TWI512035B - 液狀環氧樹脂組成物 - Google Patents

液狀環氧樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
TWI512035B
TWI512035B TW101108414A TW101108414A TWI512035B TW I512035 B TWI512035 B TW I512035B TW 101108414 A TW101108414 A TW 101108414A TW 101108414 A TW101108414 A TW 101108414A TW I512035 B TWI512035 B TW I512035B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
epoxy resin
component
resin composition
liquid epoxy
liquid
Prior art date
Application number
TW101108414A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201242995A (en
Inventor
Hiroki Honma
Hiroki Myoudou
Tsutomu Masuko
Hirokazu YAGINUMA
Original Assignee
Namics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Namics Corp filed Critical Namics Corp
Publication of TW201242995A publication Critical patent/TW201242995A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI512035B publication Critical patent/TWI512035B/zh

Links

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

液狀環氧樹脂組成物
本發明係關於液狀環氧樹脂組成物,特別是關於適於薄膜覆晶封裝(Chip-on-Film Package)用半導體元件之密封的液狀環氧樹脂組成物。
在屬於可對應液晶驅動IC等半導體裝置之配線等之更進一步高密度化、高輸出化的半導體元件安裝方式的COF(Chip On Film)封裝等半導體封裝中,係利用倒裝晶片接合(flip chip bonding)。一般而言,倒裝晶片接合中,係以凸塊(bump)接合半導體元件與基板,並以被稱為底填料(under fill material)之液狀半導體密封劑密封半導體元件與基板的間隙。
近年來,為了對應液晶驅動IC之高密度化、高輸出化之要求,正朝搭載液晶驅動IC之配線圖型(wiring pattern)之間距密集(fine pitch)化發展。由於該間距密集化,而使液晶驅動IC之運作溫度逐漸上昇。在經底填劑密封之半導體封裝中,若於配線間賦予電位差,則配線間會發生遷移(migration)。遷移,係指配線圖型之金屬因電化學反應而溶出,而導致配線間之電阻值降低的現象。
為了抑制該遷移,而有報告提出包含金屬離子結合劑之底填劑。該底填劑係將因電化學反應而溶出的金屬離子以金屬離子結合劑固定化,藉此而試圖抑制遷移。
然而,若在底填劑中含有金屬離子結合劑,則會使底 填劑在保存時增黏,而有底填劑之玻璃轉移溫度降低等使作為底填劑之特性降低之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-333085號公報
本發明之課題係防止於使用液狀環氧樹脂組成物之半導體裝置中之遷移,且抑制液狀環氧樹脂組成物於保存時之增黏。因此,本發明之目的係提供一種保存特性優異、在硬化後之耐遷移性優異之高可靠性之液狀環氧樹脂組成物。
本發明係關於藉由具有以下之構成而解決上述問題之液狀環氧樹脂組成物。
[1]一種液狀環氧樹脂組成物,其含有:(A)含有胺基酚(aminophenol)型環氧樹脂之液狀環氧樹脂、(B)酸酐硬化劑、及(C)咪唑化合物;其中,相對於(A)成分100重量份,含有胺基酚型環氧樹脂5至90重量份。
[2]如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物,其中,(A)成分所含有之胺基酚型環氧樹脂為式(1)所表示者:
