CN106062948B - 散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统 - Google Patents

散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统 Download PDF

Info

Publication number
CN106062948B
CN106062948B CN201480075879.4A CN201480075879A CN106062948B CN 106062948 B CN106062948 B CN 106062948B CN 201480075879 A CN201480075879 A CN 201480075879A CN 106062948 B CN106062948 B CN 106062948B
Authority
CN
China
Prior art keywords
fin
main part
metal mold
cooling fin
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201480075879.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106062948A (zh
Inventor
铃木贵志
中川香苗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of CN106062948A publication Critical patent/CN106062948A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106062948B publication Critical patent/CN106062948B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20436—Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08G—TRAFFIC CONTROL SYSTEMS
    • G08G1/00—Traffic control systems for road vehicles
    • G08G1/01—Detecting movement of traffic to be counted or controlled
    • G08G1/042—Detecting movement of traffic to be counted or controlled using inductive or magnetic detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48105—Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/48106—Connecting bonding areas at different heights the connector being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. parallel layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Abstract

本发明涉及散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统。电子装置具备：主体部、散热材料以及覆盖部。主体部由第一材料形成，散热片由比第一材料热传导率高的第二材料形成。散热片设置于主体部，并具有翅片、与该翅片在与顶部不同的位置彼此进行了热连接的其他翅片、以及将翅片与电子部件进行热连接的被连接部。覆盖部由第一材料形成，并对翅片与其他翅片之间的槽的底部中的至少一部分进行覆盖。

Description

散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造 方法、集成模块以及信息处理系统
技术领域
本申请公开的技术涉及散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统。
背景技术
在具备需要散热的电子部件的电子装置中，有时使用与电子部件进行热连接并进行散热的散热部件。
专利文献1：日本特开平7－7110号公报
专利文献2：日本特开平5－326762号公报
专利文献3：日本特开2009－152537号公报
在具备如上所述的散热部件的电子装置中，希望能够抑制散热部件的散热性能降低。
发明内容
本申请公开的技术作为一个方面将抑制散热部件中的散热性能降低作为目的。
为了实现上述目的，根据本申请公开的技术，提供一种具备主体部、散热材料以及覆盖部的散热部件。主体部由第一材料形成，散热片由比第一材料热传导率高的第二材料形成。散热片设置于主体部，并具有翅片、与该翅片在与顶部不同的位置彼此进行了热连接的其他翅片、以及将翅片与电子部件进行热连接的被连接部。覆盖部由第一材料形成，并对翅片与其他翅片之间的槽的底部中的至少一部分进行覆盖。
根据本申请公开的技术，能够抑制散热部件中的散热性能的降低。
附图说明
图1是第一实施方式的电子装置的立体图。
图2是第一实施方式的电子装置的正剖视图。
图3是对第一实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图4是对第一实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图5是对第一实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图6是第一实施方式的散热片的局部放大立体图。
图7是对第一实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图8是对第一实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图9是表示第一实施方式的信息处理系统的图。
图10是表示第一实施方式的电子装置的第一变形例的正剖视图。
图11是表示第一实施方式的电子装置的第一变形例的俯视图。
图12是表示第一实施方式的电子装置的第二变形例的正剖视图。
图13是对第二实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图14是对第二实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图15是第二实施方式的散热片的局部放大立体图。
图16是对第二实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图17是对第二实施方式的电子装置的制造方法的变形例进行说明的图。
图18是制造第三实施方式的电子装置的第一金属模的侧剖视图。
图19是对第三实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图20是对第三实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图21是第三实施方式的电子装置的正剖视图。
图22是第三实施方式的电子装置的侧剖视图。
图23是对第四实施方式的电子装置的制造方法进行说明的图。
图24是形成于第四实施方式的电子装置的蚀文的放大图。
图25是表示第七实施方式的电子装置的第一变形例的正剖视图。
图26是第四实施方式的电子装置的第一变形例中的细微周期构造的放大图。
图27是表示第四实施方式的电子装置的第二变形例的正剖视图。
图28是表示第五实施方式的集成模块的图。
图29是表示第五实施方式的信息处理系统的图。
图30是表示第五实施方式的第一应用例的信息处理系统的利用状态的图。
图31是表示第五实施方式的第二应用例的信息处理系统的利用状态的图。
图32是表示第五实施方式的第三应用例的信息处理系统的利用状态的图。
图33是表示第五实施方式的第四应用例的信息处理系统的利用状态的图。
图34是表示第五实施方式的第五应用例的信息处理系统的利用状态的图。
具体实施方式
[第一实施方式]
对本申请公开的技术的第一实施方式进行说明。
如图1、图2所示，第一实施方式的电子装置10具备：主体部12、基板30以及散热片40。
各图所示的箭头W、箭头L以及箭头H分别表示电子装置10的宽度方向、长度方向以及高度方向。以下，将电子装置10的宽度方向、长度方向以及高度方向称为宽度W方向、长度L方向以及高度H方向。
主体部12具有：偏平长方体的基部13、以及从该基部13向高度H方向的上侧突出的多个凸部14。该主体部12如后述那样通过注塑成型而形成，并由作为“第一材料”的一个例子的树脂(例如，聚酰胺树脂)形成。
基板30形成为平板状，并将高度H方向配置作为厚度方向。在该基板30安装有包括作为“电子部件”的一个例子的热电元件31、作为“通信部”的一个例子的通信部件32等的安装部件。包括该热电元件31以及通信部件32等的基板30的安装部件与形成于基板30的电路图案连接。如图2所示，热电元件31以及通信部件32等的安装部件以及基板30由作为树脂的主体部12的基部13密封。
热电元件31的散热面经由连接部件33以及散热件34与后述的散热片40的被连接部41进行热连接。另一方面，在热电元件31的吸热面侧配置有导热部件35。该导热部件35与热电元件31的吸热面进行热连接。该导热部件35中的与热电元件31相反的一侧的部分35A从主体部12的底面突出，并向外部露出。
散热片40由比形成主体部12的第一材料热传导率高的第二材料形成。在第一实施方式中，作为一个例子，形成散热片40的材料为石墨(carbon)。该散热片40设置于主体部12的高度H方向的上侧，并从高度H方向的上侧覆盖主体部12。
在散热片40的宽度W方向的中央部形成有与上述的热电元件31进行了热连接的被连接部41，在散热片40的宽度W方向的两端部分别形成有缘部42。被连接部41以及缘部42将高度H方向形成为厚度方向。被连接部41以及缘部42的高度H方向上的位置(高度)作为一个例子被对齐。
在散热片40中的被连接部41的两侧分别折弯形成有多个翅片43。该多个翅片43将高度H方向形成为高度方向。翅片43为朝向其顶部43A而宽度变窄的尖细形状(截面等腰三角形)。多个翅片43作为一个例子被对齐在相同的高度。
形成于散热片40的宽度W方向的一侧以及另一侧的各多个翅片43如图1所示地沿宽度W方向排列，各翅片43将长度L方向作为长边方向进行延伸。该翅片43延伸的方向亦即长度L方向为“与多个翅片排列的方向交叉的方向”的一个例子。一个翅片43与其他的翅片43作为在与顶部不同的位置彼此进行热连接的一个例子通过底部44A连接。
多个翅片43之间形成为截面V字形的槽44，翅片43的内侧以及槽44分别在翅片43的长边方向亦即长度L方向上开口。具有该多个翅片43、被连接部41以及缘部42的散热片40例如通过冲压加工而形成。在翅片43的内侧填充有形成凸部14的树脂，翅片43从翅片43的内侧被凸部14支承。
另外，电子装置10还具备覆盖部16。覆盖部16由与主体部12相同的材料形成，并覆盖形成于多个翅片43间的槽44的底部44A整体。在主体部12与覆盖部16之间如后述那样在注塑成型时形成有连结部19(参照图8)，主体部12与覆盖部16经由连结部19而形成为一体。在图1中，为了容易理解电子装置10的内部构造，而省略了连结部19(参照图8)的图示。
主体部12以及覆盖部16为树脂，并通过注塑成型而与散热片40一体化。覆盖部16形成为长薄板状，并设置于槽44中的底部44A侧。该覆盖部16形成为薄型，由此翅片43的侧面部43B中的相比覆盖部16更靠翅片43的顶部43A侧的部分向外部露出。
此外，在第一实施方式的电子装置10中，从电子装置10除去热电元件31、连接部件33、散热件34、导热部件35以及基板30而残留的构造体形成散热部件50。换句话说，散热部件50具有：主体部12、散热片40以及多个覆盖部16。
接着，对包括第一实施方式的散热部件50的电子装置10的制造方法进行说明。
图1所示的电子装置10作为一个例子由图3所示的金属模51制造。金属模51具有第一金属模52以及第二金属模62。作为一个例子，第一金属模52为固定型，第二金属模62为可动型。
在第一金属模52形成有向高度H方向的下侧凹陷的第一型腔53。第一型腔53具有相当于基部13(参照图1)的高度的深度。在第一型腔53收容有热电元件31、通信部件32、连接部件33、散热件34、以及搭载有导热部件35等的基板30。在第一金属模52形成有用于向金属模51内注入树脂的注入口54、以及用于抽出金属模51内的空气的排气口55。注入口54作为一个例子朝向形成于后述的第二金属模62的多个第二型腔63的内侧开口。
在第二金属模62形成有沿宽度W方向排列并向高度H方向的上侧凹陷的多个第二型腔63。各第二型腔63形成为形成于上述的散热片40的多个翅片43的外形以及大小相配合，并形成为截面倒V字形。在第二金属模62安装有散热片40，在多个第二型腔63收容有多个翅片43。多个第二型腔63之间的尖细形状部形成为向第一金属模52侧突出的突起部64，并被插入多个翅片43之间的槽44。
第二金属模62中的第一金属模52侧的下表面中的与被连接部41以及缘部42对置的对置面65、66作为一个例子被对齐在相同的高度。如图4所示，在第二金属模62安装有散热片40的状态下，对置面65、66与被连接部41以及缘部42分别抵接。另一方面，形成于散热片40的槽44的底部44A在槽44的深度方向(高度H方向)上位于比被连接部41以及缘部42低的位置，在被插入槽44的突起部64的前端部64A与底部44A之间形成有间隙68。
另外，如图5所示，在第二金属模62安装有散热片40的状态下，散热片40的长度L方向的端部40A沿高度H方向直线状地延伸。与此相对，第二型腔63的长度L方向的侧面63A以随着朝向高度H方向的下侧而朝向长度L方向的端侧的方式相对于高度H方向倾斜。换句话说，如图6所示，第二型腔63的长度L方向的侧面63A相对于高度H方向具有倾斜角度θ。该第二型腔63的倾斜角度θ(锥度)是为了容易从第二型腔63取出成型品而设置的。
而且，由于第二型腔63的侧面63A倾斜，从而如图5所示，散热片40的长边方向的长度L2比用于形成主体部12的第一型腔53以及第二型腔63的长度L方向的长度L1短。该第二型腔63的长度L方向的长度L1相当于第二型腔63中的第一金属模52侧的开口宽度、以及第一型腔53中的第二金属模62侧的开口宽度。
利用以上的金属模51按照以下的要领制造电子装置10。
首先，如图4所示，搭载有热电元件31、通信部件32、连接部件33、散热件34、以及导热部件35等的基板30收容于第一金属模52内的第一型腔53。另外，预先通过冲压加工而折弯形成有多个翅片43的散热片40收容于第二金属模62内的第二型腔63。
如图5所示，散热片40以使其长度L方向的长度L2比第一型腔53以及第二型腔63的长度L方向的长度L1短的方式被预先形成。另外，如图4所示，与被插入槽44的第二金属模62的突起部64的前端部64A相比底部44A位于槽44的深度方向(高度H方向)低的位置，在突起部64的前端部64A与底部44A之间形成有间隙68。
而且，在这样将散热片40以及基板30组装于金属模51的状态下，如图7所示，第一金属模52与第二金属模62被组合并被固定。这样第一金属模52与第二金属模62被组合并被固定的状态为“组装状态”的一个例子。
接着，作为“第一材料”的一个例子的树脂以熔融的状态从注入口54朝向翅片43的内侧被注入金属模51内。被注入金属模51内的树脂如图8的箭头A所示地从翅片43的内侧朝向翅片43的顶部43A流动，并被填充于翅片43的内侧。通过向翅片43的内侧填充树脂，从而翅片43膨胀而紧贴于第二型腔63的内表面。此外，也可以以使被注入金属模51内的树脂容易向翅片43的内侧流入的方式在基板30形成有使树脂通过的贯通孔。
如图8所示，到达至翅片43的顶部43A的树脂被顶部43A反弹，并向翅片43的长度L方向两侧的端部流动。流动至该翅片43的长度方向两侧的端部的树脂从翅片43的内侧的长度L方向两侧的开口向翅片43的外侧流出。另外，流出至该翅片43的外侧的树脂如图8的箭头B所示地通过散热片40的长度L方向的端部40A与第二型腔63的侧面63A之间的间隙69，并被填充于突起部64的前端部64A与底部44A之间的间隙68。间隙68与熔融的树脂的材料、温度对应地被设定为适当尺寸。
之后，金属模51被冷却。金属模51可以被自然冷却，也可以通过使从外部供给的冷却水向设置于金属模51的水冷管循环而被强制冷却。
而且，如以上那样被填充于金属模51内的树脂被冷却而固化，从而如图7所示，形成基部13、多个凸部14、以及多个覆盖部16。即，利用被填充于第一金属模52的第一型腔53的树脂形成密封热电元件31、基板30等的基部13，利用被填充于翅片43的内侧的树脂形成支承翅片43的凸部14。并且，利用被填充于第二金属模62的突起部64的前端部64A与底部44A之间的间隙68的树脂形成覆盖底部44A整体的覆盖部16。
另外，在这样制造出的电子装置10中，如图8所示，利用被填充于散热片40的长度L方向的端部40A与第二型腔63的侧面63A之间的间隙69的树脂形成连结部19。主体部12与覆盖部16经由连结部19而形成为一体。连结部19从长度L方向的两侧覆盖散热片40，并且从主体部12向翅片43的顶部43A延伸。
另外，通过以上的注塑成型将主体部12以及覆盖部16与散热片40一体化。主体部12的长度L方向的长度与第一型腔53以及第二型腔63的长度L方向的长度L1相同。主体部12的长度L方向的长度L1比散热片40的长度L方向的长度L2长了在主体部12形成有连结部19的大小。从金属模51取出按照以上的要领制造出的电子装置10。
接下来，对第一实施方式的作用以及效果进行说明。
如以上详述那样，第一实施方式的电子装置10如图1、图2所示那样一体具有通过注塑成型并利用树脂形成的主体部12、以及设置于该主体部12的片状的散热片40。在该电子装置10中，承担散热的不是由热传导性低的树脂形成的主体部12，而是设置于该主体部12的散热片40。该散热片40为片状，因此为了确保散热性而要求连续。
然而，因使用第一实施方式的电子装置10的环境不同，而假定有在形成于散热片40的槽44滞留有异物的情况。在此，作为相对于第一实施方式的比较例，假设电子装置10不具有覆盖部16，若在该情况下勉强除去滞留于槽44的异物，则有可能散热片40的表面损伤。在散热片40中，若表面损伤，则难以在损伤的部位导热，从而散热性能降低。这样，在不具有覆盖部16的情况下，因异物的除去，而忧虑散热片40的散热性能降低。
与此相对，在第一实施方式的电子装置10中，槽44的底部44A由覆盖部16覆盖。因此，即便在使用例如刷子等清洁用具除去滞留于槽44的异物的情况下，也防止清洁用具与底部44A的接触，因此能够抑制底部44A的表面损伤。由此，即便散热片40由例如柔软而容易损伤的材料形成，也能够抑制散热片40中的散热性能降低。
特别是，覆盖部16覆盖底部44A整体，因此能够遍及底部44A的整体抑制底部44A的表面带伤。由此，能够进一步有效地抑制散热片40中的散热性能降低。
另外，覆盖部16设置于槽44中的底部44A侧，翅片43的侧面部43B中的相比覆盖部16更靠翅片43的顶部43A侧的部分向外部露出。因此，在散热片40中，在翅片43的侧面部43B中的相比覆盖部16更靠翅片43的顶部43A侧的部分被散热，因此能够确保散热片40中的散热性能。换句话说，底部44A由覆盖部16覆盖，由此抑制从底部44A的散热，但底部44A的面积比翅片43的侧面部43B的面积小，因此能够抑制设置有覆盖部16影响散热片40中的散热性能。
另外，电子装置10具备散热用的片状的散热片40。因此，与具备散热用的例如铸件、切削品等散热材料的结构相比，能够将电子装置10小型化。
另外，与散热片40一体化的主体部12密封热电元件31、基板30等，因此能够利用主体部12保护热电元件31、基板30等。
另外，在散热片40折弯形成有多个翅片43，因此能够将散热片40的表面积扩大形成有该多个翅片43的大小。由此，能够提高散热片40的散热性能。
另外，在主体部12形成有被填充于翅片43的内侧的凸部14，翅片43从翅片43的内侧被凸部14支承。因此，即便在对翅片43施加了外力的情况下，也能够抑制翅片43压坏等变形。由此，能够维持散热片40的散热性能。
另外，根据第一实施方式的电子装置的制造方法，通过相同的工序进行利用主体部12密封热电元件31、基板30等的注塑成型、以及散热片40以及主体部12的粘合。由此，与分别进行利用主体部12密封热电元件31、基板30等的注塑成型、以及粘合散热片40以及主体部12的工序的情况相比，制造工序较少便可。由此，能够降低电子装置10的成本。
另外，主体部12与覆盖部16通过注塑成型而形成为一体。因此，与例如分别形成主体部12与覆盖部16的情况相比，制造工序较少便可，因此即便如此，也能够降低电子装置10的成本。
接着，对第一实施方式的电子装置10的应用例进行说明。
图9所示的信息处理系统70作为一个例子为用于对在内侧流动有高温流体的管72的温度数据进行管理的系统。该信息处理系统70具备集成模块80以及服务器85。
集成模块80设置于作为“设置对象物”的一个例子的管72的表面。该集成模块80具有上述的电子装置10以及传感器83。在该集成模块80中，电子装置10的热电元件31为“电力供给部”的一个例子，传感器83为“检测部”的一个例子。热电元件31经由导热部件35而与管72进行热连接。传感器83例如为热敏传感器，并固定于管72的表面。该传感器83经由配线84而与基板30连接。
在该集成模块80中，若在管72的内侧流动有高温流体，则与该管72进行了热连接的热电元件31的吸热面的温度上升。另一方面，若翅片43暴露于例如气流73等外部空气，则与散热片40进行了热连接的热电元件31的散热面的温度降低。若这样在热电元件31的吸热面与散热面之间产生温度差，则在热电元件31产生电力。
包括安装于基板30的通信部件32等的安装部件、与传感器83因由热电元件31产生的电力而工作。传感器83输出与管72的表面温度对应的信号，通信部件32将由传感器83检测到的数据向服务器85发送。服务器85接收并储存从集成模块80发送的数据。此外，也可以在集成模块80设置显示通信部件32等的动作状态的动作灯。
根据这种信息处理系统70，即便在因管72所放出的热量而管72的周边变得高温、尘埃、灰尘增多等不适于人进入的环境中，也能够从集成模块80发送数据。由此，能够基于从集成模块80发送的数据把握管72的温度状况。
接下来，对第一实施方式的变形例进行说明。
在第一实施方式中，电子装置10与传感器组合形成传感器节点型集成模块，但电子装置10也可以用于上述以外的用途。
另外，电子装置10作为“电子部件”的一个例子具有热电元件31，但也可以具有热电元件31以外的电子部件。
另外，主体部12作为“第一材料”的一个例子由聚酰胺树脂形成，但也可以由聚酰胺树脂以外的树脂形成。
另外，散热片40作为“第二材料”的一个例子由石墨形成，但只要为比主体部12的形成材料热传导率高的材料，便例如可以由铝、铜等金属形成，也可以由金属以外的材料形成。
另外，覆盖部16覆盖底部44A整体，但也可以形成为覆盖底部44A中的一部分的大小以及形状。例如，在图10、图11所示的变形例中，在相对于散热片40的与主体部12相反的一侧(上侧)配置有配置部件49。在配置部件49的下方，异物难以堆积，因此在配置部件49的下方，省略了覆盖部16。换句话说，在从翅片43的高度方向观察散热片40以及配置部件49的情况下，覆盖部16位于配置部件49的外侧。
若这样构成，则散热片40的露出面积扩大了在配置部件49的下方未设置有覆盖部16的大小，从而能够提高散热片40中的散热性能。
另外，在第一实施方式中，翅片43为朝向其顶部43A而宽度变窄的尖细形状(截面等腰三角形)，但也可以具有例如截面矩形形状等任何截面形状。
另外，在第一实施方式中，电子装置10一体具有热电元件31、连接部件33、散热件34、导热部件35、基板30以及散热部件50，但散热部件50也可以相对于电子装置10的装置主体独立。
即，例如，在图12所示的变形例中，利用热电元件31、连接部件33、散热件34、导热部件35、基板30、以及密封这些部件的密封树脂25形成装置主体11。散热部件50具有：主体部12、散热片40以及多个覆盖部16，并形成为相对于装置主体11独立。根据该图12所示的变形例，散热部件50为注塑成型品，从而能够廉价地提供散热部件50，因此能够降低电子装置10的成本。
另外，在图9所示的第一实施方式的集成模块80中，电子装置10也可以具有对由热电元件31产生的电力进行蓄电的电池。此时，热电元件31以及电池相当于“电力供给部”的一个例子。另外，传感器83以及通信部件32也可以利用热电元件31以及电池的至少一方的电力进行工作。
另外，信息处理系统70也可以被使用于对在内侧流动有高温流体的管72的温度数据进行管理以外的用途。
[第二实施方式]
接下来，对本申请公开的技术的第二实施方式进行说明。
在第二实施方式中，针对上述的第一实施方式的电子装置的制造方法，如下地变更制造方法。在第二实施方式中，按照以下的要领制造电子装置。
首先，如图13所示，基板30收容于第一金属模52内的第一型腔53，散热片40收容于第二金属模62内的第二型腔63。
如图14所示，散热片40以使其长度L方向的长度具有与第一型腔53以及第二型腔63的长度L方向的长度L1同等的长度的方式被预先形成。换句话说，在第二实施方式中，散热片40的长度L方向的端部40A以随着朝向高度H方向的下侧而朝向长度L方向的端侧的方式相对于高度H方向倾斜。而且，在第二金属模62安装有散热片40的状态下，散热片40的长度L方向的端部40A沿第二型腔63的长度L方向的侧面63A直线状地延伸。
另外，底部44A形成为平坦状，并位于比第二金属模62的下表面低的位置。并且，如图15所示，在散热片40的底部44A中的长边方向两侧的端部预先形成有作为“流入口”的一个例子的切口47(还参照图14)。在散热片40的冲压加工时形成该切口47。该切口47沿底部44A的厚度方向贯通，并将翅片43的内侧与槽44连通。该切口47作为一个例子而被切开为圆弧状。
另外，如图13所示，与被插入槽44的第二金属模62的突起部64的前端部64A相比，底部44A位于比槽44的深度方向(高度H方向)低的位置，在突起部64的前端部64A与底部44A之间形成有间隙68。而且，在这样将散热片40以及基板30组装于金属模51的状态下，第一金属模52与第二金属模62被组合并被固定。
接着，如图16所示，作为“第一材料”的一个例子的树脂以熔融的状态被注入金属模51内。被注入金属模51内的树脂如图16的箭头A所示地从翅片43的内侧朝向翅片43的顶部43A流动，并被填充于翅片43的内侧。通过向翅片43的内侧填充树脂，从而翅片43膨胀而紧贴于第二型腔63的内表面。
另外，到达至翅片43的顶部43A的树脂被顶部43A反弹，并向翅片43的内侧的长度L方向两侧的端部流动。流动至该翅片43的内侧的长度L方向两侧的端部的树脂如图16的箭头B所示地通过切口47，并被填充于突起部64的前端部64A与底部44A之间的间隙68。
而且，如以上那样被填充于金属模51内的树脂被冷却而固化，从而与第一实施方式同样，形成基部13、多个凸部14、以及多个覆盖部16(参照图1、图2)。
在第二实施方式中，按照以上的要领制造电子装置100(参照图16)。在这样制造出的电子装置100中，主体部12与覆盖部16经由形成于切口47的连结部20而形成为一体。另外，通过上述的注塑成型将主体部12以及覆盖部16与散热片40一体化。此外，在第二实施方式中，不形成连结部19(参照图8)。
在该第二实施方式的电子装置的制造方法中，也与第一实施方式同样，主体部12与覆盖部16通过注塑成型而形成为一体。因此，与例如分别形成主体部12与覆盖部16的情况相比，制造工序较少便可。由此，能够降低电子装置10的成本。
另外，在第二实施方式的散热片40中，长度L方向的端部40A以随着朝向高度H方向的下侧而朝向长度L方向的端侧的方式相对于高度H方向倾斜。因此，散热片40的侧面部的表面积扩大了该倾斜的大小，因此能够提高散热片40的散热性能。
此外，在第二实施方式中，散热片40的切口47被切开为圆弧状，但也可以被切开为圆弧状以外的形状。
另外，在第二实施方式中，为了使通过切口47并向第二金属模62的突起部64的前端部64A与底部44A之间的间隙68填充的树脂的流动变得顺畅，第二金属模62的突起部64也可以如下地形成。
即，在图17所示的变形例中，第二金属模62的突起部64以使长度L方向两侧的端部的一方比长度L方向中央部突出长度短的方式形成。若这样形成突起部64，则能够与长度L方向中央部相比在长度L方向两侧扩大突起部64的前端部64A与底部44A之间的间隙68。由此，能够使通过切口47并向第二金属模62的突起部64的前端部64A与底部44A之间的间隙68填充的树脂的流动变得顺畅。
[第三实施方式]
接下来，对本申请公开的技术的第三实施方式进行说明。
在第三实施方式中，针对上述的第二实施方式的电子装置的制造方法，如下地变更制造方法。
如图18所示，在第三实施方式的电子装置的制造方法中，第二金属模62形成为如下的构造。第二金属模62的突起部64以使长度L方向中央部的一方比长度L方向两侧的端部突出长度短的方式形成。换句话说，如图19所示，突起部64的前端部64A以随着从其长度L方向的中央部朝向端部而靠近底部44A的方式形成。而且，在第三实施方式中，使用这种构造的第二金属模62按照以下的要领制造电子装置。
首先，如图19所示，基板30收容于第一金属模52内的第一型腔53，散热片40收容于第二金属模62内的第二型腔63。
散热片40以使其长度L方向的长度具有与第一型腔53以及第二型腔63的长度L方向的长度L1同等的长度的方式被预先形成。换句话说，在第三实施方式中，散热片40的长度L方向的端部40A以随着朝向高度H方向的下侧而朝向长度L方向的端侧的方式相对于高度H方向倾斜。而且，在第二金属模62安装有散热片40的状态下，散热片40的长度L方向的端部40A沿第二型腔63的长度L方向的侧面63A直线状地延伸。另外，底部44A形成为平坦状，并位于与第二金属模62的下表面相同的高度。
另外，在散热片40的底部44A中的长边方向的中央部预先形成有作为“流入口”的一个例子的孔48。在散热片40的冲压加工时形成该孔48。该孔48沿底部44A的厚度方向贯通，并将翅片43的内侧与槽44连通。该孔48作为一个例子而形成为圆形。另外，在被插入槽44的第二金属模62的突起部64的前端部64A与底部44A之间形成有间隙68。而且，在这样将散热片40以及基板30组装于金属模51的状态下，第一金属模52与第二金属模62被组合并被固定。
接着，如图20所示，作为“第一材料”的一个例子的树脂以熔融的状态被注入金属模51内。被注入金属模51内的树脂如图20的箭头A所示地从翅片43的内侧朝向翅片43的顶部43A流动，并被填充于翅片43的内侧。通过向翅片43的内侧填充树脂，从而翅片43膨胀而紧贴于第二型腔63的内表面。另外，翅片43的内侧的树脂如图20的箭头B所示地通过孔48，并被填充于突起部64的前端部64A与底部44A之间的间隙68。
而且，如以上那样被填充于金属模51内的树脂被冷却而固化，从而与第二以及第三实施方式同样，形成基部13、多个凸部14、以及多个覆盖部16(参照图1、图2)。
在第三实施方式中，按照以上的要领制造电子装置110(还参照图21、图22)。在这样制造出的电子装置110中，主体部12与覆盖部16经由形成于孔48的连结部21(还参照图22)而形成为一体。另外，通过上述的注塑成型将主体部12以及覆盖部16与散热片40一体化。覆盖部16如图22所示地形成为长度L方向的中央部的厚度的一方比长度L方向的两端部的厚度厚。
在该第三实施方式的电子装置的制造方法中，也与第一以及第二实施方式同样，通过注塑成型将主体部12与覆盖部16形成为一体。因此，例如，与分别形成主体部12与覆盖部16的情况相比，制造工序较少便可。由此，能够降低电子装置10的成本。
另外，覆盖部16形成为长度L方向的中央部的厚度的一方比长度L方向的两端部的厚度厚。因此，例如，在以使翅片43朝上的方式在屋外使用电子装置110的情况下，通过覆盖部16的倾斜(锥度)，能够利用降雨冲洗滞留于覆盖部16上的异物。
此外，在第三实施方式中，散热片40的孔48形成为圆形，但也可以形成为圆形以外的形状。
[第四实施方式]
接下来，对本申请公开的技术的第四实施方式进行说明。
在第四实施方式中，针对上述的第一～第三实施方式的电子装置的制造方法，如下地变更制造方法。
如图23所示，在第四实施方式的电子装置的制造方法中，金属模51形成为如下的构造。在形成于第一金属模52的第一型腔53的内表面(成型面)中的与主体部12的侧面对置的第一型腔53的侧面、以及与主体部12的底面对置的第一型腔53的底面分别形成有转印部56。同样，在形成于第二金属模62的第二型腔63的内表面(成型面)中的与覆盖部16的表面对置的突起部64的前端面形成有转印部57。
各转印部56、57如后述那样形成为以能够在电子装置120的主体部12以及覆盖部16的表面形成蚀文22的方式具有凹凸的构造。而且，在第四实施方式中，使用具有这种转印部56、57的金属模51按照与上述的第一实施方式相同的要领制造电子装置120。
在这样制造出的电子装置120中，利用转印部56、57在主体部12的侧面、主体部12的底面、以及覆盖部16的表面作为“防污处理”的一个例子分别形成有蚀文22。如图24所示，蚀文22具有多个凸部22A(陆地部)。对于该蚀文22适当地采用发挥难以损伤、难以污染、容易去掉污物的效果的形状。
这样，在第四实施方式中，在主体部12的侧面、主体部12的底面、以及覆盖部16的表面形成有蚀文22。因此，能够利用该蚀文22抑制主体部12的侧面、主体部12的底面、以及覆盖部16的表面污染的情况。
此外，在第四实施方式中，也可以在主体部12的侧面、主体部12的底面、以及覆盖部16的表面，代替上述的蚀文22(参照图23、图24)，如图25所示地作为“防污处理”的一个例子形成有细微周期构造23。
该细微周期构造23是通过变更金属模51的转印部56、57(参照图23)的构造而形成的。如图26所示，细微周期构造23作为一个例子具有形成为格子状的多个细微的突起23A。多个细微的突起的排列间距优选形成为5～20μm。对于该细微周期构造23，例如适当地采用发挥基于莲花效应的防水性的形状、发挥自洁作用的形状。通过这种具有多个细微的突起的细微周期构造23，也能够抑制主体部12的侧面、主体部12的底面、以及覆盖部16的表面污染的情况。
另外，在第四实施方式中，利用转印部56、57形成蚀文22、细微周期构造23，但也可以在从金属模51取出电子装置120之后，通过改造加工形成蚀文22、细微周期构造23。
另外，也可以在从金属模51取出电子装置120之后，如图27所示，在主体部12的侧面、主体部12的底面、以及覆盖部16的表面，作为“防污处理”的一个例子作为形成有具有亲水性以及疏水性的涂层24。
对于该涂层24能够应用具有亲水性以及疏水性的涂料。作为这种涂料，例如有组合具有亲水性的丙烯酸系聚合物与具有疏水性的氟类聚合物而成的材料、以比污染的粒子小的间隔使疏水性的氟树脂的微粒子分散于亲水性涂料而成的材料。利用这种涂层24，也能够抑制主体部12的侧面、主体部12的底面、以及覆盖部16的表面污染的情况。
另外，在第四实施方式中，蚀文22、细微周期构造23、以及涂层24也可以不形成于覆盖部16的表面，而形成于主体部12的侧面以及主体部12的底面。另外，蚀文22、细微周期构造23、以及涂层24也可以不形成于主体部12的侧面以及主体部12的底面，而形成于覆盖部16的表面。并且，蚀文22、细微周期构造23、以及涂层24只要形成于主体部12以及覆盖部16的至少一方的表面中的至少一部分，便可以形成于任何位置。
[第五实施方式]
接下来，对本申请公开的技术的第五实施方式进行说明。
如图28所示，第五实施方式的集成模块160具备：发电模块161、蓄电模块162、传感器163、控制器164、存储器165、通信电路166以及天线167。
对于发电模块161例如应用上述的第一～第四实施方式的电子装置。换句话说，该发电模块161具有：安装有热电元件31等的基板30(不包括通信部件32)、主体部12、散热片40、以及多个覆盖部16(以上，参照图1～图27)。
蓄电模块162与发电模块161连接，并储存由发电模块161产生的电力。作为蓄电模块162，只要具有储存电力的功能即可。作为该蓄电模块162，例如在省空间且安全性高这点上优选全固态二次电池。
发电模块161以及蓄电模块162形成电力供给部168。从形成该电力供给部168的发电模块161以及蓄电模块162的至少一方，向传感器163、控制器164、以及通信电路166供给电力。在能够利用发电模块161供给稳定的电力的情况下，也可以省略蓄电模块162。
传感器163为“检测部”的一个例子。对于该传感器163，例如能够应用对温度、湿度、压力、光、声、电磁波、加速度、振动、气体、以及微粒子等进行检测的传感器。并且，对于传感器163，例如能够应用通过向对象物射出红外线并且接收从对象物反射的光来测定与对象物的距离的测距传感器、测定对象物的重量的重量传感器、以及检测水位等的数据的水位传感器等。
控制器164例如经由通信电路166以及天线167向服务器发送传感器163检测到的各种数据。控制器164例如也可以向服务器发送基于传感器163检测到的各种数据以及其他数据而成的二次数据。另外，控制器164例如也可以使用传感器163检测到的各种数据进行规定的运算来计算二次数据，并向服务器发送该二次数据。
存储器165根据控制器164的命令存储传感器163检测到的各种数据、计算出的二次数据。根据控制器164的命令读出所存储的信息。
通信电路166以及天线167形成通信部169。通信部169在控制器164与未图示的服务器之间进行数据的发送和接收。此外，在图28所示的例子中，采用使用了天线167的无线通信，但也可以代替无线通信，采用有线通信。
上述的集成模块160例如图29所示地被应用于第五实施方式的信息处理系统170。该信息处理系统170具备多个集成模块160、以及服务器175。
多个集成模块160设置于井口176。设置于该多个井口176的多个集成模块160经由网络177与服务器175连接。
此外，例如，也可以使具备服务器175的车辆行驶，并在该车辆每次接近设置于各井口176的集成模块160时均从集成模块160向服务器175通过近距离无线通信发送数据。另外，集成模块160只要设置于井口176的构造体，便可以设置任何位置。
该集成模块160与传感器163的检测对象或者传感器163的种类对应地固定于作为井口176的构造体的盖178、混凝土管179等。集成模块160所具备的热电元件31与作为“设置对象物”的一个例子的井口176的构造体进行热连接，并根据井口176的构造体与外部空气、或者与井口176内部的温度的温度差而发电。
以下，对第五实施方式的信息处理系统70的具体应用例进行说明。
[第五实施方式的第一应用例]
在图30所示的第一应用例中，信息处理系统170是为了把握井口176的构造体(盖178、混凝土管179)的劣化而被利用的。传感器163对井口176内的温度、湿度、以及作用于井口176的构造体的振动(加速度)等进行检测，由传感器163检测到的数据被储存于存储器165。
当在道路上行驶的测定用车辆180通过井口176上时，控制器164经由通信电路166以及天线167发送储存于存储器165的数据。设置于测定用车辆180的服务器175回收数据。
服务器175对基于GPS(全球定位系统：Global Positioning System)的车辆180的位置信息与所回收的数据进行组合，并使车内显示器所突显的地图上显示所回收的数据。从显示有温度、湿度、振动等的信息推断各井口176中的混凝土管179的劣化的程度。
在测定用车辆180的下部，除了接收装置181之外，还安装有取得井口176的盖178的图像的照相机182，并通过图像识别来判断井口176的盖178(铁部)的劣化。也可以以其结果为基础，向自治体作为信息销售井口176的盖178的更换时期。作为回收数据的车辆，也可以不是特别的测定用车辆，例如为自治体所运用的垃圾车即可。通过在垃圾车的底部设置接收装置181、照相机182，能够不花费回收费用而定期地回收数据。
另外，传感器163也可以对井口176内所产生的气体的浓度进行检测。作为井口176内所产生的气体，例如为硫化氢气体。众所周知，由下水道183产生的硫化氢气体使井口176的构造体急剧地劣化。硫化氢气体的产生也是附近住民的投诉主要因素。通过作为传感器163使用硫化氢气体传感器，既能提高井口176的构造体的劣化预测精度、又能迅速应对住民的投诉。
此外，在第一应用例中，传感器163对井口176内的温度、湿度、振动、以及井口176内所产生的气体的浓度中的至少一个进行检测即可。
在井口176内湿度通常较高，因而还有下水道183(或者上水道)的水向井口176内溢出的可能性。另外，众所周知，井口176内部几乎为恒定温度，但例如在盖178中夏天处于高温，冬天处于低温，并且产生熔化各种金属的硫化氢气体等。在这种苛刻的环境中，保护传感器163以及热电元件31(参照图1等)等电子部件、并且确保长期的可靠性尤为重要。根据集成模块160，传感器163以及热电元件31等电子部件由树脂密封，因此能够确保长期的可靠性。
[第五实施方式的第二应用例]
接下来，对第五实施方式的第二应用例进行说明。
在图31所示的第二应用例中，信息处理系统170是为了对与井口176连接的下水道183的流量进行预测而被利用的。对于传感器163，例如使用水位计、流量计。通过在井口176设置作为水位计、流量计的传感器163，能够把握精细的下水道183的流量。此外，在图31中，传感器163被装入集成模块160，但例如也可以代替传感器163，设置对外部的传感器的动作进行控制的传感器控制部。传感器控制部也可以对配置于下水道183的水位计、流量计等未图示的传感器进行控制，并取得该传感器检测到的信息。另外，该传感器检测到的信息也可以通过无线发送至传感器控制部。
具体而言，一天一次或者一小时一次利用传感器163检测下水道183的流量，由传感器163检测到的数据通过高速通信线路被收集于数据中心184的服务器175。由传感器163检测到的下水道183的流量数据可以在测量的同时发送，也可以为了减少消耗电力而在储存了一天或者一周的量之后发送。或者，与第一应用例同样，测定用车辆也可以回收数据。
通常，雨水流入下水道183，因此下水道183的流量的预测与降雨数据有效地连动。因此，通过对由传感器163收集的下水道183的流量数据、与气象厅的降雨数据进行组合并解析，例如能够提供下水道183的水所流入的河川的泛滥预测、预警·警报信息。
能够从下水道183的流量数据与气象厅的降雨数据的解析结果确立气象现象与下水道183的流量的关系。而且，也可以从气象厅的降雨数据预测各地的下水道183的流量，并针对提供以及传输该预测数据进行统计。下水道183的流量与住宅建筑、居住状况、土地开发状况对应而逐年改变，因此能够持续更新数据的本信息处理系统170有用。
另外，在第二应用例中，信息处理系统170还能够利用于产生了局部的集中暴雨等的情况下的下水道183的流量测量。为了在都市的局部的集中暴雨时，防止下水道183的作业者的安全确保、下水道183的泛滥，需要以分钟为单位进行下水道183的水位的测定以及信息发送。此时，限定于设置于相对海拔较低的少数的井口176的集成模块160收集数据。
对于测定水位的集成模块160的蓄电模块162，优选提前预先进行充分的蓄电。控制器164通过通信电路166以及高速通信线路依次向服务器175发送数据。服务器175能够发送警报向作业者、泛滥附近的居住者的智能手机、平板电脑发送接收到的数据。或者也可以测定用车辆停车于特定的井口176上，并通过近距离无线通信向设置于车辆的服务器回收数据。
[第五实施方式的第三应用例]
接下来，对第五实施方式的第三应用例进行说明。
在图32所示的第三应用例中，信息处理系统170被利用于井口176的安全以及作业履历。传感器163对井口176的盖178的开闭进行检测。对于该传感器163，例如使用加速度传感器、开闭开关。该传感器163为了对井口176的盖178的开闭进行检测，而对在井口176的盖178产生的加速度、以及井口176的盖178的开闭状态中的至少一个进行检测即可。与井口176的盖178的开闭对应地从传感器163输出的数据(信号)被服务器175接收。
根据该信息处理系统170，能够进行下水道183等的安全对策(例如，针对爆炸事件等)、下水道183的清洁作业中的作业履历的确认。
[第五实施方式的第四应用例]
接下来，对第五实施方式的第四应用例进行说明。
在图33所示的第四应用例中，信息处理系统170被利用于道路交通信息的取得。传感器163对在井口176上通过的车辆185、186、187进行检测。对于该传感器163，例如使用加速度传感器、磁传感器、麦克风等。从传感器163获得与在井口176上通过的车辆的数量对应的信号。从传感器163输出的数据(信号)被服务器175接收。
根据该信息处理系统170，即便是如在当前的道路交通信息通信系统中未测量那样的狭窄道路、路地等也能够获得交通阻塞信息。由此，能够提供精细的交通阻塞信息。
另外，也可以根据传感器163的检测值的强弱检测在井口176上通过的车辆185、186、187的种类(例如，小型车、普通车、卡车等)。此时，将传感器163的检测值与车辆的种类建立关联而成的数据集预先存储于存储器165。从控制器164向服务器175发送从传感器163的检测值与上述数据集判定出的车的种类的信息。由此，能够把握在井口176上通过的车辆的种类。
并且，也可以利用传感器163检测在井口176上通过的车辆185、186、187的个体识别信息。例如，在作为传感器163使用了磁传感器的情况下，有可能根据磁传感器的反应获得车辆的特征。换句话说，例如，针对每种车将产生特征磁的介质搭载于车辆，由此能够识别各个车辆。通过对因车种而产生的都市的车流的不同进行解析，来进行将特定的车辆引导至特定的道路的规划等都市道路的控制、都市评价。
此外，在第四应用例中，传感器163对在井口176上通过的车辆的数量、种类、个体识别信息中的至少一个进行检测即可。
[第五实施方式的第五应用例]
接下来，对第五实施方式的第五应用例进行说明。
在图34所示的第五应用例中，信息处理系统170被利用于降雨量的测定。对于传感器163，例如使用气象预测用X波段雷达。X波段雷达的电波例如在暴雨时不到达暴雨区域的目的地、并且不超过山等大物体。另外，在现状的雷达中，突然产生、突然发展的暴雨区域的发现以及追踪困难的情况较多。高精度预测需要高时间空间分辨率。
通常，X波段雷达的分辨率为250m，但通过在平均间隔30m多的井口176设置传感器163，能够进行十分精细的气象观测，考虑有利于局部的集中暴雨等的测量以及预测。从传感器163输出的数据(信号)被服务器175接收。
此外，在上述的第一～第五应用例中，虽使用了专用服务器175，但也可以作为服务器175利用通用计算机。另外，也可以安装并执行使作为服务器175发挥功能的通用计算机执行控制器164、服务器175所进行的动作的程序。另外，在这种情况下，程序可以由记录介质供给，也可以从网络下载。
以上，对本申请公开的技术的第一～第八实施方式进行了说明，但本申请公开的技术并不限定上述实施方式，除上述实施方式以外，当然能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变形来实施。
另外，也可以适当地组合实施上述第一～第八实施方式以及其变形例和其应用例。

Claims (19)

1.一种散热部件，具备：
主体部，其由第一材料形成；
散热片，其由比所述第一材料热传导率高的第二材料形成并设置于所述主体部，并且具有在与顶部不同的位置彼此热连接的多个翅片、以及将所述多个翅片与电子部件进行热连接的被连接部；以及
覆盖部，其对所述多个翅片之间的槽的底部的至少一部分进行覆盖。
2.根据权利要求1所述的散热部件，其中，
所述覆盖部设置于所述槽的底部侧，
在所述翅片的侧面部，与所述覆盖部相比所述翅片的顶部侧的部分露出。
3.根据权利要求1所述的散热部件，其中，
所述散热片由石墨形成。
4.根据权利要求1所述的散热部件，其中，
所述翅片为朝向其顶部而宽度变窄的尖细形状。
5.根据权利要求1所述的散热部件，其中，
所述主体部具有支承所述翅片的凸部。
6.根据权利要求1所述的散热部件，其中，
所述翅片将与所述多个翅片排列的方向交叉的方向作为长边方向进行延伸，
所述翅片的内侧以及所述槽分别在所述翅片的长边方向上开口，
所述散热片的所述长边方向的长度比所述主体部的所述长边方向的长度短。
7.根据权利要求1所述的散热部件，其中，
所述底部在所述槽的深度方向上位于比所述被连接部低的位置。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的散热部件，其中，
对于所述主体部以及所述覆盖部的至少一方的表面中的至少一部分实施防污处理。
9.根据权利要求1所述的散热部件，其中，
所述覆盖部从相对于所述散热片与所述主体部相反一侧对所述多个翅片之间的槽的底部的至少一部分进行覆盖。
10.一种散热部件的制造方法，包括：
将由比形成散热部件的主体部的第一材料热传导率高的第二材料形成，并具有在与顶部不同的位置彼此热连接的多个翅片、以及将所述多个翅片与电子部件进行热连接的被连接部的散热片收容于金属模内，
向所述金属模内填充所述第一材料，将所述主体部与所述散热片形成为一体，并且利用所述第一材料形成覆盖所述多个翅片之间的槽的底部的至少一部分的覆盖部。
11.根据权利要求10所述的散热部件的制造方法，其中，
向所述金属模内填充所述第一材料，将所述主体部与所述覆盖部形成为一体。
12.根据权利要求10所述的散热部件的制造方法，其中，
向所述金属模内填充所述第一材料，将所述主体部以及所述覆盖部与所述散热片一体化。
13.根据权利要求10所述的散热部件的制造方法，其中，
形成为组装状态，即：将折弯所述多个翅片而形成的所述散热片收容于所述金属模内，并且所述翅片的长边方向的所述散热片的长度比形成于所述金属模内的型腔中的所述长边方向的长度短，并且与被插入所述槽的所述金属模的突起部的前端部相比所述底部位于所述槽的深度方向低的位置，
在所述组装状态下，朝向所述翅片的内侧将所述第一材料注入所述金属模内，并且使所述翅片的内侧的所述第一材料通过所述散热片与所述型腔的侧面之间的间隙，并填充于所述突起部的前端部与所述底部之间的间隙，利用所述第一材料形成所述覆盖部。
14.根据权利要求10～12中的任一项所述的散热部件的制造方法，其中，
形成为组装状态，即：将折弯所述多个翅片而形成的所述散热片收容于所述金属模内，并且在所述底部形成有流入口，
在所述组装状态下，朝向所述翅片的内侧将所述第一材料注入所述金属模内，并且使所述翅片的内侧的所述第一材料通过所述流入口，并填充于被插入所述槽的所述金属模的突起部的前端部与所述底部之间的间隙，利用所述第一材料形成所述覆盖部。
15.一种电子装置，具备：
电子部件；
主体部，其由第一材料形成，并密封电子部件；
散热片，其由比所述第一材料热传导率高的第二材料形成并设置于所述主体部，并且具有在与顶部不同的位置彼此热连接的多个翅片、以及将所述多个翅片与所述电子部件进行热连接的被连接部；以及
覆盖部，其对所述多个翅片之间的槽的底部的至少一部分进行覆盖。
16.根据权利要求15所述的电子装置，其中，
所述电子部件为与隔着所述电子部件而设置于所述散热片的相反侧的设置对象物进行热连接的热电元件。
17.一种电子装置的制造方法，包括：
在金属模内收容电子部件，并且将由比形成散热部件的主体部的第一材料热传导率高的第二材料形成，并具有在与顶部不同的位置彼此热连接的多个翅片、以及将所述多个翅片与所述电子部件进行热连接的被连接部的散热片收容于金属模内，
向所述金属模内填充所述第一材料，将密封所述电子部件的所述主体部与所述散热片形成为一体，并且利用所述第一材料形成对所述多个翅片之间的槽的底部的至少一部分进行覆盖的覆盖部。
18.一种集成模块，具备：
电力供给部，其包括与设置对象物进行热连接的热电元件；
主体部，其由第一材料形成，并密封电子部件；
散热片，其由比所述第一材料热传导率高的第二材料形成并设置于所述主体部，并且具有在与顶部不同的位置彼此热连接的多个翅片、以及将所述多个翅片与所述电子部件进行热连接的被连接部；
覆盖部，其对所述多个翅片之间的槽的底部的至少一部分进行覆盖；
检测部，其利用所述电力供给部的电力进行工作；以及
通信部，其利用所述电力供给部的电力进行工作，并发送由所述检测部检测到的数据。
19.一种信息处理系统，具备：
集成模块；以及
服务器，其对从所述集成模块发送的数据进行接收，
所述集成模块具备：
电力供给部，其包括与设置对象物进行热连接的热电元件；
主体部，其由第一材料形成，并密封电子部件；
散热片，其由比所述第一材料热传导率高的第二材料形成并设置于所述主体部，并且具有在与顶部不同的位置彼此热连接的多个翅片、以及将所述多个翅片与所述电子部件进行热连接的被连接部；
覆盖部，其对所述多个翅片之间的槽的底部的至少一部分进行覆盖；
检测部，其利用所述电力供给部的电力进行工作；以及
通信部，其利用所述电力供给部的电力进行工作，并发送由所述检测部检测到的数据。
CN201480075879.4A 2014-01-21 2014-07-08 散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统 Expired - Fee Related CN106062948B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-008950 2014-01-21
JP2014008950 2014-01-21
PCT/JP2014/068227 WO2015111242A1 (ja) 2014-01-21 2014-07-08 放熱部品、放熱部品の製造方法、電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106062948A CN106062948A (zh) 2016-10-26
CN106062948B true CN106062948B (zh) 2018-12-07

Family

ID=53681065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480075879.4A Expired - Fee Related CN106062948B (zh) 2014-01-21 2014-07-08 散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10537044B2 (zh)
EP (1) EP3098844A4 (zh)
JP (1) JP6202108B2 (zh)
CN (1) CN106062948B (zh)
WO (1) WO2015111242A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6361730B2 (ja) * 2014-07-10 2018-07-25 富士通株式会社 電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム
JP2016157785A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 株式会社東芝 テンプレート形成方法、テンプレートおよびテンプレート基材
CN106211718B (zh) * 2016-08-23 2018-10-26 无锡金鑫集团股份有限公司 一种新型散热器的散热片结构
JP6521918B2 (ja) 2016-08-24 2019-05-29 トヨタ自動車株式会社 ヒートシンクの製造方法
CN106449403B (zh) * 2016-11-22 2019-06-28 青岛佳恩半导体有限公司 一种大功率igbt器件的制造方法
FR3059466B1 (fr) 2016-11-30 2019-07-05 Sagemcom Broadband Sas Dispositif d'evacuation de chaleur
JP6760487B2 (ja) * 2017-03-31 2020-09-23 株式会社村田製作所 モジュール
JP6787263B2 (ja) * 2017-07-10 2020-11-18 トヨタ自動車株式会社 電源装置
US10986756B2 (en) * 2017-12-28 2021-04-20 Hughes Network Systems Llc Cooling apparatus for an electrical component
KR102126773B1 (ko) * 2018-05-15 2020-06-25 주식회사 위츠 무선 충전용 방열 부재 및 이를 구비하는 전자 기기
CN111211059B (zh) * 2018-11-22 2023-07-04 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其制法与散热件
TWI774008B (zh) 2020-06-19 2022-08-11 啟碁科技股份有限公司 封裝結構及其製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1783461A (zh) * 2004-12-03 2006-06-07 台湾积体电路制造股份有限公司 覆晶球形矩阵封装组件及具散热功能的电子装置
CN101296564A (zh) * 2007-04-27 2008-10-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 具良好散热性能的光源模组
CN102047414A (zh) * 2008-06-12 2011-05-04 三菱电机株式会社 电力半导体电路装置及其制造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5289039A (en) 1988-02-05 1994-02-22 Citizen Watch Co., Ltd. Resin encapsulated semiconductor device
US5233225A (en) 1988-02-05 1993-08-03 Citizen Watch Co., Ltd. Resin encapsulated pin grid array and method of manufacturing the same
JP2770947B2 (ja) * 1988-02-05 1998-07-02 シチズン時計株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US5108955A (en) 1988-10-27 1992-04-28 Citizen Watch Co., Ltd. Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink
US5179039A (en) 1988-02-05 1993-01-12 Citizen Watch Co., Ltd. Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink
US5200809A (en) * 1991-09-27 1993-04-06 Vlsi Technology, Inc. Exposed die-attach heatsink package
JPH05326762A (ja) 1992-05-20 1993-12-10 Ibiden Co Ltd 半導体素子搭載装置用放熱板
JPH077110A (ja) 1993-06-16 1995-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置
US6208513B1 (en) * 1995-01-17 2001-03-27 Compaq Computer Corporation Independently mounted cooling fins for a low-stress semiconductor package
KR19990067623A (ko) * 1995-11-28 1999-08-25 가나이 쓰도무 반도체장치와 그 제조방법 및 실장기판
US5934079A (en) * 1997-09-09 1999-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Base station heat management system
TW418511B (en) * 1998-10-12 2001-01-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Packaged device of exposed heat sink
US6408935B1 (en) * 2000-08-16 2002-06-25 Thermal Corp. Heat sink assembly with over-molded cooling fins
US6735450B1 (en) * 2000-11-16 2004-05-11 Symbol Technologies, Inc. Method and apparatus for wireless outdoor environment communications networks
JP2002314013A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Hitachi Cable Ltd 放熱材およびその製造方法
US20020195228A1 (en) * 2001-06-07 2002-12-26 International Business Machines Corporation Thermal enhanced extended surface tape for integrated circuit heat dissipation
US7537151B2 (en) * 2004-01-21 2009-05-26 Delphi Technologies, Inc. Method of making high performance heat sinks
JP4196214B2 (ja) * 2005-07-08 2008-12-17 日本電気株式会社 放熱構造、パッケージ組立体、及び放熱用シート
JP2009152537A (ja) 2007-08-17 2009-07-09 Shinshu Univ 高効率放熱ヒートシンクおよびそれを用いた産業機器、電子機器、コンピューター製品および自動車
US7934888B2 (en) * 2008-01-18 2011-05-03 Viv Suppression, Inc. Marine anti-foulant system and methods for using same
JP2011222706A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Canon Inc 半導体パッケージ
JP5779813B2 (ja) 2010-09-21 2015-09-16 国立大学法人岩手大学 金型、その製造方法、金型を用いた樹脂成形体の製造方法並びにその製造方法によって製造された樹脂成形体
JP5880578B2 (ja) 2012-01-05 2016-03-09 富士通株式会社 発電装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1783461A (zh) * 2004-12-03 2006-06-07 台湾积体电路制造股份有限公司 覆晶球形矩阵封装组件及具散热功能的电子装置
CN101296564A (zh) * 2007-04-27 2008-10-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 具良好散热性能的光源模组
CN102047414A (zh) * 2008-06-12 2011-05-04 三菱电机株式会社 电力半导体电路装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160338228A1 (en) 2016-11-17
EP3098844A4 (en) 2017-06-07
JPWO2015111242A1 (ja) 2017-03-23
CN106062948A (zh) 2016-10-26
EP3098844A1 (en) 2016-11-30
WO2015111242A1 (ja) 2015-07-30
US10537044B2 (en) 2020-01-14
JP6202108B2 (ja) 2017-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106062948B (zh) 散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统
CN106575642B (zh) 散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、一体型模块、信息处理系统
Saberi et al. Estimating network fundamental diagram using three-dimensional vehicle trajectories: extending edie's definitions of traffic flow variables to networks
Babanin Breaking of ocean surface waves
US20160265930A1 (en) Identifying significant locations based on vehicle probe data
Van Boxel et al. Innovative real-time methodology for detecting travel time outliers on interstate highways and urban arterials
WO2016132533A1 (ja) 熱電変換モジュール、センサモジュール及び情報処理システム
Thumser et al. RAPTOR‐UAV: Real‐time particle tracking in rivers using an unmanned aerial vehicle
US20190148616A1 (en) Thermoelectric conversion module, sensor module, and information processing system
CN102927964B (zh) 距离测量装置、方法及车辆
Al-Shargabi et al. A novel approach for the detection of road speed bumps using accelerometer sensor
KR100798406B1 (ko) 실시간 위치측정 시스템을 이용한 유속측정 시스템 및 이에사용되는 측정용 부자
CN110431607A (zh) 停车场信息管理系统、停车场引导系统、停车场信息管理程序以及停车场引导程序
JP6299520B2 (ja) 熱電変換モジュール及びその製造方法、センサモジュール及び情報処理システム
JP6503825B2 (ja) 太陽光発電装置、センシング装置及び情報処理システム
Ali et al. The Importance of Google Maps for Traffic in Calculating the Level of Service for the Road and Traffic Delay
CN104459699B (zh) 一种基于目标航深的水面与水下目标分类识别方法
Wang et al. Spatial and temporal variability of turbulent mixing in the near-field of the Changjiang River
Lee et al. Surface Contamination Simulation for a Military Ground Vehicle
Jyoti Aerial imaging riverflow system using optical flow
WO2017149764A1 (ja) 熱電変換モジュール、センサモジュール及び情報処理システム
Pilechi Numerical Modelling and Field Study of Thermal Plume Dispersion in Rivers and Coastal Waters
Gordon et al. Crowd-sensing driving environments using headway dynamics (demo paper)
Naz et al. DATA COLLECTION TECHNOLOGIES AND THEIR UTILIZATION IN INTELLIGENT TRANSPORTATION SYSTEMS: AN OVERVIEW
CN204463430U (zh) 一种基于psd的交通流检测系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181207

Termination date: 20210708

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee