CN106119131A - 一种缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法,该方法包括以下步骤:菌种活化培养;培养基制作;菌丝生物量测定。在过量铜胁迫的同时,加入适量的海藻糖,可以使菌丝干重比仅过量铜胁迫处理高50%~90%,大大缓解铜胁迫对菌丝生长的抑制。本发明加入海藻糖后,可以使菌丝干重比仅过量铜胁迫处理高50%~90%。
Description
技术领域
本发明属于食用菌栽培技术领域,具体地说,涉及一种缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法。
背景技术
随着我国经济社会发展和人民生活水平不断的提高,对食品安全越来越重视。食用菌因其具有富集重金属的特性,而备受人们关注。目前国内食用菌领域方面的专家已开始关注研究选育降低富集重金属能力的新品种以及相关的栽培措施等。目前有关食用菌对铜的响应、吸收和调控研究很少,有关外源海藻糖缓解过量铜对平菇菌丝生长的抑制的研究还未见报道。该研究将开拓食用菌相关研究的新领域和新方向,为食用菌逆境生理与机制提供理论参考,为筛选高富集和低富集铜的食用菌品种选育提供一定的理论基础。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法。
其具体技术方案为:
一种缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法,包括以下步骤:
步骤1、菌种活化培养
将低温或液氮保藏的平菇菌种取出,接种在马铃薯-葡萄糖-琼脂PDA平板培养基上进行25℃活化培养8d~10d,重复活化2次;然后用打孔器在平板上打取菌块并将菌块接种在含有PDA培养基的平板中央,25℃培养10d;再用相同的打孔器打取菌块;
步骤2、培养基制作
去皮马铃薯200g,切成0.5cm~1cm的小块,放入盛有800ml煮沸的去离子水的锅中,煮沸10min~15min;然后用4层纱布过滤,在滤液中加入20g的葡萄糖,使之完全溶解;用去离子水定容至1000mL,搅拌混匀备用;然后在250ml容量的三角瓶中加入100ml的上述培养基;在上述三角瓶中加入2.5%~5.0%(w/v)的海藻糖,以不加海藻糖作为对照,透气膜封口;121℃灭菌30min;冷却至室温后,置于超净工作台中;设置3个处理,分别为对照,即不加硫酸铜溶液;只加硫酸铜溶液;加硫酸铜溶液的同时加海藻糖溶液;在无菌条件下加入100mM的硫酸铜溶液,使培养基中铜离子浓度为1000uM~1500uM;用直径5mm的打孔器在培养8~12d的菌丝平板上打取10个菌种块,然后接入液体培养基中,置于25℃恒温摇床150rpm振荡培养5d;
步骤3、菌丝生物量测定
将培养好的菌丝用4层纱布过滤,然后用100ml~200ml的去离子水洗涤3~5次,然后在50℃烘至恒重。
进一步,步骤1中所述的低温为4℃。
进一步,步骤1中所述打孔器的直径为5mm。
优选地,步骤2中所述铜浓度为1250uM~1500uM。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:本发明的技术方案加入海藻糖后,可以使菌丝干重比仅过量铜胁迫处理高50%~90%。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步详细地说明。
实施例1
一种缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法,包括以下步骤:
步骤1、菌种活化培养
将低温(4℃)或液氮保藏的平菇菌种取出,接种在马铃薯-葡萄糖-琼脂PDA平板培养基上进行25℃活化培养8d~10d,重复活化2次;然后用打孔器(直径5mm)在平板上打取菌块并将菌块接种在含有PDA培养基的平板中央,25℃培养10d;再用相同的打孔器打取菌块;
步骤2、培养基制作
去皮马铃薯200g,切成0.5cm~1cm左右的小块,放入盛有800ml煮沸的去离子水的锅中,煮沸10min~15min;然后用4层纱布过滤,在滤液中加入20g的葡萄糖,使之完全溶解;用去离子水定容至1000mL,搅拌混匀备用;然后在250ml容量的三角瓶中加入100ml的上述培养基;在上述三角瓶中加入2.5%~5.0%(w/v)的海藻糖,以不加海藻糖作为对照(CK),透气膜封口;121℃灭菌30min;冷却至室温后,置于超净工作台中;设置3个处理,分别为对照(CK),即不加硫酸铜溶液;只加硫酸铜溶液(Cu);加硫酸铜溶液的同时加海藻糖溶液(Cu+T);在无菌条件下加入100mM的硫酸铜溶液,使培养基中铜离子浓度为1200uM~1500uM;用直径5mm的打孔器在培养8~12d的菌丝平板上打取10个菌种块,然后接入液体培养基中,置于25℃恒温摇床150rpm振荡培养5d;
步骤3、菌丝生物量测定
将培养好的菌丝用4层纱布过滤,然后用100ml~200ml的去离子水洗涤3~5次,然后在50℃烘至恒重。可以得出,海藻糖可以显著缓解过量铜对平菇菌丝生物量的抑制,菌丝干重可比仅过量铜胁迫处理高50%~90%。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,本发明的保护范围不限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内,可显而易见地得到的技术方案的简单变化或等效替换均落入本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、菌种活化培养
将低温或液氮保藏的平菇菌种取出,接种在马铃薯-葡萄糖-琼脂PDA平板培养基上进行25℃活化培养8d~10d,重复活化2次;然后用打孔器在平板上打取菌块并将菌块接种在含有PDA培养基的平板中央,25℃培养10d;再用相同的打孔器打取菌块;
步骤2、培养基制作
去皮马铃薯200g,切成0.5cm~1cm的小块,放入盛有800ml煮沸的去离子水的锅中,煮沸10min~15min;然后用4层纱布过滤,在滤液中加入20g的葡萄糖,使之完全溶解;用去离子水定容至1000mL,搅拌混匀备用;然后在250ml容量的三角瓶中加入100ml的上述培养基;在上述三角瓶中加入2.5%~5.0%(w/v)的海藻糖,以不加海藻糖作为对照,透气膜封口;121℃灭菌30min;冷却至室温后,置于超净工作台中;设置3个处理,分别为对照,即不加硫酸铜溶液;只加硫酸铜溶液;加硫酸铜溶液的同时加海藻糖溶液;在无菌条件下加入100mM的硫酸铜溶液,使培养基中铜离子浓度为1000uM~1500uM;用直径5mm的打孔器在培养8~12d的菌丝平板上打取10个菌种块,然后接入液体培养基中,置于25℃恒温摇床150rpm振荡培养5d;
步骤3、菌丝生物量测定
将培养好的菌丝用4层纱布过滤,然后用100ml~200ml的去离子水洗涤3~5次,然后在50℃烘至恒重。
2.根据权利要求1所述的缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法,其特征在于,步骤1中所述的低温为4℃。
3.根据权利要求1所述的缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法,其特征在于,步骤1中所述打孔器的直径为5mm。
4.根据权利要求1所述的缓解过量铜抑制平菇菌丝生长的方法,其特征在于,步骤2中所述铜浓度为1250uM~1500uM。
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