[3]如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物,復含有(D)彈性體(elastomer)。
[4]如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物,復含有(E)矽烷偶合劑(silane coupling agent)。
[5]如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物,其中,相對於(A)成分1當量,(B)成分為0.6至1.2當量之比率。
[6]如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物,其中,相對於(A)成分100質量份,(C)成分為0.05至10質量份。
[7]如上述[3]所述之液狀環氧樹脂組成物,其中,相對於(A)成分100質量份,(D)成分為1至30質量份。
[8]如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物,其24小時後之黏度上昇率為300%以下。
[9]如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物,其係藉由使(C)成分分散在將胺基酚型環氧樹脂除外之(A)成分之至少一部分中,作成母料(master batch)後,將包含胺基酚型環氧樹脂的(A)成分之剩餘部分與(B)成分混合至母料中,而得到者。
[10]一種薄膜覆晶封裝用密封劑,其包含上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物。
[11]一種半導體裝置,其係使用上述[10]所述之薄膜覆晶封裝用密封劑而經密封者。
[12]一種如上述[1]所述之液狀環氧樹脂組成物之製造方法,其係使(C)成分分散在將胺基酚型環氧樹脂除外之(A)成分中,作成母料後,將胺基酚型環氧樹脂與(B)成分混合 至母料中。
依據本發明[1],可提供一種保存特性優異、硬化後耐遷移性優異之液狀環氧樹脂組成物。
依據本發明[11],可容易地提供一種耐遷移性優異之高可靠性之半導體零件。
依據本發明[12],可提升耐遷移性優異之環氧樹脂組成物之保存特性。
[液狀環氧樹脂組成物]
本發明之液狀環氧樹脂組成物係含有:(A)含有胺基酚型環氧樹脂之液狀環氧樹脂、(B)酸酐硬化劑、及(C)咪唑化合物;其中,相對於(A)成分100重量份,含有胺基酚型環氧樹脂5至90重量份。
(A)成分所含有之胺基酚型環氧樹脂,係藉由形成交聯密度高之樹脂骨架,以抑制遷移的發生。胺基酚型環氧樹脂係以式(2)所表示之於鄰位或對位具有2個官能基者為更佳: 而從硬化性、耐熱性、接著性、耐久性、耐遷移性之觀點來看,以式(1)所表示者為特佳: 市售品可列舉三菱化學製之胺基酚型環氧樹脂(品級(grade):JER630、JER630LSD)等。
胺基酚型環氧樹脂以外之(A)成分,可列舉:液狀雙酚A型環氧樹脂、液狀雙酚F型環氧樹脂、液狀萘型環氧樹脂、液狀氫化雙酚型環氧樹脂、液狀脂環式環氧樹脂、液狀醇醚型環氧樹脂、液狀環狀脂肪族型環氧樹脂、液狀茀型環氧樹脂、液狀矽氧烷系環氧樹脂等;從硬化性、耐熱性、接著性、耐久性之觀點來看,以液狀雙酚A型環氧樹脂、液狀雙酚F型環氧樹脂、液狀矽氧烷系環氧樹脂為較佳。此外,從黏度調整之觀點來看,環氧當量以80至250g/eq為較佳。市售品可列舉新日鐵化學製雙酚F型環氧樹脂(品名:YDF8170)、DIC製雙酚A型環氧樹脂(品名:EXA-850CRP)、DIC製萘型環氧樹脂(品名:HP4032D)、Momentive Performance Materials製矽氧烷系環氧樹脂(品名:TSL9906)等。胺基酚型環氧樹脂以外之(A)成分,可為單獨使用或將2種以上併用。
從耐遷移性之觀點來看,相對於(A)成分100重量份,以含有5至90重量份胺基酚型環氧樹脂為較佳。
(B)成分係賦予良好的反應性(硬化速度)、適度的黏性。(B)成分可列舉:四氫酞酸酐、六氫酞酸酐、甲基四氫酞酸酐、甲基丁烯基四氫酞酸酐、甲基六氫酞酸酐、烷基 化四氫酞酸酐、六氫酞酸酐、甲基海米酸酐(methyl HIMIC anhydride)、經烯基取代之琥珀酸酐、甲基納迪克酸酐(methyl nadic anhydride)、氫化甲基納迪克酸酐、三烷基四氫酞酸酐、甲基環己烯四甲酸二酐、酞酸酐、苯偏三甲酸酐、苯均四甲酸酐、二苯基酮四甲酸二酐、乙二醇雙脫水苯偏三甲酸酯(ethylene glycol bis-anhydrotrimellitate)、丙三醇雙(脫水苯偏三甲酸酯)單乙酸酯、十二烯基琥珀酸酐、氯橋酸酐(chlorendic anhydride)、脂肪族二元酸聚酐、戊二酸酐等;以甲基丁烯基四氫酞酸酐為較佳。市售品可列舉:三菱化學製酸酐(品級:YH306、YH307)等。(B)成分可為單獨使用或將2種以上併用。
