CN106206650A - 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法。公开了一种有机发光显示装置，在所述有机发光显示装置中，阳极电极、有机发光层、阴极电极、辅助电极被布置在基板的有源区中，所述辅助电极连接到阴极电极并且被布置在与阳极电极相同的层上，信号焊盘和焊盘电极被布置在基板的焊盘区中，所述焊盘电极连接到所述信号焊盘并且覆盖所述信号焊盘的顶部，其中，所述焊盘电极的顶部具有比所述信号焊盘的顶部更低的氧化速率。

Description

有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置。更具体地说，本发明涉及一种顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置是自发光装置，具有低功耗、快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角。
有机发光显示装置基于从有机发光装置发出的光的透射方向被分类为顶部发光型和底部发光型。在底部发光型中，电路元件被布置在发光层与图像显示表面之间，并且由于这个原因，降低了开口率。另一方面，在顶部发光型中，电路元件不设置在发光层与图像显示表面之间，因此，提高了开口率。
图1是现有技术的顶部发光型有机发光显示装置的示意性截面图。
如图1所述，薄膜晶体管(TFT)T包括有源层11、栅极绝缘层12、栅极13、层间电介质14、源极15以及形成在基板10上的有源区AA中的漏极16，并且在TFT层T上顺序地形成钝化层20和平坦化层30。
阳极电极40和辅助电极50形成在平坦化层30上。辅助电极50减小下面将要描述的阴极电极80的电阻。
堤岸层60形成在阳极电极40和辅助电极50上并且限定像素区。有机发光层70形成在由堤岸层60限定的像素区中，并且阴极电极80形成在有机发光层70上。
在顶部发光型中，从有机发光层70发出的光穿过阴极电极80。因此，阴极电极80由透明的导电材料形成，并且阴极电极80的电阻增加。为了降低阴极电极80的电阻，阴极电极80连接到辅助电极50。
栅极绝缘层12和层间电介质14形成在基板10上的焊盘区PA中，在层间电介质14上形成信号焊盘90，并且在该信号焊盘90上形成钝化层20。在钝化层20中设置孔，并且信号焊盘90通过该孔暴露于外部。由于信号焊盘90应该连接到外部驱动电路，因此信号焊盘90通过在钝化层20中形成孔而暴露于外部。
现有技术的顶部发光型有机发光显示装置具有以下问题。
由于信号焊盘90应该连接到外部驱动电路，因此信号焊盘90的顶部暴露于外部。由于这个原因，信号焊盘90的顶部被腐蚀，并且腐蚀扩散到另外的区域。在耐腐蚀方面优秀的金属层可以进一步形成在信号焊盘90的顶部上，从而防止信号焊盘90的顶部被腐蚀，但在此情况下，处理的数目增加了。此外，可以通过相同的工艺在号焊盘90上形成电极层，该电极层与阳极电极40相同，从而防止信号焊盘90的顶部被腐蚀而不增加处理的数目，但是即使在这种情况下，也无法防止腐蚀通过电极层的侧表面扩散。
另外，为了将信号焊盘90连接到外部驱动电路，信号焊盘90的顶部通过在钝化层20中形成孔暴露。但是，当预先形成钝化层20的孔时，图案化形成(pattern-forming)阳极电极40的蚀刻剂流过孔并且损坏信号焊盘90。为了防止损坏，可以在图案化形成阳极电极40的处理后单独执行形成用于暴露信号焊盘90的顶部的钝化层20的孔的工艺，但在这种情况下，添加了单独的掩模工艺。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点引起的一个或更多个问题。
本发明的一个优点是针对一种顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法，其中，附加的工艺的数量被最小化，并且防止信号焊盘腐蚀。
将在下面的描述中阐述本发明的额外的特征和优点，并且其一部分根据描述将会变得更加清楚，或者可以通过本发明的实践来了解。将通过在所撰写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如这里具体实施和广泛描述的，提供了一种有机发光显示装置，在所述有机发光显示装置中，阳极电极、有机发光层、阴极电极、辅助电极被布置在基板的有源区中，所述辅助电极连接到阴极电极并且被布置在与阳极电极相同的层上，信号焊盘和焊盘电极被布置在基板的焊盘区中，所述焊盘电极连接到所述信号焊盘并且覆盖所述信号焊盘的顶部，其中，所述焊盘电极的顶部具有比所述信号焊盘的顶部更低的氧化速率。
在本发明的另一方案中，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上形成源极、漏极和信号焊盘；在所述源极、所述漏极和所述信号焊盘上形成钝化层；通过移除所述钝化层的预定区域同时形成外部地暴露所述源极或所述漏极的接触孔以及外部地暴露所述信号焊盘的接触孔；形成阳极电极、辅助电极和焊盘电极，所述阳极电极连接到所述源极或所述漏极，所述辅助电极与所述阳极电极分离，所述焊盘电极连接到所述信号焊盘并且覆盖所暴露的信号焊盘。
但是应当理解的是，本发明的前面一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图被包括以提供对实施方式的进一步理解，附图被合并到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是现有技术的顶部发光型有机发光显示装置的示意性截面图；
图2是根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的截面图；
图3是根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的截面图；
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G和图4H是示出制造根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的方法的截面图；以及
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H和图5I是示出制造根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考本发明的示例性实施方式，，其示例在附图中示出。只要可能，相同的附图标记将贯穿附图来指代相同或相似的部分。
本发明的优点和特征及其实施方法将通过参照附图描述的以下实施方式加以澄清。但是，本发明可以以不同形式具体实施而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。另外，本发明仅由权利要求的范围限定。
在附图中公开的用于描述本发明的实施方式的形状、尺寸、比例、角度和序号仅是示例，并且因此，本发明不限定于图示的细节。相似的附图标记指代相似的元件。在以下的描述中，当相关的已知功能或构造的详细描述被确定为不必要地模糊本发明的重要点时，详细的说明将被省略。在使用本说明书中描述的‘包括’、‘具有’和‘包含’的情况下，另一部分可添加，除非‘只～’被使用。单数形式的术语可包括复数形式，除非有相反指示。
在解释元素时，虽然没有明确的描述，但是该元素被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为‘在～上’，‘在～上方’，‘在～下’和‘在～下面’，一个或更多个其它部件可布置在所述两部分之间，除非使用了‘只有’或‘直接’。
在描述时间关系时，例如，当时间次序被描述为‘在～之后’，‘在～随后’，‘在～后’，和‘在～之前’时，可以包括不连续的情况，除非使用了‘只有’或‘直接’。
应该理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于彼此区分元件。例如，在不偏离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
本发明的各种实施方式的特征可以是部分或整体联接或彼此结合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样进行各种彼此间操作和从技术上驱动。本发明的实施方式可以彼此独立地进行，或者可以共同依赖关系一起进行。
在下文中，将详细参考附图描述本发明的示例性实施方式。
图2是根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的截面图。
如图2所示，根据本发明的实施方式的有机发光显示装置可包括设置在基板100上的有源区AA和焊盘区PA。
薄膜晶体管(TFT)T、钝化层165、平坦化层170、第一阳极电极180、第二阳极电极200、第一辅助电极190、第二辅助电极210、堤岸220、分隔壁230、有机发光层240和阴极电极250形成在基板100上的有源区AA中。
TFT T可以包括有源层110、栅极绝缘层120、栅极130、层间电介质140、源极150和漏极160。
有源层110可形成在基板100上以覆盖栅极130。有源层110可以由硅系半导体材料形成，或由氧化物系半导体材料形成。虽然未示出，但是可以在基板100与有源层110之间进一步形成光屏蔽层，并且在这种情况下，通过基板100的底部入射的外部光由光屏蔽层阻挡，由此防止有源层110被外部光损坏。
可以在有源层110上形成栅极绝缘层120。栅极绝缘层120可以将有源层110与栅极130绝缘。栅极绝缘层120可以由无机绝缘材料形成，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多层，但不限于此。栅极绝缘层120可以延伸到焊盘区PA。
栅极130可形成在栅极绝缘层120上。栅极130可形成为与有源层110交叠，在二者之间具有栅极绝缘层120。栅极130可以以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金形成的单层或多层形成，但不限于此。
层间电介质140可在栅极130上形成。层间电介质140可以由与栅极绝缘层120相同的无机绝缘材料(例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多层)形成，但是不限于此。层间电介质140可以延伸到焊盘区PA。
源极150和漏极160可以形成为在层间电介质140上彼此面对。可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中设置第一接触孔CH1和第二接触孔CH2，第一接触孔CH1暴露有源区110的一端区域，第二接触孔CH2暴露有源区110的另一端区域。源极150可以通过第二接触孔CH2连接到有源区110的另一端区域，并且漏极160可以通过第一接触孔CH1连接到有源区110的一端区域。
源极150可以包括下源极151和上源极152。
下源极151可以在层间电介质140与上源极152之间形成，并且可以提高层间电介质140与上源极152之间的粘附力。另外，下源极151保护上源极152的底部，从而防止上源极152的底部被腐蚀。因此，下源极151的氧化速率也可以比上源极152低。即，下源极151可以由耐腐蚀性比形成上源极152的材料更强的材料形成。如上所述，下源极151可以作为粘附增强层或抗腐蚀层并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。
上源极152可以形成在下源极151的顶部。上源极152可以由Cu形成，但并不限于此，Cu是具有低电阻的金属。上源极152可以由与下源极151相比电阻相对较低的金属形成。为了降低源极150的总电阻，上源极152的厚度可以形成为比下源极151的厚度更厚。
类似于上述源极150，漏极160可以包括下漏极161和上漏极162。
下漏极161可在层间电介质140与上漏极162之间形成。下漏极161增强层间电介质140和上漏极162之间的粘附力，此外防止上漏极的底部162被腐蚀。因此，下漏极161的氧化速率也可以比上漏极162低。即，下漏极161可以由耐腐蚀性比形成上漏极162的材料更强的材料形成。如上所述，下漏极161可以由(与下源极151的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。
上漏极162可以形成在下漏极161的顶部并且可以由Cu(其与上源极152的上述材料相同)形成，但不限于此。上漏极162的厚度可以形成为比下漏极161的厚度更厚，从而降低了漏极160的总电阻。
上漏极162可以由与上源极152相同的材料形成以具有与上源极152相同的厚度，并且，下漏极161可以由与下源极151相同的材料形成以具有与下源极151相同的厚度。在此情况下，漏极160和源极150可以通过相同的工艺同时形成。
TFT T的结构不限于图示的结构，并且可以按照本领域技术人员公知的结构进行各种修改。例如，栅极130形成在有源层110上的顶部栅极结构在附图中示出，但在TFT T可以以底部栅极结构形成，其中，栅极130形成在有源层110下。
钝化层165可以在TFT T上形成，并且更详细地，可以在源极150和漏极的顶部形成。钝化层165保护TFT T。钝化层165可以由无机绝缘材料(例如，SiOx和SiNx)形成，但不限于此。钝化层165可以延伸到焊盘区PA。
