CN105814243A - 具有在基底支撑件上的弯曲的同心凹槽的衬托器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于外延生长反应器的衬托器；它大体上包含主体(601)，所述主体(601)具有面(602)，该面(602)包括适合于接纳将经历外延生长的基底的至少一个区(603)；该区(603)具有用于放置所述基底的支托表面(604)或与用于放置所述基底的支托表面(604)相关联；支托表面(604)设置有图案，该图案包括多个弯曲的凹槽伸展部(606)，该多个弯曲凹槽伸展部(606)使它们的中心大体上在与所述支托表面(604)相同的位置(605)中。

Description

具有在基底支撑件上的弯曲的同心凹槽的衬托器
发明领域
本发明主要涉及一种衬托器，其具有在将经受“外延生长”的基底的支托表面(restingsurface)上获得的图案。
背景技术
外延生长和用于获得外延生长的反应器许多年来一直是已知的；它们基于被称作“CVD”，即“化学气相沉积”的技术。
它们被使用的技术领域是生产电子部件的技术领域；用于该应用的工艺和反应器是特定的，因为需要非常高质量的沉积层并且仍要求提高质量。
外延反应器的类型之一采用“衬托器(susceptor)”，其插入反应室中并且其支撑将经历外延生长的一个或更多个基底，该衬托器放置在适当凹部内部的支托表面上(参见图1A中的参考数字10和1000)；如已知的，基底可以是完全地圆形的或通常具有平面(参见图1B中的在完全地圆形的凹部内的基底1000)。
对于高温外延生长(不低于800℃，不高于2000℃，并且根据待生长的材料通常从1000℃至1800℃)，常常使用反应器，其中室被加热并且尤其是衬托器经由电磁感应或经由电阻或经由辐射获得的热而被加热。
大部分现有技术(图1)涉及在从1000℃逐渐地至1200℃的工艺温度下的硅的外延生长，并且涉及所包括的反应器；事实上，仅仅最近，由碳化硅制成的电子部件已更广泛地得到使用。定位和支托基底的操作具有数个问题：基底至支托表面的粘附，在基底的定位期间和/或之后基底相对于支托表面的侧向位移，放置在支托表面上的基底的变形，在支托表面至基底的热传递中缺乏均匀性，支托表面与基底之间的物质的移动。
因此，进行了持续研究以找到解决这些问题的更好的解决方案。这还归因于对生长基底的品质以及对生产工艺的品质和速度的日益严格的要求。
在过去，人们认为使基底凹部成形有深的周边环形的凹槽并且在凹槽中提供具有略微凹的形状以及一些相对窄的、短的径向凹口的支托表面，该相对窄的、短的径向凹口通向凹槽中并且用于排放在凹槽中的基底与支托表面之间捕获的气体。
概述
因此，本申请人设定目标以为这些问题提供令人满意的解决方案，还因为上述具体解决方案是令人满意的但非最佳的。
实际上，本申请人已观察到，基底倾向于粘附至支托表面，尤其是在其不存在凹口的中心区域中；此外，本申请人注意到，当基底放置在凹部中(即，首先降低并且然后放下)时，少量的、窄的凹口不能执行排放基底的中心区域与支托表面的中心区域之间的气体的功能。
这样的目的借助于具有在所附权利要求中陈述的技术特征的衬托器来实现，所附权利要求形成了本描述的不可缺少的部分。
作为本发明基础的构思是使用多个弯曲凹槽伸展部作为基底的支托表面上的图案的构思。特别地，凹槽伸展部的中心大体上在与支托表面相同的位置中；这样的凹槽伸展部用于模拟粗糙表面，并且因此它们甚至特别地避免在外延生长过程期间的微观运动，例如，0.1-1.0mm的平移，或宏观运动，例如，360°或更多的旋转。
根据优选的实施方案，凹槽伸展部被连接以形成一个或更多个螺旋；此外，支托表面的图案还包括多个凹口，该多个凹口优选地在环绕支托表面的环形凹槽中终止并且用于排放在基底与支托表面之间，特别是在外周环形凹槽中所捕获的气体。
值得注意的是，本申请人也设计了特别有效的、特定构造的凹口(特别地，三角形或大体上三角形的形状和/或具有可变的深度)，而甚至无弯曲凹槽伸展部。
支托表面可以在第一图案化区域中设置有弯曲凹槽伸展部并且在第二图案化区域中设置有凹口；第一区域和第二区域可以是互相不同的。
根据第一另外的方面，本发明涉及一种用于外延生长的反应器，包括具有图案的至少一个衬托器，该图案包括多个弯曲凹槽伸展部，该多个弯曲凹槽伸展部使它们的中心大体上在相同的位置中。
根据第二另外的方面，本发明涉及一种以稳定的方式接纳和支撑基底的方法(即，在生长过程期间，无微观运动，例如，0.1-1.0mm的平移，或宏观运动，例如，360°且更大的旋转)，该基底将在外延反应器的衬托器上经历外延生长过程，从而避免基底在外延生长过程期间粘附在衬托器上；根据这样的方法，支托表面设置成用于将基底放置在衬托器上，并且图案被设置在支托表面上；图案包括多个弯曲凹槽伸展部，该多个弯曲凹槽伸展部使它们的中心大体上在与支托表面相同的位置中。
附图列表
本发明根据结合附图考虑的以下详细描述将变得更明显，在附图中：
图1示出根据现有技术的衬托器的圆盘形主体的简化的剖视图和局部俯视图，其中基底插入衬托器的凹部中；
图2示出根据本发明的衬托器的第一圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在其区的表面上；
图3示出根据本发明的衬托器的第二圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在其区的表面上；
图4示出根据本发明的衬托器的与第一支撑元件组合的第三圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；
图5示出根据本发明的衬托器的与第一支撑元件组合的第四圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；
图6示出根据两个不同的局部视图的衬托器，其中根据本发明的用于基底的支托表面具有根据本发明的图案；
图7示出根据现有技术的衬托器的圆盘形主体的简化的剖视图；
图8示出根据本发明的衬托器的第五圆盘形主体的简化的剖视图；
图9示出根据本发明的衬托器的第六圆盘形主体的简化的剖视图；
图10示出根据本发明的衬托器的第七圆盘形主体的简化的剖视图；
图11示出根据本发明的衬托器的与第二支撑元件组合的第八圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；
图12示出根据本发明的衬托器的与第三支撑元件组合的第九圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；
图13示出根据本发明衬托器的与第四支撑元件组合的第十圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；
图14示出根据本发明的衬托器的与第五支撑元件组合的第十一圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；
图15示出根据本发明的与第五支撑元件组合的衬托器的第十二圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；
图16示出根据本发明的衬托器的与框架和第六支撑元件组合的第十三圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；以及
图17示出根据本发明的衬托器的与第七支撑元件组合的第十四圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上
这样的描述和这样的附图通过仅示例的方式来提供并且因此是非限制性的。
如可以容易地理解的，关于本发明的主要的有利方面，在所附权利要求中限定的本发明可以以各种方式来实践地实施和应用。
详细描述
如所提到的，本发明的关键要素是在基底的支托表面上获得的图案。
在图2中的示例中，衬托器20与图1中的衬托器10相似，是圆盘形的并且设置有基底1000放置在其中的圆形凹部；与图1中的衬托器10不同，图2中的衬托器20具有凹部的支托表面，该支托表面具有根据本发明的用于稳定地接纳和支撑将经历外延生长过程的基底的图案(由虚线指示)。
图3中的衬托器30包括凸起(relief)，该凸起具有支托表面，该支托表面具有根据本发明的用于稳定地接纳和支撑将经历外延生长过程的基底的图案(由虚线指示)；基底1000放置在凸起上。图4中的衬托器40与衬托器20相似；然而，其凹部是较厚的；实际上，支撑元件41稳定地插入至其中；基底1000放置在元件41的支托表面上，该支托表面设置有根据本发明的用于稳定地接纳和支撑将经历外延生长过程的基底的图案(由虚线指示)。
图5中的衬托器50与衬托器30相似；但是，其升高的部分不是一样厚的；实际上，支撑元件51稳定地安装在其上；基底1000放置在元件51的支托表面上，该支托表面设置有根据本发明的用于稳定地接纳和支撑将经历外延生长过程的基底的图案(由虚线指示)。
这些衬托器大体上由圆盘形主体组成；它们的凹部或凸起(其数量从一个至十个变化)可以是完全地圆形的或具有平面的圆形。
在支托表面下方的部件部分(即，圆盘形主体或支撑元件)是实心主体，即，不具有孔或腔。
支撑元件41和51是薄的、完全地圆形的圆盘或具有平面的圆形圆盘。
图6中示出了这种处理的非常有利的示例。
在图6中(特别地参见图6B)，衬托器的圆盘形主体通过参考数字601来指示并且具有面602，该面602具有适合于接纳将经历外延生长的基底的区603(在图中未示出)；区603是凹部并且具有用于将基底直接放置在其上的支托表面604。
在该示例中，凹部603和支托表面604二者都是完全地圆形的(特别地参见图6A)并且具有在横轴X和纵轴Y的交叉处的中心605；此外，支托表面604是略微地凹的(参见图6B)；事实上，凹部603是一个在另一个下方地放置的具有略微不同的直径的两个薄圆柱形凹部的组合(如在图6B中清楚地看到的)。
表面604的图案包括单一螺旋形凹槽606并且凹槽具有它的在支托表面604的中心605中的中心；从而，支托表面是粗糙的。为了所需技术效果，即粗糙度的目的，单一凹槽606可以视作连接成形成单一凹槽的多个弯曲凹槽伸展部；全部这样的弯曲凹槽伸展部具有它们的大体上在相同位置中的中心，在图6中的示例中，该中心对应于支托表面604的中心605，以及凹部603的中心(即，各弯曲凹槽伸展部的中心位于支托表面604的例如可以具有3-50mm2的面积的中心区。
例如，为了获得所需的粗糙度，凹槽伸展部(或连接的或分离的)可以具有从0.05mm至0.30mm、优选地从0.05mm至0.15mm的深度。例如，为了获得所需的粗糙度，凹槽伸展部(或连接的或分离的)可以具有大体上三角形的(开度角90°-150°)或大体上圆形的(如图6B中所示的)横截面。
例如，为了获得所需的粗糙度，凹槽伸展部(或连接的或分离的)可以具有从0.5mm至3.0mm、优选地从0.5mm至1.5mm的间隔(在相邻伸展部之间)；图6B示出了彼此相邻且以给定间隔放置的两个凹槽伸展部606-1和606-2(对应于图6A中所示的相同螺旋形凹槽606的两个伸展部)。相邻凹槽之间的间隔通常是恒定的(如图6A中所示)，并且因此可以参考平行伸展部，尽管它们在形状上是弯曲的；参照图6中的螺旋，将更加准确地说，它具有恒定的螺距。
根据对图6中所示的示例的较小改变，凹槽伸展部可以隔开并且以单一螺旋形状定位(从图示的视角看，螺旋可以看作是用虚线绘制的)。
根据图6中的示例的变型，可以存在多于一个的螺旋，例如，两个或三个或四个，等等，但是全部都具有相同的中心、特别地对应于支托表面604的中心605以及凹部603的中心。同样在该实例中，凹槽伸展部可以被连接以形成各种螺旋或是可以隔开的。
凹槽的螺旋形状，特别是单一螺旋形状，是非常有利的，因为它可以使用具有少量的合适的形状和大小的工具来制造，该工具围绕支托表面的在螺旋路径后的中心钻孔并转动。
螺旋的可选择的解决方案由使用完全地圆形的或椭圆形的凹槽组成；同样在该实例中，弯曲伸展部具有对应于支托表面的中心的相同的中心。这样的伸展部可以被连接以形成多个同心的圆周或椭圆或可以是隔开的。
如所提到的，这样凹槽伸展部可以是隔开的；在该实例中，两个连续的伸展部之间的间隔通常可以是从1mm至10mm。
在图6中的实施方案的凹部603中，具有环绕支托表面604的深的(例如，从2mm至4mm)外围环形凹槽610；与图中所示的那个不同，一些凹槽伸展部(例如，螺旋)可以在环形凹槽中终止。
支托表面604的图案还包括优选地在环形凹槽610中终止的多个凹口607。
这样的凹口可以是相对短的，例如从5mm至25mm；此类凹口可以是径向的，此类凹口可以具有三角形形状(如图6A中所示的朝向支托表面的外围的开口)；此类凹口的数目可以是大的，例如，从60至360；此类凹口可以具有从1mm至2mm的深度(如在图6B中所示的，由于支托表面604是凹的，因此凹口607具有可变的深度、朝向中心的最小和朝向外围的最大)。
在图6中的示例中，支托表面604被分成第一圆形中心区域608和第二环形周边区域609；这两个区域是相互不同的。在第一区域608中，图案具有弯曲凹槽伸展部；在第二区域609中，图案具有凹口。值得注意的是，在图6中，区域608和609是相邻的；可选择地，这两个区域可以彼此隔开，例如，通过其中无图案的中间环形区域。
根据可选择的实施方案，这样的弯曲凹槽伸展部到达支托表面的外边缘，并且因此这样的弯曲凹槽与这样的凹口相交。
根据较简单的实施方案，图案借助于弯曲凹槽伸展部或仅借助于这样的凹口来制造。
图7示出根据现有技术的圆盘形衬托器的主体701，其中凹部703具有略微凹的、平滑的且平坦的支托表面704。
在图8中的示例中，圆盘形衬托器的主体801包括具有略微凹的支托表面804的圆形凹部803；表面804被图案化并且该图概略地示出以通向环形凹槽810的、远深于凹槽806的恒定深度的多个凹槽806中的一个(例如，如凹槽606)。
在图9中的示例中，圆盘形衬托器的主体901包括具有略微凹的支托表面904的圆形凹部903；表面904被图案化并且该图概略性地示出以通向环形凹槽810的可变深度的多个凹槽906中的一个(例如，如凹槽606)；凹槽906和凹槽910的底部在相同的水平上且这可以促进该部分的图案化。
在图10中的示例中，圆盘形衬托器的主体1001包括具有略微凹的支托表面1004的圆形凹部1003；表面1004被图案化并且该图概略性地示出以通向环形凹槽1010的可变深度的多个凹槽1006中的一个(例如，如凹槽606)；凹槽1006和凹槽1010的底部在相同的水平上且这可以促进该部分的图案化；值得注意的是，凹槽1006的深度在凹部1003的中心为零(或接近零)。
图8、图9、图10中的那些的可选择的解决方案可以包括如在这些图中所示的凹部的多个凹部。
从图11至图15的图中的示例包括衬托器，该衬托器具有包括凹部的圆盘形主体；支撑元件插入凹部中；支撑元件具有设置有根据本发明的图案(由虚线指示)的支托表面；换言之，凹部与用于基底的支托表面简单地相关联，但是不直接地占有它。
在图11的示例中，主体通过参考数字1101指示且支撑元件1120是具有薄的升高的边缘的圆盘；因此它具有用于基底1000的凹部并且边缘环绕基底1000和支托表面。主体1101的凹部具有在边缘上的斜角以促进元件1120的机械夹持。
在图12的示例中，主体通过参考数字1201指示且支撑元件1220是具有厚的升高的边缘的圆盘；因此它具有用于基底1000的凹部并且该边缘环绕基底1000和支托表面。
在图13的示例中，主体通过参考数字1301指示且支撑元件1320是具有薄的升高的环的圆盘，该薄的升高的环相对于圆盘的边缘是凹进的；因此它具有用于基底1000的凹部并且该环环绕基底1000和支托表面。
在图14的示例中，主体通过参考数字1401指示且支撑元件1420是具有成某种形状的边缘的圆盘，该成形的边缘在截面中形成“L”形；因此它具有用于基底1000的凹部并且该边缘环绕基底1000和支托表面。
在图15中的示例中，主体通过参考数字1501指示且支撑元件1520与图14中的支撑元件相同。图14中的解决方案与图15中的解决方案之间的差异由以下组成：主体1401的凹部与元件1420互补，而凹部1501留下凹部的表面与元件1520的表面之间的间隙；这样的空间可以例如用于促进操纵该支撑元件的操作。
值得注意的是，其具有等于或相似于从图11至图15的图中所示的那些的图案化的支托表面的支撑元件可以不仅与具有一个或更多个凹部的衬托器主体组合，而且可以与具有一个或更多个凸起的衬托器主体组合。此外，值得注意的是，支撑元件的等于或相似于从图11至图15的图中所示的那些的外部形状可以是完全地圆形的或具有平面的圆形。最后，值得注意的是，支撑元件的等于或相似于从图11至图15的图中所示的那些的凹部的形状可以是完全地圆形的或具有平面的圆形。
图16涉及在其中衬托器包括圆盘形主体和至少一个支撑元件以及对应的框架的本发明的应用的情况；图16中的解决方案包括仅一个支撑元件和仅一个框架；然而，可选择的解决方案可以包括多个(例如，三个或四个或五个或六个)支撑元件和对应的多个(例如，三个或四个或五个或六个)框架。
图16示出了支撑元件1630和围绕其的框架1640的联接；在图16A中，示出了当衬托器的主体1601插入凹部1603中时的这样的联接，然后该衬托器主体将稳定地设置在凹部1603的底部处；在操作结束时，支撑元件1630还将稳定地设置在凹部1603的底部处；可选择地，支撑元件1630可以与凹部1603的底部略微地更加地间隔开(例如，0.5mm)。
支撑元件1630具有在其上部面上的根据本发明的图案化的支托表面(由虚线指示)，用于放置基底(在图中的基底1000，邻近于元件1630)。
元件1630大体上是厚的圆盘，但是在其下部面上，它具有用于联接至框架1640的狭槽。
图17涉及在其中衬托器包括圆盘形主体1701和多个(例如，三个或四个或五个或六个)支撑元件1720的本发明的应用的情况。
主体1701包括元件1720分别插入其中的多个通孔。
支撑元件1720具有在其上部面上的根据本发明的图案化的支托表面(由虚线指示)，用于放置基底(在图中的基底1000，邻近于元件1720)。
元件1720大体上是厚的圆盘，但是它们具有在其下部面上的用于连接至主体1701的孔的狭槽。
在图17中，中心凹部被示出在衬托器主体的背部上，该中心凹部用于导引主体自身的旋转。

Claims (15)

1.一种用于外延生长反应器的衬托器，包含主体(601)，所述主体(601)具有面(602)，所述面(602)包括适合于接纳将经历外延生长的基底的至少一个区(603)，其中所述区(603)具有用于放置所述基底的支托表面(604)或与用于放置所述基底的支托表面(604)相关联，并且其中所述支托表面(604)设置有图案，
其特征在于，所述图案包括多个弯曲的凹槽伸展部(606)，所述多个弯曲的凹槽伸展部(606)使它们的中心大体上在与所述支托表面(604)相同的位置(605)中。
2.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部(606)至少以螺旋定位。
3.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部以一系列螺旋定位。
4.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部以多个同心圆周或椭圆定位。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部中的一些(606-1、606-2)彼此平行。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的衬托器，其中，所述支托表面(604)由环形凹槽(610)环绕。
7.根据权利要求6所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部中的一些在所述环形凹槽中终止。
8.根据权利要求6或7所述的衬托器，其中，所述图案还包括优选地在所述环形凹槽(610)中终止的多个凹口(607)。
9.根据权利要求8所述的衬托器，其中，所述支托表面(604)设置有在其第一区域(608)中的弯曲凹槽伸展图案(606)，并且设置有在其第二区域(609)中的凹口图案(607)，所述第一区域(608)和所述第二区域(609)是相互不同的。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的衬托器，其中，所述支托表面(604)是凹的。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的衬托器，其中，所述区是凹部(603)或所述主体(601)的凸起。
12.根据前述权利要求1至11中的任一项所述的衬托器，包括用于所述基底的至少一个支撑元件，其中所述支撑元件具有所述支托表面，并且其中所述至少一个支撑元件在所述至少一个区上被放下。
13.根据前述权利要求1至11中的任一项所述的衬托器，包括用于所述基底的至少一个支撑元件和用于所述支撑元件的至少一个框架，其中所述至少一个框架包括孔，其中所述支撑元件具有所述支托表面，并且其中所述至少一个框架设置在所述至少一个区上，并且所述至少一个支撑元件插入所述孔中。
14.一种外延生长反应器，包括至少一个根据前述权利要求中的任一项所述的衬托器，以用于支撑和加热基底。
15.一种用于稳定地接纳和支撑将在外延反应器的衬托器上经历外延生长过程的基底从而避免所述基底在所述外延生长过程期间粘附在所述衬托器上的方法，
其中支托表面设置成用于将所述基底放置在所述衬托器上，并且其中图案设置在所述支托表面上；
其特征在于，所述图案包括多个弯曲的凹槽伸展部，所述多个弯曲的凹槽伸展部使它们的中心大体上在与所述支托表面相同的位置中。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109616439A (zh) * 2018-11-19 2019-04-12 中国电子科技集团公司第十研究所 一种衬底材料固定装置及固定方法
CN110506326A (zh) * 2017-07-24 2019-11-26 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476548A (en) * 1994-06-20 1995-12-19 Applied Materials, Inc. Reducing backside deposition in a substrate processing apparatus through the use of a shadow ring
US5534073A (en) * 1992-09-07 1996-07-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor producing apparatus comprising wafer vacuum chucking device
CN1192265A (zh) * 1995-06-07 1998-09-02 布鲁克斯自动化公司 用惰性气体进行基片热调整的装置与方法
US6264467B1 (en) * 1999-04-14 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Micro grooved support surface for reducing substrate wear and slip formation
CN101413114A (zh) * 2008-12-09 2009-04-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 基片承载装置和等离子体加工设备
CN101582388A (zh) * 2008-05-16 2009-11-18 佳能安内华股份有限公司 衬底保持设备
CN102605347A (zh) * 2011-01-18 2012-07-25 三星Led株式会社 基座和包括其的化学气相沉积设备
CN202766617U (zh) * 2012-08-28 2013-03-06 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室
US20130263776A1 (en) * 2012-04-10 2013-10-10 Memc Electronic Materials, Inc. Methods For Fabricating A Semiconductor Wafer Processing Device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013155073A1 (en) * 2012-04-10 2013-10-17 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for improved epitaxial wafer flatness and methods for fabricating a semiconductor wafer processing device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5534073A (en) * 1992-09-07 1996-07-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor producing apparatus comprising wafer vacuum chucking device
US5476548A (en) * 1994-06-20 1995-12-19 Applied Materials, Inc. Reducing backside deposition in a substrate processing apparatus through the use of a shadow ring
CN1192265A (zh) * 1995-06-07 1998-09-02 布鲁克斯自动化公司 用惰性气体进行基片热调整的装置与方法
US6264467B1 (en) * 1999-04-14 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Micro grooved support surface for reducing substrate wear and slip formation
CN101582388A (zh) * 2008-05-16 2009-11-18 佳能安内华股份有限公司 衬底保持设备
CN101413114A (zh) * 2008-12-09 2009-04-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 基片承载装置和等离子体加工设备
CN102605347A (zh) * 2011-01-18 2012-07-25 三星Led株式会社 基座和包括其的化学气相沉积设备
US20130263776A1 (en) * 2012-04-10 2013-10-10 Memc Electronic Materials, Inc. Methods For Fabricating A Semiconductor Wafer Processing Device
CN202766617U (zh) * 2012-08-28 2013-03-06 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110506326A (zh) * 2017-07-24 2019-11-26 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计
CN110506326B (zh) * 2017-07-24 2024-03-19 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计
CN109616439A (zh) * 2018-11-19 2019-04-12 中国电子科技集团公司第十研究所 一种衬底材料固定装置及固定方法

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