CN106103815A - SiC单晶的制造方法 - Google Patents

Abstract

利用溶液生长法制造SiC单晶时，维持贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率，提高贯通刃状位错向基底面位错的转化率。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法具备：将坩埚(14)内的原料加热熔融，生成SiC溶液(15)的工序；和使SiC籽晶(24)的晶体生长面(24A)与SiC溶液接触，使SiC单晶在晶体生长面上生长的工序。SiC籽晶的晶体结构为4H多晶型。晶体生长面的偏离角为1°以上且为4°以下。使SiC单晶生长时的SiC溶液的温度为1650℃以上且为1850℃以下。使SiC单晶生长时，SiC溶液中，SiC籽晶的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。

Description

SiC单晶的制造方法

技术领域

本发明涉及SiC单晶的制造方法，详细而言涉及利用溶液生长法(日文：溶液成長法)的SiC单晶的制造方法。

背景技术

碳化硅(SiC)为热、及化学上稳定的化合物半导体。SiC与硅(Si)相比，具有优异的带隙、介质击穿电压、电子饱和速度以及热导率。因此，SiC作为下一代的半导体材料受到关注。

已知SiC为显示多晶型的材料。SiC的代表的晶体结构为六方晶系的6H、4H及立方晶系的3C。这些晶体结构中，具有4H的晶体结构的SiC单晶(以下，称为4H-SiC单晶)与具有其它晶体结构的SiC单晶相比，带隙大。因此，4H-SiC单晶作为下一代的功率器件材料而受到关注。

作为SiC单晶的制造方法最常利用的是升华再结晶法。但是，利用升华再结晶法制造的SiC单晶中，容易产生例如微管等缺陷。缺陷对器件的特性造成不良影响。因此，需要抑制缺陷的产生。

作为SiC单晶的其他制造方法，有溶液生长法。溶液生长法中，使由SiC单晶构成的籽晶的晶体生长面与SiC溶液(日文：溶液)接触。SiC溶液中，使籽晶的附近部分成为过冷却状态，使SiC单晶在籽晶的晶体生长面生长。溶液生长法被公开在例如日本特开2009-91222号公报。

根据溶液生长法能够抑制微管的产生。但是，利用溶液生长法制造的SiC单晶中，存在对器件的特性造成不良影响的位错。这样的位错中，例如有贯通位错。贯通位错中，例如有贯通螺旋位错(TSD)和贯通刃状位错(TED)。贯通螺旋位错沿SiC单晶的c轴方向(<0001>方向)传播、且在沿c轴方向具有伯格斯矢量。贯通刃状位错沿c轴方向传播、且在沿与c轴方向呈垂直的方向具有伯格斯矢量。需要说明的是，微管为具有大的伯格斯矢量的贯通螺旋位错。

为了提高器件的特性，必需抑制贯通位错的产生。作为抑制贯通位错的产生的方法，例如有通过台阶流动生长使贯通位错变为基底面缺陷的方法。此处，基底面缺陷为在基底面内形成的缺陷。基底面缺陷中存在齿侧面型层叠缺陷和基底面位错。该方法被公开在例如日本结晶生长学会杂志Vol.40,No.1(2013)p.25-32(非专利文献1)。

上述文献中记载了大致全部的贯通螺旋位错变为齿侧面型层叠缺陷的内容。作为其理由，对于台阶流动生长，可列举出宏观上沿c轴方向SiC单晶生长，微观上大型台阶发展进行横向生长。

上述文献中记载了贯通刃状位错沿台阶流动方向变为基底面位错的内容。还记载了以下内容：有贯通刃状位错变为基底面位错的情况、和不变为基底面位错的情况。

上述文献还有以下记载。沿[11-20]方向设置有微倾斜的4H-SiC单晶(晶体生长面为Si面)作为籽晶使用的情况下，SiC单晶沿偏离角的方向、即沿[11-20]方向进行台阶流动生长。贯通刃状位错的伯格斯矢量为1/3<11-20>，具体而言，为1/3[11-20]、1/3[-12-10]、1/3[-2110]、1/3[-1-120]、1/3[1-210]、1/3[2-1-10]的6种。这些伯格斯矢量中，沿台阶流动方向具有平行的伯格斯矢量(1/3[11-20]、1/3[-1-120])的贯通刃状位错基本全部变为基底面位错。与此相对，伯格斯矢量为与台阶流动方向不平行的情况下(1/3[-12-10]、1/3[-2110]、1/3[1-210]、1/3[2-1-10])，贯通刃状位错难以变为基底面位错。

发明内容

如上述文献所记载的那样，贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率、和贯通刃状位错向基底面位错的转化率中，转化率不同。即，贯通螺旋位错和贯通刃状位错向基底面缺陷的转化率不同。因此，边维持贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率、边提高贯通刃状位错向基底面位错的转化率，由此能够降低生长单晶中的贯通位错。

本发明的目的是利用溶液生长法制造SiC单晶的情况下，边维持贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率、边提高贯通刃状位错向基底面位错的转化率。

本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法制造SiC单晶的方法。该方法聚并以下的工序(a)及工序(b)。工序(a)为将坩埚内的原料加热熔融，生成SiC溶液的生成工序。工序(b)为使SiC籽晶的晶体生长面与SiC溶液接触、使SiC单晶在晶体生长面上生长的生长工序。上述方法中，SiC籽晶的晶体结构为4H多晶型。上述方法中，晶体生长面的偏离角为1°以上且为4°以下。上述方法的生长工序中，使SiC单晶生长时的SiC溶液的温度为1650℃以上且为1850℃以下。上述方法的生长工序中，使SiC单晶生长时，SiC溶液中，SiC籽晶的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。

本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法能够边维持贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率，边提高贯通刃状位错向基底面位错的转化率。

附图说明

图1为本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法中使用的SiC单晶的制造装置的示意图。

图2为示出SiC单晶中存在的位错的示意图。

图3为示出贯通螺旋位错及贯通刃状位错向基底面的缺陷转化的示意图。

图4A为示出SiC单晶的晶体表面的光学显微镜照片。

图4B为示出台阶流动方向与台阶的关系的说明图。

图5为示出贯通刃状位错的伯格斯矢量与台阶的关系的说明图。

图6为示出晶体生长温度与贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率的图表，是偏离角为1°、且温度梯度为11℃/cm时的图表。

图7为示出晶体生长温度与贯通刃状位错向基底面位错的转化率的图表，是偏离角为1°、且温度梯度为11℃/cm时的图表。

图8为示出晶体生长温度与贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率的图表，是偏离角为4°、且温度梯度为11℃/cm时的图表。

图9为示出晶体生长温度与贯通刃状位错向基底面位错的转化率的图表，是偏离角为4°、且温度梯度为11℃/cm时的图表。

图10为示出温度梯度与贯通刃状位错向基底面位错的转化率的图表，是偏离角为4°、且晶体生长温度为1700℃时的图表。

具体实施方式

以下，边参照附图边针对本发明的实施方式进行说明。图中相同或相当部分附以相同符号，不再重复其说明。

本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法制造SiC单晶的方法。该方法具备准备工序、生成工序和生长工序。准备工序中准备制造装置。生成工序中生成SiC溶液。生长工序中使SiC籽晶与SiC溶液接触、使SiC单晶生长。以下，说明各工序的细节。

[准备工序]

准备工序中准备溶液生长法中使用的制造装置。图1为本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法中使用的制造装置10的示意图。图1所示的制造装置10为溶液生长法中使用的制造装置的一个例子。溶液生长法中使用的制造装置不限定于图1所示的制造装置10。

制造装置10具备腔室12、坩埚14、绝热部件16、加热装置18、旋转装置20和升降装置22。

腔室12容纳坩埚14。制造SiC单晶时，腔室12被冷却。

坩埚14容纳SiC溶液15的原料。此处，SiC溶液15是指在Si或Si合金的熔体(日文：融液)中溶解(日文：溶解)有碳(C)的溶液。优选的是，坩埚14含有碳。此时，坩埚14为向SiC溶液15的碳供给源。

