CN105887180B - 一种抑制有机dast晶体楔化的生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于晶体生长技术领域,涉及一种抑制有机DAST晶体楔化的生长方法,将干燥后的分子筛放入甲醇溶剂中得到的甲醇,再将DAST原料与步甲醇混合、溶解后进行抽滤,得到DAST‑甲醇生长溶液,并将DAST‑甲醇生长溶液热处理后倒入育晶缸中,将育晶缸中DAST‑甲醇生长溶液的温度稳定在平衡温度以上,启动电动机,与搅拌器同步对水浴进行搅拌;然后将籽晶的一端固定在籽晶架底端,在氮气气氛中,将籽晶架放入DAST‑甲醇生长溶液中,然后将DAST‑甲醇生长溶液的温度降温,20~50天后取出晶体,得到表面无楔化的DAST晶体;其生长方法简便,使用的生长装置结构简单,操作方便,能提高生长溶液的纯度,保证生长溶液的稳定性,有效抑制晶体生长过程中的楔化,生长高质量晶体的成功率高。
Description
技术领域:
本发明属于晶体生长技术领域,涉及一种非线性光学晶体的溶液降温生长方法,特别涉及一种抑制有机DAST晶体楔化的生长方法,通过生长装置的特殊设计以及生长工艺的进一步优化,有效抑制晶体在生长过程中易出现的楔化现象,进而改善晶体质量,保证生长成形状规则、高质量的DAST单晶。
背景技术:
太赫兹波(0.1-10THz的电磁波)具有光子能量低、频率高、空间分辨率好等优点,可广泛应用于光谱学成像、无损检测、安检、质量控制、高精度保密雷达、卫星间宽带通信等领域。研究表明,有机非线性光学晶体DAST是目前产生THz波效率最高的辐射源材料,但是受晶体尺寸和质量的限制,仍然无法获得稳定、高能量的THz辐射源,这已成为制约太赫兹光电子技术发展的瓶颈。
与无机晶体(如LiNbO3)相比,DAST晶体具有较大的二阶非线性光学系数(d11=290~310pm/V)、较高的电光系数(r11=92±9pm/V,λ=720nm)以及较低的介电常数(ε=5.2)等优点,适用于高速电光调制以及THz的产生与探测。而要产生宽频调谐范围、提高激光脉冲到THz转换效率,关键需要表面光滑平整、内部无缺陷的高质量的二阶非线性光学晶体,从而减少对THz波的吸收。目前,从晶体方面来看,国际上对DAST晶体的关键生长工艺研究仍然不够成熟,大尺寸、尤其是高质量的晶体难以稳定获得,限制了DAST晶体在相关方面的应用进展。在晶体生长过程中,受溶液中的杂质、溶液的过饱和度、生长温度梯度以及pH值等周围环境及工艺条件的影响,很容易使晶体出现楔化现象,即晶体的某些方向不断变小,晶面弯曲,导致晶体外表面及内部出现缺陷,影响了晶体的使用价值。台湾有学者利用籽晶法,在双温区环境中生长出较大尺寸的DAST晶体,但是晶体表面出现微晶,破坏了生长溶液的稳定性,晶体质量降低(A.S.Haja Hameed,W.C.Yu,Z.B.Chen,C.Y.Tai,C.W.Lan,Aninvestigation on the growth and characterization of DAST crystals grown bytwo zone growth technique,Journal of Crystal Growth,282(2005)117-124);瑞士学者利用籽晶法也生长出较大尺寸的DAST晶体,但是在生长过程中,晶面出现楔化现象,表面不平整,晶体质量难以保证(B.Ruiz,M.Jazbinsek,P.Günter,Crystal growth of DAST,Crystal Growth&Design,8(11)(2008)4173-4184),要生长出高质量的DAST晶体,除了要求晶体内部无包藏外,外观的完整性也必须良好,即晶体不能楔化,且晶面要光滑平整。因此,需要寻求一种能有效抑制有机DAST晶体在生长过程中易发生楔化的生长方法,提高高品质晶体生长的成功率。
发明内容:
本发明的目的在于克服现有DAST晶体生长技术中存在的不足,寻求设计一种抑制有机DAST晶体楔化的生长方法,利用自行设计的生长装置及改进的工艺进行晶体的生长,制备出无缺陷的高品质DAST晶体。
为了实现上述目的,本发明在有机DAST晶体生长装置中实现,具体包括以下步骤:
(1)将孔径为的分子筛置于马弗炉中,250~550℃干燥5~10h得到干燥后的分子筛;
(2)将干燥后的分子筛按照1:10~1:30的质量比放入纯度≥99.5%的甲醇溶剂中,经24~72h后,将得到的甲醇放入防潮柜中备用;
(3)将纯度为99.8%的DAST原料与步骤(2)中得到的甲醇按照质量比为2.5:100~5:100的比例混合、溶解,然后利用0.22~0.45μm的微孔滤膜对其进行抽滤,得到DAST-甲醇生长溶液,并将DAST-甲醇生长溶液在50~60℃进行热处理1~4h后倒入育晶缸中;
(4)将育晶缸中DAST-甲醇生长溶液的温度稳定在平衡温度以上1~3℃,保持3~10h,同时电动机以1000~2000r/min的速度转动,与电动机相连的搅拌器同步对水浴进行搅拌;
(5)利用偏光显微镜和激光干涉仪挑选形状规则、高质量的籽晶,籽晶尺寸为0.5×0.5×0.1mm3~2×2×0.5mm3,用有机胶将籽晶的一端固定在籽晶架底端;
(6)在氮气气氛中,将步骤(5)中固定好籽晶的籽晶架缓慢放入步骤(4)中的DAST-甲醇生长溶液中,然后将DAST-甲醇生长溶液的温度缓慢降至平衡温度,再以0.01~0.1℃/天的速度降温,在DAST籽晶生长过程中,电动机采用正转-停转-反转的轮换转动方式进行转动,转速为5~30r/min,20~50天后取出晶体,得到表面无楔化的DAST晶体。
本发明所述有机DAST晶体生长装置的主体结构包括水浴缸、水浴、第一电动机、聚四氟乙烯盖、热电偶、温控表、红外灯、硅胶塞、育晶缸、DAST-甲醇生长溶液、籽晶架、籽晶、搅拌器和第二电动机;育晶缸的瓶颈处通过聚四氟乙烯盖固定放置在水浴缸上,硅胶塞密封安装在育晶缸开口处,育晶缸内盛有DAST-甲醇生长溶液;在DAST-甲醇生长溶液中放置有籽晶架,籽晶架的底部固定籽晶,籽晶架的顶部竖直穿过硅胶塞,并与第一电动机刚性连接,籽晶架与第一电动机构成旋转结构,电动机与籽晶架同步转动;水浴缸顶部一侧安装有搅拌器,搅拌器一端穿过聚四氟乙烯盖,另一端放置在水浴中,搅拌器与第二电动机相连,第二电动机带动搅拌器同步转动;水浴缸顶部另一侧安装有热电偶,热电偶插入水浴中;红外灯放置在水浴缸外侧壁的偏下位置;温控表放置在水浴缸的外部,并分别与热电偶和红外灯连通,用于精确控制水浴的温度,进而控制DAST-甲醇生长溶液的温度。
本发明与现有技术相比,其生长方法简便,使用的生长装置结构简单,操作方便,能提高生长溶液的纯度,保证生长溶液的稳定性,有效抑制晶体生长过程中的楔化,生长高质量晶体的成功率高。
附图说明:
图1为本发明所述有机DAST晶体生长装置的主体结构原理示意图。
图2为本发明实施例生长出的DAST单晶图。
具体实施方式:
下面通过实施例并结合附图对本发明作进一步说明。
本实施例在有机DAST晶体生长装置中实现,具体包括以下步骤:
(1)将孔径为的分子筛置于马弗炉中,300℃干燥5h;
(2)将步骤(1)中得到的分子筛按照1:10的质量比,放入纯度≥99.5%的甲醇溶剂中,经72h后,将得到的甲醇放入防潮柜中备用;
(3)将纯度为99.8%的DAST原料与步骤(2)中得到的甲醇按照质量比为3:100的比例混合、溶解,然后利用0.45μm的微孔滤膜对其进行抽滤,得到DAST-甲醇生长溶液10,并将DAST-甲醇生长溶液10在50℃进行热处理1h后倒入育晶缸9中;
(4)将育晶缸9中DAST-甲醇生长溶液10的温度稳定在平衡温度以上3℃,保持10h,同时第二电动机14以1000r/min的速度转动,与第二电动机14相连的搅拌器13同步对水浴2进行搅拌;
(5)利用偏光显微镜和激光干涉仪挑选形状规则、高质量的籽晶12,籽晶12尺寸为1×1×0.3mm3,用有机胶将籽晶12的一端固定在籽晶架11底端;
(6)在氮气气氛中,将固定好籽晶12的籽晶架11缓慢放入步骤(4)中的DAST-甲醇生长溶液10中,然后将DAST-甲醇生长溶液10的温度缓慢降至平衡温度,再以0.02℃/天的速度降温,在DAST籽晶12生长过程中,第一电动机3采用正转-停转-反转的轮换转动方式进行转动,转速为10r/min,25天后取出晶体,得到表面无楔化的高质量DAST晶体,如图2所示。
本实施例有机DAST晶体生长装置的的主体结构包括水浴缸1、水浴2、第一电动机3、聚四氟乙烯盖4、热电偶5、温控表6、红外灯7、硅胶塞8、育晶缸9、DAST-甲醇生长溶液10、籽晶架11、籽晶12、搅拌器13和第二电动机14;育晶缸9的瓶颈处通过聚四氟乙烯盖4固定放置在水浴缸1上,硅胶塞8密封安装在育晶缸9开口处,育晶缸9内盛有DAST-甲醇生长溶液10;在DAST-甲醇生长溶液10中放置有籽晶架11,籽晶架11的底部固定籽晶12,籽晶架11的顶部竖直穿过硅胶塞8,并与第一电动机3刚性连接,籽晶架11与第一电动机3构成旋转结构,电动机3与籽晶架11一起同步转动;水浴缸1顶部一侧安装有搅拌器13,搅拌器13一端穿过聚四氟乙烯盖4,另一端放置在水浴2中,搅拌器13与第二电动机14相连,第二电动机14带动搅拌器13一起同步转动;水浴缸1顶部另一侧安装有热电偶5,热电偶5插入水浴2中;红外灯7放置在水浴缸1外侧壁的偏下位置;温控表6放置在水浴缸1的外部,并分别与热电偶5和红外灯7连通,用于精确控制水浴2的温度,进而控制DAST-甲醇生长溶液10的温度。
Claims (2)
1.一种抑制有机DAST晶体楔化的生长方法,其特征在于在有机DAST晶体生长装置中实现,具体包括以下步骤:
(1)将孔径为3~5 Å的分子筛置于马弗炉中,250~550℃干燥5~10h得到干燥后的分子筛;
(2)将干燥后的分子筛按照1:10~1:30的质量比放入纯度≥99.5%的甲醇溶剂中,经24~72h后,将得到的甲醇放入防潮柜中备用;
(3)将纯度为99.8%的DAST原料与步骤(2)中得到的甲醇按照质量比为2.5:100~5:100的比例混合、溶解,然后利用0.22~0.45μm的微孔滤膜对其进行抽滤,得到DAST-甲醇生长溶液,并将DAST-甲醇生长溶液在50~60℃进行热处理1~4h后倒入育晶缸中;
(4)将育晶缸中DAST-甲醇生长溶液的温度稳定在平衡温度以上1~3℃,保持3~10h,同时电动机以1000~2000r/min的速度转动,与电动机相连的搅拌器同步对水浴进行搅拌;
(5)利用偏光显微镜和激光干涉仪挑选形状规则、高质量的籽晶,籽晶尺寸为0.5×0.5×0.1mm3~2×2×0.5mm3,用有机胶将籽晶的一端固定在籽晶架底端;
(6)在氮气气氛中,将步骤(5)中固定好籽晶的籽晶架放入步骤(4)中的DAST-甲醇生长溶液中,然后将DAST-甲醇生长溶液的温度降至平衡温度,再以0.01~0.1℃/天的速度降温,在DAST籽晶生长过程中,电动机采用正转-停转-反转的轮换转动方式进行转动,转速为5~30r/min,20~50天后取出晶体,得到表面无楔化的DAST晶体。
2.根据权利要求1所述抑制有机DAST晶体楔化的生长方法,其特征在于所述有机DAST晶体生长装置的主体结构包括水浴缸、水浴、第一电动机、聚四氟乙烯盖、热电偶、温控表、红外灯、硅胶塞、育晶缸、DAST-甲醇生长溶液、籽晶架、籽晶、搅拌器和第二电动机;育晶缸的瓶颈处通过聚四氟乙烯盖固定放置在水浴缸上,硅胶塞密封安装在育晶缸开口处,育晶缸内盛有DAST-甲醇生长溶液;在DAST-甲醇生长溶液中放置有籽晶架,籽晶架的底部固定籽晶,籽晶架的顶部竖直穿过硅胶塞,并与第一电动机刚性连接,籽晶架与第一电动机构成旋转结构,第一电动机与籽晶架同步转动;水浴缸顶部一侧安装有搅拌器,搅拌器一端穿过聚四氟乙烯盖,另一端放置在水浴中,搅拌器与第二电动机相连,第二电动机带动搅拌器同步转动;水浴缸顶部另一侧安装有热电偶,热电偶插入水浴中;红外灯放置在水浴缸外侧壁的偏下位置;温控表放置在水浴缸的外部,并分别与热电偶和红外灯连通,用于控制水浴的温度,进而控制DAST-甲醇生长溶液的温度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610227600.0A CN105887180B (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种抑制有机dast晶体楔化的生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610227600.0A CN105887180B (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种抑制有机dast晶体楔化的生长方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105887180A CN105887180A (zh) | 2016-08-24 |
CN105887180B true CN105887180B (zh) | 2018-05-08 |
Family
ID=57012399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610227600.0A Expired - Fee Related CN105887180B (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种抑制有机dast晶体楔化的生长方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105887180B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106884206A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-23 | 青岛大学 | 一种有机非线性光学晶体用籽晶的生长方法 |
CN106948008A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-07-14 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 | 一种基于有机溶液的有机单晶生长装置 |
CN107604441A (zh) * | 2017-09-12 | 2018-01-19 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种双温区法晶体生长装置及dast晶体生长工艺 |
CN109208081A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-15 | 青岛大学 | 一种有机非线性晶体拼接式生长方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406647B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-06-18 | Mrinal Thakur | Method for preparation of single crystal films of organic second order optical materials |
CN103305919A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-09-18 | 青岛大学 | 一种有机非线性光学晶体的生长方法 |
CN104341342A (zh) * | 2014-10-23 | 2015-02-11 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种高产率、高纯度的dast源粉合成工艺 |
CN104562174A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 青岛大学 | 一种自发成核过程可控式的dast晶体生长装置 |
CN104962985A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种可控晶体尺寸的dast晶体生长工艺 |
CN104987306A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-21 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种在乙醇溶液中快速制备dast晶体的工艺 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3536086B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2004-06-07 | 大阪大学長 | 有機光学単結晶の清浄方法 |
JP2006265146A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Hokushin Ind Inc | Dast結晶の製造方法及びdast結晶の洗浄方法。 |
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2016
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406647B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-06-18 | Mrinal Thakur | Method for preparation of single crystal films of organic second order optical materials |
CN103305919A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-09-18 | 青岛大学 | 一种有机非线性光学晶体的生长方法 |
CN104341342A (zh) * | 2014-10-23 | 2015-02-11 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种高产率、高纯度的dast源粉合成工艺 |
CN104562174A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 青岛大学 | 一种自发成核过程可控式的dast晶体生长装置 |
CN104962985A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种可控晶体尺寸的dast晶体生长工艺 |
CN104987306A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-21 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种在乙醇溶液中快速制备dast晶体的工艺 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
An investigation on the growth and characterization of DAST crystals grown by two zone growth technique;A.S.Haja Hameed et al.;《Journal of Crystal Growth》;20050620;第282卷;117-124 * |
Growth and defects of DAST crystal in high concentration solution;Lifeng Cao et al.;《Journal of Crystal Growth》;20141125;第412卷;20-24 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105887180A (zh) | 2016-08-24 |
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