(C)成分為硬化促進劑,(C)成分可列舉:2-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十七基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑等咪唑化合物;2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]乙基-均三等三化合物;1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一烯-7(DBU)、三伸乙二胺、二甲基苄胺(benzyldimethylamine)、三乙醇胺等三級胺化合物;三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦等磷系硬化促進劑。(C)成分可為單獨使用或將2種以上併用。
相對於(A)成分1當量,(B)成分較佳為0.6至1.2當量之比率,更佳為0.6至1.0當量。(A)成分之當量為環氧當量,(B)成分之當量為酸酐當量。若為0.6以上,則反應 性、硬化後的液狀環氧樹脂組成物於PCT試驗之耐濕可靠性、耐遷移性良好;另一方面,若為1.2以下,則增黏倍率不會變得過高,會抑制孔洞(void)的產生。
相對於(A)成分100質量份,所含有之(C)成分較佳為0.05至15質量份,更佳為0.05至10質量份,又更佳為0.05至8質量份,又再更佳為0.1至5質量份,特佳為0.3至3.0質量份。若為0.05質量份以上,則反應性良好;若為15質量份以下,則耐濕可靠性良好,並且增黏倍率安定。
從液狀環氧樹脂組成物之應力緩和之觀點來看,液狀環氧樹脂組成物係以復含有屬於(D)成分之彈性體為較佳。(D)成分可列舉:聚矽氧橡膠(silicone rubber)、丁二烯橡膠、聚烯烴橡膠、核殼(core shell)橡膠等。(D)成分可使用固體者。形態並無特別限定,可使用例如粒子狀、粉末狀、片(pellet)狀者,當為粒子狀時,例如平均粒徑係10至200nm,較佳為30至100nm,更佳為50至80nm。(D)成分亦可使用在常溫下為液狀者,例如平均分子量較低的聚二有機矽氧烷(polydiorganosiloxane)、聚丁二烯、乙烯丙烯(ethylene propylene)、苯乙烯丁二烯、丙烯腈丁二烯、異戊二烯。此外,(D)成分可使用於末端具有會與環氧基反應之基者,該等可為固體、液狀之任一形態。市售品可列舉宇部興產製ATBN、CTBN1008-SP等。(D)成分係可為單獨使用或將2種以上併用。
從密著性之觀點來看,液狀環氧樹脂組成物以復包含 (E)成分為較佳。(E)成分可列舉:3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基矽基丙基)四硫化物、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等;較佳為3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷。市售品可列舉信越化學工業製KBM403、KBE903、KBE9103等。
相對於(A)成分100質量份,所含有之(D)成分較佳為1至30質量份,更佳為1至25質量份。(D)成分若為1質量份以上,則緩和液狀環氧樹脂組成物之硬化物之應力;若為30質量份以下,則液狀環氧樹脂組成物之硬化後的耐濕可靠性不會降低。
相對於(A)成分100質量份,所含有之(E)成分為0.05至10質量份,較佳為0.05至5.0質量份,更佳為0.1至3.0質量份。若為0.05質量份以上,則密著性會提升,於PCT試驗之耐濕可靠性會變得更良好,若為5.0質量份以下,則會抑制液狀樹脂組成物的發泡。
於不損及本發明目的之範圍內,本發明之液狀環氧樹脂組成物中可再依需要而調配調平劑、氧化矽填料(silica filler)、消泡劑、搖變劑、抗氧化劑、顏料、染料等添加劑。
從注入性之觀點來看,液狀環氧樹脂組成物於溫度 25℃之黏度係以50至2000mPa.s為較佳,若為50至1000mPa.s則為更佳。在此,黏度係以東機產業公司製E型黏度計(型號:TVE-22H)測定。
此外,就液狀環氧樹脂組成物而言,24小時後之黏度上昇率較佳為300%以下,48小時後之黏度上昇率較佳為600%以下。在此,黏度上昇率係測定將液狀環氧樹脂組成物於室溫保管24小時、48小時後之黏度,以(24或48小時後之黏度)/(起始黏度)作為黏度上昇率(單位:%)。
本發明之環氧樹脂組成物,係適合作為利用倒裝晶片接合(flip chip bonding)之半導體元件的密封劑,而特別適合作為薄膜覆晶封裝用密封劑。
[液狀環氧樹脂組成物之製造方法]
本發明之液狀環氧樹脂組成物之製造方法的特徵為:使(C)成分分散在將胺基酚型環氧樹脂除外之(A)成分之至少一部分中,作成母料後,將包含胺基酚型環氧樹脂的(A)成分之剩餘部分與(B)成分混合至母料中。
本發明之液狀環氧樹脂組成物的著眼重點係:藉由胺基酚型環氧樹脂而使高溫下之樹脂組成物之彈性模數維持高值。然而,若併用胺基酚型環氧樹脂與咪唑化合物,則會由於胺基酚型環氧樹脂與咪唑化合物之高度反應性而使黏度快速增加,導致注入性劣化,故無法使用於薄膜覆晶用等密封劑。
因此,本發明中,係使咪唑成分預先分散於胺基酚型環氧樹脂以外之液狀環氧樹脂(例如液狀雙酚A型環氧樹 脂或液狀雙酚F型環氧樹脂)中,作成母料(高濃度分散體)後,混合胺基酚型環氧樹脂,藉此而解決在使用胺基酚型環氧樹脂時所發生的問題。
因此,本發明之液狀環氧樹脂組成物係可藉由使(C)成分分散在將胺基酚型環氧樹脂除外之(A)成分之至少一部分中,作成母料後,將包含胺基酚型環氧樹脂的(A)成分之剩餘部分與(B)成分混合至母料中,而加以製造。
在此,在製作母料時,相對於(C)成分100質量份,與(C)成分混合之將胺基酚型環氧樹脂除外之(A)成分較佳為10至1000質量份,若為50至500質量份則更佳。
製作母料時,可依所需,藉由一邊予以加熱處理,一邊進行攪拌、熔融、混合、分散而得到。該等之混合、攪拌、分散等之裝置,並無特別限定,可使用具備攪拌、加熱裝置之擂潰機、3輥研磨機、球磨機、行星式攪拌機(planetary mixer)、珠磨機等。此外,亦可將該等裝置適當組合使用。
將包含胺基酚型環氧樹脂的(A)成分之剩餘部分與(B)成分混合至母料中時,混合順序並無特別限定。進行混合之方法係可與製作母料時相同。
本發明之液狀環氧樹脂組成物,係以分注器(dispenser)、印刷等而形成/塗佈在基板之所期望的位置。在此,液狀環氧樹脂組成物係在可撓性配線基板等基板與半導體元件之間,以至少一部分相接於基板的配線上之方式而形成。
本發明之液狀樹脂組成物之硬化,較佳為於80至300℃進行30至300秒;從提升作為薄膜覆晶封裝用密封劑使用時之生產性之觀點來看,特佳為於200秒以內使之硬化。
又,半導體元件、基板雖可使用所期望者,但以倒裝晶片接合之半導體元件與COF封裝用基板之組合為較佳。
如此,本發明之液狀樹脂組成物非常適合作為液狀半導體密封劑,而具有使用該液狀半導體密封劑所密封的倒裝晶片型半導體元件之半導體零件係耐遷移性及耐引線腐蝕性優異,為高可靠性者。
(實施例)
雖藉由實施例而說明本發明,惟本發明並非限定於該等者。又,以下實施例中之「份」、「%」若無特別註明,即係表示質量份、質量%。
[實施例1至21、比較例1至3、參考例1至10]
依表1至4所示之調配方式,製作液狀樹脂組成物(以下稱為「樹脂組成物」)。在實施例1至21、比較例1至3、參考例1至6中,先將雙酚F型環氧樹脂與(C)成分進行混合,作成母料後,再加入其他成分。在參考例7至9中,先將胺基酚型環氧樹脂與(C)成分進行混合,作成母料後,再加入其他成分。在參考例10至12中,係同時加入全部成分。所製作之樹脂組成物,除了比較例2以外皆為液狀。比較例2中,(C)成分溶解不完全而成為殘留有固形分之狀態,而未能製作均勻的液狀環氧樹脂組成物。
[黏度之評估]
以東機產業公司製E型黏度計(型號:TVE-22H)測定剛製作後(30分鐘以內)的樹脂組成物之黏度(起始黏度,單位:mPa.s)。於表1至4,表示起始黏度之測定結果。此外,測定將樹脂組成物於室溫保管24小時、48小時後之黏度,將(24或48小時後之黏度)/(起始黏度)作為黏度上昇率(單位:%)。結果係表示於表1至4。
[膠化時間之評估]
樹脂組成物的膠化時間之評估係以下述方式進行。在150±2℃之加熱板上,以針(needle)滴下約3mmφ之樹脂組成物,一邊使針適度地接觸樹脂組成物,一邊以馬錶測定直到樹脂組成物變成不會呈拔絲狀為止之時間,以作為膠化時間。膠化時間之評估結果係表示於表1至4。
[吸水率之評估]
將所製作之樹脂組成物經150℃硬化60分鐘而成之試料之起始重量設為W0 (g),於PCT試驗槽(121℃±2℃/濕度100%/2atm之槽)中放置20小時後,將冷卻至室溫而得到的試驗片之重量設為W1 (g),並以下述式求出吸水率(單位:%)。
吸水率=(W1 -W0 )/W0 ×100(%)
吸水率之評估結果係表示於表1至4。
[彎曲彈性模數之評估]
將所製作之樹脂組成物挾在塗佈有脫模劑之玻璃板與玻璃板間,於150℃使其硬化60分鐘而成為350μm之膜片狀,使用萬能試驗機(島津製作所股份有限公司製 AG-I)求出於室溫下之彎曲彈性模數。又,係以n=3進行測定,採用其平均值。此外,試驗片之膜厚及寬度係進行5點測定,將平均值用於計算值。彎曲彈性模數較佳為2.0至4.2GPa。彎曲彈性模數之評估結果係表示於表1至4。
[萃取Cl離子量之評估]
將所製作之樹脂組成物於150℃進行硬化60分鐘而得到的試料粉碎成5mm平方左右。對於硬化塗膜2.5g添加離子交換水25cm3 ,在PCT試驗槽(121℃±2℃/濕度100%/2atm之槽)中放置20小時後,冷卻至室溫,以所得到之萃取液作為試驗液。使用離子層析儀,測定以上述流程而得到的萃取液之Cl離子濃度。萃取Cl離子量之評估結果係表示於表1至4。
[注入性之評估]
第1(A)至第1(C)圖係表示說明樹脂組成物的注入性的評估方法之示意圖。首先,如第1(A)圖所示,於基板20上設置20μm之間隙40,固定玻璃板30以取代半導體元件,而製作試驗片。惟,係使用玻璃基板取代可撓性基板以作為基板20。其次,將該試驗片放置在設定於110℃之加熱板上,如第1(B)圖所示般在玻璃板30一端之側塗佈所製作之樹脂組成物10,並測定直到如第1圖(C)所示般以樹脂組成物11填滿間隙40為止之時間,以在90秒以下即填滿之情形為「良」。注入性之評估結果係表示於表1至4。
[耐遷移性之評估]
實施高溫高濕偏壓試驗,以評估樹脂組成物之耐離子遷移性。試驗方法係如以下所述。在具備經錫鍍覆(0.2±0.05μm)之銅配線(圖型寬度10μm、線間寬度15μm、圖型間距25μm)之聚醯亞胺膠帶(polyimide tape)基材上,塗佈所製作之樹脂組成物為厚度20μm,以150℃處理30分鐘,使密封劑硬化而製作試驗片。對該試驗片使用離子遷移評估系統(espec公司製),測定於110℃/濕度85%、及200℃/濕度0%之條件下施加DC60V之電壓時之電阻值變化,並將在110℃/濕度85%、或是200℃/濕度0%中之至少任一者之條件下,以電阻值低於1.00×107 Ω之時間點設為閾值,評估銅配線之遷移(單位:小時)。而電阻值未低於閾值者,以超過100小時之時間點為試驗結束。耐遷移性之評估結果係表示於表1至4。
從表1至4可知,實施例1至21皆為黏度上昇率低、注入性良好、耐遷移性優異,且彎曲彈性模數為所期望之值。相對於此,(A)成分之胺基酚型環氧樹脂含量少之比較例1中,耐遷移性為不良。(A)成分中不含胺基酚型環氧樹脂並藉由添加苯并三唑而試圖抑制遷移之比較例3中,48小時後之黏度上昇率變高為1000%以上,200℃/濕度0%之耐遷移特性為劣。此外,相對於(A)成分1當量其(B)成分為0.5當量之比率的參考例1至3中,耐遷移性為不良;其比率為1.2當量之參考例4至6中,耐遷移性亦為不良。另外,參考例1至3中,被認為係源自原料之(A)成分的萃取Cl離子量為多,放置於室溫而可見黏度上昇。此外,以胺基酚型環氧樹脂製作母料之參考例7中,不僅相對於(A)成分100質量份其(C)成分為0.13質量份而為少,並且黏度上昇率亦為高。含有較多(C)成分之參考例8、9中,起始黏度非常地高,膠化時間短,注入性為劣,而黏度上昇率高。若將調配量相同之實施例4與參考例8進行比較,則參考例8之起始黏度為實施例4之約2.1倍。未製作母料之參考例10至12,起始黏度顯著為高,膠化時間短,注入性為劣,而黏度上昇率高。若將調配量相同之實施例4與參考例12進行比較,則參考例12之起始黏度為實施例4之約3.6倍。特別是(C)成分之含量為12.9質量份之參考例12中,起始黏度顯著為高。在此,當黏度上昇率為高時,保存安定性會變差。此外,將環氧樹脂組成物作為薄膜覆晶封裝用密封劑使用時,其可用時間會變短,而造 成使用上的問題。另外,當注入性為劣時,除了注入性之問題以外,造成孔洞的可能性會變高,而造成使用上的問題。
(產業上之可利用性)
如上所述,本發明之液狀樹脂組成物可抑制液狀樹脂組成物在保存時之增黏,且可防止硬化後之液狀樹脂組成物之遷移,而特別適於包含倒裝晶片型半導體元件之半導體零件。
10、11‧‧‧樹脂組成物
20‧‧‧基板
30‧‧‧玻璃板
40‧‧‧間隙
第1圖(A)至(C)係說明樹脂組成物的注入性的評估方法之示意圖。
本案之發明名稱為液狀樹脂組成物,申請專利範圍所請標的為液狀樹脂組成物及其製造方法、薄膜覆晶封裝用密封劑、以及半導體裝置。惟本案圖式為說明樹脂組成物注入性之評估方式之示意圖,故該圖並不足以代表本案發明之技術特徵。

Claims (9)

  1. 一種液狀環氧樹脂組成物,其含有:(A)含有胺基酚型環氧樹脂之液狀環氧樹脂、(B)酸酐硬化劑、及(C)咪唑化合物;其中,相對於(A)成分100重量份,含有胺基酚型環氧樹脂5至90重量份,相對於(A)成分1當量,(B)成分為0.6至1.0當量之比率,相對於(A)成分100質量份,(C)成分為0.05至10質量份,且該液狀環氧樹脂組成物係藉由使(C)成分分散在將胺基酚型環氧樹脂除外之(A)成分之至少一部分中,作成母料後,將包含胺基酚型環氧樹脂的(A)成分之剩餘部分與(B)成分混合至母料中而得到者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液狀環氧樹脂組成物,其中,(A)成分所含有之胺基酚型環氧樹脂為式(1)所表示者:
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液狀環氧樹脂組成物,復含有(D)彈性體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之液狀環氧樹脂組成物,復含有(E)矽烷偶合劑。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之液狀環氧樹脂組成物,其中,相對於(A)成分100質量份,(D)成分為1至30質量份。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之液狀環氧樹脂組成物,其中,於室溫保管24小時後之黏度上昇率為300%以下。
  7. 一種薄膜覆晶封裝用密封劑,其包含如申請專利範圍第1項所述之液狀環氧樹脂組成物。
  8. 一種半導體裝置,其係使用如申請專利範圍第7項所述之薄膜覆晶封裝用密封劑而密封者。
  9. 一種如申請專利範圍第1項所述之液狀環氧樹脂組成物之製造方法,其係使(C)成分分散在將胺基酚型環氧樹脂除外之(A)成分中,作成母料後,將胺基酚型環氧樹脂與(B)成分混合至母料中。
TW101108414A 2011-03-16 2012-03-13 液狀環氧樹脂組成物 TWI512035B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011058477A JP5593259B2 (ja) 2011-03-16 2011-03-16 液状エポキシ樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201242995A TW201242995A (en) 2012-11-01
TWI512035B true TWI512035B (zh) 2015-12-11

Family

ID=47085504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101108414A TWI512035B (zh) 2011-03-16 2012-03-13 液狀環氧樹脂組成物

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5593259B2 (zh)
TW (1) TWI512035B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107353586A (zh) * 2011-12-27 2017-11-17 日立化成工业株式会社 电子部件用液状树脂组合物及其制造方法、以及电子部件装置
JP2016079293A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 ナミックス株式会社 液状エポキシ樹脂組成物
JP6969729B2 (ja) 2014-12-12 2021-11-24 ナミックス株式会社 液状エポキシ樹脂組成物、半導体封止剤、半導体装置、および液状エポキシ樹脂組成物の製造方法
JPWO2018181603A1 (ja) * 2017-03-31 2020-02-06 日立化成株式会社 液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008266512A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2010265358A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Namics Corp Cof封止用樹脂組成物およびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252623A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd アディティブめっき用絶縁接着剤
JP3716237B2 (ja) * 2002-08-19 2005-11-16 ナミックス株式会社 封止剤樹脂組成物
US20090076180A1 (en) * 2007-09-03 2009-03-19 Kazuki Iwaya Epoxy resin composition using latent curing agent and curable by photo and heat in combination
JP4994305B2 (ja) * 2008-06-03 2012-08-08 横浜ゴム株式会社 高熱伝導性エポキシ樹脂系組成物
JP2010095727A (ja) * 2009-12-21 2010-04-30 Japan Epoxy Resin Kk 硬化性エポキシ樹脂組成物および硬化体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008266512A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2010265358A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Namics Corp Cof封止用樹脂組成物およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012193284A (ja) 2012-10-11
JP5593259B2 (ja) 2014-09-17
TW201242995A (en) 2012-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6789495B2 (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
TW201629117A (zh) 液狀環氧樹脂組成物、半導體封裝劑、半導體裝置,以及液狀環氧樹脂組成物之製造方法
TWI512035B (zh) 液狀環氧樹脂組成物
TWI602874B (zh) 液狀環氧樹脂組成物
JP4176619B2 (ja) フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
JP3925803B2 (ja) フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
TWI593768B (zh) 先設置型半導體封裝用膜
JP5647769B2 (ja) Cof封止用樹脂組成物
JP7167912B2 (ja) 液状封止樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2008248099A (ja) 液状半導体封止剤、及びこれを用いて封止した半導体装置
JP2015054952A (ja) エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP6388228B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JP5886051B2 (ja) 樹脂組成物
TWI664230B (zh) 液狀環氧樹脂組成物
JP2012056979A (ja) エポキシ樹脂組成物
KR101927567B1 (ko) 수지 조성물
JP2011207998A (ja) 先供給型液状半導体封止樹脂組成物
TWI512033B (zh) 液狀樹脂組成物
JP2013118276A (ja) 半導体装置
TW201439190A (zh) 液狀樹脂組成物、覆晶安裝體及其製造方法
JP6482016B2 (ja) 封止材組成物、それを用いた半導体装置
JP2015145473A (ja) 半導体接合用接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2021014588A (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2012229299A (ja) 先供給型液状半導体封止樹脂組成物