绝热部件16由绝热材料构成，包围坩埚14。

加热装置18例如为高频线圈。加热装置18包围绝热部件16的侧壁。加热装置18将坩埚14感应加热生成SiC溶液15。加热装置18还将SiC溶液15维持在晶体生长温度。晶体生长温度为使SiC单晶生长时的SiC溶液15的温度、为SiC籽晶24与晶体生长面24A的接触区域的温度。晶体生长温度为1650～1850℃、优选为1700～1800℃。

旋转装置20具备旋转轴20A和驱动源20B。

旋转轴20A沿腔室12的高度方向(图1的上下方向)。旋转轴20A的上端位于绝热部件16内。在旋转轴20A的上端配置坩埚14。旋转轴20A的下端位于腔室12的外侧。

驱动源20B配置于腔室12的下方。驱动源20B连结于旋转轴20A。驱动源20B使旋转轴20A绕旋转轴20A的中心轴线旋转。

升降装置22具备籽晶轴22A和驱动源22B。

籽晶轴22A沿腔室12的高度方向。籽晶轴22A的上端位于腔室12的外侧。在籽晶轴22A的下端面放置SiC籽晶24。

驱动源22B被配置于腔室12的上方。驱动源22B连结籽晶轴22A。驱动源22B使籽晶轴22A升降。驱动源22B使籽晶轴22A绕籽晶轴22A的中心轴线旋转。

准备工序中，还准备SiC籽晶24。SiC籽晶24由SiC单晶组成。SiC籽晶24的晶体结构为4H多晶型。SiC籽晶24的晶体生长面24A可以为C面、也可以为Si面。晶体生长面24A的偏离角为1°～4°。此处，晶体生长面24A的偏离角为沿与晶体生长面24A垂直的方向延伸的直线、与沿c轴方向延伸的直线所呈的角度。即，SiC籽晶24为沿[11-20]方向设置有微倾斜的4H-SiC单晶。

准备制造装置10和SiC籽晶24后，将SiC籽晶24置于籽晶轴22A的下端面。

接着，在腔室12内的旋转轴20A上配置坩埚14。此时，坩埚14容纳SiC溶液15的原料。原料例如可以仅为Si、也可以为Si与其它金属元素的混合物。金属元素例如为钛(Ti)、锰(Mn)、铬(Cr)、钴(Co)、钒(V)、铁(Fe)等。作为原料的形态，例如为多个块、粉末等。

[生成工序]

接着，生成SiC溶液15。首先，向腔室12内填充非活性气体。随后，利用加热装置18将坩埚14内的SiC溶液15的原料加热至熔点以上。坩埚14由石墨制成的情况下，加热坩埚14时碳从坩埚14溶入到熔体，生成SiC溶液15。坩埚14的碳溶入到SiC溶液15时，SiC溶液15内的碳浓度接近饱和浓度。坩埚14不能作为碳供给源利用时，SiC溶液15的原料含有C。

[生长工序]

接着，利用加热装置18将SiC溶液15保持在晶体生长温度。接着，利用驱动源22B使籽晶轴22A下降，使SiC籽晶24的晶体生长面24A与SiC溶液15接触。此时，也可以将SiC籽晶24浸渍于SiC溶液15。

将SiC籽晶24的晶体生长面24A与SiC溶液15接触后，利用加热装置18，将SiC溶液15保持在晶体生长温度。进而，使SiC溶液15中的SiC籽晶24的附近过冷却，将SiC制成过饱和状态。此时，SiC溶液中，SiC籽晶24的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。温度梯度为0℃/cm时，晶体不开始生长。温度梯度超过19℃/cm时，过饱和度变大，因此平台上出现三维生长，阻碍为二维生长的台阶流动生长，减少贯通刃状位错向基底面位错的转化率。温度梯度的下限优选为5℃/cm、进一步优选为7℃/cm。温度梯度的上限优选为15℃/cm、进一步优选为11℃/cm。

使SiC溶液15中的SiC籽晶24的附近过冷却的方法没有特别限定。例如，控制加热装置18，使SiC溶液15中的SiC籽晶24的附近区域的温度低于其它区域的温度。另外，可以利用制冷剂将SiC溶液15中的SiC籽晶24的附近冷却。具体而言，在籽晶轴22A的内部使制冷剂循环。制冷剂例如为氦(He)、氩(Ar)等非活性气体。籽晶轴22A内使制冷剂循环时，SiC籽晶24被冷却。SiC籽晶24变冷时，SiC溶液15中的SiC籽晶24的附近也变冷。

使SiC溶液15中的SiC籽晶24的附近区域的SiC成为过饱和状态时，直接使SiC籽晶24和SiC溶液15(坩埚14)旋转。通过使籽晶轴22A旋转，使SiC籽晶24旋转。通过使旋转轴20A旋转，使坩埚14旋转。SiC籽晶24的旋转方向可以与坩埚14的旋转方向为逆方向、也可以为同方向。旋转速度可以为定值，也可以变动。籽晶轴22A边旋转边缓慢上升。此时，使SiC单晶在与SiC溶液15接触的SiC籽晶24的晶体生长面上生长。需要说明的是，籽晶轴22A可以只旋转而不上升、也可以不上升也不旋转。

[制造的SiC单晶]

边参照图2及图3边针对利用上述方法制造的SiC单晶进行说明。图2为示出SiC单晶中存在的贯通螺旋位错及贯通刃状位错的示意图。图3为示出贯通螺旋位错及贯通刃状位错向基底面的缺陷转化的示意图。

利用上述方法，使SiC单晶26在SiC籽晶24的晶体生长面24A上生长。SiC单晶26中，如图2所示，存在贯通螺旋位错TSD及贯通刃状位错TED。贯通螺旋位错TSD沿SiC单晶24的c轴方向(<0001>方向)传播、且在c轴方向具有伯格斯矢量b。贯通刃状位错TED沿c轴方向传播、且在与c轴方向垂直的方向具有伯格斯矢量b。

根据上述方法，贯通螺旋位错TSD如图3所示，变为齿侧面型的层叠缺陷SF。作为它的理由，例如可以认为，对于台阶流动生长，宏观上沿c轴方向SiC单晶生长，微观上大型台阶发展进行横向生长。

根据上述方法，贯通刃状位错TED如图3所示，变为基底面位错BPD。此处，有贯通刃状位错TED变为基底面位错BPD的情况、和不变为基底面位错BPD的情况。SiC籽晶24为沿[11-20]方向设置有微倾斜的4H-SiC单晶，假定晶体生长面24A为Si面的情况。此时，SiC单晶26沿偏离角的方向、即沿[11-20]方向进行台阶流动生长。贯通刃状位错TED的伯格斯矢量为1/3<11-20>，具体而言为1/3[11-20]、1/3[-12-10]、1/3[-2110]、1/3[-1-120]、1/3[1-210]、1/3[2-1-10]的6种。这些伯格斯矢量中，具有与台阶流动方向平行的伯格斯矢量(1/3[11-20]、1/3[-1-120])的贯通刃状位错TED基本全部变为基底面位错BPD。与此相对，伯格斯矢量为与台阶流动方向不平行的情况下(1/3[-12-10]、1/3[-2110]、1/3[1-210]、1/3[2-1-10])，贯通刃状位错TED难以变为基底面位错BPD。

此处，根据本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法，贯通刃状位错TED变得容易变为基底面位错BPD。针对它的理由，边参照图4A、图4B及图5边进行说明。图4A为SiC单晶26的晶体表面的光学显微镜照片。图4B为示出台阶流动方向与台阶的关系的说明图。图5为示出贯通刃状位错的伯格斯矢量与台阶的关系的说明图。

通过台阶流动生长，在SiC籽晶24的晶体生长面24A上形成SiC单晶26。因此，SiC单晶26如图4A及图4B所示，具有台阶ST。此处，台阶ST是指，如图4A所示，通过使用光学显微镜在晶体表面上被观察到的晶体的高度差。台阶ST如图4A及图4B所示，从与晶体生长面24A垂直的方向来看，相对于沿与台阶流动方向D1垂直的方向延伸的基准线L1是倾斜的。

根据本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法，能够将台阶ST相对于基准线L1的倾斜角度α制成适宜大小。其结果，贯通刃状位错TED向基底面位错BPD的转化率提高。作为它的理由，例如可以认为以下的理由。

如上所述，SiC籽晶24为在[11-20]方向设置有微倾斜的4H-SiC单晶，晶体生长面24A为Si面的情况下，贯通刃状位错TED的伯格斯矢量为1/3<11-20>。具体而言，为1/3[11-20]、1/3[-12-10]、1/3[-2110]、1/3[-1-120]、1/3[1-210]、1/3[2-1-10]的6种。这些伯格斯矢量绕c轴每隔60°而存在。即，c轴周围相邻的2个伯格斯矢量所呈角度为60°。图5示出了1/3[11-20]的伯格斯矢量和1/3[-2110]的伯格斯矢量。

将c轴周围相邻的2个伯格斯矢量所呈的角度进行二等分的方向为<1-100>。图5示出了将1/3[11-20]的伯格斯矢量与1/3[-2110]的伯格斯矢量所呈的角度进行二等分的[1-100]。

晶体生长开始后，立即通过研磨形成相对于SiC籽晶24形成的台阶流动方向为垂直的台阶。因此，具有与台阶流动方向平行的伯格斯矢量(1/3[11-20]、1/3[-1-120])的贯通刃状位错TED变为基底面位错BPD。

晶体生长进一步进行时，如图5所示，形成相对于基准线L1而倾斜的台阶ST。图5中示出了、台阶ST与[1-100]方向垂直相交的情况、即台阶ST与[11-20]方向相交的角度θ1与台阶ST与[-2110]方向相交的角度θ2是相同的情况。角度θ1与角度θ2无需相同大小。如上所述，<11-20>与<1-100>所呈角度为30°。倾斜角度α大于15°、且小于90°即可。

通过形成台阶ST，具有与台阶流动方向不平行的伯格斯矢量(1/3[-12-10]、1/3[-2110]、1/3[1-210]、1/3[2-1-10])的贯通刃状位错TED变为基底面位错BPD。其结果，整体而言，能够提高贯通刃状位错TED向基底面位错BPD的转化率。

根据本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法，能够制造贯通螺旋位错及贯通刃状位错少的SiC单晶。因此，将该SiC单晶用于籽晶，利用升华再结晶法或高温CVD(化学气相沉积)法制造SiC单晶的情况下，能够以高生长速度得到高品质的SiC单晶。

升华再结晶法中，将由SiC单晶构成的籽晶和为SiC单晶的原料的SiC晶体粉末放入坩埚，在氩气等非活性气体气氛中进行加热。此时，与原料粉末相比，以使籽晶变得略低些的温度设定温度梯度。根据升华后通过温度梯度而形成的浓度梯度，原料向籽晶扩散、输送。SiC单晶的生长通过达到籽晶的原料气体在籽晶上再结晶化来实现。

高温CVD法中，真空容器内相对于支承棒状部件的台座配置由SiC单晶构成的籽晶，从籽晶的下方供给SiC的原料气体，由此使SiC单晶在籽晶的表面生长。

实施例

以各种制造条件制造SiC单晶。针对制造的SiC单晶，调查贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率及贯通刃状位错向基底面位错的转化率。

以表1所示的制造条件制造SiC单晶。

[表1]

实施例1～6的制造条件为本发明的范围内。比较例1～8的制造条件为本发明的范围外。

针对制造的SiC单晶，调查倾斜角度α、台阶高度、贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率及贯通刃状位错向基底面位错的转化率。从这些调查结果出发，评价位错转化、表面构造，进而进行综合评价。将其结果示于表2。

[表2]

对于倾斜角度α，对SiC单晶的表面以光学显微镜观察测定。对于台阶高度，对SiC单晶的表面以原子力显微镜观察测定。对于贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率(TSD转化率)及贯通刃状位错向基底面位错的转化率(TED转化率)，通过对分别表示贯通螺旋位错及贯通刃状位错的蚀坑的观察来求出。即，分别针对贯通螺旋位错及贯通刃状位错，求出利用熔融KOH蚀刻的SiC单晶的表面上形成的蚀坑数、与利用熔融KOH蚀刻的SiC籽晶的表面上形成的蚀坑数之差，将该差值除以利用熔融KOH蚀刻的SiC籽晶的表面上形成的蚀坑数，由此求出。蚀刻的时间为3～4分钟。熔融KOH的温度为500℃。对于表示贯通螺旋位错及贯通刃状位错的蚀坑的数目，对利用熔融KOH蚀刻的晶体的表面以光学显微镜观察来求出。

位错转化按以下的基准评价。表2中，◎(极好)表示TSD转化率为90％以上，且TED转化率为50％以上的情况。○(好)表示TSD转化率不足90％，且TED转化率为50％以上的情况。×(不佳)表示均不满足上述的情况。比较例3及比较例8中，由于位错的增殖、异相混杂等，蚀坑的观察困难，不能测定TSD转化率及TED转化率。

表面构造按以下的基准评价。表2中，◎(极好)表示倾斜角度α为30°以上、且不足90°的情况。○(好)表示倾斜角度α为15°以上、且不足30°的情况。×(不佳)表示倾斜角度α不足15°的情况。

综合评价按以下的基准评价。表2中，◎(极好)表示位错转化及表面构造的评价中，均为◎。○(好)表示位错转化及表面构造的评价中均不为×、且有任一项为○。×(不佳)表示位错转化及表面构造的评价中有任一项为×。

图6为示出针对实施例2、3及比较例7、8的晶体生长温度与贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率的关系的图表。图7为示出针对实施例2、3及比较例7、8的晶体生长温度与贯通刃状位错向基底面位错的转化率的关系的图表。图8为示出针对实施例1、6及比较例3、4的晶体生长温度与贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率的关系的图表。图9为示出针对实施例1、6及比较例3、4的晶体生长温度与贯通刃状位错向基底面位错的转化率的关系的图表。

如图6～图9所示，晶体生长温度为1650℃～1850℃时，贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率及贯通刃状位错向基底面位错的转化率提高。

图10为示出针对实施例1、4、7及比较例5的温度梯度与贯通刃状位错向基底面位错的转化率的关系的图表。如图10所示，温度梯度大于0℃/cm、且为19℃/cm以下，贯通刃状位错向基底面位错的转化率提高。

以上，针对本发明的实施方式详细地进行了叙述，但这些不过是例示，本发明不被限定于上述的实施方式。

Claims (5)

1.一种SiC单晶的制造方法，其为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其具备：

将坩埚内的原料加热熔融，生成SiC溶液的生成工序；和

使SiC籽晶的晶体生长面与所述SiC溶液接触，使所述SiC单晶在所述晶体生长面上生长的生长工序，

所述SiC籽晶的晶体结构为4H多晶型，

所述晶体生长面的偏离角为1°以上且为4°以下，

所述生长工序中，

使所述SiC单晶生长时的所述SiC溶液的温度为1650℃以上且为1850℃以下，并且

使所述SiC单晶生长时，所述SiC溶液中，所述SiC籽晶的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，

使所述SiC单晶生长时的所述SiC溶液的温度为1700℃以上且为1800℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶的制造方法，其中，

所述晶体生长面为C面。

4.一种SiC单晶的制造方法，其为利用升华再结晶法或高温CVD法的SiC单晶的制造方法，其具备：

准备SiC籽晶的工序；和

使所述SiC单晶在所述SiC籽晶上生长的工序，

所述SiC籽晶为利用权利要求1～3中任一项所述的方法制造的。

5.一种SiC单晶，其为在SiC籽晶的晶体生长面上沿[11-20]方向台阶流动生长的SiC单晶，

从与所述晶体生长面垂直的方向来看，台阶与对所述[11-20]方向呈垂直方向延伸的基准线的所呈角度为大于15°且小于90°的角度，

从与所述晶体生长面平行的方向来看，聚并后的台阶的高度大于2nm且为200nm以下。