该顺序实施2次，将测定值的平均值作为注入时间的测定值。
表1
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 实施例7
环氧树脂A-1 32.3 32.3 32.3 3 3 32.5 32.08
环氧树脂A-2 24.8
环氧树脂A-3 28
硬化剂B-1 11.7 11.7 11.7 16.2 13 5.75 11.7
硬化剂B-2
硬化剂B-3 5.75
二氧化硅填料C-1 1
二氧化硅填料C-2 1 1 1 1 1
二氧化硅填料C-3 1
二氧化硅填料C-4
二氧化硅填料C-5
二氧化硅填料C-6
二氧化硅填料C-7
二氧化硅填料D-1 55 55 55 55 55 55 55
二氧化硅填料D-2
二氧化硅填料D-3
二氧化硅填料D-4
路易斯碱E-1 0.22
合计 100 100 100 100 100 100 100
二氧化硅填料含量 56 56 56 56 56 56 56
硬化剂当量/环氧当量 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9
粘度(50rpm)[Pa·s] 70.0 73.0 65.0 26.4 1.9 22.2 33.4
T.I. 0.4 0.41 0.43 0.53 1.32 0.54 0.48
20mm注入性(110℃)
50μm 350 357 400 188 121 195 243
20μm 669 673 802 328 220 327 382
表2
表3
比较例1 比较例2 比较例3 比较例4 比较例5 比较例6
环氧树脂A-1 32.3 32.3 32.3 32 32 32.2
环氧树脂A-2
环氧树脂A-3
硬化剂B-1 11.7 11.7 11.7 11.7 12 11.77
硬化剂B-2
硬化剂B-3
二氧化硅填料C-1
二氧化硅填料C-2 0 10
二氧化硅填料C-3
二氧化硅填料C-4 1
二氧化硅填料C-5 1
二氧化硅填料C-6 1
二氧化硅填料C-7 1
二氧化硅填料D-1 55 55 55 55 56 46
二氧化硅填料D-2
二氧化硅填料D-3
二氧化硅填料D-4
路易斯碱E-1
合计 100 100 100 100 100 100
二氧化硅填料含量 56 56 56 56 56 56
硬化剂当量/环氧当量 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9
粘度(50rpm)[Pa·s] 61.8 >200 189.2 >200 85.4 >200
T.I. 0.42 错误 0.31 错误 0.44 错误
20mm注入性(110℃)
50μm 9mm 8mm 6mm 5mm 9mm 17mm
20μm 14mm 12.5mm 10.5mm 11mm 15mm 13mm
实施例1～15的液状封装材在液温25℃、50rpm下测定的粘度、触变指数(T.I.)、20mm注入性的评价结果均为良好。
在含有路易斯碱(三苯基膦)作为(E)成分的实施例7中，液状封装材的物性(粘度、T.I.、20mm注入性)进一步提高。
并且，在使用经硅烷偶联剂表面处理的二氧化硅填料作为(D)成分的二氧化硅填料(2)的实施例13～15中，液状封装材的物性(粘度、T.I.、20mm注入性)不受损害，可以增加二氧化硅填料(2)的含量。
另一方面，使用平均粒径超过50nm(100nm)的二氧化硅填料作为(C)成分的二氧化硅填料(1)的比较例1，液状封装材的20mm注入性差。使用未经表面处理的二氧化硅填料作为(C)成分的二氧化硅填料(1)的比较例2、经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷以外的硅烷偶联剂进行表面处理的比较例3、4、以及(C)成分的二氧化硅填料(1)的配比相对于(D)成分的二氧化硅填料(2)多于1:10.2的比较例5，液状封装材的物性(粘度、T.I.、20mm注入性)差。

Claims (5)

1.一种液状封装材，其特征在于，包含(A)液状环氧树脂、(B)硬化剂、(C)经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的平均粒径7～50nm的二氧化硅填料、(D)平均粒径0.2～5μm的二氧化硅填料、及(E)三苯基膦；
相对于液状封装材的全部成分的合计100质量份，所述(C)成分的二氧化硅填料及所述(D)成分的二氧化硅填料的合计含量为45～77质量份；
所述(C)成分的二氧化硅填料与所述(D)成分的二氧化硅填料的质量比为1:17.7～1:76。
2.如权利要求1记载的液状封装材，其中，预先混合所述(A)成分的液状环氧树脂与所述(C)成分的经2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的平均粒径7～50nm的二氧化硅填料。
3.如权利要求1记载的液状封装材，其中，所述(B)成分的硬化剂为胺系硬化剂。
4.如权利要求1记载的液状封装材，其中，所述(D)成分的二氧化硅填料以硅烷偶联剂予以表面处理。
5.一种半导体装置，其具有使用权利要求1记载的液状封装材封装的覆晶型半导体元件。
CN201580022174.0A 2014-05-16 2015-03-20 液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件 Active CN106232763B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-101923 2014-05-16
JP2014101923A JP6415104B2 (ja) 2014-05-16 2014-05-16 液状封止材、それを用いた電子部品
PCT/JP2015/058558 WO2015174141A1 (ja) 2014-05-16 2015-03-20 液状封止材、それを用いた電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106232763A CN106232763A (zh) 2016-12-14
CN106232763B true CN106232763B (zh) 2018-05-11

Family

ID=54479686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580022174.0A Active CN106232763B (zh) 2014-05-16 2015-03-20 液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9994729B2 (zh)
JP (1) JP6415104B2 (zh)
KR (1) KR102337127B1 (zh)
CN (1) CN106232763B (zh)
MY (1) MY184315A (zh)
TW (1) TWI667267B (zh)
WO (1) WO2015174141A1 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6789495B2 (ja) * 2015-10-07 2020-11-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
DE102015120557A1 (de) * 2015-11-26 2017-06-01 Daimler Ag Pigmentpartikel mit einer Oberflächenbeschichtung und Beschichtungszusammensetzung mit solchen Pigmentpartikeln
JP6822651B2 (ja) * 2016-09-16 2021-01-27 ナミックス株式会社 シリカフィラーの表面処理方法、それにより得られたシリカフィラー、および、該シリカフィラーを含有する樹脂組成物
JP7231821B2 (ja) * 2016-10-14 2023-03-02 株式会社レゾナック 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2018104634A (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 ナミックス株式会社 表面処理シリカフィラー、および表面処理シリカフィラーを含有する樹脂組成物
CN106862039B (zh) * 2017-01-18 2020-05-22 华南理工大学 一种耐久性的亲水-超疏水双极自洁复合膜及其制备方法
KR102049024B1 (ko) * 2017-03-22 2019-11-26 주식회사 엘지화학 반도체 패키지용 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판
KR102057255B1 (ko) * 2017-03-22 2019-12-18 주식회사 엘지화학 반도체 패키지용 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판
CN113410182A (zh) * 2017-03-31 2021-09-17 日立化成株式会社 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法
GB201711192D0 (en) * 2017-07-12 2017-08-23 Hexcel Composites Ltd Improvements in resin curative systems
CN107974225A (zh) * 2017-12-07 2018-05-01 深圳市力邦新材料科技有限公司 一种电子贴片胶及其制备方法
JP7148946B2 (ja) 2017-12-21 2022-10-06 ナミックス株式会社 樹脂組成物
TWI811215B (zh) * 2018-04-13 2023-08-11 日商力森諾科股份有限公司 密封用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法
JPWO2019198242A1 (ja) * 2018-04-13 2021-05-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP7404620B2 (ja) * 2018-10-25 2023-12-26 株式会社レゾナック 液状樹脂組成物並びに電子部品装置及びその製造方法
CN109971127A (zh) * 2019-03-29 2019-07-05 武汉市三选科技有限公司 扇出形晶圆级封装用液态封装材料降低粘度的方法及获得的液态封装材料
JP7099490B2 (ja) * 2020-05-07 2022-07-12 昭和電工マテリアルズ株式会社 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置
KR102605531B1 (ko) * 2021-11-02 2023-11-22 (재)울산테크노파크 에폭시접착제 조성물 및 그 제조방법
KR20230102200A (ko) 2021-12-30 2023-07-07 솔루스첨단소재 주식회사 고굴절 고접착성 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 봉지재
KR20230102199A (ko) 2021-12-30 2023-07-07 솔루스첨단소재 주식회사 고굴절 고접착성 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 봉지재
KR20230102201A (ko) 2021-12-30 2023-07-07 솔루스첨단소재 주식회사 고온안정성 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 봉지재

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11166105A (ja) * 1997-12-02 1999-06-22 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物
JP2000319633A (ja) * 1999-05-12 2000-11-21 C I Kasei Co Ltd エポキシ樹脂系封止材料用シリカ系充填材
JP2004111519A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Kyocera Chemical Corp フリップチップ接続用熱圧着接着剤
WO2009008283A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Arakawa Chemical Industries, Ltd. 光半導体封止用組成物
JP2011014885A (ja) * 2009-06-01 2011-01-20 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 多層半導体装置用アンダーフィル材のダム材組成物、及び該ダム材組成物を用いた多層半導体装置の製造方法
JP2011202177A (ja) * 2009-09-30 2011-10-13 Sekisui Chem Co Ltd 半導体接合用接着剤、半導体接合用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3033445B2 (ja) 1994-07-05 2000-04-17 信越化学工業株式会社 樹脂用無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物
JPH10173103A (ja) 1996-12-13 1998-06-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP4538882B2 (ja) * 2000-02-22 2010-09-08 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN102850721A (zh) 2005-11-25 2013-01-02 日立化成工业株式会社 电子零件用液状树脂组合物及电子零件装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11166105A (ja) * 1997-12-02 1999-06-22 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物
JP2000319633A (ja) * 1999-05-12 2000-11-21 C I Kasei Co Ltd エポキシ樹脂系封止材料用シリカ系充填材
JP2004111519A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Kyocera Chemical Corp フリップチップ接続用熱圧着接着剤
WO2009008283A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Arakawa Chemical Industries, Ltd. 光半導体封止用組成物
JP2011014885A (ja) * 2009-06-01 2011-01-20 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 多層半導体装置用アンダーフィル材のダム材組成物、及び該ダム材組成物を用いた多層半導体装置の製造方法
JP2011202177A (ja) * 2009-09-30 2011-10-13 Sekisui Chem Co Ltd 半導体接合用接着剤、半導体接合用接着フィルム、半導体チップの実装方法及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9994729B2 (en) 2018-06-12
US20170145251A1 (en) 2017-05-25
MY184315A (en) 2021-04-01
TW201544519A (zh) 2015-12-01
JP6415104B2 (ja) 2018-10-31
KR102337127B1 (ko) 2021-12-07
JP2015218229A (ja) 2015-12-07
WO2015174141A1 (ja) 2015-11-19
KR20170008210A (ko) 2017-01-23
TWI667267B (zh) 2019-08-01
CN106232763A (zh) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106232763B (zh) 液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件
CN102675599B (zh) 半导体装置的制造方法
TWI579331B (zh) 液狀密封材料、使用其之電子零件
TWI726921B (zh) 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法
CN106687496A (zh) 液态环氧树脂组合物、半导体封装剂、半导体装置和液态环氧树脂组合物制造方法
JP2013127039A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3707531B2 (ja) フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置
JP3925803B2 (ja) フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
TWI512035B (zh) 液狀環氧樹脂組成物
JP2005105243A (ja) フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
WO2018198992A1 (ja) 液状封止樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP6388228B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JP6039837B2 (ja) 液状封止材、それを用いた電子部品
JP7251583B2 (ja) 封止用樹脂組成物、硬化物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP5963131B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2024064082A (ja) エポキシ樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2019214644A (ja) ディップ用先供給型半導体封止材、それを用いた半導体装置
JP2019038955A (ja) 高耐熱樹脂硬化物用組成物、それを用いた電子部品及び半導体装置
CN107001768A (zh) 铜凸块用液态密封材料及其所使用的树脂组合物
JP2018172549A (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及びその製造方法
JP2018172550A (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant