CN106062593B

CN106062593B - 偏振片、包含该偏振片的液晶显示装置及偏振片的制造方法

Info

Publication number: CN106062593B
Application number: CN201580010797.6A
Authority: CN
Inventors: 野尻真裕美; 内藤遊; 深川伸隆; 下重直也; 石川博之
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2014-03-05
Filing date: 2015-01-16
Publication date: 2018-12-07
Anticipated expiration: 2035-01-16
Also published as: WO2015133188A1; JP6404036B2; US10114160B2; JP2015180910A; CN106062593A; US20160341860A1

Abstract

本发明提供一种偏振片、包含该偏振片的液晶显示装置及偏振片的制造方法。本发明的偏振片至少具有被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器层，并包含在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^‑形成能力的化合物。

Description

偏振片、包含该偏振片的液晶显示装置及偏振片的制造方法

技术领域

本发明涉及一种偏振片、包含该偏振片的液晶显示装置及该偏振片的制造方法。

背景技术

液晶显示装置作为耗电少、节省空间的图像显示装置已经普及，其用途每年都在扩大。

液晶显示装置的典型结构是在液晶单元的两侧设置偏振片。偏振片起到仅使一定方向的极化面的光通过的作用，根据偏振片的性能可较大程度地左右液晶显示装置的性能。通常，偏振片构成为，至少包含由将碘吸附取向的聚乙烯醇系薄膜构成的偏振器(以下，还记载为偏振器层。)，并且任意地具有保护薄膜等其他层(例如参考专利文献1)。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开2012-108202号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

近年来，液晶显示装置除了在室内使用以外，在户外使用的机会(例如，设置于户外的大屏幕显示器、便携式设备等)在增加。因此，对于构成液晶显示装置的偏振片，要求具有可耐受以户外为首的各种环境下的使用的较高的耐久性。关于这一点，专利文献1中提出有为了提高偏振器层在高温下的耐久性，使偏振器层包含抗坏血酸等水溶性抗氧化剂。

但是，专利文献1中，在实施例中，根据在80℃下的干燥气氛中放置规定时间之后的变色程度评价偏振器层的耐久性。然而，作为使偏振器劣化的主要原因，除了温度以外，还可举出湿度。因此，若能够提高高温高湿下的偏振器的耐久性，则能够提供更加耐受各种环境下的使用的偏振器。

因此，本发明的目的在于提供一种能够在高温高湿下显示较高耐久性的偏振片。

用于解决技术课题的手段

本发明人等为了实现上述目的而进行深入研究的结果，新发现以下偏振片：

至少具有含有被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器层，

并包含在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的偏振片在放置于高温高湿下之后仍具有较高的耐久性(详细而言，在放置于高温高湿下之后也能够发挥良好的偏振性能)。

关于通过上述化合物能够提高偏振片在高温高湿下的耐久性的理由，本发明人等推测为如下。但是，以下为本发明人等的推测，不以任何方式限定本发明。

对于被碘染色的聚乙烯醇系薄膜，通常除了包含于碘染色溶液中的单碘化物离子I^-及碘分子I₂之外，还包含由单碘化物离子及碘分子形成的多碘化物离子I₃ ^-、由该多碘化物离子I₃ ^-及碘分子形成的多碘化物离子I₅ ^-。

另一方面，专利文献1中提出有如下内容，即，将由多碘化物离子I₃ ^-及聚乙烯醇系树脂(以下，还简单记载为“聚乙烯醇”或“PVA”。)形成的络合物引起偏振器的取向紊乱视作偏振器劣化的原因，为了抑制偏振器制造工序中的多碘化物离子I₃ ^-的增加，使用抗坏血酸等水溶性抗氧化剂。

相对于此，本发明人等并不抑制多碘化物离子I₃ ^-的增加，而是考虑增加多碘化物离子I₃ ^-进一步与碘分子I₂键合的形态即由多碘化物离子I₅ ^-及PVA形成的络合物量。因此，本发明人等使偏振片中包含在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的结果，新发现能够提供放置于高温高湿下之后也能够发挥良好的偏振性能的偏振片。本发明人等推断上述化合物通过将由I₃ ^-及PVA形成的络合物中的I₃ ^-转换为I₅ ^-，或许能够增加由I₅ ^-及PVA形成的络合物量。

另外，以下，以I₃ ^-及I₅ ^-为例对多碘化物离子进行说明，但也可包含更高阶的多碘化物离子。并且，更高阶的多碘化物离子可与I₃ ^-及I₅ ^-同样地与PVA形成络合物。

上述的含碘化化合物的溶液中的多碘化物离子I₅ ^-形成能力设为通过以下方法测定的值。关于以下记载的操作，除非特别记载，则设为在大气中、室温下 (25℃相对湿度40％RH)进行。

以下，以作为碘化化合物使用碘化钾的方法为例进行说明。但是，作为碘化化合物，可使用碘化钾以外的碘化化合物，例如，碘化锂、碘化钠、碘化锌、碘化铝、碘化铅、碘化铜、碘化钡、碘化钙、碘化锡、碘化钛等。含碘化化合物的溶液中至少包含从碘化化合物电离的单碘化物离子I^-。

(1)向混合溶剂(水:甲醇＝1:1(体积比))中添加碘化钾(KI)并充分搅拌，由此制备浓度0.05M的碘化钾溶液。

将所制备的碘化钾溶液的一部分用于以下的对象化合物溶液的制备，并将另一部分用作以下的参考溶液。

(2)向上述碘化钾溶液5mL中，添加0.025mmol的判定在碘化钾溶液中是否显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的对象化合物，充分搅拌并混合。根据此处的搅拌混合，存在对象化合物完全溶解于碘化钾溶液的情况，和微量(例如，相对于所添加的对象化合物总量，为5质量％以下)作为不溶物而存在的情况。或者，不溶物较多而在吸光度测定中由于不溶物引起的散射光等而很难正确读取吸光度时(即，对象化合物缺乏对水及甲醇的溶解性时)，可将甲醇的一半量取代为对象化合物显示较高溶解性的溶剂(以下，记载为第三溶剂。)来进行测定。因此，此时，作为混合溶剂，可使用水:甲醇:第三溶剂＝1:0.5:0.5 (体积比)的混合溶剂。作为第三溶剂，从与水的相溶性较高这一点和与碘化物离子和碘分子的反应性较差这一点出发，优选为乙醇、二甲基甲酰胺 (DMF)、乙腈、丙酮等，但并不限定于这些。此外，作为第三溶剂，也可以混合两种以上的溶剂来使用。

将包含如此制备的对象化合物溶液的耐压试验管，与包含参考溶液的耐压试验管一同浸渍于液温60℃的热水浴中，在该状态下放置2小时～8小时。

(3)之后，从热水浴中取出耐压试验管，并从耐压试验管采取对象化合物溶液的一部分，采用宽度(透射光的透射距离)1mm的单元，用分光光度计测定波长355nm中的吸光度。

(4)关于参考溶液，也从与包含对象化合物溶液的耐压试验管在热水浴中浸渍相同时间的状态而放置的耐压试验管采取参考溶液的一部分，与对象化合物溶液同样地进行吸光度测定。

(5)将测定对象化合物溶液所得的吸光度超过0.0的化合物判定为显示碘化钾溶液中的多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物，将所测定的吸光度为0.0的化合物判定为不显示碘化钾溶液中的多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物。

但是，当浸渍于热水浴之前的对象化合物溶液在波长355nm处具有吸收时，将从通过上述测定得到的吸光度中减去浸渍于热水浴之前的对象化合物溶液的波长355nm处的吸光度而得到的值用于判定是否显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力。并且，当参考溶液的波长355nm处的吸光度超过0.0时，将从关于对象化合物溶液而得到的吸光度中减去关于参考溶液而得到的吸光度来得到的值用于判定对象化合物是否在碘化钾溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力。

另外，基于分光光度计的吸光度测定通过测定对象溶液的测定结果与空白溶液的测定结果的对比来进行。空白溶液的测定(以下，称为空白试验。)由于要排除或减低单元的影响，因此设为使用与对象化合物溶液的吸光度测定中使用的单元相同的单元来进行。作为空白溶液，使用对象化合物溶液的制备中使用的混合溶剂(不含对象化合物及碘化钾)。

上述测定中求出吸光度的波长355nm是多碘化物离子I₅ ^-显示吸收的波长。因此，在波长355nm处吸光度超过0.0，即在波长355nm处具有吸收表示在溶液中存在多碘化物离子I₅ ^-。这表示对象化合物在包含单碘化物离子I^-的碘化钾溶液中形成了多碘化物离子I₅ ^-。本发明人等认为，能够在包含单碘化物离子I^-的碘化钾溶液中形成I₅ ^-，这表示具有促进I^-的氧化(由此形成I₂)，并且促进基于I₂与I^-的I₃ ^-的形成进而促进基于所形成的I₃ ^-与I₂的I₅ ^-的形成的作用。并且本发明人等认为，通过这样发挥促进I₅ ^-的形成的作用的化合物，能够增加由I₅ ^-与PVA形成的络合物量，这有助于维持或提高偏振器层的偏振性能。

一方式中，上述偏振片中，上述化合物包含于偏振器层。

一方式中，上述偏振片中，上述化合物至少存在于偏振器层的表面或包含表面的表层区域。

一方式中，上述化合物包含特定的碳原子，该特定的碳原子经由单键与吸电子基团键合且不经由双键与碳原子键合。

一方式中，上述化合物包含特定的碳原子，该特定的碳原子分别经由单键与2个吸电子基团键合且不经由双键与碳原子键合。

一方式中，上述吸电子基团为羰基。

一方式中，上述化合物包含1个以上的杂原子。

一方式中，上述化合物在环状结构中包含上述特定的碳原子。

一方式中，上述环状结构为杂环。

一方式中，上述环状结构为5元或6元环。

一方式中，上述环状结构为含氮杂环。

本发明的另一方式涉及一种上述偏振片的，

所述制造方法包含形成至少一层包含在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层的工序。

一方式中，上述制造方法至少包含对聚乙烯醇系薄膜进行碘染色的染色工序，

并在染色工序前、染色工序中及染色工序后的至少任一时期中包含，通过将在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物适用于聚乙烯醇系薄膜中，从而形成包含上述化合物的偏振器层的工序。

一方式中，上述适用是指，将包含在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的溶液涂布于被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的至少一个表面。

本发明的另一方式涉及一种包含上述偏振片的液晶显示装置。

发明效果

根据本发明的一方式，能够提供一种放置在高温高湿下之后仍能够显示良好的偏振性能的偏振片及具备该偏振片的液晶显示装置。

附图说明

图1是表示本发明的一方式所涉及的液晶显示装置的例的示意图。

具体实施方式

以下说明是根据本发明的代表性实施方式而进行的，但本发明并不限定于这样的实施方式。另外，本发明及本说明书中用“～”表示的数值范围，表示包含在“～”前后记载的数值作为下限值及上限值的范围。

并且，本发明及本说明书中的基团(原子团)的表述中，未记述有取代及无取代的表述，为包含不具有取代基的基团同时还包含具有取代基的基团。例如“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(无取代烷基)，还包含具有取代基的烷基(取代烷基)。

[偏振片]

本发明的一方式所涉及的偏振片至少具有包含被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器层，包含在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物(以下，还简单记载为“显示出多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物”。)。

以下，对上述偏振片进行更详细说明。

＜偏振片的结构＞

上述偏振片至少具有由被碘染色的聚乙烯醇系薄膜构成的偏振器层。此外作为任意层，能够具有一层以上的偏振片保护薄膜、粘结剂层等。对于任意设置的层，将在后面进行叙述。

上述偏振片中包含的偏振器层包含被碘染色的聚乙烯醇系薄膜。其中，碘染色通常通过使含有碘I₂及碘化化合物(例如包含单碘化物离子I^-的碘化钾KI 或包含I₃ ^-和I₅ ^-等多碘化物离子的化合物)的水溶液与聚乙烯醇系薄膜接触(例如将聚乙烯醇系薄膜浸渍于上述水溶液)来进行。详细内容将在后面进行叙述。偏振器层的制作工序通常包含碘染色、交联工序、拉伸工序。这些工序的详细内容也将在后面进行叙述。或者，也可以通过对形成于树脂基材上的聚乙烯醇系薄膜进行上述各种工序之后，从树脂基材剥离聚乙烯醇系薄膜，从而制作被碘染色的聚乙烯醇系薄膜。通过将包含聚乙烯醇系树脂的组合物涂布于树脂基材表面，能够在树脂基材上形成聚乙烯醇系薄膜。

如此获得的偏振器层的厚度例如为0.1～100μm的范围，从偏振性能的观点考虑，优选为1～25μm的范围。

＜显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物＞

一方式中，上述偏振片能够在偏振器层中包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物。并且，在另一方式中，能够使显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物包含于在偏振器层以外的设置的层的一层以上中。并且，另一方式中，能够使显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物包含于偏振器层及在偏振器层以外的设置的层的一层以上中。另外，显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物可以是水合物、溶剂化物及盐的任一形态。

以下，对显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物进行更详细说明。

本发明人等作为一个推断机理认为，通过之前记载的方法评价的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物受到基于氧的氧化而变化为氧化活性化合物，这有可能有助于显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力。详细而言，认为氧化活性化合物具有促进单碘化物离子被氧化而形成I₂的反应的作用，这有可能有助于显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力。显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物中，通过之前记载的方法求出的吸光度为超过0.0，优选为0.1以上，更优选为0.5以上，进一步优选为1.0以上。另一方面，上述吸光度例如可小于5.0，或为3.0以下，或为2.5以下。但是，认为上述吸光度越高越能够增加聚乙烯醇系薄膜中的多碘化物离子I₅ ^-，因此对于上限并无特别限定，可以是5.0以上。并且，之前记载的方法中，在热水浴中放置耐压试验管的时间设为2小时～8小时，但优选为在更短时间内显示超过0.0的吸光度的化合物。从这方面考虑，尤其优选在 2小时的放置时间显示超过0.0的吸光度的化合物。

作为认为有助于显示上述多碘化物离子I₅ ^-形成能力的部分结构，可举出吸电子基团与碳原子经由单键而键合的结构。因此，优选显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物具有上述结构作为部分结构。在优选的一方式中，上述碳原子与2个吸电子基团分别经由单键而键合。并且，在优选的另一方式中，经由单键与吸电子基团键合的碳原子包含于环状结构中。在优选的另一方式中，对于经由单键与吸电子基团键合的碳原子，优选经由单键与该碳原子键合的氢原子数为1个。作为吸电子基团，优选为哈密特方程的σp值大于0的基团。对于吸电子基团的详细内容，可参考与通式(I)相关的后述记载。一方式中，吸电子基团优选为羰基(-C(＝O)-)。其中，优选经由单键与羰基键合的碳原子不经由双键而与其他碳原子键合。并且，上述羰基优选不经由单键而与羰基键合。并且，作为吸电子基团，还优选为-SO₂-、-SO-、-P(＝O)(ORb)O-等2 价吸电子基团。其中，Rb表示取代基。作为取代基，可举出在后述中例示的各种取代基。显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物优选为包含于上述优选的一方式中的1个以上，更优选为包含于2个以上，被包含的数量越多越优选。

优选显示聚碘化物离子I₅ ^-的化合物包含特定的碳原子。“特定的碳原子” 是指以下中的任一个：(1)经由单键与吸电子基团键合的碳原子且不经由双键与其他碳原子键合；及(2)分别经由单键与2个吸电子基团键合的碳原子且不经由双键与其他碳原子键合。

另外，在包含于上述的1个以上的化合物中，也存在不显示多碘化物离子 I₅ ^-形成能力的化合物。化合物是否显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力通过之前记载的方法判定。

显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物可以是环状化合物，可以是直链状化合物，也可以具有分支结构。对于环状化合物，优选上述吸电子基团包含于环状结构。

具有上述优选部分结构的化合物进一步优选具有1个以上的杂原子。包含于一个分子中的杂原子的数例如为1～10个，优选为1～6个。作为杂原子，例如可举出氮原子、硫原子、氧原子、磷原子，一个分子中可组合2种以上的不同杂原子来包含。杂原子包含于环状结构时，作为杂原子优选为氮原子、硫原子、氧原子，更优选为氮原子。即，显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物作为环状结构优选具有杂环，更优选具有含氮杂环。上述杂环优选为5元或6 元环。包含于杂环的杂原子优选为氮原子、氧原子中的至少一个，优选为至少1个氮原子，最优选包含氮原子。另一方面，作为杂原子包含氧原子时，一方式中，氧原子为构成经由单键与上述碳原子键合的羰基(-C(＝O)-)的氧原子。即，作为更优选的部分结构，可举出为含氮杂环且包含上述羰基及经由单键与该羰基键合的碳原子的部分结构。作为进一步优选的部分结构，可举出为含氮杂环且包含分别经由单键与2个羰基键合的碳原子的部分结构。

另外，根据之前记载的1个推断机理认为，显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物，在偏振片中受到基于氧的氧化而转换为氧化活性化合物之后，使单碘化物离子I^-氧化，最终变化为氧化体。因此，作为偏振片，将包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的氧化体的偏振片也包含于本发明的一方式所涉及的偏振片中。并且，根据上述推断机理，具有易转换为氧化活性化合物的性质的化合物也优选为显示多碘化物离子I₅-形成能力的化合物。作为从该方面考虑而优选的化合物，可举出亚油酸等不饱和脂肪酸。

并且，优选的一方式中，能够通过向显示多碘化物离子I₅-形成能力的化合物导入与包含于偏振器层的成分相互作用的官能基团来抑制扩散等，在所希望的区域维持化合物的浓度分布和局部化状态。

以下，对显示多碘化物离子I₅-形成能力的化合物的具体方式进行说明，但本发明并不限定于下述具体方式。

(以通式(1)表示的化合物)

[化学式1]

通式(1)

(通式(1)中、R¹及R³分别独立地表示氢原子、碳原子数1～20的直链烷基、碳原子数3～20的分支烷基、碳原子数3～20的环烷基、碳原子数2～ 20的烯基或碳原子数6～20的芳香族基团，R⁵表示取代基。)

对通式(1)的R¹及R³的优选范围进行叙述。

上述碳原子数1～20的直链烷基、碳原子数3～20的分支烷基优选为碳原子数1～10的直链烷基或碳原子数3～20的分支烷基，更优选为碳原子数为 1～5的直链烷基或碳原子数3～5的分支烷基，进一步优选为碳原子数1～3的直链烷基，尤其优选为甲基或乙基。

上述碳原子数3～20的环烷基优选为碳原子数3～10的环烷基，更优选为碳原子数4～8的环烷基。作为环烷基的具体例，例如可举出环丙基、环戊基、环己基，尤其优选为环己基。另外，环烷基表示环状烷基。

上述碳原子数2～20的烯基优选为碳原子数2～10的烯基，更优选为碳原子数2～5的烯基。

上述碳原子数6～20的芳香族基可以是芳香族烃基也可以是芳香族杂环基，优选为芳香族烃基。作为当該芳香族烃基，优选为苯基、萘基，更优选为苯基。

R¹及R³可具有取代基。作为取代基，并无特别限制，例如可举出，烷基 (优选碳原子数为1～10，例如甲基、乙基、异丙基、叔丁基、戊基、庚基、 1-乙基戊基、苄基、2-乙氧基乙基、1-羧基甲基等)、烯基(优选碳原子数为 2～20，例如乙烯基、烯丙基、油烯基等)、炔基(优选碳原子数为2～20，例如乙炔基、丁二烯基、苯基乙炔基等)、环烷基(优选碳原子数为3～20，例如环丙基、环戊基、环己基、4-甲基环己基等)、芳基(优选碳原子数为6～ 26，例如苯基、1-萘基、4-甲氧基苯基、2-氯苯基、3-甲基苯基等)、杂环基 (优选碳原子数为0～20的杂环基且优选构成环的杂原子为氧原子、氮原子、硫原子，也可以以5或6元环并通过苯环或杂环进行缩环，所述环也可以是饱和环、不饱和环、芳香环，例如，2-吡啶基、4-吡啶基、2-咪唑基、2-苯并咪唑基、2-噻唑基、2-噁唑基等)、烷氧基(优选碳原子数为1～20，例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、卞氧基等)、芳氧基(优选碳原子数为6～26，例如苯氧基、1-萘氧基、3-甲基苯氧基、4-甲氧基苯氧基等)、

烷基硫基(优选碳原子数为1～20，例如甲基硫基、乙基硫基、异丙基硫基、苄基硫基等)、芳基硫基(优选碳原子数为6～26，例如苯硫基、1-萘硫基、3-甲基苯硫基、4-甲氧基苯硫基等)、酰基(包含烷基羰基、链烯基羰基、芳基羰基、杂环羰基，优选碳原子数为20以下，例如乙酰基、特戊酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苄甲酰基、烟酰基等)、芳酰基烷基、烷氧基羰基(优选碳原子数为2～20，例如，乙氧基羰基、2-乙基己氧基羰基等)、芳氧基羰基(优选碳原子数为7～20，例如苯氧基羰基、萘氧基羰基等)、氨基(包含氨基、烷氨基、芳氨基、杂环氨基，优选碳原子数为0～20，例如氨基、N,N-二甲基氨基、N,N-二乙基氨基、N-乙基氨基、苯胺基、1-吡咯烷基、哌啶基、吗啉基等)、磺酰胺基(优选碳原子数为0～20，例如，N,N-二甲基磺酰胺基、N-苯基磺酰胺基等)、氨磺酰基(优选碳原子数为0～20，例如 N,N-二甲基氨磺酰基、N-苯基氨磺酰基等)、酰氧基(优选碳原子数为1～ 20，例如乙酰氧基、苯甲酰氧基等)、氨基甲酰基(优选碳原子数为1～20，例如N,N-二甲基氨基甲酰基、N-苯基氨基甲酰基等)、酰基氨基(优选碳原子数为1～20，例如乙酰基氨基、丙烯酰基氨基、苯甲酰基氨基、烟酰胺基等)、氰基、羟基、巯基或卤素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)。R¹及R³可具有的上述取代基可进一步具有上述取代基。

R¹及R³的各基可具有的上述取代基中，优选为烷基、芳基、烷氧基、酰基。

R⁵表示取代基。取代基并无特别限制，可举出作为R¹及R³所具有的取代基而示出的取代基。R⁵优选为烷基(优选碳原子数未1～5的烷基)、芳基、芳烷基，更优选为芳基或芳烷基，进一步优选为苯基或苄基。

本发明中，尤其优选R⁵为“具有芳香环且显示极性效果的取代基”。这些基团可进一步被取代基取代。以R⁵表示的具有芳香环且显示极性效果的取代基为了捕获自由基并有助于稳定化，优选为显示极性效果的结构。作为显示极性效果的结构，能够使用具有显示分极的效果的取代基，但R⁵优选为“具有芳香环并显示极性效果的取代基”。

作为这种“具有芳香环并显示极性效果的取代基”，优选为碳原子数6～ 20的芳香族基或碳原子数7～20的芳烷基，更优选为碳原子数6～14的芳香族基或碳原子数7～15的芳烷基，进一步优选为碳原子数6～10的芳香族基或碳原子数7～11的芳烷基。另外，在此碳原子数表示总碳原子数。芳烷基为烷基上取代有芳基的化合物，芳烷基中，优选为烷基上取代有1个或2个芳基的芳烷基(2个芳基取代时，优选取代于同一碳原子。)。作为具有芳香环并显示极性效果的取代基，例如可举出苯基、萘基、蒽基、苄基、二苯基甲基等。

作为R⁵，可举出苯基、对氯苯基、对甲苯基、苄基、乙基苯基、间甲苯基、对甲氧基苯基、对三氟甲基苯基、对甲基苄基、二苯基甲基、甲基苯甲酰基苯基甲基等。

以通式(1)表示的化合物中，若列举优选化合物，则如下。

·R¹、R³及R⁵中的至少1为个具有显示极性效果的取代基的化合物

·R¹及R³中的任一个为芳烷基的化合物

另外，芳烷基为在烷基上取代有芳基的化合物，芳烷基中，优选为烷基上取代有1个或2个芳基的芳烷基(取代有2个芳基时，优选取代于同一碳原子。)。而且，还优选为在烷基上取代有芳基及酰基(优选芳酰基)的芳烷基。

·R¹及R³中的任一个为包含环烷基的基团，优选包含环烷基的基团为环烷基的化合物

·R¹及R³为氢原子的化合物，尤其是R¹及R³为氢原子且R⁵为碳原子数1 ～3的烷基的化合物

作为以通式(1)表示的化合物的优选的一方式，R¹、R³及R⁵的至少1个为水溶性基团或包含水溶性官能基团，或者R¹及R³双方为氢原子。上述一方式所涉及的以通式(1)表示的化合物与构成偏振器层的聚乙烯醇的相溶性优异，因此较优选。

水溶性官能基团是有助于以通式(1)表示的化合物的水溶解性的基团。作为以通式(1)表示的化合物可具有的水溶性官能性基的具体例，可举出磺基(或其盐)、羧基(或其盐)、羟基、巯基、氨基、氨基、磺酰胺基、酰基氨磺酰基、磺酰基氨磺酰基、活性次甲基或包含这些基团的取代基，可优选举出磺基(或其盐)、羧基(或其盐)、羟基、氨基等基团。

羧基、磺酰胺基及磺基可以是盐的状态。形成盐的抗衡离子的例子中包含铵离子、碱金属离子(例如锂离子、钠离子、钾离子)及有机阳离子(例如四甲基铵离子、四甲基胍盐离子、四甲基膦离子)。抗衡离子中，优选为碱金属盐。

并且，作为对以通式(1)表示的化合物赋予水溶性的基团，可例示R¹及 R³双方为氢原子的方式。这是因为通过设为这种结构，以通式(1)表示的化合物的水溶性将得到提高。

并且，以通式(1)表示的化合物可以以水合物、溶剂化物或盐的形态使用。另外，本发明中，水合物可包含有机溶剂，溶剂化物可包含水。即，“水合物”及“溶剂化物”中包含含有水及有机溶剂的混合溶剂化物。

包含溶剂化物的溶剂的例子中包含所有通常有机溶剂。具体而言，可举出醇(例如甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、叔丁醇)、酯(例如乙酸乙酯)、烃(可以是脂肪族或者芳香族烃的任一个，例如甲苯、己烷、庚烷)、醚(例如二乙基醚、四氢呋喃)、丁腈(例如乙腈)、酮(例如丙酮、2-丁酮)等。优选为醇的溶剂化物，更优选为甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丁醇。这些溶剂可以是合成本发明的以通式(1)表示的化合物时使用的反应溶剂，也可以是在合成之后的晶化提纯时使用的溶剂，或者还可以是它们的混合。

并且，可同时包含两种以上的溶剂，也可以包含水(例如，水与醇(例如，甲醇、乙醇、叔丁醇)等)。

作为盐，包含由无机或有机酸形成的酸加成盐。无机酸可举出氢卤酸(盐酸、氢溴酸)、硫酸、磷酸等。并且，有机酸可举出乙酸、三氟乙酸、草酸、柠檬酸、链烷磺酸(甲磺酸)、芳基磺酸(苯磺酸、4-甲苯磺酸、1,5-萘二磺酸)。

并且，盐可举出存在于母化合物的酸性部分被金属离子(例如，碱金属盐、例如钠或钾盐、碱土金属盐、例如钙或镁盐、碱土金属离子或铝离子)取代或者在与有机碱(乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、吗啉、哌啶、铵盐)调制时生成的盐，但并不限定于此。这些中，优选为钠盐、钾盐。

另外，以通式(1)表示的化合物的盐的形态例如为钠时，如下式中示出一例，存在互变异构体，但本发明中并不区别这些而是视作相同之物，具体例中仅记载其单方结构。

[化学式2]

以通式(1)表示的化合物的亲水性程度可表示为CLogP值。CLogP中的 P表示正辛醇-水系中的分配系数，能够利用正辛醇及水来测定。这些分配系数还能够使用ClogP值推算程序(安装于Daylight Chemical Information Systems 公司的PC Models中的CLOGP程序)作为推算值CLogP值来求出。ClogP值优选为-8.0～12.0的范围，更优选为-5.0～10.0的范围，进一步优选为-5.0～8.0 的范围。

以下，示出以通式(1)表示的化合物等的具体例，但本发明并不限定于这些。下述例示化合物中，Me表示甲基。

[化学式3]

[化学式4]

[化学式5]

[化学式6]

[化学式7]

[化学式8]

[化学式9]

[化学式10]

[化学式11]

[化学式12]

以通式(I)表示的化合物具有巴比妥酸结构，因此能够利用使尿素衍生物与丙二酸衍生物缩合的巴比妥酸的合成法来合成。在氮原子上具有2个取代基的化合物能够通过加热N,N’二取代型脲及丙二酸氯化物或组合丙二酸与乙酸酐等活性化剂并加热来获得。作为合成法，例如可优选使用Journal of the American Chemical Society、第61卷、1015页(1939年)、Journal of Medicinal Chemistry、第54卷、2409页(2011年)、TetrahedronLetters、第 40卷、8029页(1999年)、WO2007/150011号公报等中记载的方法。

并且，用于缩合的丙二酸可是无取代的丙二酸也可以是具有取代基的丙二酸，若使用具有相当于R⁵的取代基的丙二酸，则能够通过构筑巴比妥酸来合成以通式(1)表示的化合物。并且，若使无取代的丙二酸与尿素衍生物缩合则可获得5位为无取代的巴比妥酸，因此也可通过对此进行修饰来合成以通式 (1)表示的化合物。

作为5位的修饰方法，能够利用如与卤代烷等的亲核取代反应或迈克尔加成反应等加成反应。并且，还能够较佳地利用使其与醛或酮进行脱水缩合而生成亚烷基或亚烯丙基化合物，之后还原双键的方法。这种方法例如可较佳地利用Organic Letters，第5卷，2887页(2003年)、Journal of Medicinal Chemistry，第17卷，1194页(1974年)、Journalof Organic Chemistry，第68 卷，4684页(2003年)、Tetrahedron Letters，第42卷，4103页(2001年)或 Journal of the American Chemical Society，第119卷，12849页(1997年)、Tetrahedron Letters，第28卷，4173页(1987年)等中记载的方法。

另外，以通式(1)表示的化合物的合成法并不限定于上述。

并且，作为具有巴比妥酸结构并显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物，还可例示下述化合物。

[化学式13]

[表1]

化合物编号	R¹	R³	R⁵
				BA-101	H	H	C₂H₅
BA-102	H	H	C₃H₇
				BA-103	H	H	CHPh₂
BA-104	H	H	CH₂C₆H₄(p-CH₃)
				BA-105	H	H	CH₂C₆H₄(p-OCH₃)
BA-106	H	H	CH₂C₆H₄(p-Cl)
				BA-107	H	CH₂Ph	NHCOCH₃
BA-108	H	CH₂Ph	NHCHO
				BA-109	H	CH₂Ph	iC₃H₇
BA-110	H	CH₂Ph	sec-C₄H₉
				BA-111	H	CH₂Ph	tert-C₄H₉
BA-112	H	CH₂Ph	CH₂Ph
				BA-113	H	CHPh₂	Ph
BA-114	H	cHex	cHex
				BA-115	Ph	Ph	cPentyl
BA-116	Ph	Ph	CH₂-cPentyl
				BA-117	Ph	Ph	n-C₄H₉
BA-118	Ph	Ph	CH(CH₃)Ph
				BA-119	Ph	Ph	CH₂CH＝CH₂
BA-120	Ph	C₆H₄(p-OCH₃)	CH₂Ph
				BA-121	Ph	CH₂Ph	CH₂CH₂Ph
BA-122	Ph	Ph	CH₂CH₂CN
				BA-123	Ph	Ph	CH₂CH₂COOC₂H₅
BA-124	Ph	Ph	OCH₃

表1中，Ph表示苯基，cHex表示环己基，cPentyl表示环戊基，C₆H₄表示苯基，如C₆H₄(p-CH₃)的()的基团表示向苯基的取代基。“p”表示是对位。

以下，对显示多碘化物离子I₅-形成能力的化合物的其他具体方式进行说明，但本发明并不限定于下述具体方式。

(以通式(I)表示的化合物)

[化学式14]

通式(I)

通式(I)中，R表示取代基，但不是包含酚醛性羟基或芳香族氨基的基团。EWG¹及EWG²分别独立地表示吸电子基团。EWG¹与EWG²可相互键合而形成环。但是，EWG¹与EWG²不会相互键合而成为下述连结基，并R与所取代的碳原子键合而形成环。

[化学式15]

其中，Rx及Ry分别独立地表示氢原子或取代基。*表示R与所取代的碳原子键合的位置。并且，EWG¹与R、或EWG²与R可相互键合而形成环。

其中，作为EWG¹及EWG²中的吸电子基团，优选为哈密特方程的σp值大于0的基团。作为σp值为正的取代基，可举出氟(0.06)、氯(0.30)、溴(0.27)、碘(0.30)等卤素原子、-CHO(0.22)、-COCH₃(0.50)、- COC₆H₅(0.46)、-CONH₂(0.36)、-COO-(0.30)、-COOH(0.41)、-COOCH₃(0.39)、-COOC₂H₅(0.45)等具有羰基的基团、-SOCH₃(0.49)、- SO₂CH₃(0.72)、-SO₂C₆H₅(0.68)、-SO₂CF₃(0.93)、-SO₂NH₂(0.57)、- SO₂OC₆H₅(0.23)、-SO₃ ^-(0.09)、-SO₃H(0.50)等具有磺酰基或者亚磺酰基的基团、-CN(0.66)、-NO₂(0.78)、-N(CH₃)₃ ⁺(0.82)、-N(CF₃)₂(0.53)等含氮取代基、-CCl₃(0.46)、-CH₂Cl(0.18)、-CHCl₂(0.32)、- CF₃(0.54)等卤素原子取代烷基。在此，括号内为σp值。

哈密特的σp值例如除了C.Harsch之外，还记载于J.Med.Chem.,16，1207 (1973)、J.Med.Chem.,20，304(1977)、Chem.Rev.91，165(1991)等中。

优选EWG¹及EWG²中的吸电子基团的哈密特的σp值为0.20以上。作为吸电子基团，具体而言可举出酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基或者芳基的氨基甲酰基(例如，-CONHCH₃(0.32))、硫代酰基、烷氧基硫代羰基、芳氧基硫代羰基、烷基或者芳基的硫代氨基甲酰基(例如，-CSNHCH₃ (0.34))、烷基或者芳基的氨磺酰基(例如，-SO₂N(CH₃)₂(0.65))、烷基或者芳基的磺酰基(例如，-SO₂CH₃(0.72)、-SO₂C₆H₅(0.68))、烷基或者芳基的亚磺酰基(例如，-SOCH₃(0.49))、氰基、硝基或膦酰基，优选为这些，更优选为酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基或者芳基的氨基甲酰基、烷基或者芳基的氨磺酰基、烷基或者芳基的磺酰基、烷基或者芳基的亚磺酰基、氰基、硝基或膦酰基。

酰基可以是芳香族的酰基也可以是脂肪族的酰基，并且包含甲酰基，碳原子数优选为1～20，更优选为2～10。

作为该酰基，例如可举出甲酰基、乙酰基、丙酰基、异丁酰基、新戊酰基、月桂酰基、肉豆蔻基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基。

该酰基中，优选为分支烷基(优选叔烷基羰基)的酰基，例如新戊酰基等或在邻位具有取代基的苯基羰基。

烷氧基羰基的碳原子数优选为2～20，更优选为2～10。作为烷氧基羰基，优选为分支烷氧基羰基，更优选为叔烷氧基羰基。作为烷氧基羰基，例如可举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、异丙氧基羰基、叔丁氧基羰基、n-辛氧基羰基、十二烷氧基羰基。

芳氧基羰基的碳原子数优选为7～20，更优选为7～16。作为芳氧基羰基，例如可举出苯氧基羰基、萘氧基羰基。

另外，与芳氧基羰基相比，更优选为烷氧基羰基。

氢原子的至少一个被从烷基或者芳基独立选择的基团取代的硫代氨基甲酰基的碳原子数优选为1～20，更优选为1～10。

作为氨基甲酰基，例如可举出氨甲酰基、N-甲基氨甲酰基、N,N-二甲基氨甲酰基、N-苯基氨甲酰基、N,N-二苯基氨甲酰基、N-甲基-N-苯基氨甲酰基。

烷基或者芳基磺酰基的碳原子数优选为1～20，更优选为1～10。

作为磺酰基，例如可举出甲基磺酰基、异丙基磺酰基、叔丁基磺酰基、叔辛基磺酰基、苯基磺酰基。

烷基或者芳基的亚磺酰基的碳原子数优选为1～20，更优选为1～10。

作为亚磺酰基，例如可举出甲基亚磺酰基、异丙基亚磺酰基、叔丁基亚磺酰基、叔辛基亚磺酰基、苯基亚磺酰基。

膦酰基以-P(＝O)(ORb)₂表示，Rb表示取代基。对于优选的取代基 Rb，将在后面进行叙述。

可举出硫代酰基、烷氧基硫代羰基、芳氧基硫代羰基、氢原子的至少一个被从烷基或者芳基独立选择的基团取代的硫代氨基甲酰基(这些的优选范围及具体例的不同点仅在于，将所对应的酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氢原子的至少一个被从烷基或者芳基独立选择的基团取代的硫代氨基甲酰基的C (＝O)部分取代为(C＝S))。

与EWG¹及EWG²键合而形成环时，与R键合的碳原子键合的部分优选为 -C(＝O)-、-C(＝S)-、-SO₂-、-SO-或*-P(＝O)(ORb)O-。其中，*表示R 与所键合的碳原子键合的位置，Rb表示取代基。此时，更优选为-C(＝O)-、- C(＝S)-，进一步优选为-C(＝O)-、-C(＝O)-或-C(＝S)-，尤其优选为-C (＝O)-。

R、Rx及Ry中的取代基可举出下述取代基S。

其中，R不是在取代基中包含酚醛性羟基或芳香族氨基的基团，不是包含- NH₂的基团。

取代基S：作为取代基S，可举出烷基(优选碳原子数为1～20，例如甲基、乙基、异丙基、叔丁基、戊基、庚基、1-乙基戊基、2-乙基己基、苄基、 2-乙氧基乙基、1-羧基甲基等)、烯基(优选碳原子数为2～20，例如乙烯基、烯丙基、油烯基等)、炔基(优选碳原子数为2～20，例如乙炔基、丁炔基、苯基乙炔基等)、环烷基(优选碳原子数为3～20，例如环丙基、环戊基、环己基、4-甲基环己基等)、芳基(优选碳原子数为6～20，例如苯基、1-萘基、 4-甲氧基苯基、2-氯苯基、3-甲基苯基等)、杂环基(优选碳原子数为0～20 的杂环基，构成环的杂原子优选为氧原子、氮原子、硫原子，也可以以5元环或6元环并以苯环或杂环进行缩环，该环可以是饱和环、不饱和环、芳香环，例如2-吡啶基、4-吡啶基、2-咪唑基、2-苯并咪唑基、2-噻唑基、2-噁唑基等)、烷氧基(优选碳原子数为1～20，例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、卞氧基等)、芳氧基(优选碳原子数为6～20，例如苯氧基、1-萘氧基、3-甲基苯氧基、4-甲氧基苯氧基等)、

烷基硫基(优选碳原子数为1～20，例如，甲基硫基、乙基硫基、异丙基硫基、苄基硫基等)、芳基硫基(优选碳原子数为6～20，例如苯基硫基、1- 萘基硫基、3-甲基苯基硫基、4-甲氧基苯基硫基等)、酰基(包含烷基羰基、链烯基羰基、芳基羰基、杂环羰基，碳原子数优选为20以下，例如乙酰基、新戊酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、烟酰基等)、烷氧基羰基 (优选碳原子数为2～20，例如乙氧基羰基、2-乙基己氧基羰基等)、芳氧基羰基(优选碳原子数为7～20，例如苯氧基羰基、萘氧基羰基等)、氨基(包含氨基、烷氨基、芳氨基、杂环氨基，优选碳原子数为0～20，例如氨基、 N,N-二甲基氨基、N,N-二乙基氨基、N-乙基氨基、苯胺基、1-吡咯烷基、哌啶基、吗啉基等)、烷基或者芳基的磺酰胺基(优选碳原子数为0～20，例如 N,N-二甲基磺胺基、N-苯基磺胺基等)、烷基或者芳基的氨磺酰基(优选碳原子数为0～20，例如N,N-二甲基、N-苯基氨磺酰基等)、酰氧基(优选碳原子数为1～20，例如乙酰氧基、苯甲酰氧基等)、烷基或者芳基饿氨基甲酰基 (优选碳原子数为1～20，例如N,N-二甲基氨甲酰基、N-苯基氨甲酰基等)、酰基氨基(优选碳原子数为1～20，例如乙酰基氨基、丙烯酰基氨基、苯甲酰基氨基、烟酰胺等)、氰基、羟基、巯基、磺基或者其盐、羧基或者其盐、磷酸基或者其盐、鎓基(例如鎓盐的锍基(sulfonio)、铵盐的铵基 (ammonio)、碘鎓盐的碘鎓基(iodonio)、鏻盐的鏻离子基 (phosphonio))、硫代酰基、烷氧基硫代羰基、芳氧基硫代羰基、烷基或者芳基的硫代氨基甲酰基(这些的优选范围及具体例可举出不同点仅在于将所对应的酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基或者芳基的氨基甲酰基的C(＝O)部分取代为(C＝S)的基团)、或卤素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)。

这些取代基可进一步被取代基取代，作为这种取代基可举出上述取代基 S。

例如，可举出在烷基上取代有芳基的芳烷基、烷基上取代有烷氧基羰基或氰基的基团等。

R优选为烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基、硝基、杂环基或卤素原子，更优选为烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基、硝基或卤素原子，进一步优选为烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基。

R中的烷基的碳原子数优选为1～20，更优选为1～10，进一步优选为1～ 5。

作为烷基，例如可举出甲基、乙基、异丙基、n-丁基、叔丁基、2-乙基己基、n-辛基、n-癸基、n-十八烷基、异十八烷基。

R中的烯基的碳原子数优选为2～20，更优选为2～10，进一步优选为2～ 5。

作为烯基，例如可举出乙烯基、烯丙基、异丙烯基、2-戊烯基、油烯基。

R中的环烷基的碳原子数优选为3～20，更优选为5～10，进一步优选为5 或6。

作为环烷基，例如可举出环丙基、环戊基、环己基。

R中的环烯基的碳原子数优选为5～20，更优选为5～10，进一步优选为5 或6。

作为环烯基，例如可举出环戊烯基、环己烯基。

R中的芳基的碳原子数优选为6～20，更优选为6～10，进一步优选为6～ 8。

作为芳基，例如可举出苯基、萘基。

关于R中的杂环基，杂环基的碳原子数优选为0～20，更优选为1～10，进一步优选为2～10，尤其优选为2～5。

作为该杂环基中的杂环，优选为5元环或6元环的杂环，该杂环可以被取代基取代，并且可通过苯环或脂环、杂环进行缩环。其中，作为取代基，可举出上述取代基S。

构成杂环基中的杂环的杂原子可举出氮原子、氧原子或硫原子，可以是杂芳香环也可以是非芳香环的杂环。

作为杂环基的杂环，例如可举出噻吩环、呋喃环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噻唑环、噁唑环、三唑环、四唑环、吡啶环、吡环、三唑环、吡咯烷环、吡咯啉环、吡唑烷环、哌啶环、哌嗪环、吗啉环、硫代吗啉环及这些的苯缩环的环(例如吲哚环、苯并咪唑环等)。

R中的卤素原子例如可举出氟原子、氯原子、溴原子。

优选通式(I)中的EWG¹及EWG²及R的任一个为具有至少1个环结构的基团。

作为以通式(I)表示的化合物的优选方式，可举出以下述通式(II)表示的化合物。

[化学式16]

通式(II)

通式(II)中，R的含义与通式(I)中的R相同，优选范围也相同。 EWG^1a及EWG^2a分别独立地表示2价的吸电子基团。L表示单键或2价的连结基。这些各基可进一步被取代基取代。

作为EWG^1a及EWG^2a中的2价的吸电子基团，优选为-C(＝O)-、-SO₂-、 -SO-或*-P(＝O)(ORb)O-。其中，*表示R与所键合的碳原子键合的位置。 Rb表示取代基。作为取代基，可举出之前记载的取代基S。

L中的2价的连结基优选与EWG^1a及EWG^2a键合的L的原子为-C(R^X1) (R^X2)-、-N(Ra)-、-O-、-S-、-N(Ra)-。其中，R^X1及R^X2分别独立地表示氢原子或取代基，Ra表示氢原子或取代基。

Ra、Rb、R^X1及R^X2中的取代基可举出前述的取代基S。

Ra中的取代基优选为烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基、杂环基，更优选为烷基、环烷基、芳基，进一步优选为烷基。

Ra优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基，更优选为氢原子、烷基，进一步优选为氢原子。

Rb优选为烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基、杂环基，更优选为烷基、环烷基、芳基，进一步优选为烷基、芳基，尤其优选为芳基。

R^X1及R^X2中的取代基优选为烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基。

R^X1及R^X2优选为氢原子、烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基。

由EWG^1a、EWG^2a及L形成的环优选为5～8元环，更优选为5～7元环，进一步优选为5或6元环。

作为以通式(II)表示的化合物的优选方式，可举出以下述通式(III)表示的化合物。

[化学式17]

通式(III)

通式(III)中，R的含义与通式(I)中的R相同，优选范围也相同。 EWG^1b表示-C(＝O)-、-SO₂-、-SO-或*-P(＝O)(ORb)O-。其中，*表示R 与所取代的碳原子键合的位置，Rb表示取代基。L¹表示2价的连结基。这些各基可进一步被取代基取代。

EWG^1b优选为-C(＝O)-、-SO₂-、-SO-，更优选为-C(＝O)-、-SO₂-，进一步优选为-C(＝O)-。

L¹中的2价的连结基优选与EWG^1b及-C(＝O)-键合的L¹的原子为-C (R^X1)(R^X2)-、-N(Ra)-、-O-、-S-、-N(Ra)-。其中，R^X1及R^X2分别独立地表示氢原子或取代基，Ra表示氢原子或取代基。

另外，L¹含义与通式(II)的L中的2价的连结基相同，优选范围也相同。

作为L、L¹中的2价的连结基，优选为-O-、-S-、-N(Ra)-、-C(＝O)-、 -C(＝S)-、-SO₂-、-SO-、亚烷基、烯基、环亚烷基、环烯基、亚芳基、2价的杂环基。亚烷基的碳原子数优选为1～3，例如可举出亚甲基、伸乙基、伸丙基。烯基的碳原子数优选为2或3，例如可举出亚乙烯基。环亚烷基的碳原子数优选为5～12，可举出环戊基、环己基，环烯基的碳原子数优选为5～12，可举出环戊烯基、环己烯基，亚芳基的碳原子数优选为6～12，可举出亚苯基、亚萘基。构成2价的杂环基中的杂环的杂原子优选为氧原子、硫原子、氮原子，碳原子数优选为1～12，更优选为2～12，进一步优选为3～12，例如可举出呋喃环、噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁唑环、噻唑环、吡啶环、吡咯烷环、哌嗪环、吗啉环。

作为环亚烷基、环烯基、亚芳基、2价的杂环基，优选为以邻位关系具有相邻的2个原子的基团。

另外，-N(Ra)-的含义与前述的-N(Ra)-相同，优选范围也相同。

L优选为单键、-O-、-S-、-N(Ra)-、-C(＝O)-、-C(＝S)-、-SO₂-、- SO-、亚烷基、烯基、环亚烷基、环烯基、亚芳基。

L¹优选为-O-、-S-、-N(Ra)-、-C(＝O)-、-C(＝S)-、-SO₂-、-SO-、亚烷基、烯基、环亚烷基、环烯基、亚芳基。

由EWG^1b、L¹、及R所取代的碳原子形成的环优选为5～8元环，更优选为5～7元环，进一步优选为5或6元环。

作为以通式(I)表示的化合物的更优选的方式，可举出以下述通式(IV) 表示的化合物。

[化学式18]

通式(IV)

通式(IV)中，R的含义与通式(I)中的R相同，优选范围也相同。Y¹及Y²分别独立地表示-C(R^X1)(R^X2)-、-N(Ra)-、-O-、-S-或-N(Ra)-。其中，R^X1及R^X2分别独立地表示氢原子或取代基，Ra表示氢原子或取代基。 L²表示单键或以1～3个原子数键合Y¹与Y²的2价的连结基。Y¹与Y²、Y¹与 L²或Y²与L²可相互键合而形成环。这些各基可进一步被取代基取代。

L²表示单键或以1～3个原子数键合Y¹与Y²的2价的连结基。R^X1、R^X2及Ra的含义与所述通式(II)中的R^X1、R^X2及Ra相同，优选范围也相同。

L²可举出L¹中的2价的连结基中举出的连结基中，以1～3个原子数键合 Y¹与Y²的2价的连结基，优选为满足条件且在L¹中作为优选来举出的连结基。

因此，L²中的亚烷基或亚芳基的含义与L¹中的亚烷基、亚芳基相同，优选范围也相同。

L²优选为单键、亚烷基、环亚烷基、亚芳基。

优选通式(IV)中的R、Y¹、Y²、L²中的任一个为具有至少1个环结构的基团。

以通式(I)表示的化合物包含水溶性官能基，这一点与构成偏振器层的聚乙烯醇系树脂的相溶性优异，因此较优选。水溶性官能基是有助于以通式(I) 表示的化合物的水溶解性的基团。作为以通式(I)表示的化合物所具有的水溶性官能基，可举出羟基、羧基或者其盐、磺基或者其盐、磷酸基或者其盐等水溶性基或具有醚键的基团。

将以通式(I)表示的化合物添加于偏振片保护薄膜时的化合物的分子量优选为350～1500的范围。

将以通式(I)表示的化合物添加于粘结剂层或偏振器层时的化合物的分子量优选为100～1000的范围。以通式(I)表示的化合物的ClogP值优选为- 8.0～12.0的范围，更优选为-5.0～10.0的范围，进一步优选为-5.0～8.0的范围。

另外，关于ClogP值的概算程序等的详细内容，如之前的记载。

并且，优选根据与以通式(I)表示的化合物包含于相同层的树脂的性质、尤其根据是亲水性还是疏水性，选择具有优选分子量和ClogP值的以通式(I) 表示的化合物。

例如，当为如纤维素酯系树脂、聚对苯二甲酸乙二酯等聚酯系树脂、环烯烃系树脂、丙烯酸系树脂的疏水性树脂时，以通式(I)表示的化合物的分子量优选为350～1500的范围，更优选为400～1000的范围，进一步优选为400～ 750的范围。并且，ClogP优选为1.0～9.0的范围，更优选为2.0～9.0的范围，进一步优选为2.0～8.0的范围。

另一方面，当为如聚乙烯醇或其酰化或者缩酮化体等的亲水性树脂、水溶性树脂时，以通式(I)表示的化合物的分子量优选为100～1000的范围，更优选为140～800的范围，进一步优选为140～600的范围。并且，ClogP优选为- 4.0～1.0的范围，更优选为-4.0～0.5的范围，进一步优选为-4.0～0的范围。从与亲水性树脂、水溶性树脂的相溶性观点考虑，作为以通式(I)表示的化合物，更优选为向水的溶解度较高的化合物。详细而言，优选在25℃下在水 100ml中溶解0.1g以上，更优选为溶解1.0g以上，进一步优选为溶解1.0～30.0g。

以下示出以通式(I)表示的化合物的具体例，但本发明并不限定于这些。

[化学式19]

[化学式20]

[化学式21]

[化学式22]

以上叙述的以通式(I)表示的化合物能够通过公知方法合成。并且，有的也可作为市售品来获得。

并且，作为显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的具体例，还能够例示下述化合物。下述中，Me表示甲基，Et表示乙基。

[化学式23]

上述例示化合物中有具有与偏振器层中包含的PVA相互作用的取代基的化合物。作为这种取代基，例如可举出缩醛基、羰基、甲酰基、酮基、硼基 (boronyl group)、硼酸酯基、三烷氧基甲硅烷基等形成共价键的取代基、氟等形成氢键性基团的。显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物具有这种取代基时，该化合物易留在偏振器层，因此在提高偏振片的耐久性方面优选。

并且，根据包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层，还优选以下方式。

当包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层为偏振片保护薄膜时，优选显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物在1个分子中具有至少1个与如上述的包含于偏振器层的成分相互作用的官能基作为取代基。取代基优选为选自甲酰基及硼基的至少1个以上，更优选为在1个分子中包含2个以上这种取代基。

当包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层为偏振器层及粘结剂层的一个或双方时，优选显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物在1个分子中分别具有至少1个与如上述的包含于水溶性官能基及偏振器层的成分相互作用的官能基作为取代基。更优选的是，优选在1个分子中具有至少1个水溶性官能基且具有2个以上与包含于偏振器层的成分相互作用的官能基。关于取代基，作为水溶性官能基优先包含磺基，且作为与包含于偏振器层的成分相互作用的官能基优选包含选自甲酰基及硼基的至少1个。

＜包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层＞

以上说明的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物包含于构成偏振片的任一层以上。显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物可仅使用一种，也可同时使用两种以上。另外，同时使用两种以上的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物时，显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的含量为同时使用的化合物的总计量。

在偏振器层以外的层中包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物时，本发明人等推测，该显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物有可能通过从该层向偏振器层的经时性转移而有助于放置于高温高湿下之后的偏振性能的维持或提高。

并且，当显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物包含于偏振器层时，可以是均匀地包含于整个偏振器层的方式，也可以是不均匀存在于偏振器层的一部分区域的方式。如前所述，1个推断机理中，认为显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物与氧发生反应而转变为氧化活性化合物。关于从空气中进入偏振片的氧与上述化合物的反应，认为与其他区域相比，更易在偏振器层的表面或从表面朝向偏振器层的厚度方向的一部分区域(表层区域)中进行。这是因为表面或表层区域是容易产生通过与偏振器层相邻的层而到达偏振器层的氧与上述化合物之间的反应的部分。因此，还优选在偏振器层的表面或包含表面的表层区域存在显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物。作为一例，表层区域可以是从偏振器层的表面起例如薄膜厚度的1/10～1/3左右的厚度的区域。但是，表层区域的厚度并无特别限定。并且，偏振器层中，显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的浓度可具有例如从内部朝向表面连续地或阶段性地发生变化的浓度梯度。

作为如上述那样使显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物存在于偏振器的表面或表层区域的方法，可举出将显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物直接或作为溶液涂布于偏振器层表面的方法。

并且，还可以通过采用在用于制作偏振器层等各层的组合物中添加显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的方法、在各层的制作工序中添加显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的方法等，获得在偏振器层等构成偏振片的层的至少一层中包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的偏振片。

并且，作为使显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物存在于偏振器层的内部的方法，可举出在各层的制作工序中进行拉伸操作时，使用含有显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的溶液的方法等。

关于以上的详细内容，将在后面进行叙述。

[偏振片的制造方法]

本发明的另一方式涉及一种上述偏振片的制造方法。

上述制造方法包含形成至少一层在含碘化化合物的溶液中包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层的工序。

以下，对上述制造方法进行详细说明。

＜被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的准备＞

聚乙烯醇系薄膜可使用市售品，也可使用通过公知的方法制膜的薄膜。作为聚乙烯醇系薄膜的制膜方法，例如可采用日本特开2007-86748号公报的段落 0213～0237中记载的方法。并且，还可参考日本专利授权第3342516号说明书、日本特开平09-328593号公报、日本特开2001-302817号公报、日本特开 2002-144401号公报等，制膜聚乙烯醇系薄膜。另外，聚乙烯醇系薄膜是指含有聚乙烯醇系树脂作为构成薄膜的树脂的薄膜。优选聚乙烯醇系树脂在构成薄膜的树脂中占最多，例如占80质量％以上。构成薄膜的树脂可以全部是聚乙烯醇系树脂。聚乙烯醇系树脂通常是使聚乙酸乙烯酯皂化(Saponification)而成的，但可包含例如不饱和羧酸、不饱和磺酸、烯烃类、乙烯基醚类这样可与乙酸乙烯酯共聚的成分。并且，也可以是包含乙酰乙酰基、磺酸基、羧基、氧化亚烷基等的改性聚乙烯醇系树脂。

包含被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器(偏振器层)的制造工序通常包含染色工序(碘染色)、交联工序、拉伸工序。还可进一步任意地包含溶胀工序、清洗工序、干燥工序等。以上工序可按任意顺序，同时或依次实施。

拉伸工序通常可通过实施单轴拉伸来进行。拉伸工序例如可通过如美国专利2,454,515号说明书等中记载的单轴纵向拉伸方式或如日本特开2002-86554 号公报中记载的拉幅方式来实施。优选的拉伸倍率为2倍～12倍，更优选为3 倍～10倍。拉伸工序通常可通过湿润式拉伸进行。可在溶胀工序之后进行。并且，拉伸工序可实施多次。例如，可将在染色工序之前拉伸的薄膜在染色工序、交联工序或这两个工序中进一步拉伸。

还可以使湿润式拉伸中使用的处理液(以下，还记载为拉伸浴。)中含有碘化化合物。使处理液中含有碘化化合物时，碘化化合物浓度例如可设为 0.1～10质量％，优选设为0.2～5质量％。湿润式拉伸中的拉伸浴的液温度通常为25℃以上，优选为30～85℃，进一步优选为50～70℃的范围。浸渍时间通常为10～800秒，优选为30～500秒。

染色工序(碘染色)可在气相或液相中进行。作为在液相中进行的染色方法的一例，可举出在碘-碘化钾水溶液(以下，还记载为染色浴。)中浸渍聚乙烯醇系薄膜的方法。作为上述碘-碘化钾水溶液，优选碘浓度为0.1～20g/l，碘化钾浓度为1～200g/l，碘与碘化钾的质量比为1～200。染色时间优选为10～ 5000秒，染色时的染色浴的液温度优选为5～60℃。作为染色方法，不仅可采用浸渍，还可采用染色液的涂布或喷雾等任一方法。染色工序可在拉伸工序之前、拉伸工序之后的任一时候进行。并且，还可在液相中的染色中进行拉伸。薄膜被适度溶胀而变得容易拉伸，因此优选在拉伸工序之前或拉伸的同时在液相中进行染色。将薄膜拉伸多次时，拉伸工序是指在进行拉伸的多个工序中拉伸倍率最大的工序。

交联工序通常使用硼化合物作为交联剂来进行。交联工序的顺序并无特别限制。交联工序可与染色工序、拉伸工序一同进行。并且，交联工序可进行1 次也可进行多次。作为硼化合物，可举出硼酸、硼砂等。硼化合物通常以水溶液或含有水和有机溶剂的混合溶剂作为溶剂的溶液形态使用。通常采用硼酸水溶液。硼酸水溶液的硼酸浓度相对于溶剂100质量份，例如为1～10质量份，优选为2～7质量份的范围。并且，在硼酸水溶液等(以下，还记载为交联浴。)中，可含有碘化钾等碘化化合物。使硼酸水溶液中含有碘化化合物时，碘化化合物浓度相对于溶剂100质量份，例如为0.1～10质量份，优选为0.5～ 8质量份的范围。通过实施交联工序，可使聚乙烯醇交联并稳定化，因此从提高偏振性能的观点考虑，较优选。

通过将聚乙烯醇系薄膜浸渍于交联浴来进行交联工序时，交联浴的液温度通常为25℃以上，优选为30～85℃，进一步优选为30～60℃的范围。浸渍时间通常为5～800秒，优选为8～500秒左右。

溶胀工序可通过将染色工序之前或之后的聚乙烯醇系薄膜浸渍于处理液来进行。作为处理液，通常使用水、蒸馏水、纯水。优选处理液中占最多的成分为水。处理液中可少量地加入碘化化合物、表面活性剂等添加剂、醇等有机溶剂。并且，使处理液含有碘化化合物时，碘化化合物浓度例如为0.1～10质量％，优选为0.2～5质量％。

优选将溶胀工序中的处理液的液温度通常调整为20～45℃左右。进一步优选为25～40℃。在处理液中的浸渍时间通常为10～300秒，优选为20～240秒的范围。

清洗工序可采用碘化钾溶液作为清洗液来进行。碘化钾溶液中的碘化钾浓度通常为0.5～10质量％，优选为0.5～8质量％，更优选为1～6质量％的范围。

清洗液的液温度通常为15～60℃，优选为25～40℃。在清洗液中的浸渍时间通常为1～120秒，优选为3～90秒的范围。

并且，作为清洗工序，可进行水洗。水洗通常可通过将聚乙烯醇系薄膜浸渍于离子交换水、蒸馏水等纯水中来进行。用于水洗的水的液温度通常为5～ 50℃，优选为10～45℃，进一步优选为15～40℃的范围。在水中的浸渍时间通常为5～300秒，优选为10～240秒左右。

在实施了上述各工序之后，最终可以实施干燥工序。干燥工序例如可在 30℃～100℃的气氛中进行30秒～60分钟左右。

另外，关于偏振器的制造工序，还可参考日本特开2011-237580号公报的段落0039～0050。

＜形成至少一层包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层的工序＞

之前记载的偏振片具有至少一层包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的层。包含上述化合物的层在一方式中为偏振器层，在另一方式中为偏振片保护薄膜，并且在另一方式中为粘结剂层。

(形成包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的偏振器层的方法)

作为用于将上述化合物包含于偏振器层的方法的一例，可举出在用于制膜聚乙烯醇系薄膜的制膜用组合物中添加上述化合物的方法。

并且，作为另一例，可举出在染色工序之前、染色工序中、染色工序之后的至少任一时期中，在聚乙烯醇系薄膜中适用上述化合物的方法。此处的适用是指，通过涂布、浸渍、喷雾等任意方法，使聚乙烯醇系薄膜与上述化合物接触，优选使其吸附或渗透。为此，例如可采用在之前记载的拉伸浴、染色浴、交联浴、处理液、清洗液等液相中添加上述化合物的方法。并且，作为另一例，可举出在碘染色之后的聚乙烯醇系薄膜的至少一个表面涂布包含上述化合物的溶液的方法。另外，作为获得在表面或包含表面的表层区域存在上述化合物的偏振器层的方法，优选如上述那样通过涂布来适用。

以上的方法可仅实施一个，也可组合2个以上来实施。采用上述任一方法时，也优选以在偏振器层中能够包含所希望的量的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的方式设定制造条件。关于偏振器层中的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的含量，若还考虑上述化合物与聚乙烯醇系树脂的相溶性，则优选相对于聚乙烯醇系树脂100质量份，设为0.01～30质量份的范围，更优选设为0.01～10质量份的范围，进一步优选设为1～10质量份的范围。

当采用在碘染色之后的聚乙烯醇系薄膜的至少一个表面上涂布包含上述化合物的溶液的方法时，作为涂布液的溶剂，并无特别限定。可使用1种或按任意比例混合2种以上的溶剂来使用。作为溶剂，优选为显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物显示较高溶解性的溶剂，只要根据显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物适当选择即可。作为一例，可举出甲乙酮、二氯甲烷、甲醇、乙酸甲酯、四氢呋喃(THF)等，但并不限定于这些。

并且，涂布液中的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物浓度例如可设为0.0005～50mol/L左右。涂布液的涂布量例如可设为1～60mL/m²左右。

(形成包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的粘结剂层的方法)

偏振片中，为了提高偏振器层与其他层之间的密合性或偏振片与其他部件之间的密合性，有时设置粘结剂层作为与偏振器层相邻的层。这种情况下，也可在粘着剂层中包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物。关于粘结剂层中的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的含量，若还考虑与树脂的相溶性，则优选相对于构成粘结剂层的树脂100质量份，为0.01～30质量份的范围，更优选为0.01～10质量份的范围，进一步优选为1～10质量份的范围。

作为用于粘结剂层的树脂，并无特别限定，可不受任何限制地使用具有粘结剂的公知的树脂。作为粘结剂，可采用更具有粘性的物质(粘着剂)，也可采用通过干燥或反应而显示粘接性的粘结剂。本发明中的粘结剂表示粘结剂及粘着剂双方。

粘结剂层通常包含树脂作为占最多的成分(主成分)。树脂通常例如占粘结剂层的30质量％以上且90质量％以下。优选占粘结剂层的70质量％以上。树脂可以是混合多种树脂的混合物。作为混合物，例如可举出将树脂的一部分改性的聚合物的混合物、或如通过使不同单体反应而合成的树脂等那样，主骨架的结构大致相同的成分的混合体等。另外，当树脂为混合物时，表示混合物的总量为上述范围。

关于粘结剂层，例如可通过将按规定比例含有粘结剂的涂布液涂布于偏振器层、任意设置的其他层(例如偏振片保护薄膜)等的至少一个表面，并使其干燥来形成。作为涂布液的制备方法，可采用任意适合的方法。作为涂布液，例如可采用市售的溶液或分散液，也可在市售的溶液或分散液中进一步添加溶剂来使用，还可将固体成分溶解或分散于各种溶剂来使用。

作为粘结剂，可根据目的采用具有任意的适当的性质、形态即粘接机理的粘结剂。具体而言，作为粘结剂，例如可举出水溶性粘结剂、紫外线固化型粘结剂、乳剂型粘结剂、胶乳型粘结剂、胶粘粘结剂、多层粘结剂、膏状粘结剂、发泡型粘结剂、支承膜粘结剂、热塑型粘结剂、热熔融型粘结剂、热固化粘结剂、热熔粘结剂、热活性粘结剂、热密封粘结剂、热固化型粘结剂、接触型粘结剂、压敏性粘结剂、聚合型粘结剂、溶剂型粘结剂、溶剂活性粘结剂等，优选为水溶性粘结剂及紫外线固化型粘结剂。尤其，与偏振器层相邻的粘结剂层中，从与聚乙烯醇系树脂的亲和性的观点考虑，优选采用水溶性粘结剂、紫外线固化型粘结剂。

水溶性粘结剂例如可含有可溶于水的天然高分子及合成高分子中的至少一个。作为天然高分子，例如可举出蛋白质或淀粉等。作为合成高分子，例如可举出甲阶酚醛树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、聚氧乙烯、聚丙烯酰胺、聚乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇系树脂等。其中，优选采用含有聚乙烯醇系树脂的水溶性粘结剂。含有聚乙烯醇系树脂的水溶性粘结剂与聚乙烯醇系薄膜(偏振器层)的密合性优异，因此优选用于与偏振器层相邻的粘结剂层。

另外，在由含有聚乙烯醇系树脂的水溶性粘结剂形成的粘结剂层与偏振器层相邻时，有时粘结剂层与偏振器层一体化，成为可视作一层的状态。

并且，粘结剂层可包含金属化合物，优选包含金属化合物胶体。关于其详细内容，可参考日本特开2012-014148号公报段落0079～0083。

作为其他添加剂，例如可使用链转移剂、敏化剂、粘结赋予剂、热塑性树脂、填充剂、流动调整剂、增塑剂、消泡剂等通常可用于偏振片的粘结剂层的各种添加剂的一种或两种以上。配合添加剂时，其量相对于树脂(粘结剂)，优选为40质量％以下，更优选为0.1质量％以上30质量％。

并且，粘结剂层可包含硼酸等交联剂。关于硼酸，认为通过使其包含于粘结剂层中，形成与构成粘结剂层的树脂中的羟基的键的交联结构(硼酸交联)，由此可在偏振器层与粘结剂层的层间或在任意设置的偏振片保护薄膜与粘结剂层的层间中，提高层间的密合性。例如，对偏振片保护薄膜通常进行皂化处理等，因此在表面具有羟基。由纤维素酯系树脂形成的偏振片保护薄膜通过皂化处理而成为在表面具有多个羟基的薄膜。并且，由聚对苯二甲酸乙二酯等聚酯系树脂或环烯烃系树脂形成的偏振片保护薄膜也可通过皂化等表面处理等而成为在表面具有羟基的薄膜。在与如此通过皂化处理等而成为在表面具有羟基的薄膜的偏振片保护薄膜相邻的粘结剂层中，包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物，尤其包含是以通式(I)表示的化合物及硼酸，由此能够促进粘结剂层与偏振器层之间及粘结剂层与偏振片保护薄膜之间的硼酸交联。由此，能够更加提高偏振器层与偏振片保护薄膜的密合性。

包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的粘结剂层中配合硼酸时，其量优选相对于显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物100质量份，为0.1质量份以上10000质量份以下，更优选为1质量份以上1000质量份以下。更优选上述那样的包含交联剂及显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的粘结剂层作为与由具有多个羟基的树脂即聚乙烯醇系树脂或纤维素酯系树脂形成的层相邻的层来设置。

粘结剂层的厚度可适当设定。具体而言，将粘结剂用于粘结剂层时，粘结剂层的厚度优选为0.1～50μm的范围，更优选为0.5～20μm的范围，进一步优选为1～15μm的范围，尤其优选为5～10μm的范围。另一方面，将粘结剂用于粘结剂层时，粘结剂层的厚度优选为10～500nm的范围，更优选为 10～400nm的范围，进一步优选为20～350nm的范围。粘结剂层可通过将粘结剂或粘着剂通过旋涂法、辊涂法、流涂法、浸涂法、棒涂法等公知的涂布方法涂布于偏振器层或任意设置的偏振片保护薄膜的表面来形成。

粘结剂层可根据所使用的形态，直接或经由底涂层(还称为易粘接层)等其他层间接地设置于偏振器层的一个表面上，也可设置于双方的表面上。另外，粘结剂层也可作为不与偏振器层相邻的层而形成，在此时的粘结剂层中可包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物。其他方式中，显示多碘化物离子 I₅ ^-形成能力的化合物可包含于与偏振器层相邻的粘结剂层。

(形成包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的偏振片保护薄膜的方法)

偏振片还可任意地具有一层以上的偏振片保护薄膜。显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物可包含于偏振片保护薄膜。

关于偏振片保护薄膜中的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的含量，若还考虑与树脂的相溶性，则相对于构成偏振片保护薄膜的树脂100质量份，优选为0.01～30质量份的范围，更优选为0.01～10质量份的范围，进一步优选为1.0～10质量份的范围。

作为偏振片保护薄膜的原料，可举出纤维素酯系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酯碳酸酯系樹树脂、聚丙烯酸酯系树脂、聚砜系树脂、聚醚砜系树脂、降冰片系树脂等环烯烃系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚丙烯酸酯系树脂、聚甲基丙烯酸酯系树脂、聚酯系树脂、烯烃马来酰亚胺系树脂或戊二酰亚胺系树脂等酰亚胺系树脂，这些树脂可单独使用，也可混合使用。上述树脂中，可优选使用基于分子的取向的双折射及光弹性模量比较小的纤维素酯系树脂、环烯烃系树脂或聚苯乙烯系树脂、酰亚胺系树脂、聚甲基丙烯酸系树脂。偏振片保护薄膜中，树脂可占5～99质量％，优选占20～99质量％，更优选占50～95质量％。

为了在偏振片保护薄膜中包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物，可采用在偏振片保护薄膜制膜用组合物(浓液)中添加上述化合物并进行制膜的方法、通过前述的涂布方法使其吸附在薄膜表面或渗透于表层区域的方法等。偏振片保护薄膜制膜用组合物中的显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物含量优选相对于构成偏振片保护薄膜的树脂100质量份，为0.01～30质量份，更优选为0.01～10质量份，进一步优选为1.0～10质量份。

关于包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的偏振片保护薄膜，除了在偏振片保护薄膜制膜用组合物中添加上述化合物这一点以外，可不受任何限制地采用作为偏振片保护薄膜的制膜方法而公知的方法。例如，可通过溶融制膜法或溶液制膜法(溶液流延法)制膜包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的偏振片保护薄膜。

关于构成偏振片保护薄膜的树脂或添加剂及其制造方法，还可参考日本特开2005-104149号公报和日本特开2012-014148号公报的段落0034～0040。

另外，作为不包含显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的偏振片保护薄膜，可采用市售的或公知的偏振片保护薄膜。作为一例，可举出市售的三醋酸纤维素薄膜(Fujitac TD80UF，FUJIFILM Co.,Ltd.制造)、日本特开2006- 58322号公报中记载的含脂环式结构的聚合体树脂薄膜、日本特开2009-122644 号公报中记载的丙烯酸系树脂薄膜等。

偏振片保护薄膜可直接或经由一层以上的粘结剂层等其他层而间接地设置于偏振器层表面上。并且，可在偏振器层的单面或两面上设置偏振片保护薄膜。

本发明的一方式所涉及的偏振片包含2张偏振片保护薄膜时，可以都是相同的偏振片保护薄膜，也可以是不同的偏振片保护薄膜。偏振片保护薄膜的厚度通常为5～300μm，优选为10～200μm，进一步优选为15～100μm，尤其优选为15～60μm。

＜可设置于偏振片的其他层＞

为了提高显示器的可见性和机械特性，本发明的一方式所涉及的偏振片还可具有相位差层、防反射层、硬涂层、前方散射层、抗眩(防眩)层等功能层。可以将这样的功能层构成为层叠于偏振片保护薄膜的形态或是与具有功能层的薄膜或光学补偿薄膜、亮度提高薄膜等光学薄膜复合而成的功能化偏振片。关于用于功能化的防反射薄膜、亮度提高薄膜、其他功能性光学薄膜、硬涂层、前方散射层、抗眩层，可参考日本特开2007-86748号公报的段落 0257～0276。

本发明的一方式所涉及的偏振片还可用作设置有气体阻挡层、滑动层、抗静电层、下涂层或保护层等功能层的功能性光学薄膜。这些功能层可设置于偏振器层侧及偏振器层的相反面(更靠近空气侧的面)中的任一单面或两面上来使用。关于可在这些偏振片保护薄膜上复合化的功能，可参考日本特开2005- 104149号公报和日本特开2012-014148号公报段落0139～0160等。

另外，作为上述偏振片的一方式，还可举出偏振器层中不包含在碘化化合物及在含碘溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-降低能的化合物的偏振片。其中，碘化化合物及含碘溶液中的多碘化物离子I₅ ^-降低能为通过以下方法测定的值。关于以下记载的操作，除非特别指明，则在大气中、在室温下(25℃，相对湿度 40％RH)进行。作为这种化合物的具体例，可举出选自包含抗坏血酸、异抗坏血酸、绿原酸、柠檬酸、迷迭香酸、硫代硫酸、亜硫酸及它们的盐的组的化合物。并且，作为盐，可举出钠盐、钾盐等碱金属盐等。在此，“不包含”是指不用作用于形成偏振器层的成分，制作偏振片之后，从偏振器层以外的层转移而来的结果，上述化合物包含于偏振器层时视作不包含于“不包含”。并且，以下，以采用碘化钾作为碘化化合物的方法为例进行说明，作为碘化化合物，例如可采用之前记载的碘化化合物。

(1)向混合溶剂(水：甲醇＝4：6(体积比))中添加碘化钾(KI)及碘 I₂并充分搅拌，从而制备了KI/I₂溶液(KI浓度：96.4mmol/L、I₂浓度： 0.63mmol/L)。将所制备的KI/I₂溶液的一部分用于以下的对象化合物溶液的制备，将另一部分用作以下的参考溶液。

(2)将判定在KI/I₂溶液中是否示出多碘化物离子I₅ ^-降低能的对象化合物，以成为0.63mmol/L的浓度的方式添加于上述KI/I₂溶液并充分搅拌、混合。将含有如此制备的对象化合物溶液的烧杯与含有参考溶液的烧杯一同在无温湿控制的室温下放置48小时。另外，放置时间以将对象化合物添加至KI/I₂溶液的时点作为开始时来测量。

(3)之后，从烧杯采取一部分对象化合物溶液，用混合溶剂(水：甲醇＝4：6(体积比))稀释为10倍，利用宽度(透射光的透射距离)1cm的单元，通过分光光度计测定波长355nm中的吸光度。

(4)对于参考溶液，也与对象化合物溶液同样地进行吸光度测定。

(5)对象化合物溶液的波长355nm中的吸光度(A_sample)低于参考溶液的波长355nm中的吸光度(A_ref.)时，即，A_sample＜A_ref.时，判定对象化合物为在碘化化合物及含碘溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-降低能的化合物。

并且，对于通过以上测定来求出的波长355nm中的吸光度(A_sample)不低于参考溶液的波长355nm中的吸光度(A_ref.)的对象化合物溶液，向溶液通入惰性气体来排除溶液中的残留氧之后，再次进行吸光度测定。从该结果获得的吸光度(A_sample)低于参考溶液的波长355nm中的吸光度(A_ref.)时，判定对象化合物为在碘化化合物及含碘溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-降低能的化合物。惰性气体的通气能够通过例如将氮气鼓泡10～20分钟来进行。鼓泡之后在无温度控制的室温下放置48小时期间密封保管，以避免与空气中的氧接触。

但是，刚制备之后的对象化合物溶液在波长355nm处具有吸收时，将从上述测定中求出的吸光度减去在室温下放置之前例如从上述开始时10分钟以内的对象化合物溶液的波长355nm中的吸光度的值用于判定是否显示多碘化物离子I₅ ^-降低能。

另外，如上述，基于分光光度计的吸光度测定通过测定对象溶液的测定结果与空白溶液的测定结果的对比来进行。空白溶液的测定(空白试验)为了排除或降低单元的影响，使用与在对象化合物溶液的吸光度测定中使用的单元相同的单元进行。作为空白溶液，使用在对象化合物溶液的制备中使用的混合溶剂(不含有对象化合物以及碘化化合物及碘)。

＜偏振片的形状＞

作为偏振片的形状，不仅包含切断为可直接组装于液晶显示装置的大小的薄膜片形式的偏振片，还包含通过连续生产而制作成长条状，并卷绕成卷状的形式(例如，卷长2500m以上或3900m以上的形态)的偏振片。为了形成大屏幕液晶显示装置用偏振片，优选将偏振片的宽度设为1000mm以上。

＜偏振片的性能＞

本发明的一方式所涉及的偏振片在至少任一层中包含在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物。由此，能够防止高温高湿下的偏振性能降低，一方式中，还可改善偏振性能。

偏振片的性能及耐久性可通过测定特定环境下的偏振片的正交透射率变化来评价。具体的评价方法将记载于以下。

(正交透射率CT)

波长410nm的正交透射率CT优选为CT≤2.0，作为更优选的范围为CT≤ 1.3，进一步优选为CT≤0.6(单位均为％)，更进一步优选为CT≤0.05。波长 410nm的正交透射率越低，波长410nm附近的漏光越少。与此相对，波长 410nm的正交透射率越高，波长410nm附近的漏光越多，显示器的黑色显示将呈现蓝色。因此，从颜色再现性观点考虑，优选波长410nm的正交透射率较低。上述的正交透射率较低表示偏振性能良好。正交透射率例如能够通过后述的实施例中使用的测定装置测定。

(正交透射率变化量)

作为高温高湿下的耐久性评价的指标，可利用偏振片在高温高湿下放置规定期间前后的上述正交透射率的变化量。例如，优选在温度60℃、相对湿度 90％的环境下放置500小时时的波长410nm的正交透射率的变化量[变化量＝ (放置后的正交透射率(％))-(放置前的正交透射率(％))]为0.03％以下，更优选变化量为零以下，进一步优选变化量为负值，即放置后的正交透射率小于放置前的正交透射率。这表示在高温高湿下的静置中，偏振性能得到了提高。本发明的一方式中，除了防止高温高湿下的偏振性能降低之外，还能够提高偏振性能。

另外，以上叙述的正交透射率使用10次测定值的平均值。并且，正交透射率变化量作为在上述的放置前及放置后分别进行10次测定获得的平均值的差分来求出。

(其他特性)

关于优选偏振片具有的光学特性等，记载于日本特开2007-086748号公报的段落0238～0255。本发明的一方式所涉及的偏振片优选满足这些特性。

＜偏振片的制造工序＞

偏振片可通过将偏振器层等各层根据需要经由粘结剂层贴合来制造。

贴合偏振器层与偏振片保护薄膜时，优选以偏振器层的透射轴与偏振片保护薄膜的慢轴平行、正交或成45°的方式进行贴合。

另外，对于平行、正交、45°等，视为包含在本发明所述的技术领域中允许的误差的范围。例如，表示在有关平行、正交的精密的角度小于±10°的范围内，优选与精密的角度的误差为5°以下，更优选为3°以下。关于偏振器层的透射轴与偏振片保护薄膜的慢轴的平行，优选偏振片保护薄膜的主折射率 nx的方向与偏振片的透射轴的方向之间的偏离在5°以内，更优选在1°以内，进一步优选在0.5°以内。若偏离在1°以内，则偏振片正交尼科尔棱镜下的偏振性能很难下降，尤其难以产生漏光，因此较优选。

作为偏振片的构成部件，除了上述各层以外，还可举出液晶单元或有机 EL面板等显示设备的透明基板或为了保护显示装置而配置前面板等部件。

[液晶显示装置]

以下，对本发明的一方式所涉及的液晶显示装置进行说明。

图1是表示本发明的一方式所涉及的液晶显示装置的例子的示意图的一例。

图1中，液晶显示装置10包含具有液晶层5及配置于其上下的液晶单元上电极基板3及液晶单元下电极基板6的液晶单元、配置于液晶单元的两侧的上侧偏振片1及下侧偏振片8。液晶单元的上侧偏振片1的吸收轴2与下侧偏振片8的吸收轴9正交地层叠。可在液晶单元与各偏振片之间配置滤色器。将液晶显示装置10用作透射型时，在背面配置将冷阴极或者热阴极荧光管或发光二极管、场致发射元件、电致发光元件作为光源的背光。另外，图1中，符号4及7为取向控制方向。

上侧偏振片1及下侧偏振片8大多以分别用两张偏振片保护薄膜夹着偏振器的方式层叠而成的结构来使用，但是液晶显示装置10中，也可使用光学补偿薄膜作为偏振片的液晶单元侧的保护薄膜。或者，也可以没有保护薄膜，用粘结剂层直接贴合偏振器层与电极基板3或6。

液晶显示装置10可以是图像直视型、图像投影型、光调制型。作为液晶层5的驱动模式，可采用包含TN模式、VA模式、IPS模式的横向电场模式、 OCB模式、ECB模式等已知的所有模式。

另外，虽未例示，但作为其他结构，能够将本发明的一方式所涉及的偏振片用于作为反射型或半透射型液晶显示装置或有机EL等自发光元件的防反射用途而配置的圆偏光版的一部分。

[实施例]

以下通过举出实施例来对本发明进行更具体的说明。以下的实施例中示出的材料、试剂、物质量及其比例、操作等，只要不脱离本发明的主旨，可适当变更。因此，本发明的范围并不限定于以下具体例。

实施例中，使用了以下化合物1-1～1-6。

[化学式24]

[化学式25]

比较例2、3中，使用了以下比较化合物。

[化学式26]

1.化合物的合成例

＜化合物1-1(例示化合物A-4)的合成＞

根据以下方案合成了例示化合物A-4。

[化学式27]

1)中间体N-苄基-N’-苯基尿素的合成

向附带有温度计、回流冷却管及搅拌机的5L的玻璃制烧瓶中放入苄基胺 321g及乙腈2L，用水浴冷却并搅拌的同时以反应液的内温成为40℃以下的速度滴加异氰酸苯基358g。在该状态下搅拌2小时之后，滤取添加水2L并吸引过滤来析出的晶体，用水1L清洗3次。在80℃下对所获得的晶体进行减压干燥，从而获得了610g的中间体N-苄基-N’-苯基尿素。

2)中间体1-苄基-3-苯基巴比妥酸的合成

向附带有温度计、回流冷却管及搅拌机的300mL的玻璃制烧瓶中放入在上述1)中合成的N-苄基-N’-苯基尿素5.0g、丙二酸2.5g、甲苯20mL及乙酸酐 5.6g，搅拌的同时以内温成为80℃的方式进行加热，在该状态下在80℃下持续搅拌3小时。之后，冷却至50℃，添加水15mL来进行分液，并废弃水相。在室温下搅拌有机层的同时滴加异丙醇5mL。滤取进一步在10℃以下搅拌0.5小时之后进行吸引过滤来析出的晶体，用已冷却的异丙醇清洗之后进行干燥，从而获得了4.6g的中间体1-苄基-3-苯基巴比妥酸。

3)中间体1-苄基-5-亚苄基-3-苯基巴比妥酸的合成

向附带有温度计、回流冷却管及搅拌机的300mL的玻璃制烧瓶中放入1- 苄基-3-苯基巴比妥酸4.0g、苯甲醛1.6g、乙酸40mL，滴加1滴硫酸并搅拌的同时以内温成为100℃的方式进行加热，在该状态下在100℃下持续搅拌3小时。之后冷却至50℃，添加异丙醇39mL与水17mL的混合溶液并在10℃以下搅拌1小时之后，滤取进行吸引过滤来析出的晶体，用甲醇清洗之后，获得了 3.9g的中间体1-苄基-5-亚苄基-3-苯基巴比妥酸。

所获得的化合物的结构用¹H-NMR光谱进行了确认。

¹H-NMR(300MHz,CDCl₃),δ：8.70(s,1H),8.10(d,2H),7.58-7.20 (m,15H),5.20(s,2H)

4)例示化合物A-4的合成

向50mL的高压釜中放入上述3)中合成的1-苄基-5-亚苄基-3-苯基巴比妥酸3.5g、甲醇8mL，添加Pd-C(10％)0.1g并搅拌的同时填充H₂，并以内温成为50℃的方式进行加热，在此状态下在50℃下持续搅拌3小时。之后，滤出Pd-C，并冷却至5℃，进一步添加水4mL并在5℃下搅拌1时间之后，滤取进行吸引过滤来析出的晶体，用甲醇/水＝1/1的混合溶剂清洗之后进行干燥，由此获得了3.0g的例示化合物A-4。

所获得的化合物的结构通过¹H-NMR光谱、IR光谱及质谱进行了确认。

¹H-NMR(300MHz,CDCl₃),δ：7.52-7.16(m,10H),5.10(s,2H)、3.86 (s,2H)

实施例、比较例中使用的其他化合物也依照上述合成法或通过公知的方法进行了合成。所获得的化合物的结构通过¹H-NMR光谱、IR光谱及质谱进行了确认。

2.关于是否在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的判定

对于上述各化合物，通过之前记载的方法(热水浴中的耐压试验管的放置时间设为2小时)判定是否在碘化化合物(碘化钾)溶液中显示多碘化物离子 I₅ ^-形成能力。作为分光光度计，使用了SHIMADZU CORPORATION制造， UV3100PC。

各测定中，参考溶液的波长355nm中的吸光度为0.0，因此判定中使用了对象化合物溶液的波长355nm中的吸光度。

结果示于下述表2。

[表2]

(^*上述中测定的吸光度的测定极限(上限)为5.0，因此测定为测定极限以上的化合物标记为5.0以上。)

3.与偏振片相关的实施例、比较例

[实施例1～6、比较例1～2]

＜偏振器(偏振器层)的制作＞

作为卷状薄膜，使用了聚乙烯醇薄膜(Kuraray Co.，Ltd.制造VF- PS7500；厚度75μm)。对该聚乙烯醇薄膜，以下述顺序实施了下述各工序。

(溶胀工序)

作为溶胀浴的处理液，使用了纯水。将上述聚乙烯醇薄膜传送至溶胀浴，在调整为30℃的纯水中浸渍1分钟来使其溶胀，同时拉伸至2.2倍，从而进行了溶胀。

(染色工序)

作为染色浴的处理液，使用了含有碘0.045质量％及碘化钾0.315质量％的 30℃的碘染色溶液。将经过上述溶胀处理的聚乙烯醇薄膜传送至染色浴，在调整为30℃的碘染色溶液中浸渍30秒的同时以相对于原长的拉伸倍率达到3.3 倍的方式进行了拉伸并进行了染色。

(交联工序)

作为交联浴的处理液，使用了含有硼酸3质量％、碘化钾3质量％的混合水溶液(1)。将经过上述处理的聚乙烯醇薄膜传送至交联浴，在调整为30℃ 的混合水溶液(1)中浸渍30秒的同时以相对于原长的拉伸倍率达到3.6倍的方式进行了拉伸。

(拉伸工序)

作为拉伸浴的处理液，使用了含有硼酸4质量％、碘化钾5质量％的混合水溶液(2)。将经过上述处理的聚乙烯醇薄膜传送至拉伸浴，在调整为60℃ 的混合水溶液(2)中浸渍60秒的同时以相对于原长的拉伸倍率达到6.0倍的方式进行了拉伸。

(清洗工序)

作为清洗浴的处理液，使用了含有碘化钾3质量％的水溶液。将经过上述处理的聚乙烯醇薄膜传送至清洗浴，在调整为30℃的上述水溶液中浸渍10 秒。

(干燥工序)

接着，对经过上述处理的聚乙烯醇系薄膜进行控水，在保持张力的状态下用60℃的烘箱干燥4分钟，从而获得了偏振器。

＜偏振片保护薄膜的贴付＞

将FUJIFILM Co.,Ltd.制造的醋酸纤维素薄膜(商品名Fujitac TD80UF)在2.3mol/L的氢氧化钠水溶液中，在55℃下浸渍3分钟。在室温的水洗浴槽中进行清洗，并在30℃下用0.05mol/L的硫酸进行中和。再次，在室温的水洗浴槽中进行清洗，进一步用100℃的温风进行干燥。如此，对醋酸纤维素薄膜系的偏振片保护薄膜进行了表面的皂化处理。

关于实施例1～12，用聚乙烯醇系粘结剂，将已皂化处理的醋酸纤维素薄膜系的偏振片保护薄膜贴付于在上述中制作的偏振器层的单侧的表面。此时，配置成偏振器的透射轴与偏振片保护薄膜的慢轴平行。

关于实施例13，代替在上述方法中进行皂化处理的醋酸纤维素薄膜系的偏振片保护薄膜，将TOYOBO CO.,LTD.制造的已进行了易粘接处理的聚酯薄膜 (商品名：COSMOSHINE超双折射型、厚度80μm)用作偏振片保护薄膜，并将该薄膜的易粘接处理面侧配置于偏振器层侧，并利用聚乙烯醇系粘结剂贴附于在上述中制作的偏振器层的单侧的表面。

＜化合物在偏振器层中的适用＞

关于实施例1～13、比较例2、3，将表2所示的各化合物溶解于MEK (甲乙酮)中，作为0.17mol/L的溶液。用棒涂布器在偏振器层的贴付有偏振片保护薄膜的面的相反侧表面上，以涂布量成为26cc/m²(26ml/m²)的方式涂布该溶液，并在80℃下干燥90秒。

对所制作的偏振片的一部分实施下述正交透射率测定，将另一部分浸在甲醇/乙腈的混合溶液中浸渍3.5小时来提取化合物，并进行高速液体色谱 (HPLC)测定。测定的结果，各化合物的含量相对于聚乙烯醇树脂100质量份，为0.1质量份。

如此，制作至少在表面或包含表面的表层区域中包含各化合物的偏振片。

[比较例1]

不进行化合物在偏振器层中的适用，除此以外与实施例1～12同样地制作了偏振片。

[比较例4]

不进行化合物在偏振器层中的适用，除此以外与实施例13同样地制作了偏振片。

4.正交透射率及正交透射率变化量的测定

将在实施例1～13、比较例2、3中制作的偏振片，经由粘合剂(Soken Chemical&Engineering Co.,Ltd.SK-2057)贴合适用了上述各化合物的表面与玻璃板，由此制作了偏振片试样(约5cm×5cm)。

关于比较例1、4，经由粘合剂贴合与贴合有偏振片保护薄膜的面相反的表面与玻璃板，除此以外与上述同样地制作了偏振片试样。

利用JASCO Corporation制造的自动偏光薄膜测定装置VAP-7070，以 380nm～780nm的范围测定如此准备的偏振片试样的透射率，并作为10次测定的平均值求出波长410nm中的透射率(正交透射率)。其他测定的详细内容如前所述。

之后，在60℃、相对湿度90％RH的环境下将各偏振片试样经时保存500 小时之后，用相同的方法，作为10次测定的平均值，测定波长410nm处的正交透射率。

另外，经时前、经时后的正交透射率的测定分别在25℃相对湿度60％RH 的环境下进行。

求出经时前后的正交透射率的变化，以此作为偏振片耐久性来进行了评价。

将结果示于下述表3。

[表3]

从表3所示的结果可知，如表2所示那样包含在碘化化合物溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的实施例1～13的偏振片中，高温高湿下的波长410nm处的正交透射率变化得到了抑制。另外，实施例1～13的偏振片中，在所测定的410nm以外的其他波长中也获得了良好的耐久性。

组装有波长410nm的正交透射率较低的偏振片的液晶显示装置中，波长 410nm附近的漏光较少，显示器的黑色显示呈蓝色的现象得到抑制。因此，能够显示出优异的色彩再现性。即，通过组装如上述那样在高温高湿下的波长 410nm处的正交透射率变化得到抑制的偏振片，能够提供在高温高湿经时之后色彩再现性仍优异的液晶显示装置。

符号说明

1-上侧偏振片，2-上侧偏振片吸收轴的方向，3-液晶单元上电极基板，4-上基板的取向控制方向，5-液晶层，6-液晶单元下电极基板，7-下基板的取向控制方向，8-下侧偏振片，9-下侧偏振片吸收轴的方向，10-液晶显示装置。

Claims

1.一种偏振片的制造方法，所述偏振片包含偏振器层，

所述制造方法包含下述步骤：

通过将聚乙烯醇系薄膜至少按任意顺序赋予碘染色工序、交联工序及拉伸工序的制造工序来制造所述偏振器层；以及

在所制造的所述偏振器层的至少一个表面上涂布含有在含碘化化合物的溶液中显示多碘化物离子I₅ ^-形成能力的化合物的溶液。

2.根据权利要求1所述的偏振片的制造方法，其中，

所述化合物包含经由单键与吸电子基团键合且不经由双键与其他碳原子键合的碳原子。

3.根据权利要求2所述的偏振片的制造方法，其中，

所述吸电子基团为羰基。

4.根据权利要求2或3所述的偏振片的制造方法，其中，

所述化合物为不饱和脂肪酸。

5.根据权利要求1所述的偏振片的制造方法，其中，

所述化合物包含分别经由单键与2个吸电子基团键合且不经由双键与其他碳原子键合的碳原子。

6.根据权利要求5所述的偏振片的制造方法，其中，

所述吸电子基团为羰基。

7.根据权利要求2或5所述的偏振片的制造方法，其中，

所述化合物包含1个以上的杂原子。

8.根据权利要求2或5所述的偏振片的制造方法，其中，

所述化合物具有包含所述碳原子的环状结构。

9.根据权利要求8所述的偏振片的制造方法，其中，

所述环状结构为杂环。

10.根据权利要求8所述的偏振片的制造方法，其中，

所述环状结构为5元或6元环。

11.根据权利要求9所述的偏振片的制造方法，其中，

所述环状结构为含氮杂环。