可在钝化层165上形成平坦化层170。平坦化层170可平坦化包括TFT T的基板100的上表面。平坦化层170可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物的有机绝缘材料形成，但并不限于此。平坦化层170可以不延伸到焊盘区PA。
第一阳极电极180和第一辅助电极190平可以在坦化层170上形成。即，第一阳极电极180和第一辅助电极190可以形成在同一层上。暴露源极150的第三接触孔CH3可设置在钝化层165和平坦化层170中，并且源极150可以通过第三接触孔CH3连接到第一阳极电极180。在一个或更多个实施方式中，第一阳极电极180与源极150连接。然而，源极150和漏极160可以基于晶体管的模式进行切换。因此，在一个或更多个实施方式中，第一阳极电极180可以与漏极160而不是源极150连接。结果，第一阳极电极180可以与源极150或漏极160连接。
第一阳极电极180可包括第一下阳极电极181和第一上阳极电极182。
第一下阳极电极181可以在平坦化层170与第一上阳极电极182之间形成并且可以增强平坦化层170与第一上阳极电极182之间的粘附力。此外，第一下阳极电极181保护第一上阳极电极182的底部，从而防止第一上阳极电极182的底部被腐蚀。因此，第一下阳极电极181的氧化速率可以比第一上阳极电极182的氧化速率更低。即，第一下阳极电极181可以由耐腐蚀性比形成第一上阳极电极182的材料更强的材料形成。此外，第一上阳极电极181保护上源极152的顶部，从而防止上源极152的顶部被腐蚀。因此，第一下阳极电极181的氧化速率也可以低于上源极152的氧化速率。即，第一下阳极电极181可以由耐腐蚀性比形成第一上阳极电极182的材料更强的材料形成。如上所述，第一下阳极电极181防止上源极152的顶部被腐蚀，并且由此，源极150可以形成在上述的双层结构中。第一下阳极电极181可作为粘附增强层或抗腐蚀层并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。
第一上阳极电极182可以形成在下阳极电极181的顶部。第一上阳极电极182可以由Cu形成，但不限于此，所述Cu是具有低电阻的金属。第一上阳极电极182可以由与第一下阳极电极181相比电阻相对较低的金属形成。为了降低第一阳极电极180的总电阻，第一上阳极电极182的厚度可以形成为比第一下阳极电极181的厚度更厚。
类似于上述第一阳极电极180，第一辅助电极190可以包括第一下辅助电极191和第一上辅助电极192。
第一下辅助电极191可以在平坦化层170和第一上辅助电极192之间形成。第一下辅助电极191增强了平坦化层170与第一上辅助电极192之间的粘附力并且此外防止第一上辅助电极192的底部被腐蚀。因此，第一下辅助电极191的氧化速率也可以低于第一上辅助电极192的氧化速率。即，第一下辅助电极191可以由耐腐蚀性比形成第一上辅助电极192的材料更强的材料形成。如上所述，第一下辅助电极191可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，这是与第一下阳极电极181的上述材料相同的材料，但并不限于此。
第一上辅助电极192可以形成在第一下辅助电极191的顶部并且可以由Cu(这是与第一上阳极电极182的上述材料可以形成)形成。电阻相对较低的第一上辅助电极192的厚度可以形成为比电阻相对较高的第一下辅助电极191的厚度更厚，从而降低了第一辅助电极190的总电阻。
第一上辅助电极192可由与第一上阳极电极182相同的材料形成以具有与第一上阳极电极182的厚度相同的厚度，并且第一下辅助电极191可以与第一下阳极电极181相同的材料形成以具有与第一下阳极电极181的厚度相同的厚度。在这种情况下，第一辅助电极190和第一阳极电极180可以通过相同的工艺同时形成。
第二阳极电极200可以形成在第一阳极电极180的顶部上。第二阳极电极200可形成为接触第一阳极电极180的整个顶部和侧表面。即，在第二阳极电极200与第一阳极电极180之间可不形成单独的绝缘层。因此，不需要形成绝缘层和接触空的工艺。第二阳极电极200可在向上方向中反射从有机发光层240发出的光，并且为此，第二阳极电极200可以由具有良好反射率的材料形成。此外，第二阳极电极200可以形成为覆盖第一阳极电极180的顶部和侧表面并且防止所述第一阳极电极180的顶部和侧表面被腐蚀。
第二阳极电极200可包括第二低阳极电极201、第二中心阳极电极202和第二上阳极电极203。
第二下阳极电极201可以在第一阳极电极180与第二中心阳极电极202之间形成。第二下阳极电极201可以形成为覆盖第一阳极电极180的顶部和侧表面，从而防止第一阳极电极180被腐蚀。为此，第二下阳极电极201的氧化速率可以低于构造第一阳极电极180的第一下阳极电极181和第一上阳极电极182中的每一个的氧化速率。即，第二下阳极电极201可以由耐腐蚀性比形成第一下阳极电极181和第一上阳极电极182的材料更强的材料形成。此外，第二下阳极电极201保护第二中心阳极电极202的底部，从而防止第二中心阳极电极202的底部被腐蚀。为此，第二下阳极电极201的氧化速率可以低于第二中心阳极电极202的氧化速率。即，第二下阳极电极201可以由耐腐蚀性比形成第二中心阳极电极202的材料更强的材料形成。第二下阳极电极201可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或类似物的透明导电材料形成，但并不限于此。
第二中心阳极电极202可在第二下阳极电极201和第二上阳极电极203之间形成。第二中心阳极电极202可由电阻比第二下阳极电极201和第二上阳极电极203更低而反射率比第二下阳极电极201和第二上阳极电极203更好的材料形成，并且例如，可以由银(Ag)形成。然而，本实施方式不限于此。电阻相对较低的第二中心阳极电极202的厚度可以形成为比电阻相对较高的第二下阳极电极201和第二上阳极电极203中的每一个的厚度更厚，从而降低第二阳极电极200的总电阻。
第二上阳极电极203可以形成在第二中心阳极电极202的顶部，从而防止第二中心阳极电极202的顶部被腐蚀。为此，第二上阳极电极203的氧化速率可以低于第二中心阳极电极202的氧化速率。即，第二上阳极电极203可以由耐腐蚀性比形成第二中心阳极电极202的材料更强的材料形成。第二上阳极电极202可以由诸如ITO或类似物的透明导电材料形成，但并不限于此。
第二辅助电极210可以形成第一辅助电极190的顶部上。第二辅助电极210可在与上面布置由第二阳极电极200的层相同的层上形成。第二辅助电极210可形成为接触第一辅助电极190的整个顶部和侧表面上。即，在第二辅助电极210与第一辅助电极190之间可不形成分离绝缘层，并且因此，不需要形成绝缘层和接触孔的工序。第二辅助电极210降低了阴极电极250连同第一辅助电极190的电阻。根据本发明的实施方式，两个辅助电极(例如，第一辅助电极190和第二辅助电极210)可被堆叠形成用于降低阴极电极250的电阻，并且因此，更容易调整期望的辅助电极的电阻特性。为了提供更详细的描述，由于第一辅助电极190形成在与上面形成有第一阳极电极180的层相同的层上，因此，在增加第一辅助电极190的大小方面存在限制。因此，根据本发明的一个实施方式，第二辅助电极210可以堆叠在第一辅助电极190上，并且因此，阴极150的电阻被有效地降低。另外，第二辅助电极210可以形成为覆盖第一辅助电极190的顶部和侧表面，从而防止第一辅助电极190的顶面和侧面被腐蚀。
第二辅助电极210可包括第二下辅助电极211、第二中心辅助电极212和第二上辅助电极213。
第二下辅助电极211可以在第一辅助电极190与第二中心辅助电极212之间形成。第二下辅助电极211可以形成为覆盖第一辅助电极190的顶部和侧表面，从而防止第一辅助电极190被腐蚀。为此，第二下辅助电极211的氧化速率可以低于构造第一辅助电极190的第一下辅助电极191和第一上辅助电极192中的每一个的氧化速率。即，第二下辅助电极211可以由耐腐蚀性比形成第一下辅助电极191和第一上辅助电极192的材料更强的材料形成。此外，第二下辅助电极211保护第二中心辅助电极212的底部，从而防止第二中心辅助电极212的底部被腐蚀。为此，第二下辅助电极211的氧化速率可以低于第二中心辅助电极212的氧化速率。即，第二下辅助电极211可以由耐腐蚀性比形成第二中心辅助电极212的材料更强的材料形成。第二下辅助电极211可以由诸如ITO或类似物的透明导电材料形成。
第二中心辅助电极212可在第二下辅助电极211和第二上辅助电极之间形成213是低电阻比和反射率比所述第二低的材料的辅助电极212可以形成在第二下辅助电极211和第二上辅助电极213，并且例如，可以银(Ag)形成。然而，本实施方式不限于此。电阻相对较低的第二中心辅助电极212的厚度可以形成为比第二下辅助电极211和第二上辅助电极213中的每一个更厚，从而降低了第二辅助电极210的总电阻。
第二上辅助电极213可以形成在第二中心辅助电极212的顶部，从而防止第二中心辅助电极212的顶部被腐蚀。为此，第二上辅助电极213的氧化速率可以低于第二中心辅助电极212的氧化速率。即，第二上辅助电极的材料213可以由耐腐蚀性比形成第二中心辅助电极212的材料更强的材料形成。第二上辅助电极213诸如ITO或类似物的透明导电材料形成，但并不限于此。
第二上辅助电极213可以由与第二上阳极电极203的材料相同的材料形成以具有与第二上阳极电极203相同的厚度，第二中心辅助电极212可以由与第二中心阳极电极202的材料相同的材料形成以具有与第二中心阳极电极202相同的厚度，并且第二下辅助电极211可以由与第二下阳极电极201的材料相同的材料形成以具有与第二上下阳极电极201相同的厚度。在这种情况下，第二辅助电极210和第二阳极电极200可以通过相同的工艺同时形成。
堤岸220可形成在第二阳极电极200和第二辅助电极210上。
堤岸220可以形成在第二辅助电极200的一侧和另一侧以暴露第二辅助电极200的顶部。由于堤岸220形成为暴露第二阳极电极200的顶部，因此显示图像的区域被被固定。另外，由于堤岸220形成在第二阳极电极200的一侧和另一侧，因此防止第二中心阳极电极202的容易受到腐蚀的一侧被暴露于外部，从而防止第二中心阳极电极202的侧面被腐蚀。
堤岸220可形成在第二辅助电极210的一侧和另一侧以暴露第二辅助电极210的顶部。由于堤岸220形成为暴露第二辅助电极210的顶部，因此第二辅助电极210与阴极电极250之间电连接空间被固定。另外，由于堤岸220形成在第二辅助电极210的一侧和另一侧，因此，防止第二中心辅助电极212的容易受到腐蚀的一侧被暴露于外部，从而防止第二中心辅助电极202的侧面被腐蚀。
此外，堤岸220可以在第二阳极电极200与第二辅助电极210之间形成，并且可以将第二阳极电极200与第二辅助电极210绝缘。堤岸220可以由诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂，苯并环丁烯(BCB)或类似物的有机绝缘材料形成，但并不限于此。
分隔壁230可以形成在第二辅助电极210上。分隔壁230可以与堤岸220分离一定的距离，并且第二辅助电极210可以通过分隔壁230与堤岸220之间的分离空间电连接到阴极电极250。第二辅助电极210可以电连接到阴极电极250而不形成分隔壁230。但是，如果形成了分隔壁230，则有机发光层240更容易沉积形成。这将在下面更详细地描述。因此，由于有机发光层240不在檐(eave)下沉积，用于覆盖第二辅助电极210的顶部的掩模图案是不需要的。即，针对从其前面看有机发光显示装置的情况，当从当檐的分隔壁230的顶部形成为覆盖所述分隔壁230与堤岸220之间的分离空间时，有机发光层240不能渗透到分隔壁230与堤岸220之间的分离空间中。因此，第二辅助电极210可在分隔壁230与堤岸220之间的分离空间中暴露。特别地，有机发光层240可以通过诸如在沉积材料的平直度方面优秀的蒸发工艺的沉积工艺形成。因此，有机发光层240不沉积在分隔壁230与堤岸220之间的分离空间。
如上所述，为了使得分隔壁230的顶部充当檐，分隔壁230的顶部的宽度形成为大于分隔壁230的底部的宽度。分隔壁230可以包括下第一分隔壁231和上第二隔壁232。下第一分隔壁231可以形成在第二辅助电极210的顶部上并且可以通过与堤岸220相同的工艺由与堤岸220相同的材质形成。上分隔壁232可以形成在下第一隔壁231的顶部。上分隔壁232的顶部的宽度形成为大于上分隔壁232的底部的宽度。更具体而言，第二分隔壁232的顶部可以形成为覆盖所述分隔壁230和堤岸220之间的分离空间并可充当作为檐。
可以在第二阳极电极200上形成有机发光层240。有机发光层240可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。有机发光层240可以被修改成具有本领域技术人员公知的各种结构。
有机发光层240可以延伸到堤岸220的顶部。然而，在覆盖第二辅助电极210的顶部的状态下，有机发光层240可能不延伸到第二辅助电极210的顶部。这是因为当有机发光层240覆盖所述第二辅助电极210的顶部时，难以将第二辅助电极210电联接到阴极电极250。上所述，有机发光层240可通过淀积工艺形成而不需要覆盖所述第二辅助电极210的顶部的掩模，并且在这种情况下，有机发光层240可在分隔壁230的顶部上形成。
阴极电极250可以形成有机发光层240上。阴极电极250可以形成在发出光的表面上，并且因此可以由透明导电材料形成。由于阴极电极250是由透明导电材料形成的，因此阴极电极250的电阻高，并且由于这个原因，为了降低阴极电极250的电阻，阴极电极250可以连接到第二辅助电极210。即，阴极电极250可以经由分隔壁230与堤岸220之间的分离空间连接到第二辅助电极210。阴极电极250可以通过诸如在沉积材料的平直度方面不是很好的溅射工艺的沉积工艺形成。因此，在沉积阴极电极250的工艺中，阴极电极250可以沉积在分隔壁230与堤岸220之间的分离空间中。
虽然未示出，但是封装层可以进一步形成在阴极电极250上并防止水的渗透。封装层可使用本领域技术人员公知的各种材料。而且，尽管未示出，但是彩色滤光器可针对每个像素进一步形成并且形成在阴极电极250上，并且在这种情况下，白色光可以从有机发光层240发出。
可以在基板100上的焊盘区PA中形成栅极绝缘层120、层间电介质140、信号焊盘300、钝化层165和焊盘电极400。
栅极绝缘层120可以在基板100上形成，并且层间电介质140可以在栅极绝缘层120上形成。栅极绝缘层120和层间电介质140可以通过从有源区AA延伸形成在整个焊盘区PA上。
信号焊盘300可以形成在层间电介质140上。信号焊盘300可以形成在与其中布置有有源区AA中的源极150和源极150的层相同的层上。
信号焊盘300可以包括下信号焊盘301和上信号焊盘302。
所述下信号焊盘301可在层间电介质140与上信号焊盘302之间形成并且可以增强层间电介质140与上信号焊盘302之间的粘附力。此外，下信号焊盘301防止上信号焊盘302的底部被腐蚀。因此，下信号焊盘301的氧化速率可低于上信号焊盘302的氧化速率。即，下信号焊盘301可以由耐腐蚀性比形成信号焊盘302的材料更强的材料形成。如上所述，下信号焊盘301可以由(与下源极151或下漏极161的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。
上信号焊盘302可形成在下信号焊盘301的顶部上。上信号焊盘302可以由Cu形成，但并不限于此，Cu是具有低电阻的金属。上信号焊盘302可由与下信号焊盘301相比电阻相对较低的金属形成。为了降低信号焊盘300的总电阻，上信号焊盘302的厚度可形成为比下信号焊盘301的厚度更厚。
上信号焊盘302可以由与上源极152和/或上漏极162相同的材料形成以具有与上源极152和/或上漏极162相同的厚度，下信号焊盘301可以由与下源极151和/或下漏极161相同的材料形成以具有与下源极151和/或下漏极161相同的厚度。在这种情况下，信号焊盘300和源极150、信号焊盘300和漏极160或信号焊盘300、源极150和漏极160可以通过相同的工艺同时形成。
钝化层165可以形成在信号焊盘300上。钝化层165可以从有源区AA延伸。可在钝化层165中设置暴露信号焊盘300的一部分的第四接触孔CH4。
焊盘电极400可以形成在钝化层165上。焊盘电极400可以通过第四接触孔CH4连接到信号焊盘300。焊盘电极400可以被暴露到外部并连接到外部驱动器。
焊盘电极400保护信号焊盘300的顶部。信号焊盘300的顶部可以由相对容易受到腐蚀的上信号焊盘302配置，因此，焊盘电极400可形成为覆盖上信号焊盘302的通过第四接触孔CH4暴露的顶部，从而防止上信号焊盘302被腐蚀。如上所述，由于焊盘电极400防止上信号焊盘302的顶部被腐蚀，因此信号焊盘300可以上述双层结构形成。焊盘电极400的氧化速率可以低于上信号焊盘302的氧化速率。即，焊盘电极400可以由耐腐蚀性比形成上信号焊盘302的材料更强的材料形成。此外，由于焊盘电极400被暴露到外部，因此焊盘电极400可由耐腐蚀性强的材料形成。焊盘电极400可以由(与第一下阳极电极181和/或第一下辅助电极191的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。焊盘电极400可以由与第一下阳极电极181和/或第一下辅助电极191的材料相同的材料形成以具有与第一下阳极电极181和/或第一下辅助电极191相同的厚度。在这种情况下，焊盘电极400和第一下阳极电极181、或焊盘电极400和第一下辅助电极191、或焊盘电极400、第一下阳极电极181以及第一下辅助电极191可以是通过相同的掩模工艺图案化形成的，并且因此，不会添加单独的工艺。
图3是根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的截面图。从图2的结构变化得到焊盘电极400的结构。否则，图3的有机发光图显示装置与图2的上述有机发光显示装置相同。因此，相似的附图标记指代相似的元件。以下，仅与图2的上述元件不同的元件将详细描述。
如图3，根据本发明的另一个实施方式，焊盘电极400可以包括下焊盘电极401、上焊盘电极402和盖焊盘电极403。
下焊盘电极401可形成为覆盖通过第四接触孔CH4暴露的上信号焊盘302的顶部且防止上信号焊盘302被腐蚀。为此，下焊盘电极401的氧化速率可以比上信号焊盘302的氧化速率更低。即，下焊盘电极401可以由耐腐蚀性比形成信号焊盘302的材料更强的材料形成。如上所述，由于下焊盘电极401防止上信号焊盘302的顶部被腐蚀，因此可以以上述双层结构形成信号焊盘300。下焊盘电极401可以由(与第一下阳极电极181和/或第一下辅助电极191的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。下焊盘电极401可以由与第一下阳极电极181和/或第一下辅助电极191的材料相同的材料形成以具有与第一下阳极电极181和/或第一下辅助电极191相同的厚度。在这种情况下，下焊盘电极401和第一下阳极电极181、下焊盘电极401和第一下辅助电极191、或下焊盘电极401、第一下阳极电极181以及第一下辅助电极191可以是通过相同的掩模工艺图案化形成的。
上焊盘电极402可形成在下焊盘电极401与盖焊盘电极403之间。上焊盘电极402可以由Cu形成，但并不限于此，Cu是具有低电阻的金属。上焊盘电极402可由与下焊盘电极401和盖焊盘电极403相比电阻相对较低的金属形成。为了降低焊盘电极400的总电阻，上焊盘电极402的厚度可形成为比下焊盘电极401与盖焊盘电极403中的每一个的厚度更厚。上焊盘电极402可由与第一上阳极电极182和/或第一上辅助电极192相同的材料形成以具有与第一上阳极电极182和/或第一上辅助电极192相同的厚度。在这种情况下，上焊盘电极402和第一上阳极电极182、上焊盘电极402和第一上辅助电极192、或上焊盘电极402、第一上阳极电极182以及第一上辅助电极192可以是通过相同的掩模工艺图案化形成的。
盖焊盘电极403可以形成在上焊盘电极402上。盖焊盘电极403可以形成为覆盖上焊盘电极402的顶部和侧表面，从而防止上焊盘电极402被腐蚀。即，盖焊盘电极403防止上焊盘电极402暴露于外部。为此，盖焊盘电极403的氧化速率可以低于上焊盘电极402的氧化速率。即，盖焊盘电极403可以由耐腐蚀性比形成上焊盘电极402的材料更强的材料形成
盖焊盘电极403可以覆盖到下焊盘电极401的侧表面上。在这种情况下，盖焊盘电极403的氧化速率可以低于下焊盘电极401的氧化速率。即，盖焊盘电极403可以由耐腐蚀性比形成下焊盘电极401的材料更强的材料形成。盖焊盘电极403可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或类似物的透明导电材料形成，但并不限于此。盖焊盘电极403可由与第二低阳极电极201和/或第二下辅助电极211相同的材料形成以具有与第二低阳极电极201和/或第二下辅助电极211的厚度相同的厚度。在这种情况下，盖焊盘电极403和第二低阳极电极201、盖焊盘电极403和第二下辅助电极211、盖焊盘电极403、第二低阳极电极201以及第二下辅助电极211可以是通过相同的掩模工艺图案化形成的。
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G和图4H是示出制造根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的方法的截面图并且涉及制造图2的上述有机发光显示装置的方法。因此，相似的附图标记指代相似的元件，并且在每个元件的材料和结构方面，相同或相似的描述不再重复。
首先，如图4A所示，有源层110、栅极绝缘层120、栅极130、层间电介质140、源极150、漏极160和信号焊盘300可以被顺序地形成在基底100上。
为了提供更详细的说明，有源层110可以在基板100上形成，栅极绝缘层120可在有源层110上形成，栅极130可以在栅极绝缘层120上形成，层间电介质140可以在栅极130上形成，并且第一接触孔CH1和第二接触孔CH2可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中形成。接着，可以形成通过第一接触孔CH1连接到有源层110的一端区域的漏极160、通过第二接触孔CH2连接到有源层110的另一端区域的源极150和信号焊盘300。
可以在有源区AA中形成有源层110、栅极130、源极150和漏极160。栅极绝缘层120和层间电介质140可以形成为从有源区AA延伸到焊盘区PA，并且信号焊盘300可以形成在焊盘区AA中。通过这样的工艺，可以在有源区AA中形成TFT T，并且可以在焊盘区PA中形成信号焊盘300。
源极150可以构造有下源极151和上源极152。漏极160可以构造有下漏极161和上漏极162。并且，信号焊盘300可以构造有下信号焊盘301和上信号焊盘302。源极150、漏极160和信号焊盘300通过相同工艺由相同的材料同时形成。
随后，如图4B所示，钝化层165可以形成在源极150、漏极160和信号焊盘300上，并且平坦化层170可形成在钝化层165上。平坦化层170可以包括第三接触孔CH3。
钝化层165可以形成为从有源区AA到焊盘区PA延伸，并且平坦化层170可以形成在有源区AA中。由于在焊盘区PA中不形成TFT，因此对焊盘区PA的表面进行平坦化的必要性很小，并且因此，在焊盘区PA中可以不形成平坦化层170。
随后，如图4C所示，通过移除钝化层165的部分区域，可以在钝化层165中形成第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。源极150可通过被包括在钝化层165和平坦化层170中的第三接触孔CH3被暴露于外部，并且信号焊盘300可通过被包括在钝化层165中的第四接触孔CH4被暴露于外部。根据本发明的实施方式，用于外部地暴露源极150的钝化层165中的第三接触孔CH3和用于外部地暴露信号焊盘300的钝化层165中的第四接触孔CH 4可以同时形成。因此，第三接触孔CH3和第四接触孔CH4可通过一个掩模工艺来形成，从而防止掩模工艺的数量的增加。为了提供更详细的说明，由于通过第四接触孔CH4暴露的上信号焊盘302容易受到腐蚀，因此需要不与上信号焊盘302接触的蚀刻剂。根据本发明的一个实施方式，暴露的上信号焊盘302可以在下面将要描述的图4D的工艺中被下焊盘电极401覆盖。因此，蚀刻剂不接触上信号焊盘302。出于同样的原因，第四接触孔CH4和第三接触孔CH3可以同时形成。在另一个实施方式中，替代源极150，漏极160可以通过被包括在钝化层165和平坦化层170中的第三接触孔CH3被暴露于外部。
随后，如图4D所示，第一阳极电极180和第一辅助电极190可形成为在有源区AA中的平坦化层170上彼此分离，以及第一焊盘电极400a可以在焊盘区PA中形成在钝化层165上。
第一阳极电极180可形成为通过第三接触孔CH3被连接到源极150，且第一焊盘电极400a可形成为通过第四接触孔CH4连接到信号焊盘300。
第一阳极电极180可以构造有第一下阳极电极181和第一上阳极电极182，第一辅助电极190可以构造有第一下辅助电极191和第一上辅助电极192。第一焊盘电极400a可以构造有下焊盘电极401和上焊盘电极402。
第一阳极电极180，第一辅助电极190和第一焊盘电极400a可通过相同的图案化工艺由相同的材料同时形成。
随后，如图4E所示，第二阳极电极200可以在有源区AA中的第一阳极电极180上形成，且第二辅助电极210可在有源区AA中的第一辅助电极190上形成。
第二阳极电极200可以是图案化形成以覆盖第一阳极电极180的顶部和侧表面，并且第二辅助电极210可以是图案形成以覆盖第一辅助电极190的顶部和侧表面。第二阳极电极200和第二辅助电极210可以通过相同的图案化工艺由相同的材料同时形成。
第二阳极电极200可包括第二低阳极电极201、第二中心阳极电极202和第二上阳极电极203。第二辅助电极210可包括第二下辅助电极211、第二中心辅助电极212和第二上辅助电极213。
图案化形成第二阳极电极200和第二辅助电极210的工艺可以包括使用蚀刻剂的蚀刻工艺。形成在焊盘区PA中的上焊盘电极402可以在蚀刻工艺中一起被蚀刻，并且因此，制造过程被简化。即，上焊盘电极402可在图案化形成在第二阳极电极200和第二辅助电极210的过程中被移除，因此，可以完成仅包括下焊盘电极401的焊盘电极400。由于上电极焊盘402由容易腐蚀的材料形成，因此可以通过移除上焊盘电极402获得仅包括耐腐蚀性优异的下焊盘电极401的焊盘电极400。
随后，如图4F所示，堤岸220可以形成在所述第二阳极电极200的一侧和另一侧上以暴露所述第二阳极电极200的顶部。而且，堤岸220可以形成在所述第二辅助电极210的一侧和另一侧上以暴露第二辅助电极210的顶部。
此外，在第一分隔壁231和第二分隔壁232可以顺序地形成在第二辅助电极210的暴露的顶部上。第一分隔壁231可以由与堤岸220相同的材料通过与堤岸220相同的图案化工艺与堤岸220同时形成。分隔壁230可以形成为堤岸220分离一定距离。因此，可以在分隔壁230和堤岸220之间设置分离空间。
为了使分隔壁230的顶部充当檐，第二分隔壁232的顶部的宽度形成为大于第二分隔壁232的底部的宽度。特别是，对于从前面看有机发光显示装置的这样一种情况，第二分隔壁232的顶部可覆盖隔壁230和堤岸220之间的分离空间，从而，在沉积有机发光层240的以下过程中，有机发光层240不沉积在隔壁230和堤岸220之间的分离空间。
随后，如图4G所示，有机发光层240可以形成在第二阳极电极200上。有机发光层240可以通过诸如在沉积材料的平直度方面优秀的蒸发工艺的沉积工艺形成，因此，在有机发光层240可被沉积在堤岸220和分隔壁230的顶部，但有机发光层240不沉积在堤岸220和分隔壁230之间的分离空间。即，分隔壁230的顶部在沉积有机发光层240时可以充当檐，因此，即使有机发光层240在没有覆盖第二辅助电极210的顶部的掩模图案的情况下沉积，有机发光层240也不沉积在堤岸220和分隔壁230之间的分离空间中。
随后，如图4H所示，阴极电极250可以形成在有机发光层240上。
阴极电极250可形成为通过分隔壁230与堤岸220之间的分离空间连接到第二辅助电极210。阴极电极250可以通过诸如在沉积材料的平直度方面不是很好的溅射工艺的沉积工艺形成。因此，在沉积阴极电极250的工艺中，阴极电极250可以沉积在分隔壁230与堤岸220之间的分离空间中。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H和图5I是示出制造根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的方法的截面图并且涉及制造图3上述有机发光显示装置的方法。以下，重复上述实施方式的描述被省略。
首先，如图5A所示，有源层110、栅极绝缘层120、栅极130、层间电介质140、源极150、漏极160和信号焊盘300可以被顺序地形成在基板100上。因此，一个TFTT可以形成在有源区AA且信号焊盘300可以形成在焊盘区PA。
随后，如图5B所示，钝化层165可以形成在源极150、漏极160和信号焊盘300上，平坦化层170可形成在钝化层165上。平坦化层170可以包括第三接触孔CH3。
随后，如图5C所示，第三接触孔CH3和第四接触孔CH4可以形成在钝化层165中。源极150可通过被包括在钝化层165和平坦化层170中的第三接触孔CH3被暴露于外部，并且信号焊盘300可通过被包括在钝化层165中的第四接触孔CH4被暴露于外部。
随后，如图5D所示，第一阳极电极180和第一辅助电极190可以形成在有源区AA的平坦化层170上，并且第一电极焊盘400a的可以在焊盘区PA的钝化层165上形成。
第一阳极电极180可以构造有第一下阳极电极181和第一上阳极电极182，第一辅助电极190可以构造有与第一下辅助电极191和第一上辅助电极192。第一焊盘电极400a可以构造有下焊盘电极401和上焊盘电极402。
随后，如图5E所示，第二阳极电极200可在有源区AA的第一阳极电极180上形成，第二辅助电极210可在有源区AA的第一辅助电极190上形成，以及第二焊盘电极400b可在焊盘区PA的第一焊盘电极400a上形成。
第二阳极电极200可以是图案形成以覆盖所述第一阳极电极180的顶部和侧表面，和第二辅助电极210可以是图案形以覆盖第一辅助电极190顶部和侧表面。焊盘电极400b可以图案形成以覆盖第一焊盘电极400a的顶部和侧表面。
第二焊盘电极400b可作为第一焊盘电极400a的盖焊盘电极，并且可以包括一个下盖焊盘电极403、中心盖焊盘电极404和上盖焊盘电极405。
第二阳极电极200、第二辅助电极210和第二焊盘电极400b中可由相同的材料通过相同的图案化工艺同时形成。
随后，如图5F所示，通过移除中心盖焊盘电极404和上盖焊盘电极405，只下盖焊盘电极403可以被留下作为盖焊盘电极。因此，包括下电极焊盘401、上焊盘电极402和下盖焊盘电极403的焊盘电极400可以被完成。
移除中心盖焊盘电极404和上盖焊盘电极405的工艺可以通过使用利用激光照射装置500的激光照射工艺进行。
随后，如图5G所示，堤岸220可以形成在第二阳极电极200的一侧和另一侧以暴露所述第二阳极电极200顶部。此外，堤岸220以形成在第二辅助电极210的一侧和另一侧以暴露所述第二阳极电极200顶部。此外，第一分隔壁231和第二分隔壁232可依次形成在第二辅助电极210的暴露的顶部上。分隔壁230可以形成为堤岸220分离一定距离，因此，可以在分隔壁230和堤岸220之间设置分离空间。
随后，如图5H所示，有机发光层240可以形成在第二阳极电极200上。有机发光层240可以沉积在堤岸220和分隔壁230的顶部，但不沉积在分隔壁230和堤岸220之间的分离空间。
随后，如图5I所示，阴极电极250可以形成在有机发光层240上。阴极电极250可形成为通过分隔壁230和堤岸220之间的分离空间连接到第二辅助电极210。
在本发明的实施方式中，可以形成焊盘电极以覆盖信号焊盘的顶部。具体地，焊盘电极的顶部可以形成为比信号焊盘的顶部的氧化速率更低，从而防止信号焊盘被腐蚀。因此，信号焊盘可以以两层结构形成，所述两层结构包括下信号焊盘和不容易受到腐蚀的上信号焊盘。
此外，根据本发明的实施方式，用于外露所述源极的接触孔和用于外露所述信号焊盘的接触孔可以同时形成在钝化层中。因此，一个掩模工艺中不增加(例如掩模步骤数不必增加)。
此外，根据本发明的实施方式，两个辅助电极(例如，第一辅助电极和第二辅助电极)可以被堆叠形成用于降低阴极电极的电阻。因此，更容易调整期望的辅助电极的电阻特性。也就是说，由于该辅助电极形成在与上面形成阳极电极的层相同的层上，因此在增加辅助电极的尺寸方面有限制。因此，根据本发明的实施方式，辅助电极可以被堆叠成两层，因此，提供了一种能更有效地降低阴极电极的电阻的结构的辅助电极。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不偏离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中进行各种修改和变型。因此，本发明旨在涵盖落在本发明所附权利要求极其等同物的范围内的对于本发明的各种修改和变型。
相关申请的交叉引用
本申请要求在2014年5月28日提交的韩国专利申请第10-2015-0075393号的优先权，出于所有目的通过引用将该韩国专利申请的全部内容合并到本文中，如同在本文中全部阐述一样。

Claims (17)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基板，所述基板包括有源区和焊盘区；
阳极电极，所述阳极电极被布置在所述基板的所述有源区中；
有机发光层，所述有机发光层被布置在所述阳极电极上；
阴极电极，所述阴极电极被布置在所述有机发光层上；
辅助电极，所述辅助电极被布置在与上面布置有所述阳极电极的层相同的层上，其中所述辅助电极连接到所述阴极电极；
信号焊盘，所述信号焊盘被布置在所述基板的所述焊盘区中；以及
焊盘电极，所述焊盘电极通过接触孔连接到所述信号焊盘并且覆盖所述信号焊盘的顶部，
其中，所述焊盘电极的顶部具有比所述信号焊盘的顶部更低的氧化速率。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述阳极电极包括：
第一阳极电极；以及
第二阳极电极，所述第二阳极电极被布置为覆盖所述第一阳极电极的顶部和侧表面。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一阳极电极包括第一下阳极电极和第一上阳极电极，并且
其中，所述第二阳极电极包括第二下阳极电极、第二中心阳极电极和第二上阳极电极。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述焊盘电极是与所述第一下阳极电极的材料相同的材料。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，
所述焊盘电极包括下焊盘电极、上焊盘电极和盖焊盘电极，所述盖焊盘电极覆盖所述上焊盘电极的顶部和侧表面，
所述下焊盘电极是与所述第一下阳极电极的材料相同的材料，
所述上焊盘电极是与所述第一上阳极电极的材料相同的材料，并且
所述盖焊盘电极是与所述第二下阳极电极的材料相同的材料。
6.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一下阳极电极的氧化速率低于所述第一上阳极电极的氧化速率，
所述第一上阳极电极的电阻低于所述第一下阳极电极的电阻，
所述第二下阳极电极和所述第二上阳极电极中的每一个的氧化速率低于所述第二中心阳极电极的氧化速率，并且
所述第二中心阳极电极的电阻低于所述第二下阳极电极和所述第二上阳极电极中的每一个的电阻。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述信号焊盘包括下信号焊盘和上信号焊盘，
所述下信号焊盘的氧化速率低于所述上信号焊盘的氧化速率，并且
所述上信号焊盘的电阻低于所述下信号焊盘的电阻。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述辅助电极包括：
第一辅助电极；以及
第二辅助电极，所述第二辅助电极覆盖所述第一辅助电极的顶部和侧表面。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述焊盘电极包括下焊盘电极、上焊盘电极和盖焊盘电极，所述盖焊盘电极覆盖所述上焊盘电极的顶部和侧表面，
其中，所述第一辅助电极包括第一下辅助电极并且所述第二辅助电极包括第二下辅助电极，并且
其中，所述下焊盘电极是与所述第一下辅助电极的材料相同的材料，并且所述盖焊盘电极是与所述第二下辅助电极的材料相同的材料。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
堤岸，所述堤岸位于所述第二辅助电极的一侧和另一侧；以及
分隔壁，所述分隔壁位于所述第二辅助电极上并且与所述堤岸分离，
其中，所述阴极电极通过所述堤岸与所述分隔壁之间的分离空间连接到所述第二辅助电极。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括位于源极与所述信号焊盘上方的钝化层，其中，所述接触孔是穿过所述钝化层的接触孔。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，所述焊盘电极覆盖所述信号焊盘的顶部的由所述接触孔暴露的部分。
13.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成源极、漏极和信号焊盘；
在所述源极、所述漏极和所述信号焊盘上形成钝化层；
通过移除所述钝化层的预定区域同时形成外部地暴露所述源极或所述漏极的接触孔以及外部地暴露所述信号焊盘的接触孔；
形成阳极电极、辅助电极和焊盘电极，所述阳极电极连接到所述源极或所述漏极，所述辅助电极与所述阳极电极分离，所述焊盘电极连接到所述信号焊盘并且覆盖所暴露的信号焊盘，其中，所述焊盘电极的顶部具有比所述信号焊盘的顶部更低的氧化速率；
在所述阳极电极上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成阴极电极，所述阴极电极连接到所述辅助电极。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
形成所述阳极电极的步骤包括以下步骤：形成第一阳极电极和第二阳极电极；并且形成所述辅助电极的步骤包括以下步骤：形成第一辅助电极和第二辅助电极，
其中，所述第二阳极电极覆盖所述第一阳极电极的顶部和侧表面，并且所述第二辅助电极覆盖所述第一辅助电极的顶部和侧表面。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，
形成第一焊盘电极的步骤包括以下步骤：形成下焊盘电极和上焊盘电极，并且
形成所述第二阳极电极和所述第二辅助电极的步骤包括以下步骤：通过使用蚀刻剂移除所述上焊盘电极。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，
形成所述第二阳极电极和所述第二辅助电极的步骤包括以下步骤：形成第二焊盘电极，所述第二焊盘电极包括下盖焊盘电极、中心盖焊盘电极和上盖焊盘电极，所述下盖焊盘电极覆盖第一焊盘电极的顶部和侧表面，并且
在形成所述第二焊盘电极之后，移除所述中心盖焊盘电极和所述上盖焊盘电极。
17.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述有机发光层之前，在所述第二辅助电极的一侧和另一侧上形成堤岸以及在所述第二辅助电极的顶部上形成分隔壁，
其中，
在所述堤岸与所述分隔壁之间的分离空间中没有沉积所述有机发光层，并且，
在所述堤岸与所述分隔壁之间的分离空间中沉积所述阴极电极。
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